TW200821354A - Resist underlayer coating-forming composition containing liquid additive - Google Patents

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200821354 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於新穎微影術用形成光阻底層膜組成物， 由該組成物所形成之下層膜，及使用到該下層膜之光阻圖 型之形成方法者。又，本發明係在半導體裝置製造之微影 術製造過程中在對塗佈於半導體基板上之光阻層之曝光照 射光自基板之反射可予減輕之下層防反射膜，爲使具有凹 凸之半導體基板平坦化用之平坦化膜，及加熱燒成時等可 r —和 P友止自半導體基板發生之物質所ik光阻層之污染的膜_ i 可作使知之微影術用光阻下#膜，爲形成該下層膜之形成 光阻底層膜組成物及該下層膜之形成方法者。又，本發明 係關於爲了將在半導體基板所形成之孔予以埋入而可使用 之微影術用形成光阻底層膜組成物。 【先前技術】 在習知之半導體裝置之製造中，係以使用光阻之微影 術所致微細加工來進行。該微細加工之方法，係在矽晶圓 等半導體基板上形成光阻之薄膜，在其上透過半導體裝置 之圖型所描繪之掩罩圖型照射紫外線等之活性光線，予以 顯影，所得之光阻圖型作爲保護膜將該基板蝕刻處理藉以 在該基板表面，形成對應於該圖型之微細凹凸之加工法。 但是，近年來，隨著半導體裝置之高積體度化，所使用之 活性光線，傾向於自KrF準分子雷射（248nm)至ArF準分 子雷射（193 nm)進行短波長化。伴隨於此來自活性光線之 -5- 200821354 基板之散射或駐波（standing wave)之影響變成了大問題。 因此’爲要解決此問題，則在光阻與基板之間設置防反射 膜（bottom anti-reflective coating，BARC)之方法被廣泛 檢討中。在此等防反射膜方面，由於其使用之容易性等就 吸光性物質與高分子化合物等所成有機防反射膜而有爲數 極多之檢討正在進行中。例如，在同一分子內具有爲交聯 反應基之羥基與吸光基之丙烯酸樹脂型防反射膜或同一分 • 子內具有爲交聯反應基之羥基與吸光基之酚醛清漆樹脂型 • 防反射膜等（可·參照例如，.專利文獻1，專利文獻2)。 -’ 在有機防反射i所要求之特性方面，1則有相對於光或 放射線具有大的吸光度者，不產生與光阻層之互混者（不 . 溶於光阻溶劑者），在加熱燒成時不產生自防反射膜至上 層光阻之低分子物質之擴散者，與光阻比較具有大的乾鈾 刻速度者等（可參照例如非專利文獻1，非專利文獻2，非 專利文獻3)。 • 又，近年來，伴隨半導體裝置之圖型規則微細化之進 • 行爲了解決已爲明確之配線延遲之問題，則使用銅作爲配 . 線材料之檢討正在進行著。因此，與此一同，在作爲對半 導體基板之配線形成方法則有雙嵌刻銅（dual-damascene) 製造過程之檢討正在進行。接著’在雙嵌刻銅製造過程中 可形成導通孔，相對於具有大的長寬比之基板因而可形成 防反射膜。因此，相對於可使用於此製造過程之防反射膜 ，則被要求可無間隙的塡充孔之埋入特性’或變成可在基 板表面形成平坦膜之平坦化特性等則被要求。 -6 - 200821354 但是，要使有機系防反射膜用材料適用於具有大的長 寬比的基板則有困難，近年來，將重點置於埋入特性或平 坦化特性之材料開發已經開始（可參照例如，專利文獻3， 專利文獻4，專利文獻5，專利文獻6)。 又，在半導體等裝置製造中，則有揭示爲使電介質層 所致光阻層之毒化效果減少，則將由含有可交聯的聚合物 等之組成物所形成之屏蔽層設置於電介質層與光阻層之間 # 之方法（可參照例如專利文獻7)。 ' 另有揭示可塑劑，例如含有2鹼酯之半導體裝置製造 -所使用之形成光阻底層膜組成物（可參照例如，專利?文獻 8)。 、 如此一來，在近年來之半導體裝置之製造中，以防反 射效果爲始，爲達成各種效果，則在半導體基板與光阻層 之間，亦即作爲光阻層之下層，則由含有機化合物之.組成 物所形成之有機系之下層膜之配置則已開始進行。 ® 因在下層膜有要求不產生互混者，故在下層膜之形成 - 多有利用交聯反應。因此，在形成此種交聯性下層膜用之 . 組成物方面，可使用作爲聚合物，交聯劑及交聯觸媒之由 颯氧化合物所成之物（可參照例如專利文獻1，專利文獻3 ，專利文獻4，專利文獻6)但是，因含有颯氧化合物之謂 的強酸，吾人認爲在該等組成物會有保存穩定性之問題。 因此，利用到以強酸觸媒爲非必要之交聯反應而形成 之下層膜，及其所用之組成物爲所期望。 專利文獻1:美國專利第59 1 95 99號說明書 200821354

專利文獻2:美國專利第5693691號說明書 專利文獻3:日本特開2000-294504號公報 專利文獻4:日本特開2002-47430號公報 專利文獻5:日本特開2002·丨905 ! 9號公報 專利文獻6 :國際公開第〇2 /〇 5 〇 3 5號要約 專利文獻7:日本特開2〇〇2_ 1 28 847號公報 專利文獻8:日本特開2002-474 30號公報 非專利文獻 l:Tom Lynch 與另 3 名，Properties and Performance of Near UV Reflectivity Control Layers，（美 國），in Advances in Resist Technology and Processing XI，Omkaram Nalamasu 編，Proceedings of SPIE，1 994 年， 第 21 95卷（Vol .2195)，p. 22 5-229 非專利文獻 2: (G.Taylor)其他 13 名，Methacrylate

Resist and Antireflecti ve Coatings for 1 93 nm Lithography ，（美國），in Microlithography 1999: Advances in Resist Technology and Processing XVI,WillConley 編，Proceedings of SPIE，1 999年，第 3678 卷（Vo 1.3678)，p· 174-1 85 非專利文獻3: (JilnD.MeadO〇與其他6名，Recent Progress in 193nm Antireflective Coatings，（美國），in Micro lithography 1 9 9 9: Advances in Resist Technology and ProcessingXVI，Will Conley 編，Proceedings of 81>1£，1 9 99年，第 3 678卷（¥〇1.3 67 8)，？.8 00-8 09 【發明內容】 -8- 200821354 發明揭示 發明欲解決之課題 本發明之目的係提供一種可用於半導體裝置之製造之 形成光阻底層膜組成物。而且，係提供一種並不引起與塗 佈，形成於上層之光阻層之互混，與光阻層比較具有大的 乾飩刻速度之微影術用光阻下層膜及形成該下層膜用之形 成光阻底層膜組成物。又，本發明，係利用非以強酸觸媒 爲必要之交聯反應而形成之光阻下層膜，該下層膜之形成 方法及其所用之形成光阻底層膜組成物。· 進而，本發明之目的，係在半導體裝置製造之微影術 製造過程中，可作爲對在半導體基板上所形成之光阻層之 曝光照射光之自基板之反射可予減輕之下層防反射膜，使 具有凹凸之半導體基板平坦化用之平坦化膜，及加熱燒成 時等自半導體基板發生之物質所致光阻層之污染予以防止 之膜等而作使用的微影術用光阻下層膜及形成光阻下層膜 用之形成光阻底層膜組成物。另外，係提供一種使用到形 成光阻底層膜組成物之微影術用光阻下層膜之形成方法， 及光阻圖型之形成方法。 解決課題之手段 本發明之第1觀點係，在含樹脂（A)，液狀添加劑（B) 及溶劑（C)之半導體裝置製造之微影術製造過程所使用之 形成光阻底層膜組成物， 第2觀點係，該液狀添加劑（B)係脂肪族聚醚化合物之 -9- 200821354 第1觀點所記載之形成光阻底層膜組成物， 第3觀點係，該液狀添加劑（B)係，聚醚聚醇，聚環氧 丙基醚或該等之組合之第1觀點之形成光阻底層膜組成物 第4觀點係，該聚醚聚醇係以式（1): [化1]

(但是，η示1〜300之整數，m示2〜6之整數，式中11】各 自示氫原子，或碳原子數1〜1〇之烷基，R2示碳原子數〜 10之烷基，碳原子數2〜6之鏈烯基，碳原子數2〜10之炔 基，碳原子數2〜10之院基鑛基’碳原子數2〜10之院基鑛 胺基’碳原子數2〜1 0之院基氧院基’碳原子數1〜1 〇之院 基胺基，碳原子數1〜1 〇之烷基二胺基，或該等之組合’ 依照聚氧化烯烴基之數m可得2價〜6價之價數之有機基） 所示之化合物的第3觀點之形成光阻底層膜組成物， 第5觀點係，該聚環氧丙基醚係以式（2): [化2]

-10- 200821354 (式中，m示2〜6之整數，R2與該式（1)中之定義同，依照 環氧丙基醚基之數m可得2價〜6價之價數之有機基）所示 之化合物的第3觀點之形成光阻底層膜組成物， 第6觀點係，進而含有吸光性化合物（D )之第1觀點 〜第5觀點中任1觀點之形成光阻底層膜組成物， 第7觀點係，將第1觀點〜第6觀點中任1觀點之形成光 阻底層膜組成物塗佈於基板上，予以燒成所致半導體裝置 製造之微影術製造過程所使用之光阻下層膜之形成方法， 第8觀點係含有，將第1觀點〜第6觀點中任l·觀點之形 成光阻底層膜組成物塗佈於半導體基板上，予以燒成而形 成光阻下層膜之步驟，在其下層膜上形成光阻層之步驟， 將以光阻下層膜與光阻層所被覆之半導體基板予以曝光之 步驟及曝光後予以顯影之步驟，之半導體裝置之製造方法 發明之效果 本發明係關於利用強酸觸媒爲非必要之交聯反應而形 成之光阻下層膜及形成該下層膜用之形成光阻底層膜組成 物。 本發明之形成光阻底層膜組成物，因不含有強酸觸媒 成分，故保存穩定性爲優異。 本發明之形成光阻底層膜組成物在聚合物彼此之間之 反應，或聚合物與添加劑之間形成交聯構造之系，因不含 有習知所廣泛使用之低分子交聯劑或颯氧化合物等之低分 -11 - 200821354 子化合物，故可減低燒成中產生之昇華物量，而可迴避來 自昇華物之微粒或異物所致半導體基板或潔淨室之污染。 藉由本發明之形成光阻底層膜組成物，可在無空隙 (void)(間隙）發生下達成孔內部之高度充塡性。又，因可 使具有孔之基板之凹凸埋入而可進行平坦化，故在其上可 使所塗佈，形成之光阻等膜厚之均一性予以提高。因此， 使用到具有孔之基板的製造過程中，亦可形成良好光阻之 • 圖型形狀。 * 藉由本發明之形成光阻底層膜組成物，與光阻比較具 . 有大的乾蝕刻速度，進而並不產生與光阻之互混，可提供 優異光阻下層膜。 接著，本發明之光阻下層膜，可作爲防反射膜，平坦 化膜及光阻層之污染防止膜等使用。藉此，在半導體裝置 製造之微影術製造過程中可使光阻圖型之形成變的可容易 地，精度良好的進行。 • 將光阻下層膜形成組成物，塗佈於具有凹凸之半導體 • 基板使溶劑蒸發後，可形成光阻下層膜。在習知之形成光 . 阻底層膜組成物，於溶劑蒸發初期，光阻下層膜可塡充孔 ，而完全平坦化則有困難。但是，本發明之形成光阻底層 膜組成物因含有液狀添加劑，故即使在溶劑蒸發之初期具 有流動性，且加熱時之回流焊接性可予提高。因此，可使 孔完全充塡，提高平坦化性。 又，含有本發明之液狀添加劑之形成光阻底層膜組成 物，在塗佈時即使爲塡充於之情形，藉由其後之加熱因除 -12- 200821354 去溶劑而產生之空隙（void)(間隙）並不會發生。此係藉由 加熱而在可除去溶劑時，可確保液狀添加劑之形成光阻底 層膜組成物之流動性，因可提高回流焊接性故空隙（void)( 間隙）被充塡，接著藉由回流焊接性可提高光阻下層膜表 面之平坦化性。 此液狀添加劑在其分子內，因具有羥基或環氧基故可 容易地產生樹脂成分與交聯鍵，可進行高分子化，而在塡 充於孔後則完全固化。如此一來，在含有液狀添加劑下， 形成光阻底層膜組成物可被塗佈.於具有凹凸之半導體基板 ，塡充孔，其後在固化之過程，因可在孔內完全塡充故可 形成平坦化性高的表面。 實施發明之最佳型態 本發明係含有樹脂（A)，液狀添加劑（B)及溶劑（C)之 半導體裝置製造之微影術製造過程所使用之形成光阻底層 膜組成物。 本發明之形成光阻底層膜組成物中固形成分之比率， 若各成分可均一地溶解的範圍，則無特別限制，例如〇· 1 〜7 0質量％，又，例如0 · 5〜5 0質量％，或1〜3 0質量％。在 此固形成分係指，自形成光阻底層膜組成物之全成分除去 溶劑成分者。接著，固形成分中之樹脂（A)之比率方面爲 70質量％以上，例如80〜100質量％，又，80〜99質量％， 或90〜99質量％。 本發明所使用之樹脂（A)任何樹脂均可使用。 -13— 200821354 較佳爲上述樹脂（A)可含有，具有被保護之羧基的化 合物，與具有可與羧基反應之基的化合物。又，上述樹脂 (A)可使用具有被保護之羧基，與可與羧基反應之基的化 合物。 本發明所使用之樹脂（A)係含有式（3): [化3] —"C 一〇一〇—〇—R4 (3) II ! 〇 hc-r3 k (式中，r】，r2及r3，各自示氫原子或碳原子數1〜10之 烷基，FU示碳原子數1〜10之烷基，又，R3與R4可互爲鍵 結形成環）所示之具有被保護之羧基的化合物，及具有可 與羧基反應之基的化合物。 又，本發明所使用之樹脂（A)含有，可與羧基反應之 基，與該式（3)所示之具有被保護之羧基的化合物。 該可與羧基反應之基，係選自環氧基，氧雜環丁烷基，噁 唑啉基，環碳酸酯基，烷氧基矽烷基，胺基羥甲基，氮雜 環丙烷基（aziridinyl)基，羥甲基，羥基，異氰酸酯基，烷 氧基甲基胺基及羥基矽烷基所成群之基。 該式（3)所示之具有被保護之羧基的化合物，以含有 式⑷: -14- 200821354 [化4] M—C—Ο—C—〇—R4 (4) II I 4 v O HC—R3

