TW200828428A - Laser beam machining system - Google Patents

Description

200828428 九、發明說明：

發明領域 本發明係有關於一種沿著形成於晶圓之分割預定線照 5射雷射光，並沿著分割預定線分割晶圓之雷射加工裝置。 【先前技術】 發明背景

在半導體裝置製造步驟中，係根據在為大略圓板形狀 之半導體晶圓的表面呈格子狀配列之分割預定線區劃成複 10 數之領域，於該區劃之領域上形成1C、LSI等裝置。然後， 沿著溝道切斷半導體晶圓，分割形成有裝置之領域，製造 各個半導體晶片。又，於藍色基板表面積層有氮化鎵系化 合物半導體等之光裝置晶圓也藉由沿著溝道切斷而分割成 各個發光二極體、雷射二極體等光裝置，廣泛利用於電器。 15 此種沿著半導體晶圓或光裝置晶圓等晶圓之溝道的切 斷一般係藉由切割裝置來進行。該切割裝置具有：用以保 持被加工物之晶圓之夾盤工作台、用以切割保持於該夾盤 工作口之切割機構、及使夾盤工作台與切割機構相對地移 20動之私動機構。切割機構包含可高速旋轉之旋轉軸及安裝 疋轉轴之切割板。在使用此種切割裝置進行晶圓之切 、^有傳送速度有限且因為切割屑的產生而污染晶片 之問題。 方面’近年來分割半導體晶圓等之板狀被加工物 之方法，提屮— 一種方法係沿著形成於被加工物之分割預定 5 200828428 ’線R?、射脈衝雷射光線，藉此施行消熔加工。（參照如專利文 獻1) 【專利文獻1】曰本專利公開公報特開平1〇_3〇542〇號 可是，使用上述雷射加工方法切斷晶圓時，會有在分 5 °】之各個晶片外周面殘存加工偏斜而抗折強度降低之問 題。特财，抗折強度低之石申域(GaAS_圓會因為加工 偏斜的殘存而對抗折強度之降低有相當大的影響。

曾另一方面，使用切割裝置沿著分割預定線切割晶圓會 導致在分割成各個裝置之外周面殘存加工偏斜。為了除去 10該加工偏斜，提出一種在將晶圓分割成各個裳置後，實施 化學餘刻之晶圓加工方法。（參照如專利文獻幻 【專散獻2】日本專利公開公報特開平號 【^^明内容;j 發明概要 15 20 奴％仓人鮮决之課題 2 ’在使用切削裝置將晶圓分割成各個裝置後， 對刀剎成各個裝置之晶圓進 &久袖仃蝕刻處理，需要用以將分 成各個I置之晶圓搬送到蝕刻 牛_ ^ 衣置之搬送裝置進行之擷 乂驟，未必能夠滿足生産效率層面。 本發明係有鑒於上述事竇 題係在於脖—辦作成者，其主要之技獨 晶圓八割… 耆57割預定線照射雷射光線， 二=成各個裳置後、不搬送到 可 蝕刻處理之雷射加工裝置。 且 為了解決上述主要之技術課題，本發明之雷射加工 200828428 置包含有：夾盤工作台，係用以保持晶圓者；雷射 射機構，係用以將雷射光線照射於被保持在該失般工作、式 之晶圓者；加工傳送機構，係使前述失盤工作^前述ί 射光線照射機構相對地進行加卫傳送者；及切㈣ 5構，係使前述夾盤工作台與前述雷射光線照射機構朝= 杨工傳送方向直交之分割傳送方向相對地進行進行分= 傳送者；其特徵在於：前述雷射加工裝置具有]刻機

