TW200816360A - Substrate support with protective layer for plasma resistance - Google Patents

Description

200816360 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 更 在 在 氣 電 或 的 材 理 用 基 基 〇 其 撐 欲 本發明的實施例大致係關於一種半導體處理腔室， 明確地說，係關於一種具有保護層的基材支撐件，適於 半導體處理腔室中使用。 【先前技術】 半導體製程包含許多不同的化學和物理處理，藉此 基材上産生微小的積體電路。藉由化學氣相沈積、物理 相沈積、磊晶生長（ePitaxial growth)等來産生構成積體 路的材料層。利用光阻遮罩（photoresist mask)以及濕式 乾式刻蝕技術對某些材料層構圖。而用來形成積體電路 基材玎以疋石夕、珅化鎵、麟化銦、玻璃、或其他合適的 料。 典型的半導體處理腔室包括一腔體，其界定處理區 一氣體分配組件，適以從氣體供應源提供氣體進入處 區；〆氣體激發器（gas energizer)，例如一電漿產生器， 以激發該處理氣體以處理位於一基材支撐組件上的一 讨；以及一排氣裝置。基材支樓組件包括在處理期間將 材固定於基材支撐組件的靜電吸盤（electr〇statie ehuck) 在電漿處理期間，激發氣體通常由高腐蝕性物種構成， 刻蝕和腐蝕基材支撐組件的暴露部分。經腐蝕的基材支 组件在經過-些處理週期後，必須在其提供不一致或不 5 200816360 之電性（用於固定基材）前被替換。另外，經 材支撐組件的顆粒可能污染固定在基材支 材’從而導致製程缺陷。期望基材支撐組件 槳耐受性（plasma resistance)，以增力cz基材支 壽命並減少顆粒産生。 因此，需要能提供腔室部件（例如，基；{ 強電漿耐受性的塗層。 【發明内容】 本發明的實施例提供一種具有增強電 護層的基材支撐組件。保護層在基材支撐組 的抵抗腐蝕和電漿之表面，從而改善基材支 壽命同時減少維修和製造成本。 在一實施例中，一種基材支撐組件包括 上表面的靜電吸盤、設置在靜電吸盤上的保 護層包括含有稀土金屬的陶質材料。 在另一實施例中，一種基材支撐組件包 盤之靜電吸盤，該陶質盤具有適以支撐設置 的上表面；一基座，連接於陶質盤之下表面 至少一流體管道形成於其中並適以控制靜電 度分佈（lateral temperature profile);以及一 於該陶質盤上，其中該保護塗層係含有稀土 侵餘而來自基 撐組件上的基 具有較高之電 撐組件的服務 才支撐組件）增 蒙耐受性之保 件上提供堅固 撐組件的服務 具有基材支撐 護層，其中保 括一具有陶質 於其上之基材 ’該基座具有 吸盤的橫向溫 保瘦層，設置 金屬的陶質材 200816360 在又一實施例中，一種基材支撐組件包括一陶 一基座，連接於該陶質盤之下表面，該基座具有至 流體管道形成於其中並適以控制陶質盤的橫向溫度 一黏合劑，將該基座耦接於該盤之下表面；金屬填 配置於黏合劑中，該金屬填充物包含A1、Mg、Ta 少一者；以及一保護性Y 2 Ο 3塗層，塗覆在陶質盤 面上。 I 【實施方式】 本發明的實施例提供一種具有用以於增強電 耐受性之保護層的基材支撐組件。在一實施例中， 可以是包括稀土金屬的陶質層。保護層的例子可 (Υ )、氧化釔（Υ2〇3 )、釔合金或其衍生物。保 在基材支樓組件上提供耐餘表面，藉此增加基材支 的服務壽命，同時減少維修和製造成本。 第1圖係半導體處理腔室之一實施例的剖面圖 Q 導體處理腔室具有設置於其中並具有保護層136之 撐组件1 4 8。雖然在此配置基材支撐組件丨4 8的一 例，但是預期可改造其他基材支撐組件以受益於本> • 處理腔室100包括封圍出内部容積106的腔體 蓋件104。腔體1〇2通常係由銘、不銹鋼或其他適 製成。