CN115128854B - 触控显示面板制造方法及触控显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种触控显示面板制造方法及触控显示面板，该触控显示面板制造方法包括提供成盒后的显示面板基体，显示面板基体包括阵列基板、彩膜基板和位于阵列基板与彩膜基板之间的液晶层，阵列基板包括第一衬底，彩膜基板包括第二衬底；对显示面板基体进行单侧薄化处理，将第二衬底减薄；在第二衬底远离阵列基板的一侧形成触控膜，得到触控显示面板。本发明实施例的触控显示面板制造方法及触控显示面板中，在形成触控膜时，仅彩膜基板一侧被薄化，玻璃强度较高，因此不易发生破片，触控显示面板的生产良率得以提高，即使是大尺寸的触控显示面板生产良率也能得到保证。

Description

触控显示面板制造方法及触控显示面板

技术领域

本发明涉及显示面板技术领域，特别是涉及一种触控显示面板制造方法及触控显示面板。

背景技术

近年来，液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)技术以其低功耗、低辐射、轻巧便捷的优势得到普及。同时，随着显示技术的不断进步，触控装置已经逐渐遍及人们的生活中。目前，一般采用氧化铟锡(Indium Tin Oxides，ITO)透明导电膜作为触控装置的触控电极。由于近年来显示面板技术的成熟发展，将触控技术结合于显示面板逐渐成为一种趋势。并且，处于人们对电子产品轻薄的要求，需要将触控显示面板做得尽量薄，这就需要对触控显示面板进行薄化。然而，目前对于大尺寸的显示面板，进行薄化后设置触控膜时容易发生破片，导致生产良率较低。

请参图1a至图1c，现有技术的一种触控显示面板的制造过程中，先对显示面板进行双面薄化，将0.4mm厚的阵列基板91的衬底912和彩膜基板93的衬底932分别进行薄化至0.2mm，然后在彩膜基板93远离阵列基板91的一侧通过真空镀膜一层触控膜95，以制得On-cell的触控显示面板。然而，在进行真空镀膜时，由于显示面板内部有压力，真空镀膜时的真空环境会导致显示面板内外存在压差，使得衬底912和衬底932容易破片，从而导致触控显示面板的良率较低。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种不易破片、生产良率较高的触控显示面板制造方法及触控显示面板。

本发明提供一种触控显示面板制造方法，包括：

提供成盒后的显示面板基体，所述显示面板基体包括阵列基板、彩膜基板和位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层，所述阵列基板包括第一衬底，所述彩膜基板包括第二衬底；

对所述显示面板基体进行单侧薄化处理，将所述第二衬底减薄；

在所述第二衬底远离所述阵列基板的一侧形成触控膜，得到触控显示面板；

将所述触控显示面板进行切割，得到多个触控显示面板单体；

在将所述触控显示面板进行切割之后，对所述触控显示面板单体进行单侧薄化处理，将所述第一衬底减薄。

在一实施例中，所述触控显示面板制造方法还包括：在对所述第二衬底减薄之前，对所述显示面板基体进行前处理，所述前处理为将所述显示面板基体至于溶液中，所述溶液中含有氢氟酸和浓硫酸。

在一实施例中，所述触控显示面板制造方法还包括：在对所述第二衬底减薄之后，且在形成所述触控膜之前，在所述第二衬底远离所述阵列基板的一侧形成平坦层，所述平坦层覆盖于所述第二衬底上。

在一实施例中，在形成所述触控膜时，所述触控膜覆盖于所述平坦层上。

在一实施例中，所述显示面板基体进行单侧薄化处理，对所述第二衬底减薄的步骤具体包括：

在所述第一衬底远离所述彩膜基板的一侧设置保护膜；

对所述第二衬底远离所述阵列基板的一侧进行蚀刻处理，以将所述第二衬底减薄；

将所述保护膜去除；

或者，所述显示面板基体进行单侧薄化处理，对所述第一衬底减薄的步骤具体包括：

在所述触控膜远离所述阵列基板的一侧设置保护膜；

对所述第一衬底远离所述彩膜基板的一侧进行蚀刻处理，以将所述第一衬底减薄；

将所述保护膜去除。

在一实施例中，形成触控膜时，通过真空镀膜方式形成所述触控膜。

本发明还提供一种触控显示面板，包括阵列基板、彩膜基板和位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层，所述阵列基板包括第一衬底，所述彩膜基板包括第二衬底，所述第一衬底和所述第二衬底的厚度为0.15mm。

