JP2002304779A - 光ディスク用スタンパーの製作方法 - Google Patents

光ディスク用スタンパーの製作方法

Info

Publication number
JP2002304779A
JP2002304779A JP2001107763A JP2001107763A JP2002304779A JP 2002304779 A JP2002304779 A JP 2002304779A JP 2001107763 A JP2001107763 A JP 2001107763A JP 2001107763 A JP2001107763 A JP 2001107763A JP 2002304779 A JP2002304779 A JP 2002304779A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
stamper
polished
substrate
optical disk
paraffin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001107763A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuji Segawa
雄司 瀬川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2001107763A priority Critical patent/JP2002304779A/ja
Publication of JP2002304779A publication Critical patent/JP2002304779A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 成形後のディスクの面振れ(フォーカスエラ
ー)を極力抑えることができ、そのディスクを安価に製
造できる光ディスク用スタンパーの製作方法を得るこ
と。 【解決手段】 本発明の光ディスク用スタンパーの製作
方法は、基板41の表面に溶融したパラフィン41を塗
布し、そのパラフィン41面に被研磨光ディスク用スタ
ンパー10Aを、その信号面10aを対面させた状態で
加圧しながら貼り合わせ、そしてパラフィン41を冷
却、硬化させて保持した状態で前記被研磨光ディスク用
スタンパー10Aの裏面を研磨することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクを成形
するための光ディスク用スタンパーの製作方法、特にそ
の裏面研磨時における光ディスク用スタンパーの保持方
法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、ブルーの半導体レーザーの登場に
より、小径ディスクヘの大容量記録やハイデフィニッシ
ョン映像の長時間記録等の需要が高まり、光ディスクの
更なる高密度化が要求されている。それに伴い、マスタ
リングプロセスにおいては、フォトレジスト基板に記録
されるピットの縮小方法が課題となっている。ビットの
大きさは、それを露光記録するレーザーのスポット径に
依存する。そこで、現在、記録密度が約2.5GB以上
の場合、レーザーを集光する対物レンズのNA(Num
erical Aperture)が1.0を超えるよ
うなニアフィールド記録による露光技術が検討されてい
る。また、高密度記録のもう一つの方法として、露光ス
ポット径の微小化が可能なEB(Electron B
eam)露光による技術も実用化に向け検討されてい
る。
【0003】この高密度化された光ディスク製作プロセ
スにおける課題の一つとして、ディスク基板となるスタ
ンパーの裏面研磨方法がある。メッキ工程により製作さ
れたスタンパーは、裏面研磨されてからディスク成形機
の金型に設置される。その時、スタンパーを裏面研磨し
た状態が表面(信号記録面)に転写され、更に、それが
成形時にディスクにも転写される。高密度光ディスクに
なると、その転写された凹凸が信号読み取り時の面振れ
量(フォーカス残り)に反映され、ジッター(Jitt
er)が悪化する。DVD−ROMでは、フォーマット
としてその面振れ量が230nmと規格化されている。
25GB以上の高密度になると、まだ規格化はされてい
ないが、面振れ量を45〜70nm程度に抑えないと、
ジッター悪化の原因になる可能性がある。信号記録面の
保護層の形成により面振れ量は悪化する傾向にあるた
め、成形後の基板分の面振れ量としては、20nm以下
に抑えることが理想的である。
【0004】従来のスタンパーの裏面研磨方法の一例を
以下に説明する。
【0005】図5は従来技術のスタンパーの製作工程を
説明するための裏面研磨前の被研磨スタンパーの断面
