JP3378840B2 - 光ディスク基板製造方法及び光ディスク製造方法 - Google Patents
光ディスク基板製造方法及び光ディスク製造方法Info
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- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/263—Moulds with mould wall parts provided with fine grooves or impressions, e.g. for record discs
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- B29C2045/2634—Stampers; Mountings thereof mounting layers between stamper and mould or on the rear surface of the stamper
- B29C2045/2636—Stampers; Mountings thereof mounting layers between stamper and mould or on the rear surface of the stamper insulating layers
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクの製造
の分野に係り、特に、光ディスク基板製造方法及び光デ
ィスク製造方法に関する。
の分野に係り、特に、光ディスク基板製造方法及び光デ
ィスク製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクは、接合させた一対の金型間
に形成されるキャビティ内に溶融した樹脂を射出充填し
た後、金型を離反させて冷却後の樹脂を取り出すことに
より形成される。この際、一方の金型のキャビティ形成
部分には転写面を備えたスタンパを予め固定しておく。
これにより、キャビティ内に充填されて冷却後に固化し
た樹脂には、スタンパの転写面が転写され、情報記録面
が形成される。
に形成されるキャビティ内に溶融した樹脂を射出充填し
た後、金型を離反させて冷却後の樹脂を取り出すことに
より形成される。この際、一方の金型のキャビティ形成
部分には転写面を備えたスタンパを予め固定しておく。
これにより、キャビティ内に充填されて冷却後に固化し
た樹脂には、スタンパの転写面が転写され、情報記録面
が形成される。
【０００３】このような光ディスクの製造にあたって
は、キャビティ内に充填した樹脂が冷却固化しやすいよ
うに、金型の温度をキャビティ内に射出充填される樹脂
の温度よりも２００℃程度低い温度に設定する、という
ようなことが一般に行われている。このような金型の温
度設定は、転写性と光ディスク基板成形サイクルのタク
トアップとのトレードオフの関係によって決定される。
つまり、光ディスク基板成形サイクルのタクトアップを
図るには、金型の温度を極力低くすることが有効である
が、金型の温度が低すぎると転写性が劣化してしまう。
その反面、転写性を向上させるには、金型の温度を高く
すれば良いが、それでは樹脂がスタンパからの離形に必
要な温度に達するまでの時間が長くなり、これによって
光ディスクの生産性が低下してしまう。
は、キャビティ内に充填した樹脂が冷却固化しやすいよ
うに、金型の温度をキャビティ内に射出充填される樹脂
の温度よりも２００℃程度低い温度に設定する、という
ようなことが一般に行われている。このような金型の温
度設定は、転写性と光ディスク基板成形サイクルのタク
トアップとのトレードオフの関係によって決定される。
つまり、光ディスク基板成形サイクルのタクトアップを
図るには、金型の温度を極力低くすることが有効である
が、金型の温度が低すぎると転写性が劣化してしまう。
その反面、転写性を向上させるには、金型の温度を高く
すれば良いが、それでは樹脂がスタンパからの離形に必
要な温度に達するまでの時間が長くなり、これによって
光ディスクの生産性が低下してしまう。
【０００４】金型の温度が低すぎると転写性が劣化して
しまう理由を図９に基づいて説明する。図９は、一対の
金型１０１の間に形成されるキャビティ１０２内に射出
充填された樹脂１０３の状態を示す模式図である。図９
に示すように、キャビティ１０２内に射出充填される溶
融した樹脂１０３は、その流動層１０３ａの部分がキャ
ビティ１０２内に進入して充填される。図９中、樹脂１
０３の進行方向を細い矢印で示し、その流動方向を太い
矢印で示す。樹脂１０３は、キャビティ１０２内を流動
するにつれ、金型１０１に接する部分が金型１０１に熱
を奪われて急冷される。このため、金型１０１の温度が
低すぎると、金型１０１の近傍における樹脂１０３はス
キン層１０３ｂとなって瞬時に固化する。このようなス
キン層１０３ｂが形成されてしまうと、樹脂１０３は、
図示しないスタンパの微細パターンに充分に充填され
ず、転写不良となってしまう。これにより、信号特性が
良好な高品質の光ディスクが形成されなくなってしま
う。
しまう理由を図９に基づいて説明する。図９は、一対の
金型１０１の間に形成されるキャビティ１０２内に射出
充填された樹脂１０３の状態を示す模式図である。図９
に示すように、キャビティ１０２内に射出充填される溶
融した樹脂１０３は、その流動層１０３ａの部分がキャ
ビティ１０２内に進入して充填される。図９中、樹脂１
０３の進行方向を細い矢印で示し、その流動方向を太い
矢印で示す。樹脂１０３は、キャビティ１０２内を流動
するにつれ、金型１０１に接する部分が金型１０１に熱
を奪われて急冷される。このため、金型１０１の温度が
低すぎると、金型１０１の近傍における樹脂１０３はス
キン層１０３ｂとなって瞬時に固化する。このようなス
キン層１０３ｂが形成されてしまうと、樹脂１０３は、
図示しないスタンパの微細パターンに充分に充填され
ず、転写不良となってしまう。これにより、信号特性が
良好な高品質の光ディスクが形成されなくなってしま
う。
【０００５】したがって、金型の温度設定は、転写性と
光ディスク基板成形サイクルのタクトアップとのトレー
ドオフの関係によって決定される。これに対し、特開平
７−１７８７７４号公報、特開平１０−１４９５８７号
公報及び特開平６−２５９８１５号公報には、金型やス
タンパに断熱性を持たせることで、転写性と光ディスク
基板成形サイクルのタクトアップとを共に向上させるこ
とができる発明が開示されている。つまり、特開平７−
１７８７７４号公報には、金型において、スタンパの裏
面となる位置に着脱式の断熱性金型挿入体を設置した発
明が開示されている。また、特開平１０−１４９５８７
号公報には、金型において、スタンパの下面となる位置
にセラミクスによる断熱層を設けた発明が開示されてい
る。さらに、特開平６−２５９８１５号公報には、スタ
ンパの表面（転写面）に無電界メッキ法で粒子径が０．
１μｍ以下のポリテトラフルオロエチレンを２０〜３０
％含有するニッケルメッキ膜を５０〜７０ｎｍの厚みで
形成した発明が開示されている。
光ディスク基板成形サイクルのタクトアップとのトレー
ドオフの関係によって決定される。これに対し、特開平
７−１７８７７４号公報、特開平１０−１４９５８７号
公報及び特開平６−２５９８１５号公報には、金型やス
タンパに断熱性を持たせることで、転写性と光ディスク
基板成形サイクルのタクトアップとを共に向上させるこ
とができる発明が開示されている。つまり、特開平７−
１７８７７４号公報には、金型において、スタンパの裏
面となる位置に着脱式の断熱性金型挿入体を設置した発
明が開示されている。また、特開平１０−１４９５８７
号公報には、金型において、スタンパの下面となる位置
にセラミクスによる断熱層を設けた発明が開示されてい
る。さらに、特開平６−２５９８１５号公報には、スタ
ンパの表面（転写面）に無電界メッキ法で粒子径が０．
１μｍ以下のポリテトラフルオロエチレンを２０〜３０
％含有するニッケルメッキ膜を５０〜７０ｎｍの厚みで
形成した発明が開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
開公報に開示されたいずれの発明も、転写性と光ディス
ク基板成形サイクルのタクトアップとを高次元に向上さ
せるものではない。また、特開平６−２５９８１５号公
報に開示された発明では、スタンパの転写面に成膜する
構成であるため、転写面の微細パターン化が妨げられて
しまうという問題もある。さらに、特開平７−１７８７
７４号公報及び特開平１０−１４９５８７号公報に開示
された発明では、金型自体の設計変更や交換が必要とな
り、既存の金型設備が無駄になってしまうという問題が
ある。
開公報に開示されたいずれの発明も、転写性と光ディス
ク基板成形サイクルのタクトアップとを高次元に向上さ
せるものではない。また、特開平６−２５９８１５号公
報に開示された発明では、スタンパの転写面に成膜する
構成であるため、転写面の微細パターン化が妨げられて
しまうという問題もある。さらに、特開平７−１７８７
７４号公報及び特開平１０−１４９５８７号公報に開示
された発明では、金型自体の設計変更や交換が必要とな
り、既存の金型設備が無駄になってしまうという問題が