I r2 (式中，L示構成聚合物之主鏈的鍵結基，m示直接鍵結 或鍵聯基）所示單位構造的聚合物爲佳。 該式（3)所示之具有被保護之羧基的化合物，具有以 至少二個式（3)所示之被保護的羧基，分子量以200〜2000 之化合物爲佳。 具有該可與羧基反應之基的化合物，係具有至少二個 式（5)、 [化5]

—N一C 一Ο—R6 (5) [式中，r5示氫原子，碳原子數1〜6之烷基或-ch2or7(式 中，R7示氫原子或碳原子數1〜10之烷基）’ R6示氫原子或 碳原子數1〜ίο之烷基]所示之基的化合物。 又，具有該可與羧基反應之基的化合物，係含有選自 下述之式（6)，式（7)，式（8)，式（9)，式（10)及式（1 •15- 200821354 [化6] -n 0=0 Q一C—CH2 Q— ⑹ 〇、(CH2)X (7)N^ (8) 十 Q R9〇-Si-〇R10 Q-N=C= 〇 Q (10) I R^—C—CH2 or8 h2c-o (9) (11) (式中，P示構成聚合物主鏈之鍵結基，Q示直接鍵結或鍵 聯基，R8，R9，R1G及Rh，各自示氫原子或碳原子數1〜6 之烷基，X示〇或1)所示之單位構造所成群之至少一種之 單位構造的聚合物。 接著，具有該可與羧基反應之基與以式（3)所示之被 保護之羧基之化合物以含有，選自式（4)所示之單位構造 ，與式（6)，式（7)，式（8)，式（9) ’式（10)及式（1 1)所示之 單位構造所成群之至少一種單位構造的聚合物爲佳。 式（3)中，R!，R2及R3，各自示氫原子或碳原子數1〜 10之烷基，R4示碳原子數1〜1〇之烷基’又，以與R4可互 爲鍵結形成環。碳原子數1〜10之烷基方面，可例舉甲基 ，乙基，正（normal) 丁基，正辛基’異丙基’二級丁基 ，2-乙基己基，環己基等。又’幻與R4可互爲鍵結形成 -16- 200821354 環，在以此方式所形成環方面，可例舉四氫呋喃環，四氫 哌喃環等。 式（3)所示之具有被保護之羧基的化合物，係在具有 羧基之化合物使式（12)所示之乙烯醚化合物反應，可予製 造。 [化7]

r3

Ri o-r4 (12) 具有羧基之化合物與乙烯醚化合物之反應，係例如日本黏 接學會誌第34卷（Vol.34)，3 5 2〜3 5 6頁之記載，以磷酸爲 觸媒，藉由室溫下之攪拌而可進行。 式（1 2)所示之乙烯醚化合物方面，可例舉例如甲基乙 烯醚，乙基乙烯醚，異丙基乙烯醚，正丁基乙烯醚，2-乙 基己基乙烯醚，三級丁基乙烯醚，環己基乙烯醚等之脂肪 族乙烯醚化合物或2,3 -二氫呋喃，4 -甲基-2,3 -二氫呋喃， 2,3·二氫-4H-哌喃等之環狀乙烯醚化合物。 在可與式（12)所示之乙烯醚化合物反應之具有羧基之 化合物方面，若爲具有羧基之化合物則無特別限制。 具有羧基之化合物方面，可例舉例如苯甲酸，異酞酸 ，對苯二甲酸，均苯四甲酸，1，2,4-苯三甲酸，己二酸， 順丁烯二酸，丁烷四羧酸，三（2-羧乙基）異三聚氰酸酯， 萘-2-羧酸，萘-2,6-二羧酸，雙羥萘酸（Pamoic Acid)，芘- •17- 200821354 1-羧酸，1，6-二溴-2-羥基萘-3-羧酸，1，Γ·雙萘二羧 酸，蒽-9-殘酸，蒽-9,10-二羧酸，丙烯酸，甲基丙烯酸， 順丁烯二酸，伊康酸，戊二酸，1，2-環己烷二羧酸， 1，2,3，4-環戊烷四羧酸等。在由該等化合物所製造之式（3) 所示之具有被保護之羧基的化合物之分子量方面以200以 上爲佳。在分子量比其更小之情形，在光阻下層膜形成用 之燒成時會有昇華之問題產生。分子量方面，例如200〜 200 0，又，例如，400〜2000。又，式（3)所示之具有被保 護之羧基的化合物，就可形成強固的光阻下層膜之觀點而 言，在其下層膜形成時爲反應部位之式（3)所示之被保護 之羧基具有二個以上爲佳 在可與式（12)所示之乙烯醚化合物反應之具有羧基之 化合物方面，又，可例舉具有羧基之聚合物。此種聚合物 方面則無特別限制，可例舉例如使丙烯酸，甲基丙烯酸， 乙烯苯甲酸及順丁烯二酸等具有羧基之加成聚合性單體含 有作爲單位構造之聚合物。 本發明中，式（3)所示之具有被保護之羧基的化合物 方面，又可例舉含式（4)所示單位構造之聚合物。式中，L 示構成聚合物之主鏈的鍵結基，m示直接鍵結或鍵聯基。 L方面若爲構成聚合物之主鏈的鍵結基則無特別限制。Μ 方面’可例舉含有選自伸苯基，-C( = 〇)·，-CH2-，-ΝΗ-及之至少一個鍵聯基的鍵聯基或直接鍵結。 式（4)所示之單位構造方面，可例舉例如式[1-1]〜[1-5]所示之構造。 -18- 200821354 [化8] CH3 δ hc-r3 r2 [1-1]

H +C-今十〒1 h2 i—〇一〇—〇一 r4 〇 HC—R3 r2 [1-23

H

?2 〇 HC—R3 H2 〒-各-0-?-〇-R4 [1-3] [1 一4] Η Η 十Η十π 〇=C C—Ο—c 一Ο—R4 OO HC—R3 CH3 R2 [1 一 5] 含有式（4)所示單位構造之聚合物，可由具有羧基之聚合 物與式（12)所示之乙烯醚化合物之反應來製造。 又，式（3)所示之具有被保護之羧基的化合物之加成 聚合性單體，可以使用之聚合反應來製造。此種加成聚合 性單體方面，可例舉例如，：!-甲氧基乙基甲基丙烯酸酯， 1-乙氧基乙基甲基丙烯酸酯，異丙氧基乙基甲基丙烯酸 酯’〗-正己基氧乙基甲基丙烯酸酯，四氫_ 2 H _哌喃· 2 _基- -19- 200821354 甲基丙烯酸酯等之甲基丙烯酸半縮醛酯化合物，甲氧基 乙基丙烯酸酯’ 1-三級丁氧基乙基丙烯酸酯，1-異丙氧基 乙基丙烯酸酯，1-正丁氧基乙基丙烯酸酯，四氫-2H-哌 喃-2-基-丙烯酸酯等之丙烯酸半縮醛酯化合物，：!_乙氧基 乙基-4-乙烯苯甲酸酯，雙（1_乙氧基乙基）馬來酸酯，及甲 基（1-乙氧基乙基）馬來酸醋等。 在含有式（4)所示單位構造的聚合物之製造，則有僅 使用上述加成聚合性單體、之一種之情形，與將二J重以上加 成聚合性單體組合使用之情形。 又’在含有式（4)所示單位構造之聚合物之製造，除 了上述式（3)所示之具有被保護之羧基的化合物之加成聚 合性單體以外，可與其他加成聚合性單體合倂來使用。此 種加成聚合性單體方面，可例舉丙烯酸酯化合物，甲基丙 烯酸酯化合物，丙烯醯胺化合物，甲基丙烯醯胺化合物， 乙烯化合物，苯乙烯化合物，順丁烯二醯亞胺化合物，順 丁烯二酸酸酐，及丙烯腈等。 丙烯酸酯化合物方面，可例舉甲基丙烯酸酯，乙基丙 烯酸酯，異丙基丙烯酸酯，苄基丙烯酸酯，萘基丙烯酸酯 ，蔥基丙烯酸酯，蒽基甲基丙烯酸酯，苯基丙烯酸酯，2- 羥基乙基丙烯酸酯，2-羥基丙基丙烯酸酯，2,2,2-單氟乙 基丙烯酸酯，4-羥基丁基丙烯酸酯，異丁基丙烯酸酯，三 級丁基丙烯酸酯，環己基丙烯酸酯，異萡基丙烯酸酯，2- 甲氧基乙基丙烯酸酯，甲氧基三乙二醇丙烯酸酯，2-乙氧 基乙基丙烯酸酯，四氫糠基丙烯酸酯，3 -甲氧基丁基丙烯 -20- 200821354 酸酯，2-甲基-2-金剛烷基丙烯酸酯，2-乙基-2-金剛烷基 丙烯酸酯，2-丙基-2-金剛烷基丙烯酸酯，2-甲氧基丁基-2-金剛烷基丙烯酸酯，8-甲基-8-三環癸基丙烯酸酯，8-乙 基-8-三環癸基丙烯酸酯，及5-丙烯醯基氧-6-羥基降秸烯 基（norbornene)-2-竣酸（carboxylic) -6·內酯等。 甲基丙烯酸酯化合物方面，可例舉乙基甲基丙烯酸酯 ，正丙基甲基丙烯酸酯，正戊基甲基丙烯酸酯，環己基甲 基丙烯酸酯，苄基甲基丙烯酸酯，萘基甲基丙烯酵酯，蒽 基甲基丙烯酸酯，蒽基用基甲基丙烯酸酯，苯基甲基丙烯 酸酯，2-苯基乙基甲基丙烯酸酯，2-羥基乙基甲基丙烯酸 酯，2-羥基丙基甲基丙烯酸酯，2,2,2-三氟乙基甲基丙烯 酸酯，2,2,2-三氯乙基甲基丙烯酸酯，甲基丙烯酸酯，異 丁基甲基丙烯酸酯，2-乙基己基甲基丙烯酸酯，異癸基甲 基丙烯酸酯，正月桂基甲基丙烯酸酯，正硬脂醯棊甲基丙 烯酸酯，甲氧基二乙二醇甲基丙烯酸酯，甲氧基聚乙二醇 甲基丙烯酸酯，四氫糠基甲基丙烯酸酯，異萡基甲基丙烯 酸酯，三級丁基甲基丙烯酸酯，異硬脂醯基甲基丙烯酸酯 ，正丁氧基乙基甲基丙燃酸酯，3-氯-2-羥基丙基甲基丙 烯酸酯，2-甲基-2-金剛烷基甲基丙烯酸酯，2-乙基-2-金 剛烷基甲基丙烯酸酯，2-丙基-2-金剛烷基甲基丙烯酸酯 ，2-甲氧基丁基-2-金剛烷基甲基丙烯酸酯，8-甲基-8-三 環癸基甲基丙烯酸酯，8-乙基-8-三環癸基甲基丙烯酸酯 ，5 -甲基丙烯醯基氧·6-羥基降萡烯基（norb〇rnene)-2-羧 酸-6-內酯，及2,2,3,3,4,4,4-七氟丁基甲基丙烯酸酯等。 -21 - 200821354 又’可例舉丙烯酸酯化合物，甲基丙 面，有下式[1-6]〜[1-8]所示之化合物。 [it 9] 烯酸酯化合物方 丫 0= Η Ο-C 一C-C 一 Ο- η2 1 η2 Ζ0Η 2 [1-6]

