JP2001273685A - 光ディスク基板成形用スタンパの製造装置及び製造方法 - Google Patents
光ディスク基板成形用スタンパの製造装置及び製造方法Info
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- JP2001273685A JP2001273685A JP2000088122A JP2000088122A JP2001273685A JP 2001273685 A JP2001273685 A JP 2001273685A JP 2000088122 A JP2000088122 A JP 2000088122A JP 2000088122 A JP2000088122 A JP 2000088122A JP 2001273685 A JP2001273685 A JP 2001273685A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 転写性と光ディスク基板成形サイクルのタク
トアップとを向上させることができる光ディスク基板成
形用スタンパを得る。 【解決手段】 転写面パターンを備えたフォトレジスト
原盤上に転写面を有するNi電鋳層を成膜形成する電鋳
ユニット101を設け、Ni電鋳層上に断熱性を有する
断熱材を成膜形成する断熱材成形ユニット106を設
け、これらの電鋳ユニット101と断熱材成形ユニット
106とによって断熱材が形成された光ディスク基板成
形用スタンパを製造する。このような断熱層を用いて金
型のキャビティに溶融樹脂を射出充填すると、断熱層の
断熱作用により、溶融樹脂充填後、従来より低温金型を
用いても、スタンパに接触する樹脂温度が高くなること
により、充分な転写性が得られる。したがって、高温の
転写温度によって転写性を良好に維持することができ、
かつ、低い金型温度により光ディスク基板成形サイクル
のタクトアップを図ることができる。
トアップとを向上させることができる光ディスク基板成
形用スタンパを得る。 【解決手段】 転写面パターンを備えたフォトレジスト
原盤上に転写面を有するNi電鋳層を成膜形成する電鋳
ユニット101を設け、Ni電鋳層上に断熱性を有する
断熱材を成膜形成する断熱材成形ユニット106を設
け、これらの電鋳ユニット101と断熱材成形ユニット
106とによって断熱材が形成された光ディスク基板成
形用スタンパを製造する。このような断熱層を用いて金
型のキャビティに溶融樹脂を射出充填すると、断熱層の
断熱作用により、溶融樹脂充填後、従来より低温金型を
用いても、スタンパに接触する樹脂温度が高くなること
により、充分な転写性が得られる。したがって、高温の
転写温度によって転写性を良好に維持することができ、
かつ、低い金型温度により光ディスク基板成形サイクル
のタクトアップを図ることができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクの製造
の分野に係り、特に、光ディスク基板成形用スタンパの
製造装置及び製造方法に関する。
の分野に係り、特に、光ディスク基板成形用スタンパの
製造装置及び製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】光ディスクは、接合させた一対の金型間
に形成されるキャビティ内に溶融した樹脂を射出充填し
た後、金型を離反させて冷却後の樹脂を取り出すことに
より形成される。この際、一方の金型のキャビティ形成
部分には転写面を備えたスタンパを予め固定しておく。
これにより、キャビティ内に充填されて冷却後に固化し
た樹脂には、スタンパの転写面が転写され、情報記録面
が形成される。
に形成されるキャビティ内に溶融した樹脂を射出充填し
た後、金型を離反させて冷却後の樹脂を取り出すことに
より形成される。この際、一方の金型のキャビティ形成
部分には転写面を備えたスタンパを予め固定しておく。
これにより、キャビティ内に充填されて冷却後に固化し
た樹脂には、スタンパの転写面が転写され、情報記録面
が形成される。
【0003】このような光ディスクの製造にあたって
は、キャビティ内に充填した樹脂が冷却固化しやすいよ
うに、金型の温度をキャビティ内に射出充填される樹脂
の温度よりも200℃程度低い温度に設定する、という
ようなことが一般に行われている。このような金型の温
度設定は、転写性と光ディスク基板成形サイクルのタク
トアップとのトレードオフの関係によって決定される。
つまり、光ディスク基板成形サイクルのタクトアップを
図るには、金型の温度を極力低くすることが有効である
が、金型の温度が低すぎると転写性が劣化してしまう。
その反面、転写性を向上させるには、金型の温度を高く
すれば良いが、それでは樹脂がスタンパからの離型に必
要な温度に達するまでの時間が長くなり、これによって
光ディスクの生産性が低下してしまう。
は、キャビティ内に充填した樹脂が冷却固化しやすいよ
うに、金型の温度をキャビティ内に射出充填される樹脂
の温度よりも200℃程度低い温度に設定する、という
ようなことが一般に行われている。このような金型の温
度設定は、転写性と光ディスク基板成形サイクルのタク
トアップとのトレードオフの関係によって決定される。
つまり、光ディスク基板成形サイクルのタクトアップを
図るには、金型の温度を極力低くすることが有効である
が、金型の温度が低すぎると転写性が劣化してしまう。
その反面、転写性を向上させるには、金型の温度を高く
すれば良いが、それでは樹脂がスタンパからの離型に必
要な温度に達するまでの時間が長くなり、これによって
光ディスクの生産性が低下してしまう。
【0004】金型の温度が低すぎると転写性が劣化して
しまう理由を図25に基づいて説明する。図25は、一
対の金型201の間に形成されるキャビティ202内に
射出充填された樹脂203の状態を示す模式図である。
図25に示すように、キャビティ202内に射出充填さ
れる溶融した樹脂203は、その流動層203aの部分
がキャビティ202内に進入して充填される。図25
中、樹脂203の進行方向を細い矢印で示し、その流動
方向を太い矢印で示す。樹脂203は、キャビティ20
2内を流動するにつれ、金型201に接する部分が金型
201に熱を奪われて急冷される。このため、金型20
1の温度が低すぎると、金型201の近傍における樹脂
203はスキン層203bとなって瞬時に固化する。こ
のようなスキン層203bが形成されてしまうと、樹脂
203は、図示しないスタンパの微細パターンに充分に
充填されず、転写不良となってしまう。これにより、信
号特性が良好な高品質の光ディスクが形成されなくなっ
てしまう。
しまう理由を図25に基づいて説明する。図25は、一
対の金型201の間に形成されるキャビティ202内に
射出充填された樹脂203の状態を示す模式図である。
図25に示すように、キャビティ202内に射出充填さ
れる溶融した樹脂203は、その流動層203aの部分
がキャビティ202内に進入して充填される。図25
中、樹脂203の進行方向を細い矢印で示し、その流動
方向を太い矢印で示す。樹脂203は、キャビティ20
2内を流動するにつれ、金型201に接する部分が金型
201に熱を奪われて急冷される。このため、金型20
1の温度が低すぎると、金型201の近傍における樹脂
203はスキン層203bとなって瞬時に固化する。こ
のようなスキン層203bが形成されてしまうと、樹脂
203は、図示しないスタンパの微細パターンに充分に
充填されず、転写不良となってしまう。これにより、信
号特性が良好な高品質の光ディスクが形成されなくなっ
てしまう。
【0005】したがって、金型の温度設定は、転写性と
光ディスク基板成形サイクルのタクトアップとのトレー
ドオフの関係によって決定される。これに対し、特開平
7-178774号公報、特開平10-149587号公
報及び特開平6-259815号公報には、金型やスタ
ンパに断熱性を持たせることで、転写性と光ディスク基
板成形サイクルのタクトアップとを共に向上させること
ができる発明が開示されている。つまり、特開平7-1
78774号公報には、金型において、スタンパの裏面
となる位置に着脱式の断熱性金型挿入体を設置した発明
が開示されている。また、特開平10-149587号
公報には、金型において、スタンパの下面となる位置に
セラミクスによる断熱層を設けた発明が開示されてい
る。さらに、特開平6-259815号公報には、スタ
ンパの表面(転写面)に無電界メッキ法で粒子径が0.
1μm以下のポリテトラフルオロエチレンを20〜30
%含有するニッケルメッキ膜を50〜70nmの厚みで
形成した発明が開示されている。
光ディスク基板成形サイクルのタクトアップとのトレー
ドオフの関係によって決定される。これに対し、特開平
7-178774号公報、特開平10-149587号公
報及び特開平6-259815号公報には、金型やスタ
ンパに断熱性を持たせることで、転写性と光ディスク基
板成形サイクルのタクトアップとを共に向上させること
ができる発明が開示されている。つまり、特開平7-1
78774号公報には、金型において、スタンパの裏面
となる位置に着脱式の断熱性金型挿入体を設置した発明
が開示されている。また、特開平10-149587号
公報には、金型において、スタンパの下面となる位置に
セラミクスによる断熱層を設けた発明が開示されてい
る。さらに、特開平6-259815号公報には、スタ
ンパの表面(転写面)に無電界メッキ法で粒子径が0.
1μm以下のポリテトラフルオロエチレンを20〜30
%含有するニッケルメッキ膜を50〜70nmの厚みで
形成した発明が開示されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
開公報に開示されたいずれの発明も、転写性と光ディス
ク基板成形サイクルのタクトアップとを高次元に向上さ
せるものではない。また、特開平6-259815号公
報に開示された発明では、スタンパの転写面に成膜する
構成であるため、転写面の微細パターン化が妨げられて
しまうという問題もある。さらに、特開平7-1787
74号公報及び特開平10-149587号公報に開示
された発明では、金型自体の設計変更や交換が必要とな
り、既存の金型設備が無駄になってしまうという問題が
ある。
開公報に開示されたいずれの発明も、転写性と光ディス
ク基板成形サイクルのタクトアップとを高次元に向上さ
せるものではない。また、特開平6-259815号公
報に開示された発明では、スタンパの転写面に成膜する
構成であるため、転写面の微細パターン化が妨げられて
しまうという問題もある。さらに、特開平7-1787
74号公報及び特開平10-149587号公報に開示
された発明では、金型自体の設計変更や交換が必要とな
り、既存の金型設備が無駄になってしまうという問題が
ある。
【0007】このようなことを考慮し、この出願の出願
人は、光ディスク基板成形用の転写面に沿わせて、断熱
性を有する高分子層からなる断熱材を転写面以外の部分
に設けた光基板成形用スタンパの発明等について出願し
ている(平成11年02月09日出願の平成11年特許
願第31723号及び平成11年07月05日出願の平
成11年特許願第190423号を基礎とする平成11
年10月26日出願の特願平11−298526号)。
光ディスク基板を生成するために、そのような光基板成
形用スタンパを用いて射出成形を行なう場合には、断熱
材の断熱作用により、金型に対する溶融樹脂充填後、従
来よりも低温金型を用いたとしても、スタンパに接触す
る樹脂温度が高くなることにより、充分な転写性が得ら
れることが判明している。したがって、本出願人が出願
した光基板成形用スタンパを用いることで、高温の転写
温度によって転写性を良好に維持することができ、か
つ、低い金型温度により光ディスク基板成形サイクルの
タクトアップを図ることができる。
人は、光ディスク基板成形用の転写面に沿わせて、断熱
性を有する高分子層からなる断熱材を転写面以外の部分
に設けた光基板成形用スタンパの発明等について出願し
ている(平成11年02月09日出願の平成11年特許
願第31723号及び平成11年07月05日出願の平
成11年特許願第190423号を基礎とする平成11
年10月26日出願の特願平11−298526号)。
光ディスク基板を生成するために、そのような光基板成
形用スタンパを用いて射出成形を行なう場合には、断熱
材の断熱作用により、金型に対する溶融樹脂充填後、従
来よりも低温金型を用いたとしても、スタンパに接触す
る樹脂温度が高くなることにより、充分な転写性が得ら
れることが判明している。したがって、本出願人が出願
した光基板成形用スタンパを用いることで、高温の転写
温度によって転写性を良好に維持することができ、か
つ、低い金型温度により光ディスク基板成形サイクルの
タクトアップを図ることができる。
【0008】これに対し、このような光ディスク成形用
スタンパの製造に際しては、多くの課題を克服する必要
がある。図26は、そのような各種の課題を項目別にま
とめたものである。そのうちのいくつかを紹介すると、
スタンパとして成立するためには、金型内での過酷な条
件に耐えなければならない。その意味で、課題2の「各
層仕様決定」に見られる課題19〜22に代表される課
題群を解決するための技術的アプローチが要求される。
金型のキャビティ内では、高温かつ高圧下での繰り返し
曲げ応力や樹脂流動に伴う摩擦応力、あるいは、数秒単
位での50〜300℃の熱サイクルに曝される。本出願
の出願人は、このような過酷な条件下で、20万ショッ
ト以上を目標に開発を進めた。
スタンパの製造に際しては、多くの課題を克服する必要
がある。図26は、そのような各種の課題を項目別にま
とめたものである。そのうちのいくつかを紹介すると、
スタンパとして成立するためには、金型内での過酷な条
件に耐えなければならない。その意味で、課題2の「各
層仕様決定」に見られる課題19〜22に代表される課
題群を解決するための技術的アプローチが要求される。
金型のキャビティ内では、高温かつ高圧下での繰り返し
曲げ応力や樹脂流動に伴う摩擦応力、あるいは、数秒単
位での50〜300℃の熱サイクルに曝される。本出願
の出願人は、このような過酷な条件下で、20万ショッ
ト以上を目標に開発を進めた。
【0009】次いで、課題3における「各工程での方式
決定」及び課題4における「プロセス条件」では、断熱
材としての所望の高分子層を形成することに注力する必
要がある。しかも、断熱材は、直径200mmの面積に
渡って均一な層厚みを確保し、かつ、所望の耐久性を維
持していなければならない。そのための課題が、課題1
2〜15、23、24、25に表現されている。
決定」及び課題4における「プロセス条件」では、断熱
材としての所望の高分子層を形成することに注力する必
要がある。しかも、断熱材は、直径200mmの面積に
渡って均一な層厚みを確保し、かつ、所望の耐久性を維
持していなければならない。そのための課題が、課題1
2〜15、23、24、25に表現されている。
【0010】さらに、光ディスク基板成形用スタンパ
は、極めて微細なパターンを有するCD、CD−R、M
D、MO、PD、DVDなどの情報記録用媒体を製造す
るためのものであることから、高度な清浄性が前提であ
る。この場合、光ディスク基板成形用スタンパの完成ま
でには異なるプロセスを経なければならないという関係
上、被処理物の搬送に関する工夫も不可欠である。課題
16、26、27がこれに対応する。
は、極めて微細なパターンを有するCD、CD−R、M
D、MO、PD、DVDなどの情報記録用媒体を製造す
るためのものであることから、高度な清浄性が前提であ
る。この場合、光ディスク基板成形用スタンパの完成ま
でには異なるプロセスを経なければならないという関係
上、被処理物の搬送に関する工夫も不可欠である。課題
16、26、27がこれに対応する。
【0011】その他の課題については、図26を参照さ
れたい。
れたい。
【0012】本発明の目的は、転写性と光ディスク基板
成形サイクルのタクトアップとを向上させることができ
る光ディスク基板成形用スタンパを得ることである。
成形サイクルのタクトアップとを向上させることができ
る光ディスク基板成形用スタンパを得ることである。
【0013】本発明の目的は、転写面の微細パターン化
を可能とすることができる光ディスク基板成形用スタン
パを得ることである。
を可能とすることができる光ディスク基板成形用スタン
パを得ることである。
【0014】本発明の目的は、既存の金型設備に対する
変更を不要とすることができる光ディスク基板成形用ス
タンパを得ることである。
変更を不要とすることができる光ディスク基板成形用ス
タンパを得ることである。
【0015】本発明の目的は、上記目的を達成すること
ができる光ディスク基板成形用スタンパの製造にかかわ
る課題を解決することである。
ができる光ディスク基板成形用スタンパの製造にかかわ
る課題を解決することである。
【0016】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、転
写面パターンを備えたフォトレジスト原盤上に前記転写
面パターンを写した転写面を有するNi電鋳層を成膜形
成する電鋳ユニットと、前記Ni電鋳層上に断熱性を有
する断熱材を成膜形成する断熱材成形ユニットと、を具
備する。
光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、転
写面パターンを備えたフォトレジスト原盤上に前記転写
面パターンを写した転写面を有するNi電鋳層を成膜形
成する電鋳ユニットと、前記Ni電鋳層上に断熱性を有
する断熱材を成膜形成する断熱材成形ユニットと、を具
備する。
【0017】したがって、断熱材が形成された光ディス
ク基板成形用スタンパが得られる。このような光ディス
ク基板成形用スタンパを用いた射出成形に際しては、断
熱材の断熱作用により、溶融樹脂充填後、従来より低温
金型を用いても、スタンパに接触する樹脂温度が高くな
ることにより、充分な転写性が得られる。よって、高温
の転写温度によって転写性が良好に維持され、かつ、低
い金型温度により光ディスク基板成形サイクルのタクト
アップが図られる。
ク基板成形用スタンパが得られる。このような光ディス
ク基板成形用スタンパを用いた射出成形に際しては、断
熱材の断熱作用により、溶融樹脂充填後、従来より低温
金型を用いても、スタンパに接触する樹脂温度が高くな
ることにより、充分な転写性が得られる。よって、高温
の転写温度によって転写性が良好に維持され、かつ、低
い金型温度により光ディスク基板成形サイクルのタクト
アップが図られる。
【0018】請求項2記載の発明は、光ディスク基板成
形用スタンパの製造装置であって、反転転写面パターン
を備えたマザースタンパ上に前記反転転写面パターンを
写した転写面を有するNi電鋳層を成膜形成する電鋳ユ
ニットと、前記Ni電鋳層上に断熱性を有する断熱材を
成膜形成する断熱材成形ユニットと、を具備する。
形用スタンパの製造装置であって、反転転写面パターン
を備えたマザースタンパ上に前記反転転写面パターンを
写した転写面を有するNi電鋳層を成膜形成する電鋳ユ
ニットと、前記Ni電鋳層上に断熱性を有する断熱材を
成膜形成する断熱材成形ユニットと、を具備する。
【0019】したがって、断熱材が形成された光ディス
ク基板成形用スタンパ、より詳しくは、マスターからマ
ザーを経て形成されるサンスタンパが得られる。このよ
うなサンスタンパである光ディスク基板成形用スタンパ
を用いた射出成形に際しては、断熱材の断熱作用によ
り、溶融樹脂充填後、従来より低温金型を用いても、ス
タンパに接触する樹脂温度が高くなることにより、充分
な転写性が得られる。よって、高温の転写温度によって
転写性が良好に維持され、かつ、低い金型温度により光
ディスク基板成形サイクルのタクトアップが図られる。
ク基板成形用スタンパ、より詳しくは、マスターからマ
ザーを経て形成されるサンスタンパが得られる。このよ
うなサンスタンパである光ディスク基板成形用スタンパ
を用いた射出成形に際しては、断熱材の断熱作用によ
り、溶融樹脂充填後、従来より低温金型を用いても、ス
タンパに接触する樹脂温度が高くなることにより、充分
な転写性が得られる。よって、高温の転写温度によって
転写性が良好に維持され、かつ、低い金型温度により光
ディスク基板成形サイクルのタクトアップが図られる。
【0020】請求項3記載の発明は、請求項1又は2記
載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であっ
て、前記電鋳ユニットから前記断熱材成形ユニットに被
処理物を搬送する搬送機構を具備する。
載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であっ
て、前記電鋳ユニットから前記断熱材成形ユニットに被
処理物を搬送する搬送機構を具備する。
【0021】搬送機構は、電鋳ユニットから断熱材成形
ユニットへと、人手を介すことなく被処理物を搬送す
る。よって、作業効率の向上が図られる。また、このよ
うな作業が手作業で行なわれる場合に生じやすい被処理
物の汚れが防止され、被処理物が清浄に保たれる。
ユニットへと、人手を介すことなく被処理物を搬送す
る。よって、作業効率の向上が図られる。また、このよ
うな作業が手作業で行なわれる場合に生じやすい被処理
物の汚れが防止され、被処理物が清浄に保たれる。
【0022】請求項4記載の発明は、請求項3記載の光
ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、前記
搬送機構による前記電鋳ユニットから前記断熱材成形ユ
ニットへの被処理物の搬送は、密閉空間内で行なわれ
る。
ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、前記
搬送機構による前記電鋳ユニットから前記断熱材成形ユ
ニットへの被処理物の搬送は、密閉空間内で行なわれ
る。
【0023】これにより、電鋳ユニットから断熱材成形
ユニットに至るまで、被処理物がより清浄に維持されや
すい。
ユニットに至るまで、被処理物がより清浄に維持されや
すい。
【0024】請求項5記載の発明は、請求項3又は4記
載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であっ
て、前記電鋳ユニットと前記断熱材成形ユニットとの間
には、被処理物を一時的に貯留するバッファ室が設けら
れている。
載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であっ
て、前記電鋳ユニットと前記断熱材成形ユニットとの間
