JPH10209089A - 半導体ウェーハの研磨方法 - Google Patents
半導体ウェーハの研磨方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェーハの裏面側を研磨方法であっ
て、その半導体ウェーハの表面側を保護するために保護
テープを貼着して研磨に供するが、表面側にバンプ等の
突起がある場合に、その突起に研磨時の応力が集中して
生ずる割れまたは破損等の不都合を解消すること。 【解決手段】 経時的に所望硬度の保護部材に固化する
液体状樹脂を半導体ウェーハの表面に塗布する工程と、
該液体状樹脂が固化し保護部材となった後に研磨装置の
チャックテーブルに保護部材側を載置する工程と、半導
体ウェーハの裏面と対峙する研磨砥石によって該ウェー
ハの裏面を研磨する工程とからなるものであり、液体状
樹脂を固化させた保護部材の存在により、研磨の押圧力
が掛かっても、突起等に応力が集中せず、半導体ウェー
ハが割れたり破損したりさせないで、研磨を遂行するこ
とができる。
て、その半導体ウェーハの表面側を保護するために保護
テープを貼着して研磨に供するが、表面側にバンプ等の
突起がある場合に、その突起に研磨時の応力が集中して
生ずる割れまたは破損等の不都合を解消すること。 【解決手段】 経時的に所望硬度の保護部材に固化する
液体状樹脂を半導体ウェーハの表面に塗布する工程と、
該液体状樹脂が固化し保護部材となった後に研磨装置の
チャックテーブルに保護部材側を載置する工程と、半導
体ウェーハの裏面と対峙する研磨砥石によって該ウェー
ハの裏面を研磨する工程とからなるものであり、液体状
樹脂を固化させた保護部材の存在により、研磨の押圧力
が掛かっても、突起等に応力が集中せず、半導体ウェー
ハが割れたり破損したりさせないで、研磨を遂行するこ
とができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばIC等の回
路が表面側に複数形成されている半導体ウェーハのよう
な材料の裏面を研削砥石等を使用して研磨する際に、そ
の回路面を保護すると共に、回路の凹凸を吸収して研磨
工程における破損を防止した半導体ウェーハの研磨方法
に関するものである。
路が表面側に複数形成されている半導体ウェーハのよう
な材料の裏面を研削砥石等を使用して研磨する際に、そ
の回路面を保護すると共に、回路の凹凸を吸収して研磨
工程における破損を防止した半導体ウェーハの研磨方法
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、図4に示したような、IC等の
回路2が表面側に複数形成されている半導体ウェーハ1
は、チップ状に分割される前に、その裏面をグラインダ
ー装置等により研磨される。この研磨によってウェーハ
1は薄くされ、最終形状の小型化、特性の改善、熱放散
の改善等が図れるチップになる。
回路2が表面側に複数形成されている半導体ウェーハ1
は、チップ状に分割される前に、その裏面をグラインダ
ー装置等により研磨される。この研磨によってウェーハ
1は薄くされ、最終形状の小型化、特性の改善、熱放散
の改善等が図れるチップになる。
【0003】半導体ウェーハ1の裏面を研磨するには、
IC等の回路が形成されている表面側を研磨装置のチャ
ックテーブル上に載置しなければならないので、図5に
示したように、その表面側には、回路2の損傷を防止す
るために、所謂保護テープと称する保護部材3が貼着さ
れる。そして、近年、フリップチップのようにワイヤー
ボンディングを必要とせず、基板又はフレームに端子を
直接ボンディングできるタイプの半導体チップが出現し
てきている。
IC等の回路が形成されている表面側を研磨装置のチャ
ックテーブル上に載置しなければならないので、図5に
示したように、その表面側には、回路2の損傷を防止す
るために、所謂保護テープと称する保護部材3が貼着さ
れる。そして、近年、フリップチップのようにワイヤー
ボンディングを必要とせず、基板又はフレームに端子を
直接ボンディングできるタイプの半導体チップが出現し
てきている。
【0004】このようなタイプの半導体チップにおいて