ある。
【０００７】本発明の目的は、転写性と光ディスク基板
成形サイクルのタクトアップとを向上させることであ
る。
成形サイクルのタクトアップとを向上させることであ
る。
【０００８】本発明の目的は、転写面の微細パターン化
を可能とすることである。
を可能とすることである。
【０００９】本発明の目的は、既存の金型設備に対する
変更を不要とすることである。
変更を不要とすることである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
互いに接合される一対の低温金型間に形成され、光ディ
スク基板成形用スタンパを収納するキャビティ内に溶融
した樹脂を射出充填する過程と、前記金型を離反させて
冷却後の前記樹脂を取り出す過程と、を具備する射出成
形による光ディスク基板製造方法において、前記光ディ
スク基板成形用スタンパは、光ディスク基板成形用の転
写面が形成された層と、前記転写面に沿わせて前記転写
面が形成された層の前記転写面以外の部分に設けられた
断熱性を有する断熱材と、前記断熱材の前記転写面が形
成された層と接する面と反対側の面に設けられた金属の
層と、を具備し、前記低温金型の温度は、溶融樹脂温度
より２１０乃至２２０℃低く、前記断熱材は、前記低温
金型内への溶融樹脂充填直後の前記転写面が形成された
層の急冷の抑制とその後の前記低温金型による樹脂の冷
却とを、転写性の維持と光ディスク基板成形サイクルの
タクトアップとを図り得るように熱伝導率及び厚みを調
整する。
互いに接合される一対の低温金型間に形成され、光ディ
スク基板成形用スタンパを収納するキャビティ内に溶融
した樹脂を射出充填する過程と、前記金型を離反させて
冷却後の前記樹脂を取り出す過程と、を具備する射出成
形による光ディスク基板製造方法において、前記光ディ
スク基板成形用スタンパは、光ディスク基板成形用の転
写面が形成された層と、前記転写面に沿わせて前記転写
面が形成された層の前記転写面以外の部分に設けられた
断熱性を有する断熱材と、前記断熱材の前記転写面が形
成された層と接する面と反対側の面に設けられた金属の
層と、を具備し、前記低温金型の温度は、溶融樹脂温度
より２１０乃至２２０℃低く、前記断熱材は、前記低温
金型内への溶融樹脂充填直後の前記転写面が形成された
層の急冷の抑制とその後の前記低温金型による樹脂の冷
却とを、転写性の維持と光ディスク基板成形サイクルの
タクトアップとを図り得るように熱伝導率及び厚みを調
整する。
【００１１】したがって、このような光ディスク基板成
形用スタンパを用いた射出成形を行なうに際して、断熱
材の断熱作用により、溶融樹脂充填後、従来より低温金
型を用いても、スタンパに接触する樹脂温度が高くなる
ことにより、充分な転写性が得られる。よって、高温の
転写温度によって転写性が良好に維持され、かつ、低い
金型温度により光ディスク基板成形サイクルのタクトア
ップが図られる。
形用スタンパを用いた射出成形を行なうに際して、断熱
材の断熱作用により、溶融樹脂充填後、従来より低温金
型を用いても、スタンパに接触する樹脂温度が高くなる
ことにより、充分な転写性が得られる。よって、高温の
転写温度によって転写性が良好に維持され、かつ、低い
金型温度により光ディスク基板成形サイクルのタクトア
ップが図られる。
【００１２】請求項２記載の発明は、請求項１記載の光
ディスク基板製造方法において、断熱材は、９４Ｗ／ｍ
・ｋより小さい熱伝導率を持つ。９４Ｗ／ｍ・ｋという
のは、金型に一般的に用いられるニッケルよりも低い熱
伝導率であるため、これにより、断熱材に断熱効果を持
たせることが可能となる。
ディスク基板製造方法において、断熱材は、９４Ｗ／ｍ
・ｋより小さい熱伝導率を持つ。９４Ｗ／ｍ・ｋという
のは、金型に一般的に用いられるニッケルよりも低い熱
伝導率であるため、これにより、断熱材に断熱効果を持
たせることが可能となる。
【００１３】請求項３記載の発明は、請求項１記載の光
ディスク基板製造方法において、断熱材は、耐熱性有機
高分子材料によって形成されている。このような断熱材
材料が持つ低熱伝導率が利用され、溶融樹脂充填直後の
表層部分（スタンパ転写部分）の急冷が抑制される。
ディスク基板製造方法において、断熱材は、耐熱性有機
高分子材料によって形成されている。このような断熱材
材料が持つ低熱伝導率が利用され、溶融樹脂充填直後の
表層部分（スタンパ転写部分）の急冷が抑制される。
【００１４】請求項４記載の発明は、請求項３記載の光
ディスク基板製造方法において、耐熱性有機高分子材料
は、ポリイミドである。したがって、ポリイミドの前駆
体であるポリアミド酸を用い、断熱材を種々の膜厚に形
成することが可能となる。断熱材の膜厚は、例えば５〜
１５０μｍ以下の厚みに形成される（請求項５）。これ
は、断熱材の膜厚が５μｍ以下であると断熱効果が不足
して充分な転写性が得られなくなる反面、１５０μｍ以
上であると断熱効果が大きくなり過ぎて冷却に時間がか
かりロータクトになってしまうからである。
ディスク基板製造方法において、耐熱性有機高分子材料
は、ポリイミドである。したがって、ポリイミドの前駆
体であるポリアミド酸を用い、断熱材を種々の膜厚に形
成することが可能となる。断熱材の膜厚は、例えば５〜
１５０μｍ以下の厚みに形成される（請求項５）。これ
は、断熱材の膜厚が５μｍ以下であると断熱効果が不足
して充分な転写性が得られなくなる反面、１５０μｍ以
上であると断熱効果が大きくなり過ぎて冷却に時間がか
かりロータクトになってしまうからである。
【００１５】請求項６記載の発明は、請求項３記載の光
ディスク基板製造方法において、耐熱性有機高分子材料
は、ポリアミドイミドである。したがって、ポリアミド
イミドの前駆体であるポリアミド酸を用い、断熱材を種
々の膜厚に形成することが可能となる。断熱材の膜厚
は、例えば５〜１５０μｍ以下の厚みに形成される（請
求項７）。これは、断熱材の膜厚が５μｍ以下であると
断熱効果が不足して充分な転写性が得られなくなる反
面、１５０μｍ以上であると断熱効果が大きくなり過ぎ
て冷却に時間がかかりロータクトになってしまうからで
ある。
ディスク基板製造方法において、耐熱性有機高分子材料
は、ポリアミドイミドである。したがって、ポリアミド
イミドの前駆体であるポリアミド酸を用い、断熱材を種
々の膜厚に形成することが可能となる。断熱材の膜厚
は、例えば５〜１５０μｍ以下の厚みに形成される（請
求項７）。これは、断熱材の膜厚が５μｍ以下であると
断熱効果が不足して充分な転写性が得られなくなる反
面、１５０μｍ以上であると断熱効果が大きくなり過ぎ
て冷却に時間がかかりロータクトになってしまうからで
ある。
【００１６】請求項８記載の発明は、請求項１記載の光
ディスク基板製造方法において、断熱材は、耐熱性無機
高分子材料によって形成されている。このような断熱材
材料が持つ低熱伝導率が利用され、溶融樹脂充填直後の
表層部分（スタンパ転写部分）の急冷が抑制される。
ディスク基板製造方法において、断熱材は、耐熱性無機
高分子材料によって形成されている。このような断熱材
材料が持つ低熱伝導率が利用され、溶融樹脂充填直後の
表層部分（スタンパ転写部分）の急冷が抑制される。
【００１７】請求項９記載の発明は、請求項８記載の光
ディスク基板製造方法において、耐熱性無機高分子材料
は、セラミクスである。したがって、溶射、プラズマジ
ェット、イオンプレーティング等によって断熱材が容易
に形成される。セラミクスは、例えば５０〜３００μｍ
以下の厚みを持つ（請求項１０）。これは、セラミクス
の膜厚が５０μｍ以下であると断熱効果が不足して充分
な転写性が得られなくなる反面、１５０μｍ以上である
と断熱効果が大きくなり過ぎて冷却に時間がかかりロー
タクトになってしまうからである。
ディスク基板製造方法において、耐熱性無機高分子材料
は、セラミクスである。したがって、溶射、プラズマジ
ェット、イオンプレーティング等によって断熱材が容易
に形成される。セラミクスは、例えば５０〜３００μｍ
以下の厚みを持つ（請求項１０）。これは、セラミクス
の膜厚が５０μｍ以下であると断熱効果が不足して充分
な転写性が得られなくなる反面、１５０μｍ以上である
と断熱効果が大きくなり過ぎて冷却に時間がかかりロー
タクトになってしまうからである。
【００１８】請求項１１記載の発明は、請求項１記載の
光ディスク基板製造方法において、断熱材は、金属によ
って形成されている。このような断熱材材料が持つ低熱
伝導率が利用され、溶融樹脂充填直後の表層部分（スタ
ンパ転写部分）の急冷が抑制される。
光ディスク基板製造方法において、断熱材は、金属によ
って形成されている。このような断熱材材料が持つ低熱
伝導率が利用され、溶融樹脂充填直後の表層部分（スタ
ンパ転写部分）の急冷が抑制される。
【００１９】請求項１２記載の発明は、請求項１１記載
の光ディスク基板製造方法において、金属は、スタンパ
材として用いられているニッケルと近似した線膨張係数
を持つ。したがって、溶融樹脂による昇温、金型に対す
る冷却に対し、バイメタルによる伸縮及び反りが発生し
ない。
の光ディスク基板製造方法において、金属は、スタンパ
材として用いられているニッケルと近似した線膨張係数
を持つ。したがって、溶融樹脂による昇温、金型に対す
る冷却に対し、バイメタルによる伸縮及び反りが発生し