には、被処理物を一時的に貯留するバッファ室が設けら
れている。
【0025】電鋳ユニットから断熱材成形ユニットに搬
送される被処理物がバッファ室に一時貯留され、多数個
の被処理物が効率よく各ユニットで処理される。つま
り、複数の被処理物に対して同時期に異なる処理を施す
ようなことが可能となる。
送される被処理物がバッファ室に一時貯留され、多数個
の被処理物が効率よく各ユニットで処理される。つま
り、複数の被処理物に対して同時期に異なる処理を施す
ようなことが可能となる。
【0026】請求項6記載の発明は、請求項3、4又は
5記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であ
って、前記電鋳ユニットと前記断熱材成形ユニットと
は、開閉自在な扉を介して隔絶されている。
5記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であ
って、前記電鋳ユニットと前記断熱材成形ユニットと
は、開閉自在な扉を介して隔絶されている。
【0027】これにより、高温多湿である電鋳ユニット
の環境が、断熱材成形ユニット内での断熱材の成膜動作
に及ぼす悪影響が除去される。
の環境が、断熱材成形ユニット内での断熱材の成膜動作
に及ぼす悪影響が除去される。
【0028】請求項7記載の発明は、請求項1ないし6
のいずれか一記載の光ディスク基板成形用スタンパの製
造装置であって、前記電鋳ユニットは、被処理面を上面
にして被処理物を保持するテーブルと、Niペレットを
保持して前記テーブル上に配置されたノズルより前記N
iペレットを材料とするメッキ液を吐出するメッキ液吐
出部と、前記テーブルに保持された被処理物に負電圧を
印加して前記Niペレットに正電圧を印加する電圧印加
部とを備え、前記ノズルより吐出する前記メッキ液を介
して前記テーブルに保持された被処理物と前記Niペレ
ットとを通電させて被処理面に電鋳を行なう。
のいずれか一記載の光ディスク基板成形用スタンパの製
造装置であって、前記電鋳ユニットは、被処理面を上面
にして被処理物を保持するテーブルと、Niペレットを
保持して前記テーブル上に配置されたノズルより前記N
iペレットを材料とするメッキ液を吐出するメッキ液吐
出部と、前記テーブルに保持された被処理物に負電圧を
印加して前記Niペレットに正電圧を印加する電圧印加
部とを備え、前記ノズルより吐出する前記メッキ液を介
して前記テーブルに保持された被処理物と前記Niペレ
ットとを通電させて被処理面に電鋳を行なう。
【0029】したがって、ノズルより吐出するメッキ液
を介してテーブルに保持された被処理物とNiペレット
とを通電させることで、被処理面が電鋳される。このた
め、従来の電鋳方式では不可欠である被処理物をメッキ
液に漬けるという作業が不要となることから、被処理物
のテーブルに対するセットが容易となり、電鋳ユニット
に対する被処理物の自動処理化が促される。このような
特性は、電鋳ユニット及び断熱材成形ユニットにおける
処理の自動化を目指す場合には極めて有利に働く。
を介してテーブルに保持された被処理物とNiペレット
とを通電させることで、被処理面が電鋳される。このた
め、従来の電鋳方式では不可欠である被処理物をメッキ
液に漬けるという作業が不要となることから、被処理物
のテーブルに対するセットが容易となり、電鋳ユニット
に対する被処理物の自動処理化が促される。このような
特性は、電鋳ユニット及び断熱材成形ユニットにおける
処理の自動化を目指す場合には極めて有利に働く。
【0030】請求項8記載の発明は、請求項7記載の光
ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、前記
テーブルはターンテーブル構造を有する。
ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、前記
テーブルはターンテーブル構造を有する。
【0031】したがって、テーブルに保持された被処理
物とノズルより吐出されるメッキ液との相対移動がター
ンテーブル構造のテーブルの回転によって実現される。
物とノズルより吐出されるメッキ液との相対移動がター
ンテーブル構造のテーブルの回転によって実現される。
【0032】請求項9記載の発明は、請求項1又は2記
載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であっ
て、前記断熱材成形ユニットは、前記Ni電鋳層上に流
動性を有する断熱材料を所定の厚さで塗布する断熱材料
塗布ユニットを含む。
載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であっ
て、前記断熱材成形ユニットは、前記Ni電鋳層上に流
動性を有する断熱材料を所定の厚さで塗布する断熱材料
塗布ユニットを含む。
【0033】したがって、流動性を有する断熱材料が硬
化することで、均一膜厚の断熱材が得られやすい。
化することで、均一膜厚の断熱材が得られやすい。
【0034】請求項10記載の発明は、請求項9記載の
光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、前
記断熱材料塗布ユニットは、スピンコーター法によって
前記Ni電鋳層上に前記断熱材料を塗布する。
光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、前
記断熱材料塗布ユニットは、スピンコーター法によって
前記Ni電鋳層上に前記断熱材料を塗布する。
【0035】したがって、より均一性が高い断熱材が得
られやすい。
られやすい。
【0036】請求項11記載の発明は、請求項9又は1
0記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であ
って、前記断熱材成形ユニットは、前記Ni電鋳層上に
塗布された前記断熱材料を硬化させる硬化ユニットを含
む。
0記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であ
って、前記断熱材成形ユニットは、前記Ni電鋳層上に
塗布された前記断熱材料を硬化させる硬化ユニットを含
む。
【0037】流動性を有する断熱材料は、硬化ユニット
で硬化処理されることで断熱材としての形態を維持す
る。また、Ni電鋳層上への流動性を有する断熱材料の
塗布から硬化までが一貫して行なわれるため、連続した
安定環境下でNi電鋳層上に断熱材が成膜され、歩留ま
りの向上も期待できる。
で硬化処理されることで断熱材としての形態を維持す
る。また、Ni電鋳層上への流動性を有する断熱材料の
塗布から硬化までが一貫して行なわれるため、連続した
安定環境下でNi電鋳層上に断熱材が成膜され、歩留ま
りの向上も期待できる。
【0038】請求項12記載の発明は、請求項11記載
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記硬化ユニットは、少なくとも雰囲気加熱方式とホッ
トプレート方式との2種類以上の方式で前記断熱材料を
硬化させる。
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記硬化ユニットは、少なくとも雰囲気加熱方式とホッ
トプレート方式との2種類以上の方式で前記断熱材料を
硬化させる。
【0039】このように、各種の方式を組み合わせるこ
とで、各種の方式が持つ特質が生かされ、形状及び機械
的強度が均一である断熱材が得られやすい。
とで、各種の方式が持つ特質が生かされ、形状及び機械
的強度が均一である断熱材が得られやすい。
【0040】請求項13記載の発明は、請求項11又は
12記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置で
あって、前記断熱材成形ユニットは、硬化後の前記断熱
材料の表面を改質して金属との濡れ性を向上させる表面
改質ユニットを含む。
12記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置で
あって、前記断熱材成形ユニットは、硬化後の前記断熱
材料の表面を改質して金属との濡れ性を向上させる表面
改質ユニットを含む。
【0041】これにより、断熱材上に更に金属層を形成
する場合により好ましい結果が得られる。また、Ni電
鋳層上への流動性を有する断熱材料の塗布から硬化、そ
して表面改質までが一貫して行なわれるため、連続した
安定環境下でNi電鋳層上に断熱材が成膜され、歩留ま
りの向上も期待できる。
する場合により好ましい結果が得られる。また、Ni電
鋳層上への流動性を有する断熱材料の塗布から硬化、そ
して表面改質までが一貫して行なわれるため、連続した
安定環境下でNi電鋳層上に断熱材が成膜され、歩留ま
りの向上も期待できる。
【0042】請求項14記載の発明は、請求項13記載
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記表面改質ユニットは、紫外線照射方式とスパッタエ
ッチング方式との2種類の方式で前記断熱材料の表面を
改質する。
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記表面改質ユニットは、紫外線照射方式とスパッタエ
ッチング方式との2種類の方式で前記断熱材料の表面を
改質する。
【0043】このように、各種の方式を組み合わせるこ
とで、各種の方式が持つ特質が生かされ、断熱材の表面
に所望の特性が得られやすい。
とで、各種の方式が持つ特質が生かされ、断熱材の表面
に所望の特性が得られやすい。
【0044】請求項15記載の発明は、請求項1又は2
記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であっ
て、前記断熱材上に第2のNi電鋳層を成膜形成する第
2の電鋳ユニットを具備する。
記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であっ
て、前記断熱材上に第2のNi電鋳層を成膜形成する第
2の電鋳ユニットを具備する。
【0045】これにより、Ni電鋳層と第2のNi電鋳
層との間に断熱材がサンドイッチされた構造の光ディス
ク基板成形用スタンパが得られる。このような構造は、
機械的強度上望ましく、また、断熱特性を制御しやすい
という特質をもつ。
層との間に断熱材がサンドイッチされた構造の光ディス
ク基板成形用スタンパが得られる。このような構造は、
機械的強度上望ましく、また、断熱特性を制御しやすい
という特質をもつ。
【0046】請求項16記載の発明は、請求項15記載
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記電鋳ユニットと前記第2の電鋳ユニットとは同一の
ユニットである。
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記電鋳ユニットと前記第2の電鋳ユニットとは同一の
ユニットである。
【0047】これにより、設備の効率的な活用が図られ
る。
る。
【0048】請求項17記載の発明は、請求項15又は
16記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置で
あって、前記断熱材成形ユニットから前記第2の電鋳ユ
ニットに被処理物を搬送する搬送機構を具備する。
16記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置で
あって、前記断熱材成形ユニットから前記第2の電鋳ユ
ニットに被処理物を搬送する搬送機構を具備する。
【0049】搬送機構は、断熱材成形ユニットから第2
の電鋳ユニットへと、人手を介すことなく被処理物を搬
送する。よって、作業効率の向上が図られる。また、こ
のような作業が手作業で行なわれる場合に生じやすい被
処理物の汚れが防止され、被処理物が清浄に保たれる。
の電鋳ユニットへと、人手を介すことなく被処理物を搬
送する。よって、作業効率の向上が図られる。また、こ
のような作業が手作業で行なわれる場合に生じやすい被
処理物の汚れが防止され、被処理物が清浄に保たれる。
【0050】請求項18記載の発明は、請求項17記載
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記搬送機構による前記断熱材成形ユニットから前記第
2の電鋳ユニットへの被処理物の搬送は、密閉空間内で
行なわれる。
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記搬送機構による前記断熱材成形ユニットから前記第
2の電鋳ユニットへの被処理物の搬送は、密閉空間内で
行なわれる。
【0051】これにより、断熱材成形ユニットから第2
の電鋳ユニットに至るまで、被処理物がより清浄に維持
されやすい。
の電鋳ユニットに至るまで、被処理物がより清浄に維持
されやすい。
【0052】請求項19記載の発明は、請求項17又は
18記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置で
あって、前記断熱材成形ユニットと前記第2の電鋳ユニ
ットとの間には、被処理物を一時的に貯留するバッファ
室が設けられている。
18記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置で
あって、前記断熱材成形ユニットと前記第2の電鋳ユニ
ットとの間には、被処理物を一時的に貯留するバッファ
室が設けられている。
【0053】断熱材成形ユニットから第2の電鋳ユニッ
トに搬送される被処理物がバッファ室に一時貯留され、
多数個の被処理物が効率よく各ユニットで処理される。
つまり、複数の被処理物に対して同時期に異なる処理を
施すようなことが可能となる。
トに搬送される被処理物がバッファ室に一時貯留され、
多数個の被処理物が効率よく各ユニットで処理される。
つまり、複数の被処理物に対して同時期に異なる処理を
施すようなことが可能となる。
【0054】請求項20記載の発明は、請求項17、1
8又は19記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造
装置であって、前記断熱材成形ユニットと前記第2の電
鋳ユニットとは、開閉自在な扉を介して隔絶されてい
る。
8又は19記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造
装置であって、前記断熱材成形ユニットと前記第2の電
鋳ユニットとは、開閉自在な扉を介して隔絶されてい
る。
【0055】これにより、高温多湿である第2の電鋳ユ
ニットの環境が、断熱材成形ユニット内での断熱材の成
膜動作に及ぼす悪影響が除去される。
ニットの環境が、断熱材成形ユニット内での断熱材の成
膜動作に及ぼす悪影響が除去される。
【0056】請求項21記載の発明は、請求項13又は
14記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置で
あって、前記断熱材上に第2のNi電鋳層を成膜形成す
る第2の電鋳ユニットを具備する。
14記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置で
あって、前記断熱材上に第2のNi電鋳層を成膜形成す
る第2の電鋳ユニットを具備する。
【0057】これにより、Ni電鋳層と第2のNi電鋳
層との間に断熱材がサンドイッチされた構造の光ディス
ク基板成形用スタンパが得られる。このような構造は、
機械的強度上望ましく、また、断熱特性を制御しやすい
という特質をもつ。また、第2の電鋳ユニットは、表面
改質ユニットによって表面改質がなされた断熱材に対し
てNi電鋳層を成膜形成することから、Ni電鋳層と断
熱材との密着性が良好になる。
層との間に断熱材がサンドイッチされた構造の光ディス
ク基板成形用スタンパが得られる。このような構造は、
機械的強度上望ましく、また、断熱特性を制御しやすい
という特質をもつ。また、第2の電鋳ユニットは、表面
改質ユニットによって表面改質がなされた断熱材に対し
てNi電鋳層を成膜形成することから、Ni電鋳層と断
熱材との密着性が良好になる。
【0058】請求項22記載の発明は、請求項21記載
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記電鋳ユニットと前記第2の電鋳ユニットとは同一の
ユニットである。
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記電鋳ユニットと前記第2の電鋳ユニットとは同一の
ユニットである。
【0059】これにより、設備の効率的な活用が図られ
る。
る。
【0060】請求項23記載の発明は、請求項21又は
22記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置で
あって、前記表面改質ユニットと前記第2の電鋳ユニッ
トとの間には、前記断熱材上に導体化膜を成膜する導体
化膜成形ユニットが介在している。
22記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置で
あって、前記表面改質ユニットと前記第2の電鋳ユニッ
トとの間には、前記断熱材上に導体化膜を成膜する導体
化膜成形ユニットが介在している。
【0061】これにより、表面改質ユニットでの表面改
質、導体化膜成形ユニットでの断熱材上への導体化膜の
成膜、第2の電鋳ユニットによるNi電鋳という一連の
流れに沿った処理が実行され、第2の電鋳ユニットによ
る断熱材上へのNi電鋳の密着性が強固になる。
質、導体化膜成形ユニットでの断熱材上への導体化膜の
成膜、第2の電鋳ユニットによるNi電鋳という一連の
流れに沿った処理が実行され、第2の電鋳ユニットによ
る断熱材上へのNi電鋳の密着性が強固になる。
【0062】請求項24記載の発明は、請求項23記載
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記表面改質ユニットから前記導体化膜成形ユニットを
経て前記第2の電鋳ユニットに被処理物を搬送する搬送
機構を具備する。
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記表面改質ユニットから前記導体化膜成形ユニットを
経て前記第2の電鋳ユニットに被処理物を搬送する搬送
機構を具備する。
【0063】したがって、搬送機構は、表面改質ユニッ
トから導体化膜成形ユニットを経て第2の電鋳ユニット
へと、人手を介すことなく被処理物を搬送する。よっ
て、作業効率の向上が図られる。また、このような作業
が手作業で行なわれる場合に生じやすい被処理物の汚れ
が防止され、被処理物が清浄に保たれる。
トから導体化膜成形ユニットを経て第2の電鋳ユニット
へと、人手を介すことなく被処理物を搬送する。よっ
て、作業効率の向上が図られる。また、このような作業
が手作業で行なわれる場合に生じやすい被処理物の汚れ
が防止され、被処理物が清浄に保たれる。
【0064】請求項25記載の発明は、請求項24記載
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記搬送機構による前記表面改質ユニットから前記導体
化膜成形ユニットを経た前記第2の電鋳ユニットへの被
処理物の搬送は、密閉空間内で行なわれる。
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記搬送機構による前記表面改質ユニットから前記導体
化膜成形ユニットを経た前記第2の電鋳ユニットへの被
処理物の搬送は、密閉空間内で行なわれる。
【0065】これにより、表面改質ユニットから第2の
電鋳ユニットに至るまで、被処理物がより清浄に維持さ
れやすい。
電鋳ユニットに至るまで、被処理物がより清浄に維持さ
れやすい。
【0066】請求項26記載の発明は、請求項24又は
25記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置で
あって、前記表面改質ユニットと前記導体化膜成形ユニ
ットと前記第2の電鋳ユニットとの間には、被処理物を
一時的に貯留するバッファ室が設けられている。
25記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置で
あって、前記表面改質ユニットと前記導体化膜成形ユニ
ットと前記第2の電鋳ユニットとの間には、被処理物を
一時的に貯留するバッファ室が設けられている。
【0067】表面改質ユニットから導体化膜成形ユニッ
トを経て第2の電鋳ユニットに搬送される被処理物がバ
ッファ室に一時貯留され、多数個の被処理物が効率よく
各ユニットで処理される。つまり、複数の被処理物に対
して同時期に異なる処理を施すようなことが可能とな
る。
トを経て第2の電鋳ユニットに搬送される被処理物がバ
ッファ室に一時貯留され、多数個の被処理物が効率よく
各ユニットで処理される。つまり、複数の被処理物に対
して同時期に異なる処理を施すようなことが可能とな
る。
【0068】請求項27記載の発明は、請求項24、2
5又は26記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造
装置であって、前記表面改質ユニットと前記導体化膜成
形ユニットとは、開閉自在な扉を介して隔絶されてい
る。
5又は26記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造
装置であって、前記表面改質ユニットと前記導体化膜成
形ユニットとは、開閉自在な扉を介して隔絶されてい
る。
【0069】これにより、異なる処理を実行する表面改
質ユニットと導体化膜成形ユニットとの間での相互干渉
が防止される。
質ユニットと導体化膜成形ユニットとの間での相互干渉
が防止される。
【0070】請求項28記載の発明は、請求項24、2
5、26又は27記載の光ディスク基板成形用スタンパ
の製造装置であって、前記導体化膜成形ユニットと前記
第2の電鋳ユニットとは、開閉自在な扉を介して隔絶さ
れている。
5、26又は27記載の光ディスク基板成形用スタンパ
の製造装置であって、前記導体化膜成形ユニットと前記
第2の電鋳ユニットとは、開閉自在な扉を介して隔絶さ
れている。
【0071】これにより、高温多湿である第2の電鋳ユ
ニットの環境が、導体化膜成形ユニット内での断熱材の
成膜動作に及ぼす悪影響が除去される。
ニットの環境が、導体化膜成形ユニット内での断熱材の
成膜動作に及ぼす悪影響が除去される。
【0072】請求項29記載の発明は、請求項15ない
