JP2006198825A - 光ディスク成形装置,光ディスク成形用のスタンパー,光ディスク成形用の金型,スタンパー裏面加工処理方法および金型表面加工処理方法 - Google Patents
光ディスク成形装置,光ディスク成形用のスタンパー,光ディスク成形用の金型,スタンパー裏面加工処理方法および金型表面加工処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006198825A JP2006198825A JP2005011336A JP2005011336A JP2006198825A JP 2006198825 A JP2006198825 A JP 2006198825A JP 2005011336 A JP2005011336 A JP 2005011336A JP 2005011336 A JP2005011336 A JP 2005011336A JP 2006198825 A JP2006198825 A JP 2006198825A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stamper
- mold
- molding
- optical disk
- optical disc
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
【課題】連続成形しても基板の変形を生じないスタンパーを得て、良好な光ディスクを連続的に製造することを可能にする。
【解決手段】スタンパー9の裏面、および該スタンパー9の裏面に接する成形金型11の表面とに、それぞれ微細な凹部9a,11aを形成させるために、スタンパー9の裏面、あるいは成形金型11の表面の硬度と同等以上の硬度を有する20〜200μmの微粒子10を噴射速度50〜100m/sec以上の速度で噴射し、表面付近の温度をA3変態点以上に上昇させる。
【選択図】図1
【解決手段】スタンパー9の裏面、および該スタンパー9の裏面に接する成形金型11の表面とに、それぞれ微細な凹部9a,11aを形成させるために、スタンパー9の裏面、あるいは成形金型11の表面の硬度と同等以上の硬度を有する20〜200μmの微粒子10を噴射速度50〜100m/sec以上の速度で噴射し、表面付近の温度をA3変態点以上に上昇させる。
【選択図】図1
Description
本発明は、射出成形機用金型に取り付けて、連続射出成形により光ディスク基板を成形する際に使用する光ディスク成形用のスタンパーおよび金型に係り、これらを使用する光ディスク成形装置およびスタンパー裏面加工処理方法ならびに金型表面加工処理方法に関するものである。
光ディスクの基板は、通常、透明性を有するプラスチック樹脂が使用され、射出成形法によって形成される。射出成形において、成形に使用される金型内部、特に磨かれた金型鏡面上に、予め溝部および/またはプレピット部が形成された金属製のスタンパーを、溝部および/またはプレピット部が形成された面を上に取り付け、この金型内に高温で溶融したプラスチック樹脂を高速射出し、加圧および冷却することによりスタンパーの溝および/またはプレピットをプラスチックに強制転写させ、冷却後に金型から取り出すことによって光ディスクの基板を形成する。この基板に対して必要な記録膜などを形成することにより、目的とされる光ディスクが製作される。
前記のプラスチック基板を形成するための射出成形において、生産時は1枚当たり数秒から十数秒の間隔で連続成形が行われる。この間、スタンパーは金型に取り付けられたままであり、高温の溶融樹脂がスタンパーの面に作るべき基板の数だけ繰り返し高速射出される。
成形の際に射出される溶融樹脂の温度は、通常、300℃以上である。これを金型へ射出した後、取り出し可能な硬さまで固化するために、金型とスタンパーは通常100℃近辺に温調されている。すなわち、金型鏡面に取り付けられたスタンパーは、作るべきプラスチック基板の数だけ300℃以上から100℃近辺まで繰り返し熱履歴を受けることになる。
この熱履歴を受けることにより、スタンパーは高温時には膨張し、冷却時には収縮することを繰り返す。また、溶融プラスチック樹脂の高速射出により、金型鏡面に取り付けられたスタンパーは放射状または回転方向に微少な振動現象を発生させる。
この結果、スタンパーの裏面は、膨張と収縮および射出時の振動により、金型鏡面上と擦れ合い、経時的に発生した破片がスタンパー裏面と金型鏡面間に堆積して凸凹現象を発生させる。