は、IC等の回路が形成されている表面側には、バンプ
(直接プリント基板又はフレームに実装するための突
起)と称される15〜100μm程度の突起4が、チッ
プの周りに1列又は2列以上に複数形成されている。ま
た、このようなタイプの半導体チップには限らないが、
プローバーによる回路チェックの際に、不良チップにプ
ローブマークが付着され、そのプローブマークは50μ
m程度の突起となって形成される。
は、IC等の回路が形成されている表面側には、バンプ
(直接プリント基板又はフレームに実装するための突
起)と称される15〜100μm程度の突起4が、チッ
プの周りに1列又は2列以上に複数形成されている。ま
た、このようなタイプの半導体チップには限らないが、
プローバーによる回路チェックの際に、不良チップにプ
ローブマークが付着され、そのプローブマークは50μ
m程度の突起となって形成される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従って、これらの突起
が形成されている半導体ウェーハ1においては、図6に
示したように、単に保護テープ等の保護部材3を貼着す
るだけではそれらの突起4によるギャップを充分吸収す
ることができず、特にチップの周りにバンプが2列以上
形成されている場合には、その突起4間の幅に沿って気
泡等の空隙部5が生じてしまい、突起部分の接着力が極
端に低下して安定性が悪くなるばかりでなく、保護部材
3が実質的に突起4の凹凸、即ちギャップを吸収できな
いために、突起4に対応する部分が保護部材3と共に突
出した状態になっており、結局ウェーハの裏面を研磨す
る際に、その吸収されないギャップによってウェーハが
割れてしまうという問題点がある。
が形成されている半導体ウェーハ1においては、図6に
示したように、単に保護テープ等の保護部材3を貼着す
るだけではそれらの突起4によるギャップを充分吸収す
ることができず、特にチップの周りにバンプが2列以上
形成されている場合には、その突起4間の幅に沿って気
泡等の空隙部5が生じてしまい、突起部分の接着力が極
端に低下して安定性が悪くなるばかりでなく、保護部材
3が実質的に突起4の凹凸、即ちギャップを吸収できな
いために、突起4に対応する部分が保護部材3と共に突
出した状態になっており、結局ウェーハの裏面を研磨す
る際に、その吸収されないギャップによってウェーハが
割れてしまうという問題点がある。
【0006】この問題点を解決するために保護テープの
粘着層を厚く(一般的には10μm程度のものを40〜
80μm)したり、テープ自体を厚く(一般的には12
0μm程度のものを150〜400μm程度)またはよ
り柔軟な材質にしたりしてウェーハ表面の凹凸を吸収す
るように試みたが、研磨の際にテープの厚さと柔軟性と
によって、チャックテーブルに吸着保持されたテープに
対してウェーハが動いてしまい、チャックテーブルに載
置した状態が安定せず、良好な研磨が困難になると言う
新たな問題点が生じた。
粘着層を厚く(一般的には10μm程度のものを40〜
80μm)したり、テープ自体を厚く(一般的には12
0μm程度のものを150〜400μm程度)またはよ
り柔軟な材質にしたりしてウェーハ表面の凹凸を吸収す
るように試みたが、研磨の際にテープの厚さと柔軟性と
によって、チャックテーブルに吸着保持されたテープに
対してウェーハが動いてしまい、チャックテーブルに載
置した状態が安定せず、良好な研磨が困難になると言う
新たな問題点が生じた。
【0007】従って、従来技術においては、ウェーハ表
面のギャップを吸収して、なおかつ研磨精度を維持すべ
く保護部材とウェーハとの間に動きが生じないようにす
ること、並びに研磨の際に、ウェーハの割れを防止する
ことに、解決しなければならない課題を有している。
面のギャップを吸収して、なおかつ研磨精度を維持すべ
く保護部材とウェーハとの間に動きが生じないようにす
ること、並びに研磨の際に、ウェーハの割れを防止する
ことに、解決しなければならない課題を有している。
【0008】
【課題を解決するための手段】前記従来例の課題を解決
する具体的な手段として、本発明は、経時的に所望硬度
の保護部材に固化する液体状樹脂を半導体ウェーハの表
