TW200813255A - Environmentally friendly electroless copper compositions - Google Patents

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TW200813255A
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acid
electroless
electroless copper
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TW096124417A
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Mark A Poole
Andrew J Cobley
Amrik Singh
Deborah V Hirst
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Rohm & Haas Elect Mat
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    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42Plated through-holes or plated via connections
    • H05K3/422Plated through-holes or plated via connections characterised by electroless plating method; pretreatment therefor

Description

200813255 ^ 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域] . 本發明係有關環保的鹼性無電鍍銅組成物。更明確地 說’本發明係有關能提供改良的銅沈積之環保的鹼性無電 鍵銅組成物。 【先前技術】 無電鐘銅鍍覆組成物(plating composition),亦稱為鍍 浴(bath) ’係廣泛地用在金屬化工業中,以將銅沉積於各式 肇各樣的基材。於印刷線路板的製造中,例如,該無電鍍銅 鍍浴係用於將銅沉積於通孔(thr〇ugh-h〇le)及電路通道 (circuit path)作為後續電解銅鐘覆的基底。無電鍍銅鐘覆亦 用於裝飾性塑膠工業中,以將銅沉積於非導電表面作為進 一步鍍覆銅、鎳、金、銀及其它所需金屬之基底。現今在 商業上使用的典型鍍浴含有二價銅化合物、二價銅離子的 螯合劑或錯合劑、甲醛還原劑及各式各樣的添加劑,以使 ⑩該鍍浴更加安定、調整該鍍覆速率及使該銅沉積物明亮。 雖然許多此等鍍浴是成功的且被廣泛地使用,但由於甲醛 的毒性之故,該金屬化工業仍在尋找不含甲醛之替代性無 電鍍銅鍍覆浴。 曱醛已知為眼睛、鼻子及上呼吸道刺激物。動物研究 顯示曱醛為體外之突變劑(mutagen)。根據WATCH委員會 報告(WATCH/2005/06-管制化學品作用的工作團隊-英國健 康及安全委員會的小組委員會)(WATCH/2005/06-Working group on Action to Control Chemicals-sub committee with 5 93997 200813255 UK Health and Safety Commission),在 2000 年之前已進行 超過五十份流行病學研究,提出甲醇與鼻咽癌/鼻癌之間的 r 關聯,但並未經過最終證實。然而,美國的IARC(國際癌 症研究機構;International Agency for Research on Cancer) 所進行之更近期的研究顯示有足夠流行病學證據證實甲醛 在人體内造成鼻咽癌。於是,INRS(法國機構)提出提案至 歐洲共同體分類及標記工作群組(European Community Classification and Labelling Work Group)將甲酸自等級 3 _致癌物重新分類為等級1致癌物。