JPH08279514A - サンドブラスト装置 - Google Patents
サンドブラスト装置Info
- Publication number
- JPH08279514A JPH08279514A JP10473395A JP10473395A JPH08279514A JP H08279514 A JPH08279514 A JP H08279514A JP 10473395 A JP10473395 A JP 10473395A JP 10473395 A JP10473395 A JP 10473395A JP H08279514 A JPH08279514 A JP H08279514A
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- JP
- Japan
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- nozzle
- wafer
- fine particles
- damage
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェーハ全面にムラなく均一なダメージを形
成する。ダメージを形成の処理速度を高める。パーティ
クルの付着・発塵を防止する。ダメージ密度・濃度のコ
ントロールを容易にする。 【構成】 ウェーハ１１の一面にノズル１３より微小粒
子を衝突させてゲッタリングシンクを形成する。ノズル
の開口断面１３Ａを、その一辺がウェーハ１１の直径よ
りも長い矩形とする。ノズル１３は、その微小粒子の射
出角度をウェーハ１１に対して可変とする。ノズル１３
からの微小粒子はウェーハ裏面の矩形エリアに均一な密
度・速度で衝突する。ウェーハ１１を一方向に送るのみ
でノズルをスイングさせずに、微小粒子の密度・強さが
均一となり、サンドブラストダメージを全面に均一に形
成できる。全面へのダメージ形成を効率よく行える。
成する。ダメージを形成の処理速度を高める。パーティ
クルの付着・発塵を防止する。ダメージ密度・濃度のコ
ントロールを容易にする。 【構成】 ウェーハ１１の一面にノズル１３より微小粒
子を衝突させてゲッタリングシンクを形成する。ノズル
の開口断面１３Ａを、その一辺がウェーハ１１の直径よ
りも長い矩形とする。ノズル１３は、その微小粒子の射
出角度をウェーハ１１に対して可変とする。ノズル１３
からの微小粒子はウェーハ裏面の矩形エリアに均一な密
度・速度で衝突する。ウェーハ１１を一方向に送るのみ
でノズルをスイングさせずに、微小粒子の密度・強さが
均一となり、サンドブラストダメージを全面に均一に形
成できる。全面へのダメージ形成を効率よく行える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はサンドブラスト装置、
エキストリンシックゲッタリングＥＧとしてウェーハ裏
面にサンドブラストダメージＢＳＤを付与するためのサ
ンドブラスト装置のノズル開口形状などの改良に関す
る。
エキストリンシックゲッタリングＥＧとしてウェーハ裏
面にサンドブラストダメージＢＳＤを付与するためのサ
ンドブラスト装置のノズル開口形状などの改良に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】高温熱処理を伴うデバイス製造プロセス
においては、シリコンウェーハは様々な不純物に汚染さ
れる。ゲッタリングでは、この不純物、特に遷移金属を
ウェーハ表面から除去する。ゲッタリングの一つとして
外部ゲッタリングＥＧがある。ＥＧでは例えばウェーハ
裏面に機械的ダメージ層（ゲッタリングシンク）を形成
し、このＥＧシンクに金属不純物を吸収する。このＥＧ
シンクの導入には、数〜数十μｍの粒径のＳｉＯ2で、
ウェーハ裏面をサンドブラスティングする方法がある。
このようにしてシリコンウェーハ裏面に導入された機械
的ダメージＢＳＤは、その裏面に均一に微小なひずみを
分布・形成し、不純物の捕獲中心として作用する。例え
ば、汚染不純物や点欠陥などの捕獲拠点として作用す
る。
においては、シリコンウェーハは様々な不純物に汚染さ
れる。ゲッタリングでは、この不純物、特に遷移金属を
ウェーハ表面から除去する。ゲッタリングの一つとして
外部ゲッタリングＥＧがある。ＥＧでは例えばウェーハ
裏面に機械的ダメージ層（ゲッタリングシンク）を形成
し、このＥＧシンクに金属不純物を吸収する。このＥＧ
シンクの導入には、数〜数十μｍの粒径のＳｉＯ2で、
ウェーハ裏面をサンドブラスティングする方法がある。
このようにしてシリコンウェーハ裏面に導入された機械
的ダメージＢＳＤは、その裏面に均一に微小なひずみを
分布・形成し、不純物の捕獲中心として作用する。例え
ば、汚染不純物や点欠陥などの捕獲拠点として作用す
る。
【０００３】従来のサンドブラスト装置では、図４に示
すように、その開口断面が円形の１本の円筒状ノズルを
用いてウェーハ裏面にＳｉＯ2粒子を衝突させていた。
したがって、ウェーハをノズルの下方において一方向に
送り、かつ、このノズルをウェーハの送り方向に対して
直角方向に揺動させていた。
すように、その開口断面が円形の１本の円筒状ノズルを
用いてウェーハ裏面にＳｉＯ2粒子を衝突させていた。
したがって、ウェーハをノズルの下方において一方向に
送り、かつ、このノズルをウェーハの送り方向に対して
直角方向に揺動させていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のサンドブラスト装置では、ノズル開口が円形
で、かつ、ウェーハ裏面に対してきわめて小さいため、
ウェーハ裏面全面に均一に粒子を衝突させることが困難
であった。特に、円形開口から射出された微小粒子は円
状に拡散してしまうため、衝突した裏面の小エリアでも
その強さ・密度にばらつきがあるからである。また、ノ
ズルをスイングさせると裏面においてはノズル直下と離
れた位置では、衝突のエネルギも変わり、衝突粒子の密