ない。
【００２０】請求項１３記載の発明は、請求項１１記載
の光ディスク基板製造方法において、金属は、ビスマス
である。ビスマスは、電気メッキが可能であることか
ら、断熱材の膜厚を所定厚に形成可能である。ビスマス
は、例えば１５０〜３００μｍ以下の厚みを持つ（請求
項１４）。これは、ビスマスの膜厚が１５０μｍ以下で
あると断熱効果が不足して充分な転写性が得られなくな
る反面、１５０μｍ以上であると断熱効果が大きくなり
過ぎて冷却に時間がかかりロータクトになってしまうか
らである。
の光ディスク基板製造方法において、金属は、ビスマス
である。ビスマスは、電気メッキが可能であることか
ら、断熱材の膜厚を所定厚に形成可能である。ビスマス
は、例えば１５０〜３００μｍ以下の厚みを持つ（請求
項１４）。これは、ビスマスの膜厚が１５０μｍ以下で
あると断熱効果が不足して充分な転写性が得られなくな
る反面、１５０μｍ以上であると断熱効果が大きくなり
過ぎて冷却に時間がかかりロータクトになってしまうか
らである。
【００２１】請求項１５記載の光ディスク製造方法の発
明は、請求項１乃至１４のいずれか一に記載の光ディス
ク基板製造方法で光ディスク基板を製造し、前記光ディ
スク基板の転写面に対して、記録剤を塗布して光吸収層
を形成する過程と、光吸収層上に反射膜を形成する過程
と、反射膜上に保護膜を形成する過程と、を具備する。
明は、請求項１乃至１４のいずれか一に記載の光ディス
ク基板製造方法で光ディスク基板を製造し、前記光ディ
スク基板の転写面に対して、記録剤を塗布して光吸収層
を形成する過程と、光吸収層上に反射膜を形成する過程
と、反射膜上に保護膜を形成する過程と、を具備する。
【００２２】したがって、光ディスクを製造するに際し
ての光ディスク基板の製造時、断熱材の断熱作用によ
り、溶融樹脂充填後、従来より低温金型を用いても、ス
タンパに接触する樹脂温度が高くなることにより、充分
な転写性が得られる。よって、高温の転写温度によって
転写性が良好に維持され、かつ、低い金型温度により光
ディスク基板成形サイクルのタクトアップが図られる。
ての光ディスク基板の製造時、断熱材の断熱作用によ
り、溶融樹脂充填後、従来より低温金型を用いても、ス
タンパに接触する樹脂温度が高くなることにより、充分
な転写性が得られる。よって、高温の転写温度によって
転写性が良好に維持され、かつ、低い金型温度により光
ディスク基板成形サイクルのタクトアップが図られる。
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【００２６】
【００２７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１ないし
図９に基づいて説明する。本実施の形態は、ＣＤ、ＣＤ
−Ｒ、ＭＤ、ＭＯ、ＰＤ、ＤＶＤなどの光ディスクの製
造等に関する。ここでは、射出成形に直接使用する断熱
マスタスタンパの実施の形態と、マスタからマザーを経
て転写製造される断熱サンスタンパの実施の形態とに分
けてそれぞれを説明する。断熱マスタスタンパ及び断熱
サンスタンパは、共に、光ディスク基板成形用スタンパ
である。
図９に基づいて説明する。本実施の形態は、ＣＤ、ＣＤ
−Ｒ、ＭＤ、ＭＯ、ＰＤ、ＤＶＤなどの光ディスクの製
造等に関する。ここでは、射出成形に直接使用する断熱
マスタスタンパの実施の形態と、マスタからマザーを経
て転写製造される断熱サンスタンパの実施の形態とに分
けてそれぞれを説明する。断熱マスタスタンパ及び断熱
サンスタンパは、共に、光ディスク基板成形用スタンパ
である。
【００２８】（１）断熱マスタスタンパ及びその製造方
法 断熱マスタスタンパ１の製造方法を図１及び図２に基づ
いて説明する。図１は、断熱マスタスタンパ１の製造過
程を示す側面図である。
法 断熱マスタスタンパ１の製造方法を図１及び図２に基づ
いて説明する。図１は、断熱マスタスタンパ１の製造過
程を示す側面図である。
【００２９】まず、ガラス基板２にフォトレジスト３を
形成後、レーザ露光、現像により、転写面パターンとし
ての凹凸微細パターン４を形成しておく。このような凹
凸微細パターン４が形成されたガラス基板２が原盤とな
る。次いで、この凹凸微細パターン４上に導体化膜５を
形成後（図１（ａ））、この導体化膜５を陰極として約
２５μｍのＮｉ電鋳層６を形成する（図１（ｂ））。こ
のＮｉ電鋳層６は、Ｎｉ電鋳層及びマスタ転写金属層と
なる。
形成後、レーザ露光、現像により、転写面パターンとし
ての凹凸微細パターン４を形成しておく。このような凹
凸微細パターン４が形成されたガラス基板２が原盤とな
る。次いで、この凹凸微細パターン４上に導体化膜５を
形成後（図１（ａ））、この導体化膜５を陰極として約
２５μｍのＮｉ電鋳層６を形成する（図１（ｂ））。こ
のＮｉ電鋳層６は、Ｎｉ電鋳層及びマスタ転写金属層と
なる。
【００３０】次いで、Ｎｉ電鋳層６の上には、耐熱性高
分子材料からなる断熱材によるマスタ断熱層としての断
熱層７を積層形成する（図１（ｃ））。つまり、Ｎｉ電
鋳層６の部分イミド化された直鎖型ポリアミド酸溶液を
スピン塗布又はスプレー塗布した後、加熱して脱水環化
させてイミド化することにより、ポリイミドの断熱層７
を形成する。この断熱層７の熱伝導率は、９４Ｗ／ｍ・
ｋより小さく、図１に図示しない金型に一般的に用いら
れるニッケルよりも熱伝導率が低い。また、断熱層７の
厚みは、５〜１５０μｍ以下が望ましい。さらに、別の
実施の形態として、断熱層としては、ポリアミドイミド
を用いたポリアミドイミド断熱層として形成しても良
い。ポリアミドイミド断熱層も、ポリイミドの断熱層７
と同様の手法によって形成することが可能である。そし
て、ポリイミドの断熱層７及びポリアミドイミド断熱層
は、いずれも、所望の厚みに形成することが容易であ
る。
分子材料からなる断熱材によるマスタ断熱層としての断
熱層７を積層形成する（図１（ｃ））。つまり、Ｎｉ電
鋳層６の部分イミド化された直鎖型ポリアミド酸溶液を
スピン塗布又はスプレー塗布した後、加熱して脱水環化
させてイミド化することにより、ポリイミドの断熱層７
を形成する。この断熱層７の熱伝導率は、９４Ｗ／ｍ・
ｋより小さく、図１に図示しない金型に一般的に用いら
れるニッケルよりも熱伝導率が低い。また、断熱層７の
厚みは、５〜１５０μｍ以下が望ましい。さらに、別の
実施の形態として、断熱層としては、ポリアミドイミド
を用いたポリアミドイミド断熱層として形成しても良
い。ポリアミドイミド断熱層も、ポリイミドの断熱層７
と同様の手法によって形成することが可能である。そし
て、ポリイミドの断熱層７及びポリアミドイミド断熱層
は、いずれも、所望の厚みに形成することが容易であ
る。
【００３１】次いで、ポリイミドの断熱層７の上に導体
化膜８を形成後（図１（ｄ））、この導体化膜８を陰極
としてＮｉ電鋳を行ない、Ｎｉ電鋳層９を形成する（図
１（ｅ））。このＮｉ電鋳層９は、第２のＮｉ電鋳層と
なる。こうして、全体の厚みが３００μｍ程度の積層
物、つまり、Ｎｉ電鋳層６、断熱層７及びＮｉ電鋳層９
からなる積層物がガラス基板２の上に形成され、機械的
強度が増大する。
化膜８を形成後（図１（ｄ））、この導体化膜８を陰極
としてＮｉ電鋳を行ない、Ｎｉ電鋳層９を形成する（図
１（ｅ））。このＮｉ電鋳層９は、第２のＮｉ電鋳層と
なる。こうして、全体の厚みが３００μｍ程度の積層
物、つまり、Ｎｉ電鋳層６、断熱層７及びＮｉ電鋳層９
からなる積層物がガラス基板２の上に形成され、機械的
強度が増大する。
【００３２】そして、ガラス基板２の上にＮｉ電鋳層
６、断熱層７及びＮｉ電鋳層９からなる積層物が積層形
成された後、積層物をガラス基板２から剥離すること
で、断熱マスタスタンパブランク１０が得られる。そし
て、この断熱マスタスタンパブランク１０上に残存して
いるフォトレジスト３を除去後、保護膜塗布、裏面研
磨、内外径プレス、信号や欠陥検査等を行なうことで、
ガラス基板２上の凹凸微細パターン４が写された転写面
１１を有する断熱マスタスタンパ１が完成する。
６、断熱層７及びＮｉ電鋳層９からなる積層物が積層形
成された後、積層物をガラス基板２から剥離すること
で、断熱マスタスタンパブランク１０が得られる。そし
て、この断熱マスタスタンパブランク１０上に残存して
いるフォトレジスト３を除去後、保護膜塗布、裏面研
磨、内外径プレス、信号や欠陥検査等を行なうことで、
ガラス基板２上の凹凸微細パターン４が写された転写面
１１を有する断熱マスタスタンパ１が完成する。
【００３３】図２は、完成した断熱マスタスタンパ１の
一部を示す側面図である。断熱マスタスタンパ１は、図
２に示すように、Ｎｉ電鋳層６、断熱層７及びＮｉ電鋳
層９からなり、表面に転写面１１を有する。
一部を示す側面図である。断熱マスタスタンパ１は、図
２に示すように、Ｎｉ電鋳層６、断熱層７及びＮｉ電鋳
層９からなり、表面に転写面１１を有する。
【００３４】（２）断熱サンスタンパ及びその製造方法
次いで、サンスタンパとしての断熱サンスタンパ２１の
製造方法を図３ないし図５に基づいて説明する。図３
は、断熱サンスタンパ２１の製造過程を示す側面図であ
る。
製造方法を図３ないし図５に基づいて説明する。図３
は、断熱サンスタンパ２１の製造過程を示す側面図であ
る。
【００３５】まず、ガラス基板２２にフォトレジスト２