此舉將使得甲醛的使用 及處理受到更多的限制,包含無電鍍銅的配方。因此,在 金屬化工業中,對於用以替代曱醛之相當的或經改良的還 原劑係有所需求。此等還原劑必須與現行的無電鍍銅製程 相容;提供所欲的能力及可靠性,而且符合成本目標。 有人建議使用次磷酸鹽作為曱醛的替代品;但是,含 有此化合物之鍍浴的鍍覆速率一般而言都太慢。包括例如 肇硼氫化物鹽及二曱基胺硼烷(DMAB)等在内的化合物亦作 為還原劑使用。然而,此類含硼化合物經嘗試有各種不同 程度的成效。再者,此等化合物比曱醛昂貴而且也有健康 及安全上的爭議。DMAB具有毒性。此外,所得的谢酸鹽 釋玫至環境中對作物具有不利的影響。 除了該等環境問題之外,金屬化工業亦需要不會由於 成分不相容性而負面地影響鍍覆浴的安定性之替代性還原 劑。再者,該等鍍浴在鍍浴安定性及銅沈積物品質方面必 須符合工業標準。該等鍍浴應該不會形成氧化銅沈澱物。 6 93997 200813255 銅沈和物必須至少符合背光值(backlight value)的工業標 . 準而且消除或降低互連件缺陷(ICD)形成的可能性。 • 典型地’大於4的背光值表示無電鍍銅鍍浴在基材上 沈積充分均勻的銅層以提供可靠的導電度。此外,此等值 表不良好的銅黏著力(adhesion)。不良的黏著力經常造成電 子物件的ICD。舉例來說,具有良好黏著力的均勻銅沈積 物對於印刷線路板的通孔壁係重要的。在該等通孔壁上的 均勻銅沈積物將使多層印刷線路板的相鄰線路板之間能得 到最適且的電氣連通(electrical c〇mmunicaf;i〇n)。良好的黏 著力將防止板子之間的ICD(亦即,在沈積的銅中間層之間 的界面處之暗線)。由於缺陷性銅沈積物,以致電子物件的 二相鄰板子之間的電氣連通不足,因而將造成該物件的操 作故P早。因此’具有良好的背光值之無電鍍銅鍍浴對金屬 化產業係重要的。 美國專利案第6,660,071號揭示不含甲醛的無電鍍銅 #鍍浴。該無電鍍銅鍍浴包括作為甲醛替代物之乙醛酸。該 無電鍍銅鍍浴也包括作為反應加速劑的羧酸類,以加速該 還原劑的氧化反應。此等酸為乙醇酸、乙酸、甘胺酸、草 酸、丁二酸、蘋果酸、丙二酸、捧樣酸及氮基三乙酸。該 鍍浴據稱具有相當於含有甲駿作為還原劑之鍍浴的鑛覆反 應速率。 儘管有不含▼醛的無電鐘銅鑛浴,但是仍然需要不含 甲醛且環保並能提供工章上可接為 杀上J接又的銅沈積物之無電鑛銅 93997 200813255 、 【發明内容】 、 於一態樣中,本發明組成物包括一種或多種銅.子來 •、原 種或夕種疏基缓酸(thiocarboxylic cid)、乙駿酸及其 鹽、以及一種或多種鹼性化合物以將該組成物維持於鹼性。 於另一態樣中,本發明方法包括a)提供基材;以及 b)使用無電鍍銅組成物在該基材上無電沈積銅,該無電鍍 銅組成物包含一種或多種銅離子來源、-種或多種疏基羧 酸、乙藤酸及其鹽、以及一種或多種驗性化合物以將該叙 成物維持於鹼性。 於又-態樣中,本發明方法包括:a)提供具有複數個 UL的印刷線路板;b)去除該等通孔的膠渣;以及c 銅組成物在該等通孔壁上沈積銅,該無電鍍銅组 絲包卜種或多種銅離子來源、—種或多韻基緩酸、 乙輕酸及其鹽、以及一種或多種驗性化 成 維持於鹼性。 將该、、且成物 於再一態樣中,該無電鍍銅組成物可包括一種或 額外的金屬離子以在基材上沈積 二/ 子包括錫及鎳。此領外的金屬離 >該無電鍍銅組成物不”_謂保又安定。該 之热電鍍銅組成物提供如超過4 / 沈積物。此外,該等鋼沈積物對=二=不的均勾銅 顯示之良好黏著力。 L基材具有如沒有IC〇所 【實施方式】 當用於本說明書全文中時, 除非内文中另行清楚地指 93997 8 200813255 _明:否則下列所提供的縮寫具有下述意 •宅克;毫升,·!-公升;cm=公分;心 ▲克,mg= 微米,· min =八於· ; 米;μιη= •财酿.刀鐘,s,;綱=每 氏度數;M=莫耳濃度;脚每 之~數’ C, 百刀比,Tg,璃轉移溫度;及 克 平方秒,、斤)(10-2米)/平方秒_5牛頓/克·么刀/ 術;口印刷電路板」與「印刷狳致紅、士 -Γ i ^ ^ 、、友路板」在此說明書全 文中f相互父換使用。