JP3871494B2

JP3871494B2 - スタンパの作成方法

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Publication number: JP3871494B2
Application number: JP2000114194A
Authority: JP
Inventors: 滋藤田
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
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Filing date: 2000-04-14
Publication date: 2007-01-24
Anticipated expiration: 2020-04-14
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スタンパの作成方法に関し、より詳細には、光ディスク用成形金型であるスタンパの成形転写性並びに成形タクトの短縮を図るべく考案された、Ｎｉ以外の材料を追加したハイブリッド型スタンパの作成方法であって、マスタスタンパとサンスタンパともに適用可能なスタンパの作成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光ディスク成型用スタンパを製造する方法としては、ガラス基板上にフォトレジスト膜を塗布形成し、レーザ露光、現像などの工程を経て、フォトレジスト膜上に微細な凹凸パターンを有した光ディスク原盤を作成し、次にこの光ディスク原盤の表面にＮｉ（ニッケル）等の金属導体化膜を形成し、これを陰極として電鋳してＮｉ電鋳膜を形成したものを原盤から剥離することによりスタンパを製造する方法が一般的である。光ディスクは、このようにして得られたスタンパを出射成形金型に用いて製造される。
【０００３】
図２は、従来のスタンパ作成方法によって作成された、上下刃を有する内外形加工用プレス装置に載置する前のスタンパの状態を示す図である。最終的には、φ２２〜３６ｍｍ中心穴とφ１３０〜１５０ｍｍ外径をもつスタンパが成形金型に装着されＰＣ基板の大量生産がなされる。流動状の成形樹脂がスタンパ表面に沿って射出され、冷却されながら接触硬化して転写が完了する。従って、スタンパ品質としては最低必須条件として成形キャビティの寸法領域の熱特性の均一性が要求される。
【０００４】
特願平１１−２９８５２６号公報に記載の発明は、光ディスク基板成形用スタンパに断熱層を設けることにより、高温の転写温度によって転写性を良好に維持すること、かつ、低い金型温度により光ディスク基板成形サイクルのタクトアップを図ることが可能な光ディスク基板成形用スタンパ、及びその作成方法が記載されている。断熱層は、光ディスク基板成形用の転写面に沿わせて転写面以外の部分に設けられている。このような断熱層を用いて金型のキャビティに溶融樹脂を射出充填すると、断熱層の断熱作用により、溶融樹脂充填後、従来より低温金型を用いても、スタンパに接触する樹脂温度が高くなることにより、充分な転写性が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のスタンパの作成方法（図２参照）では、内外径加工後に、高分子層２２がスタンパ側面（内／外）に露出してしまう。実際、量産工程において、従来の作成方法によるスタンパ２は、金型への着脱時にスタンパ内縁部に剥がれが発生しやすいという事実が判明した。ショット数の増加に伴い、定期的にスタンパのメンテを行うが、そのとき特に発生頻度が高くなる。この理由として、スタンパ平面度の経時的な劣化が指摘されている。湾曲してかつ剥がれの要因を内在しているためである。
【０００６】
上述の課題は、ハイブリッド型スタンパの開発において、
（１）メッキ工程の設計並びに条件決定、
（２）断熱層（高分子材）の塗布方法と条件決定、