係對雷射加工後之晶圓進行蚀刻者；及搬送機構，係 保持在該夾盤工作台之雷射加工後之晶圓搬送到$ 10機構者。 上述姓刻機構包含有：旋轉工作台，係用以保持並旋 轉明圓者’及蚀刻液供給機構，係將钱刻液供給到被保持 在别述旋轉工作台之雷射加工後之晶圓者。該姓刻機構宜 具有一保護材料供給機構，其係將用以形成保護膜之液狀 15保護材料供給到被保持在該旋轉工作台之雷射加工前之晶 圓的加工面者。又，宜具有—洗淨水供給機構，其係供給 用以將被保持在該旋轉工作台之钱刻處理後之晶圓洗淨之 洗淨水者。 由上述雷射加工裝置加工之晶圓為砷化鎵（GaAs)晶 圓，且藉由該關機構進行兹刻之钱刻液係由氯氧化錢與 過氧化氫構成。 由於本發明之雷射加工裝置具有··對雷射加工後之晶 圓進行钱刻之個機構、及將被保持在夾盤工作台之雷射 加工後之晶圓搬送到蝕刻機構之搬送機構，因此可有效率 7 200828428 地直接對雷射加工後之晶圓進行蝕刻處理。 【實施方式；j 較佳實施例之詳細說明 以下’參照添附圖式詳細說明依據本發明構成之雷射 5加工裝置之較佳實施形態。 第1圖係顯示依據本發明構成之雷射加工裝置〗之透視 圖。 第1圖所示之雷射加工裝置！具有大略直方體狀之裝置 设體2。該裝置殼體2内配設有用以保持被加工物之晶圓之 10夾盤工作台3，且該夾盤工作台可朝箭頭x所示之加工傳送 方向及與該加工傳送方向直交之切割傳送方向γ移動。夾盤 工作台3具有：吸著夾盤支持台31、及安裝於該吸著夾盤支 持台31上之吸著夾盤32，且藉由未圖示之吸引機構而將被 加工物之晶圓保持於該吸著夾盤32之表面之載置面上。 15又，夾盤工作台3構成為可藉由未圖示之旋轉機構旋動。如 此構成之夾盤工作台3之吸著夾盤支持台31配設有於後敘 述之用以固定環狀框架之夾板34。又，雷射加工裝置1具 有·可將上述夾盤工作台3朝加工傳送方向X進行加工傳送 之未圖不之加工傳送機構、及朝切割傳送方向Υ進行切割傳 20送之未圖示之切割傳送機構。 圖不之雷射加工裝置1具有雷射光線照射機構4，其係 在被保持於上述失盤工作台3之被加工物之晶圓上施行雷 射加工者。雷射光線照射機構4具有：雷射光線發射機構 41、及用以集中由該雷射光線發射機構41所發射之雷射光 8 200828428 線之集光器42。 又铸射加工裝置1具有未圖示之移動機構，其係將雷 射光線發射機構41朝箭頭Z所示之垂直於夾盤工作台3上面 之載置面之方向之集光點位置調整方向移動。 5 圖示之雷射加工裝置1具有一攝影機構5，其係用以拍 攝被保持於上述夾盤工作台3之吸著夾盤32上之被加工物 的表面並藉由上述雷射光線照射機構4之集光器42所照射 之雷射光線檢測出應加工之領域。該攝影機構5除了具有使 用可視光線攝影之一般攝影元件(CCD)之外，還具有於被加 10工物照射紅外線之紅外線照明機構、可捕捉由該紅外線照 明機構照射之紅外線之光學系、及輸出對應於由該光學系 捕捉之紅外線之電氣信號之攝影元件（紅外線c c D)等，並將 攝影之影像信號傳送到後述之控制機構。又，圖示之晶圓 的分割裝置1具有用以顯示由攝影機構5拍攝之影像之顯示 15 機構6。. 圖示之雷射加工裝置1具有一蝕刻兼洗淨兼保護膜被 覆機構7，其係具備有作為對雷射加工後之晶圓進行蝕刻處 理之蝕刻機構之機能、作為洗淨蝕刻處理後之晶圓之洗淨 機構之機能、及作為於雷射加工前之晶圓之加工面被覆保 20護膜之保護膜被覆機構之機能。參照第2〜4圖說明該钱刻 兼洗淨兼保護膜被覆機構7。 圖示之實施形態之蝕刻兼洗淨兼保護膜被覆機構7具 有：旋轉工作台機構71、及包圍該旋轉工作台機構71配設 之飿刻液盛接機構72。旋轉工作台機構71具有：旋轉工作 9 200828428 台711、用以驅動該旋轉工作台711旋轉之電動馬達712、及 用以支持該電動馬達712且可朝上下方向移動之支持機構 713。