腔體102通常包括側壁108和底部丨1〇。基 孔（未顯示）通常界定於側壁108中並且由狹縫 質盤； 少一個 分佈； 充物， 、Ti至 的上表 漿腐蝕 保護層 包括釔 護塗層 撐組件 ，該半 基材支 個實施 务明。 1 0 2和 當材料 材存取 閥（slit 200816360 valve)選擇性地密封以促進基材144進入或離開處理腔室 100 〇 將外部襯套（outer liner)l 16鄰近側壁1〇8處配置以保 濩腔體1 02。外部襯套丨丨6係用抵抗電漿或含鹵素氣體之 材料製造和/或塗覆。在一實施例中，外部襯套丨丨6由氧化 銘製成。在另一實施例中，外部襯套1丨6係由釔、釔合金 或其氧化物製成或塗覆之。在又一實施例中，外部襯套1 1 6 係由Y203塊製成。 排氣口 126係界定於腔體1〇2中並輕接内部容積1〇6 至泵浦系統1 2 8。泵浦系統12 8通常包括一或多個泵浦以 及節流閥，用以抽空和調節處理腔室10〇之内部容積1〇6 的壓力。在一實施例中，泵浦系統128將内部容積1〇6内 的壓力保持在通常介於約1 〇 mTorr到約20 Torr之間的操 作壓力下。 蓋件104係密封地支撐於腔體1〇2的側壁108上。可 打開蓋件1 04以允許進入處理腔室1 〇〇的内部容積1 〇6。 氣體面板158耦接至處理腔室1〇〇以將處理和/或清洗氣體 通過氣體分配組件130提供至内部容積106。可用於處理 腔室中之製程的處理氣體之實例包括含鹵素氣體，諸如 C2F6、SF6、SiCl4、HBr、NF3、CF4、CHF3、CH2F3、Cl2 和SiF4等；以及其他氣體，諸如〇2或N2〇載氣（carrier gas) 的實例包括N2、He、Ar和對處理呈惰性的其他氣體以及 非反應性氣體。氣體分配組件1 3 0在氣體分配組件1 3 0的 8

200816360 下游表面（downstream surface)上具有多個孔、門1 導氣體流至基材1 4 4的表面。氣體分配組件 卞1 3 〇可由 材料（例如，碳化矽、釔塊或其氧化物）製成和 /或塗覆 提供對含鹵素化學作用的耐受性而防止氣體分配組件 受侵蝕 基材支撐組件148設置在處理腔室1〇〇之内部 106中且位於氣體分配組件13〇下方。基材支標組件 在處理期間固定基材1 4 4。基材支撐組件1 4 8通常包 穿設置的多個舉升銷（lift pin)(未顯示），適以從支 元件148舉起基材144並方便以傳統方式用機械臂（ 示）交換基材1 44。 可將内部襯套11可塗覆於基材支撐組件148的 上。内部襯套1 1 8係抵抗含齒素氣體之材料，其大致 外部襯套11 6的材料相似。在一實施例中，以和外部 11 6相同的材料製成内部襯套1 1 8。 在—實施例中，基材支撐組件148包括支撐底座 的裝配板162，以及靜電吸盤150。靜電吸盤150更包 座164和靜電盤166。靜電吸盤166的上支撐面由保 13 6 霜'^ 復蓋。在一實施例中，保護層丨3 6設置在靜電盤 的上支搶；^ , 牙面上。在另一實施例中，保護層13 6設置在 1 5 0的整個表面上，包括基座164和靜電盤166 部和側部gg π周圍。裝配板162耦接於腔體1〇2的底部並 以引 陶質 ，以 130 容積 148 括貫 撐件 未顯 周圍 上與 襯套 152 括基 瘦層 16 6 靜電 的外 包括 9 200816360 用於將設備（例如，流體、電源線和感測器導線等）連接到 基座164和靜電盤166的通道。 基座164或盤166的至少一者包括至少一選擇性嵌入 式加熱器176、至少〆選擇性嵌入式隔離件174和複數個 管道1 6 8、1 7 0以控制支撐組件1 4 8的橫向溫度分佈。管道 ' 168、170係流動性地耦接到流體源172，經此循環控制溫 ， 度的流體。嵌入式隔離件174配置在管道168、170之間。 加熱器176係受到電源178的控制。管道168、170和加熱 k 器176用於控制基座164的溫度，藉此加熱和/或冷卻靜電 盤166。可利用複數個溫度感測器190、192來監控靜電盤 166和基座164的溫度。靜電盤166更包括複數個氣體通 道20 8(例如，凹槽）（第2圖和第3圖所示），其形成在 盤1 6 6的正面2 0 6中，並係流體性地耦接到傳熱（或背側） 氣體（例如，He)源。在操作中，以受控制之壓力提供背側 氣體進入氣體通道，以提高靜電盤166和基材144之間的 傳熱性。 ^ 靜電盤 166 包括至少一夾持電極（clamping . electrode)180，其係由位於腔室1〇〇外部之吸盤電源ι82 所控制。電極180 (或設置在盤166或基座164中的其他 電極）可通過匹配電路188進一步耦接至一或多個RF電 源184、186，以保持自處理腔室100内之處理和/或其他 氣體所形成的電漿。電源184、186通常能夠産生約50 kHz 10 200816360 到約 號0 3 GHz之頻率和高達約1〇5〇〇〇 Watts之功率的RF信 第2圖描繪基材支樓組件1 4 8之一實施例的分解圖。 基材支禮組件1 4 8描緣靜電吸盤1 5 〇和底座1 5 2的分解 圖。靜電吸盤150包括靜電盤166和連接至靜電盤166的 底座164。靜電盤1 66具有圓盤狀，其具有大致上與位於 其上之基材144的形狀和尺寸匹配之環形邊界222。在一 Ο Ο 實施例中，靜電盤1 66係由陶質材料製成。陶質材料的適 當例子包括氧化紹（Al2〇3)、氮化鋁（A1N)、氧化鈦（TiO)、 氮化款（ΤιΝ )、碳化矽（SiC )等。在另一實施例中，靜 電盤1 66係由根據本發明之含有稀土金屬的陶質材料所製 成。在又一實施例中，靜電盤166係由Y2〇3製成。 連接在靜電盤166下面的基座164具有圓盤狀的主要 部刀4矛從主要部分224向外延伸並位於底座152上的 %形凸緣220。基座164係由熱能特性大致與上方之盤ΐ66 匹配的材料製成。少 或在一實施例中，基座164係由金屬（諸如 銘、或不銹鋼、+ 4 或其他適當材料）製成。或者，基座164 係由提供良好強许 又和耐用性以及傳熱性的陶質與金屬之合 成物製成。合成从 ;斗的熱膨脹係數大致上與上方之盤166 匹配，以減少熱膨 /脹失配（nusmatch卜在另_實施例中， 基座164係由包括 ^有用金屬滲透之孔的陶質合成材料製 成，該金屬至少邱 77地填充孔洞以形成合成材料。陶質材 料』包括（但不阳 ;)碳化矽、氮化鋁、氧化鋁或堇青石 11 200816360 (cordierite)。陶質可包括占總體積約2〇%到約8〇%體積百 分比的孔洞體積，剩餘的體積是滲透的金脣。滲透的金屬 可包括添加石夕的紹和銅。在另一實施例中，基座164係由 包括陶質和金屬之不同合成物的合成材料製成，例如具有 分散之陶質顆粒的金屬。 再參第1圖’基座1 64藉由黏接材料丨3 8黏接至靜 電盤166。黏接材料138促進靜電盤166和基座164之間 的熱能量交換’並且減少二者之間的熱膨脹失配。在一示 範性實施例中，黏接材料138將基座164機械地黏接到靜 電盤166。在另一實施例中，黏接材料138是具有丙婦酸 系（acrylic based)化合物和矽系（siiic〇I1 based)化合物至少 一者的導熱膠或膠帶。在另一實施例中，黏接材料丨3 8是 具有混合或添加金屬或陶質填充物之丙烯酸系化合物和石夕 系化合物至少一者的導熱膠或膠帶。金屬填充物可為A1、 Mg、Ta、Ti或上述之組合物的至少一者，而陶質填充物可 以是氧化紹（Al2〇3 )、氮化紹（ain )、二硼化鈦（TiB2 ) 或上述之組合物的至少一者。暴露於由含鹵素氣體所形成 之電漿後，黏接材料1 3 8可在黏接材料1 3 8之表面上形成 自我保護的金屬鹵化物塗層，以防止保護層1 3 8受到進一 步的攻擊。金屬鹵化物塗層通常可抵抗電漿的進一步攻 擊’並且其如果受損的話，在重新暴露到電漿後可自我再 生。 12 200816360 將保護層1 3 6至少放置和/或塗覆# , &孟復和/或沈積在靜電盤 166的上表面（和/或在處理期間暴露於 、电水之基座的外部 區域）上，以提供用於保護盤166的聂雪主 叼恭路表面隔離電漿和/ 或處理氣體的财钱塗層。如第2圖所示， 塗覆和/或放置 和/或沈積保護層136延伸至基座164的外部周邊222。/ 或 者，可塗覆和/或放置和/或沈積保護層136於靜電盤166 和基座1 64的整個外表面上。 ί

U 保護層136可以藉由下述本領域習知的技術來塗覆： 物理氣相沈積（PVD);化學氣相沈積（CVD) ，·浸沒塗 覆（immersion coating);濺射；熱能喷射塗覆（例如，電 漿喷射塗覆）；非電漿、低溫輔助塗覆；熱等靜壓（h〇t isostatic pressing);冷等靜壓（colci isostatic pressing);層 壓（lamination)，壓模（〇〇111卩^881〇11111〇1(11118);壓鑄 (casting);壓接（compacting);燒結（sintering);共同燒結 (co-sintering)技術。在第2圖一第3圖所示的實施例中， 係用物理氣相沈積（P VD )塗覆保護層1 3 6。 在一實施例中，保護層136是含有IIIB族金屬的稀土 陶質層。IIIB族金屬可以是銃（sc )、釔（Y )、鈽（Ce ) 等的至少一者。在另一實施例中，保護層136可包括IIIB 族金屬的氧化物（例如，Y2〇3)，或IIIB族的合金（例如，紀 鋁石榴石（ YAG ))。在又一實施例中，保護層136可以是 在乙塊層。 13 200816360 在其他實施例中，保護層136可包括混合在金屬中的 Y2〇3。一些金屬包括鋁（A1)、鎂（]^)、鈦（1^)、纽 (Ta)等。在其他實施例中，保護層136可以包括經摻雜 的Υ2〇3。在又一實施例中，保護層136可由包含釔（γ ) 的固溶體製成。 在替代的實施例中，靜電盤166可由稀土陶質層製 成，如上述的保護層136 —樣。在靜電盤166由稀土陶質 層製成的實施例中，可選擇性地排除保護層丨3 6 。 在一實施例中，用於保镬層136或者用於製造靜電盤 166的氧化釔層（Υ2〇3 )是高純度的，以使位於氧化紀層 (Υ2〇3 )中之雜質導致的腔室污染達到最小，藉此在電漿 處理期間防止潛在的微粒釋放到處理腔室丨0 〇中。在一實 施例中，氧化釔層（Y2〇3 )具有體積至少約99.9%的氧化 釔純度以及至少約4.3 g/cm3的密度。 氧化釔層（Y2〇3 )亦具有可在電漿處理期間抵抗侵钕 和/或腐蝕的高硬度。在一實施例中，氧化釔層（γ2〇3 )提 供約3 GPa和約1 1 GPa之間的硬度（維式5 Kgf)。另外， 氧化纪層（Y2〇3)具有約2 //-inch和400 #-inch之間的表 面粗糙度，例如約16 //-inch，以及小於約0.02%的吸水性。 在一實施例中，設置在基材支撐表面上之氧化釔層 (Υ2〇3 )保護層136的厚度在約1 μιη和約500 μιη之間， 例如在2 μπι和約3 0 μιη之間。氧化釔保護層1 3 6的平均晶 粒尺寸在約0 · 0 1 μ m和約3 0 0 μ m之間。 14 200816360 Ο 塗覆在靜電盤166上的氧化釔（Υ203 )保護層136形 成強力的黏接介面，藉此增進靜電盤166和塗覆的保護層 136之間的黏接性。能量散佈分析儀（energy dispersive spectrometry，EDS )描繪塗覆的氧化釔（Y203 )保護層136 於介電層2 0 4由氧化鋁（A12 〇 3 )製成的實施例中，可在靜 電盤1 66上提供黏接介面層（例如，含纪氧化銘）。塗覆的 氧化釔（Y2〇3 )保護層136和靜電盤表面之間的堅固黏接 允許塗覆的氧化釔（Υ2〇3 )保護層136牢固地黏附在基材 支撐組件148上，並且在電漿處理期間防止氧化釔（γ2〇3 ) 保護層13 6破裂、剝落、或剝離。 第3圖描繪靜電盤166的頂視圖。靜電盤166包括適 以容納靜電吸盤150上之基材144的正面2〇6。在一實施 例中，正面206包括由關注之氣體凹槽208界定的凸面楔 形部件210。如上所述，氣體凹槽208在表面2〇6上分散 傳熱氣體（例如，He)。氣體凹槽2〇8包括徑向通道，其具 有約5度到約1〇度的間隔並終止於内部環形槽212中。 因而’本發明中提供用於增強基材支撐組件之耐蝕性 的保護層。塗覆的保護層有利地在基材支撐級件上提供耐 蝕表面，從而防止表面免受侵蝕環境並且提高腔室部件/ 零件的使用壽命。 雖…、刖述係關於本發明的實施例，但在不偏離本發明 的基本範圍内’可設計本發明的其他和進-步的實施例， 而本發明的範園由以下申請專利範圍界定。 15 200816360 【圖 式簡單說 明 ] 爲了能詳 細 理 解本 發 明 的概 述特徵，將 參照 部 分 在 附 圖中 示出的實 施 例 對以 上 的 簡要 概述和以下 的其 他, 描: 述： 進 行本發明的更 詳 細 描述 〇 第1圖描 述 處 理腔 室 之 一實 施例的截面 圖； 第2圖描 述 根 據本 發 明 之基 材支撐組件 的一 實 施 例 的 分解 圖；以及 第3圖描 述 第 2圖 之 基 材支 撐組件的靜 電吸 盤 之 一 實 施例 的頂視圖 〇 然而，應 該 :注意爱 J附圖僅描述本發明 的示 範 性 實 施 例， 因此不能 視 爲 對本 發 明 範圍 的限制，因 爲本 發 明 允 許 其他 等效的實 施 例 〇 爲了便於 理 解 ，在 此 盡 可能 使用相同的 元件 符 合 表 示 附圖 中共有的 相 同 元件 〇 預 期一 實施例的元 件和 特 徵 可 有 利地 用於另一 實 施 例中 9 而 不用 進一步敍述 0 【主 要元件符 號 說 明】 100 半導體處理腔室 102 腔體 104 蓋件 106 内部容積 108 側壁 110 底部 116 外部襯套 118 内部襯套 126 排氣口 128 泵浦系統 16 200816360 130 氣體分配組件 136 保護塗層 144 基材 150 靜電吸盤 158 氣體面板 164 基座 168、 170 管道 174 隔離件 178 電源 182 吸盤電源 188 匹配電路 206 正面 210 凸面楔形部件 220 環形凸緣 224 主要部分 132 洞 138 黏 接 材 料 148 基 材 支 撐組件 152 底 座 162 裝 配 板 166 靜 電 盤 1 72 流 體 源 176 加 熱 器 180 夾 持 電 極 1 84、 186 RF電源 190、 .192 感測器 208 氣 體 通 道 212 内 部 環 形槽 222 環 形 邊 界 17

Claims (1)

1. 200816360 十、申請專利範圍： 1. 一種基材支撐組件，其至少包含： 一靜電吸盤，具有一基材支樓上表面； 一保護層，配置於該靜電吸盤上，其中該保護層包括一 含有一稀土金屬的陶質材料。 • 2.如申請專利範圍第1項所述之基材支撐組件，其中上述 之保護層包括釔。 C 3 ·如申請專利範圍第1項所述之基材支撐組件，其中上述 之保護層包括Y2O3。 4. 如申請專利範圍第1項所述之基材支撐組件，其中上述 之稀土金屬更包括銃（Sc)或鈽（Ce)至少一者。 5. 如申請專利範圍第1項所述之基材支撐組件，其中上述 (J 之稀土金屬更包括該稀土金屬之一氧化物。 ^ 6.如申請專利範圍第1項所述之基材支撐組件，其中上述 之保護層包括纪銘石權石（yttrium-aluminum-garnet， YAG) 〇 7·如申請專利範圍第1項所述之基材支撐組件，其中上述 18 200816360 <保護層包括一纪塊層。 8 ·如申請專利範圍第1項所述之基材支撐組件，其中 之保護層包括混合於一金屬中的Y 2 〇 3。 9·如申請專利範圍第8項所述之基材支撐組件，其中 之具有 Y2〇3混合於内的金屬係鋁（A1)、鎂（Mg) (titanium)、鈕（tantalum)至少一者。 10·如申請專利範圍第1項所述之基材支撐組件，其中 之保護層包括經摻雜的Y2〇3。 1 1 ·如申請專利範圍第1項所述之基材支撐組件，其中 之基材支撐組件更包括： 一基座，具有至少一冷卻通道配置於其中；以及 一含金屬黏合劑，將該基座耦接至該靜電吸盤中之 質盤的一下表面。 12.如申請專利範圍第η項所述之基材支撐組件，其 述之陶質盤係由氧化鋁（Al2〇3)、氮化鋁（Α1Ν)、氧 (TiO)、氮化鈦（TiN)、碳化石夕（SiC)、和一含稀土金 陶質材料至少一者製成。 上述 上述 、鈦 上述 上述 一陶 中上 化鈦 屬的 19 200816360 1 3 .如申請專利範圍第1 2項所述之基材支撐組件，其中用 於該陶質盤之該陶質材料的稀土金屬係Y2〇3。 1 4.如申請專利範圍第1項所述之基材支撐組件，其中上述 之保護層的厚度介於約1 μ m和約5 0 0 μ m之間。 15. 如申請專利範圍第1項所述之基材支撐組件，其中上述 之保護層的密度大於約4.3。 16. 如申請專利範圍第1所述之基材支撐組件，其中上述之 保護層係一表面粗糖度介於約2 //-inch和400 //-inch 之間（例如，約1 6 - i n c h)的陶質材料。 1 7.如申請專利範圍第1項所述之基材支撐組件，其中上述 之保護層係一純度至少約 9 9 · 9 %體積百分比的氧化釔 層（Y2〇3) 〇 18.—種基材支撐組件，其包括： 一靜電吸盤，其包括具有一上表面的陶質盤，該上表面 適以支撐配置於其上之一基材； 一基座，連結於該陶質盤之一下表面，該基座具有至少 一流體管道形成於其中並適以調控該靜電盤之橫向溫 度分佈；以及 20 200816360 -保護層，配置於該陶質盤上，其中該保護層係-含有 一稀土金屬之陶質材料。 19·如申請專利範圍第18項所述之基材支撐組件，其中上 述之保護層包括釔、γ2〇3成釔鋁石榴石（YAG)至少一 者0 20·如申請專利範圍第18項所述之基材支撐組件，其中上 述之稀土金屬更包括銃（Sc)成铈（Ce)至少一者。 21·如申請專利範圍第is項所述之基材支撐組件，其中上 述之稀土金屬更包括該稀土金屬之一氧化物。 22·如申請專利範圍第ι8項所述之基材支撐組件’其中上 述之保護層包括混合於一金屬中Y2 Ο3 ’其中該金屬係 鋁（A1)、鎂（Mg)、鈦（Ti)、钽（Ta)至少一者。 23 ·如申請專利範圍第18項所述之基材支撐組件，其中上 述之陶質盤係由氧化鋁（Al2〇3)、氣化鋁（A1N)、氧化鈦 (TiO)、氮化鈦（TiN)、碳化矽（Sic)、和一含稀土金屬的 陶質材料至少一者製成。 24·如申請專利範圍第18項所述之基材支撐組件，其更包 21 200816360 括： 一黏揍材料，將該陶質盤耦接至該基座，其中該黏接材 料係一丙稀酸系（a c r y 1 i c b a s e d)化合物與石夕系（s i 1 i c ο η based)化合物至少一者。 2 5 · —種基材支撐組件，其包括·· 一陶質盤； 一基座’連結於該陶質盤之一下表面，該基座具有至少 一流體管道形成於其中並適以調控該陶質盤之橫向溫 度分佈； 一黏合劑，將該基座耦接至該盤的一下表面； 複數個金屬填充物，配置於該黏合劑中，該金屬填充物 包括Al、Mg、Ta、Ti至少一者；以及 一保護性Y2〇3塗層，塗覆於該陶質盤之上表面上。 2 6 ·如申請專利範圍第2 5項所述之基材支撐組件，其中上 述之保護性Υ2〇3塗層係與一金屬相混合，其中該金屬 係鋁（Α1)、鎂（Mg)、鈦（Ti)、钽（Ta)至少一者。 27·如申請專利範圍第25項所述之基材支撐組件，其中上 述之陶質盤係由氧化鋁（Al2〇3)、氮化鋁（A1N)、氧化鈦 (Ti〇)、氮化鈦（TiN)、碳化矽（SiC)、和一含稀土金屬的 陶質材料至少一者製成。 22