TW200828363A - A spiral inductor - Google Patents

Description

200828363 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種半導體裝置，特別是關於一種用於半導體 _ 裝置之螺旋電感器。 - 【先别技術】 * - . 為了在-半導體裝置之基板中產生電感，半導體襄置包含有 傷複數個電感器，其通常係透過將一金屬線形成為螺旋形狀而形 成。舉例而言，在「第1圖」所示之結構中，—金屬線1〇2透過 自—連串之躲線路形成-螺旋結構，祕—轉縣板100中 形成一電感器。 , 然而’在使用一連串的直線線路形成此螺旋結構中之一困難 在：產生於此金屬線邊緣之極化現象，會導致電感器巾之電阻增 大且會在金屬_產生—高寄生電容。姻是，在錄線直接形 鲁成於半導體基板上的結構中，會在此半導體基板上產生一渴電 流’此渦電流可阻贱前形成於此半導體基板上之任何電路，例 '如，曰曰體之作業。因此，由於習知技術之電感器產生的渦電流 -或位移電流所帶來的損耗，以在轉體基板上製造高質量 的電感器。 、 【發明内容】 二了触上述f知技術之問題，本發明之目的在雜供-種 螺旋魏n ’彳_減少電絲、之金屬線_寄生電容，減少由 200828363 於滿電流或位移雷户舶太 瓜生之損耗，並且提高電减哭之質量。 為達上述之目的，士於 门电α 口口之貝里 拜，传由、@叙 V *明之螺旋電感器包含有：一電介質 層係由叙數個堆疊於一 ·、 曲金屬線，係埋設於此電垃層形成；以及複數個彎 、 1貝彳中，此複數個彎曲金屬線係連續 相連接用以形成一螺旋形狀。 【實施方式】 以下’將結合圖式部份對本發明之一螺旋電感器的較佳實施 方式作詳細說明。 、 以下’將結合圖式部份描述本發明之不同實施例之結構。雖 然糊示中絲及在酬書情細贿林伽之構獻至少一 個貫施例純說明，然其並翻嫌定本發㈣技術思想、核心 架構、或本發明之意圖。 第一實施例 第2A圖」及「第2B圖」係為本發明第一實施例之螺旋電 感盗之示意圖，其中「第2A圖」係為形成於一半導體基板上之螺 感态之投影圖，並且「第2B圖」係為沿「第2A圖」中之 A-A’線之橫截面圖。 请芩閱「第2A圖」及「第2B圖」，螺旋電感器包含有一電 介質層，此電介質層具有複數個堆疊於一半導體基板100上之層 及複獒個彎曲金屬線2〇4、210、213、以及216，此複數個彎曲金 屬線係形成且配設於此電介質層之多個電介質層201、202a、 200828363 205a、208a、211a、214a、以及217之間。然後此複數個彎曲金屬 線204、210、213、以及216連續相連接用以形成一環形螺旋形狀。 此彎曲金屬線204、210、213、以及216連續相連接，以致彎 曲金屬線210、213、以及216形成一具有線路寬度之環形螺旋形 狀’自此半導體基板2〇〇之頂部來看，此線路寬度自此環形螺旋 之外圍部份向此環形螺旋之中心部份逐漸變得狹窄。 此龟感态之環形螺旋結構利用彎曲金屬線21〇、213、以及 連續相連接而形成。 因此’自此半導體基板2〇〇之頂部來看，環形螺旋結構之形 成致使此相連接之彎曲線路的線路寬度隨著朝向此中心部份行進 而變得逐漸狹窄。 在此配置中，環形螺旋之彎曲金屬線210、213、以及216 fE 之間隙較佳保持為，以便於維雜定。 /此外，形成於環形螺旋之中心部份之第一彎曲金屬線U丨 形Ϊ於Γ弟一電介質層施中，而一第二彎曲金屬線213，係痛 ^第乂弓曲孟屬線21〇相連接，形成於第二電介質層中。一 =曲金屬線.216 ’係與第二彎曲金屬線213相連接，形成於— :、私’:貝層214a,中。在本實施例中，第一電介質層2。如，其中 H有第一f曲金屬、線210,為底電介質層，第二電介質詹‘， ::::成有第二擎曲金屬線213 ’形成於此第-電介質層鳥上， 亚且弟二電介質層加，其中形成有第三彎曲金屬線加，形成 200828363 於此第二電介質層211a上。因此， 示，此環形螺旋形成為-旬置的錐开；:圖」中之横戴面所 如上所迷，當使用此彎曲金屬線形成一螺 時’能防止由直線線路形成之螺旋電或哭產生之胁电感器 此電感器中之電阻能最小化得/ 極化現象。因此， 因數。 •在電感器中可能維持-高品質

此外，由於彎曲金屬線21〇、213、以及216之寬度则 =外::㈣第一寬度逐漸減少為環形螺旋之中侧 見又□此麵少電之渦電流之損耗。因此 口麻 因數的時候能提高電感。 田、准持回口口貝 同時’本發明之環形螺旋能形成一錐形或倒置的錐形，以致 能減少形細旋之金屬線間之寄生電容。因此能轉高品質因數。 $了形成錐形或倒置的錐形結構，配設於環形螺旋之中心部 份的第-f曲金屬線21G與配設於環形螺旋之外圍部份的第三彎 曲金屬線216間存在-高度差別。而且，在彎曲金屬線加、犯、 以及216之中也存在高度差別。 因此，在一實施例中，配設於環形螺旋之中心部份之第一彎 曲金屬線210形成一尚度，此高度較之配設於環形螺旋之外圍部 份之第三彎曲金屬線216之高度為高。因此，各彎曲金屬線以^、 213、以及216形成為不同之高度，以便於形成錐形。這將在以下 之另一實施例中描述。 200828363 在彎曲金屬線210、213、以及加形成—倒置 實施例中，配設於獅螺社中㈣份之第_彎曲麵^之另: 成-高度’此_之配設於此獅職之相部份之ϋ = 金屬線加之高縣低。因此，此複油金成 度，用以形成-倒置的錐形。 成為不同之局 此外，本發狄電感H更包含有—第—連接終端，絲 於此環形螺旋之中心部份之此第,金屬線加之，相己連又 接；以及一第二連接終端，其與配設於此環形螺^之第 三彎曲金屬線216之—故迪知、垂拉采证盘 I切之弟 二恭人所 、、、、相連接。透鱗例之方式，形成於第 一㈣貝^ 2中之第四彎曲金屬線2〇4能為此第一連接終端。 而且，用作此第—連接終端之第四彎曲金屬線204可通過二全屬 插銷207與此第-金屬線相連接。 屬 :一 ^連接、、、端（圖未示）與一外部電流相接觸，用以將此 弟三彎曲金屬線216之一終端與-外部電路相連接。 在此透過於第四彎曲金屬線2〇4及第二及第三彎曲金屬線 j3及2!6間放置至少一電介質層蕭或她及规…甩作第一 接、、、端之昂四¥曲金屬線204與第二及第三彎曲金屬線213及 216相隔離。 弟一電介曾@ 〇Αι 、、— 胃201配設於形成於此底層中之金屬線，此種情 =下為第四育曲金屬線綱，與半導體基板2GG之間。此第-電介 貝層2〇1之厚度較佳為0.〇1及3微米間，並且更佳為1微米或更 200828363 多〇 如上所述’ -厚電介質層配設於此底電介質層中之第四彎也 金屬線綱與此半導體基板之間，由於電介質層之電阻較之此矽 基板大很多’雜由電感誠應之職流不形成於騎基板上， 並且保持於此配設之第一電介錢2〇1之内部。因此，可減少由 於渦電流帶來之損耗。