I

X 0= Η

0—c—c-c 一〇_ h2 I h2 ^OH ^ [1-7] C

丙烯醯胺化合物方面，可例舉丙烯醯胺， ’ N-乙基丙烯醯胺，N-苄基丙烯醯胺，N_ 及N，N-二甲基丙烯醯胺等。 甲基丙烯酸醯胺化合物方面，可例舉 N-甲基甲基丙烯醯胺，N-乙基甲基丙烯醯 丙烯醯胺，N-苯基甲基丙烯醯胺，及N， 烯醯胺等。 乙烯化合物方面，可例舉乙烯醚，甲 乙烯醚，2-羥基乙基乙烯醚，苯基乙烯醚 N_甲基丙烯醯胺 •苯基丙烯醯胺， 甲基丙烯醯胺， 胺，N-苄基甲基 N-二甲基甲基丙 基乙烯醚，苄基 ，及丙基乙烯醚 -22- 200821354 等。 苯乙烯化合物方面，可例舉苯乙烯，甲基苯乙烯，氯 苯乙烯，溴苯乙烯，及羥基苯乙烯等。 順丁烯二醯亞胺化合物方面，可例舉順丁烯二醯亞胺 ，N-甲基順丁烯二醯亞胺，N-苯基順丁烯二醯亞胺，及 N-環己基順丁烯二醯亞胺等。 該等化合物中，苯環，萘環，蒽環等之具有吸光性之 物可作爲吸光性化合物作用。 在使用上述加成聚合性單體之聚合物之製造，係在有 、 ·、 、 機溶劑將加成聚合性單體及可因應需要添加之鏈轉移劑（ 相對於單體之質量爲1 0%以下）溶解後，添加聚合引發劑進 行聚合反應，其後，可藉由聚合停止劑之添加來製造。聚 合引發劑之添加量方面相對於單體之質量爲1〜1 0%，聚 合停止劑之添加量方面爲0.0 1〜0 · 2 %。所使用之有機溶劑 方面，有丙二醇單甲基醚，丙二醇單丙基醚，乳酸乙酯及 二甲基甲醯胺等，而鏈轉移劑方面，有十二烷硫醇及十二 基硫醇等，聚合引發劑方面有偶氮雙異丁腈及偶氮雙環己 院腈（carbonitrile)等，接著，在聚合停止劑方面可例舉4- 甲氧基苯酚等。反應溫度方面爲30〜100X，反應時間方 面可自1〜24小時適宜選擇。 在使用上述加成聚合性單體之含有式（4)所示單位構 造之聚合物之製造中，在使用式（3)所示之具有被保護之 羧基的化合物之加成聚合性單體與其他加成聚合性單體之 情形，其使用比率方面，可例舉以質量比，式（3)所示之 -23- 200821354 具有被保護之羧基的化合物之加成聚合性單體/其他加成 聚合性單體，爲則爲例如10/1〜1/10，較佳爲5/1〜1/5或 3/1 〜1/3。 在使用於本發明之形成光阻底層膜組成物之含有式 (4)所示之單位構造的聚合物之重量平均分子量方面，可 例舉例如1 000〜500000，又例如，1 000〜200000，3 000〜 1 50000或 3 000 〜50000 ° 本發明之形成光阻底層膜組成物中，在使甩含有式 (4)所示單位構造之聚合物的情形，可僅使用一種聚合物 ，又，亦可將二種以上之聚合物組合使用。^ 可爲使用於本發明之形成光阻底層膜組成物之含有式 (4)所示單位構造的聚合物之無規聚合物，嵌段聚合物或 接枝聚合物任一種。接著，此種聚合物可以自由基聚合， 陰離子聚合，陽離子聚合等之方法來製造。又，其形態有 溶液聚合，懸濁聚合，乳化聚合，塊狀聚合等之方法。 含於本發明之形成光阻底層膜組成物之具有可與羧基 反應之基的化合物方面，可例舉與羧基反應，而具有形成 化學鍵之基之化合物則無特別限制。 在可與羧基反應之基方面，可例舉例如環氧基，氧雜 環丁烷基，噁唑啉基，環碳酸酯基，烷氧基矽烷基，烷氧 基烷基，氮雜環丙烷基（aziridinyl)基，羥甲基，羥基，異 氰酸酯基，縮醛基，羥基矽烷基，縮酮基，乙烯醚基，胺 基羥甲基，烷氧基甲基胺基及亞胺基等ώ 此種化合物方面，可例舉例如，三環氧丙基-對胺基 -24 - 200821354 苯酹，四環氧丙基間二甲苯二胺’四環氧丙基二胺基二苯 基甲院，四環氧丙基-1,3 -雙胺基甲基環己燒’雙酚— 環氧丙基醚，雙酚二環氧丙基醚，間苯二酚二環氧丙 基醚，酞酸二環氧丙基酯，新戊二醇二環氧丙基醚’聚丙 二醇二環氧丙基醚，甲酚酚醛清漆聚環氧丙基醚，四溴雙 酚-A-二環氧丙基醚，雙酚六氟丙酮二環氧丙基醚，甘油 三環氧丙基醚，新戊四醇二環氧丙基醚，三個_(2,3-環氧 基丙基異三聚氰酸酯，單烯丙基二環氧丙基異三聚氰酸 广· ' * 酯，及縮水甘油基甲基丙烯酸酯等之具有環氧基之化合物 〇 又，具有環碳酸酯基之化合物方面，可例舉例如，藉 由與該具有環氧基之化合物與二氧化碳之反應所得具有環 碳酸酯基之化合物，1，2 -丙稀碳酸酯，苯基二η惡茂酮（ dioxolone )，乙烯乙烯碳酸酯，丁烯基碳酸酯，四氯乙 烯碳酸酯’氯乙二醇碳酸酯，4-氯甲基-1，3-二噁戊院 (dioxolane) -2·酮，1，2-二氯乙烯碳酸酯，4-(1•丙烯基 氧甲基卜1，3-二噁戊烷-2-酮，甘油碳酸酯，（氯甲基） 乙燒碳酸醋，1-节基甘油-2碳酸酯’ 4,4-二甲基·5 -亞甲 基· 1，3 - 一噁戊烷· 2 -酮，及3，3，3 ·三氟丙烯碳酸酯等。 在具有異氰酸酯基之化合物方面，可例舉例如，對伸 本基一異氰酸酯’聯苯基二異氰酸酯，亞甲基雙（苯基里 氰酸酯），2-異氰酸酯乙基甲基丙烯酸酯，1ί4_環己基二異 氰酸酯’ 1，3,5-三（6-異氰酸酯己基）三哄三酮，^異氰酸酯 奈’ 1，5 -萘一異氰酸醋，1 · 丁基異氰酸酯，環己基異氰酸 -25- 200821354 酯，苄基異氰酸酯，4-氯苯基異氰酸酯，異氰酸酯三甲基 矽烷，及己基異氰酸酯等。 在具有烷氧基矽烷基之化合物方面，可例舉例如，三 乙氧基辛基矽烷，三個[3-(三甲氧基矽烷基）丙基]異三聚 氰酸酯，3-(三甲氧基矽烷基）-Ν·[3-(三甲氧基矽垸基）丙 基]-1-丙烷胺，3-(三甲氧基矽烷基）丙基甲基丙烯酸酯， 3-異氰酸酯丙基三乙氧基矽烷，l，4-雙（三甲氧基矽烷基乙 基）苯，苯基三乙氧基矽烷，甲基三乙氧基矽烷，(3-三甲 氧基矽烷基丙基）馬來酸酯，3-(2-胺基乙基fl安基）丙基三甲 氧基矽烷，甲基三乙醯氧基矽烷，三甲氧基-2-(3，4-環氧 基環己基）乙基矽烷，3 -三甲氧基矽烷基丙基甲基丙烯酸 酯，三甲氧基丙基矽烷，4-(氯甲基）苯基三甲氧基矽烷， 2-(3,4-環氧基環己基）乙基三乙氧基矽烷，三乙氧基·正十 二基矽烷及2-氫硫基乙基三乙氧基矽烷等。 含於本發明之形成光阻底層膜組成物之具有可與羧基 反應之基的化合物方面，又可使用具有至少二個以式（5) 所示之基之化合物。式（5)中，R5示氫原子，碳原子數1〜 6之烷基或-CH2OR7(式中，R7示氫原子或碳原子數1〜10之 烷基），R6示氫原子或碳原子數1〜10之烷基。烷基方面， 可例舉甲基，乙基，正丁基，正辛基，異丙基，三級丁基 ，2-乙基己基，環己基等。 此種化合物方面，可例舉胺基之氫原子被羥甲基或烷 氧基甲基所取代之三聚氰胺化合物，尿素化合物，乙炔脲 化合物及苯并鳥糞胺化合物等。具體例方面，可例舉六甲 -26· 200821354 氧基甲基三聚氰胺，四甲氧基甲基苯并鳥糞胺，1，3,4,6-四個（丁氧基甲基）乙炔脲，1，3,4,6-四個（羥基甲基）乙炔脲 ，1，3-雙（羥基甲基）尿素，1,1,3,3-四個（丁氧基甲基）尿素 ，1，1，3,3·四個（甲氧基甲基）尿素，1，3-雙（羥基甲基）-4,5-二氫羥基-2-咪唑啉酮，及1，3-雙（甲氧基甲基）-4,5·二甲氧 基-2-咪唑啉酮等，又，可例舉三井scitec公司製甲氧基 甲基型三聚氰胺化合物（商品名Saimel 300，Saimel 301， Saimel 3 03，Saimel 3 5 0)，丁氧基甲基型三聚氰胺化合物 (商品名maicoat 506，maicoat 508)，乙炔脲化合物(商品 名 Saimel 1 1 70，powdering 1 1 74)等之化合物，甲基化尿 素樹脂（商品名UFR65)，丁基化尿素樹脂（商品名UFR300 ，U-VAN10S6 0，U-VAN10R，U-VAN11HV)，大曰本油墨 化學工業公司製尿素/甲醛系樹脂（高縮合型，商品名 becamine J-300S，becamine P-955，becamine N)等。又， 此種胺基之氫原子被羥甲基或烷氧基甲基所取代之三聚氰 胺化合物，尿素化合物，乙炔脲化合物及苯并鳥糞胺化合 物予以縮合而得化合物亦可，例如，美國專利63233 1 0號 所記載之，由三聚氰胺化合物（商品名S a i m e 1 3 0 3 )與苯并 鳥糞胺化合物（商品名Saimel 1123)所製造之高分子量之 化合物。 含於本發明之形成光阻底層膜組成物之，具有至少二 個式（5)所示之基之化合物方面，可使用，又可使用N -經 基甲基丙烯醯胺，N -甲氧基甲基甲基丙烯醯胺，N-乙氧基 甲基丙烯醯胺，N-丁氧基甲基甲基丙烯醯胺等之以羥基甲 -27- 200821354 基或者烷氧基甲基所取代之丙烯醯胺化合物或甲基丙烯醯 胺化合物而製造之聚合物。 此種聚合物可由被羥基甲基或者烷氧基甲基所取代之 丙烯醯胺化合物或僅由甲基丙烯醯胺化合物來製造，又， 可由該丙烯酸酯化合物，甲基丙烯酸酯化合物，丙烯醯胺 化合物，甲基丙烯醯胺化合物，乙烯化合物，苯乙烯化合 物，順丁烯二醯亞胺化合物，順丁烯二酸酸酐及丙烯腈等 之其他加成聚合性單體之組合來製造。在聚合物之製造中 ，於可使用其他加成聚合性單體之情形，其使用比率方面 ，以質量比，羥基甲基或者烷氧基甲基所取代之丙烯醯胺 化合物或甲基丙烯醯胺化合物/其他加成聚合性單體方面 ，例如10/1〜1/10，較佳爲5/1〜1/5，或3/1〜1/3。 此種聚合物方面，可例舉例如，聚（N-丁氧基甲基丙 烯醯胺），N-丁氧基甲基丙烯醯胺與苯乙烯之共聚物，N-羥基甲基甲基丙烯醯胺與甲基甲基丙烯酸酯之共聚物，N-乙氧基甲基甲基丙烯醯胺與苄基甲基丙烯酸酯之共聚物， 及N-丁氧基甲基丙烯醯胺與苄基甲基丙烯酸酯與2·羥基 丙基甲基丙烯酸酯之共聚物等。此種聚合物之重量平均分 子量方面’可例舉例如1 0 0 0〜5 0 0 0 0 0，又例如1 0 0 0〜 200000，3 000 〜150000，或 3000 〜50000。聚合物可僅使 用一種之聚合物，又，二種以上之聚合物可加以組合來使 用。 上述化合物中，三哄環等之雜環顯示吸光性，可作爲 吸光性化合物作用。 •28- 200821354 含於本發明之形成光阻底層膜組成物之具有可與殘基 反應之基的化合物方面，可例舉又，可使用含有選自式 (6)，式（7)，式（8)，式（9)，式（10)及式（1丨）所示之單位構 造所成群之至少一種單位構造之聚合物。式中’ P示構成 聚合物之主鏈的鍵結基，Q示直接鍵結或鍵聯基’ R8，r9 ，Rig及Rh，各自示氫原子或碳原子數1〜6之院基，x示 0或1。P方面若爲構成聚合物之主鏈的鍵結基則無特別限 制。P方面，可例舉例如，下述之式（卜1)〜式（p_4)所示 之基。Q方面，可例舉含有選自伸苯基…c( = 0)_，-CH2-，-NH-及-0·之至少一個鍵聯基之鍵聯基或直接鍵結。 [化 10] Η CH3 〒2h5 〒丨 —c_c— —C一c— —c一c— c—c