面に塗布する工程と、該液体状樹脂が固化し保護部材と
なった後に研磨装置のチャックテーブルに保護部材側を
載置する工程と、半導体ウェーハの裏面と対峙する研磨
砥石によって該ウェーハの裏面を研磨する工程とを含む
ことを特徴とする半導体ウェーハの研磨方法を提供する
ものであって、液状樹脂の塗布工程の後に、加熱及び/
又はUV照射工程を介在させることを付加的要件として
含むものである。
する具体的な手段として、本発明は、経時的に所望硬度
の保護部材に固化する液体状樹脂を半導体ウェーハの表
面に塗布する工程と、該液体状樹脂が固化し保護部材と
なった後に研磨装置のチャックテーブルに保護部材側を
載置する工程と、半導体ウェーハの裏面と対峙する研磨
砥石によって該ウェーハの裏面を研磨する工程とを含む
ことを特徴とする半導体ウェーハの研磨方法を提供する
ものであって、液状樹脂の塗布工程の後に、加熱及び/
又はUV照射工程を介在させることを付加的要件として
含むものである。
【0009】本発明の研磨方法においては、液体状樹脂
を塗布し固化させて、半導体ウェーハの表面に保護部材
を形成してあるので、ウェーハ表面の突起または凹凸が
保護部材により完全に吸収されてギャップがなくなり、
その保護部材側を研磨装置のチャックテーブルに吸着さ
せて載置したときに安定した状態にセットでき、また研
磨したときに、凹凸の影響を受けることがなくなり、突
起等に応力が集中しないので、ウェーハの割れが生じな
いのである。
を塗布し固化させて、半導体ウェーハの表面に保護部材
を形成してあるので、ウェーハ表面の突起または凹凸が
保護部材により完全に吸収されてギャップがなくなり、
その保護部材側を研磨装置のチャックテーブルに吸着さ
せて載置したときに安定した状態にセットでき、また研
磨したときに、凹凸の影響を受けることがなくなり、突
起等に応力が集中しないので、ウェーハの割れが生じな
いのである。
【0010】
【発明の実施の形態】次に、本発明を図示の実施例によ
り更に詳しく説明する。なお、理解を容易にするため、
従来例と同一部分には同一符号を付して説明する。ま
ず、図1において、半導体ウェーハ1の表面側には多数
のIC等の回路2が形成されている。このような半導体
ウェーハ1の裏面を研磨する前に、表面側の回路2を保
護するために、例えばローラー等の塗布手段6により、
半導体ウェーハ1の表面側に液体状樹脂を所定厚さに塗
布し固化させて保護部材3を形成する。
り更に詳しく説明する。なお、理解を容易にするため、
従来例と同一部分には同一符号を付して説明する。ま
ず、図1において、半導体ウェーハ1の表面側には多数
のIC等の回路2が形成されている。このような半導体
ウェーハ1の裏面を研磨する前に、表面側の回路2を保
護するために、例えばローラー等の塗布手段6により、
半導体ウェーハ1の表面側に液体状樹脂を所定厚さに塗
布し固化させて保護部材3を形成する。
【0011】この場合に使用される液体状樹脂は、常温
でも所望硬度の保護部材に硬化する樹脂、所謂経時的に
固化する樹脂であればその種類は問わないのであり、更
に所定の温度に加温すること、またはUV照射により硬
化が促進される液体状樹脂であることが望ましい。例え
ば、液体状のビニール系、ポリエステル系、アクリル
系、ポリアミド系、エポキシ系またはフッ素系等の樹脂
が使用可能である。
でも所望硬度の保護部材に硬化する樹脂、所謂経時的に
固化する樹脂であればその種類は問わないのであり、更
に所定の温度に加温すること、またはUV照射により硬
化が促進される液体状樹脂であることが望ましい。例え
ば、液体状のビニール系、ポリエステル系、アクリル
系、ポリアミド系、エポキシ系またはフッ素系等の樹脂
が使用可能である。
【0012】また、液体状樹脂の塗布手段としては、ロ
ーラーの他に、例えば、刷毛塗り、鏝塗りまたはスプレ
ー等によって塗布することができ、その塗布厚さは突起
4が全面的に隠される程度であって、例えば、40〜1
30μm程度で良い。
ーラーの他に、例えば、刷毛塗り、鏝塗りまたはスプレ
ー等によって塗布することができ、その塗布厚さは突起
4が全面的に隠される程度であって、例えば、40〜1
30μm程度で良い。