３を塗布形成後（ステップＳ１、図３（ａ））、レーザ
露光、現像により、転写面パターンとしての凹凸微細パ
ターン２４を形成しておく（ステップＳ２、図３
（ｂ））。次いで、この凹凸微細パターン２４上に導体
化膜２５を形成後（ステップＳ３、図３（ｃ））、この
導体化膜２５を陰極として約３００μｍのＮｉ電鋳層２
６を形成する（ステップＳ４、図１（ｄ））。このＮｉ
電鋳層２６は、Ｎｉ電鋳層及びマスタ転写金属層とな
る。そして、ガラス基板２２よりＮｉ電鋳層２６を剥離
して、Ｎｉ電鋳層２６に残存したフォトレジスト２３を
除去することで凹凸微細パターン２４が形成されたマス
タ２７が得られる（ステップＳ５、図１（ｅ））。
３を塗布形成後（ステップＳ１、図３（ａ））、レーザ
露光、現像により、転写面パターンとしての凹凸微細パ
ターン２４を形成しておく（ステップＳ２、図３
（ｂ））。次いで、この凹凸微細パターン２４上に導体
化膜２５を形成後（ステップＳ３、図３（ｃ））、この
導体化膜２５を陰極として約３００μｍのＮｉ電鋳層２
６を形成する（ステップＳ４、図１（ｄ））。このＮｉ
電鋳層２６は、Ｎｉ電鋳層及びマスタ転写金属層とな
る。そして、ガラス基板２２よりＮｉ電鋳層２６を剥離
して、Ｎｉ電鋳層２６に残存したフォトレジスト２３を
除去することで凹凸微細パターン２４が形成されたマス
タ２７が得られる（ステップＳ５、図１（ｅ））。
【００３６】次に、マスタ２７を剥離処理し（ステップ
Ｓ６、図１（ｆ））、Ｎｉ酸化膜２８を形成し、約３０
０μｍのＮｉ電鋳層２９を形成する（ステップＳ７、図
１（ｇ））。このＮｉ電鋳層２９がマザー転写金属層と
なる。そして、マスタ２７よりＮｉ電鋳層２９を剥離す
ることで、凹凸微細パターン２４が写された反転転写面
パターン３０を有するマザー３１が得られる（ステップ
Ｓ８、図１（ｈ））。
Ｓ６、図１（ｆ））、Ｎｉ酸化膜２８を形成し、約３０
０μｍのＮｉ電鋳層２９を形成する（ステップＳ７、図
１（ｇ））。このＮｉ電鋳層２９がマザー転写金属層と
なる。そして、マスタ２７よりＮｉ電鋳層２９を剥離す
ることで、凹凸微細パターン２４が写された反転転写面
パターン３０を有するマザー３１が得られる（ステップ
Ｓ８、図１（ｈ））。
【００３７】その後、前処理後（ステップＳ９）、マス
タ２７の場合と同様に、マザー３１を剥離皮膜処理して
Ｎｉ酸化膜３２を形成する（ステップＳ１０、図１
（ｉ））。次いで、約２５μｍのＮｉ電鋳層３３を形成
する（ステップＳ１１、図１（ｊ））。このＮｉ電鋳層
３３がＮｉ電鋳層及びサン転写金属層となる。その後、
洗浄・乾燥処理（ステップＳ１２）、断熱層形成前処理
（ステップＳ１３）を経てＮｉ電鋳層３３上に耐熱性高
分子材料からなる断熱材によるサン断熱層としての断熱
層３４を積層形成する（ステップＳ１４、図１
（ｋ））。Ｎｉ電鋳層３３上への断熱層３４の形成方
法、断熱層３４の種類等は、図１及び図２に例示した断
熱マスタスタンパ１およびその製造方法と同様である。
タ２７の場合と同様に、マザー３１を剥離皮膜処理して
Ｎｉ酸化膜３２を形成する（ステップＳ１０、図１
（ｉ））。次いで、約２５μｍのＮｉ電鋳層３３を形成
する（ステップＳ１１、図１（ｊ））。このＮｉ電鋳層
３３がＮｉ電鋳層及びサン転写金属層となる。その後、
洗浄・乾燥処理（ステップＳ１２）、断熱層形成前処理
（ステップＳ１３）を経てＮｉ電鋳層３３上に耐熱性高
分子材料からなる断熱材によるサン断熱層としての断熱
層３４を積層形成する（ステップＳ１４、図１
（ｋ））。Ｎｉ電鋳層３３上への断熱層３４の形成方
法、断熱層３４の種類等は、図１及び図２に例示した断
熱マスタスタンパ１およびその製造方法と同様である。
【００３８】そして、断熱層３４の形成後、断熱層３４
の上に導体化膜３５を形成し（ステップＳ１５、図１
（ｌ））、この導体化膜３５を陰極としてＮｉ電鋳を行
ない、Ｎｉ電鋳層３６を形成する（ステップＳ１６、図
１（ｍ））。その後、洗浄、乾燥処理を行ない（ステッ
プＳ１７）、マザー３１の上に積層形成されたＮｉ電鋳
層３３、断熱層３４及びＮｉ電鋳層３６からなる積層物
をマザー３１から剥離することで、断熱サンスタンパブ
ランク３７が得られる（ステップＳ１８、図１
（ｎ））。そして、この断熱サンスタンパブランク３７
に対して、保護膜塗布（ステップＳ１９）、裏面研磨
（ステップＳ２０）、内外径プレス（ステップＳ２
１）、信号や欠陥検査等（ステップＳ２２）を行なうこ
とで、マザー３１の反転転写面パターン３０が写された
転写面３８を有する断熱サンスタンパ２１が完成する。
の上に導体化膜３５を形成し（ステップＳ１５、図１
（ｌ））、この導体化膜３５を陰極としてＮｉ電鋳を行
ない、Ｎｉ電鋳層３６を形成する（ステップＳ１６、図
１（ｍ））。その後、洗浄、乾燥処理を行ない（ステッ
プＳ１７）、マザー３１の上に積層形成されたＮｉ電鋳
層３３、断熱層３４及びＮｉ電鋳層３６からなる積層物
をマザー３１から剥離することで、断熱サンスタンパブ
ランク３７が得られる（ステップＳ１８、図１
（ｎ））。そして、この断熱サンスタンパブランク３７
に対して、保護膜塗布（ステップＳ１９）、裏面研磨
（ステップＳ２０）、内外径プレス（ステップＳ２
１）、信号や欠陥検査等（ステップＳ２２）を行なうこ
とで、マザー３１の反転転写面パターン３０が写された
転写面３８を有する断熱サンスタンパ２１が完成する。
【００３９】図５は、完成した断熱サンスタンパ２１の
一部を示す側面図である。断熱サンスタンパ２１は、図
５に示すように、Ｎｉ電鋳層３３、断熱層３４及びＮｉ
電鋳層３６からなり、表面に転写面３８を有する。
一部を示す側面図である。断熱サンスタンパ２１は、図
５に示すように、Ｎｉ電鋳層３３、断熱層３４及びＮｉ
電鋳層３６からなり、表面に転写面３８を有する。
【００４０】（３）光ディスク基板及びその製造方法
上述のようにして形成された光ディスク基板成形用スタ
ンパである断熱マスタスタンパ１又は断熱サンスタンパ
２１を用いて光ディスク基板４１を形成するには、周知
の手法によって断熱マスタスタンパ１又は断熱サンスタ
ンパ２１を用いた射出成形を行なえば良い。つまり、図
示しない一対の金型の接合部に形成される図示しないキ
ャビティ内に断熱マスタスタンパ１又は断熱サンスタン
パ２１を固定し、そのキャビティ内に図示しない溶融樹
脂を射出充填する。その後、金型を分離して冷却個化後
の樹脂を取り出すことによって、光ディスク基板４１が
得られる。このような光ディスク基板４１の製造を含む
原盤露光から梱包出荷までの一連の流れについては、後
述する。
ンパである断熱マスタスタンパ１又は断熱サンスタンパ
２１を用いて光ディスク基板４１を形成するには、周知
の手法によって断熱マスタスタンパ１又は断熱サンスタ
ンパ２１を用いた射出成形を行なえば良い。つまり、図
示しない一対の金型の接合部に形成される図示しないキ
ャビティ内に断熱マスタスタンパ１又は断熱サンスタン
パ２１を固定し、そのキャビティ内に図示しない溶融樹
脂を射出充填する。その後、金型を分離して冷却個化後
の樹脂を取り出すことによって、光ディスク基板４１が
得られる。このような光ディスク基板４１の製造を含む
原盤露光から梱包出荷までの一連の流れについては、後
述する。
【００４１】ここで、金型の温度を通常温度よりも１０
〜２０℃程度低く設定し、ポリイミドの断熱層７，３４
の厚み５、２０、５０、１５０、２５０μｍとして実験
してみた。その結果、ポリイミドの断熱層７，３４の厚
みが５μｍ以上で充分な転写性の確保と光ディスク基板
成形サイクルのタクトアップとを高次元で両立させるこ
とができた。もっとも、ポリイミドの断熱層７，３４の
厚みが２５０μｍとなると、転写性は良好であるのに対
し、従来よりも光ディスク基板成形サイクルがロータク
トとなってしまう。これは、キャビティに対する溶融樹
脂充填直後における溶融樹脂の表層部分（スタンパ転写
部分）の温度が高くなりすぎてしまい、樹脂の熱変形温
度までの冷却に長時間を要するからである。
〜２０℃程度低く設定し、ポリイミドの断熱層７，３４
の厚み５、２０、５０、１５０、２５０μｍとして実験
してみた。その結果、ポリイミドの断熱層７，３４の厚
みが５μｍ以上で充分な転写性の確保と光ディスク基板
成形サイクルのタクトアップとを高次元で両立させるこ
とができた。もっとも、ポリイミドの断熱層７，３４の
厚みが２５０μｍとなると、転写性は良好であるのに対
し、従来よりも光ディスク基板成形サイクルがロータク
トとなってしまう。これは、キャビティに対する溶融樹
脂充填直後における溶融樹脂の表層部分（スタンパ転写
部分）の温度が高くなりすぎてしまい、樹脂の熱変形温
度までの冷却に長時間を要するからである。
【００４２】図６は、金型温度と基板転写温度との関係
を従来の一例と本実施の形態との比較において示すシミ
ュレーショングラフである。黒ドットが従来の一例を、
白ドットが本実施の形態の例をそれぞれ示す。従来の一
例は、特開平７−１７８７７４号公報に開示されている
例である。図６のグラフからも明らかなように、従来の
一例では、金型温度の変化に対する基板転写温度の変化
率が強いのに対し、本実施の形態の例では、金型温度の
変化に対する基板転写温度の変化率が小さい。つまり、
本実施の形態の例では、金型温度に対する基板転写温度
の依存性が少ない。このため、本実施の形態の例では、