h2 I h2 I h2 I H2 I (P-1) (P-2) (P-3) (P-4) 此種聚合物可使用具有環氧基，氧雜環丁烷基，D惡唑 啉基，環碳酸酯基，烷氧基矽烷基或異氰酸酯基之加成聚 合性單體來製造。接著，在聚合物之製造中，可將該丙烯 酸酯化合物，甲基丙烯酸酯化合物，丙烯醯胺化合物，甲 基丙烯醯胺化合物，乙烯化合物，苯乙烯化合物，順丁烯 二醯亞胺化合物，順丁烯二酸酸酐及丙烯腈等之其他加成 聚合性單體組合作使用。聚合物之製造中，在可使用其他 加成聚合性單體之情形，其使用比率方面，以質量比，具 -29- 200821354 有環氧基，氧雜環丁烷基，噁唑啉基’環碳酸酯基’烷氧 基矽烷基或異氰酸酯基之加成聚合性單體7其他加成聚合 性單體，爲例如10/1〜1/10 ’較佳爲5/1〜1/5 ’或3/1〜1/3 〇 具有環氧基之加成聚合性單體方面，可例舉例如環氧 丙基丙烯酸酯及環氧丙基甲基丙烯酸酯等。 具有氧雜環丁烷基之加成聚合性單體方面’可例舉例 如，（3-乙基-3-氧雜環丁烷）甲基甲基丙烯酸酯’氧雜環丁 烷-3-基甲基丙烯酸酯，(3-甲基-3-氧雜環丁烷）甲基甲基 丙烯酸酯，氧雜環丁烷-2-基甲基丙烯酸酯及氧雜環丁烷-2-基甲基甲基丙烯酸酯等。 具有噁唑啉基之加成聚合性單體方面，可例舉例如， 2_異丙烯基-2-噁唑啉等。 具有環碳酸酯基之加成聚合性單體方面，可例舉例如 ，乙烯乙烯碳酸酯等。 具有烷氧基矽烷基之加成聚合性單體方面，可例舉例 如，乙烯三甲氧基矽烷，3 -甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基 矽烷，3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷，3 -甲基丙烯 醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷及3-丙烯醯氧基丙基三甲氧 基砂院等。 具有異氰酸酯基之加成聚合性單體方面，可例舉例如 ，2-異氰酸酯乙基甲基丙烯酸酯及烯丙基異氰酸酯等。 在含有式（6)所示單位構造之聚合物方面，可例舉， 又藉由具有羥基之聚合物與表氯醇，環氧丙基甲苯磺酸鹽 -30- 200821354 等之具有環氧基之化合物之反應來製造。例如’由苯酚酚 醛清漆與表氯醇所製造之環氧基苯酚酚醛清漆’或其他環 氧基甲酚酚醛清漆，及環氧基萘酚酚醒清漆等。 含有選自式（6)，式（7)，式（8)，式（9)，式（1〇)及式 (1 1)所示之單位構造所成群之至少一種單位構造的聚合物 之重量平均分子量方面，可例舉例如1 000〜500000，又例 如，1000〜20000， 3000〜150000，或3000〜50000。聚合 物，可僅使用一種之聚合物，又，亦可將二種以上之聚合 物予以組合使用。 本發明之形成光阻底層膜組成物中’式（3)所示之具 有被保護之羧基的化合物與具有可與羧基反應之基的化合 物之含有比率方面，以質量比，式（3)所示之具有被保護 之羧基的化合物/具有可與羧基反應之基的化合物，爲例 如 10/1 〜1/10，較佳爲 5/1 〜1/5，3/1 〜1/3，或 2/1 〜1/2。 可與羧基反應之基方面，可例舉與前述相同之基。 此種化合物方面，可例舉例如，烯烴部分與具有羧基 之化合物所製造之，式（3)所示之被保護之羧基與具有環 氧基之化合物。使竣基與式（12)所示之化合物反應後，藉 由將烯烴部分予以環氧基化而可製造式（3)所示之被保護 之羧基與具有環氧基之化合物。 又，具有可與羧基反應之基與式（3)所示之被保護之 羧基之化合物方面，可例舉具有式（3)所示之被保護之羧 基與式（5)所示之基之聚合物。此種聚合物，可以例如， 可由1-甲氧基乙基甲基丙烯酸酯，乙氧基乙基甲基丙烯 -31 - 200821354 酸酯，卜異丙氧基乙基甲基丙烯酸酯，^正己基氧乙基甲 基丙烯酸酯，及四氫-2哌喃-2-基·甲基丙烯酸酯等之甲 基丙烯酸半縮醛酯化合物，1·甲氧基乙基丙烯酸酯，1-三 級丁氧基乙基丙烯酸酯，1-異丙氧基乙基丙烯酸酯，1-正 丁氧基乙基丙烯酸酯，及四氫-2H-哌喃-2-基-丙烯酸酯等 之丙烯酸半縮醛酯化合物，1-乙氧基乙基-4-乙烯苯甲酸 酯，雙（1-乙氧基乙基）馬來酸酯，及甲基（1-乙氧基乙基） 馬來酸酯等之式（3)所示之具有被保護之羧基的化合物之 加成聚合性單體；與以N-羥基甲基丙烯醯胺，N-甲氧基甲 基甲基丙烯醯胺，N-乙氧基甲基丙烯醯胺，及N-丁氧基 甲基甲基丙烯醯胺等之羥基甲基或烷氧基甲基所取代之丙 烯醯胺化合物或甲基丙烯醯胺化合物之聚合反應來製造。 在聚合物之製造中，可因應需要，如前述，使用於其他加 成聚合性單體。可使用於聚合物之製造之，該式（3)所示 之具有被保護之羧基的化合物之加成聚合性單體；與以羥 基甲基或者烷氧基甲基所取代之丙烯醯胺化合物或甲基丙 烯醯胺化合物之比率以質量比，在式（3)所示之具有被保 護之羧基的化合物之加成聚合性單體/以羥基甲基或烷氧 基甲基所取代之丙烯醯胺化合物或甲基丙燒醯胺化合物方 面，例如10/1〜1/10，較佳爲5/1〜1/5，或3/1〜1/3。接著 ，在可使用該其他加成聚合性聚合物之情形，其比率，在 使用於聚合物之製造之全單體中，係例如〇.5〜80質量％， 又，1〜70質量％，或5〜50質量％。此種聚合物，可以例 如’使用聚合引發劑之前述方法來製造。此種聚合物之重 -32- 200821354 量平均分子量方面，可例舉例如1 000〜500000，又例如， 1000 〜200 000，或 3000 〜1 50000，或 3000 〜50000。聚合 物可僅使用一種之聚合物，又，亦可組合二種以上之聚合 物使用。 具有可與羧基反應之基與式（3)所示被保護之羧基之 化合物方面，可例舉又，含有選自式（4)所示之單位構造 ，與式（6)，式（7)，式（8)，式（9)，式（10)及式（11)所示之 單位構造所成群之至少一種之單位構造之聚合物可予使用 。此種聚合物，例如，可由前述式（3)所示之具有被保護 之羧基的化合物之加成聚合性單體；與具有該環氧基，氧 雜環丁烷基，噁唑啉基，環碳酸酯基，烷氧基矽烷基或異 氰酸酯基之加成聚合性單體之聚合反應來製造。聚合物之 製造中，可因應必要，將前述般之其他加成聚合性單體， 或前述羥基甲基或者烷氧基甲基所取代之丙烯醯胺化合物 或甲基丙烯醯胺化合物予以合倂使用。 使用於聚合物之製造之，該，式（3)所示之具有被保 護之羧基的化合物之加成聚合性單體；與具有環氧基，氧 雜環丁烷基，噁唑啉基，環碳酸酯基，烷氧基矽烷基或異 氰酸酯基之加成聚合性單體之比率以質量比，在式（3)所 示之具有被保護之羧基的化合物之加成聚合性單體/具有 環氧基，氧雜環丁烷基，噁唑啉基，環碳酸酯基，烷氧基 矽烷基或異氰酸酯基之加成聚合性單體方面例如爲1 0/1〜 1/10，較佳爲5Π〜1/5，或3/1〜1/3。接著，在使用該其他 加成聚合性聚合物或羥基甲基或者烷氧基甲基所取代之丙 -33- 200821354 烯醯胺化合物或甲基丙烯醯胺化合物之情形’其比率’在 使用於聚合物之製造之全單體中，例如爲〇·5〜80質量％ ’ 又，1〜7 0質量％，或5〜5 0質量％。此種聚合物，例如， 可由使用聚合引發劑之該方法來製造。此種聚合物之重量 平均分子量方面，可例舉例如1〇〇〇〜500000，又例如’ 1 000 〜2 00000，或 3 000 〜1 50000，或 3000 〜50000。聚合

物，可僅使用一種之聚合物，又，亦可組合二種以上之聚 合物使用。 含於本發明之形成光阻底層膜組成物之，具有可與羧 基反應之基與式（3)所示之被保護之羧基之化合物方面， 可例舉例如，下述之式[1-9]〜式[1-3 4]所示之聚合物（式 中，p，q，r及s示聚合物中各單位構造之比率）。 [化 11]

ch3十織 c=s CH3十 H2 C=0 o-c—och2ch3 ch3 o—o h2 [1-9] v° ch3 七Hi H2 C=0 ch3 十Hi [l-io] o o H3C-CH h2c' i(CH2)3CH3

V 0 1 ch2 -34- 200821354 HI-cl CH2 十 JFO + IIHlcictolc 12H2 CH h h 十CHH3H^==0h>(c ^_^lc-lc^_:-c^lclc^ 12 1

TJ rH

[化 12] 々Η ' H2 C=0 0-C-〇CH2CH3 Htil-CH2OCH3 1-12] ch3 ch3 ch3十您 十趨十您 ch3 to 1 0 0 1 h3c-ch ?H2 ch3 ch2 NCO ch3 十s「〒十p H2 C=0 i η ch3 O-C-0《CH2)4CH3 ch3 [1-1 33c=o I 〇 CH2CH3 [1-14] -35- 200821354

[化 13]

[1-15] [1-16] ch3 CH3 十s—?七 H2 c=0 ch3 十 H2 c=0 [1 — 17]

o h3c-ch 〇(ch2)3ch3 〇 H20-C-C-Si(OC2H5)3 H2 h2 [化 14] o h3c-ch ch3 O—C-CH3 ch3

18] ch3 ch3 -36- 200821354 H CH3 CH3 十十十七[1 —19 ] i ά 〇r H3C-CHu H2C—π H2C-CH2CF3 i-C-CH3 〇 ch3 ch3 ch3 ch3

+S一〒七 +十[1 — 20] i 6 Γ

h3c-chh h2c—H2C-CH2OH 0-C-CH3 0 ch3

[化 15]

CH3 Η H 〇=c c=o 1 I H3C-0 ^ 十S 一 (1 H2 c==0o [1—2 2] H3C-CH 0(CH2)3CH3 h2c- T7 -37- 200821354 H3+P? CICIC—O—CIO 12 I CH c 七H3 H9 \x ly H Ηι^ύιο CH十V u^o \ + II HICICIOIC 12H2 CH H十 3 2 161 化