【0013】塗布された液体状樹脂は、図2に示したよ
うに、半導体ウェーハ1の表面側において、回路の縁に
形成されているバンプ等の突起4を完全に覆って包み込
み、その表面に凹凸が生じないようにすると共に、内部
に気泡が残らないようにして経時的に硬化させて所要の
剛性をもって固化させ、バンプの凹凸、即ちギャップを
完全に吸収させた保護部材3とするものである。
うに、半導体ウェーハ1の表面側において、回路の縁に
形成されているバンプ等の突起4を完全に覆って包み込
み、その表面に凹凸が生じないようにすると共に、内部
に気泡が残らないようにして経時的に硬化させて所要の
剛性をもって固化させ、バンプの凹凸、即ちギャップを
完全に吸収させた保護部材3とするものである。
【0014】この場合に、塗布された液体状樹脂の表面
側から、例えば所定温度の熱(100℃程度)または紫
外線(UV)等を照射すること、即ち外的要因によって
樹脂の硬化を促進させることができ、それによって比較
的短時間で所望硬度及び所要の剛性を有する保護部材3
を密着させた状態で形成することができる。
側から、例えば所定温度の熱(100℃程度)または紫
外線(UV)等を照射すること、即ち外的要因によって
樹脂の硬化を促進させることができ、それによって比較
的短時間で所望硬度及び所要の剛性を有する保護部材3
を密着させた状態で形成することができる。
【0015】このように保護部材3が形成された後に、
例えば、図3に示したような研磨装置10に半導体ウェ
ーハ1を供給して研磨に供せられる。この一例の研磨装
置10は、作業台11上にチャックテーブル12が配設
され、該チャックテーブル12は適宜の駆動部により回
転できると共に、載置された半導体ウェーハ等の被加工
物を適宜の吸着手段により吸着支持する構成になってい
る。
例えば、図3に示したような研磨装置10に半導体ウェ
ーハ1を供給して研磨に供せられる。この一例の研磨装
置10は、作業台11上にチャックテーブル12が配設
され、該チャックテーブル12は適宜の駆動部により回
転できると共に、載置された半導体ウェーハ等の被加工
物を適宜の吸着手段により吸着支持する構成になってい
る。
【0016】チャックテーブル12の上部には、研磨手
段13が配設されている。この研磨手段13は、筒状の
胴部14と、該胴部の上部に取り付けられたモータ15
と、該モータによって駆動され前記胴部から下方に突出
したスピンドル16と、該スピンドルに取り付けられた
ホイール17と、該ホイールに着脱自在に取り付けられ
た研磨砥石18とから構成されている。
段13が配設されている。この研磨手段13は、筒状の
胴部14と、該胴部の上部に取り付けられたモータ15
と、該モータによって駆動され前記胴部から下方に突出
したスピンドル16と、該スピンドルに取り付けられた
ホイール17と、該ホイールに着脱自在に取り付けられ
た研磨砥石18とから構成されている。
【0017】そして、胴部14は、作業台11から起立
して設けた壁体19に対して、上下動可能に取り付けら
れている。即ち、壁体19に縦方向に一対のレール20
が設けられ、該レールに沿って上下動するスライド板2
1が配設されている。このスライド板21に対し、胴部
14に取り付けられている支持板22がボルト等の適宜
の固定手段により固定され、スライド板21の上下動に
よって研磨手段13が上下動するように構成されてい
る。
して設けた壁体19に対して、上下動可能に取り付けら
れている。即ち、壁体19に縦方向に一対のレール20
が設けられ、該レールに沿って上下動するスライド板2
1が配設されている。このスライド板21に対し、胴部
14に取り付けられている支持板22がボルト等の適宜
の固定手段により固定され、スライド板21の上下動に
よって研磨手段13が上下動するように構成されてい
る。
【0018】スライド板21の上下動は、壁体19の裏
面側に設けられた駆動部23によって遂行される。即
ち、スライド板21の背面側に設けられた軸部(図示せ
ず)が、壁体19に設けられた溝状の貫通孔を貫通して
壁体19の裏面側に突出しており、その突出した軸部を
上下方向に移動させるパルスモータ等の駆動部23が設