（３）断熱層の硬化条件の検討、に関する課題であり、耐久性に関する高分子層と導電膜の密着性，１次メッキと高分子層の密着性、高分子層の厚みの均一性等のプロセス条件に関する課題である。
【０００７】
本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなされたものであり、金型への着脱時にスタンパ内縁部に剥がれが発生しないように剥がれの起点をなくしたスタンパの作成方法を提供することをその目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明では、光ディスク成形用スタンパを、断熱材料を成膜形成するに当たって、スタンパの外縁近傍及び内縁近傍に断熱材料が存在しないように作成する。
【０００９】
請求項１の発明は、情報記録溝を有する導電皮膜処理済みガラス原盤に、全面にわたり所定の厚さだけ電鋳処理（１次メッキ）を施し、記録領域の内側のミラー面領域及び／又は外側ミラー面に含まれる所定の範囲に限定して凸部が形成されるべく電鋳処理（ボス形状メッキ／リング形状メッキ）で凸形状メッキ層を形成し、該凸形状メッキ層以外の領域に所定の厚みと材質を有する断熱層を形成し、導電皮膜処理を行い、最後に厚づけ電鋳処理（２次メッキ）を全面に施し、前記ガラス原盤から分離することを特徴としたものである。
【００１０】
請求項２の発明は、情報記録溝を有する剥離皮膜処理済みマザースタンパに、全面にわたり所定の厚さだけ電鋳処理（１次メッキ）を施し、記録領域の内側のミラー面領域及び／又は外側ミラー面に含まれる所定の範囲に限定して凸部が形成されるべく電鋳処理（ボス形状メッキ／リング形状メッキ）で凸形状メッキ層を形成し、該凸形状メッキ層以外の領域に所定の厚みと材質を有する断熱層を形成し、導電皮膜処理を行い、最後に厚づけ電鋳処理（２次メッキ）を全面に施し、前記マザースタンパからサンスタンパを分離することを特徴としたものである。
【００１１】
請求項３の発明は、請求項１又は２の発明において、前記断熱層の厚みは前記凸形状メッキ層の厚み以下であることを特徴としたものである。
【００１２】
請求項４の発明は、請求項１乃至３の発明において、電気力線分布を制御する部材のみを取り替える構造を有する電鋳陰極ジグを使用して電鋳処理を施すことを特徴としたものである。
【００１３】
請求項５の発明は、請求項１乃至３の発明において、前記断熱層を形成する方法としてスピンコート法で材料を塗布し、雰囲気加熱方式及び／又は接触加熱方式で硬化させることを特徴としたものである。
【００１４】
請求項６の発明は、請求項４の発明において、断熱材料の最終硬化温度より低温状態に所定の時間保ち、硬化前の断熱材料に含まれる揮発性成分の残留を極力回避することを特徴としたものである。
【００１５】
請求項７の発明は、請求項４の発明において、前記ガラス原盤或いはマザースタンパの裏面を剛体と一体化（吸着あるいは接合）させた状態で、処理を完結し、断熱層の硬化収縮に伴うワーク変形を抑えることを特徴としたものである。
【００１６】
請求項８の発明は、請求項４の発明において、前記凸形状メッキ層の側壁の一部若しくは全面に所望の表面処理を施し、断熱材料との塗れ性を制御することで、前記凸形状メッキ層の上面部に断熱材料が被覆されることを防止することを特徴としたものである。
【００１７】
請求項９の発明は、請求項４又は５の発明において、前記断熱層の内径寸法を成形金型の内周押さえ部材の外径寸法より小さくし、かつ、前記断熱層の外径寸法を成形金型の外周押さえリング内径より大きくするマスクを使用することを特徴としたものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明は、光ディスク用成形金型であるスタンパの成形転写性並びに成形タクトの短縮を図るべく考案された、Ｎｉ以外の材料を追加したハイブリッド型スタンパの作成方法であって、マスタスタンパとサンスタンパともに適用可能なスタンパの作成方法に関する。本発明においては、光ディスク成形用スタンパを、断熱材料を成膜形成するに当たって、スタンパの外縁近傍及び内縁近傍に断熱材料が存在しないように作成する。