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H 0 ! h2c- [1-2 8] OCH2CH3 〇H3十㈣ h2 r.=n c=o i 0 CH3十跑 [1-2 9] H3C—CH OCH2CH3 c=o NH ch2oh ό [化 18] ch3 c=o I H 〇~C~OCH2CH3 ch3 ch3 ch3 十U+p十H十q Π2 〇=〇 H2 〇 ! I 0 CH3 H3C1H H2C 0(CH2)3CH3 [1 一 3 0] o—c H^U ?h3十H 士H2 c-oο ch2 —0 ch3 ch3 ό 十Sr?% 一〒％ 十S一“ [ 1 一 3 2 ] 2 C-0 — h2 o h3c~ch ?=〇 H2 9 c2h5 0(CH2)2〇H3 h2c· —ό -39- 200821354 [化 19]

ch3 ch3 ch3 h 七十$?> 十士+?·-?+S h2 c=o

o ΗβΟ-CH C=0 I 0 1 ch2 h2 c=o Io h2

c=o ? [1 - 33] ch3 〇(CH2)3CH3 ch3 ch3 ch3 ch3 T2 C-OIo H3C-CH i(CH2)3CH3 c=o I 0 1 ch2 h2 c=o h2 o 力 c=o ? [1-34] ch2 ό 本發明之形成光阻底層膜組成物所使用之液狀添加劑 (Β)，在大氣壓下，常溫（20 °C)〜270 °c左右之溫度，係以 液體存在者。具體言之爲脂肪族聚醚。此脂肪族聚醚，係 聚醚聚醇，聚環氧丙基醚，或該等之組合。 含於本發明之形成光阻底層膜組成物之液狀添加劑 (B)之添加量，在固形成分中爲1〜40質量％，或1〜30質量 %，或1〜20質量％。 聚醚聚醇方面，可例舉例如式（1)所示之化合物。 式（1)中，1^示氫原子，或碳原子數〗〜10之烷基。 上述烷基方面，有甲基，乙基，丙基，異丙基，正丁 基，正戊基等，而以甲基爲佳。R!爲氫原子之情形之式 (1)爲聚氧乙烯聚醚，Ri爲甲基情形之式（1)爲聚氧丙烯聚 •40- 200821354 醚，R!爲烷基之情形之式（1)爲聚氧化烯烴聚醇。 示碳原子數1〜1〇之烷基，碳原子數2〜6之鏈烯基 ，碳原子數2〜10之炔基，碳原子數2〜10之烷基羰基，碳 原子數2〜10之烷基羰胺基，碳原子數2〜10之烷基氧烷基 ，碳原子數1〜10之烷基胺基，碳原子數1〜10之烷基二胺 基，或該等之組合。η示1〜300之整數，較佳爲2〜30， 更佳爲2〜10。又m爲2〜6之整數。 上述官能基係以1價有機基表示，而在將含於其有機 基之氫原子可以聚氧化烯烴基取代之範圍，可使價數改變 ，其償數因聚氧化烯烴基之數m而成爲2價，3價，4價， 5價及6價之有機基。 又該等官能基可以羥基，胺基，氰基，鹵基，硝基及 硫醇基等所取代。 上述烷基方面，可例舉甲基，乙基，正丙基，異丙基 ，環丙基，正丁基，異丁基，二級丁基，三級丁基，環丁 基，1-甲基-環丙基，2-甲基-環丙基，正戊基，1-甲基-正 丁基，2-甲基-正丁基，3-甲基-正丁基，ι，ΐ-二甲基·正丙 基，1，2·二甲基-正丙基，2,2-二甲基-正丙基，1-乙基-正 丙基，環戊基，1-甲基-環丁基，2-甲基-環丁基，3-甲基- 環丁基，1，2 -二甲基-環丙基，2，3 _二甲基-環丙基，1 -乙 基-環丙基，2-乙基-環丙基，正己基，b甲基·正戊基，2- 甲基-正戊基，3·甲基-正戊基，4-甲基-正戊基，1，1_二甲 基-正丁基，1，2-二甲基-正丁基，1，3-二甲基-正丁基， 2，2-二甲基-正丁基，2,3-二甲基-正丁基，3,3·二甲基-正 -41 - 200821354 丁基，1_乙基-正丁基，2-乙基-正丁基，1，1，2·三甲基-正 丙基，1，2,2-三甲基-正丙基，1-乙基-卜甲基-正丙基，1· 乙基-2-甲基-正丙基，環己基，1，4-二甲基-環己基，1-甲 基·環戊基，2-甲基-環戊基，3-甲基·環戊基，1-乙基-環 丁基，2-乙基-環丁基，3-乙基-環丁基，1，2-二甲基-環丁 基，1，3-二甲基·環丁基，2,2-二甲基-環丁基，2,3-二甲 基-環丁基，2,4-二甲基-環丁基，3,3-二甲基-環丁基，1-正丙基-環丙基，2-正丙基-環丙基，1-1-丙基·環丙基，2-異丙基-環丙基，1，2,2-三甲基-環丙基，1，2,3-三甲基·環 丙基，2,2,3·三甲基-環丙基，1-乙基-2-甲基·環丙基，2· 乙基-1-甲基-環丙基，2·乙基-2-甲基·環丙基及2-乙基- 3-甲基-環丙基等。 上述鏈烯基方面，可例舉乙烯基，1-丙烯基，2-丙烯 基，1-甲基-1-乙烯基，1-丁烯基，2-丁烯基，3-丁烯基， 2-甲基-1-丙烯基，2-甲基-2-丙烯基，1-乙基乙烯基，1-甲 基-1-丙烯基，1-甲基-2-丙烯基，1-戊烯基，2-戊烯基，3· 戊烯基，4-戊烯基，1-正丙基乙烯基，1-甲基·；!-丁烯基， 1- 甲基-2-丁烯基，甲基-3-丁烯基，2-乙基-2-丙烯基， 2- 甲基-1-丁烯基，2-甲基-2-丁烯基，2-甲基-3-丁烯基， 3- 甲基-1-丁烯基，3-甲基-2-丁#基，3-甲基-3-丁烯基， 1，卜二甲基-2-丙烯基，1-異丙基乙烯基，1，2-二甲基-1-丙 燦基，1，2·二甲基·2-丙烯基，1-環戊烯基，2·環戊燒基’ 3-環戊烯基，1_己烯基，2_己烯基，3-己烯基，4-己燒基 ，5-己烯基，1-甲基-1-戊烯基，1-甲基-2-戊烯基，甲 -42- 200821354 基-3-戊烯基，1-甲基-4-戊烯基，1·正丁基乙烯基，2-甲 基-1-戊烯基，2-甲基-2-戊烯基，2=甲基-3-戊烯基，2-甲 基-4-戊烯基，2-正丙基-2-丙烯基，3-甲基-1-戊烯基，3-甲基-2-戊烯基，3-甲基-3-戊烯基，3-甲基-4-戊烯基，3-乙基-3-丁燒基’ 4·甲基-1-戊稀基^ 4 -甲基-2·戊燒基’ 4· 甲基-3-戊燃基’4 -甲基-4-戊燒基’ 1，1- 甲基-2-丁燒基 ，：l，l-二甲基-3-丁烯基，1，2-二甲基-1-丁烯基，1，2-二甲 基-2_ 丁燒基’ 1，2 - 一甲基-3-丁燒基，1-甲基-2-乙基-2-丙 烯基，Ι-s· 丁基乙烯基，1，3-二甲基-1-丁烯基，1，3-二甲 基-2-丁烯基，1，3-二甲基-3-丁烯基，1-異丁基乙烯基， 2,2 - 一甲基-3-丁嫌基’ 2,3 - 一^甲基-1-丁嫌基’2,3 - _.甲某-2-丁烯基，2,3-二甲基-3-丁烯基，2-異丙基-2-丙烯基， 3,3- _•甲基-1-丁嫌基’ 1-乙基-1-丁矯基’ 1-乙基-2 -丁燒 基，h乙基-3-丁烯基，1-正丙基-1_丙烯基，1-正丙基-2-丙嫌基’ 2 -乙基-1-丁燃基，2 -乙基-2-丁嫌基’ 2 -乙基- 3-丁烯基，1，1，2-三甲基-2-丙烯基，1-三級丁基乙烯基，1-甲基-1-乙基-2-丙嫌基’ 1-乙基-2-甲基-1-丙燒基’ 1 -乙某-2-甲基-2-丙烯基，1-異丙基-1-丙烯基，1-異丙基-2-丙烯 基’ 1-甲基-2 -環戊燃基’ 1-甲基-3-環戊燦基，2 -甲某-1 -環戊儲基，2-甲基-2-環戊烯基，2-甲基-3-環戊烯基，2-甲基-4-環戊烯基，2-甲基-5-環戊烯基，2·亞甲基-環戊基 ，3一甲基環戊烯基，3-甲基-2-環戊烯基，3-甲基-3-環 戊烯基，3-甲基-4-環戊烯基，3-甲基-5-環戊烯基，3-亞 甲基-環戊基，1-環己烯基，2-環己烯基及3-環己烯基等。 -43- 200821354 上述炔基方面，可例舉乙炔基，1-丙炔基’ 2-丙炔基 ，1-丁炔基，2-丁炔基，3-丁炔基，1-甲基-2-丙炔基，1-戊炔基（pentynyl)，2-戊炔基，3-戊炔基，4-戊炔基，卜甲 基-2-丁炔基，1-甲基-3-丁炔基，2-甲基-3· 丁炔基，3-甲 基·卜丁炔基，1，1-二甲基-2-丙炔基，2-乙基-2-丙炔基， 1- 己炔基，2-己炔基，3-己炔基，4-己炔基，5-己炔基， 甲基-2-戊炔基，1-甲基-3-戊炔基，1-甲基-4-戊炔基， 2- 甲基-3-戊炔基，2-甲基-4-戊炔基，3-甲基-1-戊炔基， 3- 甲基-4-戊炔基，4-甲基-1-戊炔基，4-甲基-2-戊炔基， 1，1-二甲基-2-丁炔基，1，1-二甲基-3-丁炔基，1,2·二甲基- 3-丁炔基，2,2-二甲基-3-丁炔基，3,3-二甲基-1-丁炔基’ 1- 乙基-2· 丁炔基，1-乙基-3-丁炔基，卜正丙基·2·丙炔基 ，2-乙基-3· 丁炔基，1·甲基-1-乙基-2-丙炔基及卜異丙基- 2- 丙炔基等。 上述烷基羰基方面，可例舉甲基羰基，乙基羰基，正 丙基羰基，異丙基羰基，環丙基羰基，正丁基羰基，異丁 基羰基，二級丁基羰基，三級丁基羰基，環丁基羰基’ 1-甲基-環丙基羰基，2-甲基-環丙基羰基，正戊基羰基，1-甲基·正丁基羰基，2-甲基-正丁基羰基，3-甲基·正丁基羰 基，1，1-二甲基-正丙基羰基，1，2-二甲基-正丙基羰基， 2，2-二甲基-正丙基羰基，h乙基-正丙基羰基，環戊基羰 基，1-甲基-環丁基羰基，2-甲基-環丁基羰基，3-甲基-環 丁基羰基，1，2-二甲基'環丙基羰基，2,3-二甲基-環丙基 羰基，1-乙基-環丙基羰基，2-乙基-環丙基羰基，正己基 •44- 200821354 羰基，1-甲基-正戊基羰基，2-甲基-正戊基羰基，3-甲基-正戊基羰基，4-甲基-正戊基羰基，1，卜二甲基-正丁基羰 基，1，2-二甲基-正丁基羰基，1，3-二甲基-正丁基羰基， 2,2-二甲基·正丁基羰基，2,3-二甲基-正丁基羰基，3,3-二 甲基-正丁基羰基，1-乙基-正丁基羰基，2-乙基-正丁基羰 基，1，1，2-三甲基-正丙基羰基，1，2,2-三甲基-正丙基羰基 ，：I-乙基-1-甲基-正丙基羰基，1·乙基-2·甲基-正丙基羰基 ，環己基羰基，1-甲基-環戊基羰基，2·甲基-環戊基羰基 ，3-甲基-環戊基羰基，1-乙基-環丁基羰基，2-乙基-環丁 基羰基，3·乙基-環丁基羰基，1，2-二甲基·環丁基羰基’ 1，3-二甲基-環丁基羰基，2,2-二甲基-環丁基羰基，2,3-二 甲基-環丁基羰基，2,4-二甲基-環丁基羰基，3,3·二甲基-環丁基羰基，1-正丙基-環丙基羰基，2·正丙基-環丙基羰 基，1-異丙基-環丙基羰基，2-異丙基-環丙基羰基，1，2,2-三甲基-環丙基羰基，1，2,3-三甲基-環丙基羰基，2,2,3-三 甲基-環丙基羰基，1-乙基_2_甲基-環丙基羰基，2-乙基-1-甲基-環丙基羰基，2-乙基-2-甲基·環丙基羰基及2-乙基-3-甲基-環丙基羰基等。 上述烷基羰胺基方面，可例舉甲基羰胺基，乙基羰胺 基，正丙基羰胺基，異丙基羰胺基，環丙基羰胺基，正丁 基羰胺基，異丁基羰胺基，二級丁基羰胺基，三級丁基羰 胺基，環丁基羰胺基，1·甲基-環丙基羰胺基，2-甲基-環 丙基羰胺基，正戊基羰胺基，1-甲基-正丁基羰胺基，2-甲基-正丁基羰胺基，3-甲基-正丁基羰胺基，1,1-二甲基- -45- 200821354 正丙基羰胺基，1，2-二甲基-正丙基羰胺基，2,2-二甲基-正丙基羰胺基，1-乙基-正丙基羰胺基，環戊基羰胺基， 1- 甲基-環丁基羰胺基，2-甲基-環丁基羰胺基，3-甲基·環 丁基羰胺基，1，2-二甲基·環丙基羰胺基，2,3-二甲基·環 丙基羰胺基，1-乙基-環丙基羰胺基，2-乙基-環丙基羰胺 基，正己基羰胺基，1_甲基·正戊基羰胺基，2-甲基-正戊 基羰胺基，3-甲基-正戊基羰胺基，4-甲基-正戊基羰胺基 ，：l，l-二甲基-正丁基羰胺基，1，2-二甲基·正丁基羰胺基 ，1，3·二甲基-正丁基羰胺基，2,2-二甲基-正丁基羰胺基 ，2，3-二甲基-正丁基羰胺基，3,3-二甲基-正丁基羰胺基 ，1-乙基-正丁基羰胺基，2·乙基-正丁基羰胺基，1，1，2-三 甲基-正丙基羰胺基，1,2，2-三甲基-正丙基羰胺基，1-乙 基-1-甲基-正丙基羰胺基，1-乙基-2-甲基-正丙基羰胺基 ，環己基羰胺基，1-甲基-環戊基羰胺基，2-甲基-環戊基 羰胺基，3-甲基-環戊基羰胺基，1-乙基-環丁基羰胺基， 2- 乙基-環丁基羰胺基，3-乙基-環丁基羰胺基，1，2·二甲 基-環丁基羰胺基，1，3-二甲基-環丁基羰胺基，2,2·二甲 基-環丁基羰胺基，2,3-二甲基-環丁基羰胺基，2,4-二甲 基-環丁基羰胺基，3,3-二甲基-環丁基羰胺基，1-正丙基-環丙基羰胺基，2-正丙基-環丙基羰胺基，1-異丙基-環丙 基羰胺基，2-異丙基-環丙基羰胺基，1，2,2·三甲基-環丙 基羰胺基，1，2,3-三甲基-環丙基羰胺基，2,2,3·三甲基-環 丙基羰胺基，1-乙基-2-甲基-環丙基羰胺基，2-乙基-1-甲 基-環丙基羰胺基，2·乙基甲基·環丙基羰胺基及2-乙 •46· 200821354 基-3-甲基-環丙基羰胺基等。 上述烷基氧烷基方面，可例舉甲基氧甲基，乙基氧乙 基，乙基氧甲基，丙基氧丙基，丙基氧甲基，三級丁基 氧-三級丁基，甲基·三級丁基等。 上述烷基胺基方面，可例舉甲基胺基，乙基胺基，正 丙基胺基，異丙基胺基，環丙基胺基，正丁基胺基，異丁 基胺基，二級丁基胺基，三級丁基胺基，環丁基胺基，1-甲基-環丙基胺基，2·甲基-環丙基胺基，正戊基胺基，1· 甲基·正丁基胺基，2-甲基·正丁基胺基，3-甲基·正丁基胺 基，1，1-二甲基-正丙基胺基等。 上述烷基二胺基方面，可例舉甲基二胺基，乙基二胺 基，正丙基二胺基，異丙基二胺基，環丙基二胺基，正丁 基二胺基，異丁基二胺基，二級丁基二胺基，三級丁基二 胺基，環丁基二胺基，甲基-環丙基二胺基，2-甲基-環 丙基二胺基，正戊基二胺基，1-甲基-正丁基二胺基，2-甲基-正丁基二胺基，3-甲基-正丁基二胺基，ι，ΐ-二甲基-正丙基二胺基等。 上述式（1)所示之聚醚聚醇可例示例如式[2-1]〜[2-18]

