TWI681555B - 可撓曲微發光二極體顯示裝置 - Google Patents

Abstract

一種可撓曲微發光二極體顯示裝置，其包括可撓性基板、多個畫素單元、多個主動元件、多個微發光二極體元件、封裝層以及至少一溝渠。畫素單元與主動元件設置於可撓性基板上。微發光二極體元件位於可撓性基板上且分別與對應的主動元件電性連接。封裝層覆蓋微發光二極體元件且具有遠離可撓性基板的第一表面。溝渠具有一延伸方向且設置於封裝層的第一表面。溝渠於垂直投影方向上的深度小於封裝層於垂直投影方向上的厚度。溝渠設置於在兩相鄰的畫素單元之間。於垂直投影方向上溝渠與微發光二極體元件及主動元件不重疊。

Description

可撓曲微發光二極體顯示裝置

本發明是有關於一種顯示裝置，且特別是有關於一種可撓曲微發光二極體顯示裝置。

隨著携帶式顯示裝置被廣泛地應用，針對可撓曲（flexible）顯示裝置之開發也越趨積極，以實現於不同曲面下仍可顯示的目的。然而，如何提升顯示裝置的可撓性與影像解析度，實已成目前亟欲解決的課題。

本發明提供一種可撓曲微發光二極體發光裝置，其可達到提升發光二極體顯示裝置的可撓性與影像解析度。

本發明提供一種可撓曲微發光二極體顯示裝置，其包括可撓性基板、多個畫素單元、多個主動元件、多個微發光二極體元件、封裝層以及至少一溝渠。畫素單元設置於可撓性基板上。主動元件設置於可撓性基板上。微發光二極體元件位於可撓性基板上。微發光二極體元件分別與對應的主動元件電性連接，且各畫素單元包括至少一主動元件以及至少一微發光二極體元件。封裝層覆蓋微發光二極體元件，封裝層具有第一表面，其中第一表面遠離可撓性基板。溝渠具有一延伸方向。溝渠設置於封裝層的第一表面。溝渠於垂直投影方向上的深度小於封裝層於垂直投影方向上的厚度。溝渠設置於在兩相鄰的畫素單元之間。於垂直投影方向上溝渠與微發光二極體元件及主動元件不重疊。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

參照本實施例之圖式以更全面地闡述本發明。然而，本發明亦可以各種不同的形式體現，而不應限於本文中所述之實施例。

在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件”上”或”連接到”另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為”直接在另一元件上”或”直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，”連接”可以指物理及/或電性連接。再者，電性連接或耦接可為二元件間存在其它元件。

應當理解，儘管術語“第一”與“第二”等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的“第一元件”、“部件”、“區域”、“層”、或“部分”可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。

這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非內容清楚地指示，否則單數形式“一”、“一個”和“該”旨在包括複數形式，包括“至少一個”。“或”表示“及/或”。如本文所使用的，術語“及/或”包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語“包括”及/或“包括”指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一個或多個其它特徵、區域整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。

此外，諸如“下”或“底部”和“上”或“頂部”的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的“下”側的元件將被定向在其他元件的“上”側。因此，示例性術語“下”可以包括“下”和“上”的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件“下方”或“下方”的元件將被定向為在其它元件“上方”。因此，示例性術語 “下面”或“下面”可以包括上方和下方的取向。

本文使用的”約”、”近似”、”實質上”、或”大致上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統的限制)。例如，”約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的“約”、”近似”或“實質上”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

圖1A是依照本發明的第一實施例的一種可撓曲微發光二極體顯示裝置的局部上視示意圖。圖1B是沿圖1A中A-A’剖線的剖面圖。圖1C是圖1B中R1區域的彎折示意圖。為求清楚表示，於圖1A中省略繪示了部分的膜層與構件。並且，主動元件120或其與訊號線150之間的連接線路不會出現在圖1A，但圖1B仍繪示出主動元件120及前述的連接線X於剖面圖，以清楚表示訊號線150、主動元件120及微發光二極體130彼此之間的連接關係。另外，為求清楚表示撓曲狀態下的可撓曲微發光二極體顯示裝置100，於圖1C中僅示例性的繪示撓曲狀態下的封裝層140及對應的微發光二極體元件130的關係。

