TW200821663A - Manufacturing method of the flexible display device - Google Patents

Description

200821663 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關-種可撓式顯示裝置及其—種可撓式顯示裝置 之製造方法。詳細而言，本發明係有關一種具有提高可靠性且減 少成本的可撓式顯示裝置及其製造方法。 【先前技術】 在顯示裝置市場中，一平板顯示器（FPD)已經取代陰極射線 b (CRT)監視器且變得流行。舉例而言，平板顯示器包含有一 液晶顯示裝置（LCD)、-電漿顯示面板（PDP)或一有機發光二 極體顯示器（OLED)。平板顯示器較之陰極射線管為輕且薄。平 板顯不器可容易細於大尺寸之顯示系統或可攜式顯示系統。由 於能經受於製造過程中的高溫，玻璃基板能應用於平板顯示器 中。由於室溫下的剛性，玻璃基板可能不適合應用於可撓式顯示 衣置。近來’柔韌性金屬應用於平板顯示器中用於開發能卷起或 折$之可撓式顯示裝置。此種可撓式顯示裝置可在任何條件下變 形。使用一例如塑料薄膜之柔韌性材料，在卷起或彎曲狀態下具 有相同顯示性能之可撓式顯示裝置變得流行起來。 弟1圖」係為習知技術之可撓式顯示裝置之製造方法之流 程圖。請參閱「第1圖」，此製造方法包含有：一黏附製程(S1); 一顯示面板形成製程（S3)以及一剝離製程（S5)。在黏附製程 S1中，一剛性基板臨時地黏附於一可撓式基板的後表面用於在製 200821663 &過程中支撐此可撓式基板。也容祕理此可撓式基板。黏附於 可撓式基板的後表面的職支撐基板保護此可撓式基板且防止扭 曲或可撓式基板的變形。使職過細餘（S1)提供的支撐可 撓式基板"Tux穩疋之方式更精確地執行顯示面板形成製程 ⑼。 顯示面板形成製程（S3)包含有形成將變為顯示面板之驅動 兀件的不關賴程。舉例而言，對於透過_電晶體⑽乃驅 動的可撓式顯示裝置而言，_電晶體_應_成於此可挽式 基板上。在完細示面板形成製程⑻）之後剝離製程（s5)將 此支撐基板與可撓式基板上_合_分離。此·支撐基板在 黏附製程（S1)期間臨時地黏附且在完成顯示面板形成製程⑶） 之後自此可撓絲板上去除。職支撐板的去除能最大化可挽式 顯示裝置的可撓性。 在顯示面板形成製程（S3)期間黏合劑較佳地可不充分硬化 以容易將可撓式基板自此·支撐基板上_。顯示面板形成製 程（S3)的溫度最高限制為低於15〇度。然而，根據黏合劑之種 類可不相同。在15G度下形成的薄職晶體驅動元件可經歷退化 處理。薄職晶_鶴賴可减定’這可影響可撓式顯示裝 置之可靠性。 進一步而言’在黏附製程（S1)中’不期望在可撓式基板及 黏附層間形成空氣泡。此空氣泡可退降顯示面板形成製程（S3) 200821663 之可靠性。_裝置可胁稍絲板與_支縣板間之黏附 .層而不形成空氣泡。本發明之開發及使用能增加製造成本。在剝 離製程（S5)中黏合劑不能較好地自可撓式基板上去除。薄膜電 晶體圖案能被自剛性支樓基板分離可撓式基板的力損壞。在剝離 製程（S5)巾被損壞賴顏少了·示裝置的可紐。因此， -需要能克服習知技術之缺點的可撓式顯示裝置之製造方法。 【發明内容】 # 在"~實_巾，—種可撓式顯錢置之製造方法，其包含提 供具有第-厚度的第-基板且於此基板之一侧面上形成顯示聚 置。