旋轉工作台711具有由多孔質材料形成之吸著夾盤 711a ’且該吸著夾盤7na與未圖示之吸引機構連通。因此， 5旋轉工作台711可藉由將被加工物之晶圓載置於吸著夾盤 711a上’並且使用未圖示之吸引機構產生負壓作用，而將晶 圓保持於吸著夾盤711上。又，旋轉工作台711配設有用以 固定後述之環狀框架之夾板機構714。電動馬達712於其驅 動軸712之上端連結上述旋轉工作台711。上述支持機構713 10具有：複數(在圖示之實施形態中為3支）支持腳713a、分別 連結該支持腳713a並安裝於電動馬達712之複數（圖示之實 施形態中為3支)汽缸713b。如此構成之支持機構713係藉由 使汽缸713b作動，而將電動馬達712及旋轉工作台711定位 於第3圖所示之上方位置之被加工物搬入搬出位置、及第4 15 圖所示之下方位置之作業位置。 上述餘刻液盛接機構72具有：蝕刻液盛接容器721、用 以支持該儀刻液盛接容器721之3支（第2圖係顯示2支）支持 腳722、安裝於上述電動馬達712之驅動軸712a之覆蓋構件 723。钱刻液盛接容器721係如第3圖及第4圖所示，由圓筒 20狀之外側壁721a與底壁721b及内側壁721c構成。底壁721b 之中央部設有上述電動馬達712之驅動軸712a插通之孔 721d ’並形成有由該孔721(1之周緣朝上方突出之内側壁 721c。又，如第2圖所示，於底壁721b設有排液口 721e，該 排液口 721e與排管724連接。上述覆蓋構件723係形成圓盤 200828428 狀’且具有由其外周緣朝下方突出之蓋部723a。如此構成 之覆蓋構件723係當電動馬達712及旋轉工作台711定位於 第4圖所示之作業位置時，蓋部72%會帶有間隙疊合定位於 構成上述蝕刻液盛接容器721之内側壁721c之外側。 5 圖示之實施形態中之蝕刻兼洗淨兼保護膜被覆機構7 具有一保護材料供給機構74，其係將聚乙烯醇(PVA:P〇ly Vinyl Alcohol)等液狀保護材料供給到保持於上述旋轉工作 台711且作為雷射加工前之被加工物之晶圓之加工面。保護 材料供給機構74具有··一將液狀保護材料供給於保持在旋 10轉工作台711之加工前之晶圓加工面之保護材料供給噴嘴 741、及使該保護材料供給喷嘴741搖動之可正轉•逆轉之 電動馬達742，且保護材料供給喷嘴741與未圖示之保護材 料供給源連接。保護材料供給喷嘴741由朝水平延伸之喷嘴 部741a、及由該喷嘴部741a朝下方延伸之支持部741b構 15成，且支持部74沁插通配設於設置於構成上述蝕刻液回收 各态721之底壁721b之未圖示之插通孔，且與未圖示之保護 材料供給源連接。又，保護材料供給噴嘴741之支持部74沁 插通之未圖示之插通孔周緣，裝設有用於密封其與支持部 741b之間之密封構件（未圖示）。 20 圖不之實施形態之蝕刻兼洗淨兼保護膜被覆機構7具 有一蝕刻液供給機構75，係用以對保持於上述旋轉工作台 711之雷射加工後之被加工物之晶圓進行蝕刻處理。蝕刻液 供給機構75具有：朝保持於旋轉工作台711之雷射加工後之 晶圓喷出蝕刻液之蝕刻液喷嘴751、及使該蝕刻液噴嘴751 11 200828428 搖動之可正轉逆轉之電動馬達752，該蝕刻液喷嘴751與未 圖不之餘刻液供給源連接。蝕刻液噴嘴751具有··朝水平延 伸且前端部朝下方彎曲之噴嘴部751a、由該噴嘴部751a之 基端朝下方延伸之支持部751b，支持部751b插通配設於設 5置於構成上述姓刻液盛接容器721之底壁721b之未圖示之 插通孔，且與未圖示之餘刻液供給源連接。