在一实施例中，所述触控显示面板还包括触控膜和平坦层，所述平坦层设于所述第二衬底远离所述阵列基板的一侧，所述触控膜设于所述平坦层远离所述阵列基板的一侧。

在一实施例中，所述触控显示面板还包括设于第一衬底上的薄膜晶体管阵列和像素电极。

在一实施例中，所述触控显示面板还包括设于第二衬底上的色阻层(134)和公共电极。

本发明实施例提供的触控显示面板制造方法及触控显示面板中，在形成触控膜时，仅彩膜基板一侧被薄化，玻璃强度较高，因此不易发生破片，触控显示面板的生产良率得以提高，即使是大尺寸的触控显示面板生产良率也能得到保证。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1a至图1c为现有技术的一种触控显示面板制造过程中不同阶段的结构示意图。

图2为本发明第一实施例的触控显示面板制造方法的流程示意图。

图3为图2所示触控显示面板制造方法在步骤S11中显示面板的结构示意图。

图4为图2所示触控显示面板制造方法在步骤S13中显示面板的结构示意图。

图5为图2所示触控显示面板制造方法在步骤S15中显示面板的结构示意图。

图6为图2所示触控显示面板制造方法在步骤S17中显示面板的结构示意图。

图7为本发明第二实施例的触控显示面板制造方法中步骤S21中显示面板的结构示意图。

图8a为利用氢氟酸和浓硫酸进行30分钟的前处理后薄化前的凹坑效果示意图。

图8b为利用氢氟酸和浓硫酸进行30分钟的前处理后薄化中的凹坑效果示意图。

图8c为利用氢氟酸和浓硫酸进行30分钟的前处理后薄化后的凹坑效果示意图。

图8d为利用氢氟酸和浓硫酸进行60分钟的前处理后薄化前的凹坑效果示意图。

图8e为利用氢氟酸和浓硫酸进行60分钟的前处理后薄化中的凹坑效果示意图。

图8f为利用氢氟酸和浓硫酸进行60分钟的前处理后薄化后的凹坑效果示意图。

具体实施方式

下面将结合附图，对本发明的特定实施例进行详细描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的描述，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“连接”等应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语的具体含义。

术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

术语“第一”、“第二”、“第三”等仅仅是为了区别属性类似的元件，而不是指示或暗示相对的重要性或者特定的顺序。

术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体，意在涵盖非排他性的包含，除了包含所列的那些要素，而且还可包含没有明确列出的其他要素。

第一实施例

请参图2，本发明第一实施例的触控显示面板制造方法包括：

S11，提供成盒后的显示面板基体，请参图3，显示面板基体包括阵列基板11、彩膜基板13和位于阵列基板11与彩膜基板13之间的液晶层15。阵列基板11包括第一衬底112、薄膜晶体管阵列和像素电极，薄膜晶体管阵列和像素电极均设于第一衬底112上。彩膜基板13包括第二衬底132、色阻层134和公共电极136，色阻层134和公共电极136均设于第二衬底132上。第一衬底112和第二衬底132均位于显示面板基体的最外侧。

S13，请参图4，对显示面板基体进行单侧薄化处理，将第二衬底132减薄。

S15，请参图5，在第二衬底132远离阵列基板11的一侧形成触控膜17，得到触控显示面板。

S16，将触控显示面板进行切割，得到多个合适尺寸的触控显示面板单体，其中每个单体可给电子产品提供一个屏幕。

S17，请参图6，对触控显示面板单体进行单侧薄化处理，将第一衬底112减薄。

在本实施例中，在步骤S11中，显示面板基体的阵列基板11的薄膜晶体管阵列包括多个薄膜晶体管(TFT)，薄膜晶体管包括包括栅极、半导体层、源极和漏极，栅极设于第一衬底112上，源极和漏极设于半导体层上并与半导体层接触，源极和漏极相互间隔设置，其中漏极与像素电极电性连接，栅极与扫描线电性连接，源极与数据线电性连接。薄膜晶体管的栅极上设有钝化层，半导体层设于该钝化层上。具体地，半导体层可为非晶硅(a-Si)。具体地，薄膜晶体管阵列上覆盖有绝缘层，绝缘层上设置上述像素电极。彩膜基板13的第二衬底132的靠近阵列基板11的一侧上设有色阻层134，公共电极136设于色阻层134靠近阵列基板11的一侧。色阻层134包括多个色阻，色阻一般包括红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻，相邻色阻之间设有遮光结构138(例如黑矩阵)。可以理解，公共电极136也可设置在阵列基板11上，公共电极136与像素电极间隔绝缘设置即可。也就是说，显示面板基体可以为FFS(FringeField Switching)型、IPS(In-Plane-Switching)型，当然也可为TN(Twisted nematic)型等其他架构，在此不做限制。