表面部份自基板之一相對側面上去除，以致基板之厚产自對 給予基板大致曝的第_厚度變化為奸基板大致可撓性二第二 厚度。 在另-實施财’-種可撓式顯示裝置之製造方法，包含提 鲁供有第-面板及第二面板，各面板具有一基板及形成於其一表面 .上之顯稀置。第-面板之表面於第二面板之表面相結合 部份自第-及第二面板之基板背側去除，以致基板之厚度自對仏 予基板大致剛性的第-厚度變化為給予基板大致可繞性 严° 度’並且弟一及第二基板相分離。 在再-實施射’-種颂式顯轉置之製造方法，包含且 有弟一厚度的大_性之第-基板且提 八 剛性之笛L 托供大致具有第二厚度的 弟二基板。弟—基板之表面與第二基板之表耐目結合。第 200821663 一基板變薄為一第三厚度以致第一基板變為大致可撓性。第二基 板變薄為一第四厚度以致第二基板變為大致可撓性。 【實施方式】 以下’結合圖式部份透珊本發明的車交佳實施方式之論述將 詳細說明本發明之目的及優點。請參閱「第2圖」至「第5圖」， 將描述第一實施例。 第2圖」係為第一實施例之可撓式顯示裝置之製造方法之 了忍圖°在「第2圖」中，可撓式顯示裝置之製造方法包含有-顯示面板形成製程⑽）以及一薄化製程（S23)。在顯示面板形 成製程（S21)中’在一剛性（非可撓性）基板上形成有不同之圖 案。此圖案將變為此可撓式顯示裝置之一部份。舉例而言，「第3 圖」中所示之電泳顯示裝置（EPD)透過一顯示面板形成製程（s2i) 形成。電泳顯示裝置使用電泳現象’這是當施加電場時放電粒子 7陰極或陽極軸之财。電_稀置透過在顯示面板形成製 %⑽）中在非可撓式基板上形成薄膜電晶體（或丁陣列圖 在薄膜电曰曰體陣列上附著一包含有電泳粒子的頂層而 成。 顯亍中’透過顯示裝置形成製程（S21)製造之電泳 〜、衣置有一底陣列41及一頂陣列43。頂 柔性基體_ 82、-形成柯心〜⑽ ^有一 此絲賴82上之頂電極84以及— 4充電色素粒子且配設於頂電極84上之囊85。基體薄膜幻有 200821663 塑性或柔減薄金屬片製成。囊85包含有被吸附於—負極電壓的 黑色素粒？ 85a、被吸附於一正極電壓的白色素粒子85b (或反之 亦然）以及溶劑85c。此外，底陣列41包含有_用於將頂陣列# 黏附於全部底陣列41上的黏附層86。 在底基板31上之底陣列41包含有彼此相交之複數個閘極線 及複數個魏線（目絲)。—燦躲層33配設㈣極線及資 料線間。在每-交叉處，一薄膜電晶體6及一晝素電極17形成於 由閘極及資料線所定義之一單元區域。底基板31的厚度為具有充 分的剛性而能經受在顯示裝置形成製程（S21)巾之加工條件下產 生的變形壓力的第一厚度。 在底基板31上，能增加一緩衝層用以提高底基板31的表面 均勻度並且麟隔雜傳導或隔離進人或離誠基板31的電流。 薄膜電晶體6包含有-供應閘極電壓的閘極8、—與資料線相連接 之源極10、一與晝素電極17相連接之沒極12以及一與閘極8相 重豐的活性層14並且在源極1Q及汲極12間形成—溝道。活性層 14與源極10及汲極12相重疊，源極1〇及汲極12間形成了用於 電子流動的溝道。在活性層14上，歐姆層16分別配設於源極1() 及及極12之下，用於在電極及活性層間形成歐姆接觸。活性 層14及歐姆層16指作半導體層18。晝素電極17透過一接觸孔 19與汲極12物理且電性接觸。接觸孔19透過穿透一覆蓋於薄膜 電晶體6上的鈍化層35曝光汲極12。 9 200821663