又，钱刻液喷 嘴751之支持部751b插通之未圖示之插通孔周緣，裝設有用 於密封其與支持部75113之間之密封構件（未圖示）。 圖不之實施形態之蝕刻兼洗淨兼保護膜被覆機構7具 10有一洗甲水供給機構76，其係用以洗淨被保持於上述旋轉 工作口 711之蝕刻處理後之被加工物之晶圓。洗淨水供給機 構76具有：朝保持於旋轉工作台711之蝕刻處理後之晶圓噴 出洗淨水之洗淨水噴嘴761、及可使該洗淨水噴嘴761搖動 之可正轉•逆轉之未圖示之電動馬達，且該洗淨水喷嘴761 is與未圖不之洗淨水供、給源連接。洗淨水喷嘴761由與朝水平 延伸且前端部朝下方彎曲之噴嘴部76U、及由該喷嘴部 ?61a之基端朝T枝狀讀部㈣構成，且支持部蘭 插通配,又於汉置於構成上述餘刻液盛接容器72i之底壁 721b之未圖示之插通孔，料接於未圖示之洗淨水供給 2〇源。又，於洗淨水噴嘴…之支持部咖插通之未圖示之插 通孔周緣裝設有用以密封其與支持部咖之間之密封構件 (未圖示）。 回到第1圖繼續說明，圖示之雷射加工農置具有一可載 置用以收容作為被加工物之晶圓之石申化錄晶圓10之艮之匿 12 200828428 載置部13a。於匣載置部na配設有可藉未圖示之昇降機構 朝上下移動之匣工作台131，該匣工作台131上載置有匣 13。砷化鎵晶圓1〇貼著於裝設在環狀之框架n之保護膠帶 12之表面，並可在經由保護膠帶12而受環狀框架n支持之 5狀態下收容於上述匣13。坤化鎵晶圓10係如第5圖所示，例 如於厚度為100#m之砷化鎵（GaAs)基板1〇〇表面1〇加上形 成有複數格子狀之分割預定線1(H。然後，於砷化鎵(GaAs) 基板100之表面100a上，於由形成格子狀之複數分割預定線 101區劃而成之複數領域形成有拼合積體圯或高速lc等裝 10置102。如此構成之砷化鎵晶圓10係如第i圖所示，以表面 l〇〇a、即形成有分割預定線101及裝置1〇2之面為上側，裏 面貼著於安裝於環狀框架11之保護膠帶12。 圖不之雷射加工裝置i具有··晶圓搬出搬入機構15，係 將收納於上述匣13之加工前砷化鎵晶圓1〇搬出到配設於暫 15置部14a之對位機構14,並且將加工後之砷化鎵晶圓10搬入 匣13者，第1晶圓搬送機構16，係將搬出到對位機構丨々之雷 射加工前之坤化鎵晶圓10搬送職刻兼洗淨兼保護膜被覆 機構7，並且將藉由餘刻兼洗淨兼保護膜被覆機構7於表面 被覆保護膜之砷化鎵晶圓1〇搬送到前述夾盤工作台3上 20者·，及第2晶圓搬送機構17，係將在爽盤工作台让經雷射 加工之坤化鎵晶圓1〇搬送到餘刻兼洗淨兼保護膜被覆機構 7 ° 圖示之雷射加工裳置1係如上述所構成，以下就使用該 雷射裝置1沿著形成於上述石申化鎵晶圓1〇之基盤1〇〇表面 13 200828428 100a之分割預定線10丨切斷之雷射加工方法加以說明。 如第1圖所示，經由保護膠帶12而受環狀框架n支持之 加工4砷化鎵晶圓1〇(以下單稱坤化鎵晶圓i〇)，係以作為加 工面之表面100a為上側而收容於匣13之預定位置。收容於 a 5匣13之預定位置之雷射加工前之砷化鎵晶圓10係藉由未圖 厂、之幵卩牛機構使匣工作台131上下移動，藉此定位於搬出位 置。其次，晶圓搬出搬入機構15會進退作動，將定位於搬 馨 出位置之砷化鎵晶圓1〇搬出到配置於暫置部14a之對位機 構14。搬出到對位機構14之砷化鎵晶圓1〇藉由對位機構 1〇而位於預定之位置。