請參照圖1A及圖1B，可撓曲微發光二極體顯示裝置100可以包括可撓性基板110、多個畫素單元102、多個主動元件120、多個微發光二極體元件130、封裝層140以及訊號線150。可撓性基板110的材料可包括聚亞醯胺（polyimide；PI）、聚碳酸酯(polycarbonate；PC)、聚醚碸(polyethersulfone；PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate；PA)、聚原冰烯(polynorbornene；PNB)、聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚醚醚酮(polyetheretherketone；PEEK)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate；PEN)、或聚醚亞醯胺(polyetherimide；PEI)，但不以此為限而可為其它各種有機材料或有機/無機混合材料、或其他適宜的可撓性材料，但本發明不以此為限。

多個畫素單元102與多個主動元件120設置於可撓性基板110上。多個主動元件120可以是以陣列排列的方式配置於可撓性基板110的基板表面110a上。換句話說，多個畫素單元102可以是陣列排列的方式配置於可撓性基板110上。各畫素單元102包括至少一主動元件120與至少一微發光二極體元件130，然本發明並不以此為限，各個主動元件120具有對應的閘極GE、源極S、汲極D和半導體層CH。閘極GE與半導體層CH之間可以具有閘極絕緣層GI。平坦層PV1可以覆蓋於主動元件120上。在本實施例中，主動元件120例如是薄膜電晶體（thin film transistor；TFT），圖1B中的主動元件120是以薄膜電晶體可為底部閘極型電晶體（bottom gate）為例，即閘極GE位於半導體層CH之下方。在其他實施例中，薄膜電晶體可為頂部閘極型（top gate，例如：閘極GE位於半導體層CH之上方），或立體型的電晶體（例如：半導體層CH位於不同的水平面上）、或其他適當型式的電晶體，但本發明不限於此。在其他實施例中，主動元件120也可以是其他型態之開關元件（switching device）。

微發光二極體元件130配置於可撓性基板110的基板表面110a上，且多個微發光二極體元件130分別與對應的主動元件120電性連接。在一些實施例中，微發光二極體元件130與主動元件120中的汲極D進行電性連接，但本發明不以此為限。這些微發光二極體元件130可以具有實質上相同或不同的發光顏色。舉例而言，部分微發光二極體元件130可以發出紅色光，另外的部分微發光二極體元件130可以發出綠色光，而其餘的部分微發光二極體元件130可以發出藍色光，但本發明不以此為限。於其它實施例中，再其餘的微發光二極體元件130亦可發出其它色光，例如：白色光、黃色光、或其它合適的色光。

在本實施例中，微發光二極體元件130的尺寸（即，投影於可撓性基板110的基板表面110a上的面積）可以為100微米×100微米以下，且微發光二極體元件130於垂直投影方向上的元件厚度L1可以是大於或約等於4微米（micrometer；μm）且小於或約等於30微米。

由於微發光二極體元件的尺寸較一般的發光二極體小很多，因此，可以在實質上相同的單位面積上放置更多的微發光二極體，進而提升顯示裝置的影像解析度。另外，由於發光二極體（包含但不限於微發光二極體元件）是藉由半導體製程將多個導電層、多個半導體層、發光層及絕緣層堆疊而成。因此，若發光二極體的尺寸過大（如：類似於具有較大尺寸的一般發光二極體，舉例而言大於約100微米以上），則所構成的顯示裝置會較難撓曲。除此之外，相較於以有機發光材料所構成的顯示裝置，由於有機發光材料會因水氣或氧氣造成無法修復的損壞，因此，有機發光材料所構成的顯示裝置常需具有多種額外的膜層（如，用於阻擋水氣或氧氣的阻障層（barrier layer））。另外，以有機發光材料所構成的顯示裝置，在處於長時間顯示靜態內容（即，顯示的亮度及/或色調不變的情況下）時，由於有機發光材料既有材料特性，即使顯示裝置上的內容已經改變，但先前長時間顯示靜態內容的區塊仍會持續出現殘影情況（即，俗稱的老化現象、燒屏或鬼影）。故，相較於以有機發光材料所構成的顯示裝置，以微發光二極體所構成的顯示裝置，除了可以撓曲外更具有較佳的產品壽命及顯示品質。