電泳顯示裝置的驅動及理L 下。虽—閘極電壓施加於底陣列 41中之間極8時，一圖片底_ 料線而_餘π转。⑽賴^體6的_應於資 4间％，一基本電壓供應於 中的頂電韻。因此，在軸示裝置中形成—電場。透過電泳， 黑色素粒子祝及白色素粒子咖在囊％中分離。根據分離之量， 黑色、白色或灰色值能被顯示。 # 由於製造過程的環境特徵，薄膜電晶體陣列在具有第一厚度 的剛性基板上形成。健透過一舉例的方式，此第一厚度可以在 a6mm至a7mm之細。第—厚度可適合用玻璃作為基板的情 况@此ir、件可赠過考劾於液晶顯林置似d)的基板厚度 而廷擇°進""步而言，具有第-厚度的剛性基板可以抵抗加熱處 理。電冰顯示裝置的_電晶體_可不受處理溫度條件的限制 或、勺束而域。因此，電泳顯示|置的薄膜電晶體陣列能在⑼ 籲度以上的高溫製程形成’並対保了驅動元件（tft)的較好質量。 * 剛性基板可包含有一金屬基板、-金屬合金基板等。較佳地， 此剛性基板包含有一不銹鋼（SUS或STS :用sus„指代）。由 於鐵易於侧，耻具有絲的金屬基板適合於薄化製程。然而， 並不限制於此，並且可能使用包含有銘、鎳等的金屬基板。根據 基板的材料可選鄕-厚度。舉例而言，當sus用於電泳顯示裝 置的可撓式基板時，第-厚度A約是α5〜G6mm。金屬基板的厚 度可以選擇以致剛性基板的彎曲特性可以與0·6〜07腿的玻璃 200821663 基板的弓曲生相類似。因為玻璃基板的製造過程及裝備可用於 剛性基㈣錢是有_。再:鱗綱言，如果細5〜⑽職 的玻每基板的弓曲4寸性類似的較佳為〇 3麵產線應用於本發 明’ SUS基板之第一厚度可大約為 0.3mm ° 请再次翏閱「第2圖」’薄化製程（S23)為—在具有第一厚 ..度的剛!·生基板的非可撓性的另一面執行的钱刻製程。薄化製程 (S23)減少了第一基板的厚度。伴隨著薄化製程⑽），第一基 擊板變成了具有較之第—厚度為薄的第二厚度的第二基板。因此， 第二基板可提供可馳。此_第-基板變為秘基板厚度的35 %或者更薄。對於可撓性而言，去除了第一厚度的娜或者更多。 舉例而。’對於SUS基板’當第二厚度可減少為大約G 2腿時可 出現可撓性。 曰在另-實施例中，第二厚度可為不同之其他厚度。基板之重 •量依賴於基板的厚度。由於基板變重，傾向於更容易彎曲。基板 之厚度較佳城少峨齡重量且基板之彎雜能最小化。舉例 而言，第二厚度可為0.lmm、0 05mm等。即使第二厚度是很小的， 例如__，由於配設於第二基板上的例如一保護片、微囊等其 他結構的存在，一具有第二基板的顯示裝置可不彎曲。 薄化製程⑽）透過將第二侧面（與其上形成有顯示裝置之 第-側面相對）與-侧_接_執行。_航含有函族元 素，例如氯（CL)、演㈤以及峨⑴。對於㈣基板而言， 11 200821663 _劑較佳包含有氯化鐵（FeC12)。參閲「第4圖」及「第$圖 描述薄化製程（S23)之細節。 · . 在「第4圖」中，在完成顯示裝置形成製程（S21)之後，底 陣列41的後侧面面向上方，顯示面板固設於傳送帶#上，如上 所述’薄膜電晶體陣列形成於底陣列41的非撓性之底基板Μ之 側面上。此側面與傳送帶45之表面面對。底陣列Μ的非繞性 馨之底基板3!之相對侧面（後侧面）面向上方。底陣列41的非挽 性之底基板31之非曝光相對侧面使用安裝於傳送帶必上之喷頭 47喷塗之蝕刻劑蝕刻。 、、 清參閱「第5圖」，展示了薄化製程（S23)的另一實例，在 完成顯示裝置形成製程⑽）之後，底陣列41的非挽^之底基 板31之浸入填充有蝕刻劑49的室53中。如上所述，在底陣列μ 的非撓性之絲板31之-侧面上形成有薄膜電晶體陣列。