【００１９】
図１は、本発明のスタンパ作成方法によって作成されたハイブリッド型スタンパの基本的な層構成を示す図である。図２は、従来のスタンパ作成方法によって作成されたハイブリッド型スタンパの基本的な層構成を示す図である。図１，図２共に、上下刃を有する内外形加工用プレス装置に載置する前のスタンパの状態を示している。本発明は、従来技術によるスタンパ（図２参照）の改良型としてのスタンパ（図１参照）の製作方法を提供する。
【００２０】
従来技術によるスタンパ作成方法（図２）によって作成されたスタンパ２は、内外径加工後に、高分子層２２がスタンパ側面（内／外）に露出する。一方、本発明によるスタンパ作成方法（図１）によって作成されたスタンパ１は、高分子層１２の露出を回避し、Ｎｉそのものが露出するようにする。従って、量産工程において金型への着脱時にスタンパ内縁部に剥がれが発生しやすいという事実は、本発明によるスタンパの剥がれの起点がないという事実によって、解消される。
【００２１】
図３は、本発明によるハイブリッド型スタンパ作成工程を説明するための図、図４は、スタンパ作成工程の概要を説明するための図である。
ハイブリッド型スタンパの作成方法としては、まず、ガラス基板にレジストを塗布し、露光、フォトリングにより、転写面パターンとしての凹凸微細パターンを形成することによりガラス原盤を作成する（ステップＳ１）。次に、第１の導電化処理として、Ｎｉスパッタ或いは無電解Ｎｉにより、凹凸微細パターンに導電化膜を形成する（ステップＳ２）。続いて、ガラス基板よりＮｉ電鋳層を剥離し、残存のレジストを除去することでマスタスタンパを作成し、第１の剥離皮膜処理（ステップＳ４１）を行う（ステップＳ３）。剥離皮膜処理を行ったマスタスタンパから電鋳厚づけ（ステップＳ４２）、電鋳層を剥離（ステップＳ４３）することによりマザースタンパを作成し、第２の剥離皮膜処理を行う（ステップＳ４）。最後に、後述するサンスタンパ作成工程（ステップＳ５）を経て、サンスタンパの裏面研磨、内外形加工、検査等、仕上げを行う（ステップＳ６）。
【００２２】
ハイブリッド型スタンパと従来の複製スタンパ製作工程との相違点は、図３中のステップＳ５のサンスタンパ作成の工程である。このサンスタンパ作成プロセスは、大きく分けて、１次メッキ，高分子層形成，第２の導電化処理，２次メッキの４プロセスから構成されている。一方、従来のスタンパは、１回のメッキ工程で３００μｍ厚みのＮｉスタンパを完成させて、マザースタンパから剥がして次工程のサンスタンパ仕上げ（ステップＳ６に該当）に進むことになる。以下、１次メッキ，高分子層形成，第２の導電化処理，２次メッキの各プロセスに関して詳細を説明する。
【００２３】
剥離皮膜処理（ステップＳ５１）を行ったマザースタンパに対し、電鋳薄づけ（１次メッキ処理：ステップＳ５２）を行い、１次メッキ層を形成する。再度、図１のハイブリッド型スタンパ１の層構成を参照する。１次メッキ１１の最表面には、ガラス原盤で設けられた情報用記録溝が形成されている。メッキ厚みは成形機と成形条件で決められ、ここでは例として１０〜５０μｍを採用している。図１はマザーから剥がした後の、単体を表現しているが、実工程では、剥離皮膜ＮｉＯｘを介してマザー面上に析出されている。
【００２４】
次に、ガラス転移点が２２０℃以上の高耐熱性樹脂層を積層する（高分子層形成：ステップＳ５３）。この樹脂層は、硬化後のフィルムでもよいし、溶剤で希釈された液状高分子でもよい。具体例としては、ＰＩ系（ポリイミド）、ＰＥＥＫ系（ポリエーテルエーテルケトン）、ＡＰＡ系（アラミド）、ＰＡＩ系（ポリアミドイミド）、ＰＰＳ系（ポリフェニレンスルフィド）などが適用可能である。フイルムの場合、使用時の環境（温度２５０℃以上、圧力２００Ｋｇ／ｃｍ²以上）に耐えるためには、１次メッキ１１との密着性／剥離強度を充分に考慮した接着剤層を必要とする。
【００２５】