このスタンパー裏面の凸凹がスタンパー表面の溝部やプレピット部に影響を与え、例えば微細な変形現象を引き起こす。この状態で作られた光ディスクには前記のようなスタンパー表面の変形が転写し、レーザトラッキングやフォーカシングが困難となり、信号記録や再生を行うことができない欠陥品となってしまう。
このような現象は、金型に取り付けた1枚のスタンパー上で連続成形をするからには避けることのできないものであり、例えば数千から一万枚程度の連続成形で前記現象が発生すれば、成形を中断してスタンパーの交換を余儀なくされ、時間とコストの浪費が著しく大きく、このため数万〜数十万の基板をスタンパー交換無しに連続成形することができるスタンパーまたは光ディスクの製造方法が求められていた。
このような課題を解決するために、近年、スタンパーの取付けられる金型の鏡面にDLC(ダイヤモンド・ライク・カーボン)膜を施すことが提案されている。DLCは硬く、かつ摩擦係数が大変小さく、したがって摺動部の表面処理に応用されている(特許文献1参照)。
特開2000−228037号公報
前記従来の技術のようにして、金型鏡面にDLC膜を施すことにより、これに取付けられるスタンパーとの摩擦係数を低減し、膨張と収縮および射出時の振動により金型鏡面上と擦れ合う際に発生した破片の堆積を減少させることができる。
また、スタンパー裏面にDLC膜を施すことも考えられているが、以下の理由で、裏面にDLC膜を施した良好なスタンパーは得られていなかった。
すなわち、DLC膜は基材に対し非常に密着性が悪く、このため変形する程に硬度が低い基材、あるいは可撓性を有する基材には、DLC膜が追従せずに剥離してしまうのである。
したがって、剛性を維持している金型鏡面へのDLC処理は可能であるが、スタンパー裏面にDLCの膜を形成することは実現していなかった。
本発明の目的は、前記従来の課題を解決して、連続成形しても基板の変形を生じないスタンパーを得て、良好な光ディスクを連続的に製造することを可能にする光ディスク成形装置,光ディスク成形用のスタンパー,光ディスク成形用の金型,スタンパー裏面加工処理方法および金型表面加工処理方法を提供することにある。
前記目的を達成するため、請求項1に記載の発明は、スタンパーおよび成形金型を射出成形機に取り付け、射出成形により光ディスク基板を成形する光ディスク成形装置において、前記スタンパーの裏面、および該スタンパー裏面と接する前記成形金型表面の両面または片面に微細な凹部を形成したことを特徴とする。
請求項2に記載の発明は、請求項1記載の光ディスク成形装置に使用される光ディスク成形用のスタンパーであって、スタンパー裏面に微細な凹部形状を設け、該スタンパー裏面と成形金型の対向面との間に空気層を確保するようにしたことを特徴とする。
請求項3に記載の発明は、請求項1記載の光ディスク成形装置に使用される光ディスク成形用の金型であって、金型表面に微細な凹部形状を設け、該金型表面とスタンパーの対向面との間に空気層を確保するようにしたことを特徴とする。
請求項4に記載の発明は、請求項1記載の光ディスク成形装置に使用される光ディスク成形用のスタンパーの裏面に施される加工処理方法であって、スタンパー裏面の硬度と同等以上の硬度を有する20〜200μmの微粒子を噴射速度50〜100m/sec以上の速度で噴射し、表面付近の温度をA3変態点以上に上昇させることを特徴とする。
請求項5に記載の発明は、請求項4記載のスタンパー裏面加工処理方法において、微粒子の球状サイズを20〜200μmの範囲で任意に選択し、スタンパー裏面の微細な凹部寸法を任意に設定することにより、対向面との接触面積を制御することを特徴とする。
請求項6に記載の発明は、請求項1記載の光ディスク成形装置に使用される光ディスク成形用のスタンパーの裏面に施される加工処理方法であって、被覆金属粉末体を噴射速度80m/sec以上または噴射圧力0.3MPa以上で噴射し、前記被覆金属粉末体の組成物中の元素を被処理の表面に拡散させることを特徴とする。
請求項7に記載の発明は、請求項1記載の光ディスク成形装置に使用される光ディスク成形用の金型の表面に施される加工処理方法であって、金型表面硬度と同等以上の硬度を有する20〜200μmの微粒子を噴射速度50〜100m/sec以上の速度で噴射し、表面付近の温度をA3変態点以上に上昇させることを特徴とする。
請求項8に記載の発明は、請求項7記載の金型表面加工処理方法において、微粒子の球状サイズを20〜200μmの範囲で任意に選択し、金型表面の微細な凹部寸法を任意に設定することにより、対向面との接触面積を制御することを特徴とする。