在本實施辦，由以上可以看出，用作第-連接終端之第四 彎曲箱線施與第-彎曲金屬線21〇之-終端相連接，且配設 於此環形微之巾心部份，赠於與其它之金屬線相重疊。此複 數個彎曲金屬、線210、213、以及216在重疊區域内部相連接較佳。 因此，形成此環形螺旋之複數個彎曲金屬線21〇、2D、以及216 在此重疊區域連續相連接。 在金屬線與此用作第一連接終端的第四彎曲金屬線2〇4相連 接之重疊區域中，隨著金屬線自環形螺旋之中心部份向外圍部份 打進，金祕之寬肢漸增加。這減少了產纽第四彎曲金屬線 2〇4與彎曲金屬線21〇、213、以及216間之寄生電容。 現在，將參閱「第3圖」至「第u圖」 感器之製造方法。 而且，彎曲金屬線2K)、213、以及216間之連接形成於用作 弟—連接終端之第四彎曲金屬線2〇4之重疊區域中，以致彎曲全 屬線2丨0、213、以及216之連接區域中產生的寄生電容也減少^ 细述本發明之螺旋電 10 200828363 百先，請餐閱「第3圖」，在一半導體基板2〇〇上形成第—電 介質層2〇1及第二電介質層2〇2之後，形成一第一光阻抗韻圖案 2〇3用以形成第四彎曲金屬線2〇4,其用作第二電介質層2⑽上之 ' 第-連接終端。然後，在使用此第一光阻抗餘圖案2〇3之钕刻過 …程中，選擇性賴刻第三電介質層搬，以便於碱一第二電介質 層圖案202a。 . 、 歸’請關「第4圖」，執行—灰化及清洗過糊以去除此 ⑩第-光W几侧案2〇3。隨後.，一第一金屬膜殿積於此第二電介質 層圖案202a上，透過利用化學機械研磨（CMp)方法於此第一金 屬膜上執行-平坦化過程，以便形成用作第一連接終端之第四彎 曲金屬線204。 接下來’請參閱「第5圖」，-第三電介質層2〇5形成於此半 導體基板200及第四彎曲金屬線2〇4之上，並且形成一第二光阻 抗侧案206，用以於第三電介質層2〇5上形成一接觸孔。然後， 在使用第二光阻抗蝕圖案206之蝕刻過程中選擇性地蝕刻此第三 ▲ 電介質層205，以便形成此接觸孔。 - 然後’請參閱「第6圖」’在殿積—第二金屬膜於此半導體基 板200及接觸孔上之後’使用一化學機械研磨^口^^方法於此 第二金屬膜上執行-平坦化過程，用以形成一金屬插銷2〇7，此金 屬插銷207與此第四彎曲金屬線2〇4相連接。 接下來，請參閱「第7圖」，-第四電介質層識形成於此半 11 200828363 導體基板挪及金·鎖挪上，並且—第—光阻抗糊孝朋 形成於此第四電介質層施之上。形成第—光阻抗侧案以 便於具有-大致環形之開口，此開口以產生之環形螺旋之中心作 為-軸線’且此開口之寬度自金屬插銷2〇7之開口之寬度逐漸增 加0 接下來’透過使用此第一光阻抗钱圖案2〇9執行此铜過程， 用以形成-第-電介質層施a之圖案。錢執行灰化及清洗過程 $以去除此第-細紐圖案朋。隨後，—第三金屬膜_於此 半導體基板2〇〇及第-電介質層鳥之圖案上。然後，使用一化 學機械研磨（CMP)方法於此第三金伽上執行—平坦化過程。 因此，如「第8圖」所示，一第一料金屬線21〇形成為其 -終端與此金屬插銷2〇7相連接，里，第一彎曲金屬線加之 形成致使隨著自此環形螺旋之中心部份的行進，此彎曲金屬線之 览度轉漸減少。 »月 > 閱第9圖」’ 一第五電介質層2H形成於此半導體基板 2〇〇:及第-彎曲金屬線21〇上，並且一第二螺旋光阻抗侧案犯 .形成於此第五電介質層211上。在使用第二職光阻抗侧案212 執行賴過㈣形成-第二電介f層2na之後，執行灰化及清洗 過私用以去除此第二螺旋光阻抗蝕圖案212。