其次，藉由對位機構14而對位之雷射 加工4半導體晶圓1〇藉由第丨晶圓搬送機構16之旋回動作 而搬送到構成蝕刻兼洗淨兼保護膜被覆機構7之旋轉工作 台711之吸著夾盤711a上，並吸引保持於該吸著夾盤7Ua(晶 圓保持步驟）。又，環狀框架丨丨藉由夾板714而固定。此時， 15旋轉工作台711定位於第3圖所示之被加工物搬入搬出位 • 置，而保護材料供給噴嘴741與洗淨水噴嘴751以及空氣喷 喝761則如第2圖及第3圖所示，置於遠離旋轉工作台711上 ^ 方之待機位置。 貫施將雷射加工前之砷化鎵晶圓10保持於蝕刻兼洗淨 2〇兼保護膜被覆機構7之旋轉工作台711上之晶圓保持步驟 後貝〗貝於作為保持於旋轉工作台711之半導體晶圓1 〇之 加工面之表面100a被覆保護膜之保護膜被覆步驟。即，將 疑轉工作台711定位於作業位置，並且驅動保護材料供給機 構74之電動馬達742，然後如第6(a)圖所示，將保護材料供 14 200828428 給喷嘴741之噴嘴部741a之喷出口定位於保持在旋轉工作 台711上之砷化鎵晶圓1〇之中心部上方。然後，旋轉工作台 711朝箭頭所示之方向以預定之旋轉速度（例如2〇〇rpm)旋 轉，並由保護材料供給機構74之保護材料供給噴嘴741朝貼 5著於安裝在環狀框架η之保護膠帶12之表面之砷化鎵晶圓 10之表面l〇〇a(加工面）之中央領域滴下預定量(例如半導體 晶圓10之直徑為2〇〇mm時則為lcc)之液狀保護材料11()。 又，液狀保護材料宜為聚乙烯醇(pvA:p〇ly Vjnyl Alc〇h〇1) 等水溶性光阻劑。 10 如此，於保持在旋轉工作台711之雷射加工前之砷化鎵 晶圓10之表面l〇〇a(加工面）的中央領域滴下lcc之聚乙烯醇 等液狀保護材料110，並使旋轉工作台711以2〇〇rpm之旋轉 速度旋轉60秒左右，藉此則如第6圖（b)所示，於半導體晶圓 10之表面l〇a(加工面）被覆厚度為左右之保護膜12〇。 15 在貫施上述保護膜被覆步驟後，則旋轉工作台711如第 3圖所示會定位於被加工物搬入搬出位置，並且解除保持於 方疋轉工作台711之砷化鎵晶圓1〇的吸引保持。而且，旋轉工 作台711上之砷化鎵晶圓1〇可藉由第丨晶圓搬送機構16而搬 送到失盤工作台3之吸著夾盤32上，並由該吸著夾盤32吸引 20保持。如此，吸引保持砷化鎵晶圓1〇之夾盤工作台3可藉由 位未圖示之加工傳送機構而定位於配設於雷射光線照射機 構4之攝影機構5之正下方。 §失盤工作台3疋位於攝影機構$之正下方時，可藉由 攝影機構5及未圖示之控制機構，執行於砷化鎵晶圓1〇形成 15 200828428 於預定方向之分割預定線101、及沿著分割預定線ιοί照射 雷射光線之雷射光線照射機構4之集光器42之對位之對照 圖案等影像處理，完成雷射光線照射位置之調準。又，也 同樣對相對形成於砷化鎵晶圓10之上述預定方向朝直角延 • 5伸之分割預定線101也完成雷射光線照射位置之調準。此 ， %，砷化鎵晶圓丨〇之形成有分割預定線101之表面l〇〇a形成 有保護被膜110，但保護膜11〇非透明時可以紅外線攝影由 g 表面進行調準。 如上述，若檢測形成於保持在夾盤工作台3上之砷化鎵 10晶圓10之分割預定線101，進行雷射光線照射位置之調準， 則見施由保護膜120側沿著分割預定線101照射雷射光線於 被覆有保護膜120之雷射加工前之石申化錄晶圓10，並沿著分 J預疋線ιοί开)成雷射加工溝之雷射加工步驟。