図、そして図6は従来技術の薄板状のワークの研磨方法
を説明するための研磨機を示していて、同図Aはワーク
として被研磨スタンパーを取り付けた状態の研磨機の上
面図、同図Bは同図AのA―A線上における断面図であ
る。
【0006】先ず、マスタリング工程として、図5に示
したように、被研磨スタンパー10を製作する。厚さ6
mm、直径200mm〜220mmのソーダライムガラ
ス或いはシリコンウェーハ(以下、「Siウェーハ」と
記す)のような基板11にフォトレジスト12を塗布
し、プリベーク、露光、現像後に、Ni無電解メッキに
より導電膜13を形成し、それをシード層として電解メ
ッキで厚さ約0.3mmのスタンパー層14を形成す
る。
【0007】次に、基板11にスタンパー層14が保持
された状態のまま、図6に示したように、研磨機30に
取り付け、裏面研磨を行う。この研磨機30は駆動モー
タ(不図示)により回転駆動される回転軸31と、この
回転軸31に垂直な面を備え、ワークである被研磨スタ
ンパー10が固定されるスピンステージ32と、このス
ピンステージ32に取り付けられたワークWを研磨する
ための研磨ヘッド33と、この研磨ヘッド33に研磨テ
ープTを供給する送りローラ34と、研磨済み研磨テー
プTを巻き取るための巻取りローラ35と、研磨面に吐
水するための吐水ノズル36、ワーク抑え治具37とか
ら構成されている。
【0008】被研磨スタンパー10の裏面研磨方法とし
ては、先ず、スピンステージ32上にゴムシート38を
介して被研磨スタンパー10を、そのスタンパー層14
の裏面14Bを上向き(研磨ヘッド33側に)してワー
ク抑え治具37で固定する。
【0009】次に、スピンステージ32を回転させ、従
って被研磨スタンパー10を回転させた状態で、その裏
面に研磨テープTを押し当て、水を掛けながら研磨テー
プTを移動させる。こうすることにより、研磨テープT
とスタンパー層14の裏面14Bは研磨テープTと線接
触しかしていないが、その全面が均一に研磨される。ま
た、この場合、図5に示したように、Ni電解メッキに
よるスタンパー層14は基板11の表面側から裏面側に
掛けてしっかりと基板11を抱き込むように形成されて
いるため、裏面研磨で研磨テープTを押し付けることが
でき、基板11の表面と平行方向に力が加わってもスタ
ンパー層14が基板11から剥がれることはない。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】ところが、レーザー露
光による高密度光ディスクマスタリングプロセスでは、
前記の面振れの影響を極力抑える目的で、基板11とし
て表面粗さRaが5nm以下という石英ガラス基板が使
用されるようになる。その場合、ソーダライムガラスの
ようにポリッシングによる再生使用は困難で、更に、ガ
ラス基板を使い捨てにするには、厚さ6mmの石英ガラ
ス基板は非常に高価なものとなってしまう。そこで、厚
さ1mm程度の石英ガラス基板を使い捨てで使用するこ
とが検討されている。また、EB露光を利用する場合
は、露光時のフォトレジスト12の表面へのチャージア
ップを防止するために、導電性のSiウェーハを用いる
ことになる。従って、どちらの露光の場合にも、厚さが
1mm程度の薄板の基板11を使用することになる。基
板11を薄くすると、図5に示したように、基板11の
裏面から表面に掛けてNiメッキ層を成膜することは可
能であるが、スタンパー層14の外周端面を保持する面
積が単純に1/6になるため、裏面研磨時の摩擦力でス
タンパー層14が基板11から剥がれ易くなるという欠
点がある。また、メッキ膜の応力を薄い基板11が保持
しきれずに、裏面研磨以前にスタンパー層14が基板1
1から剥がれてしまうという問題点もある。
【0011】従って、本発明はこのような課題を解決し
ようとするものであって、成形後のディスクの面振れ
(フォーカスエラー)を極力抑えることができ、そのデ
ィスクを安価に製造できる光ディスク用スタンパーの製
作方法を得ることを目的とするものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】それ故、本発明では、光
ディスク用スタンパーの製作方法として、基板の表面に
溶融したパラフィンを塗布し、そのパラフィン面に被研
磨光ディスク用スタンパーを、その被研磨光ディスク用
スタンパーの信号面を対面させた状態で加圧しながら貼
り合わせ、そして前記パラフィンを冷却、硬化させて保
持した状態で前記被研磨光ディスク用スタンパーの裏面
を研磨する方法を採って、前記課題を解決している。
【0013】前記基板の表面粗さRaは5nm以下であ
ることが望ましく、また、前記基板と前記被研磨光ディ
スク用スタンパーとの加圧は重り、高圧エアーシリンダ
ー、或いは風船を用いて行うことが望ましい。