封裝層140覆蓋微發光二極體元件130。封裝層140的材料例如是光阻材料、環氧樹脂（epoxy resin）、矽樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯（polymethyl methacrylate；PMMA）或其他適宜的可透光材料，而可使微發光二極體元件130所發出的光可以透射出去。在一些實施例中，封裝層140可以具有封裝厚度140h，封裝厚度140h可以是大於約30微米且小於或約等於300微米，但本發明不以此為限。在一些實施例中，封裝層140的楊氏模量（Young's Modulus）小於可撓性基板110的楊氏模量，因此可以提升封裝層140的被彎折程度，但本發明不以此為限。

封裝層140具有彼此相對的第一表面140a與第二表面140b，其中第一表面140a遠離可撓性基板110。並且，例如可藉由蝕刻製程以於封裝層140的頂表面140a上形成至少一溝渠141(在本實施例中，是以兩個溝渠141a、141b為例)，但不限於此。於其它實施例中，形成至少一溝渠141可用其它合適的方式，例如：壓印方式、雷射移除方式、或其它合適的方式。溝渠141設置於封裝層140的第一表面140a，溝渠141沿延伸方向141y沿伸，且溝渠141設置於兩相鄰的畫素單元102之間。溝渠141於可撓性基板110上的垂直投影(可撓性基板110的表面110a的法線方向上)與微發光二極體元件130及主動元件120不重疊。在圖1A及圖1B所繪示的可撓曲微發光二極體顯示裝置中，於未撓曲的狀態下，可撓性基板110的基板表面110a的法線方向例如為z方向，而溝渠141的延伸方向141y可以為對應的y方向，但本發明不限於此。藉由封裝層140上的至少一溝渠141，可以使可撓曲微發光二極體顯示裝置100於一對應的方向上可以被撓曲或彎曲。

在本實施例中，於可撓性基板110的基板平面110a的法線方向(即，垂直投影方向Z)上，溝渠141具有溝渠深度h，並且溝渠141具有一角度θ(如圖1B所示)，角度θ較佳為0度＜θ＜60度，但不限於此。此外，溝渠140於垂直投影方向Z上的溝渠深度h小於封裝層140於垂直投影方向上的封裝厚度140h，溝渠深度h與封裝厚度140h的比值較佳為大於0且小於0.9(即，0 ＜ h/140h ＜ 0.9)，但不限於此。舉例而言，當封裝厚度140h為約300微米，元件厚度L1約為4微米時，溝渠深度h約為296微米。因此溝渠深度h的深度範圍例如是大於約0微米且小於約296微米，但本發明不限於此，唯溝渠深度h小於封裝層140的封裝厚度140h，以降低封裝層140剝離或微發光二極體元件130受損的可能。

在本實施例中，這些溝渠141的溝渠深度h可以彼此實質上相同，但本發明不限於此。在其他實施例中，這些溝渠141的溝渠深度h可以彼此不相同。

在本實施例中，於垂直於延伸方向141y的一方向（如：圖1C中的x方向）上，溝渠141於封裝層140的表面140a上具有最大溝渠寬度t，於垂直於延伸方向141y的一方向（如：圖1C中的x方向）上，主動元件120具有元件寬度L2。微發光二極體元件130與最近於其的溝渠141之間具有最短距離d1，最短距離d1大於元件寬度L2且最大溝渠寬度t較佳小於微發光二極體元件130的元件寬度L2，但本發明不限於此。當最大溝渠寬度t小於微發光二極體元件130的元件寬度L2時，微發光二極體顯示裝置100的應力分散效果較佳。

在本實施例中，這些溝渠141的最大溝渠寬度t可以彼此實質上相同，但本發明不限於此。在其他實施例中，這些溝渠141的最大溝渠寬度t可以彼此不相同，且溝渠深度h大於最大溝渠寬度t。

訊號線150設置於相鄰的畫素單元102之間。在本實施例中，訊號線150例如為資料線，且訊號線150可以電性連接至主動元件120的源極S，但本發明不限於此。在其他的實施例中，訊號線例如為掃描線，且前述的訊號線150可以電性連接至主動元件120的閘極GE。在其他可行的實施例中，訊號線150也可以具有其他不同的用途。舉例而言，訊號線150可以為可撓曲微發光二極體顯示裝置100上其他電子元件的導線，例如電力線、參考電壓線(OVDD或OVSS)。除此之外，藉由將訊號線150配置於第一溝渠141a與第二溝渠141b之間，可以更有效的分散應力，以有效地降低可撓曲微發光二極體顯示裝置100的訊號線150斷裂或剝離的可能。