高分子層１２の厚みは、成形条件に依存するが、１０〜５０μｍ（面内ばらつき±１μｍ）が実用範囲である。従って、液状の高分子材を所定量だけ滴下し、ガス巻き込みや異物混入防止や、塗りむら防止が設備に課せられる課題である。この工程で発生した微少欠陥は次工程の厚膜（約２５０μｍ）２次メッキ工程で増幅された形状欠陥となる。これは電鋳時の電気力線の集中（エッジ効果）に起因するものである。これらの理由から、サン複製工程設備は、清浄環境でかつ人手が介在しないクローズなインラインシステムが必須となる。
【００２６】
高分子層１２を形成した後は、２次メッキ用の導電化処理（導電膜形成：ステップＳ５５）をＮｉスパッタ或いは無電解Ｎｉメッキで行う。この際、問題となるのがこの５００〜１０００Å厚みの薄膜Ｎｉ層と高分子表面との密着性である。その後、電鋳厚づけ（ステップＳ５６）を行い、マザースタンパからサンスタンパ（サンａ）を剥離（ステップＳ５７）する。上記工程を繰り返して次のサンスタンパ（サンｂ以降）を形成する。
【００２７】
硬化後の高分子表面は、通常、金属との塗れ性が悪く一般的には表面改質をする（ステップＳ５４）のが好ましい。本発明の設備においてもこの点を勘案した構成を検討する必要性がある。具体的には、乾式の紫外線照射方式とスパッタエッチング方式を採用できる。紫外線照射方式は、反応が比較的緩慢であり安定したプロセスであるが処理時間が長くなるという欠点を有する。一方、スパッタエッチング方式は、加速された原子状イオンがシャワーのごとくワーク面に衝突するため処理条件の選定が難しく、過度な処理は高分子表面にＷＢＬ層（ＷｅａｋＢｏｕｎｄａｒｙＬａｙｅｒ）を惹起するため注意が必要である。クロム酸系の湿式酸化法もあるが、欠陥低減と液管理の煩雑を避けるために、上記の乾式方式を採用するが好ましい。
【００２８】
ハイブリッド型スタンパの構造／形状を作ることは必須であるが、更に加えて成形機内部での過酷な条件に耐える必要がある。その意味で、成形機の高分子層劣化性，高分子層と導電膜の密着性，１次メッキと高分子層の密着性といった課題群をクリアにする技術的なアプローチが要求される。成形機キャビティ内では高温／高圧下での繰り返し曲げ応力や樹脂流動に伴う摩擦応力並びに数秒単位での５０〜３００℃熱サイクルに曝されるのである。好ましくは、２０万ショット以上を目標とする。
【００２９】
各工程の方式を選定するためは、所望の高分子層を形成することに注力する必要性がある。しかも直径２００ｍｍの面積にわたって均一な層厚みを確保しかつ所望の耐久性を維持するための条件的な工夫が必要となる。つまり、転写面の平滑性を含む高分子厚み均一性，高分子構造均一性，硬化機構，密着性向上を含む表面品質を考慮する必要がある。また、情報記録用媒体の金型であるので高度な清浄性が前提でありかつ異なるプロセスを経る関係上、工程間の搬送方法及びワーク保持方法を含むワーク搬送の工夫も必須である。
【００３０】
以上の全般的な説明を踏まえて、本発明の特徴を詳細に説明する。
図５は、本発明の一実施形態におけるハイブリッド型スタンパの作成方法を説明するための図で、請求項１乃至３の発明に対応する、ガラス原盤からスタートするマスタ作成の工程の一例を示す図である。図５を用いて、各層の積層の過程を説明する。図５（Ｂ）は、この積層過程の２ステップ目に相当し、断面中心部にボスメッキ（２次メッキ）１３が表現されている。
【００３１】
まず、情報記録溝を有する導電皮膜処理済みガラス原盤１７に、全面にわたり所定の厚さだけ電鋳処理（１次メッキ１１）を施す（図５（Ａ））。次に、記録領域の内側ミラー面領域及び／又は、外側ミラー面に含まれる所定の範囲に限定して凸部が形成されるべく電鋳処理（ボス形状メッキ／リング形状メッキ）で凸形状メッキ層１３を形成する（図５（Ｂ））。次に、該凸形状メッキの以外の領域に所定の厚みと材質を有する断熱層１２を形成する。なお、図５（Ｂ）においては、ボス形状のメッキ１３のみの場合を示しているが、断熱層（高分子層）１２の外縁に当たる位置にもリング形状のメッキ層を形成することが好ましい。しかる後に、導電皮膜処理を行い、最終の厚づけ電鋳処理（２次メッキ１５）を全面に施し（図５（Ｃ））、ガラス原盤１７から分離する。情報記録溝を有する剥離皮膜処理済みマザースタンパからサンスタンパを分離する工程も同様である。最後或いはガラス原盤１７若しくはマザースタンパから分離後に、中心取り付け穴１８を開ける（図５（Ｄ））。