[2 — 2] [化 20] •47- 200821354

[2-4] [2-6] [2 — 8] [化 21]

-48- 200821354

[化 22]

[2-14]

[2-1 6] -49- 200821354

式（1)之R2以使用相當於乙基，正丙基之2價或3價烴基爲 佳。例如，聚氧乙烯二醇，聚氧丙烯二醇，聚氧乙烯三醇 ，聚氧丙烯三醇等，氧化烯烴之重覆數η示2〜10爲佳。 聚環氧丙基醚方面，可例舉例如式（2)所示之化合物 式（2)中R2示與式（1)中所示之R2相同之物。m示2〜6 之整數。R2之官能基係以1價有機基表示，將含於其有機 基之氫原子可以環氧丙基醚基取代之範圍內可使價數改變 ，其價數因環氧丙基醚基之數m而成爲2價，3價，4價， 5價或6價之有機基。m爲2之二環氧丙基醚化合物可恰當 使用。 上述式（2)所示之聚環氧丙基醚’可例示例如式[3-〜[3 - 6 ] 〇 [化 23]

-50- 200821354

在本發明之形成光阻底層膜組成物，可添加吸光性化 合物（D)，界面活性劑，流變學調整劑，黏接補助劑等。 吸光性化合物（D)方面，若爲設置於光阻下層膜上的 光阻層中感光成分之感光特性波長區域中相對於光具有高 的吸收能，可防止自基板之因反射所產生之駐波（standing wave)或基板表面之高低差所致散射者可無特別限制的使 用。 此種吸光性化合物（D)方面，可使用例如，二苯基酮 化合物，苯并三唑化合物，偶氮化合物，萘化合物，蒽化 合物，蒽醌化合物，三畊化合物，三哄三酮化合物，喹啉 化合物等。可使用萘化合物，蒽化合物，三哄化合物，三 哄三酮化合物。接著，吸光性化合物亦可與該具有環氧基 之成分反應爲佳，因此，以使用具有羧基或苯酚性羥基之 -51 - 200821354 化合物爲佳。具體例方面’可例舉例如，〗_萘殘酸，2_萘 殘酸，卜萘酚，2·萘酚’萘基乙酸，羥基-2-萘羧酸， 經基-2-萘竣酸，3,7 -二氫經基_2_萘殘酸，6 -溴-2 -經基萘 ，2,6-萘二羧酸，9-蒽羧酸，1〇_溴-9_蒽羧酸，蒽_9，1〇-二 羧酸，1-蒽羧酸，1·羥基蒽，1，2,3-蒽三醇，2,7,9-蒽三醇 ，苯甲酸，4 -羥基苯甲酸，4-溴苯甲酸，3 -捵苯甲酸， 2,4,6三溴苯酚，2,4,6-三溴間苯二酚，3,4,5 -三碘苯甲酸 ，2,4,6 -三碘-3-胺基苯甲酸，2,4,6 -三碘-3-經基苯甲酸， 2,4,6_三溴-3 -經基苯甲酸等。又，吸光性化合物方面，可 例舉例如，具有下述式[4-1]〜[4-3]所示單位構造.之聚台 物，或式[4 · 4 ]所示之化合物等。 式[4-4]中，Ar示可以碳原子數1〜5之烷基，碳原子 數1〜5之院氧基，氟原子，氯原子，溴原子，碘原子，硝 基，氰基，羥基，硫醇基，碳原子數1〜5之硫代烷基，羧 基，苯氧基，乙醯基，碳原子數1〜5之烷氧基羰基或乙烯 基取代之苯環，萘環或蒽環。 [化 24]

-52- 200821354

〇tf^H -C 一C -C-0 H2 iHH2 o—c一c 一 c—

i6T

[4~2] 一c 一c 一c 一 o—c

[4-3] ? ?hh2 ? h2?h ?

Ar—C—O—C 一 C—C、·人〆C一 C 一C-O—C — Ar H2H n n H h2 人人 [4-4]

I Η II H2C—C 一C 一0-C_Ar OHH2 該等吸光性化合物可僅使用一種，亦可組合二種以上 使用。在本發明之形成光阻底層膜組成物在含有吸光性化 合物之情形，其添加量，在固形成分中，爲30質量％以下 ，例如1〜2 0質量％，或1〜1〇質量％。 本發明之形成光阻底層膜組成物可含有界面活性劑。 界面活性劑方面，可例舉例如山梨聚糖單月桂酸酯，山梨 聚糖單棕櫚酸酯，山梨聚糖單硬脂酸酯，山梨聚糖單油酸 酯，山梨聚糖三油酸酯，山梨聚糖三硬脂酸酯等之山梨聚 糖脂肪酸酯類’聚氧乙烯山梨聚糖單月桂酸酯，聚氧乙烯 山梨聚糖單棕櫚酸酯，聚氧乙烯山梨聚糖單硬脂酸酯，聚 氧乙烯山梨聚糖三油酸酯，聚氧乙烯山梨聚糖三硬脂酸酯 等之聚氧乙烯山梨聚糖脂肪酸酯類等之非離子系界面活性 -53- 200821354 劑，f-top EF301，EF3 03，EF352(Tohkem products 公司製 )，Megafuck F171，F173(大日本油墨化學工業公司製）， Fluorad FC430，FC431(住友 3M 公司製），Asahi guard AG710，Safron S-3 82，SC101，SC102，SC103，SC104， SC105，SC106(旭硝子公司製）等之氟系界面活性劑，及有 機矽氧烷聚合物KP341(信越化學工業公司製）等。該等界 面活性劑之配合量，在本發明之防反射膜形成組成物之全 成分，通常爲0.2質量％以下，較佳爲0.1質量％以下。該 等界面活性劑可單獨添加，亦可以2種以上之組合來添加 〇 在本發明之形成光阻底層膜組成物，爲了使與在微影 術步驟被覆於上層之光阻與光阻下層膜之酸性度一致起見 ，可添加酸發生劑。酸發生劑方面，可例舉安息香甲苯磺 酸鹽及2-硝基苄基甲苯磺酸鹽等之有機颯酸烷基酯化合物 ，二苯基碘鐵三氟甲烷磺酸鹽，二苯基碘鑰十二基苯磺酸 鹽，雙（4·三級丁基苯基）碘鑰樟腦磺酸鹽，雙（4-三級丁基 苯基）碘鍚九氟-正丁烷磺酸鹽，雙（4_三級丁基苯基）碘鐵 三氟甲烷磺酸鹽及三苯基鎏三氟甲烷磺酸鹽等之銷氯化合 物。進而，可例舉2,4,4,6-四溴環己二烯酮，苯基-雙（三 氯甲基）-s-三畊及Ν-羥基琥珀醯亞胺三氟甲烷磺酸鹽等之 酸發生劑。酸發生劑之添加量方面，在光阻下層膜形成組 成物之固形成分中，20質量％以下，較佳爲10質量％以下 或2質量％以下之量可因應需要使用。 本發明之形成光阻底層膜組成物，其他可因應需要亦 -54- 200821354 可含有流變學調整劑，黏接補助劑等° 流變學調整劑方面，可例舉例如，二甲基鄰苯二酸醋 ，二乙基鄰苯二酸酯，二異丁基鄰苯二酸酯，二己基鄰苯 二酸酯，丁基異癸基鄰苯二酸酯，二正丁基己二酸酯，二 異丁基己二酸酯，二異辛基己二酸酯，辛基癸基己二酸酯 ，二正丁基蘋果酸酯，二乙基蘋果酸酯，二壬基蘋果酸酯 ，甲基油酸酯，丁基油酸酯，四氫糠基油酸酯，正丁基硬 脂酸酯及甘油基硬脂酸酯等。該等流變學調整劑，在形成 光阻底層膜組成物之固形成分中，通常以未達，質量％之' 比率添加。 黏接補助劑方面，可例舉例如，三甲基氯矽烷，二甲 4 基乙烯氯矽烷，甲基二苯基氯矽烷，氯甲基二甲基氯矽烷 ，三甲基甲氧基矽烷，二甲基二乙氧基矽烷，甲基二甲氧 ； 基矽烷，二甲基乙烯乙氧基矽烷，r-甲基丙烯醯氧基丙 基三甲氧基矽烷，二苯基二甲氧基矽院，苯基三乙氧基矽 烷，六甲基二矽氮烷，Ν，Ν’-雙（三甲基矽烷基）脲，二甲基 三甲基矽烷基胺，三甲基矽烷基咪唑，乙烯三氯矽烷，γ- 氯丙基三甲氧基矽烷，γ-胺基丙基三乙氧基矽烷，γ-環氧 丙基丙基三甲氧基矽烷，γ·甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基 矽烷，苯并三唑，苯并咪唑，吲唑，咪唑，2-氫硫基苯并 咪唑，2-氫硫基苯并噻唑，2-氫硫基苯并嚼唑，尿唑，硫 尿&密啶，氫硫基咪唑，氫硫基喃啶，1，1 -二甲基脲，1，3 - 二甲基脲及硫代尿素等。該等黏接補助劑，在光阻下層膜 形成全組成物之固形成分中，通常以未達2質量％之比率 -55-