底陣列 _ 41的非撓性之底基板31之相對側面浸入到蝕刻劑中。然後浸 入_面透過侧縣。為了祕職財倾騎列朴& 頂陣列43可以黏附於具有一真空吸附震置的保持機％。在底陣列 41的非撓性之底基板31之被賴至第二厚度後，底陣列41上保 留的蝕刻劑49透過使用清潔水或其他清潔液體被移走。 如上所述，剛性基板的一側面具有第一厚度且此剛性基板的 另侧面被餘刻為具有第一厚度以給此剛性基板帶來可撓性。因 此，可撓式裝置之方法可不需要黏附製程及剝離製程（如「第1 12 200821663 圖」所示）。可不使用用於黏附此剛性基板的臨時黏合劑，此黏合 劑可產生而溫製程。因此，可提高此顯示裝置之可撓性。 此外，顯示裝置形成於此可經受製造過程條件的剛性基板 上。製造成本可不增加且可獲得與現存製造設備之兼容性。 「第6圖」至「第lib圖」展示了第二實施例。「第6圖」係 為第二實施例之可撓式顯示裝置之製造方法之流程圖。第二實施 例包含有一顯示面板形成製程（S31)、一結合製程（S33)、一薄 化製程（S35)以及一分離製程（S37)。 結合上述「第2圖」描述了第二實施例中之顯示裝置形成製 程（S31)。在第二實施例中，使用一蝕刻製程，兩個具有非可撓 性基板的顯示面板在大致相同的時間中變薄。在完成顯示裝置形 成製程（S31)之後，第一面板4〇a及第二面板4〇b準備分別包含 有在各第一侧面上具有顯示裝置的第一基板及第二基板。在本實 施例中，第一面板4〇a及第二面板4〇b用於「第3圖」所示之電 泳顯示裝置。此第一及第二基板可為同樣的。或者，此第一及第 一面板了具有不同之厚度與/或不同的金屬合金或金屬。 結合製程（S33)緊隨顯示裝置形成製程(^31)。第一及第二 面板以第一及第二基板之第一侧面彼此面對相結合。此第一侧面 包含有顯示裝置。請參閱「第7A圖」，第一面板4〇a及第二面板 .透過具有薄膜電晶體陣列且在第-基板31a及第二基板31b上 的電極的底圖案49a及49b形成圖案而準備。兩個基板31a&31b 13 200821663 具有能對基板提供鋼度的第一厚度di，並且分別包含有頂陣列43a 及43b。或者，基板31a及31b可具有兩個不同之厚度。第一面板 40a及第二面板40b包含有具有顯示裝置的第一區域（A1)及延 伸於第一區域（A1)之外的第二區域（A2)。第二區域（A2)係 為封裝第一區域（A1)的第一及第二面板4〇a及40b的邊緣部份。 密封劑46施加於第一面板40a及第二面板40b至少之一的第二區 域上。密封劑不施加於第一區域上。 在養護（或硬化）密封劑46之後，第一及第二面板4〇a及4〇b 與第一及第二基板31a及31b彼此面對相結合。如「第圖」所 示，顯示裝置形成於第一及第二基板31a及31b上。 在完成結合製程（S33)之後，透過一薄化製程（S35)的餘 刻方法弟^一基板31 a及弟一基板3lb的第二表面被去除。在「第6 圖」中，底圖案49a及49b及頂陣列43a及43b不形成於第一及 第二基板31a及31b之第二表面上。在蝕刻之後，這兩個基板具 有一第二厚度（d2)，第二厚度（d2)給於了第一基板3U及第二 基板31b可撓性。舉例而言，第二厚度是第一厚度（di) 的35%或者更少。如果基板為一 sus基板，第二厚度（d2)可為 例如0.2mm或者更少。或者，這兩個基板可具有一例如第三厚度 (d3)及第四厚度（d4)的不同之厚度。 