度もかわるため、裏面全面について到底均一なダメージ
を与えることができない（ダメージムラが生じる）とい
う不具合があった。また、裏面の同じ場所を何回もたた
くことが多くなり、時間がかかり、しかも、パーティク
ルが付着したり、多量の発塵が生じるという課題もあっ
た。
うな従来のサンドブラスト装置では、ノズル開口が円形
で、かつ、ウェーハ裏面に対してきわめて小さいため、
ウェーハ裏面全面に均一に粒子を衝突させることが困難
であった。特に、円形開口から射出された微小粒子は円
状に拡散してしまうため、衝突した裏面の小エリアでも
その強さ・密度にばらつきがあるからである。また、ノ
ズルをスイングさせると裏面においてはノズル直下と離
れた位置では、衝突のエネルギも変わり、衝突粒子の密
度もかわるため、裏面全面について到底均一なダメージ
を与えることができない（ダメージムラが生じる）とい
う不具合があった。また、裏面の同じ場所を何回もたた
くことが多くなり、時間がかかり、しかも、パーティク
ルが付着したり、多量の発塵が生じるという課題もあっ
た。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、半導体基板の一面にノズルより射出した微小粒子を
衝突させてゲッタリングシンクを形成するサンドブラス
ト装置において、上記ノズルの開口断面を、その一辺が
上記半導体基板の直径よりも長い矩形としたサンドブラ
スト装置である。
は、半導体基板の一面にノズルより射出した微小粒子を
衝突させてゲッタリングシンクを形成するサンドブラス
ト装置において、上記ノズルの開口断面を、その一辺が
上記半導体基板の直径よりも長い矩形としたサンドブラ
スト装置である。
【０００５】請求項２に記載の発明は、上記ノズルは、
その微小粒子の射出角度を上記半導体基板に対して可変
とした請求項１に記載のサンドブラスト装置である。
その微小粒子の射出角度を上記半導体基板に対して可変
とした請求項１に記載のサンドブラスト装置である。
【０００６】
【作用】請求項１に記載の発明によれば、ノズルより射
出された微小粒子は少なくともウェーハ面の矩形エリア
に対して均一な密度・速度で衝突することとなる。この
とき、ウェーハ裏面の径よりも長い辺の矩形開口ノズル
を使用しているため、ウェーハを一方向に送るのみで、
ノズルをスイングさせる必要がない。よって、微小粒子
の密度・強さが均一となり、サンドブラストダメージを
全面に均一に形成することができる。同時に、その全面
へのダメージ形成を効率よく行うことができる。
出された微小粒子は少なくともウェーハ面の矩形エリア
に対して均一な密度・速度で衝突することとなる。この
とき、ウェーハ裏面の径よりも長い辺の矩形開口ノズル
を使用しているため、ウェーハを一方向に送るのみで、
ノズルをスイングさせる必要がない。よって、微小粒子
の密度・強さが均一となり、サンドブラストダメージを
全面に均一に形成することができる。同時に、その全面
へのダメージ形成を効率よく行うことができる。
【０００７】請求項２に記載した発明では、例えばノズ
ルを半導体基板に対して一定の角度に固定し、半導体基
板を所定の速度で走行させる。この走行速度を変更する
ことにより、または、ノズルからの射出圧力を可変とす
ることにより、微小粒子の衝突時のエネルギを可変とす
ることができる。デバイス仕様に応じてサンドブラスト
ダメージの深さなどを簡易に調整可能とすることができ
る。また、粒子の面への衝突の角度を鋭角（例えば６０
°）とすることで、微小粒子の排出を簡単に行うことが
できる。また、パーティクルの付着・発塵を少なくする
角度で照射することも可能となる。
ルを半導体基板に対して一定の角度に固定し、半導体基
板を所定の速度で走行させる。この走行速度を変更する
ことにより、または、ノズルからの射出圧力を可変とす
ることにより、微小粒子の衝突時のエネルギを可変とす
ることができる。デバイス仕様に応じてサンドブラスト
ダメージの深さなどを簡易に調整可能とすることができ
る。また、粒子の面への衝突の角度を鋭角（例えば６０
°）とすることで、微小粒子の排出を簡単に行うことが
できる。また、パーティクルの付着・発塵を少なくする
角度で照射することも可能となる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明に係るサンドブラスト装置の
一実施例を図１〜図３を参照して説明する。これらの図
に示すように、サンドブラスト装置は、シリコンウェー
ハ１１を載置するステージ１２と、このステージ１２の
上方に設けられたノズル１３と、を有している。ステー
ジ１２はその平面内で一方向に走行可能に構成してあ
る。
一実施例を図１〜図３を参照して説明する。これらの図
に示すように、サンドブラスト装置は、シリコンウェー
ハ１１を載置するステージ１２と、このステージ１２の
上方に設けられたノズル１３と、を有している。ステー
ジ１２はその平面内で一方向に走行可能に構成してあ
る。
【０００９】一方、ノズル１３は、ステージ１２に対し
て上下動自在かつ上記走行方向に揺動自在に設けられて
いる。また、ノズル１３は、載置されるウェーハ１１の
直径よりも長い長辺と短辺とからなる矩形開口１３Ａを
有している。ノズル１３には数〜数十μｍの粒径のＳｉ
Ｏ2の微粒子が供給され、矩形開口１３Ａより射出され
る構成である。例えば圧縮空気によって所定の速度で開
口１３Ａより吹き出す構成である。
て上下動自在かつ上記走行方向に揺動自在に設けられて
いる。また、ノズル１３は、載置されるウェーハ１１の
直径よりも長い長辺と短辺とからなる矩形開口１３Ａを
有している。ノズル１３には数〜数十μｍの粒径のＳｉ
Ｏ2の微粒子が供給され、矩形開口１３Ａより射出され
る構成である。例えば圧縮空気によって所定の速度で開
口１３Ａより吹き出す構成である。
【００１０】そして、図３に示すように、このノズル１
３はウェーハ１１の裏面に対して所定の角度θを有して
微粒子を射出可能に構成されている。
３はウェーハ１１の裏面に対して所定の角度θを有して
