JP5034634B2 - パターン形成体の製造方法 - Google Patents
パターン形成体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5034634B2 JP5034634B2 JP2007105642A JP2007105642A JP5034634B2 JP 5034634 B2 JP5034634 B2 JP 5034634B2 JP 2007105642 A JP2007105642 A JP 2007105642A JP 2007105642 A JP2007105642 A JP 2007105642A JP 5034634 B2 JP5034634 B2 JP 5034634B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- workpiece
- protective layer
- hard protective
- cutting
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
以下、本発明のパターン形成体の製造方法について、工程ごとに説明する。
本発明における硬質保護層形成工程について説明する。本発明における硬質保護層形成工程は、表面に凹凸パターン部を有する被加工体を用意し、上記被加工体の凹凸パターン部が形成された表面に、硬質保護層を形成する工程である。
まず、本発明に用いられる被加工体について説明する。本発明に用いられる被加工体は、表面に凹凸パターン部を有するものである。
次に、本発明に用いられる硬質保護層について説明する。本発明に用いられる硬質保護層は、被加工体の凹凸パターン部側の表面に形成されるものである。
次に、本発明における加工工程について説明する。本発明における加工工程は、上記硬質保護層により保護された凹凸パターン部以外の、上記被加工体の部分を加工する工程である。
上記被加工体を切断する方法としては、一般的な切断方法を用いることができ、特に限定されるものではないが、具体的には、ダイヤモンドカッターを用いる方法等を挙げることができる。
上記被加工体を研磨する際に用いられる研磨材としては、一般的な研磨材を用いることができ、特に限定されるものではないが、具体的には、ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、炭化ケイ素、および酸化アルミニウム等を挙げることができる。上記被加工体を研磨する方法については、一般的な研磨方法と同様であるので、ここでの説明は省略する。
本発明においては、通常、上記加工工程後に、硬質保護層を除去する除去工程を行う。硬質保護層を除去する方法としては、硬質保護層の種類等により異なるものであるが、例えば、剥離液を用いて除去する方法等を挙げることができる。具体的には、クロムを用いて硬質保護層を形成した場合は、剥離液として、硝酸第二セリウムアンモニウム溶液等を用いることができる。また、本発明においては、上述した各工程の前後に、必要に応じて洗浄工程を行っても良い。
[実施例]
6インチ角、厚さ6.35mm石英基板に微細加工を行い、石英基板の表面に凹凸パターン部を形成した。次に、両面に硬質保護層としてCr膜を50nmスパッタ法により作製した後、ダイヤモンドカッターにて20mm×20mmの大きさに切断加工を行った。その後、切断面に対して、バフ研磨により研磨加工を行った。次に、硝酸第二セリウムアンモニウム溶液にてCr膜を除去して、洗浄を行い、パターン形成体を得た。
6インチ角、厚さ6.35mm石英基板に微細加工を行い、石英基板の表面に凹凸パターン部を形成した。次に、両面に粘着テープ(E−MASK、日東電工製)を貼付した後ダイヤモンドカッターにて20mm×20mmの大きさに切断加工を行った。その後、切断面に対して、バフ研磨により研磨加工を行った。次に、粘着テープを手で剥離した後、洗浄を行い、パターン形成体を得た。
実施例および比較例で得られたパターン形成体の寸法(図2で表されるL1〜L4)を、オリンパス製3次元測長機STM−UMを用いて測長した。その結果、実施例で得られたパターン形成体の寸法L1〜L4は、それぞれ20.003mm、19.993mm、20.009mm、20.003mmであった。これに対して、比較例で得られたパターン形成体の寸法L1〜L4は、19.998mm、19.927mm、19.939mm、19.890mmであった。その結果のグラフを図3に示す。
2 … 硬質保護層
3 … ダイヤモンドカッター
10 … パターン形成体
Claims (3)
- 表面に凹凸パターン部を有する被加工体を用意し、前記被加工体の凹凸パターン部が形成された表面に、硬質保護層を形成する硬質保護層形成工程と、
前記硬質保護層により保護された凹凸パターン部以外の、前記被加工体の部分を加工する加工工程と、
を有し、前記硬質保護層の材料が、クロム、酸化クロムまたは窒化クロムであることを特徴とするパターン形成体の製造方法。 - 前記加工工程が、前記被加工体を切断する切断工程、前記被加工体を研磨する研磨工程、および前記被加工体の角部を面取りする面取り工程の少なくとも一つの工程であることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成体の製造方法。
- 前記硬質保護層形成工程の際に、凹凸パターン部が形成された表面とは反対側の前記被加工体の表面に硬質保護層を形成することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のパターン形成体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007105642A JP5034634B2 (ja) | 2007-04-13 | 2007-04-13 | パターン形成体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007105642A JP5034634B2 (ja) | 2007-04-13 | 2007-04-13 | パターン形成体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008262083A JP2008262083A (ja) | 2008-10-30 |
JP5034634B2 true JP5034634B2 (ja) | 2012-09-26 |
Family
ID=39984587
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007105642A Active JP5034634B2 (ja) | 2007-04-13 | 2007-04-13 | パターン形成体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5034634B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010094845A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体の製造方法およびナノインプリント用モールドの製造方法 |