薄化製程（S35)透過將結合的第一及第二面板4〇a及4〇b浸 入於一填充有蝕刻劑51的室53中形成，用於餘刻如「第8圖」 200821663 所示之第一及第二基板31&及31b的第二侧面。钱刻劑51包含有 例如氯（CL)、溴（Br)以及蛾⑴的鹵族元素❶對於犯^基板 的情況，蝕刻劑51較佳地包含有氯化鐵（FeC12)。如果第一及第 二面板40a及40b可具有不同之厚度，在薄化製程之後具 有第三厚度（d3)及第四厚度（d4)。 當第一及弟一基板31a及31b的第二侧面被姓刻時，它們的 厚度減少為第二厚度（d2)，或者第三厚度（d3)及第四厚度（⑷。 第一面板40a及第二面板40b可具有可撓性。密封劑46防止姓刻 劑51浸入第一面板40a及第二面板之第一區域。因此，形成 於第一面板40a及第二面板40b之第一區域之顯示裝置能防止受 到蝕刻劑51的損壞。 在執行薄化製程（S35)之另一實例中，第一基板31a及第二 基板31b之第二側面被來自噴頭55噴塗的蝕刻劑51所蝕刻。請 茶閱「第9圖」，此結合的第一及第二面板4〇&及4〇|3固設於傳送 f 57上。第一及第二基板31a及31b之第二側面暴露於來自噴頭 55噴塗的蝕刻劑51。第一基板31&的第二侧面曝光於姓刻劑且被 飯刻為第二厚度（d2)。隨後，此結合面板被反轉過來用於曝光且 蝕刻第二基板32b的第二側面。第二基板32b也被蝕刻為第二厚 度（d2)。結果，第一面板4〇a及第二面板4〇b具有可撓性。或者， 蝕刻劑可應用於第一及第二面板40a及40b的第一及第二侧面。 此外，當放置於傳送帶57上時，此結合之面板4〇a及4%可放置 15 200821663 到位，以致第-及第二_大朗時曝光於侧劑。透過區分兩 側面之類型與/或兩側面之钱刻劑之量，薄化製程之結果使得第 一面板40a及第二面板40b可具有不同之厚度。此外，透過區別 第-及第二_ 40a及4Gb的厚度，在薄化製程之後可獲得兩個 不同之厚度。 请聯繫「第8圖」理解，密封劑46可防止餘刻劑51侵入第 一面板40a及第二面板40b之第一區域。因此，形成於第一及第 二面板40a及40b之第一區域之顯示裝置能防止受到來自蝕刻劑 的可能之損壞。透過使用清潔水或其他清潔液體能去除保留之蝕 刻劑51。 明再火參閱弟6圖」’結合之弟一及第二面板40a及40b透 過一分離製程（S37)被分離為單個顯示面板。「第1〇A圖」展示 了第一基板31a及第二基板31b在完成薄化製程（S35)後仍然彼 此結合且具有第二厚度（d2)。 如「第10B圖」所示，沿著切線（b)，密封劑46被去除且第 一面板40a及第二面板40b彼此相分離。切線（B)較佳地配設於 第一區域（A1)及密封劑46間。此分離之第一面板4〇a及第二面 板40b分別包含有具有第二厚度（d2)的第一基板3la及第二基 板31b。因此，透過使用一單個製造過程可獲得兩個可撓式顯示裝 置。這可利用製造過程的休息時期提高產量且平衡可撓式顯示面 板之製造過程速度。 16 200821663 「第11A圖」及「第lm圖」係為分離製程（S37)的不同 切割方法之示意®。由於結合之面板財對面板提供可撓性的第 二厚度（d2 )，沿著切線⑻很容易切割結合之面板。舉例而言， 如「第11A圖」所示，結合的第一及第二面板4〇a及働可沿著 切線（B)使用一雕刻輪μ分開。雕刻輪幻可由較之第一及第二 基板31a及31b具有更高強度的材料製造。舉例而言，雕刻輪幻 可由鑽石或DLC (類鑽石覆蓋）材料製成。 第11B圖」係為切割方法之另一例子。