200821354 添加。 本發明之形成光阻底層膜組成物中，爲溶解該固 分之溶劑（C)方面，可例舉各種溶劑。此種溶劑方面 使用例如，乙二醇單甲基醚，乙二醇單乙基醚，甲基 劑乙酸酯，乙基溶纖劑乙酸酯，二乙二醇單甲基醚， 二醇單乙基醚，丙二醇，丙二醇單甲基醚，丙二醇單 醚乙酸酯，丙二醇丙基醚乙酸酯，甲苯，二甲苯，甲 基酮，環戊酮，環己酮，2-羥基丙酸乙酯，2-羥基-2_ 丙酸乙酯，乙氧基乙酸乙酯，羥基乙酸乙酯，2-羥 甲基丁烷酸甲酯，3-甲氧基丙酸甲酯，3-甲氧基丙酸 ，3-乙氧基丙酸乙酯，3-乙氧基丙酸甲酯，丙酮酸甲 丙酮酸乙酯，乙酸乙酯，乙酸丁酯，乳酸乙酯，乳酸 ，N，N-二甲基甲醯胺，N，N-二甲基乙醯胺及N-甲基 啶酮等。該等溶劑可單獨使用或組合2種以上使用。 ，可混合丙二醇單丁基醚，丙二醇單丁基醚乙酸酯等 沸點溶劑來使用。 以下，就本發明之形成光阻底層膜組成物之使用 說明。 在半導體基板（例如，矽/二氧化矽被覆基板，亞 矽基板，玻璃基板，ΙΤΌ基板等）之上，以旋轉器， 機等適當塗佈方法來塗佈本發明之形成光阻底層膜組 ，其後，藉由燒成可形成光阻下層膜。燒成之條件戈 係自燒成溫度80°C〜250°C，燒成時間0·3〜60分鐘之 宜選擇。較佳爲燒成溫度130°C〜250°C，燒成時間〇 形成 ，可 溶纖 二乙 甲基 基乙 _甲基 基-3· 乙酯 酯， :丁酯 吡咯 進而 ;之高 丨加以 丨硝酸 塗佈 I成物 f面， :中適 • 5〜5 -56 - 200821354 分鐘。在此，光姐下層膜之膜厚方面，可例舉例如0.01〜 3·0μιη，又，例如 0.03 〜Ι.Ομπι。 本發明之形成光阻底層膜組成物係如前述，可含有樹 脂（Α)，液狀添加劑（Β)及溶劑（C)。 樹脂（Α)係含有式（3)所示之具有被保護之羧基的化合 物，具有可與羧基反應之基的化合物，或，含有可與羧基 反應之基與式（3)所示之被保護之羧基之化合物者。 在將光阻下層膜形成組成物塗佈於基板上之情形，例 如在具有凹凸之半導.體基板於將溶劑蒸發後，可形成光阻 下層膜。在光阻下層膜中可含有液狀添加劑。此液狀添加· 劑即使在溶劑蒸發後因爲液狀之故，可容易地流入孔，可 塡充孔而平坦化。此液狀添加劑係在其分子內，因具有羥 基或環氧基故可容易地產生樹脂成分與交聯鍵結，可進行: 高分子化，在塡充於孔後可完全固化。 關於此組成物之樹脂成分（Α)，係在半導體基板上塗 佈，藉由燒成來形成光阻下層膜之際，產生式（3)所示之 被保護之羧基之熱所致分解而供與羧基。接著，以如此方 式產生之羧基，在燒成中，與環氧基，氧雜環丁烷基，噁 唑啉基，烷氧基矽烷基，胺基羥甲基及異氰酸酯基等可與 該羧基反應之基反應。 又上述樹脂成分（Α)之羧基，亦可與液狀添加劑（Β)之 羥基或環氧基反應來形成交聯構造。如此一來樹脂成分 (Α)之被保護之羧基因熱分解而產生之羧基，與樹脂成分 (Α)中之具有可與羧基反應之基之成分及液狀添加劑（Β)反 •57- 200821354 應而生成具有交聯構造之聚合物。 尤其是，在使用二個以上之式（3)所示之被保護之羧 基或具有可與羧基反應之基的化合物之情形，藉由可與羧 基與羧基反應之基之反應，就可使化合物間之密切關連連 續。因此，爲使此種連續之化合物間密切關連，所形成之 光阻下層膜則成爲強固之物，在塗佈於其上層之光阻組成 物，一般所使用之有機溶劑，例如，相對於乙二醇單甲基 醚，乙基溶纖劑乙酸酯，二乙二醇單乙基醚，丙二醇，丙 二醇單甲基醚，丙二醇單甲基醚乙酸酯，丙二醇丙基醚乙 酸酯，甲苯，甲基乙基酮，環己酮，2-羥基丙酸乙酯，2-羥基-2-甲基丙酸乙酯，乙氧基乙酸乙酯，丙酮酸甲酯，、 乳酸乙酯及乳酸丁酯等之溶解性就可降低。因此，本發明 之形成光阻底層膜組成物所形成之光阻下層膜就不會產生 與光阻之互混。又，在可使用具有多數反應部位之化合_ 的情形，吾人認爲可使所形成之光阻下層膜更爲強固。尤 其是，在可使用具有式（3)所示之被保護之羧基或可與羧 基反應之基之聚合物的情形，吾人認爲藉由燒成中之反應 可形成交聯構造，可使光阻下層膜成爲更強固。 又，式（3)所示之被保護之羧基之熱分解所致羧基之生成 ，及如此所產生之羧基與環氧基，羥基，氧雜環丁烷基， 噁唑啉基，烷氧基矽烷基，胺基羥甲基及異氰酸酯基等之 反應在燒成條件下因可容易地進行，故觸媒並非必要。因 此，在本發明之形成光阻底層膜組成物，在形成習知之交 聯性下層膜用之組成物作爲交聯觸媒被廣泛使用之礪氧化 -58- 200821354 合物等之強酸之添加並非必要。進而，本發明之形成光阻 底層膜組成物藉由聚合物彼此之間之反應而在形成交聯構 造之系中，習知因不含有廣泛使用之低分子交聯劑或颯氧 化合物等之低分子化合物，故在燒成中所產生之昇華物量 可予減低，可迴避來自昇華物之微粒或異物所致半導體基 板或潔淨室之污染。 接著，在光阻下層膜之上，可形成光阻之層。光阻之 層之形成，可以周知方法，亦即，可藉由對光姐組成物溶 液之下層膜上之塗佈及燒成來進行。 在可塗佈，形成於本發明之光阻下層膜之上之光阻方 面，若爲對曝光光可感光者則無特別限定，又，可使用負 型光阻及正型光阻任一種。由酚醛清漆樹脂與1，2·萘醌二 疊氮基颯酸酯所成正型光阻，具有因酸而分解使鹼溶解速/ 度上升之基之黏合劑與光酸發生劑所成化學增強型光阻，-因酸而分解使光阻之鹼溶解速度上升之低分子化合物與鹼 可溶性黏合劑與光酸發生劑所成化學增強型光阻，具有因 酸而分解使鹼溶解速度上升之基之黏合劑與因酸而分解使 光阻之鹼溶解速度上升之低分子化合物與光酸發生劑所成 化學增強型光阻等，可例舉例如Chypre公司製商品名 APEX-E，住友化學工業公司製商品名PAR710，信越化學 工業公司製商品名SEPR430等。 接著，透過設定之掩罩可進行曝光。在曝光，可使用