術語「錢覆(piating)」與「 n二釋,否則所有的量皆㈣ 圍白匕3上、下限值,除了此等數值範圍邏輯上必然受到 總和至乡100%之限制外,餘皆可以任何順序組合使用。 鹼性無電鍍銅組成物不含甲搭而且係環保的。該鹼性 :電鍍銅組成物在基材上提供具有良好黏著力的均勻銅沈 積物。該鹼性無電鍍銅組成物包括一種或多種銅離子來 源、一種或多種巯基羧酸、乙醛酸及其鹽、以及一種或多 種鹼性化合物以將該組成物維持於驗性。習知添加劑也可 包括在該組成物中。添加劑包括,但不限於,一種或多種 錯合劑、抗氧化劑、安定劑(例如彼等能調整機械性質,提 么、速率控制’精製晶粒結構(refine grain structure)而且調 整沈積物應力者)、緩衝劑、界面活性劑及一種或多種合金 化金屬來源。 銅離子來源包含,但不限於,銅的水溶性鹵化物、硝 酸鹽、乙酸鹽、硫酸鹽及其它有機及無機鹽。一種或多種 9 93997 200813255 ♦此類銅鹽的混合物可用來提供銅離子。實例包含:硫酸銅, 例如,五水合硫酸銅;氯化銅;硝酸銅;氳氧化銅;及胺 基石黃酸銅。該組成物中可使用習知用量的銅鹽。該組成物 '中銅離子的濃度範圍可介於0.5公克/公升至30公克/公 升,或例如1公克/公升至20公克/公升,或例如5公克/ 公升至10公克/公升。 螯合劑係選自一種或多種疏基叛酸類。此類酸包括, 但不限於,具有下列化學式的化合物:
HS-(CX1)r-(CHX2)s-COOH 其中Xi為-H或-COOH ; X2為-Η或-SH ; r及s為正整數, 其中r為0至2,或0或1 ;以及s為1或2。此巯基羧酸 的實例為魏基乙酸(thioglycolic acid)、魏基丙酸 (thiopropionic acid)、魏基 丁二酸(thiomalic acid)及二魏基 二丁二酸(dithiodisuccinic acid)。此等疏基叛酸類與乙酸酸 及其鹽類相容而且經由防止氧化銅形成而安定該等無電鍍 銅組成物。魏基魏酸類係以0.01 ppm至20 ppm,或例如 0.25 ppm至10 ppm,或例如0.5 ppm至5 ppm的量内含於 該無電鍍銅組成物中。 乙醛酸及其鹽類係作用為還原劑而且可替代不環保 的甲醛,據悉曱醛為致癌物質。乙醛酸並非致癌物質。乙 醛酸的含量為10公克/公升至100公克/公升,或例如20 公克/公升至80公克/公升,或例如30公克/公升至60公克 /公升。 該等組成物中也可包括界面活性劑。該等組成物中可 10 93997 200813255 包括習知界面活性劑。此等界面活性劑包括離子型(例如陽 #子型及陰離子型界面活性劑)、非離子型及兩性界面活性 劑。該等界面活性劑的混合物亦可使用。界面活性劑於該 等組成物中的含量可為〇·〇〇1公克/公升至50公克/公升, 或例如0·01公克/公升至50公克/公升。 陽離子界面活性劑包含,但不限於,鹵化四烷基銨、 鹵化烷基三曱基銨、羥乙基烷基咪唑啉、函化烷基苯曱烴 銨(alkylbenzalkonium halide)、乙酸烷基胺(&1]^1&111]^ acetate)、油酸烷基胺(alkylamine oleate)及烷基胺乙基甘胺 酸。 陰離子型界面活性劑包含,但不限於,烷基苯磺酸 鹽、烧基或烷氧基萘磺酸鹽、烷基二苯基醚磺酸鹽、烷基 醚石?、®欠鹽、丈元基硫酸酯、聚氧伸乙基(p〇iy〇Xyethylene)烧 基醚硫酸酯、聚氧伸乙基烷基酚醚硫酸酯、高級醇磷酸單 酯、聚氧伸烷基烷基醚碟酸(碟酸鹽)及續酸基琥珀酸烷基 酯鹽。 兩性界面活性劑包含,但不限於,2_烷基_N-羧甲基或 乙基羥乙基或曱基咪唑鏽甜菜鹼類、2-烷基_N_羧甲基 或乙基羧曱氧基乙基咪唑鏽甜菜鹼類、二甲基烷基甜菜 鹼類、N-烷基-β -胺基丙酸類或其鹽類、以及脂肪酸醯胺 丙基二曱基胺乙酸甜菜鹼類。 典型地,該界面活性劑為非離子型。非離子型界面活 性劑包括,但不限於,烷基苯氧基聚乙氧基乙醇、具有自 20至150個重複單元之聚氧伸乙基聚合物、以及聚氧伸乙 93997 11 200813255 基(polyoxyethylene)和聚氧伸丙基(poly〇Xypr〇pylene)之嵌 段共聚物(block copolymer)。