【0014】従って、本発明によれば、被研磨光ディス
ク用スタンパーの信号面はパラフィンで良好に保護され
ながら、その全面が基板面に強固に固定されて、その被
研磨光ディスク用スタンパーが保持された状態で、その
被研磨光ディスク用スタンパーの裏面を研磨できる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、図を用いて、本発明の実施
形態の光ディスク用スタンパーの製作方法を説明する。
【0016】図1は本発明の光ディスク用スタンパーの
製作方法に用いて好適な、そして光ディスクを成形する
のに好適な形態の被研磨光ディスク用スタンパーの製作
方法を説明するためのその略線的な断面側面図、図2は
図1に示した被研磨光ディスク用スタンパーの裏面研磨
時におけるその被研磨光ディスク用スタンパーの保持方
法を説明するための工程図、図3は図2に示した被研磨
光ディスク用スタンパーの保持方法における被研磨光デ
ィスク用スタンパーの他の加圧手段を示した略線的な断
面側面図、そして図4は図2に示した被研磨光ディスク
用スタンパーの保持方法における被研磨光ディスク用ス
タンパーの更に他の加圧手段を示した略線的な断面側面
図である。
【0017】先ず、図1を用いて、本発明の被研磨光デ
ィスク用スタンパー(以下、単に「被研磨スタンパー」
と略記する)の製作方法に用いて好適な、そして光ディ
スクを成形するのに好適な構造の被研磨スタンパーの製
作方法を説明する。
【0018】図1において、符号10Aは光ディスクを
製造するのに好適な被研磨スタンパーを指す。この被研
磨スタンパー10Aの製作に当たっては、先ず、厚さ1
mm直径200mm程度の薄いガラス或いはSiウェー
ハの基板1を用意する。この基板1の表面にフォトレジ
スト2を塗布し、プリベーク、露光、現像後に、Ni無
電解メッキにより導電膜3を形成し、それをシード層と
してNi電解メッキで厚さ約0.3mmのスタンパー層
4(被研磨スタンパー10A)を形成する。
【0019】この場合の導電膜3は、基板1から剥がす
ことを考慮して、基板1の表面にだけ成長させるだけで
よく、図5に示した被研磨スタンパー10のように、導
電膜3を基板1の外周端面及び裏面の周辺部まで成長さ
せる必要はない。従って、スタンパー層4もフォトレジ
スト2と基板1の外周端面及び基板1の裏面の周辺部ま
で形成する必要がない。このため、導電膜3をNi無電
解メッキで形成する場合の前処理(触媒活性化処理)も
フォトレジスト2と基板1の外周端面及び基板1の裏面
の周辺部まで施す必要はない。
【0020】また、Niスパッタでスタンパー層4を形
成する場合も、スパッタの原理自体から一度にフォトレ
ジスト2と基板1の外周端面及び基板1の裏面の周辺部
までスタンパー層4を形成することは不可能であること
から、この本発明のスタンパー層4(被研磨スタンパー
10A)の製作方法は有用であって、やはり基板1の外
周端面及び裏面に導電膜3を成膜するための前処理工程
を減らすことができる。
【0021】次に、本発明では、Ni電解メッキにより
製作されたスタンパー層4(被研磨スタンパー10A)
を基板1から剥がし、付着しているフォトレジスト2を
アセトン、NaOH、或いはプラズマアッシング等で除
去し、洗浄する。
【0022】次に、図2を用いて、その洗浄された前記
被研磨スタンパー10Aの裏面研磨方法を説明する。
【0023】先ず、図2Aに示したように、ホットプレ
ートのような構造のヒータ40の上に被研磨光ディスク
用スタンパー10Aと同等以上の大きさの、例えば、ガ
ラス製の基板41を置き、例えば、100°Cに加熱す
る。その基板41の表面粗さは基板1と同等以下の、例
えば、Ra=5nm程度であることが好ましい。ここ
で、この基板41として被研磨スタンパー10Aを剥が
した後の基板1を、例えば、Ni残りを塩化第2鉄等で
溶解し、次にレジストをNaOHなどで溶解してから純
水洗浄して、再利用してもよい。EB露光を行った場合
は、Siウェハーを再生、再利用してもよい。また、加
熱はホットプレート上ではなく、例えば、オーブン等の
中で行ってもよい。
【0024】次に、図2Bに示したように、基板41の
上にパラフィン(蝋)42を融かしながら塗布する。パ
ラフィン42は、パラフィン炭化水素類CnH2n+2
の混合物であり、常温でそのnが15よりも大きい固
体であればよい。
【0025】次に、図2Cに示したように、溶融状態の
パラフィン42の上に被研磨スタンパー10Aを、その
信号面10aを下向きにして載せる。
【0026】次に、図2Dに示したように、ゴムシート
43を、そのゴムシート43の上に重り44を順に載
せ、ヒータ40をオフにし、除冷する。ゴムシート43
は、例えば、厚さ1〜5mm程度の軟らかいシリコンゴ