Ik後，明參閱「第1〇圖」，一第四金屬膜殿積於此半導體基 成200及第二電介質層2Ua之上，然後使用一化學機械研磨 12 200828363 (CMP)方法於此第四金屬膜上執行_平坦化過程，用以形成— 第二彎曲金屬線2i3 ’其與此第—f曲金屬線綱連續相連接。之 裡’形成第二料金鱗213致使具有-紐，此寬度朝向此環 形螺旋之外圍部份逐漸增加。 ♦ 請參閱「第11圖」’一第六電介質層叫形成於此半導體基 板2〇〇及第二彎曲金屬線213之上方，並且一第三螺旋光阻細 圖案2i5形成於此第六電介質.層214上。在透過使用一第三螺旋 光阻抗侧案215執行蝕刻過程而形成具有螺旋形狀的第三電介 質層214a之後，執行灰化及清__去除此第三職光阻抗 蝕圖案215。 其後…第六金屬麟積於此半導體基板鳥及具有螺旋形 狀的第三電介質層⑽之上方，_植—化學機械研磨（CMP) 方法於此第六金屬膜上執行—平坦化過程，用以形成—第三彎曲 金屬線216 ’其-終端與此第二f曲金屬線213相連接。隨後，一 第七電介質層陶成於此半導體基板及第三彎曲金屬線加 之上方，㈣完成具有「f2圖」所示之結構之微電感器。 第二實施例 「第12圖」係為本發明之螺旋械器之另—實施例之示意 圖，其中此環形螺旋形成一與「第2圖」所示之結構相倒置之結 構。 210配 也就是說，此環形螺旋之中心部份U曲金屬線 13 200828363 汉於此頂射，亚且此第三料金屬線加配設於絲層中。因 此’此環形螺旋形成為—錐形。 因此’其中環形螺旋結構中之螺旋寬度自配設於此底層之第 三脊曲金屬線216中之第—寬度逐漸較少為配設於此頂層中之第 一彎曲金羼線210中之第二寬声。 、，成帛圖」中所不之螺旋電感器之方法類似於第一實施 =，亚且僅僅在使用形成螺旋光阻抗钱圖案之光遮罩的程序上不 類似於上述之第_實施例，在第二實施财—額外之第七電 介質層217也殿積於此底層之第三彎、曲金屬線2i6與此半導體基 板200間’此第七電介f層217之厚度較佳為隨及_間， 並且更佳為1微米或更多。 弟二實施例 弟13圖」至「第22圖」係為本發明第三實施例之一螺旋 :感益及其製造方法之平面圖及橫截關。「第2圖」中之第三 實施例之概電感II由—倒置_之環形螺旋組成，類似於「第 2圖」所不之螺旋電感器。 力^三實施例之螺旋電感器之不同之處在於’其金屬線之寬度 _觀之外_份向_職之巾心部份㈣之-系列步 驟中增加。以下將詳細描述第三實施例之螺旋電感器之製造方法。 百先’請參閱「第13圖」，一第一電介質層顧及-第二電 14 200828363 介質層402順次形成於—半導體基板彻上，其中一第一光阻抗 蝕圖案彻形成於此第二電介質層搬之上。隨後，透過使用此 第-光阻抗侧案403執行一麵過程，用以形成一第二電介質 層圖木她。然後’執彳了灰化及清洗過程肋去除此第—光阻抗 蝕圖案403。 ' /、後w茶閱第14圖」，_第_金屬膜殿積於此第二電介 二層圖木4G2a之上’亚且使用_化學機械研磨（〇則方法於此 ，金屬膜上執行-平坦化過程，以便於形成—用作第一連接終 端之金屬線404。 —接下來’請參閱「第15圖」，一第三電介質層秘形成於此 t電介質層圖案4〇2a及金祕姻上，並且用以形成一接觸孔 之乐二光阻抗侧案形成於此第三電介質層術之上，隨後， =過使用此第二光阻抗侧案概執行—爛過程，用以形成一 ^孔於此第三電介質層秘巾。然後，執行灰化及清洗過程以 便於去除此第二光阻抗蝕圖案4〇6。 枯/、後明茶閱第16圖」，一第二金屬膜殿積於此半導體基 1⑻之上方且使用一化學機械研磨（CMp)方法於此第二金屬 、战行—平坦化過程，以便於形成—與金屬線彻相連接之金 屬插銷407。 電介質層圖案405a上，並且一第一 隨後，請參閱「第17圖」，一第四電介質層彻形成於-第 螺旋光阻抗蝕圖案409形成 15 200828363 於此第四電介質層上。此第一螺旋光阻抗側案彻具有— 開口’其具有與第-實施例之第一光阻抗綱案期大致相同之 形狀。接下來’透過使用此第一螺旋光阻抗侧案4〇9選擇性钱 刻此第四電介質層柳，用以形成-第四螺旋電介質層圖案條。 然後執行灰化及清洗過程以去除此第—螺旋光阻抗侧案物。 k後’请茶閱「第π圖」，在澱積一第三金屬膜於第四螺旋 電介質層圖案408a上之後，使用一化學機械研磨（CMp)方法於 此第三金屬膜上而執行—平坦化過程，用以形成_第—彎曲金屬 線410。此第一彎曲金屬線41〇也具有與第一實施例之第一彎曲金 屬線210大致相同之形狀。 其後，請參閱「第19圖」，一第五電介質層411形成於此第 一彎曲金屬線410及第四螺旋電介質層圖案4〇8a之土，並且一第 二螺旋光阻抗蝕圖案412形成於此第五電介質層411之上。在此， 第二螺旋光阻抗蝕圖案412具有一開口，此開口之形狀致使此第 一螺％光阻抗钱圖案409之開口與第一實施例之第二螺旋光阻抗 蝕圖案212之開口相連續。因此，此第二螺旋光阻抗蝕圖案412 具有一帶有兩個螺旋旋轉之開口。 隨後’請參閱「第20圖」’在透過使用此第二螺旋光阻抗钱 圖案412執行一蝕刻過程，用以形成一第五螺旋電介質層圖案411& 之後，執行一灰化及清洗過程用以去除此第二螺旋光阻抗蝕圖案 412。其後，一第四金屬膜澱積於此第五螺旋電介質層圖案411& 16 200828363 之上，並且使用一化學機械研磨（CMP)方法於此第四金屬膜上 執行一平坦化過程，用以形成一第二彎曲金屬線413，其具有一與 第一彎曲金屬線410相重疊之部份。 接下來，请茶閱「第21圖」，一第六電介質層414形成於此 第二彎曲金屬線413及第五螺旋電介質層圖案411a之上，並且一 第三螺旋光阻抗钕圖案415形成於此第六電介質層414之上。第 三螺旋光阻抗侧帛415具有-開口，此開口之形狀致使此第二 螺旋光阻抗侧案412之開π與第一實施例之第三螺旋光:阻抗钱 圖案以5之開口相連續。因此，第三螺旋光阻抗侧案415具有 一帶有2.5個螺旋旋轉之開口。 明芩閱第22圖」，透過使用此第三螺旋光阻抗钱圖案仍 執行此侧過程，用以形成—第六職電介質層_他之後， 執行灰化及清洗過程用以去除此第三螺旋光阻抗侧案415。然 後’-第五金屬膜澱積於此第六螺旋電介f層圖案他之上，並 且使用-化學娜《 (CMP)找魏行—平坦姆程，用以 =成第一弓曲金屬線416 ’其具有一與第二彎曲金屬線祀相重 疊之部份。其後’—第七電介質層417形成於此第三彎曲金屬線 ^之上’用以形成此環形螺旋結構’此環形職結構具有與第三 貫施例相倒置之錐形。 _ 乂之第貝％例之螺旋電感器，第三實施例之職電感器的 不同之處在於隨著自環形螺旋之中心部份向外圍行進，金屬線之 17 200828363 厚度逐步增加。 * =發把％形螺旋結獅诚器具有之频致使金屬線之寬 二月：此中^份減少。透减少渦電流帶來之損耗而增加電 感’/、中此渦電流係由電感器之感應而產生。 严綠Π上述之第三實施破過減少金屬線之寬度而減少此金 屬綠之域面積’目此允許此電感器之電轉持為常數。 因此，金屬線之寬度具有與第-實施例同樣之縣，而金屬 線之厚度自此環形螺旋之中心部份逐步增加，因此防止了電感哭 之電阻的增加。因此，防止了由於電感器之電阻增 口^ 因數的劣降。 生的口口貝 弟四貫施例

「〃第23圖」係為本發明第四實施例之螺旋電感器之示意圖 「第23圖」所示之螺旋電感器之環形螺旋為不同於第三實關 錐形。也就是說，底層之金屬線為第三彎曲金屬線416，頂層之 屬線為第一彎曲金屬線41〇，並且輯形螺旋之中心部份之^一 曲金屬線410配設於頂層。因此，環形螺旋結構之線路寬度自丨 設於底層之第三f曲金屬線416朝向配設於頂層之第 線410逐漸減少。 ^ 「第23圖」所示之螺旋電感器之製造方法類似於第三實施例 之方法，亚且僅棚㈣成此觀絲祕_的麵罩次序上 不同。因此，將省略本方法之詳細描述。 18 200828363 雖然本發明以前述之較佳實施例揭露如上，然其並非用以限 定本發明。本領域之技術人員應當意識到在不脫離本發明之實質 特性和範圍的情況下，所作之更動與潤飾，均屬本發明之專利保 護範圍之内。 因此，在此減之本發明之實_應#被認為健為示例性 的而非限定㈣。本發明之範關由申請翻範圍而並非由上述 說明書所揭示’並且所有等同之變化應·本發明之專利保護範 圍之内。 為了提高電感器之品質因數’減少電感器之寄生電容及提高 電感係非常重要的。 第一，本發明之猶賴ϋ形絲環形概結構，以致能防 止習知技狀親金祕雜魅之财。因此，能有效減 少電感器之電阻。 . . 第二，螺旋電感器形成-結構以致當自環形螺旋之外圍部份 向中心部份行進時，金屬線之寬度係逐漸減小，能夠減少由 於渴電流所帶來之損耗且提高電感。 第三’此電感器形成為-錐形或倒置的錐形，因❼能減少金 屬線間之寄生電容。 %第四，由於當向此螺旋結構之外圍部份行進時，線路寬度會 ::吝因此减少了在連接終端之重疊區域與形成螺旋結構的金】 線中產生之寄生電容。 19 200828363 第五，具有一適當 金屬線與矽基板之間， 【圖式簡單說明】 厚度之t介質層配設於組成電感器之底層 因此能夠防賴電細產生。 第1圖係為習知技術之一螺旋電感器之平面圖； 奸形成於—轉體基板上的本發明第-實施例之 螺方疋％感态之投影圖；

第2Β圖係為沿第2α圖中α-Α，線 截面圖； 之本發明之螺旋電感器之橫 第3圖至第11圖係為本發明第一實施例之 方法之投影圖及橫截面圖； 弟12圖係為本發明第二實施例之螺旋電减 影圖及横截面圖； 第13圖至第22圖係為本發明第三實施例之螺旋電感器之結

螺旋電感器之製造 器之製造方法之投 構及其製造方法之投影圖及橫截面圖；以及 第23圖係為本發明細實施例之螺旋電感器之製造方法之投 影圖及橫截面圖。 【主要元件符號說明】 100、200、400 半導體基板_ 102、404 金屬線 201 第一電介質層 202 第二電介質層 20 200828363