微粒子を射出可能に構成されている。
【００１１】したがって、上記構成に係るサンドブラス
ト装置にあっては、ウェーハ１１をその裏面を上にして
ステージ１２に載置して所定速度で走行させ、ノズル１
３より微粒子をこの裏面に照射する。これによりウェー
ハ裏面には全面に均一なダメージが形成される。この場
合、ノズル１３を首振りさせることはなく、所定角度で
固定してある。
ト装置にあっては、ウェーハ１１をその裏面を上にして
ステージ１２に載置して所定速度で走行させ、ノズル１
３より微粒子をこの裏面に照射する。これによりウェー
ハ裏面には全面に均一なダメージが形成される。この場
合、ノズル１３を首振りさせることはなく、所定角度で
固定してある。
【００１２】
【発明の効果】この発明によれば、ウェーハ面上をノズ
ルが横方向に往復動することがなく、全面にムラなく均
一なダメージを形成することができる。同時に、最適な
速度でダメージを形成することができ、その処理速度も
高まる。また、パーティクルの付着・発塵を防止するこ
とができる。さらに、このダメージ密度・濃度もコント
ロールしやすくなっている。
ルが横方向に往復動することがなく、全面にムラなく均
一なダメージを形成することができる。同時に、最適な
速度でダメージを形成することができ、その処理速度も
高まる。また、パーティクルの付着・発塵を防止するこ
とができる。さらに、このダメージ密度・濃度もコント
ロールしやすくなっている。
【図１】この発明の一実施例に係るサンドブラスト装置
の概略を示す正面図である。
の概略を示す正面図である。
【図２】この発明の一実施例に係るサンドブラスト装置
の概略を示す平面図である。
の概略を示す平面図である。
【図３】この発明の一実施例に係るサンドブラスト装置
の概略を示す側面図である。
の概略を示す側面図である。
【図４】従来のサンドブラスト装置の概略を示す模式図
である。
である。
１１ シリコンウェーハ、 １３ ノズル、 １３Ａ 矩形開口
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の一面にノズルより射出した
微小粒子を衝突させてゲッタリングシンクを形成するサ
ンドブラスト装置において、 上記ノズルの開口断面を、その一辺が上記半導体基板の
直径よりも長い矩形としたサンドブラスト装置。 - 【請求項２】 上記ノズルは、その微小粒子の射出角度
を上記半導体基板に対して可変とした請求項１に記載の
サンドブラスト装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10473395A JP3317814B2 (ja) | 1995-04-04 | 1995-04-04 | サンドブラスト装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10473395A JP3317814B2 (ja) | 1995-04-04 | 1995-04-04 | サンドブラスト装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08279514A true JPH08279514A (ja) | 1996-10-22 |
| JP3317814B2 JP3317814B2 (ja) | 2002-08-26 |
Family
ID=14388705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10473395A Expired - Fee Related JP3317814B2 (ja) | 1995-04-04 | 1995-04-04 | サンドブラスト装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3317814B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7666689B2 (en) | 2006-12-12 | 2010-02-23 | International Business Machines Corporation | Method to remove circuit patterns from a wafer |
| US8034718B2 (en) | 2006-12-12 | 2011-10-11 | International Business Machines Corporation | Method to recover patterned semiconductor wafers for rework |
-
1995
- 1995-04-04 JP JP10473395A patent/JP3317814B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7666689B2 (en) | 2006-12-12 | 2010-02-23 | International Business Machines Corporation | Method to remove circuit patterns from a wafer |
| US8034718B2 (en) | 2006-12-12 | 2011-10-11 | International Business Machines Corporation | Method to recover patterned semiconductor wafers for rework |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3317814B2 (ja) | 2002-08-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20020603 |
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