即，將夾盤 工作台3移動到雷射光線照射機構4之集光器“所在之雷射 15光線射領域，並將預定之分割預定線1〇1定位於集光器^ • 正下方。此時，如第7(a)圖所示，半導體晶圓10係定位於分 割預定線101之-端(如第7圖⑻中左端）定位於集光器42之 7方。其次，由雷射光線照射㈣4之集光純照射脈衝 田射光線，並以預定之加工傳送速度使夾盤工作台3朝第 K 2G 7⑷圖中箭柳所示之方向移動。然後，如第7_所示， 刀相疋線101之另-端（第7(1))圖中右端）到達集光器42之 正下方位置後，停止脈衝雷射光線之照射並且停止失盤工 作台3之移動。在該雷射加工步驟中，將脈衝雷射光線之集 光點P調整到坤化鎵晶UJ i G之表面i⑻a附近。 16 200828428 藉由實施上述之雷射加工步驟，於砷化鎵晶圓10上沿 著分副預定線101施行消熔加工，砷化鎵晶圓1〇會如第8圖 所示沿著分割預定線101形成雷射加工溝140 。此時，藉由 脈衝Μ射光線之照射如第8圖所示產生碎屑^%，該碎屑 5會被保護膜120阻隔而不會附著於裝置1〇2。 又’上述雷射加工步驟係以如下之加工條件進行。

雷射光線之光源：γν〇4雷射或雷射 波長 ： 反覆頻率 ：l〇kHz 10 輸出 ： 集光點 加工傳送速度 :橢圓點··長軸600// m、短軸100# m :200mm/秒 上述加工條件中，砷化鎵晶圓可形成深度為50//m左 右之雷射加工溝。因此，藉由沿著厚度為100#m之坤化鎵 I5晶圓10之分割預定線1〇1實行2次上述雷射加工步驟，可如 第9圖所示形成到達保護膠帶12之雷射加工溝14〇，並可切 斷砷晝鎵晶圓10。 在沿著砷化鎵晶圓1〇之朝預定方向延伸之分割預定線 101實施上述之雷射加工步驟後，夾盤工作台3會旋動卯 20度，亚沿著對預定方向成直角延伸之分割預定線101實施上 述雷射加工步驟。結果，砷化鎵晶圓10沿著形成格子狀之 複數分割預定線1〇1被切斷，分割成各個裝置1〇2。 沿著砷化鎵晶圓10之全部溝道101實施上述雷射加工 步驟後，保持有分割成各個裝置102之#射加工後坤化蘇晶 17 200828428 圓10之夾盤工作台3可藉由未圖示之加工傳送機構之作 動’回到最初吸引保持砷化鎵晶圓10之位置，並在此解除 ^化鎵晶圓10之吸弓丨保持。接著，雷射加工後之砷化鎵晶 圓W藉著第2晶圓搬送機構17搬送到構成蝕刻兼洗淨兼保 — 5濩膜破覆機構7之旋轉工作台711之吸著夾盤71^上，並吸 引保持於該吸著夾盤7lla。此時，樹脂供給噴嘴741與钱刻 液噴嘴751及洗淨水噴嘴761如第3圖及第4圖所示，定位於 • 遠離旋轉工作台711上方之待機位置。 雷射加工後之坤化鎵晶圓1〇保持於蝕刻兼洗淨兼保護 1〇膜被覆機構7之旋轉工作台711上後，實施對各個分割之裝 置102之外周面進行蝕刻之蝕刻步驟。即，將旋轉工作台7ΐι 定位於作業位置，並驅動蝕刻液供給機構75之未圖示之電 動馬達，將蝕刻液供給喷嘴751之喷嘴部751&的噴出口定位 於保持在旋轉作台711上之f射加工後之_化鎵晶圓1〇 15之中心部上方。然後，使旋轉工作台711以例如i〇rpm之旋 • 轉速度旋轉，並由噴嘴部Mia之噴出口噴出由氫氧化銨與 過氧化氫構成之鍅刻液16〇。如此，藉由實施2分鐘左右之 蝕刻步驟，蝕刻液16〇浸透於沿著分割預定線101形成於砷 化鎵晶圓10之雷射加工溝H〇，表面被覆有保護膜12〇之各 • 2G裝置搬的外周面被飿刻。