金型温度を十分に下げつつ、基板転写温度を高温に維持
することが可能である。よって、図６のグラフからも、
充分な転写性の確保と光ディスク基板成形サイクルのタ
クトアップとを高次元で両立させ得ることが分かる。
を従来の一例と本実施の形態との比較において示すシミ
ュレーショングラフである。黒ドットが従来の一例を、
白ドットが本実施の形態の例をそれぞれ示す。従来の一
例は、特開平７−１７８７７４号公報に開示されている
例である。図６のグラフからも明らかなように、従来の
一例では、金型温度の変化に対する基板転写温度の変化
率が強いのに対し、本実施の形態の例では、金型温度の
変化に対する基板転写温度の変化率が小さい。つまり、
本実施の形態の例では、金型温度に対する基板転写温度
の依存性が少ない。このため、本実施の形態の例では、
金型温度を十分に下げつつ、基板転写温度を高温に維持
することが可能である。よって、図６のグラフからも、
充分な転写性の確保と光ディスク基板成形サイクルのタ
クトアップとを高次元で両立させ得ることが分かる。
【００４３】別の実施の形態として、断熱層７、３４と
して、ジルコニア等のセラミクスを用いることができ
る。この場合、断熱層７、３４であるセラミクスは、Ｎ
ｉ電鋳層を構成する導体化膜５，２５の電析面に対して
溶射、プラズマジェット、イオンプレーティング等の手
法で容易に形成することができる。このようなセラミク
スからなる断熱層７、３４は、その厚みが５０μｍ以上
で充分な転写性の確保と光ディスク基板成形サイクルの
タクトアップとを高次元で両立させることが可能であ
る。なお、セラミクスからなる断熱層７、３４の厚みの
上限としては、３００μｍ以下であることが望ましく、
これによって良好な特性が得られる。
して、ジルコニア等のセラミクスを用いることができ
る。この場合、断熱層７、３４であるセラミクスは、Ｎ
ｉ電鋳層を構成する導体化膜５，２５の電析面に対して
溶射、プラズマジェット、イオンプレーティング等の手
法で容易に形成することができる。このようなセラミク
スからなる断熱層７、３４は、その厚みが５０μｍ以上
で充分な転写性の確保と光ディスク基板成形サイクルの
タクトアップとを高次元で両立させることが可能であ
る。なお、セラミクスからなる断熱層７、３４の厚みの
上限としては、３００μｍ以下であることが望ましく、
これによって良好な特性が得られる。
【００４４】さらに別の実施の形態として、断熱層７、
３４として、金属、例えばビスマスを用いることができ
る。この場合、断熱層７、３４であるビスマスは、Ｎｉ
電鋳層６を構成する導体化膜５，２５の電析面に対して
電気メッキによって容易に形成することができる。この
ようなビスマスからなる断熱層７、３４は、その厚みが
１５０μｍ以上で充分な転写性の確保と光ディスク基板
成形サイクルのタクトアップとを高次元で両立させるこ
とが可能である。なお、ビスマスからなる断熱層７、３
４の厚みの上限としては、３００μｍ以下であることが
望ましく、これによって良好な特性が得られる。また、
ビスマスは、Ｎｉ電鋳層としてのＮｉ電鋳層６、２６、
２９及び第２のＮｉ電鋳層としてのＮｉ電鋳層９、３３
に用いられているニッケルと近似した線膨張係数を持
つ。これにより、溶融樹脂による昇温、金型に対する冷
却に対し、バイメタルによる伸縮及び反りが発生せず、
転写性が向上する。しかも、ビスマスは、電気メッキが
可能であることから、断熱層７、３４の膜厚を容易に所
望厚に形成することができる。
３４として、金属、例えばビスマスを用いることができ
る。この場合、断熱層７、３４であるビスマスは、Ｎｉ
電鋳層６を構成する導体化膜５，２５の電析面に対して
電気メッキによって容易に形成することができる。この
ようなビスマスからなる断熱層７、３４は、その厚みが
１５０μｍ以上で充分な転写性の確保と光ディスク基板
成形サイクルのタクトアップとを高次元で両立させるこ
とが可能である。なお、ビスマスからなる断熱層７、３
４の厚みの上限としては、３００μｍ以下であることが
望ましく、これによって良好な特性が得られる。また、
ビスマスは、Ｎｉ電鋳層としてのＮｉ電鋳層６、２６、
２９及び第２のＮｉ電鋳層としてのＮｉ電鋳層９、３３
に用いられているニッケルと近似した線膨張係数を持
つ。これにより、溶融樹脂による昇温、金型に対する冷
却に対し、バイメタルによる伸縮及び反りが発生せず、
転写性が向上する。しかも、ビスマスは、電気メッキが
可能であることから、断熱層７、３４の膜厚を容易に所
望厚に形成することができる。
【００４５】（４）光ディスク及びその製造方法
ここで、原盤露光から梱包出荷までの一連の流れを図７
に基づいて説明する。ここでは、断熱マスタスタンパ１
を用いて成形した光ディスク基板４１により形成された
光ディスクとしてのＣＤ−Ｒ５１について説明する（図
８参照）。この場合、必要に応じて、完成後のＣＤ−Ｒ
５１を示す断面図等の他の図（例えば図８）も適宜用い
る。
に基づいて説明する。ここでは、断熱マスタスタンパ１
を用いて成形した光ディスク基板４１により形成された
光ディスクとしてのＣＤ−Ｒ５１について説明する（図
８参照）。この場合、必要に応じて、完成後のＣＤ−Ｒ
５１を示す断面図等の他の図（例えば図８）も適宜用い
る。
【００４６】まず、原盤露光過程において、ガラス基板
２上に前述した凹凸微細パターン４に相当するプリグル
ーブパターン５２を形成し、原盤５３を製作する。この
ためには、ガラス基板２２の上に塗布された前述したフ
ォトレジスト３によるレジスト層３を製膜し、このレジ
スト層３にＡｒレーザ（アルゴンレーザ）を照射した
後、現像することによりプリグルーブパターン５２を形
成する。こうして、光ディスク基板成形用スタンパであ
る断熱マスタスタンパ１のＮｉ電鋳層６からなるＮｉ電
鋳層を製造するために必要なプリグルーブパターン５２
をガラス基板２に形成することができる（図１（ａ）参
照）。
２上に前述した凹凸微細パターン４に相当するプリグル
ーブパターン５２を形成し、原盤５３を製作する。この
ためには、ガラス基板２２の上に塗布された前述したフ
ォトレジスト３によるレジスト層３を製膜し、このレジ
スト層３にＡｒレーザ（アルゴンレーザ）を照射した
後、現像することによりプリグルーブパターン５２を形
成する。こうして、光ディスク基板成形用スタンパであ
る断熱マスタスタンパ１のＮｉ電鋳層６からなるＮｉ電
鋳層を製造するために必要なプリグルーブパターン５２
をガラス基板２に形成することができる（図１（ａ）参
照）。
【００４７】次いで、スタンパ製作を行う。前述したよ
うに、ガラス基板２に形成されたプリグルーブパターン
５２上にＮｉ導体化膜５を形成後、このＮｉ導体化膜５
を陰極としてＮｉ電鋳を行ない、約２５μｍ電鋳するこ
とで（図１（ｂ）参照）、プリグルーブパターン５２が
写された転写面１１を一面に有するＮｉ電鋳層６からな
るＮｉ電鋳層を形成する。そこで、このＮｉ電鋳層６に
対して断熱層７及びＮｉ電鋳層９からなる第２のＮｉ電
鋳層を積層形成した後、これらのＮｉ電鋳層（Ｎｉ電鋳
層６）、断熱層７及び第２のＮｉ電鋳層（Ｎｉ電鋳層
９）をガラス基板２から剥離し、断熱マスタスタンパ１
を得る（図２参照）。
うに、ガラス基板２に形成されたプリグルーブパターン
５２上にＮｉ導体化膜５を形成後、このＮｉ導体化膜５
を陰極としてＮｉ電鋳を行ない、約２５μｍ電鋳するこ
とで（図１（ｂ）参照）、プリグルーブパターン５２が
写された転写面１１を一面に有するＮｉ電鋳層６からな
るＮｉ電鋳層を形成する。そこで、このＮｉ電鋳層６に
対して断熱層７及びＮｉ電鋳層９からなる第２のＮｉ電
鋳層を積層形成した後、これらのＮｉ電鋳層（Ｎｉ電鋳
層６）、断熱層７及び第２のＮｉ電鋳層（Ｎｉ電鋳層
９）をガラス基板２から剥離し、断熱マスタスタンパ１
を得る（図２参照）。
【００４８】次いで、射出成形により、光ディスク基板
４１を形成する。つまり、接離自在に設けられた金型と
しての固定金型５４と可動金型５５との接合部に形成さ
れるキャビティ５６内に光ディスク基板成形用スタンパ
１を固定し、そのキャビティ５６内に可動金型５５に設
けられたノズル５７から図示しない溶融樹脂を射出充填
し、固定金型５４と可動金型５５との間で圧縮する。そ
の後、固定金型５４と可動金型５５とを分離して冷却個
化後の樹脂を取り出すことによって、光ディスク基板４
１が得られる。ここで、このような光ディスク基板４１
の製造過程においては、上述した各種の光ディスク基板
成形用スタンパである断熱マスタスタンパ１や断熱サン
スタンパ２１を用いることが可能である。
４１を形成する。つまり、接離自在に設けられた金型と
しての固定金型５４と可動金型５５との接合部に形成さ
れるキャビティ５６内に光ディスク基板成形用スタンパ
１を固定し、そのキャビティ５６内に可動金型５５に設
けられたノズル５７から図示しない溶融樹脂を射出充填
し、固定金型５４と可動金型５５との間で圧縮する。そ
の後、固定金型５４と可動金型５５とを分離して冷却個
化後の樹脂を取り出すことによって、光ディスク基板４
１が得られる。ここで、このような光ディスク基板４１
の製造過程においては、上述した各種の光ディスク基板
成形用スタンパである断熱マスタスタンパ１や断熱サン
スタンパ２１を用いることが可能である。
【００４９】次いで、製造された光ディスク基板４１上