JP6488693B2 (ja) * | 2014-12-19 | 2019-03-27 | 大日本印刷株式会社 | 観察用容器の製造方法及び透明基材の研磨方法 |
JP2018189991A (ja) * | 2018-08-27 | 2018-11-29 | 大日本印刷株式会社 | 観察用透明基板及び観察用容器、並びに観察方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH068282A (ja) * | 1992-06-26 | 1994-01-18 | Olympus Optical Co Ltd | 射出成形用入子の製造方法 |
JPH1040591A (ja) * | 1996-07-19 | 1998-02-13 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 光ディスク用スタンパの裏面研磨方法 |
JPH10209089A (ja) * | 1997-01-17 | 1998-08-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハの研磨方法 |
JP2006073166A (ja) * | 2003-11-07 | 2006-03-16 | Victor Co Of Japan Ltd | 光ディスク及びその製造方法 |
JP4549766B2 (ja) * | 2004-07-23 | 2010-09-22 | 株式会社リコー | フレキシブル光ディスク及びその製造方法 |
JP2006198825A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Ricoh Co Ltd | 光ディスク成形装置,光ディスク成形用のスタンパー,光ディスク成形用の金型,スタンパー裏面加工処理方法および金型表面加工処理方法 |
JP2008149589A (ja) * | 2006-12-18 | 2008-07-03 | Dainippon Printing Co Ltd | 加工方法及びインプリントモールドの製造方法 |
JP2008221516A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Dainippon Printing Co Ltd | 基板の加工方法、インプリントモールド及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-04-13 JP JP2007105642A patent/JP5034634B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008262083A (ja) | 2008-10-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102047549B1 (ko) | 반도체용 합성 석영 유리 기판의 제조 방법 | |
US11904521B2 (en) | Rectangular substrate for imprint lithography and making method | |
JP6216835B2 (ja) | マスクブランク用基板、マスクブランク、反射型マスクブランク、転写マスク、及び反射型マスク、並びにそれらの製造方法 | |
JP5534311B2 (ja) | マスクブランク用基板とその製造方法、インプリントモールド用マスクブランクとその製造方法、及びインプリントモールドとその製造方法 | |
JP2005333124A (ja) | 反射型マスク用低膨張硝子基板および反射型マスク | |
CN107161945B (zh) | 一种at切型石英晶片mems加工方法 | |
KR102158900B1 (ko) | 포토마스크 기판, 포토마스크 블랭크, 포토마스크, 포토마스크 기판의 제조 방법, 포토마스크의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법 | |
KR20120074328A (ko) | 반사형 마스크용 저팽창 유리 기판과 반사형 마스크 | |
JP5034634B2 (ja) | パターン形成体の製造方法 | |
TW201436973A (zh) | 方形模具用基板 | |
US6599760B2 (en) | Epitaxial semiconductor wafer manufacturing method | |
JP2010005899A (ja) | 成形型 | |
JP6756500B2 (ja) | インプリントモールド用基板、マスクブランク、インプリントモールド用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及びインプリントモールドの製造方法 | |
JP2010094845A (ja) | パターン形成体の製造方法およびナノインプリント用モールドの製造方法 | |
JP2008221516A (ja) | 基板の加工方法、インプリントモールド及びその製造方法 | |
JP2008003208A (ja) | フォトマスクブランクス | |
US20220088832A1 (en) | Manufacturing of imprint mold-forming substrate | |
JP6874736B2 (ja) | インプリントモールド用基板の製造方法 | |
JP2006339431A (ja) | 窒化物半導体基板の加工方法 | |
JP6973280B2 (ja) | インプリントモールド用合成石英ガラス基板 | |
JP2014179630A (ja) | インプリントモールドの製造方法 | |
US11402751B2 (en) | Imprint mold-forming synthetic quartz glass substrate | |
JP7479668B2 (ja) | 触媒パッド、その製造方法および製造装置 | |
US20220126558A1 (en) | Method for machining synthetic quartz glass substrate | |
JP2001196333A (ja) | オフアングル付き半導体ウエハ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120321 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120517 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120521 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120605 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120618 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150713 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5034634 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |