200816344 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於在半導體元件製造製程所使用之電漿處 理裝置、電子曝光裝置、離子植入裝置等,液晶面面板之 製造所使用的離子植入摻雜裝置等所具備的靜電夾頭中, 供電至靜電夾頭的電極層之供電構造。 【先前技術】 在半導體元件之製造製程所使用的電漿處理裝置、電 子曝光裝置、離子植入裝置等,液晶面板之製造所使用的: 離子摻雜裝置等中,被要求不對被處理物之半導體晶圓或 玻璃基板造成損傷,可以卻實地保持半導體晶圓或玻璃基 板。特別是在最近,由於對處理對象之半導體晶圓或玻璃; 基板的污染被嚴格管理,在以往所被使用之機械性地夾症 半導體晶圓等之方式,其大部分被置換爲利用電氣性靜電 吸附力之靜電夾頭方式。 靜電夾頭係由:於金屬基盤上具備下部絕緣層、電極 層及表面絕緣介電層所形成,表面絕緣介電層係形成保持 半導體晶圓或玻璃基板之吸附面。而且,介由設置於貫穿 金屬基盤的上下面之貫穿孔內的供電端子,藉由從外部對 前述電極層賦予高電位,使分佈於表面絕緣介電層的表面 (即吸附面)的電荷與使載置於吸附面之被處理物極化電 電之電荷之間,產生庫倫力或詹森一拉貝克力(Jassen-Rahbeck ),或發生藉由靜電所產生之梯度力,來吸附保 200816344 (2) 持被處理物之半導體晶圓等。 且說,例如以電漿裝置來蝕刻處理半導體晶圓之情形 時,半導體晶圚的溫度上昇至200 °C〜400 °C。因此,爲 了將處理中的晶圓溫度冷卻至適當溫度,係藉由對設置於 金屬基盤內部的管路流通冷媒,來防止晶圓之溫度上昇。 可是,靜電夾頭之表面絕緣介電層側被暴露於高溫’金屬 基盤側大約被保持在冷媒的溫度,在彼等之間,產生溫度 • 梯度,例如,在表面絕緣介電層與下部絕緣層之間’產生 最大數百度的溫度梯度。另外,當然在裝置之動作時與休 息時之間,於靜電夾頭本身也產生最大數百度的溫度梯餘 〇 於靜電夾頭施加此種溫度循環之負荷’特別是在對電 極層供給電壓之供電構造中,有產生種種問題之虞。即在 供電端子或電極層等之導電體與下部絕緣層或表面絕緣费 電層等之絕緣體中,熱膨脹率個別不同,導電體與絕緣體 # 接觸之處所在複雜組入之供電端子的周邊’容易產生裂痕 。此種裂痕,係成爲引起靜電夾頭的溫度特性之局部性劣 化等之問題或顆粒之發生等的原因。 第4圖係表示靜電夾頭之供電構造的以往例子。於設 置於金屬基盤資貫穿孔7,係介由絕緣保持構件2而配設 有供電端子3,此供電端子3係如第1 ( b )圖所示般’藉 由其端子與電極層5接觸,將從金屬基盤1的下面側所供 給的電壓供應至電極層3。此處,如前述之裂痕例如在供 電端子3的前端與電極層5接觸之部分的邊緣容易發生( -5- 200816344 (3) 裂痕8a ),另外,在供電端子3、絕緣保持構件2、及下 部絕緣層4相互相接之部分,同樣容易發生裂痕(裂痕 8b) ° 此處,爲了減輕靜電夾頭受到熱負載之情形時的影響 ^ 之方法,有幾個被提出。例如,硬銲對設置於陶瓷基體的 ^ 內部之電極層供電之供電端子,且於供電端子的端面設置 中空部,於此中空部嵌入具有與陶瓷基體同程度的熱膨脹 0 係數之應力緩衝材料之方法被提出(參照專利文獻1)。 另外,以供電端子的端面與由金屬一陶瓷複合材料所形成 的基盤的上面成爲相同高度之方式,對設置於基盤的貫穿 孔內介由陶瓷製的外被覆部配設供電端子’接著’對供電 端子的端面進行遮蔽,以熔射處理來形成絕緣層,進而, 去除遮蔽,使供電端子的端面露出’熔射金屬材料來形成 電極層之方法被提出(參照專利文獻2)。進而’從內部 具備電極層之陶瓷基體的下面側設置貫穿電極層的貫穿孔 Φ ,於其內壁形成金屬化層之同時,且藉由硬銲來將供電端 子固定於貫穿孔內之方法被提出(參照專利文獻3)。 但是,如專利文獻1及3般,藉由硬銲來固定供電端 子之情形時,對硬銲材料本身施加熱負載’所以’使問題 ' 更複雜化。另外,硬銲作業本身爲人工作業,缺乏可靠性 。另一方面,如專利文獻2般,將配設於基盤內的供電端 子之端面調整成與基盤之上面相同高度’藉由熔射來形成 電極層,使供電端子的端面與電極層接觸之方法中,作業 效率雖有改善,但是,在對熱負載之可靠性方面,需要改 -6- 200816344 (4) 善。即供電端子與電極層係相互以面接觸,在施加有熱負 載之情形,可靠性有問題。 〔專利文獻Ο日本專利特開平1 1- 0 7 4 3 3 6號公報 〔專利文獻2〕日本專利特開2 0 0 3 - 1 7 9 1 2 7號公報 〔專利文獻3〕日本專利特開平1 〇 - 1 8 9 6 9 6號公報 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 靜電夾頭受到熱負載之影響,係於靜電夾頭的供電構 造有關係,具體而言,與供電端子與電極層之界面的形狀 ,或實際有熱負載施加之情形,金屬基盤、供電端子、絕 緣保持構件、下部絕緣層、電極層及表面絕緣介電層間之 力量的施加方法有關。這些關係,至目前爲止未被充分檢 討。 因此,本發明之課題爲:在靜電夾頭受到熱負載或熱 循環時,可緩和在供電構造所發生之熱應力,藉由作成下 部絕緣層、電極層及表面絕緣介電層不易發生裂痕之供電 構造,來盡可能地避免靜電夾頭之溫度特性的局部性劣化 或顆粒之發生等問題,進而延長靜電夾頭的壽命。 〔解決課題之手段〕 .因此,本發明之目的在於提供:於下部絕緣層、電極 層級表面絕緣介電層不易發生裂痕之靜電夾頭的供電構造 。另外,本發明之別的目的在於提供:製造此種靜電夾頭 200816344 (5) 之供電構造。 進而,本發明之別的目的在於提供··藉由再生於各種 裝置所被使用的靜電夾頭之供電構造,可以有效利用使用 完畢靜電夾頭之靜電夾頭供電構造之再生方法。 即本發明係一種靜電夾頭之供電構造,係針對於金屬 基盤的上面側,以靠近金屬基盤之順序具備:下部絕緣層 、電極層及表面絕緣介電層所形成的靜電夾頭,以:貫穿 # 前述金屬基盤的上下面間之貫穿孔、及配設於此貫穿孔內 ,將從金屬基盤的下面側所供給的電壓供應至層積在上面 側的電極層之供電端子、及以電氣絕緣性材料所形成,對 前述貫穿孔的內壁與供電端子之間予以絕緣,並且保持前 述供電端子之絕緣保持構件所構成,其特徵爲:前述供電 端子,係具有:突出金屬基盤的上面側之供電側端部,此 供電側端部的前端,係從前述電極層與下部絕緣層的界面 ,爲位於電極層側,且於前述電極層與表面絕緣介電層的 ® 界面以下。 另外,本發明係一種靜電夾頭供電構造之製造方法, 係針對於金屬基盤的上面側,以靠近金屬基盤之順序具備 :下部絕緣層、電極層及表面絕緣介電層所形成的靜電夾 頭,以:貫穿前述金屬基盤的上下面間之貫穿孔、及配設 於此貫穿孔內,將從金屬基盤的下面側所供給的電壓供應 至層積在上面側的電極層之供電端子、及以電氣絕緣性材 料所形成,對前述貫穿孔的內壁與供電端子之間予以絕緣 ,並且保持前述供電端子之絕緣保持構件所構成之靜電夾 -8- 200816344 (6) 頭供電構造之製造方法,其特徵爲具有:於貫穿孔內介由 絕緣保持構件而配設有供電端子,並且,於供電端子的一 部份突出金屬基盤的上面側之金屬基盤的上面側,熔射陶 瓷粉末來形成下部絕緣層之工程、及熔射金屬粉末,以將 突出金屬基盤的上面側之供電端子的供電側端部之前端予 以埋設之方式,或與供電側端部的前端成爲同一平面之方 式,來形成電極層之工程、及熔射陶瓷粉末,來形成表面 • 絕緣介電層之工程。 進而,本發明係一種靜電夾頭供電構造之再生方法, 係將針對於金屬基盤的上面側,以靠近金屬基盤之順序具 備:下部絕緣層、電極層及表面絕緣介電層所形成的靜電 夾頭,以:貫穿前述金屬基盤的上下面間之貫穿孔、及配 設於此貫穿孔內,將從金屬基盤的下面側所供給的電壓供 應至層積在上面側的電極層之供電端子、及以電氣絕緣性 材料所形成,對前述貫穿孔的內壁與供電端子之間予以絕 ^ 緣,並且保持前述供電端子之絕緣保持構件所構成之靜電 夾頭之供電構造予以再生之方法,其特徵爲具有:從使用 完畢之靜電夾頭的金屬基盤,將表面絕緣介電層、電極層 及下部絕緣層予以去除之工程、及於貫穿孔內介由絕緣保 持構件而配設有供電端子,並且,於供電端子的一部份突 出金屬基盤的上面側之金屬基盤的上面側,熔射陶瓷粉末 來形成下部絕緣層之工程、及熔射金屬粉末,以將突出金 屬基盤的上面側之供電端子的供電側端部之前端予以埋設 之方式,或與供電側端部的前端成爲同一平面之方式’來 -9 - 200816344 (7) 形成電極層之工程、及熔射陶瓷粉末,來形成表面絕緣介 電層之工程。另外,在本發明中,於靜電夾頭之表面絕緣 介電層側載置半導體晶圓或玻璃基板等之被處理物而予以 吸附’所以,在稱呼金屬基盤的上下面之情形時,將載置 被處理物之表面絕緣介電層側稱爲上面側,將其相反側稱 爲下面側。 〔發明效果〕 本發明之靜電夾頭之供電構造,供電端子的供電側端 部之前端,係從電極層與下部絕緣層的界面起,位於電極 層側,且是電極層與表面絕緣介電層的界面以下,供電端 子與電極層可以確實接觸,能防止裂痕之發生。特別是使 供電端子的供電側端部,於前端具有保有特定面積之頂面 ,並且形成爲朝向前端逐漸縮徑之突起狀,施加於下部絕 緣層之應力可以與以分散,供電構造的熱梯度所導致之熱 負載,或熱循環所導致之熱負載對表面絕緣介電層、電極 層及下部絕緣層之裂痕可被抑制,可以盡可能地避免靜電 夾頭的溫度特性之局部性劣化或顆粒的發生等之問題’能 獲得耐久性優異之靜電夾頭。進而,可以延長靜電夾頭的 壽命。 另外,藉由本發明之靜電夾頭供電構造之再生方法’ 藉由於在種種之裝置所被使用的使用完畢之靜電夾頭適用 本發明之供電構造,可以有效利用使用完畢靜電夾頭’並 且可以謀求長壽命化。 -10- 200816344 ⑹ 【實施方式】 以下’依據所附圖面,具體說明本發明之合適的實施 形態。 首先’說明本發明之靜電夾頭之供電構造。第1圖係 表示靜電夾頭之供電構造的剖面說明圖,係將於金屬基盤 1的上面側,從靠近金屬基盤1之順序,具備:下部絕緣 層4、電極層5及表面絕緣介電層6所形成的靜電夾頭之 供電構造予以放大之圖。即此供電構造係以:貫穿金屬基 盤1之上下面間的貫穿孔7、及配設於此貫穿孔7內,將 從金屬基盤1的下面側所供給之電壓供給至層積於上面側 的電極層5之供電端子3、及以電氣絕緣性材料所形成, 且將貫穿孔7的內壁與供電端子3之間予以絕緣,並保持 供電端子2之絕緣保持構件2所構成。 然後,前述供電端子3係具有突出金屬基盤1的上面 側之供電側端子3 a,此供電側端子3 a的前端係從前述電 極層5與下部絕緣層4之界面起,位於電極層5側,且位 於前述電極層5與表面絕緣介電層6的界面以下。即如將 電極層5與下部絕緣層4的界面設爲h、將電極層5與 表面絕緣介電層6的界面設爲12,則在本發明中,供電 側端子3a的前端之位置X,係滿足12之關係式。 關於此關係,利用第2圖來具體說明時,在第2 ( a )圖中,供電側端子3 a的前端之位置X係在電極層5與 下部絕緣層4的界面(x = l ! ) ,X不滿足前述關係式。另 -11 -
200816344 ⑼ 一方面,在第2(d)圖中,χ係超過電 介電層6的界面(X>12),不滿足前述 子3a的前端一到達表面絕緣介電層6 的表面絕緣介電層變薄,有無法確保對 之虞。相對於此,在第2 ( b )圖中,供 端位於電極層5的內部(x> h ) ,χ滿 外,在第2(c)圖中,χ位於電極層5 6之界面(x = l2),滿足前述關係式。 另外,在本發明中,如供電側端子 χ滿足前述關係式,則供電側端子3 a 特別限制,可以形成具有特定面積的頂 亦可。以供電端子3的供電側端子3 a 定面積的頂面3b,並且,形成爲朝向 起狀爲佳。供電側端子3 a形成爲突起 面3b,則供電端子3與電極層5可以 放電等之虞可盡可能予以排除。另外, 向前端逐漸縮徑,對於下部絕緣層4, 側面3 c嵌合之關係來接觸,可以比較 載所產生的應力分散,能夠防止裂痕之 供電端子3的具體之大小,雖依據裝備 之大小或靜電夾頭的裝置之形狀等而不 係外徑 Φ 2〜1 0 m m。另外’於供電側每 頂面之情形時,例如可以作成直徑2〜 進而,關於供電側端部的側面3 c 極層5與表面絕緣 關係式。供電側端 的內部時,該部分 於高電壓的絕緣性 ί電側端子3 a的前 足前述關係式,另 與表面絕緣介電層 3 a的前端之位置 的前端之形狀並無 面,或者形成頂點 於頂端具有保有特 前端逐漸縮徑之突 狀,於前端具有頂 確實地接觸,引起 供電側端子3 a朝 係以供電側端部的 廣範圍地使由熱負 ,發生。另外,關於 ί處理半導體晶圓等 同,但是,通常, g子3a的前端形成 4.5mm之圓形狀。 :,以至少使與下部 -12- 200816344 (10) 絕緣層4接觸的部分成爲具有特定的曲率之曲面更佳。可 以使如前述之應力分散效果進一步提升。