に記録材としての色素を塗布し、光ディスク基板４１上
に光吸収層５８を形成する（図８参照）。つまり、ター
ンテーブル５９上に光ディスク基板４１をセットし、こ
の光ディスク基板４１の上に、フタロシアニン系色素、
すなわち、フタロシアニンを構成する４つのベンゼン環
のそれぞれのα位に１つの１−イソプロピル−イソアミ
ルオキシ基を有するＰｄ・フタロシアニンの３．５重量
％ジメチルシクロヘキサン溶液を塗布した後にターンテ
ーブル５９を回転させて２０００ｒｐｍでスピンコート
し、７０℃で２時間乾燥（オーブンによるキュアリン
グ）して１００ｎｍの膜厚の光吸収層５８を形成する。
に記録材としての色素を塗布し、光ディスク基板４１上
に光吸収層５８を形成する（図８参照）。つまり、ター
ンテーブル５９上に光ディスク基板４１をセットし、こ
の光ディスク基板４１の上に、フタロシアニン系色素、
すなわち、フタロシアニンを構成する４つのベンゼン環
のそれぞれのα位に１つの１−イソプロピル−イソアミ
ルオキシ基を有するＰｄ・フタロシアニンの３．５重量
％ジメチルシクロヘキサン溶液を塗布した後にターンテ
ーブル５９を回転させて２０００ｒｐｍでスピンコート
し、７０℃で２時間乾燥（オーブンによるキュアリン
グ）して１００ｎｍの膜厚の光吸収層５８を形成する。
【００５０】次いで、反射層６０の形成及び保護層６１
のオーバーコートを行う（図５参照）。つまり、ターン
テーブル５１の上に光吸収層５８を形成した後の光ディ
スク基板４１をセットしたまま、スパッタリング装置６
２に銀ターゲットを取り付け、銀の反射層６０を１００
ｎｍの膜厚で光吸収層５８の上に積層形成し、光反射面
６３を形成する。そして、その反射層６０の上に紫外線
硬化樹脂をスピンコートした後、紫外線を照射して厚さ
６μｍの保護層６１を形成する。
のオーバーコートを行う（図５参照）。つまり、ターン
テーブル５１の上に光吸収層５８を形成した後の光ディ
スク基板４１をセットしたまま、スパッタリング装置６
２に銀ターゲットを取り付け、銀の反射層６０を１００
ｎｍの膜厚で光吸収層５８の上に積層形成し、光反射面
６３を形成する。そして、その反射層６０の上に紫外線
硬化樹脂をスピンコートした後、紫外線を照射して厚さ
６μｍの保護層６１を形成する。
【００５１】次いで、メディアの信号特性や機械特性を
検査し、スクリーン印刷によってラベルの印刷を行い、
その上からハードコート処理を行うことによってメディ
ア、つまり、光ディスクとしてのＣＤ−Ｒ５１が完成す
る。図８に、完成したＣＤ−Ｒ５１の断面図を示す。
検査し、スクリーン印刷によってラベルの印刷を行い、
その上からハードコート処理を行うことによってメディ
ア、つまり、光ディスクとしてのＣＤ−Ｒ５１が完成す
る。図８に、完成したＣＤ−Ｒ５１の断面図を示す。
【００５２】このようにして製造されたＣＤ−Ｒ５１
は、その後の梱包出荷を待つことになる。
は、その後の梱包出荷を待つことになる。
【００５３】本発明は、その精神または主要な特徴から
逸脱することがない範囲で、前述した実施の態様とは異
なる他の様々な形態で実施をすることができる。前述の
実施の態様はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的
に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲
によって示すものであり、明細書本文には何ら拘束され
ない。特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更
は、全ての本発明の範囲内のものである。
逸脱することがない範囲で、前述した実施の態様とは異
なる他の様々な形態で実施をすることができる。前述の
実施の態様はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的
に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲
によって示すものであり、明細書本文には何ら拘束され
ない。特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更
は、全ての本発明の範囲内のものである。
【００５４】
【発明の効果】請求項１記載の光ディスク基板製造方法
の発明は、互いに接合される一対の低温金型間に形成さ
れ、光ディスク基板成形用スタンパを収納するキャビテ
ィ内に溶融した樹脂を射出充填する過程と、前記金型を
離反させて冷却後の前記樹脂を取り出す過程と、を具備
する射出成形による光ディスク基板製造方法において、
前記光ディスク基板成形用スタンパは、光ディスク基板
成形用の転写面が形成された層と、前記転写面に沿わせ
て前記転写面が形成された層の前記転写面以外の部分に
設けられた断熱性を有する断熱材と、前記断熱材の前記
転写面が形成された層と接する面と反対側の面に設けら
れた金属の層と、を具備し、前記低温金型の温度は、溶
融樹脂温度より２１０乃至２２０℃低く、前記断熱材
は、前記低温金型内への溶融樹脂充填直後の前記転写面
が形成された層の急冷の抑制とその後の前記低温金型に
よる樹脂の冷却とを、転写性の維持と光ディスク基板成
形サイクルのタクトアップとを図り得るように熱伝導率
及び厚みを調整するので、このような光ディスク基板成
形用スタンパを用いた射出成形を行なうに際して、断熱
材の断熱作用により、溶融樹脂充填後、従来より低温金
型を用いても、スタンパに接触する樹脂温度が高くなる
ことにより、充分な転写性が得られる。したがって、高
温の転写温度によって転写性を良好に維持することがで
き、かつ、低い金型温度により光ディスク基板成形サイ
クルのタクトアップを図ることができる。
の発明は、互いに接合される一対の低温金型間に形成さ
れ、光ディスク基板成形用スタンパを収納するキャビテ
ィ内に溶融した樹脂を射出充填する過程と、前記金型を
離反させて冷却後の前記樹脂を取り出す過程と、を具備
する射出成形による光ディスク基板製造方法において、
前記光ディスク基板成形用スタンパは、光ディスク基板
成形用の転写面が形成された層と、前記転写面に沿わせ
て前記転写面が形成された層の前記転写面以外の部分に
設けられた断熱性を有する断熱材と、前記断熱材の前記
転写面が形成された層と接する面と反対側の面に設けら
れた金属の層と、を具備し、前記低温金型の温度は、溶
融樹脂温度より２１０乃至２２０℃低く、前記断熱材
は、前記低温金型内への溶融樹脂充填直後の前記転写面
が形成された層の急冷の抑制とその後の前記低温金型に
よる樹脂の冷却とを、転写性の維持と光ディスク基板成
形サイクルのタクトアップとを図り得るように熱伝導率
及び厚みを調整するので、このような光ディスク基板成
形用スタンパを用いた射出成形を行なうに際して、断熱
材の断熱作用により、溶融樹脂充填後、従来より低温金
型を用いても、スタンパに接触する樹脂温度が高くなる
ことにより、充分な転写性が得られる。したがって、高
温の転写温度によって転写性を良好に維持することがで
き、かつ、低い金型温度により光ディスク基板成形サイ
クルのタクトアップを図ることができる。
【００５５】請求項２記載の発明は、請求項１記載の光
ディスク基板製造方法において、断熱材は、９４Ｗ／ｍ
・ｋより小さい熱伝導率を持つので、断熱材の熱伝導率
が金型に一般的に用いられるニッケルよりも低い熱伝導
率となり、したがって、断熱材に断熱効果を持たせるこ
とができる。
ディスク基板製造方法において、断熱材は、９４Ｗ／ｍ
・ｋより小さい熱伝導率を持つので、断熱材の熱伝導率
が金型に一般的に用いられるニッケルよりも低い熱伝導
率となり、したがって、断熱材に断熱効果を持たせるこ
とができる。
【００５６】請求項３記載の発明は、請求項１記載の光
ディスク基板製造方法において、断熱材は、耐熱性有機
高分子材料によって形成されているので、断熱材材料が
持つ低熱伝導率を利用し、溶融樹脂充填直後の表層部分
（スタンパ転写部分）の急冷を抑制することができる。
したがって、溶融樹脂に対するスキン層の形成を抑制
し、転写性を向上させることができる。
ディスク基板製造方法において、断熱材は、耐熱性有機
高分子材料によって形成されているので、断熱材材料が
持つ低熱伝導率を利用し、溶融樹脂充填直後の表層部分
（スタンパ転写部分）の急冷を抑制することができる。
したがって、溶融樹脂に対するスキン層の形成を抑制
し、転写性を向上させることができる。
【００５７】請求項４記載の発明は、請求項３記載の光
ディスク基板製造方法において、耐熱性有機高分子材料
は、ポリイミドであるので、ポリイミドの前駆体である
ポリアミド酸を用い、断熱材を種々の膜厚に形成するこ
とができる。したがって、断熱材を所望の膜厚に容易に
形成することができる。
ディスク基板製造方法において、耐熱性有機高分子材料
は、ポリイミドであるので、ポリイミドの前駆体である
ポリアミド酸を用い、断熱材を種々の膜厚に形成するこ
とができる。したがって、断熱材を所望の膜厚に容易に
形成することができる。
【００５８】請求項５記載の発明は、請求項４記載の光
ディスク基板製造方法において、前記ポリイミドは、５
〜１５０μｍ以下の厚みを持つので、ポリイミドが適度
な断熱性を持つことにより、充分な転写性と光ディスク
基板成形サイクルのタクトアップとを両立させて向上さ