在實質上平行於可撓性基板110的基板表面110a的一虛擬面（如：圖1A的紙面）中，垂直於延伸方向141y(即圖1C中的X方向)上的相鄰畫素單元102之間可以具有多個溝渠141。換句話說，位於兩相鄰畫素單元102之兩個微發光二極體元件130之間具有至少兩個溝渠141（即，至少包括第一溝渠141a與第二溝渠141b）。在一些實施例中，第一溝渠141a與第二溝渠141b設置於兩相鄰的畫素單元102之間，且訊號線150位於第一溝渠141a與第二溝渠141b之間。在其他實施例中，溝渠141的數量可以超過兩個。

舉例而言，如圖1C所示，在垂直於延伸方向141y(即圖1C中的X方向)上，可撓曲微發光二極體顯示裝置100的一端受到垂直於可撓性基板110的方向（如：圖1C中的z方向）的外力F時，可以使可撓性基板110於可撓曲方向110b上（如：圖1C中的逆時針方向）對應地被撓曲或彎曲，且使位於可撓性基板110上的封裝層140也可以具有對應的撓曲或彎曲。一般而言，在施力於構件上時，在構件的幾何形狀的不連續處（discontinuity）的應力會有局部增大的現象，這種現象稱為應力集中（stress concentration）。而在應力集中處可能較容易使構件的結構造成破壞。因此，藉由封裝層140上的至少一溝渠141，可以在撓曲或彎曲下產生多個應力集中處，因此可以避免應力集中於單一個應力集中處（即，類似於僅具有一個溝渠的結構），且可以降低各個應力集中處的應力，而降低因應力集中而導致微發光二極體元件130或主動元件120損壞的可能。

在本實施例中，溝渠141於可撓性基板110的基板平面110a的法線方向（例如：Z方向）上的寬度變化是由封裝層140的表面140a朝可撓性基板110的方向上遞減，與此，溝渠141的溝渠寬度t為垂直於延伸方向141y上的最大寬度。舉例而言，溝渠141的剖面形狀例如是V字形、U字形、或其它合適的剖面形狀，但本發明不以此為限。

圖2A是依照本發明的第二實施例的一種可撓曲微發光二極體顯示裝置的局部上視示意圖。圖2B是沿圖2A中B-B’剖線的剖面圖。在此必須說明的是，圖2A及圖2B的實施例沿用圖1A至圖1C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明，關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

請同時參照圖2A及圖2B，第二實施例的可撓曲微發光二極體顯示裝置200與第一實施例的可撓曲微發光二極體顯示裝置100差別在於：在垂直於延伸方向141y的一方向（如：圖1C中的x方向）上，可撓曲微發光二極體顯示裝置200在相鄰的兩個微發光二極體元件130之間包括第一溝渠141a、第二溝渠141b以及第三溝渠241c，第三溝渠241c位於第一溝渠141a與第二溝渠141b之間，且訊號線150與第三溝渠241c重疊。在本實施例中，第一溝渠141a於垂直投影方向Z上分別具有第一深度h1，第二溝渠141b具有第二深度h2，第三溝渠241c具有第三深度h3，第一溝渠141a、第二溝渠141b以及第三溝渠241c位於兩相鄰的畫素單元102之間且第三溝渠241c位於第一溝渠141a與第二溝渠141b之間，且第三深度h3大於第一深度h1及第二深度h2。

在本實施例中，第一深度h1與第二深度h2可以實質上相等，而可使應力分佈較為平均，但本發明不以此為限。在一些實施例中，第一深度h1與第二深度h2可以不相等。舉例而言，第一深度h1可以大於第二深度h2，或是，第二深度h2可以大於第一深度h1。在具有最大深度（即，第三深度h3）的第三溝渠241c與對應的微發光二極體元件130之間，第一溝渠141a與第二溝渠141b分別具有較第三深度h3小的深度（例如：第一深度h1與第二深度h2）。因此，可以使具有最大應的應力集中處可以遠離相對應的微發光二極體元件130或相對應的主動元件120，而可以降低因應力集中而導致可撓曲微發光二極體顯示裝置200損壞的可能。