し28のいずれか一記載の光ディスク基板成形用スタン
パの製造装置であって、前記第2の電鋳ユニットは、被
処理面を上面にして被処理物を保持するテーブルと、N
iペレットを保持して前記テーブル上に配置されたノズ
ルより前記Niペレットを材料とするメッキ液を吐出す
るメッキ液吐出部と、前記テーブルに保持された被処理
物に負電圧を印加して前記Niペレットに正電圧を印加
する電圧印加部とを備え、前記ノズルより吐出する前記
メッキ液を介して前記テーブルに保持された被処理物と
前記Niペレットとを通電させて被処理面に電鋳を行な
う。
し28のいずれか一記載の光ディスク基板成形用スタン
パの製造装置であって、前記第2の電鋳ユニットは、被
処理面を上面にして被処理物を保持するテーブルと、N
iペレットを保持して前記テーブル上に配置されたノズ
ルより前記Niペレットを材料とするメッキ液を吐出す
るメッキ液吐出部と、前記テーブルに保持された被処理
物に負電圧を印加して前記Niペレットに正電圧を印加
する電圧印加部とを備え、前記ノズルより吐出する前記
メッキ液を介して前記テーブルに保持された被処理物と
前記Niペレットとを通電させて被処理面に電鋳を行な
う。
【0073】したがって、ノズルより吐出するメッキ液
を介してテーブルに保持された被処理物とNiペレット
とを通電させることで、被処理面が電鋳される。このた
め、従来の電鋳方式では不可欠である被処理物をメッキ
液に漬けるという作業が不要となることから、被処理物
のテーブルに対するセットが容易となり、電鋳ユニット
に対する被処理物の自動処理化が促される。このような
特性は、電鋳ユニット及び断熱材成形ユニットにおける
処理の自動化を目指す場合には極めて有利に働く。
を介してテーブルに保持された被処理物とNiペレット
とを通電させることで、被処理面が電鋳される。このた
め、従来の電鋳方式では不可欠である被処理物をメッキ
液に漬けるという作業が不要となることから、被処理物
のテーブルに対するセットが容易となり、電鋳ユニット
に対する被処理物の自動処理化が促される。このような
特性は、電鋳ユニット及び断熱材成形ユニットにおける
処理の自動化を目指す場合には極めて有利に働く。
【0074】請求項30記載の発明は、請求項29記載
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記テーブルはターンテーブル構造を有する。
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記テーブルはターンテーブル構造を有する。
【0075】したがって、テーブルに保持された被処理
物とノズルより吐出されるメッキ液との相対移動がター
ンテーブル構造のテーブルの回転によって実現される。
物とノズルより吐出されるメッキ液との相対移動がター
ンテーブル構造のテーブルの回転によって実現される。
【0076】請求項31記載の発明は、光ディスク基板
成形用スタンパの製造装置であって、転写面パターンを
備えたフォトレジスト原盤上に前記転写面パターンを写
した転写面を有するNi電鋳層を成膜形成してマスター
スタンパを製作することと、前記転写面を備えた前記マ
スタースタンパ上に前記転写面を写した反転転写面を有
するNi電鋳層を成膜形成してマザースタンパを製作す
ることと、前記反転転写面を備えたマザースタンパ上に
前記反転転写面を写した転写面を有するNi電鋳層を成
膜形成することでサンスタンパ用Ni電鋳層を製作する
こととを実行する電鋳ユニットと、前記サンスタンパ用
Ni電鋳層上に断熱性を有する断熱材を成膜形成する断
熱材成形ユニットと、を具備する。
成形用スタンパの製造装置であって、転写面パターンを
備えたフォトレジスト原盤上に前記転写面パターンを写
した転写面を有するNi電鋳層を成膜形成してマスター
スタンパを製作することと、前記転写面を備えた前記マ
スタースタンパ上に前記転写面を写した反転転写面を有
するNi電鋳層を成膜形成してマザースタンパを製作す
ることと、前記反転転写面を備えたマザースタンパ上に
前記反転転写面を写した転写面を有するNi電鋳層を成
膜形成することでサンスタンパ用Ni電鋳層を製作する
こととを実行する電鋳ユニットと、前記サンスタンパ用
Ni電鋳層上に断熱性を有する断熱材を成膜形成する断
熱材成形ユニットと、を具備する。
【0077】したがって、断熱材が形成された光ディス
ク基板成形用スタンパが得られる。しかも、マスタース
タンパとマザースタンパとサンスタンパとが一つの設備
内で並列的に製造可能となることから、スペースの効率
活用が図られる。そして、サンスタンパである光ディス
ク基板成形用スタンパを用いた射出成形に際しては、断
熱材の断熱作用により、溶融樹脂充填後、従来より低温
金型を用いても、スタンパに接触する樹脂温度が高くな
ることにより、充分な転写性が得られる。よって、高温
の転写温度によって転写性が良好に維持され、かつ、低
い金型温度により光ディスク基板成形サイクルのタクト
アップが図られる。
ク基板成形用スタンパが得られる。しかも、マスタース
タンパとマザースタンパとサンスタンパとが一つの設備
内で並列的に製造可能となることから、スペースの効率
活用が図られる。そして、サンスタンパである光ディス
ク基板成形用スタンパを用いた射出成形に際しては、断
熱材の断熱作用により、溶融樹脂充填後、従来より低温
金型を用いても、スタンパに接触する樹脂温度が高くな
ることにより、充分な転写性が得られる。よって、高温
の転写温度によって転写性が良好に維持され、かつ、低
い金型温度により光ディスク基板成形サイクルのタクト
アップが図られる。
【0078】請求項32記載の発明は、転写面パターン
を備えたフォトレジスト原盤上に前記転写面パターンを
写した転写面を有するNi電鋳層を成膜形成する光ディ
ス基板成形用スタンパの製造方法において、被処理面を
上面にして被処理物をテーブルに保持するステップと、
前記テーブル上に保持された被処理物に対してNiペレ
ットを材料とするメッキ液を吐出するステップと、前記
テーブルに保持された被処理物に負電圧を印加して前記
Niペレットに正電圧を印加することで、吐出された前
記メッキ液を介して前記テーブルに保持された被処理物
と前記Niペレットとを通電させて被処理面に電鋳を行
なうステップと、を具備する。
を備えたフォトレジスト原盤上に前記転写面パターンを
写した転写面を有するNi電鋳層を成膜形成する光ディ
ス基板成形用スタンパの製造方法において、被処理面を
上面にして被処理物をテーブルに保持するステップと、
前記テーブル上に保持された被処理物に対してNiペレ
ットを材料とするメッキ液を吐出するステップと、前記
テーブルに保持された被処理物に負電圧を印加して前記
Niペレットに正電圧を印加することで、吐出された前
記メッキ液を介して前記テーブルに保持された被処理物
と前記Niペレットとを通電させて被処理面に電鋳を行
なうステップと、を具備する。
【0079】したがって、ノズルより吐出するメッキ液
を介してテーブルに保持された被処理物とNiペレット
とを通電させることで、被処理面が電鋳される。このた
め、従来の電鋳方式では不可欠である被処理物をメッキ
液に漬けるという作業が不要となることから、被処理物
のテーブルに対するセットが容易となり、電鋳ユニット
に対する被処理物の自動処理化が促される。このような
特性は、電鋳ユニット及び断熱材成形ユニットにおける
処理の自動化を目指す場合、極めて有利に働く。
を介してテーブルに保持された被処理物とNiペレット
とを通電させることで、被処理面が電鋳される。このた
め、従来の電鋳方式では不可欠である被処理物をメッキ
液に漬けるという作業が不要となることから、被処理物
のテーブルに対するセットが容易となり、電鋳ユニット
に対する被処理物の自動処理化が促される。このような
特性は、電鋳ユニット及び断熱材成形ユニットにおける
処理の自動化を目指す場合、極めて有利に働く。
【0080】請求項33記載の発明は、反転転写面パタ
ーンを備えたマザースタンパ上に前記反転転写面パター
ンを写した転写面を有するNi電鋳層を成膜形成する光
ディス基板成形用スタンパの製造方法において、被処理
面を上面にして被処理物をテーブルに保持するステップ
と、前記テーブル上に保持された被処理物に対してNi
ペレットを材料とするメッキ液を吐出するステップと、
前記テーブルに保持された被処理物に負電圧を印加して
前記Niペレットに正電圧を印加することで、吐出され
た前記メッキ液を介して前記テーブルに保持された被処
理物と前記Niペレットとを通電させて被処理面に電鋳
を行なうステップと、を具備する。
ーンを備えたマザースタンパ上に前記反転転写面パター
ンを写した転写面を有するNi電鋳層を成膜形成する光
ディス基板成形用スタンパの製造方法において、被処理
面を上面にして被処理物をテーブルに保持するステップ
と、前記テーブル上に保持された被処理物に対してNi
ペレットを材料とするメッキ液を吐出するステップと、
前記テーブルに保持された被処理物に負電圧を印加して
前記Niペレットに正電圧を印加することで、吐出され
た前記メッキ液を介して前記テーブルに保持された被処
理物と前記Niペレットとを通電させて被処理面に電鋳
を行なうステップと、を具備する。
【0081】したがって、ノズルより吐出するメッキ液
を介してテーブルに保持された被処理物とNiペレット
とを通電させることで、被処理面が電鋳される。このた
め、従来の電鋳方式では不可欠である被処理物をメッキ
液に漬けるという作業が不要となることから、被処理物
のテーブルに対するセットが容易となり、電鋳ユニット
に対する被処理物の自動処理化が促される。このような
特性は、電鋳ユニット及び断熱材成形ユニットにおける
処理の自動化を目指す場合、極めて有利に働く。
を介してテーブルに保持された被処理物とNiペレット
とを通電させることで、被処理面が電鋳される。このた
め、従来の電鋳方式では不可欠である被処理物をメッキ
液に漬けるという作業が不要となることから、被処理物
のテーブルに対するセットが容易となり、電鋳ユニット
に対する被処理物の自動処理化が促される。このような
特性は、電鋳ユニット及び断熱材成形ユニットにおける
処理の自動化を目指す場合、極めて有利に働く。
【0082】請求項34記載の発明は、請求項32又は
33記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造方法で
あって、前記Ni電鋳層上に断熱性を有する断熱材を成
膜形成するステップを更に具備する。
33記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造方法で
あって、前記Ni電鋳層上に断熱性を有する断熱材を成
膜形成するステップを更に具備する。
【0083】したがって、断熱材が形成された光ディス
ク基板成形用スタンパが得られる。このような光ディス
ク基板成形用スタンパを用いた射出成形に際しては、断
熱材の断熱作用により、溶融樹脂充填後、従来より低温
金型を用いても、スタンパに接触する樹脂温度が高くな
ることにより、充分な転写性が得られる。よって、高温
の転写温度によって転写性が良好に維持され、かつ、低
い金型温度により光ディスク基板成形サイクルのタクト
アップが図られる。
ク基板成形用スタンパが得られる。このような光ディス
ク基板成形用スタンパを用いた射出成形に際しては、断
熱材の断熱作用により、溶融樹脂充填後、従来より低温
金型を用いても、スタンパに接触する樹脂温度が高くな
ることにより、充分な転写性が得られる。よって、高温
の転写温度によって転写性が良好に維持され、かつ、低
い金型温度により光ディスク基板成形サイクルのタクト
アップが図られる。
【0084】請求項35記載の発明は、請求項32、3
3又は34記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造
方法であって、被処理面に電鋳を行なうステップでは、
前記テーブルを回転させて吐出されるメッキ液と前記テ
ーブルに保持された被処理面とを相対移動させる。
3又は34記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造
方法であって、被処理面に電鋳を行なうステップでは、
前記テーブルを回転させて吐出されるメッキ液と前記テ
ーブルに保持された被処理面とを相対移動させる。
【0085】したがって、テーブルに保持された被処理
物とノズルより吐出されるメッキ液との相対移動がター
ンテーブル構造のテーブルの回転によって実現される。
物とノズルより吐出されるメッキ液との相対移動がター
ンテーブル構造のテーブルの回転によって実現される。
【0086】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図1ないし
図24に基づいて説明する。本実施の形態は、CD、C
D−R、MD、MO、PD、DVDなどの光ディスクの
製造に関わる光ディスク基板成形用スタンパの製造装置
及び製造方法に関する。
図24に基づいて説明する。本実施の形態は、CD、C
D−R、MD、MO、PD、DVDなどの光ディスクの
製造に関わる光ディスク基板成形用スタンパの製造装置
及び製造方法に関する。
【0087】〔製造装置及び製造方法〕図1は、光ディ
スク基板成形用スタンパの製造装置の一例である。この
装置は、電鋳ユニットと第2の電鋳ユニットとを兼ねる
電鋳ユニット101、断熱材料ユニットとしての高分子
膜塗布ユニット102、硬化ユニットとしての高分子膜
硬化ユニット103、表面改質ユニット104及び導体
化膜成形ユニット105が直列配列されて形成されてい
る。そして、導体化膜成形ユニット105は電鋳ユニッ
ト101に接続している。また、高分子膜塗布ユニット
102、高分子膜硬化ユニット103及び表面改質ユニ
ット104は、断熱材としての断熱層7、34を形成す
るための断熱材成形ユニット106を構成する。これら
の各ユニット101、102、103、104、105
は、それぞれ、バッファ室107を介して接続されてお
り、その接続は、密閉空間を形成するようになされてい
る。また、図示しないが、各ユニット101、102、
103、104、105間において被処理物を搬送する
搬送機構が設けられている。さらに、電鋳ユニット10
1と高分子膜塗布ユニット102との間、表面改質ユニ
ット104と導体化膜成形ユニット105との間、導体
化膜成形ユニット105と電鋳ユニット101との間に
は、それぞれ、開閉自在の扉108が設けられており、
被処理物の搬送に必要な場合以外はユニット間を隔絶し
ている。
スク基板成形用スタンパの製造装置の一例である。この
装置は、電鋳ユニットと第2の電鋳ユニットとを兼ねる
電鋳ユニット101、断熱材料ユニットとしての高分子
膜塗布ユニット102、硬化ユニットとしての高分子膜
硬化ユニット103、表面改質ユニット104及び導体
化膜成形ユニット105が直列配列されて形成されてい
る。そして、導体化膜成形ユニット105は電鋳ユニッ
ト101に接続している。また、高分子膜塗布ユニット
102、高分子膜硬化ユニット103及び表面改質ユニ
ット104は、断熱材としての断熱層7、34を形成す
るための断熱材成形ユニット106を構成する。これら
の各ユニット101、102、103、104、105
は、それぞれ、バッファ室107を介して接続されてお
り、その接続は、密閉空間を形成するようになされてい
る。また、図示しないが、各ユニット101、102、
103、104、105間において被処理物を搬送する
搬送機構が設けられている。さらに、電鋳ユニット10
1と高分子膜塗布ユニット102との間、表面改質ユニ
ット104と導体化膜成形ユニット105との間、導体
化膜成形ユニット105と電鋳ユニット101との間に
は、それぞれ、開閉自在の扉108が設けられており、
被処理物の搬送に必要な場合以外はユニット間を隔絶し
ている。
【0088】図2は、光ディスク基板成形用スタンパの
製造装置の別の一例である。この装置は、並列配列構成
となっている。つまり、高分子膜塗布ユニット102と
高分子膜硬化ユニット103と表面改質ユニット104
とが一つのバッファ室107を介して連結されている。
もっとも、電鋳ユニット101、高分子膜塗布ユニット
102、高分子膜硬化ユニット103、表面改質ユニッ
ト104及び導体化膜成形ユニット105の全てが一つ
のバッファ室107を介して連結する構造で有っても良
い。その他の点は、図1に示す装置と同様の構成を備え
ている。
製造装置の別の一例である。この装置は、並列配列構成
となっている。つまり、高分子膜塗布ユニット102と
高分子膜硬化ユニット103と表面改質ユニット104
とが一つのバッファ室107を介して連結されている。
もっとも、電鋳ユニット101、高分子膜塗布ユニット
102、高分子膜硬化ユニット103、表面改質ユニッ
ト104及び導体化膜成形ユニット105の全てが一つ
のバッファ室107を介して連結する構造で有っても良
い。その他の点は、図1に示す装置と同様の構成を備え
ている。
【0089】次いで、各ユニット101、102、10
3、104、105について説明する。
3、104、105について説明する。
【0090】図3は、電鋳ユニット101の内容の一部
を示す正面図である。この電鋳ユニット101は、Ni
電鋳処理を行なうユニットである。そのための構成とし
て、本実施の形態の電鋳ユニット101は、従来構造に
比べてユニークな構成を備えている。つまり、ワークで
ある被処理物wkを真空吸着によって保持するターンテ
ーブル109が回転自在に設けられており、このターン
テーブル109は図示しないモータに駆動されて回転す
る。ターンテーブル109の上方にはメッキ吐出部11
0が配設されている。このメッキ吐出部110は、図示
しないNiペレットを格納保持し、このNiペレットに
よる図示しないメッキ液を吐出する複数個のノズル11
1を備えている。そして、ターンテーブル109に保持
された被処理物wkに負電圧を印加してNiペレットに
正電圧を印加するDC電源112により構成される電圧
印加部113を備える。そこで、この電鋳ユニット10
1は、ノズル111より吐出するメッキ液を介してター
ンテーブル109に保持された被処理物とNiペレット
とを通電させて被処理物wkに電鋳処理を行なうという
ものである。
を示す正面図である。この電鋳ユニット101は、Ni
電鋳処理を行なうユニットである。そのための構成とし
て、本実施の形態の電鋳ユニット101は、従来構造に
比べてユニークな構成を備えている。つまり、ワークで
ある被処理物wkを真空吸着によって保持するターンテ
ーブル109が回転自在に設けられており、このターン
テーブル109は図示しないモータに駆動されて回転す
る。ターンテーブル109の上方にはメッキ吐出部11
0が配設されている。このメッキ吐出部110は、図示
しないNiペレットを格納保持し、このNiペレットに
よる図示しないメッキ液を吐出する複数個のノズル11
1を備えている。そして、ターンテーブル109に保持
された被処理物wkに負電圧を印加してNiペレットに
正電圧を印加するDC電源112により構成される電圧
印加部113を備える。そこで、この電鋳ユニット10
1は、ノズル111より吐出するメッキ液を介してター
ンテーブル109に保持された被処理物とNiペレット
とを通電させて被処理物wkに電鋳処理を行なうという
ものである。
【0091】より具体的には、本実施の形態の電鋳ユニ
ット101は、転写面パターンを備えたフォトレジスト
原盤上に転写面パターンを写した転写面を有するNi電
鋳層を成膜形成するものである。
ット101は、転写面パターンを備えたフォトレジスト
原盤上に転写面パターンを写した転写面を有するNi電
鋳層を成膜形成するものである。
【0092】このような電鋳方式を実現する電鋳ユニッ
ト101では、従来から普及している電鋳装置のように
被処理物wkをメッキ液に完全に漬ける必要がない。し
たがって、複雑なシール構造をもつホルダーも不要であ
る。よって、従来は被処理物wkの面積、厚味等のサイ
ズに応じて専用ホルダーを個別に準備して作業で通電ネ
ジに装着するという煩雑な作業から操作者を解放するこ
とができる。このため、本実施の形態の電鋳ユニット1
01は、自動化が容易な構造であるといえる。
ト101では、従来から普及している電鋳装置のように
被処理物wkをメッキ液に完全に漬ける必要がない。し
たがって、複雑なシール構造をもつホルダーも不要であ
る。よって、従来は被処理物wkの面積、厚味等のサイ
ズに応じて専用ホルダーを個別に準備して作業で通電ネ
ジに装着するという煩雑な作業から操作者を解放するこ
とができる。このため、本実施の形態の電鋳ユニット1
01は、自動化が容易な構造であるといえる。
【0093】図4は高分子膜塗布ユニット102におい
て断熱材料114がNi電鋳層6,33に塗布された状
態を示す正面図、図5は高分子膜塗布ユニット102に
おいてNi電鋳層6,33に塗布された断熱材料114
がスピンコートされた状態を示す正面図である。高分子
膜塗布ユニット102は、Ni電鋳層6,33に断熱層
7、34を形成するためのユニットである。断熱層7、
34の材料である断熱材料114としては、例えば、ガ
ラス転移点が220℃以上を有する高耐熱性樹脂が用い
られる。例えば、硬化後のフィルムでも良いが、本実施
の形態では、溶剤で希釈された液状高分子を用いる。具
体例として、PI系(ポリイミド)、PEEK系(ポリ
エーテルエーテルケトン)、APA系(アラミド)、P
AI系(ポリアミドイミド)、PPS系(ポリフェニレ
ンスルフィド)等を用いることができる。なお、耐熱性
硬化樹脂として硬化後のフィルムを用いる場合には、ス
タンパ実使用時の環境、つまり、温度250℃以上、圧
力200kg/cm2 以上に耐えるためには、電鋳ユニ
ット101で形成されたNi電鋳層6,33との密着性
及び剥離強度を充分に考慮した接着剤層を必要とする。
て断熱材料114がNi電鋳層6,33に塗布された状
態を示す正面図、図5は高分子膜塗布ユニット102に
おいてNi電鋳層6,33に塗布された断熱材料114
がスピンコートされた状態を示す正面図である。高分子
膜塗布ユニット102は、Ni電鋳層6,33に断熱層
7、34を形成するためのユニットである。断熱層7、
34の材料である断熱材料114としては、例えば、ガ
ラス転移点が220℃以上を有する高耐熱性樹脂が用い
られる。例えば、硬化後のフィルムでも良いが、本実施
の形態では、溶剤で希釈された液状高分子を用いる。具
体例として、PI系(ポリイミド)、PEEK系(ポリ
エーテルエーテルケトン)、APA系(アラミド)、P
AI系(ポリアミドイミド)、PPS系(ポリフェニレ