せることができる。
ディスク基板製造方法において、前記ポリイミドは、５
〜１５０μｍ以下の厚みを持つので、ポリイミドが適度
な断熱性を持つことにより、充分な転写性と光ディスク
基板成形サイクルのタクトアップとを両立させて向上さ
せることができる。
【００５９】請求項６記載の発明は、請求項３記載の光
ディスク基板製造方法において、耐熱性有機高分子材料
は、ポリアミドイミドであるので、ポリアミドイミドの
前駆体であるポリアミド酸を用い、断熱材を種々の膜厚
に形成することができる。したがって、断熱材を所望の
膜厚に容易に形成することができる。
ディスク基板製造方法において、耐熱性有機高分子材料
は、ポリアミドイミドであるので、ポリアミドイミドの
前駆体であるポリアミド酸を用い、断熱材を種々の膜厚
に形成することができる。したがって、断熱材を所望の
膜厚に容易に形成することができる。
【００６０】請求項７記載の発明は、請求項６記載の光
ディスク基板製造方法において、前記ポリアミドイミド
は、５〜１５０μｍ以下の厚みを持つので、ポリアミド
イミドが適度な断熱性を持つことにより、充分な転写性
と光ディスク基板成形サイクルのタクトアップとを両立
させて向上させることができる。
ディスク基板製造方法において、前記ポリアミドイミド
は、５〜１５０μｍ以下の厚みを持つので、ポリアミド
イミドが適度な断熱性を持つことにより、充分な転写性
と光ディスク基板成形サイクルのタクトアップとを両立
させて向上させることができる。
【００６１】請求項８記載の発明は、請求項１記載の光
ディスク基板製造方法において、断熱材は、耐熱性無機
高分子材料によって形成されているので、断熱材材料が
持つ低熱伝導率を利用し、溶融樹脂充填直後の表層部分
（スタンパ転写部分）の急冷を抑制することができる。
したがって、溶融樹脂に対するスキン層の形成を抑制
し、転写性を向上させることができる。
ディスク基板製造方法において、断熱材は、耐熱性無機
高分子材料によって形成されているので、断熱材材料が
持つ低熱伝導率を利用し、溶融樹脂充填直後の表層部分
（スタンパ転写部分）の急冷を抑制することができる。
したがって、溶融樹脂に対するスキン層の形成を抑制
し、転写性を向上させることができる。
【００６２】請求項９記載の発明は、請求項８記載の光
ディスク基板製造方法において、耐熱性無機高分子材料
をセラミクスとしたので、溶射、プラズマジェット、イ
オンプレーティング等によって断熱材を容易に形成する
ことができる。
ディスク基板製造方法において、耐熱性無機高分子材料
をセラミクスとしたので、溶射、プラズマジェット、イ
オンプレーティング等によって断熱材を容易に形成する
ことができる。
【００６３】請求項１０記載の発明は、請求項９記載の
光ディスク基板製造方法において、前記セラミクスは、
５０〜３００μｍ以下の厚みを持つので、セラミクスが
適度な断熱性を持つことにより、充分な転写性と光ディ
スク基板成形サイクルのタクトアップとを両立させて向
上させることができる。
光ディスク基板製造方法において、前記セラミクスは、
５０〜３００μｍ以下の厚みを持つので、セラミクスが
適度な断熱性を持つことにより、充分な転写性と光ディ
スク基板成形サイクルのタクトアップとを両立させて向
上させることができる。
【００６４】請求項１１記載の発明は、請求項１記載の
光ディスク基板製造方法において、断熱材は、金属によ
って形成されているので、断熱材材料が持つ低熱伝導率
を利用し、溶融樹脂充填直後の表層部分（スタンパ転写
部分）の急冷を抑制することができる。したがって、溶
融樹脂に対するスキン層の形成を抑制し、転写性を向上
させることができる。
光ディスク基板製造方法において、断熱材は、金属によ
って形成されているので、断熱材材料が持つ低熱伝導率
を利用し、溶融樹脂充填直後の表層部分（スタンパ転写
部分）の急冷を抑制することができる。したがって、溶
融樹脂に対するスキン層の形成を抑制し、転写性を向上
させることができる。
【００６５】請求項１２記載の発明は、請求項１１記載
の光ディスク基板製造方法において、金属は、スタンパ
材として用いられているニッケルと近似した線膨張係数
を持つので、溶融樹脂による昇温、金型に対する冷却に
対し、バイメタルによる伸縮及び反りを発生させず、転
写性を向上させることができる。
の光ディスク基板製造方法において、金属は、スタンパ
材として用いられているニッケルと近似した線膨張係数
を持つので、溶融樹脂による昇温、金型に対する冷却に
対し、バイメタルによる伸縮及び反りを発生させず、転
写性を向上させることができる。
【００６６】請求項１３記載の発明は、請求項１１記載
の光ディスク基板製造方法において、金属として電気メ
ッキが可能なビスマスを用いたので、断熱材の膜厚を所
定厚に形成することができる。
の光ディスク基板製造方法において、金属として電気メ
ッキが可能なビスマスを用いたので、断熱材の膜厚を所
定厚に形成することができる。
【００６７】請求項１４記載の発明は、請求項１３記載
の光ディスク基板製造方法において、前記ビスマスは、
１５０〜３００μｍ以下の厚みを持つので、ビスマスが
適度な断熱性を持つことにより、充分な転写性と光ディ
スク基板成形サイクルのタクトアップとを両立させて向
上させることができる。
の光ディスク基板製造方法において、前記ビスマスは、
１５０〜３００μｍ以下の厚みを持つので、ビスマスが
適度な断熱性を持つことにより、充分な転写性と光ディ
スク基板成形サイクルのタクトアップとを両立させて向
上させることができる。
【００６８】請求項１５記載の光ディスク製造方法の発
明は、請求項１乃至１４のいずれか一に記載の光ディス
ク基板製造方法で光ディスク基板を製造し、前記光ディ
スク基板の転写面に対して、記録剤を塗布して光吸収層
を形成する過程と、光吸収層上に反射膜を形成する過程
と、反射膜上に保護膜を形成する過程と、を具備するの
で、光ディスク基板の製造時、断熱材の断熱作用によ
り、溶融樹脂充填後、従来より低温金型を用いても、ス
タンパに接触する樹脂温度が高くなることにより、充分
な転写性が得られる。したがって、高温の転写温度によ
って転写性を良好に維持することができ、かつ、低い金
型温度により光ディスク基板成形サイクルのタクトアッ
プを図ることができる。
明は、請求項１乃至１４のいずれか一に記載の光ディス
ク基板製造方法で光ディスク基板を製造し、前記光ディ
スク基板の転写面に対して、記録剤を塗布して光吸収層
を形成する過程と、光吸収層上に反射膜を形成する過程
と、反射膜上に保護膜を形成する過程と、を具備するの
で、光ディスク基板の製造時、断熱材の断熱作用によ
り、溶融樹脂充填後、従来より低温金型を用いても、ス
タンパに接触する樹脂温度が高くなることにより、充分
な転写性が得られる。したがって、高温の転写温度によ
って転写性を良好に維持することができ、かつ、低い金
型温度により光ディスク基板成形サイクルのタクトアッ
プを図ることができる。
【００６９】
【００７０】
【図１】本発明の実施の形態として、光ディスク基板成
形用スタンパ（断熱マスタスタンパ）の製造過程を示す
側面図である。
形用スタンパ（断熱マスタスタンパ）の製造過程を示す
側面図である。
【図２】完成した光ディスク基板成形用スタンパ（断熱
マスタスタンパ）の一部を示す側面図である。
マスタスタンパ）の一部を示す側面図である。
【図３】本発明の別の実施の形態として、光ディスク基
板成形用スタンパ（断熱サンスタンパ）の製造過程を示
すフローチャートである。
板成形用スタンパ（断熱サンスタンパ）の製造過程を示
すフローチャートである。
【図４】図３に示す製造過程に従った側面図である。
【図５】完成した光ディスク基板成形用スタンパ（断熱
サンスタンパ）の一部を示す側面図である。
サンスタンパ）の一部を示す側面図である。
【図６】金型温度と基板転写温度との関係を従来の一例
と本実施の形態との比較において示すグラフである。
と本実施の形態との比較において示すグラフである。
【図７】原盤露光から梱包出荷までの一連の流れを示す
模式図である。
模式図である。
【図８】光ディスク（ＣＤ−Ｒ）の縦断側面図である。
【図９】一対の金型の間に形成されるキャビティ内に射
出充填された樹脂の状態を示す模式図である。
出充填された樹脂の状態を示す模式図である。
１ 光ディスク基板成形用スタンパ（断熱マスタス
タンパ、断熱サンスタンパ） ２，２２ ガラス基板（原盤） ３、２３ フォトレジスト ４、２４ 転写面パターン（凹凸微細パターン） ６ Ｎｉ電鋳層、マスタ転写金属層（Ｎｉ電鋳層） ７ 断熱材、マスタ断熱層 ９ 第２のＮｉ電鋳層、マスタ金属層（Ｎｉ電鋳層） １１、３８ 転写面 ２１ サンスタンパ（断熱サンスタンパ） ２６ Ｎｉ電鋳層、スタンパ材、サン転写金属層（Ｎ
ｉ電鋳層） ２７ マスタ ２９ マザー転写金属層（Ｎｉ電鋳層） ３０ 反転転写面パターン ３１ マザー ３３ 第２のＮｉ電鋳層、サン金属層（Ｎｉ電鋳層） ３４ 断熱材、サン断熱層 ４１ 光ディスク基板 ５１ 光ディスク（ＣＤ−Ｒ） ５４ 金型（固定金型） ５５ 金型（可動金型） ５６ キャビティ ５８ 光吸収層 ６０ 反射膜 ６１ 保護膜