202a 第二電介質層圖案 203 第一光阻抗蝕圖案 204 第四彎曲金屬線 205 第三電介質層 205a 電介質層 - 206 第二光阻抗钱圖案 207、407 —金屬插銷 208 第四電介質層 ) 208a 第一電介質層 209 第一光阻抗钱圖案 210 第一彎曲金屬線 211 第五電介質層 211a 第二電介質層 212 第二螺旋光阻抗餘圖案 213 第二彎曲金屬線 214 第六電介質層 214a 第三電介質層 215 第三螺旋光阻抗姓圖案 216 第三彎曲金屬線 217 第七電介質層 401 第一電介質層· 21 200828363

402 第二電介質層 402a 第二電介質層圖案 403 第一光阻抗钱圖案 405 第三電介質層 405a 第三電介質層圖案 406 第二光阻抗姓圖案 408 第四電介質層 408a 第四螺旋電介質層圖案 409 第一螺旋光阻抗蝕圖案 410 第一彎曲金屬線 411 第五電介質層 411a 第五螺旋電介質層圖案 412 第二螺旋光阻抗蝕圖案 413 第二彎曲金屬線 414 第六電介質層 414a 第六螺旋電介質層圖案 415 第三螺旋光阻抗蝕圖案 416 第三彎曲金屬線 417 第七電介質層 d 間隙 22

Claims (1)

1. 200828363 十、申請專利範圍： 1· 一種螺旋電感器，係包含有·· 於一半導體基板上之層形 一電介質層，係由複數個堆疊 成；以及 複數個彎曲金屬線，係配設於 孩电；丨質層中，該等彎曲金 屬線係連她連接肋形成—環形螺旋形狀。 2. 利範圍第1項所述之螺旋電感器，其中該環形螺旋形 ^ 線料—寬度，該輪自該環形職形狀之外圍 部伤的該等金屬線之一第一寬度 見沒遂漸縮小為該環形螺旋形狀 之中心部份上的該等金屬線之一第二寬产。 3. 如申請專利翻第i項所述之猶電其中配設於該環形 螺旋形狀的中心部份之該金屬線具有一第一高度且配設於該 環形螺旋形狀的外圍部份之該金屬線具有一第二高度。" 4. 如申請專利麵第3項所述之螺旋電感器，其中配言Γ於該螺旋 的該巾心部份之該金屬線之該第—高度高於配設於該螺旋形 狀的該外圍部份之該金屬線之該第二高度，以致形成一螺旋I 該等金屬線具有一圓錐形狀。 5·如申請專利範圍第3項所述之螺旋電感器，，其中配設於該環形 的該中心部份之該金屬線之該第一高度低於配設於該螺旋形 狀的該外圍部份之該金屬線之該第二高度，以致形成一螺旋之 該等金屬線具有一倒置的圓錐形狀。 6·如申請專利範圍第1項所述之螺旋電感器，其中該等金屬線之 23 200828363 旋形狀的外圍部份之該等金屬線的一第一厚 展形螺旋形狀的中心部份之該筝金屬線的一 T如申請專利範圍第1 1 項所述之螺碇电感态，其中該等金屬線之 又形螺旋形狀的外圍部份之該等金屬線的一第一厚 度逐漸減小; # 一 g Μ h衣形螺旋形狀的中心部份之該等金屬線的一 弟二厚度。