具体地，第一衬底112和第二衬底132的厚度一般均为0.4mm。

本实施例中，步骤S13具体包括：

S131，在第一衬底112远离彩膜基板13的一侧设置保护膜。具体地，保护膜可为抗酸膜。

S133，对第二衬底132远离阵列基板11的一侧进行蚀刻处理，以将第二衬底132减薄。具体地，减薄后的第二衬底132的厚度可达0.15mm，相较薄化前厚度大幅减小。具体地，可将显示面板基体通过浸泡、顶喷等方式进行蚀刻。

S135，将保护膜去除。

具体地，对第二衬底132进行蚀刻处理时，可采用氢氟酸对其进行浸泡。

可以理解，在另一实施例中，在步骤S13中也可通过物理研磨方式对显示面板基体进行单侧薄化处理。

本实施例中，在步骤S15中，可通过真空镀膜方式形成触控膜17。具体地，触控膜17可为Metal Mesh网状结构。触控膜17包括触控驱动电极和触控感应电极，触控驱动电极提供触控驱动信号，触控感应电极提供触控感应信号，以实现触控功能。

本实施例中，通过步骤S16对触控显示面板进行切割，得到多个触控显示面板单体，这样可同时制造多个触控显示面板，从而提高生产效率，降低生产成本。

本实施例中，在步骤S17中，可通过与步骤S13相同的方式进行薄化处理，也可采用与步骤S13不同的方式进行薄化处理。具体地，减薄后的第一衬底112的厚度可达0.15mm，相较薄化前厚度大幅减小，这样，第一衬底112和第二衬底132的整体厚度从0.8mm减薄到了0.3mm，实现了触控显示面板的薄化，利于电子产品的轻薄化要求的实现。可以理解，当对触控显示面板厚度要求较低时，步骤S17可省略，这样得到的触控显示面板可为0.55mm。

本实施例的触控显示面板制造方法中，在形成触控膜时，仅彩膜基板一侧被薄化，玻璃强度较高，因此不易发生破片，触控显示面板的生产良率得以提高，即使是大尺寸的触控显示面板生产良率也能得到保证；同时，由于破片问题得以控制，因此可在两次薄化后将使触控显示面板厚度更小，甚至可达0.3mm，这比常规双侧同时薄化得到的触控显示面板的厚度还小。总的来说，本实施例的触控显示面板制造方法，突破了大尺寸On-cell触控显示面板无法实现轻薄化的技术难点，可同时制造多个触控显示面板，大大提高了生产效率，降低了生产成本；相比之下，现有技术中由于没有突破大尺寸On-cell触控显示面板实现轻薄化的技术，显示面板基体的尺寸受限，每次能制造的触控显示面板的数量也有限，批量生产On-cell触控显示面板的效率较低，产能难以提升。

第二实施例

本发明第二实施例的触控显示面板制造方法和第一实施例的触控显示面板制造方法的基本相似，其区别主要在于，在第二实施例中，该触控显示面板制造方法还包括：

步骤S19，对显示面板基体进行前处理，前处理为将显示面板基体置于溶液中，溶液中含有氢氟酸和浓硫酸。步骤S19位于步骤S13之前。

阵列基板11和彩膜基板13通常会接触到顶针、滚轮等机构，当玻璃材质的第一衬底112和第二衬底132与这些机构接触或这些机构上存在异物时，可能会产生微观上的划伤或破损，形成凹坑(dimple)。在前处理中，当采用氢氟酸进行前处理时，在后续的薄化过程中凹坑会进一步增大，导致触控显示面板更易破片。图8a至图8c为利用氢氟酸和浓硫酸进行30分钟的前处理后不同阶段的凹坑效果示意图，图8d至图8f为利用氢氟酸和浓硫酸进行60分钟的前处理后不同阶段的凹坑效果示意图。本实施例中，请参考图8a至图8f，前处理中的溶液含有氢氟酸和浓硫酸，经过前处理微蚀刻后，大分子硫酸根33填充在裂纹中，抑制住蚀刻裂纹内氟离子31的扩散速度，使细微裂纹内的氟离子31浓度较低，能够减小细微裂纹在蚀刻过程中的宽度和深度，进而减少显示面板基体的破片，以进一步提升触控显示面板的生产良率。前处理60分钟相比前处理30分钟，经薄化后前处理60分钟的显示面板基体上的凹坑的宽度和深度都会更小。

第三实施例

本发明第三实施例的触控显示面板制造方法和第一实施例的触控显示面板制造方法的基本相似，其区别主要在于，在第三实施例中，该触控显示面板制造方法还包括：

步骤S21，请参图7，在第二衬底132远离阵列基板11的一侧形成平坦层19，平坦层19覆盖于第二衬底132上。步骤S21位于步骤S13之后，并位于步骤S15之前，这样，在步骤S15中，触控膜17覆盖于平坦层19上。具体地，平坦层19采用OC材料。