ム等を用いることで、被研磨スタンパー10A全面が均
一に加圧されるようになり、パラフィン42の層の厚さ
が均一になる。また、重り44は、例えば、重さ5Kg
程度の円筒形のステンレススチール等を用いる。重りの
重さにより、固まるパラフィン42の厚さが異なってく
るため、必要に応じて好ましい重さに変えればよい。例
えば、本実施例では、パラフィン42として、日化精工
株式会社のシフトワックスを用い、パラフィン42が固
まった後の厚さを1μm程度になるようにした。
【0027】次に、図2Eに示したように、パラフィン
層42が固まったところで、パラフィン層42により接
着された基板41と被研磨スタンパー10Aを取り出
し、これを図6に示した研磨機30にスピンドルテーブ
ル32にセットし、回転させ、研磨ヘッド33と研磨テ
ープTを用いて、被研磨スタンパー10Aの裏面研磨を
行う。
【0028】その裏面研磨の終了後、図2Fに示したよ
うに、パラフィン層42で接着された基板41と裏面が
研磨されたスタンパー(以下、単に「スタンパー」と記
す)10Bをヒータ40の上に載せ、パラフィン層42
が融けるまで加熱して、スタンパー10Bを剥がす。
【0029】剥がしたスタンパー10Bに付着したパラ
フィン42は、使用するパラフィン42の種類にもよる
が、IPA、石油炭化水素系、芳香族系の溶剤、アルカ
リ溶液や温水などを用いて除去する。
【0030】以上のようにして、パラフィン42を介し
て基板41とスタンパー10Aを接着させることによ
り、スタンパの信号表面を保護し、かつ、保護された信
号表面が基板41により良好な表面組度の状態を保った
ままでの裏面研磨が可能となる。
【0031】従って、実際にこの方法で裏面研磨された
スタンパー10Bから作製されたディスクの面ぶれ量は
45nmより小さい値を得ることができる。
【0032】図2Dに示した製造工程で、基板41及び
パラフィン層42上に置かれた被研磨スタンパー10A
を加圧する手段として重り44を用いたが、図3に示し
たように、シリコンゴム43の上に定盤45を載せ、そ
の定盤45を介してエアシリンダー46を用い、これに
高圧エアーを供給して加圧するように構成してもよい。
なお、符号48は筐体を指す。
【0033】更に、例えば、シリコンゴム等で作製され
ている風船47を用い、高圧エアーを供給して筐体48
の側面及び上面の内面と定盤とで形成されている空間内
で膨らませるように構成し、このように加圧すること
で、被研磨スタンパー10Aの全面を均一に加圧するよ
うにしてもよい。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光ディス
ク用スタンパーの製作方法によれば、 1.基板41から剥がされたスタンパー10Bであって
も、これを用いて成形したディスクの面ぶれ(フォーカ
スエラー)量を45〜70nm以下に抑えることができ
るような裏面研磨ができる 2.被研磨スタンパー10Aの信号面10aを保護する
面の表面粗さが接着させる基板 で決まってくるため、
信頼性よく、また、安定して面ぶれを抑えることができ
る裏面研磨が可能となる 3.また、基板41として使用しているガラス、或いは
Siウェハーは表面粗さRaが5nm以下と小さいた
め、被研磨スタンパー10Aを剥がした基板のガラスを
ここで再利用することも可能である 4.更にまた、被研磨スタンパー10Aの作製のための
Ni電解メッキは基板1の表面のみに行えばよい。従っ
て、そのための導電膜3の形成も基板1の表面だけでよ
いことになるため、裏面、端面に導電膜を形成する工程
を省くこともできる など、数々の優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の光ディスク用スタンパーの製作方法
に用いて好適な、そして光ディスクを成形するのに好適
な形態の被研磨光ディスク用スタンパーの製作方法を説
明するためのその略線的な断面図である。
【図2】 図1に示した被研磨光ディスク用スタンパー
の裏面研磨時におけるその被研磨光ディスク用スタンパ
ーの保持方法を説明するための工程図である。
【図3】 図2に示した被研磨光ディスク用スタンパー
の保持方法における被研磨光ディスク用スタンパーの他
の加圧手段を示した略線的な断面側面図である。
【図4】 図2に示した被研磨光ディスク用スタンパー
の保持方法における被研磨光ディスク用スタンパーの更
に他の加圧手段を示した略線的な断面側面図である。
【図5】 従来技術のスタンパーの製作工程を説明する
ための裏面研磨前の被研磨スタンパーの断面図である。
【図6】 従来技術の薄板状のワークの研磨方法を説明
するための研磨機を示していて、同図Aはワークとして
被研磨スタンパーを取り付けた状態の研磨機の上面図、
同図Bは同図AのA―A線上における断面図である。