ンスルフィド)等を用いることができる。なお、耐熱性
硬化樹脂として硬化後のフィルムを用いる場合には、ス
タンパ実使用時の環境、つまり、温度250℃以上、圧
力200kg/cm2 以上に耐えるためには、電鋳ユニ
ット101で形成されたNi電鋳層6,33との密着性
及び剥離強度を充分に考慮した接着剤層を必要とする。
【0094】このような断熱層7,34の厚みは、成形
条件にも依存するが、5〜150μm、望ましくは、1
0〜50μm(内面ばらつき±1μm)が実用範囲であ
る。よって、液状の高分子材料(断熱材料114)を所
定量だけ滴下して断熱層7,34を形成するのが良好で
あり、この場合、ガス巻き込みや異物混入の防止、塗り
むら防止というのが製造設備に課される課題となる。こ
の工程で発生した微小欠陥は、次工程の厚圧(約250
μm)、2次メッキ工程で増幅されて形状欠陥となりや
すい。これは、電鋳時の電気力線の集中(エッジ効果)
に起因する。
条件にも依存するが、5〜150μm、望ましくは、1
0〜50μm(内面ばらつき±1μm)が実用範囲であ
る。よって、液状の高分子材料(断熱材料114)を所
定量だけ滴下して断熱層7,34を形成するのが良好で
あり、この場合、ガス巻き込みや異物混入の防止、塗り
むら防止というのが製造設備に課される課題となる。こ
の工程で発生した微小欠陥は、次工程の厚圧(約250
μm)、2次メッキ工程で増幅されて形状欠陥となりや
すい。これは、電鋳時の電気力線の集中(エッジ効果)
に起因する。
【0095】ここで、清浄性を維持したまま高分子材料
(断熱材料114)を層状に形成する方法には各種方法
がある。例えば、ロールコーター法、浸漬引き上げ法、
スプレー塗布法、グラビア印刷法、スピンコーター法等
である。本実施の形態では、硬化後の厚みを10〜50
μmで均一性を±1μmという条件を満たさなければな
らない。しかも、硬化前は300Pという比較的高粘度
の材料を取り扱うことになる。加えて、片面塗布で薄板
円盤状という制約もある。被処理物wkが矩形ワークで
あればロールコーター法やグラビア印刷法の使用も可能
性があるが、本実施の形態では、エッジ部分での歩留ま
り防止の工夫が実際上困難な問題となっている。そこ
で、本出願の発明者の研究の結果、膜厚制御、材料管
理、ワークハンドリング等というような総合的な観点か
ら、スピンコーター法が最適であるとの結論に至った。
本実施の形態では、高分子材料(断熱材料114)の高
粘度である不具合、つまり、広がりむらが出やすいとい
う不具合を解決するために、多段回転条件を求めた。
(断熱材料114)を層状に形成する方法には各種方法
がある。例えば、ロールコーター法、浸漬引き上げ法、
スプレー塗布法、グラビア印刷法、スピンコーター法等
である。本実施の形態では、硬化後の厚みを10〜50
μmで均一性を±1μmという条件を満たさなければな
らない。しかも、硬化前は300Pという比較的高粘度
の材料を取り扱うことになる。加えて、片面塗布で薄板
円盤状という制約もある。被処理物wkが矩形ワークで
あればロールコーター法やグラビア印刷法の使用も可能
性があるが、本実施の形態では、エッジ部分での歩留ま
り防止の工夫が実際上困難な問題となっている。そこ
で、本出願の発明者の研究の結果、膜厚制御、材料管
理、ワークハンドリング等というような総合的な観点か
ら、スピンコーター法が最適であるとの結論に至った。
本実施の形態では、高分子材料(断熱材料114)の高
粘度である不具合、つまり、広がりむらが出やすいとい
う不具合を解決するために、多段回転条件を求めた。
【0096】具体的には、図4及び図5に例示するよう
な装置を用いる。つまり、ターンテーブル115に被処
理物wkであるNi電鋳層6,33をセットできるよう
にし、ターンテーブル115にセットされたNi電鋳層
6,33に断熱材料114を所定量滴下し、この状態で
ターンテーブル115を回転駆動する。これにより、断
熱材料114が所望の厚みに広がる。ここで、図4及び
図5中、116は断熱材料114により形成される断熱
層7,34の外形寸法を定めるためのアウターマスクで
ある。より具体的な構造を図6に示す。つまり、ターン
テーブル115ではNi電鋳層6,33が第1のリフト
ピン117によって昇降自在に支持されており、第2の
リフトピン118によってアウターマスク116が昇降
自在に支持されている。このアウターマスク116は下
降し、第1のリフトピン117によって昇降自在に支持
されているNi電鋳層6,33に当接する。このため、
アウターマスク116のエッジ部分には未硬化で粘性を
有する断熱材料114が付着する。そこで、硬化処理に
進む前に、Ni電鋳層6,33とアウターマスク116
との分離工程があるが、単純に両者を分離すると、断熱
材料114の粘性のために未硬化の断熱材料114が引
きずられて綿飴状の欠陥が発生してしまう。そこで、本
実施の形態では、この問題を回避するために、アウター
マスク116を僅かに傾けた状態で被処理物wkである
Ni電鋳層6,33から分離していくようにしている。
そして、最終分離点を一箇所だけにすることで、断熱材
料114の粘性とのバランスで飴状にならないような速
度、つまり、1mm/sec以下という速度を求めるこ
とにも成功した。
な装置を用いる。つまり、ターンテーブル115に被処
理物wkであるNi電鋳層6,33をセットできるよう
にし、ターンテーブル115にセットされたNi電鋳層
6,33に断熱材料114を所定量滴下し、この状態で
ターンテーブル115を回転駆動する。これにより、断
熱材料114が所望の厚みに広がる。ここで、図4及び
図5中、116は断熱材料114により形成される断熱
層7,34の外形寸法を定めるためのアウターマスクで
ある。より具体的な構造を図6に示す。つまり、ターン
テーブル115ではNi電鋳層6,33が第1のリフト
ピン117によって昇降自在に支持されており、第2の
リフトピン118によってアウターマスク116が昇降
自在に支持されている。このアウターマスク116は下
降し、第1のリフトピン117によって昇降自在に支持
されているNi電鋳層6,33に当接する。このため、
アウターマスク116のエッジ部分には未硬化で粘性を
有する断熱材料114が付着する。そこで、硬化処理に
進む前に、Ni電鋳層6,33とアウターマスク116
との分離工程があるが、単純に両者を分離すると、断熱
材料114の粘性のために未硬化の断熱材料114が引
きずられて綿飴状の欠陥が発生してしまう。そこで、本
実施の形態では、この問題を回避するために、アウター
マスク116を僅かに傾けた状態で被処理物wkである
Ni電鋳層6,33から分離していくようにしている。
そして、最終分離点を一箇所だけにすることで、断熱材
料114の粘性とのバランスで飴状にならないような速
度、つまり、1mm/sec以下という速度を求めるこ
とにも成功した。
【0097】次いで、高分子膜硬化ユニット103につ
いて説明する。本実施の形態では、高分子材料である断
熱材料114として、東洋紡のバイロマックス(ポリア
ミドイミド系のワニス)を用いている。この断熱材料1
14は、固形成分が12wt%、つまり、溶剤成分(N
MP:ノルマルメチルピロリドン)が約80%の混合体
である。そして、熱硬化に従い、その溶剤成分は蒸発
し、ワニス成分は架橋して強固な樹脂層が形成されるこ
とになる。
いて説明する。本実施の形態では、高分子材料である断
熱材料114として、東洋紡のバイロマックス(ポリア
ミドイミド系のワニス)を用いている。この断熱材料1
14は、固形成分が12wt%、つまり、溶剤成分(N
MP:ノルマルメチルピロリドン)が約80%の混合体
である。そして、熱硬化に従い、その溶剤成分は蒸発
し、ワニス成分は架橋して強固な樹脂層が形成されるこ
とになる。
【0098】ここで、断熱材料114の硬化環境や温度
条件、伝達モードの相違で、最終的に得られる樹脂層の
形状、つまり、表面起伏や微少なうねりは、機械強度に
影響を与えることになる。また、樹脂内原子団間の回転
能に起因するところの可撓性が変化して界面での密着性
にも影響を及ぼすことが一般に知られている。また、層
内の熱伝導挙動から発生する3次元的な温度分布は、溶
剤の蒸発過程を支配する。最悪の場合、ガス成分の残留
や不完全硬化部の発生などを引き起こしてしまう。この
ようなことから、断熱材料114をいかにして硬化させ
るかということも、極めて重要な意味合いを持つ。
条件、伝達モードの相違で、最終的に得られる樹脂層の
形状、つまり、表面起伏や微少なうねりは、機械強度に
影響を与えることになる。また、樹脂内原子団間の回転
能に起因するところの可撓性が変化して界面での密着性
にも影響を及ぼすことが一般に知られている。また、層
内の熱伝導挙動から発生する3次元的な温度分布は、溶
剤の蒸発過程を支配する。最悪の場合、ガス成分の残留
や不完全硬化部の発生などを引き起こしてしまう。この
ようなことから、断熱材料114をいかにして硬化させ
るかということも、極めて重要な意味合いを持つ。
【0099】これに対し、上記断熱材料114として例
示した東洋紡のバイロマックスでは、耐熱性を得るため
のメーカー推奨温度が200℃である。ところが、本実
施の形態の場合、この温度域まで断熱材料114を高温
環境下に曝すと、メッキ離型性低下、つまり、NiOx
の変化という副作用が生ずることが判明した。
示した東洋紡のバイロマックスでは、耐熱性を得るため
のメーカー推奨温度が200℃である。ところが、本実
施の形態の場合、この温度域まで断熱材料114を高温
環境下に曝すと、メッキ離型性低下、つまり、NiOx
の変化という副作用が生ずることが判明した。
【0100】そこで、本実施の形態の高分子膜硬化ユニ
ット103では、図7に例示する雰囲気加熱方式と、図
8に例示するホットプレート方式と、両者の組み合わせ
とを駆使して断熱材料114を硬化処理できるような構
成を採用している。ここで、図9に例示する処理時間と
熱処理温度との推移を示す熱処理カーブ(A)(B)
(C)の相違によって、各種特性値に変化が生ずること
は容易に理解することができる。そこで、本実施の形態
では、各種の熱処理カーブ(A)(B)(C)と各特性
値との関係を検証し、望むような熱処理カーブが得られ
るように断熱材料114の硬化処理方式を適宜選択し、
あるいは組み合わせているものである。
ット103では、図7に例示する雰囲気加熱方式と、図
8に例示するホットプレート方式と、両者の組み合わせ
とを駆使して断熱材料114を硬化処理できるような構
成を採用している。ここで、図9に例示する処理時間と
熱処理温度との推移を示す熱処理カーブ(A)(B)
(C)の相違によって、各種特性値に変化が生ずること
は容易に理解することができる。そこで、本実施の形態
では、各種の熱処理カーブ(A)(B)(C)と各特性
値との関係を検証し、望むような熱処理カーブが得られ
るように断熱材料114の硬化処理方式を適宜選択し、
あるいは組み合わせているものである。
【0101】加えて、本実施の形態では、高分子膜硬化
ユニット103において断熱材料114を硬化させてい
る間、被処理物wkを載置するテーブル119に設けた
マグネットシートによって被処理物wkを吸着保持し、
被処理物wk及び断熱材料114に反りが生じないよう
にしている。
ユニット103において断熱材料114を硬化させてい
る間、被処理物wkを載置するテーブル119に設けた
マグネットシートによって被処理物wkを吸着保持し、
被処理物wk及び断熱材料114に反りが生じないよう
にしている。
【0102】次いで、表面改質ユニット104について
説明する。硬化後の断熱材料114である高分子層は、
通常、金属との塗れ性が悪く、一般的には表面改質をす
るのが望ましい。本実施の形態では、表面改質ユニット
104によって断熱材料114の表面改質を行なう。具
体的には、図11に例示する紫外線照射方式と図12に
例示するスパッタエッチング方式によって表面改質を行
なう。ここで、紫外線照射方式は、反応が比較的緩慢で
あり安定したプロセスであるといえる反面、処理時間が
長くなるという問題がある。これに対し、スパッタエッ
チング方式は、加速された原子状イオンがシャワーの如
くワークである被処理物wkの面に衝突するため、処理
条件の選定が難しく過度の処理は高分子である断熱材料
114の表面にWBL層(Weak Boundary
Layer)を惹起するため注意が必要である。な
お、表面改質のための手法としてはクロム酸系の湿式酸
化法もあるが、欠陥低減と液管理の煩雑という欠点があ
る。
説明する。硬化後の断熱材料114である高分子層は、
通常、金属との塗れ性が悪く、一般的には表面改質をす
るのが望ましい。本実施の形態では、表面改質ユニット
104によって断熱材料114の表面改質を行なう。具
体的には、図11に例示する紫外線照射方式と図12に
例示するスパッタエッチング方式によって表面改質を行
なう。ここで、紫外線照射方式は、反応が比較的緩慢で
あり安定したプロセスであるといえる反面、処理時間が
長くなるという問題がある。これに対し、スパッタエッ
チング方式は、加速された原子状イオンがシャワーの如
くワークである被処理物wkの面に衝突するため、処理
条件の選定が難しく過度の処理は高分子である断熱材料
114の表面にWBL層(Weak Boundary
Layer)を惹起するため注意が必要である。な
お、表面改質のための手法としてはクロム酸系の湿式酸
化法もあるが、欠陥低減と液管理の煩雑という欠点があ
る。
【0103】本実施の形態では、表面改質処理時、通常
の大気に曝すと浮遊カーボンの付着などで表面が変化し
たり、欠陥の原因となる異物付着も懸念されることか
ら、紫外線照射とスパッタエッチングとを密閉された表
面改質ユニット104内で連続して実施できるように構
成している。なお、紫外線照射とスパッタエッチングと
は、メカニズム的には異なる処理であるといえるが、表
面改質という面から見るといずれも同様の効果をもたら
す。
の大気に曝すと浮遊カーボンの付着などで表面が変化し
たり、欠陥の原因となる異物付着も懸念されることか
ら、紫外線照射とスパッタエッチングとを密閉された表
面改質ユニット104内で連続して実施できるように構
成している。なお、紫外線照射とスパッタエッチングと
は、メカニズム的には異なる処理であるといえるが、表
面改質という面から見るといずれも同様の効果をもたら
す。
【0104】ここで、紫外線照射についてより詳しく説
明する。本実施の形態では、酸化反応に基づく高分子表
面の改質法として採用している。酸化処理は、濡れ性、
接着性、塗装性の向上を意図して行なわれる。このよう
な意図は、基本的には、高分子材表面に極性基を導入す
ることで実現することができる。その点からいうと、本
実施の形態では紫外線照射法を採用しているが、クロム
酸混液でも効果が期待できる。しかし、液中のコンタミ
が乾燥後にメッキ欠陥の原因になることを避けるため
に、本実施の形態では、清浄な乾燥法を採用したもので
ある。図11に例示するように、500〜1000Wの
紫外線ランプ120から50nmの位置で10〜30分
処理することが望ましい。ESCA分析によると、この
処理ではC=Oの結合の増加が観察された。逆に、C−
OH結合が減少した。紫外線照射では、波長範囲が重要
であり、長波長になるにつれて接着性発現効果が減少す
る。そこで、189nm前後の低波長タイプの紫外線が
適している。もっとも、過度の紫外線照射は、高分子表
面の分子鎖を切り、界面の強度劣化を起こすことも実験
的に確認された。図13中、(a)は適度な紫外線照射
を行なった場合の分子間結合エネルギーを示し、(b)
は過度な紫外線照射を行なった場合の分子間結合エネル
ギーを示す。
明する。本実施の形態では、酸化反応に基づく高分子表
面の改質法として採用している。酸化処理は、濡れ性、
接着性、塗装性の向上を意図して行なわれる。このよう
な意図は、基本的には、高分子材表面に極性基を導入す
ることで実現することができる。その点からいうと、本
実施の形態では紫外線照射法を採用しているが、クロム
酸混液でも効果が期待できる。しかし、液中のコンタミ
が乾燥後にメッキ欠陥の原因になることを避けるため
に、本実施の形態では、清浄な乾燥法を採用したもので
ある。図11に例示するように、500〜1000Wの
紫外線ランプ120から50nmの位置で10〜30分
処理することが望ましい。ESCA分析によると、この
処理ではC=Oの結合の増加が観察された。逆に、C−
OH結合が減少した。紫外線照射では、波長範囲が重要
であり、長波長になるにつれて接着性発現効果が減少す
る。そこで、189nm前後の低波長タイプの紫外線が
適している。もっとも、過度の紫外線照射は、高分子表
面の分子鎖を切り、界面の強度劣化を起こすことも実験
的に確認された。図13中、(a)は適度な紫外線照射
を行なった場合の分子間結合エネルギーを示し、(b)
は過度な紫外線照射を行なった場合の分子間結合エネル
ギーを示す。
【0105】次いで、スパッタエッチングについて説明
する。高分子をスパッタエッチングすると、結晶性部分
と非晶性部分とでエッチング速度が異なり、表面が粗面
化する。この効果は、酸素ガスよりもアルゴンの方が優
れている。これにより、アンカー効果(楔効果)が働
き、後に行なわれる導体化処理時に所望の接着性が確保
されるわけである。本実施の形態では、アルゴンガスを
用いてスパッタエッチングを行なった(図12参照)。
する。高分子をスパッタエッチングすると、結晶性部分
と非晶性部分とでエッチング速度が異なり、表面が粗面
化する。この効果は、酸素ガスよりもアルゴンの方が優
れている。これにより、アンカー効果(楔効果)が働
き、後に行なわれる導体化処理時に所望の接着性が確保
されるわけである。本実施の形態では、アルゴンガスを
用いてスパッタエッチングを行なった(図12参照)。
【0106】そして、導体化膜成形ユニット105は、
断熱材料114から生成された断熱層7,34上に導体
化膜8,35を生成するためのユニットである。
断熱材料114から生成された断熱層7,34上に導体
化膜8,35を生成するためのユニットである。
【0107】〔スタンパの製造〕ここでは、射出成形に
直接使用する断熱マスタースタンパの実施の形態と、マ
スターからマザーを経て転写製造される断熱サンスタン
パの実施の形態とに分けてそれぞれを説明する。断熱マ
スタースタンパ及び断熱サンスタンパは、共に、光ディ
スク基板成形用スタンパである。
直接使用する断熱マスタースタンパの実施の形態と、マ
スターからマザーを経て転写製造される断熱サンスタン
パの実施の形態とに分けてそれぞれを説明する。断熱マ
スタースタンパ及び断熱サンスタンパは、共に、光ディ
スク基板成形用スタンパである。
【0108】(1)断熱マスタースタンパ及びその製造
方法 断熱マスタースタンパ1の製造方法を図14及び図15
に基づいて説明する。図14は、断熱マスタースタンパ
1の製造過程を示す側面図である。
方法 断熱マスタースタンパ1の製造方法を図14及び図15
に基づいて説明する。図14は、断熱マスタースタンパ
1の製造過程を示す側面図である。
【0109】まず、ガラス基板2にフォトレジスト3を
形成後、レーザ露光、現像により、転写面パターンとし
ての凹凸微細パターン4を形成しておく。このような凹
凸微細パターン4が形成されたガラス基板2が原盤とな
る。次いで、この凹凸微細パターン4上に導体化膜5を
形成後(図14(a))、電鋳ユニット101によって
その導体化膜5を陰極として約25μmのNi電鋳層6
を形成する(図14(b))。このNi電鋳層6は、N
i電鋳層及びマスター転写金属層となる。
形成後、レーザ露光、現像により、転写面パターンとし
ての凹凸微細パターン4を形成しておく。このような凹
凸微細パターン4が形成されたガラス基板2が原盤とな
る。次いで、この凹凸微細パターン4上に導体化膜5を
形成後(図14(a))、電鋳ユニット101によって
その導体化膜5を陰極として約25μmのNi電鋳層6
を形成する(図14(b))。このNi電鋳層6は、N
i電鋳層及びマスター転写金属層となる。
【0110】次いで、断熱材成形ユニット106によ
り、Ni電鋳層6の上には、耐熱性高分子材料からなる
断熱材によるマスター断熱層としての断熱層7を積層形
成する(図14(c))。例えば、Ni電鋳層6の部分
イミド化された直鎖型ポリアミド酸溶液をスピン塗布又
はスプレー塗布した後、加熱して脱水環化させてイミド
化することにより、ポリイミドの断熱層7を形成する。
この断熱層7の熱伝導率は、94W/m・kより小さ
く、図14に図示しない金型に一般的に用いられるニッ
ケルよりも熱伝導率が低い。また、断熱層7の厚みは、
5〜150μm以下が望ましい。さらに、別の実施の形
態として、断熱層としては、ポリアミドイミドを用いた
ポリアミドイミド断熱層として形成しても良い。ポリア
ミドイミド断熱層も、ポリイミドの断熱層7と同様の手
法によって形成することが可能である。そして、ポリイ
ミドの断熱層7及びポリアミドイミド断熱層は、いずれ
も、所望の厚みに形成することが容易である。
り、Ni電鋳層6の上には、耐熱性高分子材料からなる
断熱材によるマスター断熱層としての断熱層7を積層形
成する(図14(c))。例えば、Ni電鋳層6の部分
イミド化された直鎖型ポリアミド酸溶液をスピン塗布又
はスプレー塗布した後、加熱して脱水環化させてイミド
化することにより、ポリイミドの断熱層7を形成する。
この断熱層7の熱伝導率は、94W/m・kより小さ
く、図14に図示しない金型に一般的に用いられるニッ
ケルよりも熱伝導率が低い。また、断熱層7の厚みは、
5〜150μm以下が望ましい。さらに、別の実施の形
態として、断熱層としては、ポリアミドイミドを用いた
ポリアミドイミド断熱層として形成しても良い。ポリア
ミドイミド断熱層も、ポリイミドの断熱層7と同様の手
法によって形成することが可能である。そして、ポリイ
ミドの断熱層7及びポリアミドイミド断熱層は、いずれ
も、所望の厚みに形成することが容易である。
【0111】次いで、導体化膜成形ユニット105によ
り、ポリイミドの断熱層7の上に導体化膜8を形成後
(図14(d))、再び電鋳ユニット101によりその
導体化膜8を陰極としてNi電鋳を行ない、Ni電鋳層
9を形成する(図14(e))。このNi電鋳層9は、
第2のNi電鋳層となる。こうして、全体の厚みが30
0μm程度の積層物、つまり、Ni電鋳層6、断熱層7
及びNi電鋳層9からなる積層物がガラス基板2の上に
形成され、機械的強度が増大する。
り、ポリイミドの断熱層7の上に導体化膜8を形成後
(図14(d))、再び電鋳ユニット101によりその
導体化膜8を陰極としてNi電鋳を行ない、Ni電鋳層
9を形成する(図14(e))。このNi電鋳層9は、
