JP2001277080A - 研磨方法 - Google Patents
研磨方法Info
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- JP2001277080A JP2001277080A JP2000090103A JP2000090103A JP2001277080A JP 2001277080 A JP2001277080 A JP 2001277080A JP 2000090103 A JP2000090103 A JP 2000090103A JP 2000090103 A JP2000090103 A JP 2000090103A JP 2001277080 A JP2001277080 A JP 2001277080A
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- ceramic plate
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 被研磨物に研磨傷を付けることが無いととも
に、研磨加工中に研磨材料が摩耗し変形することもない
研磨方法を提供すること。 【解決手段】 第一の工程においてセラミック板の表面
を平滑に研磨し、第二の工程において前記平滑に研磨し
たセラミック板にセラミックの粉体を吹きつけることに
より前記セラミックの表面を均一に粗面化し、第三の工
程において、前記表面を粗面化したセラミック板を使用
して、セラミック板より硬度の低い基板及び被膜を研磨
することを特徴とする。
に、研磨加工中に研磨材料が摩耗し変形することもない
研磨方法を提供すること。 【解決手段】 第一の工程においてセラミック板の表面
を平滑に研磨し、第二の工程において前記平滑に研磨し
たセラミック板にセラミックの粉体を吹きつけることに
より前記セラミックの表面を均一に粗面化し、第三の工
程において、前記表面を粗面化したセラミック板を使用
して、セラミック板より硬度の低い基板及び被膜を研磨
することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体等に使用す
るセラミック、ガラス、金属等の基板や、半導体に使用
するウェハ上に形成された絶縁膜、半導体膜、導電膜、
及び半導体デバイス製造工程で発生した不良ウェハ表面
の絶縁膜、半導体膜、導電膜を研磨除去するための研磨
方法に係り、より詳しくは、表面を均一に粗面化したセ
ラミック板を用いてこれらの研磨を行うことを特徴とす
る研磨方法に関する。
るセラミック、ガラス、金属等の基板や、半導体に使用
するウェハ上に形成された絶縁膜、半導体膜、導電膜、
及び半導体デバイス製造工程で発生した不良ウェハ表面
の絶縁膜、半導体膜、導電膜を研磨除去するための研磨
方法に係り、より詳しくは、表面を均一に粗面化したセ
ラミック板を用いてこれらの研磨を行うことを特徴とす
る研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、基板等の研磨方法としては、研磨
板にセラミック粒子を水に分散させたスラリーを使用し
て被研磨材を研磨する方法、あるいはダイヤモンド粉末
及びセラミック粉末を樹脂及びメタルにて固めたものを
使用して被研磨物を研磨する方法が採用されていた。
板にセラミック粒子を水に分散させたスラリーを使用し
て被研磨材を研磨する方法、あるいはダイヤモンド粉末
及びセラミック粉末を樹脂及びメタルにて固めたものを
使用して被研磨物を研磨する方法が採用されていた。
【０００３】また、半導体で行われるウェハの平坦化方
法としては、被研摩物を溶解させるか、または酸化させ
る化学物質を溶解した水溶液中に、アルミナ、酸化セレ
ン、酸化ケイ素等のセラミックパウダーを分散したスラ
リーを使用してウェハの平坦化処理を行っていた。
法としては、被研摩物を溶解させるか、または酸化させ
る化学物質を溶解した水溶液中に、アルミナ、酸化セレ
ン、酸化ケイ素等のセラミックパウダーを分散したスラ
リーを使用してウェハの平坦化処理を行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、セラミ
ック粉末を使用した研磨方法では、セラミック粉末が二
次凝集したり、大きな粒子が混合していると部分的に研
磨傷が入り再研磨する必要があった。
ック粉末を使用した研磨方法では、セラミック粉末が二