結果，由於藉由實施上述雷射加 工步驟，除去殘存於各裝置102之外周面之加工偏斜，因此 可提高裝置之抗折強度。又，該蝕刻步驟中，用以對砷化 鎵晶圓進行蝕刻處理之蝕刻液也可使用由硫酸與過氧化氫 構成之蝕刻液，但由於使用硫酸會有危險，因此宜使用由 18 200828428 氫氧化銨與過氧化氳構成之蝕刻液。 /如上所述，圖示之雷射加工裝置！具有用以對雷射加工 後之晶圓餘刻之餘刻機構，因此可有效率地直接對雷射加 工後之晶圓進行餘刻處理。 5 %上所述在實施制步驟後，則實施以水洗淨蚀刻處 理後之aa圓之洗淨步驟。即，令蝕刻液噴嘴乃1定位於如第 3圖及第4圖所示之遠離旋轉工作台711之上方之待機位 置，並且驅動洗淨水供給機構76之未圖#之電動馬達，令 洗淨水供給噴嘴761之噴嘴部76此嘴出口定位於保持在 10旋轉工作台7U上之砷化鎵晶圓1〇(分割成各個經分割之裝 置102)之中心部上方。然後，令旋轉工作台川以例如 300rpm的旋轉速度旋轉，並由喷嘴部冗“之喷出口噴出由 純水匕與空氣構成之洗淨水。又，噴嘴部76u係由所謂2流體 喷嘴所構成，並供給〇 · 2MPa左右之純水，同時供給 15 0.3 G.5MPa左右之空氣’以空氣之壓力噴出純水來洗淨珅 化鎵晶圓10。此時，驅動未圖示之電動馬達，使由洗淨水 供給噴嘴761之喷嘴部76la之喷a 口噴出之洗淨水在由相 s於保持在旋轉工作台711之半導體晶圓1〇之中心之位置 到相當於外周部之位置的所需角度範圍内搖動。結果，分 2〇割石申化鎵晶圓10並被覆於各個裝置1〇2表面之保護膜12〇係 如上所述，由水溶性之聚乙烯醇形成，因此可容易清洗保 護膜120，並且也可除去雷射加工時產生之殘屑15〇。 在上述之洗淨步驟結束後，執行乾燥步驟。即，令洗 淨水供給噴嘴761定位於待機位置，使旋轉工作台711以如 19 200828428 3000rpm之旋轉速度旋轉15秒左右。 如上所述，在蝕刻處理後之砷化鎵晶圓10之洗淨及乾 燥結束後，停止旋轉工作台711之旋轉。而且，令旋轉工作 台711定位於第3圖所示之被加工物搬入搬出位置，並且解 5 除保持於旋轉工作台711之砷化鎵晶圓1〇之吸引保持。其 次，旋轉工作台711上之加工後砷化鎵晶圓1〇被第1晶圓搬 送機構16搬出到配設於暫置部14a之對位機構14。搬出到對 位機構14之加工後之砷化鎵晶圓10由晶圓搬出搬入機構15 收納於匣13之預定位置。 10 【圓式簡單說明】 第1圖係依據本發明構成之雷射加工裝置之立體圖。 第2圖係剖面顯示第1圖所示之雷射加工裝置所配備之 蝕刻兼洗淨兼保護膜被覆機構之一部份之立體圖。 第3圖係顯示將第2圖所示之關兼洗淨兼保護膜被覆 15機構之旋轉工作台定位於被加工物搬入搬出位置之狀態之 說明圖。 弟4圖係顯示將第2圖所示之㈣兼洗淨兼保護膜被覆 機構之旋轉工作台定位於作業位置之狀態之說明圖。 第5圖係作為由第！圖所示之雷射加工裝置加工之被加 2〇工物之砷化鎵晶圓之立體圖。 第6(a)〜(b)圖係顯示使用第1圖所示之雷射加工裝置實 施之保護膜被覆步驟之說明圖。 第7(aHb)圖係顯示使用第1圖所示之雷射加工裝置實 施之雷射加工步驟之說明圖。 20 200828428 第8圖係藉由第7圖所示之雷射加工步驟形成雷射加工 溝之坤化嫁晶圓之要部放大截面圖。 第9圖係顯示藉由第7圖所示之雷射加工步驟形成之雷 射加工溝到達保護膠帶之狀態之砷化鎵晶圓之要部放大截 面圖。 第10圖係顯示使用第1圖所示之雷射加工裝置實施之 蝕刻步驟之說明圖。