結合的第一及第二 面板40a及40b被具有切割刀刀87的壓力切割機83十刀割。沿著 切線（B)按壓切割刀刃87。使用一包含於壓力切割機μ中之曲 柄（圖未示）旋轉運_㈣往復獅。制沿著切線（β)的水 壓透過碰面板條及穩切割機83能切割。切割方法的其他例 子L含有電水切軎、氣體切割、激光切害J以及水壓切割。 在第一只轭例中，在將頂陣列黏附於低陣列之後執行薄化製 )或者在元成分離製程（幻7)之後頂陣列能黏附於底 陣列上。 、一 在相對之側面上形成顯示裝置後透過餘刻此基板之一侧面獲 4亍可撓式基板。因此，基板的厚度自給予基板剛性的第—厚度變 化^給予基板可撓性的第二厚度。進一步而言，為了防止受到顯 不衣置上的任何糊損壞，並且為了提高薄化製程的產量，在第 ^、有,員示袭置之兩個面板利用在餘刻前的密封彼此相結 17 200821663 合。在此兩面板相分離後，可獲得兩個可用於可撓式顯八 、 單獨可撓絲減沒有任何破壞且製造穌也不增加。、τ面板的 應該理解的是本發明並不局限於實施 、 口此，任何不脱籬 本發明主旨要點之變化與修飾均應屬於本發明之專利保護範圍之 2這·倾修飾减當觀騎麟了本發批精神和保護 【圖式簡單說明】 第1圖係為習純術之可撓式顯示震置之製造方 圖；第2圖係騎-實施狀可撓轴稀置之製造方法之= 件之:圖圖係為第2圖中透過一顯示面板形成製程製造之顯示元 =4圖係為第2圖中薄化製程—例子之示意圖； 第5圖係為第2圖中薄化製程之另—例子之示意圖； 圖；第6 實施例之可撓式顯示裝置之製造方法之示意 第^^^7Β圖係為第二實施例之—結合製程之示意圖； 二實施例之—薄化製程—例子之示意圖； Γι: 糸 :第二實施例之一薄化製程另-例子之示意圖； 圖；=圖及第⑽圖係為第二實施例之一分離製程之示意 18 200821663 第11A圖及第11B圖係為第10A圖及第10B圖中之分離製程 的不同切割方法之示意圖。 【主要元件符號說明】

6 薄膜電晶體 8 閘極 10 源極 12 没極 14 活性層 16 歐姆層 17 晝素電極 18 半導體層 19 接觸孔 31 底基板 31a 第一基板 31b 第二基板 33 閘極絕緣層 35 鈍化層 40a 第一面板 40 b 第二面板 41 底陣列 43、43a、43b 頂陣列 19 200821663

45 傳送帶 46 密封劑 47、55 噴頭 49、51 餘刻劑 49a、49b 底圖案 53 蝕刻室 57 , 傳送帶 59 保持機 81 雕刻輪 82 基體薄膜 83 切割機 84 頂電極 85 囊 85a 黑色素粒子 85b 白色素粒子 85c 溶劑 86 黏附層 87 切割刀刃 A1 第一區域 A2 第二區域 B 切線 20 200821663 dl d2 第一厚度 第二厚度

Claims (1)

1. 200821663 十、申請專利範圍： 1· 一種可撓式顯示裝置之製造方法，該方法包含有： 提供-具有第-厚度的基板歸該基板之—側面上形成 顯示裝置， ·以及 自該基板之-相對側面去除表面部份，以致該基板自大致 為剛性之該第—厚度變化為大致為可撓性的-第二厚度。 如申請細項所述之製造方法，其中去除表面部份更 包含該基板之該相對側面之濕化學蝕刻。 3. 如申請翻細第2項所述之製造方法，其帽化學侧包含 喷塗蝕刻劑於該基板之該相對侧面上。 4. 如申請專利範圍第2項所述之製造方法，其中濕化學侧包含 將該基板之該相對側面浸入於一钱刻室中。 5. 