界面活性劑可依習知用量使 用0 抗氧化劑包括,但不限於,一元、二元及三元酴,其 中的一個或多個氣原子可未經取代或經_C〇〇h、jq3h、 低碳數烷基或低碳數烷氧基取代;對苯二酚;鄰苯二酚; 間苯二酚;氳醌(quinol);五倍子酚;偏苯三酚;間苯三酚; 癒創木酚;五倍子酸;3,4-二羥苯曱酸;酚磺酸;甲酚磺 酸,對苯二酚磺酸;鄰苯二酚磺酸;鄰苯二酚二碏酸 鈉(tiron);及其鹽類。抗氧化劑係以習知用量包含於該組 成物中。 該等無電鍍銅鍍覆組成物中包括鹼性化合物 pH值至少為9。高驗性ρΗ值係理想的,因為還原劑的 化電位隨該pH值的增加而轉移至較大負值,因而使得 銅的沉積仙是熱力學上有㈣。典型地 益 鍍覆組成物具有10至14之?1^值。爭i别丄子”、、冤鍍 鍍銅鍍覆組成物具有11.5至1352pH值。土 ,該等無 一種或多種可提供在熱力學上有利的邱範圍内的 性組成物之化合物都可使用。鹼 ' 一插弋户旌认γ 儿口物包括,但不限於 種或夕種南双性虱氧化物,例如, 氫氧化經。典型地,錢用h ^减鋼、氫氧化卸 ^ 使用風礼化鈉、氫氧化鉀或豆、、曰 物。更典型地,係使用氫氧化 此 93997 12 200813255 該等無電鍍組成物中也可包括一種或多種合金化金 屬,以形成銅的合金。此等合金化金屬包括,但二限於了 鎳及錫。銅合金的實例包括銅/鎳及銅/錫。該銅合金业 為銅/鎳。 +鎳離子來源可包括一種或多種習知鎳的水溶性鹽。錄 離子來源包括,但不限於,硫酸鎳及心鎳。鎳離子來源 可以習知用量内含於該等無電鑛合金化組成物中。錄離ς ㈣的含“㈣〇·5公克/公升至1〇公克/公升,或例如 馨1公克/公升至5公克/公升。 鍚離子來源包括-種或多種習知錫的水溶性鹽。錫離 括,但不限於,硫酸錫、齒化錫及有機磺酸錫。 、’肖來源可以習知用量内含於該等無電鍍組成物中 源的含量典型為G.5公克/公升至1G公克 例如1公克/公升至5公克/公升。 次 ▲、該驗性無電鍍銅及銅合金組成物中可包括其他 籲=修飾該組成物達到最理想的性能。此等添加劑之^ ^習知用於無電鍍銅及銅合金組成物者且為此技藝中所 視萬要的習知添加劑包括徊 人 彻私4匕祜但不限於,含硫化合物 如’知基吡啶、巯基苯并噻 吡 * #主石瓜脲,化合物,例如 古疋H瘦琳、吲哚、,唾、咪唑、n比畊及其_ 醇頰,例如,炔醇、烯丙醇、芳处/、 代之关fπ X ^ ^方基知及裱狀酚;經羥基巧 八之方知化合物,例如 ^ 經基-Mm 二 基本甲酸甲醋、2,5、 ’ 一羥基奈,羧酸,例如,檸檬酸、港 9399? 13 200813255 石酸、琥珀酸、蘋果酸、丙二酸、乳酸、乙酸及其鹽;胺 類;胺基酸;水溶性金屬化合物,例如,金屬氯化物及金 屬硫酸鹽;矽化合物,例如,矽烷、矽氧烷及低至中等分 子量的聚石夕氧炫;鍺及其氧化物和氫化物;以及聚伸烧基 二醇(polyalkylene glycol)、纖維素化合物、烧基苯基乙氧 基化物及聚氧伸乙基化合物(polyoxyethylene compound);以及安定劑,例如,塔哄、甲基派唆、1,2-二-(2-吡啶基)乙烯、1,2-二-(吡啶基)乙烯、2,2’-二吡啶基 _胺、2,2’-聯吡啶、2,2,-聯嘧啶、6,6’-二甲基-2,2、聯吡啶、 二-2-¾匕淀基酮(di_2_pyridylketone)、N,N,N’,N’-四伸乙二 胺、萘、1,8-瞭啶、1,6-嘹啶、四硫富瓦烯 (tetrathiafulvalene)、三聯吼咬、鄰苯二曱酸、間苯二曱酸 及2,2’-二苯曱酸。此等添加劑於該無電鍍銅組成物中的含 量可為 O.Olppm 至 lOOOppm,或例如自 0.05ppm 至 lOppm。 其他習知的添加劑包括,但不限於,羅謝耳鹽 ⑩(Rochelle salt)、伸乙二胺四乙酸之納鹽、氮基乙酸及其驗 金屬鹽、三乙醇胺、經修飾之伸乙二胺四乙酸例如:N-經 基伸乙二胺三乙酸鹽、經羥烷基取代之二伸烷基三胺如: 五羥基丙基二伸乙三胺、以及化合物如:N,N-二羧曱基L-麩胺酸四鈉鹽。此外,亦可包含s,s-伸乙二胺二琥珀酸及 1^^’,>^’-肆(2-羥丙基)伸乙二胺(伸乙基二氮基)四-2-丙 醇。