在一些實施例中，第一溝渠141a的最大溝渠寬度t1、第二溝渠141b的最大溝渠寬度t2與第三溝渠241c的最大溝渠寬度t3可以彼此實質上相同，或是，第一溝渠141a的最大溝渠寬度t1、第二溝渠141b的最大溝渠寬度t2與第三溝渠241c的最大溝渠寬度t3可以兩兩不同或彼此不同，於本發明不以此為限，惟各個溝渠141a、141b、241c的溝渠深度h1、h2、h3大於對應的最大溝渠寬度t1、t2、t3。

在一些實施例中，在溝渠141的延伸方向141y上，在相鄰的兩個微發光二極體元件130之間的多個溝渠141的可以具有不同的溝渠長度。舉例而言，如圖2A所示，在延伸方向141y上，第三溝渠241c可以為連續的（即，在延伸方向141y上貫穿圖2A所繪示的可撓性基板110範圍）溝渠，且第一溝渠141a與第二溝渠141b可以為不連續的溝渠。換句話說，第三溝渠241c的溝渠長度（未標示，但在延伸方向141y上大於圖2A所繪示的可撓性基板110範圍）大於第一溝渠141a的溝渠長度L3與第二溝渠141b的溝渠長度L4。

圖3是依照本發明的第三實施例的一種可撓曲微發光二極體顯示裝置的局部剖面示意圖。在此必須說明的是，圖3的實施例沿用圖1A至圖1C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明，關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。為求清楚表示，圖3所繪示的可撓曲微發光二極體顯示裝置300的局部剖面可以是對應於圖1B中的區域R1。

請參照圖3，第三實施例的可撓曲微發光二極體顯示裝置300與第一實施例的差別在於，於可撓性基板110（繪示於圖1B）的基板平面110a（繪示於圖1B）的法線方向上，多個溝渠341的寬度變化是由封裝層140的表面140a朝可撓性基板110的方向上遞增。舉例而言，溝渠341的剖面形狀例如是梯形，但本發明不以此為限。

圖4是依照本發明的第四實施例的一種可撓曲微發光二極體顯示裝置的局部剖面示意圖。在此必須說明的是，圖4的實施例沿用圖1A至圖1C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明，關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

請參照圖4，第四實施例的可撓曲微發光二極體顯示裝置400與第一實施例的可撓曲微發光二極體顯示裝置100差別在於：可撓曲微發光二極體顯示裝置400更包括彈性層400。彈性層400位於封裝層140上且填充於多個溝渠141內，且彈性層400的楊氏模量小於封裝層140的楊氏模量，彈性層例如是固體橡膠、發泡橡膠、軟質橡膠、光阻材料或其組合或其他適宜的可透光材料。藉由彈性層400的配置可以進一步的吸收應力，提升產品的可靠度。

圖5A是依照本發明的第五實施例的一種可撓曲微發光二極體顯示裝置的的局部上視示意圖。圖5B是沿圖5A中C-C’剖線的剖面圖。在此必須說明的是，圖5A至圖5B的實施例沿用圖1A至圖1C的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明，關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

請參照圖5A及圖5B，第五實施例的可撓曲微發光二極體顯示裝置500與第一實施例的可撓曲微發光二極體顯示裝置100差別在於：可撓曲微發光二極體顯示裝置500包括第一訊號線150a與第二訊號線150b。第一訊號線150a與第一溝渠141a至少部份重疊，且第一訊號線150a與對應的主動元件120電性連接。第二訊號線150b與第二溝渠141b至少部份重疊。在本實施例中，第一訊號線150a例如為電性連接至主動元件120的一資料線，且第二訊號線150b可以為電性連接至另一主動元件（未繪示）的另一資料線，但本發明不限於此。在其他實施例中，第二訊號線150b可以為掃描線，且第二訊號線150b可以電性連接至主動元件120的閘極GE。在其他可行的實施例中，第二訊號線150b可以為可撓曲微發光二極體顯示裝置500上其他電子元件的導線。

圖6A是依照本發明的第六實施例的一種可撓曲微發光二極體顯示裝置的的局部上視示意圖。圖6B是沿圖6A中D-D’剖線的剖面圖。在此必須說明的是，圖6A至圖6B的實施例沿用圖5A至圖5B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明，關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。