通过平坦层可对第二衬底132上的凹坑进行修补和填充，从而达到平坦化的效果，进而减少显示面板基体的破片，以进一步提升触控显示面板的生产良率；同时，通过设置平坦层还能解决因凹坑产生的触控膜17线路短路不良的问题。通常，平坦层的厚度为2微米左右，不会对触控显示面板的整体厚度造成实质影响。

可以理解，在另一实施例中，触控显示面板制造方法可既包括第二实施例的步骤S19，又包括第三实施例的步骤S21，以更好地提升触控显示面板的生产良率。

第四实施例

本发明还提供一种触控显示面板，包括阵列基板11、彩膜基板13和位于阵列基板11与彩膜基板13之间的液晶层15，阵列基板11包括第一衬底112，彩膜基板13包括第二衬底132，第一衬底112和第二衬底132的厚度为0.15mm。

本实施例中，触控显示面板还包括触控膜17和平坦层19，平坦层19设于第二衬底132远离阵列基板11的一侧，触控膜17设于平坦层19远离阵列基板11的一侧。

需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所附的权利要求为准。

Claims (10)

1.一种触控显示面板制造方法，其特征在于，包括：

提供成盒后的显示面板基体，所述显示面板基体包括阵列基板（11）、彩膜基板（13）和位于所述阵列基板（11）与所述彩膜基板（13）之间的液晶层（15），所述阵列基板（11）包括第一衬底（112），所述彩膜基板（13）包括第二衬底（132）；

对所述显示面板基体进行单侧薄化处理，将所述第二衬底（132）减薄；

在所述第二衬底（132）远离所述阵列基板（11）的一侧形成触控膜（17），得到触控显示面板；

将所述触控显示面板进行切割，得到多个触控显示面板单体；

在将所述触控显示面板进行切割之后，对所述触控显示面板单体进行单侧薄化处理，将所述第一衬底（112）减薄。

2.如权利要求1所述的触控显示面板制造方法，其特征在于，所述触控显示面板制造方法还包括：在对所述第二衬底（132）减薄之前，对所述显示面板基体进行前处理，所述前处理为将所述显示面板基体至于溶液中，所述溶液中含有氢氟酸和浓硫酸。

3.如权利要求1所述的触控显示面板制造方法，其特征在于，所述触控显示面板制造方法还包括：在对所述第二衬底（132）减薄之后，且在形成所述触控膜（17）之前，在所述第二衬底（132）远离所述阵列基板（11）的一侧形成平坦层（19），所述平坦层（19）覆盖于所述第二衬底（132）上。

4.如权利要求3所述的触控显示面板制造方法，其特征在于，在形成所述触控膜（17）时，所述触控膜（17）覆盖于所述平坦层（19）上。

5.如权利要求1所述的触控显示面板制造方法，其特征在于，所述显示面板基体进行单侧薄化处理，对所述第二衬底（132）减薄的步骤具体包括：

在所述第一衬底（112）远离所述彩膜基板（13）的一侧设置保护膜；

对所述第二衬底（132）远离所述阵列基板（11）的一侧进行蚀刻处理，以将所述第二衬底（132）减薄；

将所述保护膜去除；

或者，所述显示面板基体进行单侧薄化处理，对所述第一衬底（112）减薄的步骤具体包括：

在所述触控膜（17）远离所述阵列基板（11）的一侧设置保护膜；

对所述第一衬底（112）远离所述彩膜基板（13）的一侧进行蚀刻处理，以将所述第一衬底（112）减薄；

将所述保护膜去除。

6.如权利要求1所述的触控显示面板制造方法，其特征在于，形成触控膜（17）时，通过真空镀膜方式形成所述触控膜（17）。

7.一种触控显示面板，采用如权利要求1-6任意一项所述的触控显示面板制造方法制成，其特征在于，所述触控显示面板包括阵列基板（11）、彩膜基板（13）和位于所述阵列基板（11）与所述彩膜基板（13）之间的液晶层（15），所述阵列基板（11）包括第一衬底（112），所述彩膜基板（13）包括第二衬底（132），所述第一衬底（112）和所述第二衬底（132）的厚度为0.15mm。

8.如权利要求7所述的触控显示面板，其特征在于，所述触控显示面板还包括触控膜（17）和平坦层（19），所述平坦层（19）设于所述第二衬底（132）远离所述阵列基板（11）的一侧，所述触控膜（17）设于所述平坦层（19）远离所述阵列基板（11）的一侧。

9.如权利要求7所述的触控显示面板，其特征在于，所述触控显示面板还包括设于第一衬底（112）上的薄膜晶体管阵列和像素电极。

10.如权利要求7所述的触控显示面板，其特征在于，所述触控显示面板还包括设于第二衬底（132）上的色阻层（134）和公共电极（136）。