典型地,此等添加劑係使作用為錯合劑以保持溶液中 的銅(II)。此等錯合劑可以習知用量包含於該組成物中。典 型地,此等錯合劑的含量為自1公克/公升至50公克/公 14 93997 200813255 η 升或例如ίο公克/公升至4〇公克/公升。 ‘ 該等釦性無電鐘銅組成物可用於在導電性及非導電 、性基,二者上沈積鋼。該等鹼性無電鍍銅組成物可依許多 此技蟄中已知的習知方法使用。典型地,銅沈積在啊至 8〇。°〇的溫度進行。更典型地,該等無電鍍組成物在3(rc至 6〇c的溫度沈積銅。將欲鑛覆銅的基材浸在該無電鑛組成 物中或將該無電鑛組成物噴在該基材上。可使用習知的鑛 覆時間將該銅沈積在該基材上。沈積作用可進行5秒至3〇 刀鐘,無論如何,鍍覆時間可根據所欲之銅厚度予以改變。 基材包括,但不限於,包含無機及有機物質的材料, 例如,玻璃、陶瓷、瓷器、樹脂、紙、布及其組合。經金 屬被覆(metal-clad)及未被覆(undad)的材料亦為可利用該 無電鍍銅或銅合金組成物予以鍍覆之基材。 基材亦包括印刷電路板。此等印刷電路板包括金屬被 覆及未被覆之熱固性樹脂、熱塑性樹脂及其組合,包含纖 馨維,例如玻璃纖維,以及前述各者的浸潰具體例。 熱塑性樹脂包括,但不限於,縮醛樹脂;丙稀酸系 (acrylics),例如,丙烯酸曱酯;纖維素樹脂,例如,乙酸 乙酯、丙酸纖維素、乙酸丁酸纖維素及硝酸纖維素;聚醚; 尼龍(nylon);聚乙烯;聚苯乙烯;苯乙烯摻合物,例如, 丙烯腈苯乙烯與共聚物、.以及丙烯腈-丁二烯苯乙烯共聚 物;聚碳酸酯;聚氯三氟乙烯;以及乙稀系聚合物 (vinylpolymer)與共聚物,例如,乙酸乙烯酯、乙烯醇、乙 烯縮丁醛(vinyl butyral)、氯乙烯、氯乙烯-乙酸酯共聚物、 93997 15 200813255 二氯乙烯及乙烯縮甲盤(vinyl formal)。 熱固性樹脂包括,但不限於,鄰苯二曱酸烯丙酯、呋 喃、三聚氰胺-曱醛、酚-甲醛及酚-糠醛共聚物,其係單獨 存在或是與下列各者化合:丁二烯丙烯腈共聚物或丙烯腈-丁二烯_苯乙烯共聚物、聚丙烯酸系酯、矽酮(silicone)、尿 素甲醛、環氧樹脂、烯丙基樹脂、鄰苯二甲酸甘油酯及聚 酯。 多孔性材料包括,但不限於,紙、木材、玻璃纖維、 _布及纖維,例如,天然及合成纖維,例如:棉質纖維及聚 酯纖維。 該等鹼性無電鍍銅組成物可用於鍍覆低Tg樹脂及高 Tg樹脂兩者。低Tg樹脂具有低於160°c之Tg,而高Tg樹 脂具有160°C及高於160°C之Tg。典型地,高丁§樹脂具有 160X:至 280°C 之 Tg,或例如自 17(TC 至 240°C 之 Tg。高 Tg 聚合物樹脂包括,但不限於,聚四氟乙烯(PTFE)及聚四氟 ❿乙烯掺合物。此等掺合物包括,例如,PTFE與聚氧化二 曱苯(polyphenylene oxide)及氰酸酯摻合。包含高Tg樹脂 之其他種類的聚合物樹脂包括,但不限於,環氧樹脂,例 如,雙官能及多官能環氧樹脂、雙馬來醯亞胺/三畊及環氧 樹脂(BT環氧樹脂)、環氧樹脂/聚氧化二曱苯樹脂、丙烯 腈丁二浠苯乙浠、聚碳酸酯(PC)、聚氧化二甲苯(ppo)、聚 苯醚(PPE)、聚苯硫醚(PPS)、聚砜(PS)、聚醯胺、聚酯(如: 聚對苯二曱酸乙二酯(PET ; polyethyleneterephthalate)及對 本二曱酸丁二酯(PBT ; polybutyleneterephthalate))、聚醚 16 93997 200813255 rj酮(PEEK)、液晶聚合物、聚胺基甲酸酯、聚醚醯亞胺、環 氧樹脂及其複合材料。 於一具體實施例中,該驗性無電鍍組成物可用於將銅 沉積於印刷電路板的通孔壁或導孔(Via)壁。該無電鍍組成 物可用於製造印刷電路板的水平及垂直製程兩者。 於一具體實施例中,係藉由鑽孔或衝切(punching)或 任何此技藝中已知的其他方法在印刷電路板中形成通孔。 於通孔形成後,以水及習知有機溶液沖洗該板以清潔並去 春除該板的油污’接著再去除該通孔壁的膠渣。典型地,去 除該通孔膠渣的步驟是由施加溶劑溶脹劑(solvent swell) 開始。 任何習知的溶劑溶脹劑皆可用於去除通孔的膠渣。