KrF準分子雷射（波長248nm)，ArF準分子雷射（波長 193nm)及F2準分子雷射（波長157nm)等。曝光後，可因應 -59- 200821354 需要進行曝光後加熱（PEB:Post Exposure Bake)。曝光後 加熱，可由加熱溫度7〇°C〜150°C，力卩熱時間0.3〜10分鐘 適宜，選擇。 接著，藉由光阻用顯影液可進行顯影。藉此，例如在 使用正型光阻之情形，被曝光部分之光阻被除去，可形成 光阻之圖型。 光阻用顯影液方面，可例舉氫氧化鉀，氫氧化鈉等之 鹼金屬氫氧化物之水溶液，氫氧化四甲基銨，氫氧化四乙 基銨，贍鹼等之氫氧化四級銨之水溶液，乙醇胺，丙基胺 ，乙烯二胺等之胺水溶液等之鹼性水溶液之例。進而，在 該等顯影液可添加界面活性劑等。顯影之條件方面，可由 溫度5〜50°C，時間10〜3 00秒適宜選擇。 接著，使如此所形成之光阻之圖型作爲保護膜，可進: 行光阻下層膜之除去及半導體基板之加工。光阻下層膜i 除去，係使用四氟甲烷，全氟環丁烷（c4F8)，全氟丙烷 (C3F8)，三氟甲烷，一氧化碳，氬，氧，氮，六氟化硫， 二氟甲烷，三氟化氮及三氟化氯等之氣體來進行。 在半導體基板上於可形成本發明之光阻下層膜之前或 後亦可塗佈，形成有機系防反射膜層。因此在所使用之防 反射膜組成物方面並無特別限制，可自在目前爲止之微影 術製造過程中所慣用之物中任意選擇使用，又，慣用之方 法，例如，可以旋轉器，塗佈機所致塗佈及燒成來形成防 反射膜。防反射膜組成物方面，可例舉例如吸光性化合物 ，以聚合物及溶劑爲主成分之物，藉由化學鍵連結之具有 -60· 200821354 吸光性基之聚合物，以交聯劑及溶劑爲主成分之物，以吸 光性化合物，交職劑及溶劑爲主成分之物，及以具有吸光 性之高分子交聯劑及溶劑爲主成分之物等。該等防反射膜 組成物，又，可因應需要，含有酸成分，酸發生劑成分， 流變學調整劑等。吸光性化合物方面，可使用設置於防反 射膜上之於光阻中感光成分之感光特性波長區域中相對於 光具有高吸收能之物則可使用，例如，二苯基酮化合物， 苯并三n坐化合物，偶氮化合物，萘化合物，蒽化合物，蒽 醌化合物，三畊化合物等。聚合物方面，可例舉聚酯，聚 醯亞胺，聚苯乙烯，酚醛清漆樹脂，聚縮醛，丙烯酸聚合， 物等。在具有以化學鍵連結之吸光性基之聚合物方面，可 例舉蒽環，萘環，苯環，喹啉環，喹喔啉環，噻唑環等的 具有吸光性芳香環構造之聚合物。 又，本發明之形成光阻底層膜組成物所塗佈之半導體: 基板，在其表面可具有以CVD法等所形成之無機系之防 反射膜之物，在其上亦可形成本發明之光阻下層膜。 本發明之形成光阻底層膜組成物所形成之光阻下層膜 ，又，根據微影術製造過程中所使用曝光光之波長，具有 相對於其光之吸收，在此種情形，可作爲具有防止來自基 板之反射光之效果的層，亦即，可作爲防反射膜使用。 在使光阻下層膜使用到KrF準分子雷射（波長248nm) 之微影術製造過程於作爲防反射膜使用之情形，在光阻下 層膜形成組成物周形成分中，以含有具有蒽環或萘環之成 分爲佳。接著，使光阻下層膜使用到ArF準分子雷射（波 -61 - 200821354 長193nm)之微影術製造過程作爲防反射膜使用之情形， 在光阻下層膜形成組成物固形成分中，以含有具有苯環之 化合物爲佳。又，在使光阻下層膜使用到F2準分子雷射（ 波長157nm)之微影術製造過程作爲防反射膜使用之情形， 在光阻下層膜形成組成物固形成分中，以含有具有溴原子 或碘原子之化合物爲佳。 進而，本發明之光阻下層膜，可作爲爲防止基板與光 阻之相互作用之層，具有防止對光阻所使用之材料或對光 •阻曝光時生成之物質之基板的不良作用之機能之層，具有 防止在加熱燒成時自基板生成之物質之對上層光阻之擴散 ，不良作用之機能的層，及爲了減少半導體基板電介質層 所致光阻層之毒化效果之屏蔽層等均可使用。 又，形成光阻底層膜組成物所形成之光阻下層膜，可 適用於雙嵌刻銅製造過程所用之可形成導通孔之基板，可 作爲使孔毫無間隙地塡充之埋入材來使用，又，亦可作爲 使基板表面平坦化用之平坦化材來使用。 以下，以實施例進而具體說明本發明，但並非以此限 定本發明。 【實施方式】 實施例 合成例1 在丙二醇單甲基醚乙酸酯80.0g，溶解卜丁氧基乙基 甲基丙烯酸酯（本州化學工業公司製品）9.00g，縮水甘油基 -62· 200821354 甲基丙烯酸酯6.87g，γ-丁內酯甲基丙烯酸酯2.74 g及甲基 丙烯酸酯4· 16g，在該溶液中使氮流經30分後’升溫至 6 5 °C。在使反應溶液保持於65 °C之同時添加偶氮雙異丁腈 〇.3 7g與1-十二烷硫醇〇.37g。在氮氛圍下，於65°C經24小 時攪拌後，添加二-三級丁基·對甲酚〇.lg，獲得4元共聚物 (式[1-33])之溶液。經進行所得共聚物之GPC分析，數平 均分子量Μη爲5900，重量平均分子量（標準聚苯乙烯換 算）Mw 爲 9900。 合成例2 在丙二醇單甲基醚乙酸酯80· 0g，將1-丁氧基乙基甲 基丙烯酸酯（本州化學工業公司製品）9.00g，縮水甘油基甲 基丙烯酸酯7.85g，γ-丁內酯甲基丙烯酸酯2.3 5g及节基甲 基丙烯酸酯3.1 9g溶解，在該溶液中使氮流經30分後，舞. 溫至6 5 °C。使反應溶液保持於6 5 °C之同時，添加偶氮雙異 丁腈0.3 8 g與1 -十二院硫醇〇 · 3 8 g。在氮氛圍下，於6 5 °C經 24小時攪拌後，添加4-甲氧基苯酚〇.lg，獲得4元共聚物( 式Π 4])之溶液。經進行所得共聚物之GPC分析，數平 均分子量Μη爲6500，重量平均分子量（標準聚苯乙烯換 算）Mw 爲 10000。 實施例1 在含有以合成例1所得共聚物之溶液（固形成分濃度 20』％)10.0g，液狀添加劑係添加式[3_6]所示之化合物（商 -63- 200821354 品名 Denacol 8 5 0L，Nagasechemtex 公司製）〇. 1 〇g，溶劑 係添加丙二醇單甲基醚乙酸酯〇.75g及乳酸乙酯2.03g，成 爲14%溶液。其後，使用孔徑0.05 μπι之聚乙烯製微過濾器 進行過濾，來調製形成光阻底層膜組成物之溶液。 實施例2 在含有以合成例2所得共聚物之溶液（固形成分濃度 2 0,0%)10.0g，液狀添加劑係添加式[2-1]所示之化合物（商 品名Sun-nix GP-600，三洋化成工業公司製）〇.〇5g，溶劑 係添加丙二醇單甲基醚乙酸酯1 · 3 5 g及乳酸乙酯3 · 9 7 g，成 爲13.5%溶液後，使用孔徑0·05μιη之聚乙烯製微過濾器進 行過濾，來調製形成光阻底層膜組成物之溶液。 比較例1 在含有以合成例1所得共聚物之溶液（固形成分濃度 20.0%)10.0g，溶劑係添加丙二醇單甲基醚乙酸酯0,75g及 乳酸乙酯2 · 0 3 g成爲1 4 %溶液。其後，使用孔徑〇 . 〇 5 μ πι之 聚乙烯製微過濾器進行過濾，來調製形成光阻底層膜組成 物之溶液。 比較例2 在含有合成例2所得共聚物之溶液（固形成分濃度 20.0°/〇10.0g，溶劑係添加丙二醇單甲基醚乙酸酯135g及 乳酸乙酯3.97g，成爲13.5%溶液後，使用孔徑0.05μηι之 -64- 200821354 聚乙烯製微過濾器進行過濾’來調製光阻下層膜形成組成 物之溶液。 對光阻溶劑之溶離試驗 將以實施例1，實施例2，比較例1及比較例2所得形成 光阻底層膜組成物之溶液以旋轉器在矽晶圓上塗佈。在熱 板上，於20 5 °C經1分鐘加熱，形成光阻下層膜（膜厚 0·30μπι)。將此光阻下層膜浸漬於使用於光阻之溶劑，例 如乳酸乙醅，丙二醇單甲基醚乙酸酯及丙二醇單甲基醚， 可確認對該溶劑爲不溶。 與光阻之互混試驗 將以實施例1，實施例2，比較例1及比較例2所得形成 光阻底層膜組成物之溶液以旋轉器，在矽晶圓上塗佈。在 熱板上，於205 °C經1分鐘加熱，形成光阻下層膜（膜厚 0·3 Ομιη)。在此光阻下層膜之上層，將市售之光阻溶液（使 用富士照片薄膜公司製，商品名GARS 81 05G1及信越化學 工業公司製，商品名SEPR430)藉由旋轉器予以塗佈。在 熱板上於90或1 10°C經1 .5分鐘加熱。將光阻曝光後，使曝 光後加熱於90 °C進行1.5分鐘。使光阻顯影後，測定光阻 下層膜之膜厚，可確認光阻下層膜與光阻層之互混並不產 生。 平坦化率，充塡性之試驗 -65 - 200821354 將以實施例1，實施例2，比較例1及比較例2所得形成 光阻底層膜組成物之溶液藉由旋轉器，塗佈於具有孔（直 徑Ο.ΙΙμηι，深度0.70μηι)之Si〇2晶圓基板上。使用之基板 係如第1圖所示具有孔之Dense(密）圖型的Si02晶圓基板 。Dense圖型係，自孔中心至鄰近之孔中心爲止之間隔， 爲該孔直徑之1倍的圖型。Dense圖型lcm角，Dense圖型 間爲0.6mm。塗佈後，在熱板上，於205°C經1分鐘加熱， 形成光阻下層膜。膜厚係，於近旁無孔圖型之開放區域（ open area)爲0·30μπι。使用掃描型電子顯微鏡（SEM)，藉 由觀察實施例1，實施例2，比較例1及比較例2所得已塗佈 光阻下層膜形成組成物之具有孔之Si02晶圓基板之剖面 形狀，來評價光阻下層膜所致平坦化性。 表1中，係測定Dense部之膜厚，與開放區域之膜厚 ，求得其差（Bias)來評價平坦化性。 又，在孔內部並無觀察空隙（void)(間隙）之發生，而 可觀察到孔內部係以光阻下層膜塡充者。 [表1 ] 膜厚(nm) 密(Dense) 差 〇3ias) 實施例1 160 140 實施例2 140 160 比較例1 110 190 比較例2 110 190 -66 - 200821354 實施例1及實施例2之光阻下層膜之D e n s e (密）圖型上 之膜厚與近旁無孔圖型之開放區域之間之膜厚差（Bias)， 與比較例〗，比較例2之該等比較爲小。吾人認爲此係因爲 ，藉由在固形樹脂添加液狀樹脂，可使光阻下層膜形成組 成物之溶液順暢地流入，且因而可提高加熱時回流焊接性 之故。 光學參數之測定 將實施例1所調製之形成光阻底層膜組成物溶液藉由 旋轉器，塗佈於矽晶圓上。在熱板上，於205 °C經1分鐘燒 成，形成下層膜（膜厚0.2 〇μπι)。接著，將該等防反射膜藉 由分光橢圓對稱計，在測定於波長19 3 nm之折射率（η値） 及衰減係數（k値）時，折射率（η値）爲1.65，衰減係數（k値 )爲 0.0 0 〇 乾蝕刻速度之試驗 將實施例1，實施例2，比較例1及比較例2所得形成光 阻底層膜組成物之溶液以旋轉器塗佈於砂晶圓上。在熱板 上，於205 °C經1分鐘加熱，形成微影術用下層膜（膜厚 0.3 0 μπι)。接著將該等使用日本Scientific公司製RIE系 統ES401，乾鈾刻氣體係在使用CF4之條件下來測定乾蝕 刻速度。 結果如表2所示。乾鈾刻選擇性，係表示使KrF雷射 微影術用之光阻（信越化學工業公司製，商品名SEPR43 0) -67- 200821354 之乾蝕刻速度爲l. 〇 0時之’光阻下層膜之乾蝕刻速度者。 [表2] 乾蝕刻選擇性 實施例1 1.70 實施例2 1.55 比較例1 1.65 比較例2 1.50 吾人可判明自實施例1及實施例2形成光阻底層膜組成 物所得光阻下層膜之蝕刻速度’比來自比較例1及比較例2 之形成光阻底層膜組成物所得之光阻下層膜之蝕刻速度更 大。 光阻下層膜之乾蝕刻速度比光阻之乾触刻速度更高之 必要性，係將在光阻下層膜上所形成之光阻予以顯影，其 後藉由乾蝕刻使基板之基質暴露之步驟，以使光阻下層膜 之乾蝕刻速度者比光阻之乾蝕刻速度更高者，因可在光阻 被削去前除去光阻下層膜，故因而可使被顯影之光阻之圖 型正確地轉印於基板。 光阻下層膜之飩刻速度，在爲平坦化膜或下層防反射 膜等之光阻下層膜之情形，與光阻膜比較以速度快者爲佳 ，而因光阻膜之種類而可使光阻下層膜之蝕刻速度亦變化 爲所期望，因此在本發明藉由含有液狀添加劑（B)而可調 節蝕刻速度。 -68- 200821354 【圖式簡單說明】 [第1圖]第1圖係在具有孔之基板形成光阻下層膜之狀 態之剖面圖。 【主要元件符號說明】 a :係Bias[Dense部與開放區域部之膜厚差（nm)] b:係在已使用之基板中當初孔深度（μπι) c :係本發明之光阻下層膜（間隙塡充材） ά :係基質基板

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Claims (1)

1. 200821354 十、申請專利範圍 1一種於含有樹脂（A)，液狀添加劑（B)及溶劑（C)之使 用於半導體裝置製造之微影術製造過程的形成光阻底層膜 組成物。 2.如申請專利範圍第1項之形成光阻底層膜組成物， 其中該液狀添加劑（B)爲脂肪族聚醚化合物。

   3 .如申請專利範圍第1項之形成光阻底層膜組成物， 其中該液狀添加劑（B)爲聚醚聚醇、聚環氧丙基醚或該等 之組合。 4.如申請專利範圍第3項之形成光阻底層膜組成物， 其中該聚醚聚醇係以式（1): [化1]

   (式中，η示1〜300之整數，m不2〜6之整數’ R〗各自不氣 原子、或碳原子數1〜10之烷基’ R2示碳原子數1〜1 0之院 基、碳原子數2〜6之鏈烯基、碳原子數2〜10之炔基、碳 原子數2〜10之烷基羰基、碳原子數2〜10之烷基羰胺基、 碳原子數2〜1 0之烷基氧烷基 '碳原子數1〜1 0之院基胺基 、碳原子數1〜1〇之院基二胺基，或該等之組合，依照聚 氧化燃烴基之數m，可得2價〜6價之價數之有機基）所不 之化合物。 •70- 200821354 5 .如申請專利範圍第3項之形成光阻底層膜組成物， 其中該聚環氧丙基醚，係式（2): [化2]

   (式中，；〇1示2〜6之整數，R2與該式（1)中之定義同，依照 環氧丙基醚基之數m可得2價〜6價之價數之有機基）所示 之化合物。 6. 如申請專利範圍第1〜第5項中任1項之形成光阻底 層膜組成物，其進而含有吸光性化合物（D)者。 7. —種光阻下層膜之形成方法，其爲使用於將如申請 專利範圍第1〜6項中任1項之形成光阻底層膜組成物塗佈 於基板上，予以燒成所致半導體裝置製造之微影術製造過 程。 8 · —種半導體裝置之製造方法，其特徵爲含有，將如 申請專利範圍第1〜第6項中任1項之形成光阻底層膜組 成物塗佈於半導體基板上，予以燒成而形成光阻下層膜之 步驟’在其下層膜上形成光阻層之步驟，將以_光阻下層膜 與光層所被覆之半導體基板予以曝光之步驟及曝光後予 以顯影之步驟。 -71 -