次凝集したり、大きな粒子が混合していると部分的に研
磨傷が入り再研磨する必要があった。
【０００５】また、セラミック粉末の濃度分布を均一に
し、効率のよい濃度分布にしないと加工能力が落ちると
いう欠点があった。
し、効率のよい濃度分布にしないと加工能力が落ちると
いう欠点があった。
【０００６】更に、ダイヤモンド粉末及びセラミック粉
末を樹脂及びメタルにて固めたものを使用して被研磨物
を研磨する方法では、固めてある樹脂及びメタルが柔ら
かいために摩耗し、この摩耗した部分が変形するため、
これらの表面を研磨して平らにする必要があった。
末を樹脂及びメタルにて固めたものを使用して被研磨物
を研磨する方法では、固めてある樹脂及びメタルが柔ら
かいために摩耗し、この摩耗した部分が変形するため、
これらの表面を研磨して平らにする必要があった。
【０００７】そこで、本発明は、従来のこれらの問題点
を解決するためになされたものであり、被研磨物に研磨
傷を付けることが無いとともに、研磨加工中に研磨材料
が摩耗し変形することもない研磨方法を提供することを
課題としている。
を解決するためになされたものであり、被研磨物に研磨
傷を付けることが無いとともに、研磨加工中に研磨材料
が摩耗し変形することもない研磨方法を提供することを
課題としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、第一の工程に
おいてセラミック板の表面を平滑に研磨し、第二の工程
において前記平滑に研磨したセラミック板にセラミック
の粉体を吹きつけることにより前記セラミックの表面を
均一に粗面化し、第三の工程において、前記表面を粗面
化したセラミック板を使用して、セラミック板より硬度
の低い基板及び被膜を研磨することを特徴とする。
おいてセラミック板の表面を平滑に研磨し、第二の工程
において前記平滑に研磨したセラミック板にセラミック
の粉体を吹きつけることにより前記セラミックの表面を
均一に粗面化し、第三の工程において、前記表面を粗面
化したセラミック板を使用して、セラミック板より硬度
の低い基板及び被膜を研磨することを特徴とする。
【０００９】このように、本発明では、セラミック板の
表面を平らに研磨した後に、この平らに研磨した表面を
粗面化し、その後に、この粗面化した面を用いて基板等
の研磨を行う方法を採用している。
表面を平らに研磨した後に、この平らに研磨した表面を
粗面化し、その後に、この粗面化した面を用いて基板等
の研磨を行う方法を採用している。
【００１０】そのため、セラミック粉末を使用して研磨
する場合と比較して、部分的に、粗面化した部分が粗い
部分があったとしても、研磨面より飛び出ている部分が
ないため、粗い粒子が混入したりパウダーの二次凝集に
より被研磨物に研磨傷をつけるようなことがない。
する場合と比較して、部分的に、粗面化した部分が粗い
部分があったとしても、研磨面より飛び出ている部分が
ないため、粗い粒子が混入したりパウダーの二次凝集に
より被研磨物に研磨傷をつけるようなことがない。
【００１１】また、本発明のようにセラミック板を研磨
板として用いた場合には、セラミック全体の硬度が高い
ため、パウダーを樹脂やメタルで固めて研磨する方法と
違い加工中に研磨材料が摩耗し変形していくことはな
い。
板として用いた場合には、セラミック全体の硬度が高い
ため、パウダーを樹脂やメタルで固めて研磨する方法と
違い加工中に研磨材料が摩耗し変形していくことはな
い。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明では、まず第一の工程にお
いてセラミック板の表面を平滑に研磨し、次に、第二の
工程において前記平滑に研磨したセラミック板にセラミ
ックの粉体を吹きつけることにより前記セラミックの表
面を均一に粗面化する。そして、第三の工程において、
この表面を粗面化したセラミック板を使用して、セラミ
ック板より硬度の低い基板及び被膜を研磨する。
いてセラミック板の表面を平滑に研磨し、次に、第二の
工程において前記平滑に研磨したセラミック板にセラミ
ックの粉体を吹きつけることにより前記セラミックの表
面を均一に粗面化する。そして、第三の工程において、
この表面を粗面化したセラミック板を使用して、セラミ
ック板より硬度の低い基板及び被膜を研磨する。
【００１３】なお、金属の基板等を研磨する場合には、
金属を酸化する化学物質を含んだ水溶液を被研磨物とす
る金属に接触させ、これによって前記金属の表面を酸化