此處,關於形成 曲面之曲率半徑,並無特別限制,雖依據供電側端子3 a 的長度或設置於前端的頂面之大小等而不同,但是,可綜 合從應力分散的觀點或與電極層之接觸面積來決定。具體 而言,可以設在R〇.25mm〜R1 .5mm程度之範圍,能使放 電之虞可盡可能地予以排除。另外,在本發明中,所謂供 • 電側端子3a朝向前端而逐漸縮徑,係排除供電側端子3a 朝向前端,直徑擴大之情形的意義。即可以有相同直徑部 分存在,例如,關於存在於電極層5的內部之供電側端子 3 a,至前端爲止,直徑可以設爲相同。 接著,一面舉例表示前述供電構造之製造方法,並進 一步說明本發明。 首先,準備於貫穿孔7內介由絕緣保持構件2而配設 有供電端子3之金屬基盤1。此時,使供電端子3的一部 ^ 份突出於金屬基盤1的上面側,來形成供電側端子3 a。 然後,於此金屬基盤1的上面側熔射氧化鋁、氮化鋁等之 陶瓷粉末,來形成下部絕緣層。此處,關於陶瓷粉末的純 度,以99.9〜99.99%爲佳。另外,下部絕緣層4的膜厚 ’雖依據裝置所被使用之環境而不同,但是,通常設爲 200 〜500 // m 爲佳。 關於前述供電端子3之材質雖無特別限制,但是,從 耐鈾性的觀點而言,以由金屬鈦所形成者爲佳。另外,關 於金屬基盤,只要是通常所使用者即可,例如鋁、銅、不 -13- 200816344 (11) 鏽鋼、包含彼等之各種合金外,可舉陶瓷與金屬之複合材 料(MMC )等。另外,供電端子3與絕緣保持構件2之 間,絕緣保持構件2與貫穿孔7之內壁之間,例如可以使 用環氧樹脂系或矽系的接著劑來接合。 另一方面,關於絕緣保持構件2的材質,例如雖可舉 * :可加工陶瓷、氧化鋁陶瓷、藉由熔射之氧化鋁陶瓷等, 但是,至少露出金屬基盤的上面側之部分,以由多孔質陶 # 瓷來形成爲佳。第3圖係表示以多孔質陶瓷2a來形成絕 緣保持構件2的下部絕緣層4側之一部份的情形時之剖面 說明圖。如此,藉由以多孔質陶瓷來形成露出金屬基盤1 的上面側之部分,藉由陶瓷粉末的熔射,來形成下部絕緣 層4時,陶瓷粉末被熔射於多孔質之孔,可以形成強固之 接合部分。另外,使下部絕緣層4側的一部份成爲多孔質 陶瓷來與下部絕緣層接觸之情形的效果,不受供電側端部 的前端之位置或供電端子的形狀的影響,可以獨立地發揮 • 。但是,藉由與依據本發明之供電構造的供電側端部的前 端之位置或形狀組合,可以進一步提升抑制裂痕發生的效 果。 例如,供電端子爲金屬鈦之製的情形,鈦的熱膨脹係 數爲8.6xl(T6/°C,一般比起下部絕緣層或形成後述的電 極層之材質還大(例如,氧化鋁6.5x 1 (Γ6/ °C、鎢4.5x 1(T6/ °C )。因此,供電端子3受到熱負載時,於絕緣保 持構件2之方向產生應力,於下部絕緣層4與絕緣保持構 件2之間相互拉離之力量作用,有可能成爲裂痕之原因。 -14- 200816344 (12) 因此,如前述般,以同等的材質來形成絕緣保持構件2與 下部絕緣層4,並且,藉由使在兩者的界面之接合更強固 ,可以有效地防止裂痕之發生。另外,關於多孔質陶瓷的 氣孔率,以0.5〜30%爲佳,特別是如爲5〜10%,容易確 保與下部絕緣層4之連接性,另外,從使用環氧樹脂、丙 烯樹脂等來進行之氣孔的封孔處理性的觀點而言,更爲理 想。 # 另外,在使絕緣保持構件2的材質爲多孔質陶瓷之情 形,如第3圖所示般,至少只是與下部絕緣層4接觸的部 分以多孔質陶瓷來形成即可,或者全部由多孔質陶瓷來形 成絕緣保持構件2亦可。 接著,對在前述所形成的下部絕緣層4熔射金屬粉末 來形成電極層5。此時,爲了使突出金屬基盤1的上面側 之供電端子3的供電側端子3 a的前端之位置X滿足1 : <x S 1 2的關係式,即使供電側端子3 a的前端埋設於電極層 • 5內,或供電側端子3a的前端與電極層5形成同一面。 關於爲了形成電極層5所使用的金屬粉末,並無特別限制 ,從耐久性或熔射之簡易性的觀點,以高熔點金屬爲佳, 具體而言,可以使用鉬或鎢。所使用之金屬粉末的純度, 以9 9.9 9%以上爲佳。另外,關於電極層5的膜厚,雖依 據裝置所被使用之環境而不同,通常以設爲20〜60 // m 爲佳。另外,電極層5雖也可以塗佈將前述之高熔點金屬 作成糊狀者來形成,但是,從耐久性之觀點而言,比熔射 差0 -15- 200816344 (13) 然後,於前述電極層5熔射氧化鋁、氮化鋁等之陶瓷 粉末,來形成表面絕緣介電層6時,可以獲得具備本發明 之供電構造的靜電夾頭。關於形成此表面絕緣介電層6之 陶瓷粉末的純度,係與下部絕緣層4的情形相同。另外, 關於表面絕緣介電層6的膜厚,雖依據裝置所被使用之環 境而不同,但是,通常可以設爲200〜500 /Z m。另外,關 於吸附半導體晶圓之表面絕緣介電層6的表面,可以進行 # 平坦化處理,使平坦性成爲5〜1 0 # m之範圍內。另外, 關於下部絕緣層4、電極層5及表面絕緣介電層6的露出 面,以密封藉由熔射所形成之氣孔的目的,例如可以使用 矽樹脂、環氧樹脂、丙烯樹脂等來進行真空含浸處理。 另外,利用本發明之供電構造之製造方法,也可以再 生使用完畢之靜電夾頭之供電構造。即準備:從使用完畢 靜電夾頭之金屬基盤1,以機械性或化學性方式來去除表 面絕緣介電層6、電極層5及下部絕緣層4,於貫穿孔內 • 配設供電端子,並且,使供電端子的一部份突出對金屬基 盤的上面側之金屬基盤。然後,與供電構造之製造方法相 同,形成下部絕緣層4、電極層5及表面絕緣介電層6, 可以再生爲具備本發明之供電構造之靜電夾頭。 在形成電極層之前,調整供電端子的供電側端部的高 度,加工爲使前端具有保有特定面積的頂面,並且,朝向 前端逐漸縮徑之突起狀亦可。另外,在從使用完畢靜電夾 頭去除表面絕緣介電層6、電極層5及下部絕緣層4時, 也去除絕緣保持構件2,並更換爲新品亦可。此時’也可 -16- 200816344 (14) 以至少使露出金屬基盤1的上面側之部分係由多孔質陶瓷 所形成。另外,關於使用完畢靜電夾頭,在各種裝置被使 用特定時間,產品壽命已經結束者之外,係包含:於到達 產品壽命之前,由於某種問題,表面絕緣介電層6劣化、 ' 裂痕發生、基於其他損傷或消耗等,無法繼續使用者。 〔實施例1〕 說明具有第1圖所示供電構造之靜電夾頭的實施例。 準備<i>230mmx48mm之銘製金屬基盤1。此金屬基盤 1的上面側之平坦度係1 〇 // m以下。於金屬基盤1形成有 貫穿上下面之最大徑 Φ 1 1 .1 mm的貫穿孔7,另外,形成 複數個圖示外之管路。