【符号の説明】
1…基板、2…フォトレジスト、3…導電膜(Ni電解
メッキ用シード層)、4…スタンパー層(被研磨スタン
パー)、10A…被研磨光ディスク用スタンパー(被研
磨スタンパー)、40…ヒータ、41…基板、42…パ
ラフィン、43…シリコンゴム、44…重り、45…定
盤、46…エアシリンダー、47…風船、48…筐体

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板の表面に溶融したパラフィンを塗布
    し、該パラフィン面に被研磨光ディスク用スタンパー
    を、該被研磨光ディスク用スタンパーの信号面を対面さ
    せた状態で加圧しながら貼り合わせ、そして前記パラフ
    ィンを冷却、硬化させて保持した状態で前記被研磨光デ
    ィスク用スタンパーの裏面を研磨することを特徴とする
    光ディスク用スタンパーの製作方法。
  2. 【請求項2】 前記基板の表面粗さRaが5nm以下で
    あることを特徴とする請求項1に記載の光ディスク用ス
    タンパーの製作方法。
  3. 【請求項3】 前記基板と前記被研磨光ディスク用スタ
    ンパーとの前記加圧は重りを用いて行われることを特徴
    とする請求項1に記載の光ディスク用スタンパーの製作
    方法。
  4. 【請求項4】 前記基板と前記被研磨光ディスク用スタ
    ンパーとの前記加圧は高圧エアーシリンダーを用いて行
    われることを特徴とする請求項1に記載の光ディスク用
    スタンパーの製作方法。
  5. 【請求項5】 前記基板と前記被研磨光ディスク用スタ
    ンパーとの前記加圧は風船を用いて行われることを特徴
    とする請求項1に記載の光ディスク用スタンパーの製作
    方法。
JP2001107763A 2001-04-05 2001-04-05 光ディスク用スタンパーの製作方法 Pending JP2002304779A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001107763A JP2002304779A (ja) 2001-04-05 2001-04-05 光ディスク用スタンパーの製作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001107763A JP2002304779A (ja) 2001-04-05 2001-04-05 光ディスク用スタンパーの製作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002304779A true JP2002304779A (ja) 2002-10-18

Family

ID=18960029

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001107763A Pending JP2002304779A (ja) 2001-04-05 2001-04-05 光ディスク用スタンパーの製作方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002304779A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7377765B2 (en) 2006-02-14 2008-05-27 Hitachi Global Storage Technologies System, method, and apparatus for non-contact and diffuse curing exposure for making photopolymer nanoimprinting stamper
US7500431B2 (en) 2006-01-12 2009-03-10 Tsai-Wei Wu System, method, and apparatus for membrane, pad, and stamper architecture for uniform base layer and nanoimprinting pressure
CN114864413A (zh) * 2022-04-26 2022-08-05 扬州赛诺高德电子科技有限公司 一种超薄金属散热片的蚀刻工艺

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7500431B2 (en) 2006-01-12 2009-03-10 Tsai-Wei Wu System, method, and apparatus for membrane, pad, and stamper architecture for uniform base layer and nanoimprinting pressure