しながら、前記表面を粗面化したセラミックを使用し
て、前記酸化した金属表面を研磨するとよく、またその
他、被研磨物を溶解する化学物質を含んだ水溶液を被研
磨物に接触させ、これによって前記被研磨物の表面を溶
解しながら、前記表面を粗面化したセラミックを使用し
て、被研磨物表面を研磨してもよく、これにより効率良
く研磨を行うことができる。
金属を酸化する化学物質を含んだ水溶液を被研磨物とす
る金属に接触させ、これによって前記金属の表面を酸化
しながら、前記表面を粗面化したセラミックを使用し
て、前記酸化した金属表面を研磨するとよく、またその
他、被研磨物を溶解する化学物質を含んだ水溶液を被研
磨物に接触させ、これによって前記被研磨物の表面を溶
解しながら、前記表面を粗面化したセラミックを使用し
て、被研磨物表面を研磨してもよく、これにより効率良
く研磨を行うことができる。
【００１４】ここで、本発明の研磨対象となる被研磨物
としては、セラミック板より硬度の低い基板や被膜等で
あればいずれでも良く、例えば、半導体等に使用するセ
ラミック、ガラス、金属等の基板や、半導体デバイスの
作成工程においてウェーハ上に形成された絶縁膜、半導
体膜、導電膜が含まれる。また、その他、半導体デバイ
ス製造工程で発生した不良ウェハを再生するために、不
良ウェーハ表面の絶縁膜、半導体膜、導電膜を本発明に
より研磨除去する場合も含まれる。
としては、セラミック板より硬度の低い基板や被膜等で
あればいずれでも良く、例えば、半導体等に使用するセ
ラミック、ガラス、金属等の基板や、半導体デバイスの
作成工程においてウェーハ上に形成された絶縁膜、半導
体膜、導電膜が含まれる。また、その他、半導体デバイ
ス製造工程で発生した不良ウェハを再生するために、不
良ウェーハ表面の絶縁膜、半導体膜、導電膜を本発明に
より研磨除去する場合も含まれる。
【００１５】
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
すると、本実施例においては、まず第一の工程におい
て、セラミック板の表面を平滑に研磨する。
すると、本実施例においては、まず第一の工程におい
て、セラミック板の表面を平滑に研磨する。
【００１６】そして次に、第二の工程において、セラミ
ック板と同等の硬度か、もしくはセラミック板よりも硬
いパウダーをセラミック板に吹きつけることにより、セ
ラミック板の表面を粗面化する。
ック板と同等の硬度か、もしくはセラミック板よりも硬
いパウダーをセラミック板に吹きつけることにより、セ
ラミック板の表面を粗面化する。
【００１７】ここで、図１は、前記第二の工程を行って
いる状態を示した図であり、図において６がセラミック
板であり、また、８がパウダー噴射ノズルである。そし
て図において１５がセラミック板を粗面化するためのパ
ウダーである。そして、この第二の工程においては、図
に示すように、パウダー噴射ノズル８を用いて、セラミ
ック板６に向けてパウダー１５を噴射し、これによりセ
ラミック板６の表面を粗面化している。
いる状態を示した図であり、図において６がセラミック
板であり、また、８がパウダー噴射ノズルである。そし
て図において１５がセラミック板を粗面化するためのパ
ウダーである。そして、この第二の工程においては、図
に示すように、パウダー噴射ノズル８を用いて、セラミ
ック板６に向けてパウダー１５を噴射し、これによりセ
ラミック板６の表面を粗面化している。
【００１８】なお、セラミック板及びセラミックパウダ
ーの材質としては、炭化物としてＳｉＣ、ＴｉＣ、Ｖ
Ｃ、ＨｆＣ、ＺｒＣ、ＮｂＣ、ＷＣ、ＴａＣ、Ｍｏ
２Ｃ、Ｃｒ ３Ｃ２、Ｗ２Ｃ、Ｂ４Ｃ、窒化物としてＴｉ
Ｎ、ＶＮ、ＨｆＮ、ＺｒＮ、ＮｂＮ、ＢＮ、ＡｌＮ、Ｓ
ｉ３Ｎ４、ＣｒＮ、酸化物としてＡｌ２Ｏ３、ＢｅＯ、
ＴｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２、ＣｒＯ２、
Ｃｒ２Ｏ５、ＣｅＯ２、Ｍｎ ２Ｏ３、ＭｎＯ２、硼化物
としてＴｉＢ２、ＺｒＢ２、ＨｆＢ２、ＴａＢ２、Ｍｏ
Ｂ２、ＣｒＢ２、ＭｏＢ、ＮｂＢ、ＵＢ２、ＭｏＢ２が
あり、セラミックパウダーの場合はこれらを組み合わせ
て噴射しても良い。
ーの材質としては、炭化物としてＳｉＣ、ＴｉＣ、Ｖ
Ｃ、ＨｆＣ、ＺｒＣ、ＮｂＣ、ＷＣ、ＴａＣ、Ｍｏ
２Ｃ、Ｃｒ ３Ｃ２、Ｗ２Ｃ、Ｂ４Ｃ、窒化物としてＴｉ
Ｎ、ＶＮ、ＨｆＮ、ＺｒＮ、ＮｂＮ、ＢＮ、ＡｌＮ、Ｓ