第2のNi電鋳層となる。こうして、全体の厚みが30
0μm程度の積層物、つまり、Ni電鋳層6、断熱層7
及びNi電鋳層9からなる積層物がガラス基板2の上に
形成され、機械的強度が増大する。
【0112】そして、ガラス基板2の上にNi電鋳層
6、断熱層7及びNi電鋳層9からなる積層物が積層形
成された後、積層物をガラス基板2から剥離すること
で、断熱マスタースタンパブランク10が得られる。そ
して、この断熱マスタースタンパブランク10上に残存
しているフォトレジスト3を除去後、保護膜塗布、裏面
研磨、内外径プレス、信号や欠陥検査等を行なうこと
で、ガラス基板2上の凹凸微細パターン4が写された転
写面11を有する断熱マスタースタンパ1が完成する。
6、断熱層7及びNi電鋳層9からなる積層物が積層形
成された後、積層物をガラス基板2から剥離すること
で、断熱マスタースタンパブランク10が得られる。そ
して、この断熱マスタースタンパブランク10上に残存
しているフォトレジスト3を除去後、保護膜塗布、裏面
研磨、内外径プレス、信号や欠陥検査等を行なうこと
で、ガラス基板2上の凹凸微細パターン4が写された転
写面11を有する断熱マスタースタンパ1が完成する。
【0113】図15は、完成した断熱マスタースタンパ
1の一部を示す側面図である。断熱マスタースタンパ1
は、図15に示すように、Ni電鋳層6、断熱層7及び
Ni電鋳層9からなり、表面に転写面11を有する。こ
れらの各層をより明確に示すのが図16及び図17の断
面図である。図16に例示する断熱マスタースタンパ1
と図17に例示する断熱マスタースタンパ1との相違点
としては、中心部に形成された貫通孔121におけるボ
スメッキ122の有無だけである。つまり、断熱マスタ
ースタンパ1としての完成品では、中心部に20mm〜
36mmの貫通孔121が設けられ、この貫通孔121
の部分が光ディスク基板成形用の成形金型に取り付けら
れる。そこで、図16に例示する断熱マスタースタンパ
1では、高分子がNi電鋳層6の全面に渡り形成されて
いることから、貫通孔121の側面に断熱層7が露出す
る構造となる。これに対し、図17に例示する断熱マス
タースタンパ1では、その部分にボスメッキ122が形
成されている。これは、光ディスク基板の成形中におけ
る各種の熱的・機械的応力によって断熱層7が露出する
部分のはがれや変形を防止することを意図している。そ
こで、図17に例示する断熱マスタースタンパ1におけ
る貫通孔121内は、全てNiメッキとなる。これは、
異種材料の界面を存在させないことで、界面破壊の危険
を防止する狙いである。いずれの構造にせよ、製造過程
に関して基本的な相違はない。図17に例示する断熱マ
スタースタンパ1の方がメッキ工程で一工程追加される
だけである。
1の一部を示す側面図である。断熱マスタースタンパ1
は、図15に示すように、Ni電鋳層6、断熱層7及び
Ni電鋳層9からなり、表面に転写面11を有する。こ
れらの各層をより明確に示すのが図16及び図17の断
面図である。図16に例示する断熱マスタースタンパ1
と図17に例示する断熱マスタースタンパ1との相違点
としては、中心部に形成された貫通孔121におけるボ
スメッキ122の有無だけである。つまり、断熱マスタ
ースタンパ1としての完成品では、中心部に20mm〜
36mmの貫通孔121が設けられ、この貫通孔121
の部分が光ディスク基板成形用の成形金型に取り付けら
れる。そこで、図16に例示する断熱マスタースタンパ
1では、高分子がNi電鋳層6の全面に渡り形成されて
いることから、貫通孔121の側面に断熱層7が露出す
る構造となる。これに対し、図17に例示する断熱マス
タースタンパ1では、その部分にボスメッキ122が形
成されている。これは、光ディスク基板の成形中におけ
る各種の熱的・機械的応力によって断熱層7が露出する
部分のはがれや変形を防止することを意図している。そ
こで、図17に例示する断熱マスタースタンパ1におけ
る貫通孔121内は、全てNiメッキとなる。これは、
異種材料の界面を存在させないことで、界面破壊の危険
を防止する狙いである。いずれの構造にせよ、製造過程
に関して基本的な相違はない。図17に例示する断熱マ
スタースタンパ1の方がメッキ工程で一工程追加される
だけである。
【0114】(2)断熱サンスタンパ及びその製造方法 次いで、サンスタンパとしての断熱サンスタンパ21の
製造方法を図18ないし図22に基づいて説明する。図
18は光ディスク基板成形用スタンパ(断熱サンスタン
パ21)の製造過程を概略的に示すフローチャート、図
19は図18に示す製造過程をより詳しく示すフローチ
ャートである。また、図20は、断熱サンスタンパ21
の製造過程を示す側面図である。
製造方法を図18ないし図22に基づいて説明する。図
18は光ディスク基板成形用スタンパ(断熱サンスタン
パ21)の製造過程を概略的に示すフローチャート、図
19は図18に示す製造過程をより詳しく示すフローチ
ャートである。また、図20は、断熱サンスタンパ21
の製造過程を示す側面図である。
【0115】まず、ガラス基板22にフォトレジスト2
3を塗布形成後(図20(a))、レーザ露光、現像に
より、転写面パターンとしての凹凸微細パターン24を
形成しておく(ステップS1、図20(b))。次い
で、この凹凸微細パターン24上に導体化膜25を形成
後(ステップS2、図20(c))、電鋳ユニット10
1により、この導体化膜25を陰極としてNi電鋳層2
6を形成する(図20(d))。このNi電鋳層26
は、Ni電鋳層及びマスター転写金属層となる。そし
て、ガラス基板22よりNi電鋳層26を剥離して、N
i電鋳層26に残存したフォトレジスト23を除去する
ことで凹凸微細パターン24が形成されたマスタースタ
ンパ27が得られる(ステップS3、図20(e))。
3を塗布形成後(図20(a))、レーザ露光、現像に
より、転写面パターンとしての凹凸微細パターン24を
形成しておく(ステップS1、図20(b))。次い
で、この凹凸微細パターン24上に導体化膜25を形成
後(ステップS2、図20(c))、電鋳ユニット10
1により、この導体化膜25を陰極としてNi電鋳層2
6を形成する(図20(d))。このNi電鋳層26
は、Ni電鋳層及びマスター転写金属層となる。そし
て、ガラス基板22よりNi電鋳層26を剥離して、N
i電鋳層26に残存したフォトレジスト23を除去する
ことで凹凸微細パターン24が形成されたマスタースタ
ンパ27が得られる(ステップS3、図20(e))。
【0116】次に、電鋳ユニット101において、マス
タースタンパ27を剥離処理し(ステップS3、図20
(f))、Ni酸化膜28を形成し、約300μmのN
i電鋳層29を形成する(図20(g))。このNi電
鋳層29がマザー転写金属層となる。そして、マスター
スタンパ27よりNi電鋳層29を剥離することで、凹
凸微細パターン24が写された反転転写面パターン30
を有するマザースタンパ31が得られる(ステップS
4、図20(h))。
タースタンパ27を剥離処理し(ステップS3、図20
(f))、Ni酸化膜28を形成し、約300μmのN
i電鋳層29を形成する(図20(g))。このNi電
鋳層29がマザー転写金属層となる。そして、マスター
スタンパ27よりNi電鋳層29を剥離することで、凹
凸微細パターン24が写された反転転写面パターン30
を有するマザースタンパ31が得られる(ステップS
4、図20(h))。
【0117】その後、マスタースタンパ27の場合と同
様に、電鋳ユニット101において、マザースタンパ3
1を剥離皮膜処理してNi酸化膜32を形成する(ステ
ップS4、図20(i))。次いで、約25μmのNi
電鋳層33を形成する(ステップS5、図20
(j))。このNi電鋳層33がNi電鋳層及びサン転
写金属層となる。その後、断熱材成形ユニット106に
おいて、Ni電鋳層33上に耐熱性高分子材料からなる
断熱材によるサン断熱層としての断熱層34を積層形成
する(ステップS5、図20(k))。Ni電鋳層33
上への断熱層34の形成方法、断熱層34の種類等は、
前述した通りである。
様に、電鋳ユニット101において、マザースタンパ3
1を剥離皮膜処理してNi酸化膜32を形成する(ステ
ップS4、図20(i))。次いで、約25μmのNi
電鋳層33を形成する(ステップS5、図20
(j))。このNi電鋳層33がNi電鋳層及びサン転
写金属層となる。その後、断熱材成形ユニット106に
おいて、Ni電鋳層33上に耐熱性高分子材料からなる
断熱材によるサン断熱層としての断熱層34を積層形成
する(ステップS5、図20(k))。Ni電鋳層33
上への断熱層34の形成方法、断熱層34の種類等は、
前述した通りである。
【0118】そして、断熱層34の形成後、導体化膜成
形ユニット105において、断熱層34の上に導体化膜
35を形成し(ステップS5、図20(l))、この導
体化膜35を陰極としてNi電鋳を行ない、Ni電鋳層
36を形成する(ステップS5、図20(m))。その
後、マザースタンパ31の上に積層形成されたNi電鋳
層33、断熱層34及びNi電鋳層36からなる積層物
をマザースタンパ31から剥離することで、断熱サンス
タンパブランク37が得られる(図20(n))。そし
て、この断熱サンスタンパブランク37に対して、保護
膜塗布、裏面研磨、内外径プレス、信号や欠陥検査等
(ステップS6)を行なうことで、マザースタンパ31
の反転転写面パターン30が写された転写面38を有す
る断熱サンスタンパ21が完成する。
形ユニット105において、断熱層34の上に導体化膜
35を形成し(ステップS5、図20(l))、この導
体化膜35を陰極としてNi電鋳を行ない、Ni電鋳層
36を形成する(ステップS5、図20(m))。その
後、マザースタンパ31の上に積層形成されたNi電鋳
層33、断熱層34及びNi電鋳層36からなる積層物
をマザースタンパ31から剥離することで、断熱サンス
タンパブランク37が得られる(図20(n))。そし
て、この断熱サンスタンパブランク37に対して、保護
膜塗布、裏面研磨、内外径プレス、信号や欠陥検査等
(ステップS6)を行なうことで、マザースタンパ31
の反転転写面パターン30が写された転写面38を有す
る断熱サンスタンパ21が完成する。
【0119】図21は、完成した断熱サンスタンパ21
の一部を示す側面図である。断熱サンスタンパ21は、
図21に示すように、Ni電鋳層33、断熱層34及び
Ni電鋳層36からなり、表面に転写面38を有する。
の一部を示す側面図である。断熱サンスタンパ21は、
図21に示すように、Ni電鋳層33、断熱層34及び
Ni電鋳層36からなり、表面に転写面38を有する。
【0120】(3)光ディスク基板及びその製造方法 上述のようにして形成された光ディスク基板成形用スタ
ンパである断熱マスタースタンパ1又は断熱サンスタン
パ21を用いて光ディスク基板41を形成するには、周
知の手法によって断熱マスタースタンパ1又は断熱サン
スタンパ21を用いた射出成形を行なえば良い。つま
り、図示しない一対の金型の接合部に形成される図示し
ないキャビティ内に断熱マスタースタンパ1又は断熱サ
ンスタンパ21を固定し、そのキャビティ内に図示しな
い溶融樹脂を射出充填する。その後、金型を分離して冷
却固化後の樹脂を取り出すことによって、光ディスク基
板41が得られる。このような光ディスク基板41の製
造を含む原盤露光から梱包出荷までの一連の流れについ
ては、後述する。
ンパである断熱マスタースタンパ1又は断熱サンスタン
パ21を用いて光ディスク基板41を形成するには、周
知の手法によって断熱マスタースタンパ1又は断熱サン
スタンパ21を用いた射出成形を行なえば良い。つま
り、図示しない一対の金型の接合部に形成される図示し
ないキャビティ内に断熱マスタースタンパ1又は断熱サ
ンスタンパ21を固定し、そのキャビティ内に図示しな
い溶融樹脂を射出充填する。その後、金型を分離して冷
却固化後の樹脂を取り出すことによって、光ディスク基
板41が得られる。このような光ディスク基板41の製
造を含む原盤露光から梱包出荷までの一連の流れについ
ては、後述する。
【0121】ここで、金型の温度を通常温度よりも10
〜20℃程度低く設定し、ポリイミドの断熱層7,34
の厚み5、20、50、150、250μmとして実験
してみた。その結果、ポリイミドの断熱層7,34の厚
みが5μm以上で充分な転写性の確保と光ディスク基板
成形サイクルのタクトアップとを高次元で両立させるこ
とができた。もっとも、ポリイミドの断熱層7,34の
厚みが250μmとなると、転写性は良好であるのに対
し、従来よりも光ディスク基板成形サイクルがロータク
トとなってしまう。これは、キャビティに対する溶融樹
脂充填直後における溶融樹脂の表層部分(スタンパ転写
部分)の温度が高くなりすぎてしまい、樹脂の熱変形温
度までの冷却に長時間を要するからである。
〜20℃程度低く設定し、ポリイミドの断熱層7,34
の厚み5、20、50、150、250μmとして実験
してみた。その結果、ポリイミドの断熱層7,34の厚
みが5μm以上で充分な転写性の確保と光ディスク基板
成形サイクルのタクトアップとを高次元で両立させるこ
とができた。もっとも、ポリイミドの断熱層7,34の
厚みが250μmとなると、転写性は良好であるのに対
し、従来よりも光ディスク基板成形サイクルがロータク
トとなってしまう。これは、キャビティに対する溶融樹
脂充填直後における溶融樹脂の表層部分(スタンパ転写
部分)の温度が高くなりすぎてしまい、樹脂の熱変形温
度までの冷却に長時間を要するからである。
【0122】図22は、金型温度と基板転写温度との関
係を従来の一例と本実施の形態との比較において示すシ
ミュレーショングラフである。黒ドットが従来の一例
を、白ドットが本実施の形態の例をそれぞれ示す。従来
の一例は、特開平7-178774号公報に開示されて
いる例である。図22のグラフからも明らかなように、
従来の一例では、金型温度の変化に対する基板転写温度
の変化率が強いのに対し、本実施の形態の例では、金型
温度の変化に対する基板転写温度の変化率が小さい。つ
まり、本実施の形態の例では、金型温度に対する基板転
写温度の依存性が少ない。このため、本実施の形態の例
では、金型温度を十分に下げつつ、基板転写温度を高温
に維持することが可能である。よって、図22のグラフ
からも、充分な転写性の確保と光ディスク基板成形サイ
クルのタクトアップとを高次元で両立させ得ることが分
かる。
係を従来の一例と本実施の形態との比較において示すシ
ミュレーショングラフである。黒ドットが従来の一例
を、白ドットが本実施の形態の例をそれぞれ示す。従来
の一例は、特開平7-178774号公報に開示されて
いる例である。図22のグラフからも明らかなように、
従来の一例では、金型温度の変化に対する基板転写温度
の変化率が強いのに対し、本実施の形態の例では、金型
温度の変化に対する基板転写温度の変化率が小さい。つ
まり、本実施の形態の例では、金型温度に対する基板転
写温度の依存性が少ない。このため、本実施の形態の例
では、金型温度を十分に下げつつ、基板転写温度を高温
に維持することが可能である。よって、図22のグラフ
からも、充分な転写性の確保と光ディスク基板成形サイ
クルのタクトアップとを高次元で両立させ得ることが分
かる。
【0123】別の実施の形態として、断熱層7、34と
して、ジルコニア等のセラミクスを用いることができ
る。この場合、断熱層7、34であるセラミクスは、N
i電鋳層を構成する導体化膜5,25の電析面に対して
溶射、プラズマジェット、イオンプレーティング等の手
法で容易に形成することができる。このようなセラミク
スからなる断熱層7、34は、その厚みが50μm以上
で充分な転写性の確保と光ディスク基板成形サイクルの
タクトアップとを高次元で両立させることが可能であ
る。なお、セラミクスからなる断熱層7、34の厚みの
上限としては、300μm以下であることが望ましく、
これによって良好な特性が得られる。
して、ジルコニア等のセラミクスを用いることができ
る。この場合、断熱層7、34であるセラミクスは、N
i電鋳層を構成する導体化膜5,25の電析面に対して
溶射、プラズマジェット、イオンプレーティング等の手
法で容易に形成することができる。このようなセラミク
スからなる断熱層7、34は、その厚みが50μm以上
で充分な転写性の確保と光ディスク基板成形サイクルの
タクトアップとを高次元で両立させることが可能であ
る。なお、セラミクスからなる断熱層7、34の厚みの
上限としては、300μm以下であることが望ましく、
これによって良好な特性が得られる。
【0124】さらに別の実施の形態として、断熱層7、
34として、金属、例えばビスマスを用いることができ
る。この場合、断熱層7、34であるビスマスは、Ni
電鋳層6を構成する導体化膜5,25の電析面に対して
電気メッキによって容易に形成することができる。この
ようなビスマスからなる断熱層7、34は、その厚みが
150μm以上で充分な転写性の確保と光ディスク基板
成形サイクルのタクトアップとを高次元で両立させるこ
とが可能である。なお、ビスマスからなる断熱層7、3
4の厚みの上限としては、300μm以下であることが
望ましく、これによって良好な特性が得られる。また、
ビスマスは、Ni電鋳層としてのNi電鋳層6、26、
29及び第2のNi電鋳層としてのNi電鋳層9、33
に用いられているニッケルと近似した線膨張係数を持
つ。これにより、溶融樹脂による昇温、金型に対する冷
却に対し、バイメタルによる伸縮及び反りが発生せず、
転写性が向上する。しかも、ビスマスは、電気メッキが
可能であることから、断熱層7、34の膜厚を容易に所
望厚に形成することができる。
34として、金属、例えばビスマスを用いることができ
る。この場合、断熱層7、34であるビスマスは、Ni
電鋳層6を構成する導体化膜5,25の電析面に対して
電気メッキによって容易に形成することができる。この
ようなビスマスからなる断熱層7、34は、その厚みが
150μm以上で充分な転写性の確保と光ディスク基板
成形サイクルのタクトアップとを高次元で両立させるこ
とが可能である。なお、ビスマスからなる断熱層7、3
4の厚みの上限としては、300μm以下であることが
望ましく、これによって良好な特性が得られる。また、
ビスマスは、Ni電鋳層としてのNi電鋳層6、26、
29及び第2のNi電鋳層としてのNi電鋳層9、33
に用いられているニッケルと近似した線膨張係数を持
つ。これにより、溶融樹脂による昇温、金型に対する冷
却に対し、バイメタルによる伸縮及び反りが発生せず、
転写性が向上する。しかも、ビスマスは、電気メッキが
可能であることから、断熱層7、34の膜厚を容易に所
望厚に形成することができる。
【0125】(4)光ディスク及びその製造方法 ここで、原盤露光から梱包出荷までの一連の流れを図2
3に基づいて説明する。ここでは、断熱マスタースタン
パ1を用いて成形した光ディスク基板41により形成さ
れた光ディスクとしてのCD−R51について説明する
(図24参照)。この場合、必要に応じて、完成後のC
D−R51を示す断面図等の他の図(例えば図24)も
適宜用いる。
3に基づいて説明する。ここでは、断熱マスタースタン
パ1を用いて成形した光ディスク基板41により形成さ
れた光ディスクとしてのCD−R51について説明する
(図24参照)。この場合、必要に応じて、完成後のC
D−R51を示す断面図等の他の図(例えば図24)も
適宜用いる。
【0126】まず、原盤露光過程において、ガラス基板
2上に前述した凹凸微細パターン4に相当するプリグル
ーブパターン52を形成し、原盤53を製作する。この
ためには、ガラス基板22の上に塗布された前述したフ
ォトレジスト3によるレジスト層3を成膜し、このレジ
スト層3にArレーザ(アルゴンレーザ)を照射した
後、現像することによりプリグルーブパターン52を形
成する。こうして、光ディスク基板成形用スタンパであ
る断熱マスタースタンパ1のNi電鋳層6からなるNi
電鋳層を製造するために必要なプリグルーブパターン5
2をガラス基板2に形成することができる(図14
(a)参照)。
2上に前述した凹凸微細パターン4に相当するプリグル
ーブパターン52を形成し、原盤53を製作する。この
ためには、ガラス基板22の上に塗布された前述したフ
ォトレジスト3によるレジスト層3を成膜し、このレジ
スト層3にArレーザ(アルゴンレーザ)を照射した
後、現像することによりプリグルーブパターン52を形
成する。こうして、光ディスク基板成形用スタンパであ
る断熱マスタースタンパ1のNi電鋳層6からなるNi
電鋳層を製造するために必要なプリグルーブパターン5
2をガラス基板2に形成することができる(図14
(a)参照)。
【0127】次いで、スタンパ製作を行う。前述したよ
うに、ガラス基板2に形成されたプリグルーブパターン
52上にNi導体化膜5を形成後、このNi導体化膜5
を陰極としてNi電鋳を行ない、約25μm電鋳するこ
とで(図14(b)参照)、プリグルーブパターン52
が写された転写面11を一面に有するNi電鋳層6から
なるNi電鋳層を形成する。そこで、このNi電鋳層6
に対して断熱層7及びNi電鋳層9からなる第2のNi
電鋳層を積層形成した後、これらのNi電鋳層(Ni電
鋳層6)、断熱層7及び第2のNi電鋳層(Ni電鋳層
9)をガラス基板2から剥離し、断熱マスタースタンパ
1を得る(図15参照)。
うに、ガラス基板2に形成されたプリグルーブパターン
52上にNi導体化膜5を形成後、このNi導体化膜5
を陰極としてNi電鋳を行ない、約25μm電鋳するこ
とで(図14(b)参照)、プリグルーブパターン52
が写された転写面11を一面に有するNi電鋳層6から
なるNi電鋳層を形成する。そこで、このNi電鋳層6
に対して断熱層7及びNi電鋳層9からなる第2のNi
電鋳層を積層形成した後、これらのNi電鋳層(Ni電
鋳層6)、断熱層7及び第2のNi電鋳層(Ni電鋳層
9)をガラス基板2から剥離し、断熱マスタースタンパ
1を得る(図15参照)。
【0128】次いで、射出成形により、光ディスク基板
41を形成する。つまり、接離自在に設けられた金型と
しての固定金型54と可動金型55との接合部に形成さ
れるキャビティ56内に光ディスク基板成形用スタンパ
1を固定し、そのキャビティ56内に可動金型55に設
けられたノズル57から図示しない溶融樹脂を射出充填
し、固定金型54と可動金型55との間で圧縮する。そ
の後、固定金型54と可動金型55とを分離して冷却個
化後の樹脂を取り出すことによって、光ディスク基板4
1が得られる。ここで、このような光ディスク基板41
の製造過程においては、上述した各種の光ディスク基板