關於管路,有:使用冷卻水,直接 冷卻金屬基盤1者、及對載置於靜電夾頭之半導體晶圓等 的被處理物的背面通以氦等氣體者。 供電端子3係由將鈦材料予以機械加工所獲得者,最 大外徑 Φ 5mm、長度47mm。另外,於供電側端子3a的 前端形成有直徑3mm的頂面3b,供電側端子3a的側面 3c係由曲率半徑R1 mm的曲面所形成。此供電端子3係 以於金屬基盤1的上面側形成有突出3 50 // m之供電側端 子3 a的方式’介由樹脂製的絕緣保持構件2而被配設於 貫穿孔7內,供電端子3與絕緣保持構件2之間及絕緣保 持構件2與貫穿孔7的內壁之間,係個別藉由圖示外的環 氧樹脂系之接著劑而被接合。另外,第1圖所示之絕緣保 持構件2的外徑係1 1 m m。 •17- 200816344 (15) 如前述般,將供電端子3配設於貫穿孔7內,於供電 端子3的供電側端子3 a突出的金屬基盤1之上面側熔射 純度99.9 9%的氧化鋁,形成厚度300 // m的下部絕緣層4 。接著,熔射純度99.99%的鎢,使與供電端子3的頂面 3 b成爲相同高度,來形成厚度50/zm的電極層5。另外 ,在形成電極層5之工程前,爲了形成下部絕緣層4所使 用之氧化鋁,會附著於供電端子3,去除不需要的氧化鋁 • 〇 接著,於電極層5之上熔射純度99.99%的氧化鋁, 形成厚度3 0 0 μ m之表面絕緣介電層6。之後,處理使表 面絕緣介電層6的表面的平坦性成爲5〜1 0 μ m的範圍內 ,另外,爲了密封下部絕緣層4、電極層5及表面絕緣介 電層6的露出面,使用矽進行真空含浸處理,完成靜電夾 頭。另外,於熔射下部絕緣層4、電極層5及表面絕緣介 電層6時,以大氣熔射來進行。 〔實施例2〕 接著,說明再生使用完畢靜電夾頭之供電構造的情形 時之實施例。 首先,從使用完畢靜電夾頭一部份以人工作業一面藉 由機械性切削,來去除表面絕緣介電層6、電極層5、及 下部絕緣層4。從金屬基盤1去除下部絕緣層4時’在 0.1〜0.5mm的範圍內去除金屬基盤1的上面側,使平坦 性成爲1 〇从πι以下。 -18· 200816344 (16) 接著,如第1圖所示般’以球端面銑刀來加工供電端 子的供電側端部,於前端形成直徑3mm的頂面3b,另外 ,形成具有R1 mm的曲率半徑之側面3c:。然後,使下部 絕緣層4的膜厚成爲3 00 // m+ α ( α係相當於將金屬基盤 1之上面側去除之份)以外,與實施例1相同,形成下部 絕緣層4、電極層5及表面絕緣介電層6,再生爲具備本 發明之供電構造之靜電夾頭。另外,前述α係再生前後之 φ 金屬基盤的厚度調整量,例如硏磨金屬基盤並去除0.5mm 之情形時,則設α =0· 5mm來形成下部絕緣層4。其結果 爲,可以使再生前後之靜電夾頭的能力相等。 〔實施例3〕 說明具有第3圖所示供電構造之靜電夾頭的實施例。 準備與實施例1同樣的金屬基盤1及供電端子3,於金屬 基盤1的貫穿孔7內介由絕緣保持構件2而供電端子。此 時,下部絕緣層4側係使用氣孔率爲5〜1 0%之氧化鋁製 絕緣保持構件2a。此氧化鋁製絕緣保持構件2a係與之後 形成的下部絕緣層4同樣的材質,外徑1 1 mm、長度 1 0mm。除此之外,與實施例1相同。 