ｉ３Ｎ４、ＣｒＮ、酸化物としてＡｌ２Ｏ３、ＢｅＯ、
ＴｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２、ＣｒＯ２、
Ｃｒ２Ｏ５、ＣｅＯ２、Ｍｎ ２Ｏ３、ＭｎＯ２、硼化物
としてＴｉＢ２、ＺｒＢ２、ＨｆＢ２、ＴａＢ２、Ｍｏ
Ｂ２、ＣｒＢ２、ＭｏＢ、ＮｂＢ、ＵＢ２、ＭｏＢ２が
あり、セラミックパウダーの場合はこれらを組み合わせ
て噴射しても良い。
【００１９】また、セラミックパウダーを吹きつける方
法としては、高圧ガスにて吹きつける方法、高圧水を使
用して吹きつける方法、キャビネット内を大気に対して
負圧にしておき大気から真空中にパウダーを吹きつける
ことにより噴射する方法がある。
法としては、高圧ガスにて吹きつける方法、高圧水を使
用して吹きつける方法、キャビネット内を大気に対して
負圧にしておき大気から真空中にパウダーを吹きつける
ことにより噴射する方法がある。
【００２０】そして、セラミック板６にパウダー１５を
吹き付ける際には、粗面化する面に一定の間隔で溝を形
成しておくと良く、これによって、研磨された研磨カス
を溝に沿って除去できるため、効率良く研磨することが
可能となる。そのため、セラミック板には、粗面化前又
は後に溝を形成しておくことが望ましい。
吹き付ける際には、粗面化する面に一定の間隔で溝を形
成しておくと良く、これによって、研磨された研磨カス
を溝に沿って除去できるため、効率良く研磨することが
可能となる。そのため、セラミック板には、粗面化前又
は後に溝を形成しておくことが望ましい。
【００２１】次に、第三の工程においては、図２に示す
ように、前記第二の工程において表面を粗面化したセラ
ミック板６を用いて、被研磨物の研磨を行う。
ように、前記第二の工程において表面を粗面化したセラ
ミック板６を用いて、被研磨物の研磨を行う。
【００２２】即ち、図２において７は表面を粗面化した
セラミック板であり、第三の工程においては、まずこの
表面を粗面化したセラミック板を回転定盤１０上に固定
するとともに、被研磨物である加工基板１を基板保持部
１２に保持する。
セラミック板であり、第三の工程においては、まずこの
表面を粗面化したセラミック板を回転定盤１０上に固定
するとともに、被研磨物である加工基板１を基板保持部
１２に保持する。
【００２３】そして、この状態において、水溶液供給ノ
ズル１１より水溶液を供給しながら、前記回転定盤１０
を回転させて加工基板１を研磨する。
ズル１１より水溶液を供給しながら、前記回転定盤１０
を回転させて加工基板１を研磨する。
【００２４】なお、この場合、前記水溶液供給ノズル１
１から供給する水溶液として、通常は水のみを使用する
が、水のかわりに被研磨物を溶解する水溶液を混合して
化学エッチングと組み合わせて研磨を行っても良い。
１から供給する水溶液として、通常は水のみを使用する
が、水のかわりに被研磨物を溶解する水溶液を混合して
化学エッチングと組み合わせて研磨を行っても良い。
【００２５】また、半導体デバイス製造工程で行われる
層間絶縁膜を平坦化する場合においては、水酸化ナトリ
ウムや水酸化カリウム等のアルカリ水を供給して研磨を
行うと良い。
層間絶縁膜を平坦化する場合においては、水酸化ナトリ
ウムや水酸化カリウム等のアルカリ水を供給して研磨を
行うと良い。
【００２６】即ち、層間絶縁膜の酸化ケイ素はアルカリ
と反応して水溶性のケイ酸アルカリになり、例えばＮａ
ＯＨとＳｉＯ２と反応すると水に可溶なＮａ２ＳｉＯ３
となるため、粗面化したセラミック板で研磨するとき
は、アルカリを供給しながら研磨すると層間絶縁膜のＳ
ｉＯ２を効率良く研磨することができる。
と反応して水溶性のケイ酸アルカリになり、例えばＮａ
ＯＨとＳｉＯ２と反応すると水に可溶なＮａ２ＳｉＯ３
となるため、粗面化したセラミック板で研磨するとき
は、アルカリを供給しながら研磨すると層間絶縁膜のＳ
ｉＯ２を効率良く研磨することができる。
【００２７】また、金属の被研磨物を研磨する場合にお
いては、金属は靭性があり研磨しにくいため、金属を酸
化させる化学物質を含んだ水溶液を供給しながら研磨す
ると効率良く研磨できる。
いては、金属は靭性があり研磨しにくいため、金属を酸
化させる化学物質を含んだ水溶液を供給しながら研磨す
ると効率良く研磨できる。
【００２８】なお、金属を酸化させる化学物質としては
過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）、硝酸鉄（Ｆｅ（Ｎ