溶 劑溶脹劑包括,但不限於,二醇醚以及其相關之醚乙酸酯。 可使用習知用量的二醇醚及其相關之醚乙酸酯。此等溶劑 溶脹劑為此技藝中所熟知。商業上可購得之溶劑溶脹劑包 馨括,但不限於,CIRCUPOSIT CONDITIONER™ 3302、 CIRCUPOSIT HOLE PREP™ 3303 ^ CIRCUPOSIT HOLE PREPTM 4120 (得自 Rohm and Haas Electronic Materials, Marlborough,MA) 〇 視需要地,以水沖洗該通孔。接著將促進劑施加至該 通孔。習知的促進劑皆可使用。此等促進劑包括硫酸.、鉻 酸、鹼性過錳酸鹽或電漿蝕刻。典型地,係使用鹼性過錳 酸鹽作為促進劑。商業上可購得之促進劑的實例為 CIRCUPOSIT PROMOTER™ 4130,得自 Rohm and Haas 17 93997 200813255 ’ Electronic Materials,Marlborough,ΜΑ 〇 視需要地,再次以水沖洗該通孔。接著將中和劑施加 至該通孔以中和該促進劑所留下之任何殘留物。習知的中 和劑皆可使用。典型地,該中和劑為含有一種或多種胺之 鹼性水溶液、或是含有3重量%過氧化物及3重量%硫酸 的溶液。視需要地,以水沖洗該通孔並使該印刷電路板乾 燥。 在去除膠渣之後,可施加酸性或鹼性調整劑 ⑩(conditioner)至該通孔。習知的調整劑皆可使用。此等調整 劑可包含一種或多種陽離子型界面活性劑、非離子型界面 活性劑、錯合劑及pH調節劑或缓衝劑。商業上可購得之 酸性調整劑包括,但不限於,CIRCUPOSIT CONDITIONER™ 3320 及 CIRCUPOSIT CONDITIONER™ 3327,得自 Rohm and Haas Electronic Materials, Marlborough,MA。適當的驗性音周整劑包括,但不限於,含 φ有一種或多種四級胺及聚胺的驗性界面活性劑水溶液。商 業上可購得之鹼性界面活性劑包括,但不限於, CIRCUPOSIT CONDITIONER™ 23卜 3325,813 及 860, 得自 Rohm and Haas Electronic Materials。視需要地,在調 整(containing)後以水沖洗該通孔。 調整後,接著微蝕刻該通孔。習知的微蝕刻組成物皆 可使用。微蝕刻是刻意用來在經曝露之銅(例如:内層及表 面蝕刻)提供微粗糙化的銅表面,以增強隨後經沉積之無電 鍍及電鍍物的黏著力。微蝕刻劑包括,但不限於,60公克 18 93997 200813255 "/公升至120公克/公升的過硫酸鈉,或是氧單過硫酸鈉或 鉀(sodium or potassium oxymonopersulfate)及石荒酸(2%)混 4 合物,或是一般的硫酸/過氧化氳。商業上可購得之微蝕刻 組成物的實例包括:CIRCUPOSIT MICROETCHtm 3330, 得自 Rohm and Haas Electronic Materials。視需要地,以水 沖洗該通孔。 接著將預浸劑(pre-dip)施加於該經微钱刻之通孔。預 浸劑的實例包含2%至5%的鹽酸或含25公克/公升至75公 ⑩克/公升氯化鈉之酸性溶液。視需要地,以冷水沖洗該通孔。 接著將催化劑施加至該通孔。任何習知的催化劑皆可 使用。催化劑的選擇係取決於欲沉積在該通孔壁的金屬種 類。典型地,該催化劑為貴金屬及非貴金屬之膠狀體 (colloid)。此等催化劑為此技藝中所熟知,許多此等催化 劑為商業上可講得或可依據文獻製備。非責金屬催化劑的 實例包括:銅、銘、始、鎳、錫及鐵。典型地,係使用貴 0金屬催化劑。適當的貴金屬膠狀體催化劑包括,例如,金、 銀、舶、把、銥、錢、釕及锇。更典型地,係使用銀、始、 金及把的貴金屬催化劑。最典型地,係使用銀及把。適當 的商業上可購得之催化劑包括,例如,CIRCUPOSIT CATALYST™ 334 及 CATAPOSITtm 44,得自 Rohm and Haas Electronic Materials。該通孔視需要可於施加催化劑 後以水沖洗。 接著使用上述鹼性無電鍍組成物將銅鍍覆於該通孔 壁。