成形用スタンパである断熱マスタースタンパ1や断熱サ
ンスタンパ21を用いることが可能である。
41を形成する。つまり、接離自在に設けられた金型と
しての固定金型54と可動金型55との接合部に形成さ
れるキャビティ56内に光ディスク基板成形用スタンパ
1を固定し、そのキャビティ56内に可動金型55に設
けられたノズル57から図示しない溶融樹脂を射出充填
し、固定金型54と可動金型55との間で圧縮する。そ
の後、固定金型54と可動金型55とを分離して冷却個
化後の樹脂を取り出すことによって、光ディスク基板4
1が得られる。ここで、このような光ディスク基板41
の製造過程においては、上述した各種の光ディスク基板
成形用スタンパである断熱マスタースタンパ1や断熱サ
ンスタンパ21を用いることが可能である。
【0129】次いで、製造された光ディスク基板41上
に記録材としての色素を塗布し、光ディスク基板41上
に光吸収層58を形成する(図24参照)。つまり、タ
ーンテーブル59上に光ディスク基板41をセットし、
この光ディスク基板41の上に、フタロシアニン系色
素、すなわち、フタロシアニンを構成する4つのベンゼ
ン環のそれぞれのα位に1つの1−イソプロピル−イソ
アミルオキシ基を有するPd・フタロシアニンの3.5
重量%ジメチルシクロヘキサン溶液を塗布した後にター
ンテーブル59を回転させて2000rpmでスピンコ
ートし、70℃で2時間乾燥(オーブンによるキュアリ
ング)して100nmの膜厚の光吸収層58を形成す
る。
に記録材としての色素を塗布し、光ディスク基板41上
に光吸収層58を形成する(図24参照)。つまり、タ
ーンテーブル59上に光ディスク基板41をセットし、
この光ディスク基板41の上に、フタロシアニン系色
素、すなわち、フタロシアニンを構成する4つのベンゼ
ン環のそれぞれのα位に1つの1−イソプロピル−イソ
アミルオキシ基を有するPd・フタロシアニンの3.5
重量%ジメチルシクロヘキサン溶液を塗布した後にター
ンテーブル59を回転させて2000rpmでスピンコ
ートし、70℃で2時間乾燥(オーブンによるキュアリ
ング)して100nmの膜厚の光吸収層58を形成す
る。
【0130】次いで、反射層60の形成及び保護層61
のオーバーコートを行う(図23参照)。つまり、ター
ンテーブル51の上に光吸収層58を形成した後の光デ
ィスク基板41をセットしたまま、スパッタリング装置
62に銀ターゲットを取り付け、銀の反射層60を10
0nmの膜厚で光吸収層58の上に積層形成し、光反射
面63を形成する。そして、その反射層60の上に紫外
線硬化樹脂をスピンコートした後、紫外線を照射して厚
さ6μmの保護層61を形成する。
のオーバーコートを行う(図23参照)。つまり、ター
ンテーブル51の上に光吸収層58を形成した後の光デ
ィスク基板41をセットしたまま、スパッタリング装置
62に銀ターゲットを取り付け、銀の反射層60を10
0nmの膜厚で光吸収層58の上に積層形成し、光反射
面63を形成する。そして、その反射層60の上に紫外
線硬化樹脂をスピンコートした後、紫外線を照射して厚
さ6μmの保護層61を形成する。
【0131】次いで、メディアの信号特性や機械特性を
検査し、スクリーン印刷によってラベルの印刷を行い、
その上からハードコート処理を行うことによってメディ
ア、つまり、光ディスクとしてのCD−R51が完成す
る。図24に、完成したCD−R51の断面図を示す。
検査し、スクリーン印刷によってラベルの印刷を行い、
その上からハードコート処理を行うことによってメディ
ア、つまり、光ディスクとしてのCD−R51が完成す
る。図24に、完成したCD−R51の断面図を示す。
【0132】このようにして製造されたCD−R51
は、その後の梱包出荷を待つことになる。
は、その後の梱包出荷を待つことになる。
【0133】本発明は、その精神または主要な特徴から
逸脱することがない範囲で、前述した実施の態様とは異
なる他の様々な形態で実施をすることができる。前述の
実施の態様はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的
に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲
によって示すものであり、明細書本文には何ら拘束され
ない。特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更
は、全ての本発明の範囲内のものである。
逸脱することがない範囲で、前述した実施の態様とは異
なる他の様々な形態で実施をすることができる。前述の
実施の態様はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的
に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲
によって示すものであり、明細書本文には何ら拘束され
ない。特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更
は、全ての本発明の範囲内のものである。
【0134】
【発明の効果】請求項1記載の発明は、光ディスク基板
成形用スタンパの製造装置であって、転写面パターンを
備えたフォトレジスト原盤上に前記転写面パターンを写
した転写面を有するNi電鋳層を成膜形成する電鋳ユニ
ットと、前記Ni電鋳層上に断熱性を有する断熱材を成
膜形成する断熱材成形ユニットと、を具備するので、断
熱材が形成された光ディスク基板成形用スタンパを容易
に得ることができる。このような光ディスク基板成形用
スタンパを用いた射出成形に際しては、断熱材の断熱作
用により、溶融樹脂充填後、従来より低温金型を用いて
も、スタンパに接触する樹脂温度が高くなることによ
り、充分な転写性が得られる。よって、高温の転写温度
によって転写性が良好に維持され、かつ、低い金型温度
により光ディスク基板成形サイクルのタクトアップを図
ることができる。
成形用スタンパの製造装置であって、転写面パターンを
備えたフォトレジスト原盤上に前記転写面パターンを写
した転写面を有するNi電鋳層を成膜形成する電鋳ユニ
ットと、前記Ni電鋳層上に断熱性を有する断熱材を成
膜形成する断熱材成形ユニットと、を具備するので、断
熱材が形成された光ディスク基板成形用スタンパを容易
に得ることができる。このような光ディスク基板成形用
スタンパを用いた射出成形に際しては、断熱材の断熱作
用により、溶融樹脂充填後、従来より低温金型を用いて
も、スタンパに接触する樹脂温度が高くなることによ
り、充分な転写性が得られる。よって、高温の転写温度
によって転写性が良好に維持され、かつ、低い金型温度
により光ディスク基板成形サイクルのタクトアップを図
ることができる。
【0135】請求項2記載の発明は、光ディスク基板成
形用スタンパの製造装置であって、反転転写面パターン
を備えたマザースタンパ上に前記反転転写面パターンを
写した転写面を有するNi電鋳層を成膜形成する電鋳ユ
ニットと、前記Ni電鋳層上に断熱性を有する断熱材を
成膜形成する断熱材成形ユニットと、を具備するので、
断熱材が形成された光ディスク基板成形用スタンパ、よ
り詳しくは、マスターからマザーを経て形成されるサン
スタンパを容易に得ることができる。このようなサンス
タンパである光ディスク基板成形用スタンパを用いた射
出成形に際しては、断熱材の断熱作用により、溶融樹脂
充填後、従来より低温金型を用いても、スタンパに接触
する樹脂温度が高くなることにより、充分な転写性が得
られる。よって、高温の転写温度によって転写性が良好
に維持され、かつ、低い金型温度により光ディスク基板
成形サイクルのタクトアップを図ることができる。
形用スタンパの製造装置であって、反転転写面パターン
を備えたマザースタンパ上に前記反転転写面パターンを
写した転写面を有するNi電鋳層を成膜形成する電鋳ユ
ニットと、前記Ni電鋳層上に断熱性を有する断熱材を
成膜形成する断熱材成形ユニットと、を具備するので、
断熱材が形成された光ディスク基板成形用スタンパ、よ
り詳しくは、マスターからマザーを経て形成されるサン
スタンパを容易に得ることができる。このようなサンス
タンパである光ディスク基板成形用スタンパを用いた射
出成形に際しては、断熱材の断熱作用により、溶融樹脂
充填後、従来より低温金型を用いても、スタンパに接触
する樹脂温度が高くなることにより、充分な転写性が得
られる。よって、高温の転写温度によって転写性が良好
に維持され、かつ、低い金型温度により光ディスク基板
成形サイクルのタクトアップを図ることができる。
【0136】請求項3記載の発明は、請求項1又は2記
載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であっ
て、前記電鋳ユニットから前記断熱材成形ユニットに被
処理物を搬送する搬送機構を具備するので、作業効率の
向上を図ることができる。また、このような作業が手作
業で行なわれる場合に生じやすい被処理物の汚れを防止
し、被処理物を清浄に保つことができる。これにより、
欠陥出現率を低減させて歩留まりを向上させることがで
き、また、各部で特性が均一である高精度な光ディスク
基板成形用スタンパを得ることができる。
載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であっ
て、前記電鋳ユニットから前記断熱材成形ユニットに被
処理物を搬送する搬送機構を具備するので、作業効率の
向上を図ることができる。また、このような作業が手作
業で行なわれる場合に生じやすい被処理物の汚れを防止
し、被処理物を清浄に保つことができる。これにより、
欠陥出現率を低減させて歩留まりを向上させることがで
き、また、各部で特性が均一である高精度な光ディスク
基板成形用スタンパを得ることができる。
【0137】請求項4記載の発明は、請求項3記載の光
ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、前記
搬送機構による前記電鋳ユニットから前記断熱材成形ユ
ニットへの被処理物の搬送は、密閉空間内で行なわれる
ので、電鋳ユニットから断熱材成形ユニットに至るま
で、被処理物をより清浄に維持することができる。これ
により、欠陥出現率を低減させて歩留まりを向上させる
ことができ、また、各部で特性が均一である高精度な光
ディスク基板成形用スタンパを得ることができる。
ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、前記
搬送機構による前記電鋳ユニットから前記断熱材成形ユ
ニットへの被処理物の搬送は、密閉空間内で行なわれる
ので、電鋳ユニットから断熱材成形ユニットに至るま
で、被処理物をより清浄に維持することができる。これ
により、欠陥出現率を低減させて歩留まりを向上させる
ことができ、また、各部で特性が均一である高精度な光
ディスク基板成形用スタンパを得ることができる。
【0138】請求項5記載の発明は、請求項3又は4記
載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であっ
て、前記電鋳ユニットと前記断熱材成形ユニットとの間
には、被処理物を一時的に貯留するバッファ室が設けら
れているので、多数個の被処理物を効率よく各ユニット
で処理することができる。つまり、複数の被処理物に対
して同時期に異なる処理を施すようなことが可能とな
り、光ディスク基板成形用スタンパの製造に際してのタ
クトアップを図ることができる。
載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であっ
て、前記電鋳ユニットと前記断熱材成形ユニットとの間
には、被処理物を一時的に貯留するバッファ室が設けら
れているので、多数個の被処理物を効率よく各ユニット
で処理することができる。つまり、複数の被処理物に対
して同時期に異なる処理を施すようなことが可能とな
り、光ディスク基板成形用スタンパの製造に際してのタ
クトアップを図ることができる。
【0139】請求項6記載の発明は、請求項3、4又は
5記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であ
って、前記電鋳ユニットと前記断熱材成形ユニットと
は、開閉自在な扉を介して隔絶されているので、高温多
湿である電鋳ユニットの環境が断熱材成形ユニット内で
の断熱材の成膜動作に及ぼす悪影響を除去することがで
き、これにより、欠陥出現率を低減させて歩留まりを向
上させることができる。
5記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であ
って、前記電鋳ユニットと前記断熱材成形ユニットと
は、開閉自在な扉を介して隔絶されているので、高温多
湿である電鋳ユニットの環境が断熱材成形ユニット内で
の断熱材の成膜動作に及ぼす悪影響を除去することがで
き、これにより、欠陥出現率を低減させて歩留まりを向
上させることができる。
【0140】請求項7記載の発明は、請求項1ないし6
のいずれか一記載の光ディスク基板成形用スタンパの製
造装置であって、前記電鋳ユニットは、被処理面を上面
にして被処理物を保持するテーブルと、Niペレットを
保持して前記テーブル上に配置されたノズルより前記N
iペレットを材料とするメッキ液を吐出するメッキ液吐
出部と、前記テーブルに保持された被処理物に負電圧を
印加して前記Niペレットに正電圧を印加する電圧印加
部とを備え、前記ノズルより吐出する前記メッキ液を介
して前記テーブルに保持された被処理物と前記Niペレ
ットとを通電させて被処理面に電鋳を行なうので、従来
の電鋳方式では不可欠である被処理物をメッキ液に漬け
るという作業が不要となることから、被処理物のテーブ
ルに対するセットを容易にすることができ、電鋳ユニッ
トに対する被処理物の自動処理化を促すことができる。
のいずれか一記載の光ディスク基板成形用スタンパの製
造装置であって、前記電鋳ユニットは、被処理面を上面
にして被処理物を保持するテーブルと、Niペレットを
保持して前記テーブル上に配置されたノズルより前記N
iペレットを材料とするメッキ液を吐出するメッキ液吐
出部と、前記テーブルに保持された被処理物に負電圧を
印加して前記Niペレットに正電圧を印加する電圧印加
部とを備え、前記ノズルより吐出する前記メッキ液を介
して前記テーブルに保持された被処理物と前記Niペレ
ットとを通電させて被処理面に電鋳を行なうので、従来
の電鋳方式では不可欠である被処理物をメッキ液に漬け
るという作業が不要となることから、被処理物のテーブ
ルに対するセットを容易にすることができ、電鋳ユニッ
トに対する被処理物の自動処理化を促すことができる。
【0141】請求項8記載の発明は、請求項7記載の光
ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、前記
テーブルはターンテーブル構造を有するので、テーブル
に保持された被処理物とノズルより吐出されるメッキ液
との相対移動をターンテーブル構造のテーブルの回転に
よって実現することができ、各部で均一厚みのNi電鋳
を行なうことができる。
ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、前記
テーブルはターンテーブル構造を有するので、テーブル
に保持された被処理物とノズルより吐出されるメッキ液
との相対移動をターンテーブル構造のテーブルの回転に
よって実現することができ、各部で均一厚みのNi電鋳
を行なうことができる。
【0142】請求項9記載の発明は、請求項1又は2記
載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であっ
て、前記断熱材成形ユニットは、前記Ni電鋳層上に流
動性を有する断熱材料を所定の厚さで塗布する断熱材料
塗布ユニットを含むので、均一膜厚の断熱材を容易に得
ることができる。
載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であっ
て、前記断熱材成形ユニットは、前記Ni電鋳層上に流
動性を有する断熱材料を所定の厚さで塗布する断熱材料
塗布ユニットを含むので、均一膜厚の断熱材を容易に得
ることができる。
【0143】請求項10記載の発明は、請求項9記載の
光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、前
記断熱材料塗布ユニットは、スピンコーター法によって
前記Ni電鋳層上に前記断熱材料を塗布するので、より
均一性が高い断熱材を容易に得ることができる。
光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、前
記断熱材料塗布ユニットは、スピンコーター法によって
前記Ni電鋳層上に前記断熱材料を塗布するので、より
均一性が高い断熱材を容易に得ることができる。
【0144】請求項11記載の発明は、請求項9又は1
0記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であ
って、前記断熱材成形ユニットは、前記Ni電鋳層上に
塗布された前記断熱材料を硬化させる硬化ユニットを含
むので、Ni電鋳層上への流動性を有する断熱材料の塗
布から硬化までを一貫して行なうことができ、よって、
連続した安定環境下でNi電鋳層上に断熱材を成膜する
ことができ、歩留まりの向上も期待することができる。
ひいては製造コストを安くすることも可能となる。
0記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であ
って、前記断熱材成形ユニットは、前記Ni電鋳層上に
塗布された前記断熱材料を硬化させる硬化ユニットを含
むので、Ni電鋳層上への流動性を有する断熱材料の塗
布から硬化までを一貫して行なうことができ、よって、
連続した安定環境下でNi電鋳層上に断熱材を成膜する
ことができ、歩留まりの向上も期待することができる。
ひいては製造コストを安くすることも可能となる。
【0145】請求項12記載の発明は、請求項11記載
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記硬化ユニットは、少なくとも雰囲気加熱方式とホッ
トプレート方式との2種類以上の方式で前記断熱材料を
硬化させるので、各種の方式を組み合わせることで、各
種の方式が持つ特質を生かすことができ、これにより、
形状及び機械的強度が均一である断熱材を容易にえるこ
とができる。
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記硬化ユニットは、少なくとも雰囲気加熱方式とホッ
トプレート方式との2種類以上の方式で前記断熱材料を
硬化させるので、各種の方式を組み合わせることで、各
種の方式が持つ特質を生かすことができ、これにより、
形状及び機械的強度が均一である断熱材を容易にえるこ
とができる。
【0146】請求項13記載の発明は、請求項11又は
12記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置で
あって、前記断熱材成形ユニットは、硬化後の前記断熱
材料の表面を改質して金属との塗れ性を向上させる表面
改質ユニットを含むので、断熱材上に更に金属層を形成
する場合にその密着性を良好にすることができる。ま
た、Ni電鋳層上への流動性を有する断熱材料の塗布か
ら硬化、そして表面改質までを一貫して行なうことがで
き、よって、連続した安定環境下でNi電鋳層上に断熱
材を成膜することができ、歩留まりの向上も期待するこ
とができる。ひいては製造コストを安くすることも可能
となる。
12記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置で
あって、前記断熱材成形ユニットは、硬化後の前記断熱
材料の表面を改質して金属との塗れ性を向上させる表面
改質ユニットを含むので、断熱材上に更に金属層を形成
する場合にその密着性を良好にすることができる。ま
た、Ni電鋳層上への流動性を有する断熱材料の塗布か
ら硬化、そして表面改質までを一貫して行なうことがで
き、よって、連続した安定環境下でNi電鋳層上に断熱
材を成膜することができ、歩留まりの向上も期待するこ
とができる。ひいては製造コストを安くすることも可能
となる。
【0147】請求項14記載の発明は、請求項13記載
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記表面改質ユニットは、紫外線照射方式とスパッタエ
ッチング方式との2種類の方式で前記断熱材料の表面を
改質するので、各種の方式を組み合わせることで、各種
の方式が持つ特質を生かすことができ、これにより、断
熱材の表面に所望の特性が容易に得ることができる。
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記表面改質ユニットは、紫外線照射方式とスパッタエ
ッチング方式との2種類の方式で前記断熱材料の表面を
改質するので、各種の方式を組み合わせることで、各種
の方式が持つ特質を生かすことができ、これにより、断
熱材の表面に所望の特性が容易に得ることができる。
【0148】請求項15記載の発明は、請求項1又は2
記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であっ
て、前記断熱材上に第2のNi電鋳層を成膜形成する第
2の電鋳ユニットを具備するので、Ni電鋳層と第2の
Ni電鋳層との間に断熱材がサンドイッチされた構造の
光ディスク基板成形用スタンパを得ることができ、光デ
ィスク基板成形用スタンパに対して、機械的強度上望ま
しく、また、断熱特性を制御しやすいという特質を付与
することができる。
記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であっ
て、前記断熱材上に第2のNi電鋳層を成膜形成する第
2の電鋳ユニットを具備するので、Ni電鋳層と第2の
Ni電鋳層との間に断熱材がサンドイッチされた構造の
光ディスク基板成形用スタンパを得ることができ、光デ
ィスク基板成形用スタンパに対して、機械的強度上望ま
しく、また、断熱特性を制御しやすいという特質を付与
することができる。
【0149】請求項16記載の発明は、請求項15記載
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記電鋳ユニットと前記第2の電鋳ユニットとは同一の
ユニットであるので、設備の効率的な活用を図ることが
できる。