如申請專利範圍第〗項所述之製造方法，其中提供—基板包含 有提供-金屬合金基板’並且去除表面部份包含使用一齒族元 素钱刻。 6. 如申請專概圍第丨顿述之製造方法，其巾提供—基板包含 有提供-金屬基板，並且去除表面部份包含使用一適合於該金 屬基板的選擇的鹵族元素餘刻。 7·如申請專利範圍$ 1項所述之製造方法，其中提供—基板包含 有提供一不銹鋼金屬基板，並且去除表面部份包含使用一氯化 鐵钱刻。 8.如申請專利範圍$ 1項所述之製造方法，其中去除表面部份包 22 200821663 含將該基板飯刻為大約為0 2JJJJJJ或更少的第二厚度。 9·如申請專利範圍第}項所述之製造方法，其中形成顯示裝置包 含在該基板上形成-_電·_、—麟於該薄膜電晶體 陣列上之鈍化層以及一配設於該鈍化層上之黏附層。 10. 如申請專利範圍第9項所述之製造方法，更包含： 提供一基體_且在該基體_上形成電泳顯示元件；以 及 將該電泳顯示元件無基板相結合，以致電_示元件藉 由該黏附層與該基板相結合。 11. 一種可撓式顯示裝置之製造方法，該方法包含有： 提供-第-面板及-第二面板，各面板具有—基板及形成 於其中一結合表面上之顯示裝置； 將該第-面板之該結合表面與該第二面板之該結合表面 相結合； 自該第-面板及該第二面板至少之—_基板背侧去除 表面部份，以致該基板之該厚度自大致為剛性之第—厚度變化 為大致為可挽性的第二厚度；以及 分離該第一及該第二面板。 1Z如申請專概圍第u項所述之製造方法，其中該第—及第二 面板包含有-顯示區域及一非顯示區域，並且其中將該第一面 板之該結合表面與該第二面板之該結合表面減合包含在該 23 200821663 第一面板、該第二面板或其中之結合的該非顯示區域形成一密 封劑。 13·如申請專利範圍第U項所述之製造方法，其中自該第一面板 或該第二面板至少之-的該基板之背側去除表面部份包含喷 塗濕化學蝕刻劑於該基板之該後表面上。 14. 如申請專利翻f 13項所述之製造方法，其中自該第一及第 二面板之該基板之-後侧面上絲表面部份包含將該基板之 該後側面浸入於^一钱刻室中。 15. 如申物_第U顿叙觀方法，更包含在分離該第 一及第二面板之前切割該第一及第二面板。 16. 如申料利1 謂11項所述之製造方法，更包含在分離該第 一及第二基板之後黏附-電泳顯示树陣列於各該第一及第 —面才反0 春Π. -種可撓式顯示裝置之製造方法，該方法包含有： 提供—具有第—厚度之大致為_之第-基板； - 提供一具有第二厚度之大致為·之第二基板； 將該弟—基板之—結合表面_第二基板之結合表面相 結合； 第三厚度以致該第一基板變為大 將該第一基板變薄為一 致可撓性；以及 將該第二基板變薄為一第 四厚度以致該第二基板變為大 24 200821663 致可撓性。 18·如申請專利範圍第π項所述之製造方法，其中變薄該第一基 板包含將該第一基板浸入於一蝕刻室；並且變薄該第二基板包 含將該第二基板浸入於一蝕刻室；並且 其中該第一基板及該第二基板大致同時浸入於該钱刻室 中。 19·如申請專利範圍第17項所述之製造方法，其中變薄該第一基 板包含噴塗一姓刻劑於該第一基板之一後侧面；並且其中變薄 該弟二基板包含： 曝光該第二基板之一後表面；以及 贺k姓刻劑於該弟^一基板之該後侧面之同時喷塗於該 第一基板或隨後噴塗於該第一基板。 20·如申請專利範圍第17項所述之製造方法，其中該第一厚度等 同於該第二厚度且該第三厚度等同於該第四厚度。 25