接著,於氧化鋁製絕緣保持構件2a露出之金屬基盤 1的上面側,熔射純度99.99%之氧化鋁粉末,形成膜厚 300 // m之下部絕緣層4。此時,下部絕緣層4的一部份 係與氧化鋁製絕緣保持構件2a接觸而形成強固的接合面 。以後,與實施例1相同,完成具備本發明之供電構造之 -19 - 200816344 (17) 靜電夾頭。 〔實施例4〕 使用第4圖所示之以往例的靜電夾頭,說明再生具有 第3圖所示供電構造之靜電夾頭的實施例。 首先,與實施例2相同,從使用完畢靜電夾頭去除表 面絕緣介電層6、電極層5、及下部絕緣層4,之後,從 • 金屬基盤1的貫穿孔7去除使用完畢之供電端子及絕緣保 持構件。接著,硏磨金屬基盤1的上面側,在 〇· 1〜 0.5 mm之範圍予以去除,使平坦性成爲10/zm以下。另 外,與實施例2相同,以球端面銑刀加工供電端子之供電 側端部,於前端形成直徑3mm的頂面3b,另外,形成於 側面具有R 1 m m之曲率半徑的曲面3 c。 然後,介由絕緣保持構件2而於金屬基盤1的貫穿孔 7內配設前述供電端子。此時,下部絕緣層4側係使用氣 # 孔率爲5〜10%之氧化鋁製絕緣保持構件2a。此氧化鋁製 絕緣保持構件2 a係與之後形成的下部絕緣層4相同材質 ,外徑1 1 mm、長度1 0mm。除此之外,與實施例1相同 〇 接著,於氧化鋁製絕緣保持構件2a露出之金屬基盤 1的上面側熔射純度99.99%之氧化鋁粉末,形成膜厚300 /zm+a (α係相當於將金屬基盤1之上面側去除之份) 的下部絕緣層4。此時’下部絕緣層4的一部份與氧化鋁 製絕緣保持構件2a接觸,形成強固的接合面。以後,與 -20- 200816344 (18) 實施例1祖同,再生具備本發明之供電構造之靜電夾頭。 〔產業上之利用可能性〕 如依據本發明,可以緩和靜電夾頭受到熱負載或熱循 環時,在供電構造所發生之熱應力,能作成下部絕緣層、 電極層5及表面絕緣介電層不容易發生裂痕之供電構造, 所以,能盡可能地避免靜電夾頭之溫度特性的局部性劣化 或顆粒之發生等問題,進而,可以延長靜電夾頭之壽命。 因此,在製造新的靜電夾頭時,當然沒有問題,利用使用 完畢靜電夾頭,再生爲具備本發明之供電構造的靜電夾頭 亦屬可能,以往,依據情形被廢棄之使用完畢靜電夾頭可 以有效地利用。另外,特別是不限定於靜電夾頭之供電構 造,接受同樣之熱負載或機械性負載者,例如汽車之引擎 、高熱爐、電力之渦輪等也可以適用。 【圖式簡單說明】 第1圖係表示本發明之靜電夾頭之供電構造的剖面說 明圖。 第2圖係表示供電側端部3 a對電極層之前端的位置 關係的剖面說明圖。 第3圖係以多孔質陶瓷形成絕緣保持構件的一部份( 下部絕緣層4側)之供電構造的剖面說明圖。 第4 ( a )圖係以往之靜電夾頭之剖面說明圖,第4 ( b)圖係供電構造之放大圖(一部份)。 -21 · 200816344 (19) 【主要元件符號說明】 1 :金屬基盤 2 :絕緣保持構件 3 :供電端子 3a :供電側端部 3b :頂面 _ 3 c :側面 4 :下部絕緣層 5 :電極層 6 :表面絕緣介電層 7 :貫穿孔 8a、8b :裂痕 1i :電極層與下部絕緣層之界面 1 2 :電極層與表面絕緣介電層之界面 • X :供電側端部的前端之位置 -22-