   厚度自該環形螺 度逐漸増大為該 第二厚度。 上申月專利範圍第1項所述之螺旋電感器，更包含有一第一連 接=，該第一連接終端與配設於該環形螺旋形狀的中心部份 s. i線之端才目連接；以及一第二連接終端，該第二連接 終端與配設於該環形螺旋形狀的外圍部份之該金屬線之另一 端相連接。 9·如申請專纖圍第8項所述之職賊器，更包含有至少一個 電介質層，該電介質層配設於該環形螺旋形狀的該中心部份之 該金屬線與該環形螺旋形狀之其它金屬線之間，其中該環形螺 旋形狀的該中心部份之該金屬線與該第一連接終端相連接。 10.如申請專利範圍第8項所述之螺旋電感，其中，自該半導體基 板之頂部來看，該等金屬線在該等金屬線與該第一連接終端相 重疊之一區域内相連接。 如申請專利範圍第1項所述之螺旋電感器，其中一間隙形成於 該等金屬線之間，其中該等金屬線之間的距離為常數。 24 200828363 12.如申請專利範圍第丨項所述之螺旋電感器，更包含有—電介質 層，係配設於該等金屬線之底層金屬線與該半導體基板 如申請專繼_ u撕述之職鶴器，射該電介質層 之居度為1微米或者大於1微米。 、 14· 一種螺旋電感器，係包含有： 、一電介質層’係由複數個堆#於_半導體基板上之層形 成； 日 複數個料金屬線，雜設於該電介絲巾，鱗彎曲金 屬線係連續相連接以形成一環形螺旋形狀； 弓 -第-連接終端，係與配設於該環形螺旋形狀的中心部份 之該金屬線之一端相連接；以及 刀 -第二連接終端，係與配設於該環形螺旋形狀 之該金屬線之另一端相連接； 其中配設於該環形螺旋形狀的該中心部 治目士 切之該彎曲金屬 線具有一第一南度且配設於該環形螺旋形狀的 」礅外圍部份之 該，穹曲金屬線具有一第二高度。 15·如申请專利範圍第14項所述之螺旋電感器，盆： " 丹中該環开始 形狀之該等金屬線具有一寬度，讓寬度自該環形螺旋开、 外圍部份的該等金屬線之一第一寬度逐漸縮兔#狀之該 形狀之該中心部份上的該等金屬線之一第二寬戶 μ 16·如申請專利範圍第14項所述之螺旋電感器， "肀配毁於該螺 25 200828363 旋的該中心部份之該金屬線之該第一高度高於配設於該螺旋 形狀的該外圍部份之該金屬線之該第二高度，以致形成一螺旋 之該專金屬線具有一圓錐形狀。 17.如申請專利範圍第14項所述之螺旋電感器，其中配設於該環 形的該中心部份之該金屬線之該第一高度低於配設於該螺旋 形狀的該外圍部份之該金屬線之該第二高度，以致形成一螺旋 之該等金屬線具有一倒置的圓錐形狀。 18·如申料她圍第14猶述之螺旋電絲，其巾該等金屬線 之厚度自該環形螺旋形狀的該外圍部份之該較屬線的一第 厚度l漸乓大為該環形螺旋形狀的該中心部份之該等金屬 線的一第二厚度。 /專V】乾圍第Η項所述之螺旋電感器.，其中該等金屬線 _ I又自該紗螺旋形狀的該外圍部份之該等金屬線的-第 心部份之該等金屬 厚度為魏形職形狀的該中κ 線的一第二厚度。 個電=1=::項所述之螺旋電感器，更包含有至少-之該金屬、i齡Γ質層配設於軸辦、旋形狀的該中心部份 螺旋形狀的該中 =螺旋形狀之其它金屬線之間，其中該環形 21.如申請專利知=份之該金屬線與該第-連接終端鱗接。 體基板之頂部來看，4酬述之螺旋電感器，其中，自該半導 辦金屬線在轉麵雜鱗-連接終 26 200828363 端相重疊之一區域内相連接d 22.如申請專利範圍第14項所述之螺旋電感器，其中一間隙形成 於該等金屬線之間，其中該等金屬線之間的距離為常數。 . 23.如申請專利範圍第14項所述之螺旋電感器，更包含有一電介 . 質層，係配設於該等金屬線之底層金屬線與該半導體基板之 間。 24.如申請專利範圍第14項所述之螺旋電感器，其中該電介質層 • 之厚度為1微米或者大於1微米。

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