Ｏ３）２）、ヨウ素酸カリウム（ＫＩＯ３）があり、こ
れらの水溶液を供給しながら金属表面を酸化させて研磨
を行うと、効率良く金属の研磨を行うことができる。そ
してこの方法は、特に半導体デバイス製造工程での金属
膜の平坦化を行う場合に有効である。
過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）、硝酸鉄（Ｆｅ（Ｎ
Ｏ３）２）、ヨウ素酸カリウム（ＫＩＯ３）があり、こ
れらの水溶液を供給しながら金属表面を酸化させて研磨
を行うと、効率良く金属の研磨を行うことができる。そ
してこの方法は、特に半導体デバイス製造工程での金属
膜の平坦化を行う場合に有効である。
【００２９】また、半導体デバイス製造工程ででた薄膜
形成やエッチング等パターン形成での不良が出た場合に
は、これらの膜を除去して研磨しウェハの再生が行われ
ているが、ウェハ上には金属膜や層間絶縁膜などいろい
ろなものが表面に形成されており、これらを均一に除去
することは難しい。そのため、このような場合にも、単
に粗面化したセラミック板６にて研磨するだけでなく、
前記金属膜等を溶解する化学物質や、酸化する化学物質
を含んだ溶液を供給しながら研磨を行うと効率良く膜の
除去と研磨が行える。
形成やエッチング等パターン形成での不良が出た場合に
は、これらの膜を除去して研磨しウェハの再生が行われ
ているが、ウェハ上には金属膜や層間絶縁膜などいろい
ろなものが表面に形成されており、これらを均一に除去
することは難しい。そのため、このような場合にも、単
に粗面化したセラミック板６にて研磨するだけでなく、
前記金属膜等を溶解する化学物質や、酸化する化学物質
を含んだ溶液を供給しながら研磨を行うと効率良く膜の
除去と研磨が行える。
【００３０】なお、本実施例においては、直径３００mm
のシリコンカーバイトの板表面を研磨後、平均粒径１２
μmの立方晶窒化ホウ素のパウダーを圧力１ｋｇ／ｃｍ
２で吹きつけ、これによりシリコンカーバイトの板を粗
面化した。
のシリコンカーバイトの板表面を研磨後、平均粒径１２
μmの立方晶窒化ホウ素のパウダーを圧力１ｋｇ／ｃｍ
２で吹きつけ、これによりシリコンカーバイトの板を粗
面化した。
【００３１】そして、次に、図２に示すような研磨装置
を使用し、表面を粗面化したシリコンカーバイトを用い
て、３インチシリコンウェハ上にタングステンによるパ
ターンが形成されたシリコンウェハを、ノズルより硝酸
鉄水溶液を流してシリコンウェハのタングステン膜を酸
化しながら研磨して、タングステン膜の除去と研磨を行
った。
を使用し、表面を粗面化したシリコンカーバイトを用い
て、３インチシリコンウェハ上にタングステンによるパ
ターンが形成されたシリコンウェハを、ノズルより硝酸
鉄水溶液を流してシリコンウェハのタングステン膜を酸
化しながら研磨して、タングステン膜の除去と研磨を行
った。
【００３２】なおこの時、シリコンカーバイトの面粗さ
はＲａで約０．６μmであり加工後のシリコンウェハは
面粗さが小さく測定不可能であった。
はＲａで約０．６μmであり加工後のシリコンウェハは
面粗さが小さく測定不可能であった。
【００３３】
【発明の効果】本発明の研磨方法は以上説明した形態で
実施され、以下に記載するような効果を奏する。
実施され、以下に記載するような効果を奏する。
【００３４】本発明では、セラミック板の表面を平らに
研磨した後にこの平らに研磨した表面を粗面化し、その
後に、この粗面化した面を用いて基板等の研磨を行う方
法を採用している。
研磨した後にこの平らに研磨した表面を粗面化し、その
後に、この粗面化した面を用いて基板等の研磨を行う方
法を採用している。
【００３５】そのため、セラミック粉末を使用する場合
と比較して、部分的に、粗面化した部分が粗い部分があ
ったとしても、研磨面より飛び出ている部分がないた
め、粗い粒子が混入したりパウダーの二次凝集により被
研磨物に研磨傷をつけるようなことがない。
と比較して、部分的に、粗面化した部分が粗い部分があ
ったとしても、研磨面より飛び出ている部分がないた
め、粗い粒子が混入したりパウダーの二次凝集により被
研磨物に研磨傷をつけるようなことがない。
【００３６】また、本発明のようにセラミック板を研磨
板として用いた場合には、セラミック全体の硬度が高い
ため、パウダーを樹脂やメタルで固めて研磨する方法と
違い加工中に研磨材料が摩耗し変形していくことはな
い。