請求項9に記載の発明は、請求項1記載の光ディスク成形装置に使用される光ディスク成形用の金型の表面に施される加工処理方法であって、被覆金属粉末体を噴射速度80m/sec以上または噴射圧力0.3MPa以上で噴射し、前記被覆金属粉末体の組成物中の元素を被処理の表面に拡散させることを特徴とする。
本発明によれば、連続使用寿命が著しく向上した光ディスク用スタンパーを得ることができ、また、微細な無数の円弧状の凹部に空気層を形成することができることから、成形タクトの短縮化を図ることができる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1(a)〜(i)は本発明の実施形態を説明するための光ディスク成形用のスタンパーと成形金型の製造に係る説明図である。
はじめに、図1(a)に示すガラス基板1に、フォトレジスト2を塗布形成(図1(b))した後、レーザ露光3を行い(図1(c))、現像により、転写面パターンとしての凹凸微細パターン4を形成(図1(d))しておく。次いで、この凹凸微細パターン上に導体化膜5を形成(図1(e))した後、この導体化膜5を陰極として約300μmのNi電鋳層6を形成(図1(f))する。このNi電鋳層6は、Ni電鋳層およびマスタ転写金属層となる。
そして、ガラス基板1からNi電鋳層6を剥離して、Ni電鋳層6に残存したフォトレジストを除去することにより、凹凸微細パターン7が形成(図1(g))される。その後、凹凸微細パターン7側に対する保護膜塗布、研磨部材8による裏面研磨(図1(h))、内外径プレス、信号や欠陥検査などを行うことによりスタンパー9が完成する。
本実施形態では、図1(i)に示すように、前記スタンパー9の裏面に微細な凹部を形成させるため、スタンパー裏面硬度と同等以上の硬度を有する20〜200μmの微粒子10を噴射速度50〜100m/sec以上の速度で噴射し、表面付近の温度をA3変態点以上に上昇させるようにしている。
さらに、図1(j)に示すように、微細な凹部9aが形成されたスタンパー9の裏面と接する光ディスク成形金型11の表面の両面または片面にも同様に微細な凹部11aを形成する。
成形金型11の表面加工処理は、金型表面硬度と同等以上の硬度を有する20〜200μmの微粒子を噴射速度50〜100m/sec以上の速度で噴射し、表面付近の温度をA3変態点以上に上昇させることにより行う。
このような加工処理を施されたスタンパーと成形金型を、射出成形機に取り付けて射出成形により光ディスク基板を成形する。この射出成形自体は公知の技術を採用することができる。すなわち、接離自在に設けられた成形金型としての固定金型と可動金型との接合部に形成されるキャビティ内に光ディスク基板成形用のスタンパーを固定し、そのキャビティ内に可動金型に設けられたノズルから図示しない溶融樹脂を射出充填し、固定金型と可動金型との間で圧縮する。その後、固定金型と可動金型とを分離して冷却個化後の樹脂を取り出すことによって、光ディスク基板が得られる。
前記のように微粒子10を噴射して行われる微粒子衝突表面改質技術(WPC処理)とは、金属表面に微粒子衝突表面改質技術処理することであり、A3変態点以上の温域への急熱,急冷が繰り返され、熱処理効果、鍛錬効果の加工強化が行われることである。金属表面層の残留オーステナイノマルテンサイト化や、再結晶,微細化が行われ、緻密で高硬度なじん性に富む組織が得られ、また、表面の残留圧縮応力も高めることもできる(表面加工熱処理効果)。
このことから、本実施形態においてもスタンパーと成形金型の最表面の鍛造効果により、同部分が硬くかつ摩擦係数が小さくなり、摺動部の表面処理として有効であった。
この微粒子衝突表面改質技術(WPC処理)の効果は、研究会誌「表面技術協会 電鋳・金型表面処理研究部会」Vol.10 No.3(通巻28号)1〜11ペ−ジに記載のあるように実証されている。
本実施形態におけるスタンパー,成形金型についても株式会社不二製作所製のマイクロビッカース硬度計にて測定した結果、図2(a)の未処理品,図2(b)のWPC−S(微粒子衝突速度が低い)処理品,図2(c)のWPC−H(微粒子衝突速度が高い)処理品との比較で分るように、処理前後で硬度が60%も高まった。また、粗さ(Ra)は、微粒子衝突速度の高低に関係なく、変動が小さい。
また、図3(a),(b)<写真は全て同じ倍率(120倍)>と図4(a),(b)に示すように、ビーズサイズ(微粒子径)によって粗さのコントロールができた。