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記電鋳ユニットと前記第2の電鋳ユニットとは同一の
ユニットであるので、設備の効率的な活用を図ることが
できる。
【0150】請求項17記載の発明は、請求項15又は
16記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置で
あって、前記断熱材成形ユニットから前記第2の電鋳ユ
ニットに被処理物を搬送する搬送機構を具備するので、
作業効率の向上を図ることができる。また、このような
作業が手作業で行なわれる場合に生じやすい被処理物の
汚れを防止することができ、被処理物を清浄に保つこと
ができる。これにより、欠陥出現率を低減させて歩留ま
りを向上させることができ、また、各部で特性が均一で
ある高精度な光ディスク基板成形用スタンパを得ること
ができる。
16記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置で
あって、前記断熱材成形ユニットから前記第2の電鋳ユ
ニットに被処理物を搬送する搬送機構を具備するので、
作業効率の向上を図ることができる。また、このような
作業が手作業で行なわれる場合に生じやすい被処理物の
汚れを防止することができ、被処理物を清浄に保つこと
ができる。これにより、欠陥出現率を低減させて歩留ま
りを向上させることができ、また、各部で特性が均一で
ある高精度な光ディスク基板成形用スタンパを得ること
ができる。
【0151】請求項18記載の発明は、請求項17記載
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記搬送機構による前記断熱材成形ユニットから前記第
2の電鋳ユニットへの被処理物の搬送は、密閉空間内で
行なわれるので、断熱材成形ユニットから第2の電鋳ユ
ニットに至るまで、被処理物をより清浄に維持すること
ができる。これにより、欠陥出現率を低減させて歩留ま
りを向上させることができ、また、各部で特性が均一で
ある高精度な光ディスク基板成形用スタンパを得ること
ができる。
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記搬送機構による前記断熱材成形ユニットから前記第
2の電鋳ユニットへの被処理物の搬送は、密閉空間内で
行なわれるので、断熱材成形ユニットから第2の電鋳ユ
ニットに至るまで、被処理物をより清浄に維持すること
ができる。これにより、欠陥出現率を低減させて歩留ま
りを向上させることができ、また、各部で特性が均一で
ある高精度な光ディスク基板成形用スタンパを得ること
ができる。
【0152】請求項19記載の発明は、請求項17又は
18記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置で
あって、前記断熱材成形ユニットと前記第2の電鋳ユニ
ットとの間には、被処理物を一時的に貯留するバッファ
室が設けられているので、多数個の被処理物を効率よく
各ユニットで処理することができる。つまり、複数の被
処理物に対して同時期に異なる処理を施すようなことが
可能となり、光ディスク基板成形用スタンパの製造に際
してのタクトアップを図ることができる。
18記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置で
あって、前記断熱材成形ユニットと前記第2の電鋳ユニ
ットとの間には、被処理物を一時的に貯留するバッファ
室が設けられているので、多数個の被処理物を効率よく
各ユニットで処理することができる。つまり、複数の被
処理物に対して同時期に異なる処理を施すようなことが
可能となり、光ディスク基板成形用スタンパの製造に際
してのタクトアップを図ることができる。
【0153】請求項20記載の発明は、請求項17、1
8又は19記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造
装置であって、前記断熱材成形ユニットと前記第2の電
鋳ユニットとは、開閉自在な扉を介して隔絶されている
ので、高温多湿である電鋳ユニットの環境が断熱材成形
ユニット内での断熱材の成膜動作に及ぼす悪影響を除去
することができ、したがって、欠陥出現率を低減させて
歩留まりを向上させることができる。
8又は19記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造
装置であって、前記断熱材成形ユニットと前記第2の電
鋳ユニットとは、開閉自在な扉を介して隔絶されている
ので、高温多湿である電鋳ユニットの環境が断熱材成形
ユニット内での断熱材の成膜動作に及ぼす悪影響を除去
することができ、したがって、欠陥出現率を低減させて
歩留まりを向上させることができる。
【0154】請求項21記載の発明は、請求項13又は
14記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置で
あって、前記断熱材上に第2のNi電鋳層を成膜形成す
る第2の電鋳ユニットを具備するので、Ni電鋳層と第
2のNi電鋳層との間に断熱材がサンドイッチされた構
造の光ディスク基板成形用スタンパを得ることができ、
光ディスク基板成形用スタンパに対して、機械的強度上
望ましく、また、断熱特性を制御しやすいという特質を
付与することができる。また、第2の電鋳ユニットは、
表面改質ユニットによって表面改質がなされた断熱材に
対してNi電鋳層を成膜形成することから、Ni電鋳層
と断熱材との密着性を向上させることができる。
14記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置で
あって、前記断熱材上に第2のNi電鋳層を成膜形成す
る第2の電鋳ユニットを具備するので、Ni電鋳層と第
2のNi電鋳層との間に断熱材がサンドイッチされた構
造の光ディスク基板成形用スタンパを得ることができ、
光ディスク基板成形用スタンパに対して、機械的強度上
望ましく、また、断熱特性を制御しやすいという特質を
付与することができる。また、第2の電鋳ユニットは、
表面改質ユニットによって表面改質がなされた断熱材に
対してNi電鋳層を成膜形成することから、Ni電鋳層
と断熱材との密着性を向上させることができる。
【0155】請求項22記載の発明は、請求項21記載
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記電鋳ユニットと前記第2の電鋳ユニットとは同一の
ユニットであるので、設備の効率的な活用を図ることが
できる。
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記電鋳ユニットと前記第2の電鋳ユニットとは同一の
ユニットであるので、設備の効率的な活用を図ることが
できる。
【0156】請求項23記載の発明は、請求項21又は
22記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置で
あって、前記表面改質ユニットと前記第2の電鋳ユニッ
トとの間には、前記断熱材上に導体化膜を成膜する導体
化膜成形ユニットが介在しているので、表面改質ユニッ
トでの表面改質、導体化膜成形ユニットでの断熱材上へ
の導体化膜の成膜、第2の電鋳ユニットによるNi電鋳
という一連の流れに沿った処理を実行することができ、
これより、第2の電鋳ユニットによる断熱材上へのNi
電鋳の密着性を強固にすることができる。
22記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置で
あって、前記表面改質ユニットと前記第2の電鋳ユニッ
トとの間には、前記断熱材上に導体化膜を成膜する導体
化膜成形ユニットが介在しているので、表面改質ユニッ
トでの表面改質、導体化膜成形ユニットでの断熱材上へ
の導体化膜の成膜、第2の電鋳ユニットによるNi電鋳
という一連の流れに沿った処理を実行することができ、
これより、第2の電鋳ユニットによる断熱材上へのNi
電鋳の密着性を強固にすることができる。
【0157】請求項24記載の発明は、請求項23記載
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記表面改質ユニットから前記導体化膜成形ユニットを
経て前記第2の電鋳ユニットに被処理物を搬送する搬送
機構を具備するので、作業効率の向上を図ることができ
る。また、このような作業が手作業で行なわれる場合に
生じやすい被処理物の汚れを防止することができ、被処
理物を清浄に保つことができる。これにより、欠陥出現
率を低減させて歩留まりを向上させることができ、ま
た、各部で特性が均一である高精度な光ディスク基板成
形用スタンパを得ることができる。
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記表面改質ユニットから前記導体化膜成形ユニットを
経て前記第2の電鋳ユニットに被処理物を搬送する搬送
機構を具備するので、作業効率の向上を図ることができ
る。また、このような作業が手作業で行なわれる場合に
生じやすい被処理物の汚れを防止することができ、被処
理物を清浄に保つことができる。これにより、欠陥出現
率を低減させて歩留まりを向上させることができ、ま
た、各部で特性が均一である高精度な光ディスク基板成
形用スタンパを得ることができる。
【0158】請求項25記載の発明は、請求項24記載
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記搬送機構による前記表面改質ユニットから前記導体
化膜成形ユニットを経た前記第2の電鋳ユニットへの被
処理物の搬送は、密閉空間内で行なわれるので、表面改
質ユニットから第2の電鋳ユニットに至るまで、被処理
物をより清浄に維持することができる。これにより、欠
陥出現率を低減させて歩留まりを向上させることがで
き、また、各部で特性が均一である高精度な光ディスク
基板成形用スタンパを得ることができる。
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記搬送機構による前記表面改質ユニットから前記導体
化膜成形ユニットを経た前記第2の電鋳ユニットへの被
処理物の搬送は、密閉空間内で行なわれるので、表面改
質ユニットから第2の電鋳ユニットに至るまで、被処理
物をより清浄に維持することができる。これにより、欠
陥出現率を低減させて歩留まりを向上させることがで
き、また、各部で特性が均一である高精度な光ディスク
基板成形用スタンパを得ることができる。
【0159】請求項26記載の発明は、請求項24又は
25記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置で
あって、前記表面改質ユニットと前記導体化膜成形ユニ
ットと前記第2の電鋳ユニットとの間には、被処理物を
一時的に貯留するバッファ室が設けられているので、多
数個の被処理物を効率よく各ユニットで処理することが
できる。つまり、複数の被処理物に対して同時期に異な
る処理を施すようなことが可能となり、光ディスク基板
成形用スタンパの製造に際してのタクトアップを図るこ
とができる。
25記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置で
あって、前記表面改質ユニットと前記導体化膜成形ユニ
ットと前記第2の電鋳ユニットとの間には、被処理物を
一時的に貯留するバッファ室が設けられているので、多
数個の被処理物を効率よく各ユニットで処理することが
できる。つまり、複数の被処理物に対して同時期に異な
る処理を施すようなことが可能となり、光ディスク基板
成形用スタンパの製造に際してのタクトアップを図るこ
とができる。
【0160】請求項27記載の発明は、請求項24、2
5又は26記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造
装置であって、前記表面改質ユニットと前記導体化膜成
形ユニットとは、開閉自在な扉を介して隔絶されている
ので、異なる処理を実行する表面改質ユニットと導体化
膜成形ユニットとの間での相互干渉を防止することがで
き、ひいては、欠陥出現率を低減させて歩留まりを向上
させることができ、また、各部で特性が均一である高精
度な光ディスク基板成形用スタンパを得ることができ
る。
5又は26記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造
装置であって、前記表面改質ユニットと前記導体化膜成
形ユニットとは、開閉自在な扉を介して隔絶されている
ので、異なる処理を実行する表面改質ユニットと導体化
膜成形ユニットとの間での相互干渉を防止することがで
き、ひいては、欠陥出現率を低減させて歩留まりを向上
させることができ、また、各部で特性が均一である高精
度な光ディスク基板成形用スタンパを得ることができ
る。
【0161】請求項28記載の発明は、請求項24、2
5、26又は27記載の光ディスク基板成形用スタンパ
の製造装置であって、前記導体化膜成形ユニットと前記
第2の電鋳ユニットとは、開閉自在な扉を介して隔絶さ
れているので、高温多湿である電鋳ユニットの環境が導
体化膜成形ユニット内での断熱材の成膜動作に及ぼす悪
影響を除去することができ、したがって、欠陥出現率を
低減させて歩留まりを向上させることができる。
5、26又は27記載の光ディスク基板成形用スタンパ
の製造装置であって、前記導体化膜成形ユニットと前記
第2の電鋳ユニットとは、開閉自在な扉を介して隔絶さ
れているので、高温多湿である電鋳ユニットの環境が導
体化膜成形ユニット内での断熱材の成膜動作に及ぼす悪
影響を除去することができ、したがって、欠陥出現率を
低減させて歩留まりを向上させることができる。
【0162】請求項29記載の発明は、請求項15ない
し28のいずれか一記載の光ディスク基板成形用スタン
パの製造装置であって、前記第2の電鋳ユニットは、被
処理面を上面にして被処理物を保持するテーブルと、N
iペレットを保持して前記テーブル上に配置されたノズ
ルより前記Niペレットを材料とするメッキ液を吐出す
るメッキ液吐出部と、前記テーブルに保持された被処理
物に負電圧を印加して前記Niペレットに正電圧を印加
する電圧印加部とを備え、前記ノズルより吐出する前記
メッキ液を介して前記テーブルに保持された被処理物と
前記Niペレットとを通電させて被処理面に電鋳を行な
うので、従来の電鋳方式では不可欠である被処理物をメ
ッキ液に漬けるという作業が不要となることから、被処
理物のテーブルに対するセットを容易にすることがで
き、電鋳ユニットに対する被処理物の自動処理化を促す
ことができる。
し28のいずれか一記載の光ディスク基板成形用スタン
パの製造装置であって、前記第2の電鋳ユニットは、被
処理面を上面にして被処理物を保持するテーブルと、N
iペレットを保持して前記テーブル上に配置されたノズ
ルより前記Niペレットを材料とするメッキ液を吐出す
るメッキ液吐出部と、前記テーブルに保持された被処理
物に負電圧を印加して前記Niペレットに正電圧を印加
する電圧印加部とを備え、前記ノズルより吐出する前記
メッキ液を介して前記テーブルに保持された被処理物と
前記Niペレットとを通電させて被処理面に電鋳を行な
うので、従来の電鋳方式では不可欠である被処理物をメ
ッキ液に漬けるという作業が不要となることから、被処
理物のテーブルに対するセットを容易にすることがで
き、電鋳ユニットに対する被処理物の自動処理化を促す
ことができる。
【0163】請求項30記載の発明は、請求項29記載
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記テーブルはターンテーブル構造を有するので、テー
ブルに保持された被処理物とノズルより吐出されるメッ
キ液との相対移動をターンテーブル構造のテーブルの回
転によって実現することができ、各部で均一厚みのNi
電鋳を行なうことができる。
の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置であって、
前記テーブルはターンテーブル構造を有するので、テー
ブルに保持された被処理物とノズルより吐出されるメッ
キ液との相対移動をターンテーブル構造のテーブルの回
転によって実現することができ、各部で均一厚みのNi
電鋳を行なうことができる。
【0164】請求項31記載の発明は、光ディスク基板
成形用スタンパの製造装置であって、転写面パターンを
備えたフォトレジスト原盤上に前記転写面パターンを写
した転写面を有するNi電鋳層を成膜形成してマスター
スタンパを製作することと、前記転写面を備えた前記マ
スタースタンパ上に前記転写面を写した反転転写面を有
するNi電鋳層を成膜形成してマザースタンパを製作す
ることと、前記反転転写面を備えたマザースタンパ上に
前記反転転写面を写した転写面を有するNi電鋳層を成
膜形成することでサンスタンパ用Ni電鋳層を製作する
こととを実行する電鋳ユニットと、前記サンスタンパ用
Ni電鋳層上に断熱性を有する断熱材を成膜形成する断
熱材成形ユニットと、を具備するので、断熱材が形成さ
れた光ディスク基板成形用スタンパを容易に得ることが
できる。しかも、マスタースタンパとマザースタンパと
サンスタンパとを一つの設備内で並列的に製造すること
ができ、よって、スペースの効率有効活用を図ることが
できる。このような光ディスク基板成形用スタンパを用
いた射出成形に際しては、断熱材の断熱作用により、溶
融樹脂充填後、従来より低温金型を用いても、スタンパ
に接触する樹脂温度が高くなることにより、充分な転写
性が得られる。よって、高温の転写温度によって転写性
が良好に維持され、かつ、低い金型温度により光ディス
ク基板成形サイクルのタクトアップを図ることができ
る。
成形用スタンパの製造装置であって、転写面パターンを
備えたフォトレジスト原盤上に前記転写面パターンを写
した転写面を有するNi電鋳層を成膜形成してマスター
スタンパを製作することと、前記転写面を備えた前記マ
スタースタンパ上に前記転写面を写した反転転写面を有
するNi電鋳層を成膜形成してマザースタンパを製作す
ることと、前記反転転写面を備えたマザースタンパ上に
前記反転転写面を写した転写面を有するNi電鋳層を成
膜形成することでサンスタンパ用Ni電鋳層を製作する
こととを実行する電鋳ユニットと、前記サンスタンパ用
Ni電鋳層上に断熱性を有する断熱材を成膜形成する断
熱材成形ユニットと、を具備するので、断熱材が形成さ
れた光ディスク基板成形用スタンパを容易に得ることが
できる。しかも、マスタースタンパとマザースタンパと
サンスタンパとを一つの設備内で並列的に製造すること
ができ、よって、スペースの効率有効活用を図ることが
できる。このような光ディスク基板成形用スタンパを用
いた射出成形に際しては、断熱材の断熱作用により、溶
融樹脂充填後、従来より低温金型を用いても、スタンパ
に接触する樹脂温度が高くなることにより、充分な転写
性が得られる。よって、高温の転写温度によって転写性
が良好に維持され、かつ、低い金型温度により光ディス
ク基板成形サイクルのタクトアップを図ることができ
る。
【0165】請求項32記載の発明は、転写面パターン
を備えたフォトレジスト原盤上に前記転写面パターンを
写した転写面を有するNi電鋳層を成膜形成する光ディ
ス基板成形用スタンパの製造方法において、被処理面を
上面にして被処理物をテーブルに保持するステップと、
前記テーブル上に保持された被処理物に対してNiペレ
ットを材料とするメッキ液を吐出するステップと、前記
テーブルに保持された被処理物に負電圧を印加して前記
Niペレットに正電圧を印加することで、吐出された前
記メッキ液を介して前記テーブルに保持された被処理物
と前記Niペレットとを通電させて被処理面に電鋳を行
なうステップと、を具備するので、従来の電鋳方式では
不可欠である被処理物をメッキ液に漬けるという作業が
不要となることから、被処理物のテーブルに対するセッ
トを容易にすることができ、電鋳ユニットに対する被処
理物の自動処理化を促すことができる。
を備えたフォトレジスト原盤上に前記転写面パターンを
写した転写面を有するNi電鋳層を成膜形成する光ディ
ス基板成形用スタンパの製造方法において、被処理面を
上面にして被処理物をテーブルに保持するステップと、
前記テーブル上に保持された被処理物に対してNiペレ
ットを材料とするメッキ液を吐出するステップと、前記
テーブルに保持された被処理物に負電圧を印加して前記
Niペレットに正電圧を印加することで、吐出された前
記メッキ液を介して前記テーブルに保持された被処理物
と前記Niペレットとを通電させて被処理面に電鋳を行
なうステップと、を具備するので、従来の電鋳方式では
不可欠である被処理物をメッキ液に漬けるという作業が
不要となることから、被処理物のテーブルに対するセッ
トを容易にすることができ、電鋳ユニットに対する被処
理物の自動処理化を促すことができる。
【0166】請求項33記載の発明は、反転転写面パタ
ーンを備えたマザースタンパ上に前記反転転写面パター
ンを写した転写面を有するNi電鋳層を成膜形成する光
ディス基板成形用スタンパの製造方法において、被処理
面を上面にして被処理物をテーブルに保持するステップ
と、前記テーブル上に保持された被処理物に対してNi
ペレットを材料とするメッキ液を吐出するステップと、
前記テーブルに保持された被処理物に負電圧を印加して
前記Niペレットに正電圧を印加することで、吐出され
た前記メッキ液を介して前記テーブルに保持された被処
理物と前記Niペレットとを通電させて被処理面に電鋳
を行なうステップと、を具備するので、従来の電鋳方式
では不可欠である被処理物をメッキ液に漬けるという作
業が不要となることから、被処理物のテーブルに対する
セットを容易にすることができ、電鋳ユニットに対する
被処理物の自動処理化を促すことができる。
ーンを備えたマザースタンパ上に前記反転転写面パター
ンを写した転写面を有するNi電鋳層を成膜形成する光
ディス基板成形用スタンパの製造方法において、被処理
面を上面にして被処理物をテーブルに保持するステップ
と、前記テーブル上に保持された被処理物に対してNi
ペレットを材料とするメッキ液を吐出するステップと、
前記テーブルに保持された被処理物に負電圧を印加して
前記Niペレットに正電圧を印加することで、吐出され
た前記メッキ液を介して前記テーブルに保持された被処
理物と前記Niペレットとを通電させて被処理面に電鋳
を行なうステップと、を具備するので、従来の電鋳方式
では不可欠である被処理物をメッキ液に漬けるという作
業が不要となることから、被処理物のテーブルに対する