US7617769B2 (en) 2006-01-12 2009-11-17 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. System, method, and apparatus for membrane, pad, and stamper architecture for uniform base layer and nanoimprinting pressure
US7377765B2 (en) 2006-02-14 2008-05-27 Hitachi Global Storage Technologies System, method, and apparatus for non-contact and diffuse curing exposure for making photopolymer nanoimprinting stamper
US7731889B2 (en) 2006-02-14 2010-06-08 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method for non-contact and diffuse curing exposure for making photopolymer nanoimprinting stamper
CN114864413A (zh) * 2022-04-26 2022-08-05 扬州赛诺高德电子科技有限公司 一种超薄金属散热片的蚀刻工艺
CN114864413B (zh) * 2022-04-26 2023-09-15 扬州赛诺高德电子科技有限公司 一种超薄金属散热片的蚀刻工艺

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH11501434A (ja) データ記憶光ディスク用スタンパーを製造するための方法
JP2000334744A (ja) 細溝付き成形基板の製造方法
EP1406255B1 (en) Optical information-recording medium manufacturing method and manufacturing apparatus
JPWO2003081584A1 (ja) 多層光情報記録媒体の製造方法
JP2002304779A (ja) 光ディスク用スタンパーの製作方法
US7819653B2 (en) Light transmissive stamper
JPWO2005088628A1 (ja) ダイレクトマスタリングのスタンパを製造する方法、その方法により製造されるスタンパ及び光ディスク
US7051347B2 (en) Method of producing optical recording medium by transfer process using a stamper, and optical recording medium produced thereby
JP2005317053A (ja) 光ディスクの作製方法及び光ディスク装置
US6835434B2 (en) Method for manufacturing disc-shaped optical recording medium and disc-shaped substrate for optical recording medium
JP2006059454A (ja) 光学記録媒体の製造装置および製造方法
JP4284888B2 (ja) 光情報記録媒体
JPH052779A (ja) スタンパーの製造方法
JP2001338445A (ja) スタンパ製造方法、光記録媒体製造方法及び支持板
JP2000251335A (ja) 光情報記録媒体製造方法
WO2004036570A1 (ja) 光情報記録媒体とその製造方法、製造装置
JP2008269724A (ja) 光ディスク用サンスタンパ及びその製造方法
JP3871494B2 (ja) スタンパの作成方法
JP2003272254A (ja) スタンパの製造方法
JP2008282495A (ja) 光記録媒体用未露光原盤に用いるガラス基板、その表面改質方法、その表面改質装置、及びその表面改質システム、並びに光記録媒体用未露光原盤、及び光記録媒体用原盤の製造方法
JP2002150623A (ja) 光ディスク用スタンパーの製作方法
JPH04238129A (ja) 光記録媒体製造用スタンパーの電鋳方法
JP2003263792A (ja) フレキシブル光ディスクの製造方法及びフレキシブル光ディスク
JPS62232733A (ja) スタンパの製造方法
JP2004158097A (ja) ディスク基板の貼り合わせ装置