鍍覆時間與溫度係如上所述。 19 93997 200813255 " 將銅沉積於該通孔壁之後,視需要以水沖洗該通孔。 視需要地,可將抗銹姓組成物{anti-tarnish composition)施 加至該沉積於通孔壁之金屬。習知的抗銹蝕組成物皆可使 用。抗銹蝕組成物的實例包括:ΑΝΊΊ TARNISH™ 7130及 CUPRATEC™ 3(得自 Rohm and Haas Electronic Materials)。該通孔可視需要在超過30°C的溫度以熱水沖 洗,接著可將該板乾燥。 於一替代性具體例中,該通孔可在去除膠渣後以鹼性 _氳氧化物溶液處理,以製備用於無電沉積銅的通孔。此鍍 覆通孔或導孔之替代性具體例典型地係在製備用於鍍覆之 高Tg板時使用。使該驗性氳氧化物溶液接觸該通孔3 0秒 至120秒,或例如60秒至90秒。於該去除通孔膠渣及鍍 覆通孔的步驟之間施加該驗性氫氡化物組成物,使該通孔 壁受到催化劑良好的覆蓋,致使銅覆蓋於該壁。該驗性氫 氧化物溶液為氫氧化鈉水溶液、氫氧化鉀水溶液及其混合 着物。該氫氧化物含量為0.1公克7公升至100公克/公升,或 例如自5公克/公升至25公克/公升。典型地,該氫氧化物 於該溶液中之含量為15公克/公升至20公克/公升。典型 地,該鹼性氫氧化物為氫氧化鈉。如果該鹼性氫氧化物溶 液為氫氧化鈉及氫氧化鉀之混合物,該氬氧化鈉及氫氧化 釺的重量比為4:1至1:1,或例如自3:1至2:1。 視需要地,可添加一種或多種界面活性劑至該鹼性氫 氧化物溶液。典型地,該界面活性劑為非離子型界面活性 劑6該界面活性劑降低表面張力以賦予該通孔適當的濕 20 93997 200813255 潤。施用該界面活性劑後,該通孔的表面張力範圍為自25 達因/公分至50達因/公分,或例如自3〇達因/公分至4〇 達因/公分。當使用該鹼性氫氧化物溶液來處理小通孔以防 止扇形崩口形成(flaring)時,配方中典型係包含該界面活 性劑。小通孔之直徑範圍典型為〇2毫米至〇·5毫米。相 對地,大通孔之直徑範圍典型為〇 5毫米至丨毫米。通孔 的深寬比(aspect ratio)範圍可自ι:1至2〇··ι。 曰界面活性劑於鹼性氫氧化物溶液中的含量為0 05重 置%至5重量%’或例如自〇 25重量%至i重量%。適當的 非離子型界面活性劑包括’例如:脂族醇類’例如,^氧 基化物。此等脂族醇類具有環氧乙烷、環氧丙烷或其組合, 以產生於分子内具有聚氧伸乙基鏈或聚氧伸丙基鏈之化合 物,該鏈亦即:由重複的(_〇_CH2_CH2_)基團、或重複的 (-O-CH^CH-CH3)基團或其組合所構成的鏈。典型地,此 等醇烧氧基化物為具有7至15個碳的直鏈或分支鍵碳鍵, 以及4至20莫耳(m〇ie)的乙氧基化物,典型'地5至4〇莫 耳的乙氧基化物以及更典型地5至丨5莫耳的乙氧基化物之 醇乙氧基化物。 許多此類醇烷氧基化物為商業上可購得者。商業上可 購得之醇烷氧基化物的實例包括,例如直鏈一級醇=氧基 化物,例如,NEODOL 91-6、NEODOL 91_9 (每莫耳的 ^ 鏈醇乙氧基化物中具有平均6至9莫耳 醇),以u_L1_73B(每莫耳 物中具有平均7莫耳環氧乙烷摻合物之Cii醇)。兩者皆可 93997 21 200813255 得自 Shell Oil Company,Houston Texas 〇 在該通孔以鹼性氳氧化物溶液處理後,可將該通孔以 酸性或鹼性調整劑處理。接著將該通孔進行微蝕刻並施加 預浸劑,隨後再施加催化劑。接著將該通孔無電鍍覆銅。 在將該通孔鍍覆銅之後,可使該基材進行進一步的處 理。進一步的處理可包括光成像的習知處理以及於該基材 上進一步的金屬沉積,舉例而言,例如銅、銅合金、錫及 錫合金之電解金屬沉積。 馨 雖不欲受理論所限制,但巯基羧酸類螯合劑與乙醛酸 的組合能使得銅經控制地自催化沉積(autocatalytic deposition)於基材上。此等螯合劑與乙盤酸的組合將防止 在鍍浴中形成氧化銅(Cu20)。在許多不含甲醛之習知無電 鍍銅鍍覆溶液中,於高pH範圍時容易形成氧化銅。此類 氧化銅的形成將使無電鍍銅組成物不安定且妨礙銅沉積於 基材上。抑制該氧化銅的形成將使得該自催化製程能夠在 _高pH值範圍操作,而在高pH值範圍時銅的沉積作用為熱 力學上有利的。 該等無電鍍銅組成物不含曱醛且係環保的。該等組成 物在儲存期間及無電沉積期間是安定的。如背光值超過4 所證實的,該等組成物在基材上沉積均勻的銅層。 下列實施例並非意圖限制本發明的範圍而是意圖進 一步舉例說明本發明。 實施例1 (比較性) 22 93997 200813255 r 在八個低Tg (150°C) FR4環氧樹脂/玻璃多層疊層板