【主要元件符號說明】 1...雷射加工裝置 Ή1…旋轉工作台 2...裝置殼體 711a...吸著夾盤 3...夾盤工作台 712...電動馬達 31…吸著夾盤支持台 712a...驅動轴 32…吸著夾盤 Ή3…支持機構 34…爽板 713a···支持腳 4...雷射光線照射機構 Ή313···汽缸 41...雷射光線發射機構 714…夾板機構 42··.集光器 72...蝕刻液盛接機構 5···攝影機構 721...蝕刻液盛接容器 6...顯示機構 721a...外側壁 7...蝕刻兼洗淨兼保護膜被覆機 721b…底壁 構 721c...内側壁 71··.旋轉工作台機構 721d···孔 21 200828428 721e...排液口 102…裝置 722…支持腳 110...保護材料 723…覆蓋構件 120···保護膜 723a...蓋部 11…環狀框架 724...排管 12…保護膠帶 74…保護材料供給機構 13...匣 741"保護材料供給喷嘴 13a...匣載置部 741a...喷嘴部 131...匣工作台 741b···支持部 14…對位機構 742...電動馬達 14a...暫置部 75.··蝕刻液供給機構 15…晶圓搬入搬出機構 751...蝕刻液喷嘴 16…第1晶圓搬送機構 751a···喷嘴部 17…第2晶圓搬送機構 751b...支持部 100…砷化鎵基板 752...可正逆向旋轉之電動馬達 100a.··表面 76…洗淨水供給機構 140…雷射加工溝 761...洗淨水喷嘴 150...殘屑 761a...喷嘴部 160…餘刻液 761b.··支持部 P···集光點 10…砷化鎵晶圓 X...加工傳送方向 101…分割預定線 Y...切割傳送方向 22

Claims (1)

1. 200828428 十、申請專利範圍： L 一種雷射加工裝置，包含有： 夾盤工作台，係用以保持晶圓者； 雷射光線照射機構，係用以將雷射光線照射於被保 5 持在該失盤工作台之晶圓者； 、 • 加工傳送機構，係使前述夾盤工作台與前述雷射光 線照射機構相對地進行加工傳送者；及 • 切割傳送機構，係使前述夾盤工作台與前述雷射光 線照射機構朝與前述加工傳送方向直交之分割傳送方 1〇 自相對地進行進行分割傳送者 ，其特徵在於： 月、J述雷射加工裝置具有··蝕刻機構，係對雷射加工 後之θ曰圓進行蝕刻者；及搬送機構，係將被保持在該爽 i工作台之雷射加工後之晶圓搬送到前述蝕刻機構者。 如申明專利範圍第1項之雷射加工裝置，其中該餘刻機 15 構包含有： • %轉工作台’係用以保持並旋轉晶圓者；及 钱刻液供給機構，係將㈣液供給到被保持在前述 ‘ _工作台之雷射加工後之晶圓者。 20 申明專利乾圍第2項之雷射加工裝置，其中該餘刻機 構具有—倾材能給機構，錢_以職保護膜之 液=保遵材料供給到被保持在該旋轉工作台之雷射加 工雨之晶圓的加工面者。 申π專利祀圍第2或3項之雷射加工裝置，其中該钱刻 、構^有；先㊉水供給機構，其係供給用以將被保持在 23 200828428 該旋轉工作台之蝕刻處理後之晶圓洗淨之洗淨水者。 5.如申請專利範圍第1〜5項中任一項之雷射加工裝置，其 中前述晶圓為砷化鎵(GaAs)晶圓，且藉由該蝕刻機構進 行蝕刻之蝕刻液係由氫氧化銨與過氧化氳構成。

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