けられており、その駆動部23を適宜駆動させることに
よって、スライド板21及び研磨手段13が上下動する
ことになる。この研磨装置10は、一般に使用されてい
るものがそのまま使用できるのであり、実際にはコンピ
ューター制御された研磨装置10が使用される。
面側に設けられた駆動部23によって遂行される。即
ち、スライド板21の背面側に設けられた軸部(図示せ
ず)が、壁体19に設けられた溝状の貫通孔を貫通して
壁体19の裏面側に突出しており、その突出した軸部を
上下方向に移動させるパルスモータ等の駆動部23が設
けられており、その駆動部23を適宜駆動させることに
よって、スライド板21及び研磨手段13が上下動する
ことになる。この研磨装置10は、一般に使用されてい
るものがそのまま使用できるのであり、実際にはコンピ
ューター制御された研磨装置10が使用される。
【0019】このような構成の研磨装置10を用い、前
記半導体ウェーハ1の表面側、即ち保護部材3が形成さ
れている側をチャックテーブル12上に載置して吸着さ
せ、半導体ウェーハ1の裏面側を研磨砥石18により研
磨するものである。
記半導体ウェーハ1の表面側、即ち保護部材3が形成さ
れている側をチャックテーブル12上に載置して吸着さ
せ、半導体ウェーハ1の裏面側を研磨砥石18により研
磨するものである。
【0020】この場合に、相当の圧力(押圧力)を掛け
て研磨するが、吸着載置された半導体ウェーハ1は、そ
の表面側に凹凸のギャップを吸収し、且つ所要の剛性を
有する保護部材3が一体的に形成されていることから、
半導体ウェーハ1自体にバンプまたはプローブマーク等
の突起4があっても、実質的にその突起4が保護部材3
の中で吸収され、半導体ウェーハ1の裏面と保護部材3
の表面とが略平行になっていることから、吸着力及び研
磨の際に付与される押圧力によって局部的にも変形する
ことがなくなり、研磨中の押圧力によって突起4部分に
応力が集中しないので、半導体ウェーハ1が割れたり、
破損したりする等の加工上の不都合を完全に回避するこ
とができるのである。
て研磨するが、吸着載置された半導体ウェーハ1は、そ
の表面側に凹凸のギャップを吸収し、且つ所要の剛性を
有する保護部材3が一体的に形成されていることから、
半導体ウェーハ1自体にバンプまたはプローブマーク等
の突起4があっても、実質的にその突起4が保護部材3
の中で吸収され、半導体ウェーハ1の裏面と保護部材3
の表面とが略平行になっていることから、吸着力及び研
磨の際に付与される押圧力によって局部的にも変形する
ことがなくなり、研磨中の押圧力によって突起4部分に
応力が集中しないので、半導体ウェーハ1が割れたり、
破損したりする等の加工上の不都合を完全に回避するこ
とができるのである。
【0021】また、半導体ウェーハ1に形成した保護部
材3は、半導体ウェーハ1の表面の凹凸に馴染んだ状態
で硬化し、空隙部または気泡などが全く生じないことと
相俟って、所定の硬度及び剛性をもっているため、半導
体ウェーハ1の剛性力アップに寄与すると共に、研磨作
業で押圧力を掛けながら回転力を付与しても、相対的な
ずれ現象を生じさせないで安定した状態に維持し、精密
研磨が遂行できるのである。
材3は、半導体ウェーハ1の表面の凹凸に馴染んだ状態
で硬化し、空隙部または気泡などが全く生じないことと
相俟って、所定の硬度及び剛性をもっているため、半導
体ウェーハ1の剛性力アップに寄与すると共に、研磨作
業で押圧力を掛けながら回転力を付与しても、相対的な
ずれ現象を生じさせないで安定した状態に維持し、精密
研磨が遂行できるのである。
【0022】更に、裏面の研磨を行った場合に、半導体
ウェーハ1の表面側に存在する突起4等の凹凸が、一般
的には裏面側に転写される傾向にあるが、本発明のよう
に液体状樹脂を硬化させた保護部材3により、しかも適
度の硬度をもって凹凸を吸収させたことにより、裏面側
への凹凸の転写が全くなくなり、研磨後の半導体ウェー
ハ1としての品質が著しく向上するのである。
ウェーハ1の表面側に存在する突起4等の凹凸が、一般
的には裏面側に転写される傾向にあるが、本発明のよう
に液体状樹脂を硬化させた保護部材3により、しかも適
度の硬度をもって凹凸を吸収させたことにより、裏面側