セットを容易にすることができ、電鋳ユニットに対する
被処理物の自動処理化を促すことができる。
【0167】請求項34記載の発明は、請求項32又は
33記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造方法で
あって、前記Ni電鋳層上に断熱性を有する断熱材を成
膜形成するステップを更に具備するので、断熱材が形成
された光ディスク基板成形用スタンパを容易に得ること
ができる。このような光ディスク基板成形用スタンパを
用いた射出成形に際しては、断熱材の断熱作用により、
溶融樹脂充填後、従来より低温金型を用いても、スタン
パに接触する樹脂温度が高くなることにより、充分な転
写性が得られる。よって、高温の転写温度によって転写
性が良好に維持され、かつ、低い金型温度により光ディ
スク基板成形サイクルのタクトアップを図ることができ
る。
33記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造方法で
あって、前記Ni電鋳層上に断熱性を有する断熱材を成
膜形成するステップを更に具備するので、断熱材が形成
された光ディスク基板成形用スタンパを容易に得ること
ができる。このような光ディスク基板成形用スタンパを
用いた射出成形に際しては、断熱材の断熱作用により、
溶融樹脂充填後、従来より低温金型を用いても、スタン
パに接触する樹脂温度が高くなることにより、充分な転
写性が得られる。よって、高温の転写温度によって転写
性が良好に維持され、かつ、低い金型温度により光ディ
スク基板成形サイクルのタクトアップを図ることができ
る。
【0168】請求項35記載の発明は、請求項32、3
3又は34記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造
方法であって、被処理面に電鋳を行なうステップでは、
前記テーブルを回転させて吐出されるメッキ液と前記テ
ーブルに保持された被処理面とを相対移動させるので、
テーブルに保持された被処理物とノズルより吐出される
メッキ液との相対移動をターンテーブル構造のテーブル
の回転によって実現することができ、各部で均一厚みの
Ni電鋳を行なうことができる。
3又は34記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造
方法であって、被処理面に電鋳を行なうステップでは、
前記テーブルを回転させて吐出されるメッキ液と前記テ
ーブルに保持された被処理面とを相対移動させるので、
テーブルに保持された被処理物とノズルより吐出される
メッキ液との相対移動をターンテーブル構造のテーブル
の回転によって実現することができ、各部で均一厚みの
Ni電鋳を行なうことができる。
【図1】本発明の実施の一形態として、光ディスク基板
成形用スタンパの製造装置を示す模式図である。
成形用スタンパの製造装置を示す模式図である。
【図2】本発明の実施の一形態として、図1とは別の光
ディスク基板成形用スタンパの製造装置を示す模式図で
ある。
ディスク基板成形用スタンパの製造装置を示す模式図で
ある。
【図3】電鋳ユニットの内容を示す正面図である。
【図4】断熱材料塗布ユニット(高分子膜塗布ユニッ
ト)において断熱材料がNi電鋳層に塗布された状態を
示す正面図である。
ト)において断熱材料がNi電鋳層に塗布された状態を
示す正面図である。
【図5】断熱材料塗布ユニット(高分子膜塗布ユニッ
ト)においてNi電鋳層に塗布された断熱材料がスピン
コートされた状態を示す正面図である。
ト)においてNi電鋳層に塗布された断熱材料がスピン
コートされた状態を示す正面図である。
【図6】断熱材料塗布ユニット(高分子膜塗布ユニッ
ト)の構造を示す正面図である。
ト)の構造を示す正面図である。
【図7】硬化ユニット(高分子膜硬化ユニット)におけ
る雰囲気加熱方式での硬化処理の様子を示す模式図であ
る。
る雰囲気加熱方式での硬化処理の様子を示す模式図であ
る。
【図8】硬化ユニット(高分子膜硬化ユニット)におけ
るホットプレート方式での硬化処理の様子を示す模式図
である。
るホットプレート方式での硬化処理の様子を示す模式図
である。
【図9】処理時間と熱処理温度との関係(熱処理カー
ブ)を示すグラフである。
ブ)を示すグラフである。
【図10】硬化ユニット(高分子膜硬化ユニット)にお
ける被処理物の保持方法を示す正面図である。
ける被処理物の保持方法を示す正面図である。
【図11】表面改質ユニットにおける紫外線照射方式で
の表面改質処理の様子を示す模式図である。
の表面改質処理の様子を示す模式図である。
【図12】表面改質ユニットにおけるスパッタエッチン
グ方式での表面改質処理の様子を示す模式図である。
グ方式での表面改質処理の様子を示す模式図である。
【図13】通常の表面処理をした場合(a)と強い表面
処理をした場合(b)との断熱材表面の状態を示す模式
図である。
処理をした場合(b)との断熱材表面の状態を示す模式
図である。
【図14】光ディスク基板成形用スタンパ(断熱マスタ
ースタンパ)の製造過程を示す側面図である。
ースタンパ)の製造過程を示す側面図である。
【図15】完成した光ディスク基板成形用スタンパ(断
熱マスタースタンパ)の一部を示す側面図である。
熱マスタースタンパ)の一部を示す側面図である。
【図16】図15を拡大してその層構造を示す光ディス
ク基板成形用スタンパ(断熱マスタースタンパ)の模式
図である。
ク基板成形用スタンパ(断熱マスタースタンパ)の模式
図である。
【図17】光ディスク基板成形用スタンパ(断熱マスタ
ースタンパ)の別の一例を示す模式図である。
ースタンパ)の別の一例を示す模式図である。
【図18】本発明の別の実施の形態として、光ディスク
基板成形用スタンパ(断熱サンスタンパ)の製造過程を
概略的に示すフローチャートである。
基板成形用スタンパ(断熱サンスタンパ)の製造過程を
概略的に示すフローチャートである。
【図19】図18に示す製造過程をより詳しく示すフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図20】図18に示す製造過程に従った側面図であ
る。
る。
【図21】完成した光ディスク基板成形用スタンパ(断
熱サンスタンパ)の一部を示す側面図である。
熱サンスタンパ)の一部を示す側面図である。
【図22】金型温度と基板転写温度との関係を従来の一
例と本実施の形態との比較において示すグラフである。
例と本実施の形態との比較において示すグラフである。
【図23】原盤露光から梱包出荷までの一連の流れを示
す模式図である。
す模式図である。
【図24】光ディスク(CD−R)の縦断側面図であ
る。
る。
【図25】一対の金型の間に形成されるキャビティ内に
射出充填された樹脂の状態を示す模式図である。
射出充填された樹脂の状態を示す模式図である。
【図26】光ディスク基板成形用スタンパの製造に際し
ての課題を体系的に示す模式図である。
ての課題を体系的に示す模式図である。
1 光ディスク基板成形用スタンパ(断熱マ
スタースタンパ、断熱サンスタンパ) 2、22 ガラス基板(原盤) 3、23 フォトレジスト 4、24 転写面パターン(凹凸微細パターン) 6 Ni電鋳層、マスター転写金属層(Ni
電鋳層) 7 断熱材、マスター断熱層 9 第2のNi電鋳層、マスター金属層(N
i電鋳層) 11、38 転写面 21 サンスタンパ(断熱サンスタンパ) 26 Ni電鋳層、スタンパ材、サン転写金属
層(Ni電鋳層) 27 マスタースタンパ 29 マザー転写金属層(Ni電鋳層) 30 反転転写面パターン 31 マザースタンパ 33 第2のNi電鋳層、サン金属層(Ni電
鋳層) 34 断熱材、サン断熱層 101 電鋳ユニット、第2の電鋳ユニット 102 断熱材料塗布ユニット(高分子膜塗布ユ
ニット) 103 硬化ユニット(高分子膜塗布ユニット) 104 表面改質ユニット 105 導体化膜成形ユニット 106 断熱材成形ユニット 107 バッファ室 108 扉 109 テーブル、ターンテーブル 110 メッキ液吐出部 111 ノズル 114 断熱材料
スタースタンパ、断熱サンスタンパ) 2、22 ガラス基板(原盤) 3、23 フォトレジスト 4、24 転写面パターン(凹凸微細パターン) 6 Ni電鋳層、マスター転写金属層(Ni
電鋳層) 7 断熱材、マスター断熱層 9 第2のNi電鋳層、マスター金属層(N
i電鋳層) 11、38 転写面 21 サンスタンパ(断熱サンスタンパ) 26 Ni電鋳層、スタンパ材、サン転写金属
層(Ni電鋳層) 27 マスタースタンパ 29 マザー転写金属層(Ni電鋳層) 30 反転転写面パターン 31 マザースタンパ 33 第2のNi電鋳層、サン金属層(Ni電
鋳層) 34 断熱材、サン断熱層 101 電鋳ユニット、第2の電鋳ユニット 102 断熱材料塗布ユニット(高分子膜塗布ユ
ニット) 103 硬化ユニット(高分子膜塗布ユニット) 104 表面改質ユニット 105 導体化膜成形ユニット 106 断熱材成形ユニット 107 バッファ室 108 扉 109 テーブル、ターンテーブル 110 メッキ液吐出部 111 ノズル 114 断熱材料
Claims (35)
- 【請求項1】 転写面パターンを備えたフォトレジスト
原盤上に前記転写面パターンを写した転写面を有するN
i電鋳層を成膜形成する電鋳ユニットと、 前記Ni電鋳層上に断熱性を有する断熱材を成膜形成す
る断熱材成形ユニットと、を具備する光ディスク基板成
形用スタンパの製造装置。 - 【請求項2】 反転転写面パターンを備えたマザースタ
ンパ上に前記反転転写面パターンを写した転写面を有す
るNi電鋳層を成膜形成する電鋳ユニットと、 前記Ni電鋳層上に断熱性を有する断熱材を成膜形成す
る断熱材成形ユニットと、を具備する光ディスク基板成
形用スタンパの製造装置。 - 【請求項3】 前記電鋳ユニットから前記断熱材成形ユ
ニットに被処理物を搬送する搬送機構を具備する請求項
1又は2記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装
置。 - 【請求項4】 前記搬送機構による前記電鋳ユニットか
ら前記断熱材成形ユニットへの被処理物の搬送は、密閉
空間内で行なわれる請求項3記載の光ディスク基板成形
用スタンパの製造装置。 - 【請求項5】 前記電鋳ユニットと前記断熱材成形ユニ
ットとの間には、被処理物を一時的に貯留するバッファ
室が設けられている請求項3又は4記載の光ディスク基
板成形用スタンパの製造装置。 - 【請求項6】 前記電鋳ユニットと前記断熱材成形ユニ
ットとは、開閉自在な扉を介して隔絶されている請求項
3、4又は5記載の光ディスク基板成形用スタンパの製
造装置。 - 【請求項7】 前記電鋳ユニットは、被処理面を上面に
して被処理物を保持するテーブルと、Niペレットを保
持して前記テーブル上に配置されたノズルより前記Ni
ペレットを材料とするメッキ液を吐出するメッキ液吐出
部と、前記テーブルに保持された被処理物に負電圧を印
加して前記Niペレットに正電圧を印加する電圧印加部
とを備え、前記ノズルより吐出する前記メッキ液を介し
て前記テーブルに保持された被処理物と前記Niペレッ
トとを通電させて被処理面に電鋳を行なう請求項1ない
し6のいずれか一記載の光ディス基板成形用スタンパの
製造装置。 - 【請求項8】 前記テーブルはターンテーブル構造を有
する請求項7記載の光ディス基板成形用スタンパの製造
装置。 - 【請求項9】 前記断熱材成形ユニットは、前記Ni電
鋳層上に流動性を有する断熱材料を所定の厚さで塗布す
る断熱材料塗布ユニットを含む請求項1又は2記載の光
ディスク基板成形用スタンパの製造装置。 - 【請求項10】 前記断熱材料塗布ユニットは、スピン
コーター法によって前記Ni電鋳層上に前記断熱材料を
塗布する請求項9記載の光ディスク基板成形用スタンパ
の製造装置。 - 【請求項11】 前記断熱材成形ユニットは、前記Ni
電鋳層上に塗布された前記断熱材料を硬化させる硬化ユ
ニットを含む請求項9又は10記載の光ディスク基板成
形用スタンパの製造装置。 - 【請求項12】 前記硬化ユニットは、少なくとも雰囲
気加熱方式とホットプレート方式との2種類以上の方式
で前記断熱材料を硬化させる請求項11記載の光ディス
基板成形用スタンパの製造装置。 - 【請求項13】 前記断熱材成形ユニットは、硬化後の
前記断熱材料の表面を改質して金属との濡れ性を向上さ
せる表面改質ユニットを含む請求項11又は12記載の
光ディスク基板成形用スタンパの製造装置。 - 【請求項14】 前記表面改質ユニットは、紫外線照射
方式とスパッタエッチング方式との2種類の方式で前記
断熱材料の表面を改質する請求項13記載の光ディスク
基板成形用スタンパの製造装置。 - 【請求項15】 前記断熱材上に第2のNi電鋳層を成
膜形成する第2の電鋳ユニットを具備する請求項1又は
2記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装置。 - 【請求項16】 前記電鋳ユニットと前記第2の電鋳ユ
ニットとは同一のユニットである請求項15記載の光デ
ィスク基板成形用スタンパの製造装置。 - 【請求項17】 前記断熱材成形ユニットから前記第2
の電鋳ユニットに被処理物を搬送する搬送機構を具備す
る請求項15又は16記載の光ディスク基板成形用スタ
ンパの製造装置。 - 【請求項18】 前記搬送機構による前記断熱材成形ユ
ニットから前記第2の電鋳ユニットへの被処理物の搬送
は、密閉空間内で行なわれる請求項17記載の光ディス
ク基板成形用スタンパの製造装置。 - 【請求項19】 前記断熱材成形ユニットと前記第2の
電鋳ユニットとの間には、被処理物を一時的に貯留する
バッファ室が設けられている請求項17又は18記載の
光ディスク基板成形用スタンパの製造装置。 - 【請求項20】 前記断熱材成形ユニットと前記第2の
電鋳ユニットとは、開閉自在な扉を介して隔絶されてい
る請求項17、18又は19記載の光ディスク基板成形
用スタンパの製造装置。 - 【請求項21】 前記断熱材上に第2のNi電鋳層を成
膜形成する第2の電鋳ユニットを具備する請求項13又
は14記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装
置。 - 【請求項22】 前記電鋳ユニットと前記第2の電鋳ユ
ニットとは同一のユニットである請求項21記載の光デ
ィスク基板成形用スタンパの製造装置。 - 【請求項23】 前記表面改質ユニットと前記第2の電
鋳ユニットとの間には、前記断熱材上に導体化膜を成膜
する導体化膜成形ユニットが介在している請求項21又
は22記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造装
置。 - 【請求項24】 前記表面改質ユニットから前記導体化
膜成形ユニットを経て前記第2の電鋳ユニットに被処理
物を搬送する搬送機構を具備する請求項23記載の光デ
ィスク基板成形用スタンパの製造装置。 - 【請求項25】 前記搬送機構による前記表面改質ユニ
ットから前記導体化膜成形ユニットを経た前記第2の電
鋳ユニットへの被処理物の搬送は、密閉空間内で行なわ
れる請求項24記載の光ディスク基板成形用スタンパの
製造装置。 - 【請求項26】 前記表面改質ユニットと前記導体化膜
成形ユニットと前記第2の電鋳ユニットとの間には、被
処理物を一時的に貯留するバッファ室が設けられている
請求項24又は25記載の光ディスク基板成形用スタン
パの製造装置。 - 【請求項27】 前記表面改質ユニットと前記導体化膜
成形ユニットとは、開閉自在な扉を介して隔絶されてい
る請求項24、25又は26記載の光ディスク基板成形
用スタンパの製造装置。 - 【請求項28】 前記導体化膜成形ユニットと前記第2
の電鋳ユニットとは、開閉自在な扉を介して隔絶されて
いる請求項24、25、26又は27記載の光ディスク
基板成形用スタンパの製造装置。 - 【請求項29】 前記第2の電鋳ユニットは、被処理面
を上面にして被処理物を保持するテーブルと、Niペレ
ットを保持して前記テーブル上に配置されたノズルより
前記Niペレットを材料とするメッキ液を吐出するメッ
キ液吐出部と、前記テーブルに保持された被処理物に負
電圧を印加して前記Niペレットに正電圧を印加する電
圧印加部とを備え、前記ノズルより吐出する前記メッキ
液を介して前記テーブルに保持された被処理物と前記N
iペレットとを通電させて被処理面に電鋳を行なう請求
項15ないし28のいずれか一記載の光ディス基板成形
用スタンパの製造装置。 - 【請求項30】 前記テーブルはターンテーブル構造を
有する請求項29記載の光ディス基板成形用スタンパの
製造装置。 - 【請求項31】 転写面パターンを備えたフォトレジス
ト原盤上に前記転写面パターンを写した転写面を有する
Ni電鋳層を成膜形成してマスタースタンパを製作する
ことと、前記転写面を備えた前記マスタースタンパ上に
前記転写面を写した反転転写面を有するNi電鋳層を成
膜形成してマザースタンパを製作することと、前記反転
転写面を備えたマザースタンパ上に前記反転転写面を写
した転写面を有するNi電鋳層を成膜形成することでサ
ンスタンパ用Ni電鋳層を製作することとを実行する電
鋳ユニットと、 前記サンスタンパ用Ni電鋳層上に断熱性を有する断熱
材を成膜形成する断熱材成形ユニットと、を具備する光
ディスク基板成形用スタンパの製造装置。 - 【請求項32】 転写面パターンを備えたフォトレジス
ト原盤上に前記転写面パターンを写した転写面を有する
Ni電鋳層を成膜形成する光ディス基板成形用スタンパ
の製造方法において、 被処理面を上面にして被処理物をテーブルに保持するス
テップと、 前記テーブル上に保持された被処理物に対してNiペレ
ットを材料とするメッキ液を吐出するステップと、 前記テーブルに保持された被処理物に負電圧を印加して
前記Niペレットに正電圧を印加することで、吐出され
た前記メッキ液を介して前記テーブルに保持された被処
理物と前記Niペレットとを通電させて被処理面に電鋳
を行なうステップと、を具備する光ディス基板成形用ス
タンパの製造方法。 - 【請求項33】 反転転写面パターンを備えたマザース
タンパ上に前記反転転写面パターンを写した転写面を有
するNi電鋳層を成膜形成する光ディス基板成形用スタ
ンパの製造方法において、 被処理面を上面にして被処理物をテーブルに保持するス
テップと、 前記テーブル上に保持された被処理物に対してNiペレ
ットを材料とするメッキ液を吐出するステップと、 前記テーブルに保持された被処理物に負電圧を印加して
前記Niペレットに正電圧を印加することで、吐出され
た前記メッキ液を介して前記テーブルに保持された被処
理物と前記Niペレットとを通電させて被処理面に電鋳
を行なうステップと、を具備する光ディス基板成形用ス
タンパの製造方法。 - 【請求項34】 前記Ni電鋳層上に断熱性を有する断
熱材を成膜形成するステップを更に具備する請求項32
又は33記載の光ディスク基板成形用スタンパの製造方
法。 - 【請求項35】 被処理面に電鋳を行なうステップで
は、前記テーブルを回転させて吐出されるメッキ液と前
記テーブルに保持された被処理面とを相対移動させる請
求項32、33又は34記載の光ディスク基板成形用ス
タンパの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000088122A JP2001273685A (ja) | 2000-03-28 | 2000-03-28 | 光ディスク基板成形用スタンパの製造装置及び製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000088122A JP2001273685A (ja) | 2000-03-28 | 2000-03-28 | 光ディスク基板成形用スタンパの製造装置及び製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001273685A true JP2001273685A (ja) | 2001-10-05 |
Family
ID=18604039
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000088122A Pending JP2001273685A (ja) | 2000-03-28 | 2000-03-28 | 光ディスク基板成形用スタンパの製造装置及び製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001273685A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100455381B1 (ko) * | 2002-02-28 | 2004-11-06 | 삼성전자주식회사 | Odd 제품의 성능을 향상시키기 위한 디스크 및 그 제조방법 |
JP2005515922A (ja) * | 2002-01-25 | 2005-06-02 | ダヴィラ,ミルトン | マルチメディアギフトカード |
JPWO2008053732A1 (ja) * | 2006-10-31 | 2010-02-25 | コニカミノルタオプト株式会社 | 成形用金型及びその製造方法 |
US7704066B2 (en) | 2004-10-21 | 2010-04-27 | Ricoh Company, Ltd. | Heat insulating stamper structure |
-
2000
- 2000-03-28 JP JP2000088122A patent/JP2001273685A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005515922A (ja) * | 2002-01-25 | 2005-06-02 | ダヴィラ,ミルトン | マルチメディアギフトカード |
KR100455381B1 (ko) * | 2002-02-28 | 2004-11-06 | 삼성전자주식회사 | Odd 제품의 성능을 향상시키기 위한 디스크 및 그 제조방법 |
US7704066B2 (en) | 2004-10-21 | 2010-04-27 | Ricoh Company, Ltd. | Heat insulating stamper structure |
JPWO2008053732A1 (ja) * | 2006-10-31 | 2010-02-25 | コニカミノルタオプト株式会社 | 成形用金型及びその製造方法 |
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