板として用いた場合には、セラミック全体の硬度が高い
ため、パウダーを樹脂やメタルで固めて研磨する方法と
違い加工中に研磨材料が摩耗し変形していくことはな
い。
【図１】セラミックパウダーを吹き付けてセラミック板
表面を粗面化している状態を示す図である。
表面を粗面化している状態を示す図である。
【図２】表面を粗面化したセラミック板を用いて基板を
研磨している状態を示す図である。
研磨している状態を示す図である。
１ 加工基板 ６ 研磨したセラミック板 ７ 表面を粗面化したセラミック板 ８ セラミックパウダー噴射ノズル １０ 回転定盤 １１ 水溶液供給ノズル １２ 基板保持部 １５ セラミックパウダー
Claims (5)
- 【請求項１】第一の工程においてセラミック板の表面を
平滑に研磨し、第二の工程において前記平滑に研磨した
セラミック板にセラミックの粉体を吹きつけることによ
り前記セラミックの表面を均一に粗面化し、第三の工程
において、前記表面を粗面化したセラミック板を使用し
て、セラミック板より硬度の低い被研磨物を研磨するこ
とを特徴とする研磨方法。 - 【請求項２】金属を酸化する化学物質を含んだ水溶液を
被研磨物とする金属に接触させ、これによって前記金属
の表面を酸化しながら、前記表面を粗面化したセラミッ
クを使用して、前記酸化した金属表面を研磨することを
特徴とする請求項１に記載の研磨方法。 - 【請求項３】被研磨物を溶解する化学物質を含んだ水溶
液を被研磨物に接触させ、これによって前記被研磨物の
表面を溶解しながら、前記表面を粗面化したセラミック
を使用して、被研磨物表面を研磨することを特徴とする
請求項１に記載の研磨方法。 - 【請求項４】半導体デバイスの作成工程においてウェー
ハ上に形成された絶縁膜、半導体膜、導電膜を研磨する
ことによりウェハ表面を平坦化することを特徴とする請
求項１乃至請求項３のいずれかに記載の研磨方法。 - 【請求項５】半導体デバイスの作成工程において発生し
た不良ウェーハ表面の絶縁膜、半導体膜、導電膜を研磨
除去して前記不良ウェーハを再生することを特徴とする
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000090103A JP2001277080A (ja) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | 研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000090103A JP2001277080A (ja) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | 研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001277080A true JP2001277080A (ja) | 2001-10-09 |
Family
ID=18605757
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000090103A Pending JP2001277080A (ja) | 2000-03-29 | 2000-03-29 | 研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001277080A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010512670A (ja) * | 2006-12-12 | 2010-04-22 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | ウェハから回路パターンを除去する方法 |
-
2000
- 2000-03-29 JP JP2000090103A patent/JP2001277080A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010512670A (ja) * | 2006-12-12 | 2010-04-22 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | ウェハから回路パターンを除去する方法 |
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