への凹凸の転写が全くなくなり、研磨後の半導体ウェー
ハ1としての品質が著しく向上するのである。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体ウェーハの研磨方法は、経時的に所望硬度の保護部材
に固化する液体状樹脂を半導体ウェーハの表面に塗布す
る工程と、該液体状樹脂が固化し保護部材となった後に
研磨装置のチャックテーブルに保護部材側を載置する工
程と、半導体ウェーハの裏面と対峙する研磨砥石によっ
て該ウェーハの裏面を研磨する工程とからなるものであ
り、液体状樹脂を固化させた保護部材の存在により、研
磨の押圧力が掛かっても、突起等に応力が集中せず、半
導体ウェーハが割れたり破損したりさせないで、研磨を
遂行することができると言う優れた効果を奏する。
体ウェーハの研磨方法は、経時的に所望硬度の保護部材
に固化する液体状樹脂を半導体ウェーハの表面に塗布す
る工程と、該液体状樹脂が固化し保護部材となった後に
研磨装置のチャックテーブルに保護部材側を載置する工
程と、半導体ウェーハの裏面と対峙する研磨砥石によっ
て該ウェーハの裏面を研磨する工程とからなるものであ
り、液体状樹脂を固化させた保護部材の存在により、研
磨の押圧力が掛かっても、突起等に応力が集中せず、半
導体ウェーハが割れたり破損したりさせないで、研磨を
遂行することができると言う優れた効果を奏する。
【0024】また、半導体ウェーハの表面に形成させる
保護部材は、液体状樹脂を塗布し経時的に硬化させて固
化するものであるので、半導体ウェーハの表面側に形成
されている突起等の凹凸に馴染んで、凹凸のギャップを
全面的に吸収したままの状態で且つ空隙部または気泡等
が存在しない常置で硬化するので、保護部材の表面が略
水平状態になっており、その保護部材側を研磨装置のチ
ャックテーブルに吸着保持させた時に安定した状態でセ
ットされ、それによって、半導体ウェーハが割れたり破
損したりしないで、研磨を遂行することができると言う
優れた効果を奏する。
保護部材は、液体状樹脂を塗布し経時的に硬化させて固
化するものであるので、半導体ウェーハの表面側に形成
されている突起等の凹凸に馴染んで、凹凸のギャップを
全面的に吸収したままの状態で且つ空隙部または気泡等
が存在しない常置で硬化するので、保護部材の表面が略
水平状態になっており、その保護部材側を研磨装置のチ
ャックテーブルに吸着保持させた時に安定した状態でセ
ットされ、それによって、半導体ウェーハが割れたり破
損したりしないで、研磨を遂行することができると言う
優れた効果を奏する。
【図1】本発明に係る研磨方法における保護部材の形成
工程を略示的に示した説明図である。
工程を略示的に示した説明図である。
【図2】同保護部材が形成された半導体ウェーハの一部
を拡大して示した断面図である。
を拡大して示した断面図である。
【図3】本発明に係る研磨方法に使用される研磨装置の
一例を示す斜視図である。
一例を示す斜視図である。
【図4】一般的に適用される被加工物である半導体ウェ
ーハの平面図である。
ーハの平面図である。
【図5】同半導体ウェーハに従来の保護テープを貼着し
た側面図である。
た側面図である。
【図6】図5のAで示した部分の拡大断面図である。
1……半導体ウェーハ、 2……IC回路、 3……保
護部材、4……突起(バンプ)、 5……空隙部(気
泡)、 6……塗布手段、10……研磨装置、 11…
…作業台、 12……チャックテーブル、13……研磨
手段、 14……胴部、 15、23……駆動部、16
……スピンドル、 17……ホイール、 18……研磨
砥石、19……壁体、 20……レール、 21……ス
ライド板、 22……支持板。
護部材、4……突起(バンプ)、 5……空隙部(気
泡)、 6……塗布手段、10……研磨装置、 11…
…作業台、 12……チャックテーブル、13……研磨
手段、 14……胴部、 15、23……駆動部、16
……スピンドル、 17……ホイール、 18……研磨
砥石、19……壁体、 20……レール、 21……ス
ライド板、 22……支持板。
Claims (2)
- 【請求項1】 経時的に所望硬度の保護部材に固化する