請參照圖6A及圖6B，第六實施例的可撓曲微發光二極體顯示裝置600與可撓曲微發光二極體顯示裝置500差別在於：可撓曲微發光二極體顯示裝置600更包括第三溝渠641c，且第三溝渠641c位於第一溝渠141a與第二溝渠141b之間。在其他可行的實施例中，藉由第一訊號線150a與第一溝渠141a至少部份重疊，第二訊號線150b與第二溝渠141b至少部份重疊，可以更有效的分散應力，以有效地降低可撓曲微發光二極體顯示裝置600的第一訊號線150a及/或第二訊號線150b斷裂或剝離的可能。

本發明揭露之可撓曲微發光二極體顯示裝置，藉由在相鄰兩個微發光二極體元件之間具有至少一溝渠的配置，具有較佳可撓性。此外，藉由溝渠深度小於封裝層的封裝厚度，以降低封裝層剝離或微發光二極體元件受損的可能，提升可撓曲微發光二極體顯示裝置可靠度。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、200、300、400、500、600‧‧‧可撓曲微發光二極體顯示裝置

102‧‧‧畫素單元

110‧‧‧可撓性基板

110a‧‧‧可撓性基板表面

120‧‧‧主動元件

130‧‧‧微發光二極體元件

140‧‧‧封裝層

140a‧‧‧第一表面

140b‧‧‧第二表面

140h‧‧‧封裝厚度

141‧‧‧溝渠

141y‧‧‧延伸方向

141a‧‧‧第一溝渠

141b‧‧‧第二溝渠

241c、641c‧‧‧第三溝渠

150‧‧‧訊號線

150a‧‧‧第一訊號線

150b‧‧‧第二訊號線

400‧‧‧彈性層

GE‧‧‧閘極

S‧‧‧源極

D‧‧‧汲極

CH‧‧‧半導體層

GI‧‧‧閘極絕緣層

X‧‧‧連接線

F‧‧‧外力

PV1‧‧‧平坦層

d1‧‧‧最短距離

L1‧‧‧元件厚度

L2‧‧‧元件寬度

L3、L4‧‧‧溝渠長度

t、t1、t2、t3‧‧‧最大溝渠寬度

h‧‧‧溝渠深度

h1‧‧‧第一深度

h2‧‧‧第二深度

h3‧‧‧第三深度

R1‧‧‧放大部分

x、y、z‧‧‧方向

θ‧‧‧角度

圖1A是依照本發明的第一實施例的一種可撓曲微發光二極體顯示裝置的的局部上視示意圖。 圖1B是沿圖1A中A-A’剖線的剖面圖。 圖1C是圖1B中R1區域的彎折示意圖。 圖2A是依照本發明的第二實施例的一種可撓曲微發光二極體顯示裝置的局部上視示意圖。 圖2B是沿圖2A中B-B’剖線的剖面圖。 圖3是依照本發明的第三實施例的一種可撓曲微發光二極體顯示裝置的局部剖面示意圖。 圖4是依照本發明的第四實施例的一種可撓曲微發光二極體顯示裝置的局部剖面示意圖。 圖5A是依照本發明的第五實施例的一種可撓曲微發光二極體顯示裝置的的局部上視示意圖。 圖5B是沿圖5A中C-C’剖線的剖面圖。 圖6A是依照本發明的第六實施例的一種可撓曲微發光二極體顯示裝置的的局部上視示意圖。 圖6B是沿圖6A中D-D’剖線的剖面圖。

100‧‧‧可撓曲微發光二極體顯示裝置

110‧‧‧可撓性基板

110a‧‧‧可撓性基板表面

120‧‧‧主動元件

130‧‧‧微發光二極體元件

140‧‧‧封裝層

140a‧‧‧第一表面

140b‧‧‧第二表面

140h‧‧‧封裝厚度

141‧‧‧溝渠

141a‧‧‧第一溝渠

141b‧‧‧第二溝渠

150‧‧‧訊號線

GE‧‧‧閘極

S‧‧‧源極

D‧‧‧汲極

CH‧‧‧半導體層

GI‧‧‧閘極絕緣層

X‧‧‧連接線

PV1‧‧‧平坦層

d1‧‧‧最短距離

L1‧‧‧元件厚度

L2‧‧‧元件寬度

t‧‧‧最大溝渠寬度

h‧‧‧溝渠深度

R1‧‧‧放大部分

x、y、z‧‧‧方向

θ‧‧‧角度

Claims (13)