タンパ、断熱サンスタンパ） ２，２２ ガラス基板（原盤） ３、２３ フォトレジスト ４、２４ 転写面パターン（凹凸微細パターン） ６ Ｎｉ電鋳層、マスタ転写金属層（Ｎｉ電鋳層） ７ 断熱材、マスタ断熱層 ９ 第２のＮｉ電鋳層、マスタ金属層（Ｎｉ電鋳層） １１、３８ 転写面 ２１ サンスタンパ（断熱サンスタンパ） ２６ Ｎｉ電鋳層、スタンパ材、サン転写金属層（Ｎ
ｉ電鋳層） ２７ マスタ ２９ マザー転写金属層（Ｎｉ電鋳層） ３０ 反転転写面パターン ３１ マザー ３３ 第２のＮｉ電鋳層、サン金属層（Ｎｉ電鋳層） ３４ 断熱材、サン断熱層 ４１ 光ディスク基板 ５１ 光ディスク（ＣＤ−Ｒ） ５４ 金型（固定金型） ５５ 金型（可動金型） ５６ キャビティ ５８ 光吸収層 ６０ 反射膜 ６１ 保護膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭63−71325（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−5824（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−180541（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−119534（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−200757（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−178774（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−123223（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−149587（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−34112（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
B29C 45/00 - 45/84
B29C 33/00 - 33/76
G11B 7/26 - 7/26 531
Claims (15)
- 【請求項１】 互いに接合される一対の低温金型間に形
成され、光ディスク基板成形用スタンパを収納するキャ
ビティ内に溶融した樹脂を射出充填する過程と、前記金
型を離反させて冷却後の前記樹脂を取り出す過程と、を
具備する射出成形による光ディスク基板製造方法におい
て、 前記光ディスク基板成形用スタンパは、光ディスク基板
成形用の転写面が形成された層と、前記転写面に沿わせ
て前記転写面が形成された層の前記転写面以外の部分に
設けられた断熱性を有する断熱材と、前記断熱材の前記
転写面が形成された層と接する面と反対側の面に設けら
れた金属の層と、 を具備し、前記低温金型の温度は、溶融樹脂温度より２
１０乃至２２０℃低く、前記断熱材は、前記低温金型内
への溶融樹脂充填直後の前記転写面が形成された層の急
冷の抑制とその後の前記低温金型による樹脂の冷却と
を、転写性の維持と光ディスク基板成形サイクルのタク
トアップとを図り得るように熱伝導率及び厚みを調整し
た光ディスク基板成形用スタンパであることを特徴とす
る光ディスク基板製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の光ディスク基板製造方法
において、前記断熱材は、９４Ｗ／ｍ・ｋより小さい熱
伝導率を持つ。 - 【請求項３】 請求項１記載の光ディスク基板製造方法
において、前記断熱材は、耐熱性有機高分子材料によっ
て形成されている。 - 【請求項４】 請求項３記載の光ディスク基板製造方法
において、前記耐熱性有機高分子材料は、ポリイミドで
ある。 - 【請求項５】 請求項４記載の光ディスク基板製造方法
において、前記ポリイミドは、５〜１５０μｍ以下の厚
みを持つ。 - 【請求項６】 請求項３記載の光ディスク基板製造方法
において、前記耐熱性有機高分子材料は、ポリアミドイ
ミドである。 - 【請求項７】 請求項６記載の光ディスク基板製造方法
において、前記ポリアミドイミドは、５〜１５０μｍ以
下の厚みを持つ。 - 【請求項８】 請求項１記載の光ディスク基板製造方法
において、前記断熱材は、耐熱性無機高分子材料によっ
て形成されている。 - 【請求項９】 請求項８記載の光ディスク基板製造方法
において、前記耐熱性無機高分子材料は、セラミクスで
ある。 - 【請求項１０】 請求項９記載の光ディスク基板製造方
法において、前記セラミクスは、５０〜３００μｍ以下
の厚みを持つ。 - 【請求項１１】 請求項１記載の光ディスク基板製造方
法において、前記断熱材は、金属によって形成されてい
る。 - 【請求項１２】 請求項１１記載の光ディスク基板製造
方法において、前記金属は、スタンパ材として用いられ
ているニッケルと近似した線膨張係数を持つ。 - 【請求項１３】 請求項１１記載の光ディスク基板製造
方法において、前記金属は、ビスマスである。 - 【請求項１４】 請求項１３記載の光ディスク基板製造
方法において、前記ビスマスは、１５０〜３００μｍ以
下の厚みを持つ。 - 【請求項１５】 請求項１乃至１４のいずれか一に記載
の光ディスク基板製造方法で光ディスク基板を製造し、
前記光ディスク基板の転写面に対して、記録剤を塗布し
て光吸収層を形成する過程と、前記光吸収層上に反射膜
を形成する過程と、前記反射膜上に保護膜を形成する過
程と、 を具備する光ディスク製造方法。
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| US09/499,496 US6468618B1 (en) | 1999-02-09 | 2000-02-07 | Optical disk and method of producing the same |
| DE60022203T DE60022203T2 (de) | 1999-02-09 | 2000-02-08 | Matrize, Verfahren und Einspritzvorrichtung zum Formen einer optischen Platte |
| DE60000357T DE60000357T2 (de) | 1999-02-09 | 2000-02-08 | Optische Platte und Verfahren zu ihrer Herstellung |
| EP02004231A EP1211040B1 (en) | 1999-02-09 | 2000-02-08 | Stamper, method and injection molding apparatus for molding an optical disk |
| ES02004231T ES2247210T3 (es) | 1999-02-09 | 2000-02-08 | Matriz, procedimiento y dispositivo de moldeo por inyeccion para moldear un disco optico. |
| ES00102161T ES2181615T3 (es) | 1999-02-09 | 2000-02-08 | Disco optcio y su procedimiento de fabricacion. |
| EP00102161A EP1027978B1 (en) | 1999-02-09 | 2000-02-08 | Optical disk and method of producing the same |
| CNA2003101036712A CN1516146A (zh) | 1999-02-09 | 2000-02-09 | 光盘及其生产方法 |
| CNB001041932A CN1182524C (zh) | 1999-02-09 | 2000-02-09 | 光盘及其生产方法 |
| US10/194,015 US6686018B2 (en) | 1999-02-09 | 2002-07-10 | Optical disk and method of producing the same |
| US10/681,952 US7419710B2 (en) | 1999-02-09 | 2003-10-09 | Stamper for molding article and method of producing said stamper |
| US10/726,378 US6998163B2 (en) | 1999-02-09 | 2003-12-02 | Optical disk and method of producing the same |
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| JP11-31723 | 1999-02-09 | ||
| JP19042399 | 1999-07-05 | ||
| JP11-190423 | 1999-07-05 | ||
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|---|---|
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