以下、各工程をより詳細に説明する。
【００３２】
図６は、図５（Ａ）のボスメッキを作成する様子を説明するための図で、２段メッキ（遮蔽板の交換）を示す図である。スルファミン酸Ｎｉ電鋳浴に所定濃度の硼酸並びに界面活性剤で調整されている。図６中、左下に配置されている陽極バッグ３１にはＮｉペレットが充填されている。これに対向してワーク３３（ガラス原盤若しくはマザースタンパ）を固定した回転陰極部３２が設置されている。ワーク３３の全面には電気力線に沿ってＮｉイオンがワーク３３に向かって移動し電気メッキが進行していく。Ｎｉイオンの流路には遮蔽部材３４，３５が設置されている。この部材３４，３５の開口面積とテーパ形状によりメッキが形成される領域範囲並びに厚み分布を制御している。
【００３３】
図６の（Ａ）と（Ｂ）の違いは遮蔽部材３４，３５の開口面積である。図６（Ａ）は１次メッキを示している。図６（Ｂ）は凸形状メッキ（ボスメッキ）の状態を示している。開口径は、断熱層の内径寸法を成形金型の内周押さえ部材の外径寸法より小さくし、かつ、断熱層外径寸法を成形金型の外周押さえリング内径より大きくするマスクを使用するようにすることが好ましく、ここでは例としてそれぞれψ１６０ｍｍとψ３７ｍｍの寸法を有する部材を想定している。（請求項９の発明に対応）
【００３４】
更に、両遮蔽部材３４，３５はネジの取り外しで随時交換可能となっている。１次メッキもボスメッキも共に厚みが３０μｍ以下であり破れやすく、剥がれやすい。従って、ステップ毎に、異なる陰極ジグ３２へのワーク３３の移し替えはトラブルを発生させる可能性を増加させることになる。この点を配慮してワーク３３を電鋳装置に取り付けたままで、遮蔽板だけを交換する方式を採用することが好ましい。つまり、電気力線分布を制御する部材のみを取り替える構造を有する電鋳陰極ジグを使用することが好ましい。（請求項４の発明に対応）
【００３５】
再度、図５を参照すると、図中、（Ｂ）の２ステップ目のボスメッキ１３の外側に同じ厚みを有する断熱層１２（高分子材）がある。断熱層形成方法として、例えばスピンコート法で材料を塗布し、雰囲気加熱方式及び／又は接触加熱方式で硬化させる（請求項５の発明に対応）。
【００３６】
高分子層１２の形成方法の一例を図７乃至図９を用いて説明する。図７は、図１における高分子層の形成例を説明するための図、図８は、図２における高分子層の形成例を説明するための図、図９は、図７及び図８の高分子層を形成するに当たって使用する装置の一例を示す図である。因みに、本実施形態では、回転台の上にリフトピン２で上下する台の上に、ワーク（スタンパ）を搭載して、リフトピン１で上下する外周マスクでワーク（スタンパ）を固定することにより、ワークをセットしマスクを着脱することを可能にした。図７及び図８いずれもスピナ塗布方式である。図７（Ａ），図８（Ａ）は、高分子層１２，２２を形成する前の状態を示している。
【００３７】
図８において、従来の高分子層形成方法としては、高分子液２２’をマザースタンパ１７上のサン１次メッキ２１上に塗布し（図８（Ａ））、回転させることにより高分子層２２を形成する（図８（Ｂ））。この方法を本発明に適応させるために、図７に示す工程には、ドーナッツ状の領域を形成させるために以下の２つの工夫が盛り込まれている。
【００３８】
（１）図７で表現したように、塗布直後の断熱材１２は約８０ｗｔ％以上の溶剤成分が含有されており、厚みとしてはボスメッキ１３の５〜１０倍近く塗布する必要がある。この際、３００ＰＳＩ近い粘度とはいえレベリング作用が働きボスメッキ１３の上面を被覆する現象が発生する。これを回避するために、接触部で両者の塗れ性を悪くすることが好ましい。極く微量（分子オーダ）のシリコン層を、ボスメッキ層１３の側壁の一部若しくは全面に形成することで、図７（Ｂ）に表現した弾き合う感じの塗り方が可能となる。（請求項８の発明に対応）