また、図5に示すように、処理の違いによる残留応力の測定結果のように、本実施形態によれば通常の焼き入れ並みの効果が得られた。
なお、本実施形態におけるWPC処理として、微粒子10の球状サイズを20〜200μmの範囲で任意に選択し、スタンパー9の裏面における微細な凹部9aの寸法を任意に設定することにより、対向面との接触面積を制御することによって、スタンパー裏面とその対向面との間に空気層が確保することができる。
同様に、成形金型においても、前記微粒子10の球状サイズを20〜200μmの範囲で任意に選択し、成形金型11の表面における微細な凹部11aの寸法を任意に設定することにより、対向面との接触面積を制御することによって、金型表面とその対向面との間に空気層を確保することができる。
WPC処理により、微粒子衝突表面改質処理することによって、表面に無数の円弧状の凹部9a,11aが形成され、面圧に耐えられる表面組織となる(金属成品の摺動の磨耗防止)。
これにより本実施形態では、スタンパー9と成形金型11との摩擦係数を低減し、膨張と収縮および射出時の振動により、成形金型11の鏡面上と擦れ合う際に発生した破片の堆積を減少させることができることから、射出成形機用金型に取り付けて、連続射出成形により光ディスク基板を得る工程にて使用するスタンパー9において、前記のように裏面を調整することによって、目的とする連続使用寿命を著しく向上させることができる。
株式会社不二製作所製の測定器により、未処理品とWPC処理品の3次元粗さを測定した結果、図6(a),(b)に示すように、その差異は明らかであって、WPC処理を施した結果、表面に円弧状が形成されており、摺動抵抗低減効果が実証された。
また、本実施形態では、連続射出成形により光ディスク基板を成形する際に使用するスタンパー9において、成形金型11と接触するスタンパー裏面にて、微細な無数の円弧状の凹部9a,11aの間に空気層が形成できることから、同部において断熱効果が得られる。この断熱効果は、成形金型内に充填されてきた溶融樹脂の温度低下を防止または遅延させる機能を有し、高温の溶融樹脂、換言するなら低粘度の溶融樹脂の状態でスタンパー9と接触することを可能にする。この結果、従来の金型設定温度の場合は言うまでもなく、従来設定より低温設定の成形金型温度であっても、十分な転写性を確保することができる。
このことから本実施形態によれば、高温の転写温度によって転写性が良好に維持され、かつ低い金型温度により光ディスク基板成形サイクルのタクトアップが向上する。
また、本実施形態において、スタンパー9の裏面、および該スタンパー9の裏面と接する成形金型11の表面における両面または片面に微細な凹部9a,11aを形成する処理として、被覆金属粉末体を噴射速度80m/sec以上または噴射圧力0.3MPa以上で噴射し、被覆金属粉末体の組成物中の元素を被処理の表面に拡散させること、また、成形金型に対しても、同様に被覆金属粉末体を噴射速度80m/sec以上または噴射圧力0.3MPa以上で噴射し、被覆金属粉末体の組成物中の元素を被処理の表面に拡散させることによっても。連続使用寿命を著しく向上させることが判明した。
WPC処理においては、金属またはセラミック、あるいは、これら混合体からなる被処理物の表面に被覆金属粉末体を噴射し、被覆金属粉末体の組成物中の元素を被処理物の表面に拡散させることができる。目的に応じて金属粉末体を噴射して、その成分元素を被処理物の表面に拡散,浸透メッキすることにより、表面合金化が図られ、強度を高めるところができる。メッキ,コ−ティングの下地処理に利用すれば、密着力を高めることもできる。また、低融点,低硬度の金属粉体を噴射することにより、常温乾式メッキも可能である(常温拡散,浸透メッキ化)。
これにより、容易にかつ安価に摩擦係数を低減することができ、本実施形態では、膨張と収縮および射出時の振動により、金型鏡面上と擦れ合う際に発生した破片の堆積を減少させることができる上、表面合金化が可能なことから、表面加工熱処理効果や金属成品の摺動の磨耗の制御コントロ−ルが容易となり、射出成形機用金型に取り付けて、連続射出成形により光ディスク基板を得る工程にて使用するスタンパーにおいて、裏面を以上のように調整することにより、目的とする連続使用寿命を著しく向上させたスタンパーを得ることができる。