液体状樹脂を半導体ウェーハの表面に塗布する工程と、 該液体状樹脂が固化し保護部材となった後に研磨装置の
チャックテーブルに保護部材側を載置する工程と、 半導体ウェーハの裏面と対峙する研磨砥石によって該ウ
ェーハの裏面を研磨する工程と、 を含むことを特徴とする半導体ウェーハの研磨方法。 - 【請求項2】 液状樹脂の塗布工程の後に、加熱及び/
又はUV照射工程を介在させることを特徴とする請求項
1に記載の半導体ウェーハの研磨方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP626797A JPH10209089A (ja) | 1997-01-17 | 1997-01-17 | 半導体ウェーハの研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP626797A JPH10209089A (ja) | 1997-01-17 | 1997-01-17 | 半導体ウェーハの研磨方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10209089A true JPH10209089A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11633671
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP626797A Pending JPH10209089A (ja) | 1997-01-17 | 1997-01-17 | 半導体ウェーハの研磨方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10209089A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001284303A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
KR20020061737A (ko) * | 2001-01-17 | 2002-07-25 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 제조장치 및 반도체 제조장치의 웨이퍼 가공방법 |
JP2008262083A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-10-30 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体の製造方法 |
JP2011003611A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-01-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの研削方法および研削装置 |
JP2012521098A (ja) * | 2009-03-17 | 2012-09-10 | スス マイクロテク リソグラフィー,ゲーエムベーハー | 無機基板用のマイクロ電子仮支持体の高速製作 |
JP2015233034A (ja) * | 2014-06-09 | 2015-12-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2020027918A (ja) * | 2018-08-17 | 2020-02-20 | 株式会社ディスコ | 樹脂被覆方法 |
KR20200055258A (ko) * | 2018-11-13 | 2020-05-21 | 주식회사 다이나테크 | 테이프를 대신하는 박막필름의 형성 방법 |
-
1997
- 1997-01-17 JP JP626797A patent/JPH10209089A/ja active Pending
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050804 |
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