【００３９】
（２）回転拡げの工夫：第１回転速度を１００ｒｐｍ以下として、外周マスク１９の近傍まで拡げた後に第２回転速度を４００〜１０００ｒｐｍとして回転遠心力で厚み２５〜５０μｍ範囲で均一に仕上げることが可能である。この例では、厚みのばらつきは±１μｍが達成できた。
【００４０】
しかる後に熱エネルギーを付与して、溶剤を蒸発、樹脂成分の架橋により所望の断熱層１２が得られるのである。
上述のごとく、凸形状メッキ層の側壁の一部若しくは全面に所望の表面処理を施し、断熱材料との塗れ性を制御することで、凸形状メッキ層の上面部に断熱材料が被覆されることを防止する。
【００４１】
次に、請求項６と請求項７の発明に関し、熱硬化に関する工夫を説明する。
図１０は、断熱層の硬化後の変形を説明するための図、図１１は、図１０の変形の防止方法の一例を説明するための図である。ワーク３３上で形成される断熱層１２は、硬化に伴って収縮し、それによってワーク３３は湾曲する。最終硬化温度より低温状態に所定の時間保つことにより、硬化前の断熱材料１２に含まれる揮発性成分の残留を極力回避することが可能になる。また、原盤或いはマザースタンパの裏面を剛体と一体化（吸着或いは接合）させた状態で、処理を完結することにより、断熱層の硬化収縮に伴うワーク変形を抑えることが可能になる。
【００４２】
後者の一体化させた状態で処理する方法としては、例えば、ワーク３３とそれを固定するためのマグネットシート４１とを吸着させて処理する方法（図１１（Ａ））や、ワーク３３と裏打ち板４３とを接着剤４２で接合させて処理する方法（図１１（Ｂ））がある。実際、図１１の（Ａ），（Ｂ）の両方法とも実施済みであり良好な結果が得られている。特に、（Ｂ）の裏打ち方式はマザースタンパからサンスタンパを作成するときにより有効であることが分かった。即ち単板のメッキ板はそもそも剛性が低くマグネットシートの磁力レベルでは強制力不足の場合がある。
【００４３】
図１２は、メッキ前準備としての導電皮膜を形成するための導電皮膜形成装置の原理を示す図である。ここでは、以上の説明の補足として、メッキ前準備としての導電皮膜形成処理をＮｉスパッタ方式を例として説明する。ここでの処理は、プラズマを発生させ、Ｎｉ基板５３からのＮｉを、断熱材５２が形成されたワークホルダ５４上に１次ニッケル５１としてＮｉ導電皮膜を積層する。
【００４４】
【発明の効果】
請求項１乃至３の発明によれば、中心部と外縁部がＮｉ材で補強されたスタンパを作成することを可能にし、耐久性が飛躍的に向上することが期待される。
【００４５】
請求項４の発明によれば、メッキ工程の安定化が図れ、歩留まりの向上が期待される。
【００４６】
請求項５の発明によれば、所望のドーナッツ状断熱層を形成することができ、かつ最終硬化層位置が制御可能になる。
【００４７】
請求項６の発明によれば、揮発性ガス成分を効率よく除去でき、ガス欠陥の無い断熱層が形成される。成形基板の光学特性や機械特性を阻害するようミクロ因子を回避できる。よって、メディア品質の安定化が図れる。
【００４８】
請求項７の発明によれば、反りの少ないスタンパが提供でき、成形機内でのスタンパの暴れや変形を抑制でき、スタンパの寿命の向上が期待できる。
【００４９】
請求項８の発明によれば、所望の領域に断熱層とＮｉ層を形成でき、品質の安定化に繋がる。
【００５０】
請求項９の発明によれば、成形金型キャビティ内の全範囲で均質な断熱層が含まれ、周辺編部では強固な強度を有する、スタンパが提供でき、寿命の向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のスタンパ作成方法によって作成されたハイブリッド型スタンパの基本的な層構成を示す図である。