このようなWPC処理の効果は、既述した研究会誌「表面技術協会 電鋳・金型表面処理研究部会」Vol.10 No.3(通巻28号)1〜11ペ−ジに記載のあるように実証されており、株式会社不二製作所製の測定器により、金属粉末を噴射した状態を測定した結果、本実施形態におけるスタンパーの裏面、および処理金型表面に被覆金属粉末体の成分元素が拡散、浸透メッキされ、表面合金化が実測された。
そして、前記のようにスタンパーの裏面と処理金型鏡面に対して被覆金属粉末体を噴射して表面改質処理を施し、それらを用いて連続射出成形により光ディスクを前記と同様に製造したところ、基板へのスタンパーの凸凹転写は起こり難く、スタンパーの連続使用寿命が向上した。
本発明は、連続射出成形により光ディスク基板を成形する際に使用する光ディスク成形用のスタンパーおよび金型に適用され、特に、スタンパーの連続成形による基板における変形を生じさせないという要求に対応することができる。
9 スタンパー
9a スタンパーの微細な凹部
10 微粒子
11 成形金型
11a 成形金型の微細な凹部
9a スタンパーの微細な凹部
10 微粒子
11 成形金型
11a 成形金型の微細な凹部
Claims (9)
- スタンパーおよび成形金型を射出成形機に取り付け、射出成形により光ディスク基板を成形する光ディスク成形装置において、
前記スタンパーの裏面、および該スタンパー裏面と接する前記成形金型表面の両面または片面に微細な凹部を形成したことを特徴とする光ディスク成形装置。 - 請求項1記載の光ディスク成形装置に使用される光ディスク成形用のスタンパーであって、
スタンパー裏面に微細な凹部形状を設け、該スタンパー裏面と成形金型の対向面との間に空気層を確保するようにしたことを特徴とする光ディスク成形用のスタンパー。 - 請求項1記載の光ディスク成形装置に使用される光ディスク成形用の金型であって、
金型表面に微細な凹部形状を設け、該金型表面とスタンパーの対向面との間に空気層を確保するようにしたことを特徴とする光ディスク成形用の金型。 - 請求項1記載の光ディスク成形装置に使用される光ディスク成形用のスタンパーの裏面に施される加工処理方法であって、
スタンパー裏面の硬度と同等以上の硬度を有する20〜200μmの微粒子を噴射速度50〜100m/sec以上の速度で噴射し、表面付近の温度をA3変態点以上に上昇させることを特徴とするスタンパー裏面加工処理方法。 - 前記微粒子の球状サイズを20〜200μmの範囲で任意に選択し、スタンパー裏面の微細な凹部寸法を任意に設定することにより、対向面との接触面積を制御することを特徴とする請求項4記載のスタンパー裏面加工処理方法。
- 請求項1記載の光ディスク成形装置に使用される光ディスク成形用のスタンパーの裏面に施される加工処理方法であって、
被覆金属粉末体を噴射速度80m/sec以上または噴射圧力0.3MPa以上で噴射し、前記被覆金属粉末体の組成物中の元素を被処理の表面に拡散させることを特徴とするスタンパー裏面加工処理方法。 - 請求項1記載の光ディスク成形装置に使用される光ディスク成形用の金型の表面に施される加工処理方法であって、
金型表面硬度と同等以上の硬度を有する20〜200μmの微粒子を噴射速度50〜100m/sec以上の速度で噴射し、表面付近の温度をA3変態点以上に上昇させることを特徴とする金型表面加工処理方法。 - 前記微粒子の球状サイズを20〜200μmの範囲で任意に選択し、金型表面の微細な凹部寸法を任意に設定することにより、対向面との接触面積を制御することを特徴とする請求項7記載の金型表面加工処理方法。
- 請求項1記載の光ディスク成形装置に使用される光ディスク成形用の金型の表面に施される加工処理方法であって、
被覆金属粉末体を噴射速度80m/sec以上または噴射圧力0.3MPa以上で噴射し、前記被覆金属粉末体の組成物中の元素を被処理の表面に拡散させることを特徴とする金型表面加工処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005011336A JP2006198825A (ja) | 2005-01-19 | 2005-01-19 | 光ディスク成形装置,光ディスク成形用のスタンパー,光ディスク成形用の金型,スタンパー裏面加工処理方法および金型表面加工処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005011336A JP2006198825A (ja) | 2005-01-19 | 2005-01-19 | 光ディスク成形装置,光ディスク成形用のスタンパー,光ディスク成形用の金型,スタンパー裏面加工処理方法および金型表面加工処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006198825A true JP2006198825A (ja) | 2006-08-03 |