1. 一種可撓曲微發光二極體顯示裝置，包括：多個畫素單元，設置於一可撓性基板上；多個主動元件，設置於該可撓性基板上；多個微發光二極體元件，位於該可撓性基板上，且該些微發光二極體元件分別與對應的該些主動元件電性連接，且各該畫素單元包括至少一該些主動元件以及至少一該些微發光二極體元件；一封裝層，覆蓋該些微發光二極體元件，該封裝層具有一第一表面，其中該第一表面遠離該可撓性基板；以及至少一溝渠，具有一延伸方向，該至少一溝渠設置於該封裝層的該第一表面，該至少一溝渠於一垂直投影方向上具有一溝渠深度，該溝渠深度小於該封裝層於該垂直投影方向上的一厚度，該至少一溝渠設置於在兩相鄰的該些畫素單元之間，於該垂直投影方向上該至少一溝渠與該些微發光二極體元件及該些主動元件不重疊，其中：該至少一溝渠為多個溝渠，且該些溝渠包括一第一溝渠、一第二溝渠及一第三溝渠；該第一溝渠、該第二溝渠與該第三溝渠於該垂直投影方向上分別具有一第一深度、一第二深度以及一第三深度，該第一溝渠、該第二溝渠與該第三溝渠位於兩相鄰的該些畫素單元之間；該第三溝渠位於該第一溝渠與該第二溝渠之間；且 該第三深度大於該第一深度及該第二深度。
2. 如申請專利範圍第1項所述的可撓曲微發光二極體顯示裝置，包括至少一訊號線，設置在兩相鄰的該些畫素單元之間。
3. 如申請專利範圍第2項所述的可撓曲微發光二極體顯示裝置，其中該至少一訊號線位於該第一溝渠與該第二溝渠之間。
4. 如申請專利範圍第3項所述的可撓曲微發光二極體顯示裝置，其中該至少一訊號線與該第三溝渠重疊。
5. 如申請專利範圍第3項所述的可撓曲微發光二極體顯示裝置，其中該至少一訊號線為多條訊號線，且該些訊號線更包括一第一訊號線與一第二訊號線，該第一訊號線與該第一溝渠至少部份重疊，且該第二訊號線與該第二溝渠至少部份重疊。
6. 如申請專利範圍第1項所述的可撓曲微發光二極體顯示裝置，其中該第一深度與該第二深度相等。
7. 如申請專利範圍第1項所述的可撓曲微發光二極體顯示裝置，其中各該溝渠於垂直該延伸方向上具有一最大溝渠寬度，各該微發光二極體元件於垂直該延伸方向上具有一元件寬度，該些微發光二極體元件與該些溝渠之間具有一最短距離，該最短距離大於該元件寬度，且該元件寬度大於該最大溝渠寬度。
8. 如申請專利範圍第1項所述的可撓曲微發光二極體顯示裝置，其中該至少一溝渠於垂直該延伸方向上具有一最大溝渠寬度，且該溝渠深度大於該最大溝渠寬度。
9. 如申請專利範圍第1項所述的可撓曲微發光二極體顯示裝置，其中該封裝層的該厚度大於30微米且小於等於300微米，且該些微發光二極體元件於該垂直投影方向上具有一元件厚度，該元件厚度大於4微米且小於等於30微米。
10. 如申請專利範圍第1項所述的可撓曲微發光二極體顯示裝置，其中該可撓曲微發光二極體顯示裝置具有一可撓曲方向，且該可撓曲方向垂直於該至少一溝渠之該延伸方向。
11. 如申請專利範圍第1項所述的可撓曲微發光二極體顯示裝置，其中該些溝渠中的至少兩個於該延伸方向上的長度不同。
12. 如申請專利範圍第1項所述的可撓曲微發光二極體顯示裝置，其中該封裝層的楊氏模量小於該可撓性基板的楊氏模量。
13. 如申請專利範圍第11項所述的可撓曲微發光二極體顯示裝置，更包括：一彈性層，設置於該封裝層上且填充於該些溝渠內，且該彈性層的楊氏模量小於該封裝層的楊氏模量。

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