【図２】従来のスタンパ作成方法によって作成されたハイブリッド型スタンパの基本的な層構成を示す図である。
【図３】本発明によるハイブリッド型スタンパ作成工程を説明するための図である。
【図４】スタンパ作成工程の概要を説明するための図である。
【図５】本発明の一実施形態におけるハイブリッド型スタンパの作成方法を説明するための図である。
【図６】図５（Ａ）のボスメッキを作成する様子を説明するための図である。
【図７】図１における高分子層の形成例を説明するための図である。
【図８】図２における高分子層の形成例を説明するための図である。
【図９】図７及び図８の高分子層を形成するに当たって使用する装置の一例を示す図である。
【図１０】断熱層の硬化後の変形を説明するための図である。
【図１１】図１０の変形の防止方法の一例を説明するための図である。
【図１２】メッキ前準備としての導電皮膜を形成するための導電皮膜形成装置の原理を示す図である。
【符号の説明】
１１，２１…１次メッキ、１２，２２，５２…高分子層（断熱層）、１３…ボスメッキ、１４，２４…導電化膜、１５，２５…２次メッキ、１６，２６…情報記録面、１７，２７…ガラス原盤、１８…中心取り付け穴、１９…外周マスク、３１…陽極バッグ、３２…回転陰極部、３３…ワーク、３４，３５…遮蔽部材、４１…マグネットシート、４２…接着剤、４３…裏打ち板、５１…１次ニッケル、５３…Ｎｉ基板、５４…ワークホルダ。

Claims

情報記録溝を有する導電皮膜処理済みガラス原盤に、全面にわたり所定の厚さだけ電鋳処理を施し、記録領域の内側のミラー面領域及び／又は外側ミラー面に含まれる所定の範囲に限定して凸部が形成されるべく電鋳処理で凸形状メッキ層を形成し、該凸形状メッキ層以外の領域に所定の厚みと材質を有する断熱層を形成し、導電皮膜処理を行い、最後に厚づけ電鋳処理を全面に施し、前記ガラス原盤から分離することを特徴とするスタンパの作成方法。
情報記録溝を有する剥離皮膜処理済みマザースタンパに、全面にわたり所定の厚さだけ電鋳処理を施し、記録領域の内側のミラー面領域及び／又は外側ミラー面に含まれる所定の範囲に限定して凸部が形成されるべく電鋳処理で凸形状メッキ層を形成し、該凸形状メッキ層以外の領域に所定の厚みと材質を有する断熱層を形成し、導電皮膜処理を行い、最後に厚づけ電鋳処理を全面に施し、前記マザースタンパからサンスタンパを分離することを特徴とするスタンパの作成方法。
請求項１又は２に記載のスタンパの作成方法において、前記断熱層の厚みは前記凸形状メッキ層の厚み以下であることを特徴とするスタンパの作成方法。
請求項１乃至３に記載のスタンパの作成方法において、電気力線分布を制御する部材のみを取り替える構造を有する電鋳陰極ジグを使用して電鋳処理を施すことを特徴とするスタンパの作成方法。
請求項１乃至３に記載のスタンパの作成方法において、前記断熱層を形成する方法としてスピンコート法で材料を塗布し、雰囲気加熱方式及び／又は接触加熱方式で硬化させることを特徴とするスタンパの作成方法。
請求項４に記載のスタンパの作成方法において、断熱材料の最終硬化温度より低温状態に所定の時間保ち、硬化前の断熱材料に含まれる揮発性成分の残留を極力回避することを特徴とするスタンパの作成方法。
請求項４に記載のスタンパの作成方法において、前記ガラス原盤或いはマザースタンパの裏面を剛体と一体化させた状態で、処理を完結し、断熱層の硬化収縮に伴うワーク変形を抑えることを特徴とするスタンパの作成方法。
請求項４に記載のスタンパの作成方法において、前記凸形状メッキ層の側壁の一部若しくは全面に所望の表面処理を施し、断熱材料との塗れ性を制御することで、前記凸形状メッキ層の上面部に断熱材料が被覆されることを防止することを特徴とするスタンパの作成方法。
請求項４又は５に記載のスタンパの作成方法において、前記断熱層の内径寸法を成形金型の内周押さえ部材の外径寸法より小さくし、かつ、前記断熱層の外径寸法を成形金型の外周押さえリング内径より大きくするマスクを使用することを特徴とするスタンパの作成方法。