Family
ID=36957243
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005011336A Pending JP2006198825A (ja) | 2005-01-19 | 2005-01-19 | 光ディスク成形装置,光ディスク成形用のスタンパー,光ディスク成形用の金型,スタンパー裏面加工処理方法および金型表面加工処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006198825A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008262083A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体の製造方法 |
-
2005
- 2005-01-19 JP JP2005011336A patent/JP2006198825A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008262083A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体の製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6238197B1 (en) | Injection mould | |
JP4135304B2 (ja) | 光学素子成形用金型の製造方法 | |
JP4181017B2 (ja) | 成形用金型 | |
WO2007129673A1 (ja) | 熱可塑性樹脂成形用金型、キャビティ型及びそのキャビティ型の製造方法 | |
JP2006212859A (ja) | 成形方法および成形装置 | |
JP2006198825A (ja) | 光ディスク成形装置,光ディスク成形用のスタンパー,光ディスク成形用の金型,スタンパー裏面加工処理方法および金型表面加工処理方法 | |
JP4650514B2 (ja) | 光学素子の成形方法 | |
JP4223537B2 (ja) | ディスク基板の成形用金型およびその鏡面板ならびにディスク基板の成形方法およびディスク基板 | |
JP2010188701A (ja) | 樹脂スタンパー成形用金型、及びこれを用いた樹脂スタンパーの製造方法 | |
TW200520930A (en) | Optical disc mold having diamond-like carbonaceous layer and a molding method using the same | |
JP2001239554A (ja) | ディスク型情報記録用担体製造用の射出成形装置 | |
JP2004284110A (ja) | 光学素子の製造装置 | |
JP3378840B2 (ja) | 光ディスク基板製造方法及び光ディスク製造方法 | |
KR20080012297A (ko) | 디스크 성형용 금형, 경면반 및 디스크 성형용 금형의제조방법 | |
JP2638695B2 (ja) | 射出成形用スタンパー | |
JPH11291292A (ja) | 成形金型 | |
KR20010073195A (ko) | 금속제품의 표면개질방법 | |
JP2010194805A (ja) | 成形用金型およびその製造方法 | |
JP5014757B2 (ja) | 軸受部材の製造方法 | |
JP2003019734A (ja) | ディスク成形用金型及びその製造方法 | |
JP2008192236A (ja) | 光ディスク基板の成形金型および成形方法 | |
JP2008037074A (ja) | ホットエンボス成形用スタンパ、ディスクの製造方法、ディスク成形装置 | |
TWI276099B (en) | Substrate molding device, disk substrate and substrate molding method | |
JPH03114709A (ja) | デイスク用金型 | |
TWI251530B (en) | Method for manufacturing mold insert |