• (multi-laminate board)(六層)及八個高 Tg (180°C ) NELCO ^ 4000_6多層疊層板(六層)中鑽複數個通孔。接著,於下述 水平除膠渣線性製程中去除各板中的通孔之膠渣: 1·在80°c使用240公升的溶劑溶脹劑來處理各板子 1〇〇秒。該溶劑溶脹劑為含10%二乙二醇單丁基醚、界面 活性劑及35公克/公升氫氧化鈉的習知水溶液。 2·接著使用冷水來沖洗該等板子。 _ 3·然後使用550公升pH為12的水性鹼性過猛酸鹽 的鹼性促進劑在8〇°C處理各板子中的通孔15〇秒。 4·接著使用冷水來沖洗該等板子。 5·然後使用180公升由3重量%過氧化氳及3重量% 硫酸構成的水性中和劑在室溫下處理各板子中的通孔75 秒。 6·接著使用冷水來沖洗該等板子。
_ 7·然後使用丨9〇公升水性酸性調整劑ciRCUPOSIT CONDrn〇NERTM 3320 在 5〇χ 處理各板子 6〇 秒。 8·接著使用冷水來沖洗各板子。 9·然後使用100公升含20重量%過錳酸鈉及1〇重量 %氫氧化鈉的驗性水溶液在5(TC處理各板子中的通孔6〇 分鐘。蝕刻速率為〇·5微米/分鐘至1微米/分鐘。 10·接著使用冷水來沖洗該等板子。 11.然後在室溫下將預浸潰劑施用於該等通孔4〇 秒。該預浸潰劑為Pre-dip™ 3340 〇 93997 23 200813255 ' 12·接著使用125公升用於無電鍍銅金屬化該等通孔 壁的催化劑在40°C底塗(prime)各板子的通孔215秒。該催 % 化劑具有下列配方: 表1 成分 用量 氯化鈀(PdCl2) 1公克 錫酸納(Na2Sn〇3*3H2〇) 1.5公克 氯化錫(SnCl2) 40公克 水 加到1公升 13.接著使用冷水來沖洗該等板子。 14.接著使用下表2中的習知無電鍍銅電鍍浴在四個 FR4板子及四個NELCO板子的通孔壁鍍覆銅。鍍覆係於 pH值13.2時在55°C進行20分鐘。 表2 成分 用量 五水合硫酸銅 5公克 曱醛 2.5公克 氳氧化鉀 15公克 伸乙基二胺四乙酸(EDTA) < 3 6公克 Μ 基缓酸(thiocarboxylic acid) 15 ppm 2,2-聯吡啶 11 ppm 水 加到1公升 15.使用下表所示的無電鍍銅組成物來鍍覆其餘四個 FR4板子及其餘四個NELCO板子的通孔壁。銅鍍覆係於 pH值13.2時在55°C進行20分鐘。 24 93997 200813255
• I6.在無電鍍銅沈積之後使用冷水來沖洗該等板子。 17.接著從侧面切開各板子以暴露出該等通孔之銅鍍 覆壁。從各板子切開的通孔壁取下複數個1毫米厚的側片 斷(lateral section)以使用歐洲背光分級標準來測定該等板 子的通孔壁覆蓋。 圖幵y為用於測量該等通孔壁上的無電鑛銅的覆蓋之 標準歐洲背光分級標準。將來自各板子的】毫米片斷置於 馨5—0X放大倍率的習知光學顯微鏡下。經由在該顯微鏡下觀 察到的光量來測定該銅沈積物的品質。若沒有見到光,該 片斷為完全黑的,就根據背光分級標準評等為5。這表示 完全的銅覆蓋。若光通過整個片斷而沒有任何暗的區域, 這表示該等壁上的銅金屬沈積非常少至沒有,並將該片斷 評等為0。若片斷具有部分暗的區域及亮的區域,就將片 断评專在0與5之間。 ' 在經由顯微鏡來觀看該等片斷時,以人工計數各片斷 的洞孔及間隙,使光通過彼等而觀察。記錄各片斷的洞孔 93997 25 200813255 及間隙數目JE且根據該背光分級標準得到該板子的背光 •值。測疋各類型板子及鑛洛的平均背光值。 '、使用含甲醛的無電鍍鋼配方鍍覆的FR4及nelc〇板 子分別具有4.9 5與5的平均背光值。使用含代替甲酸的乙 醛酸之無電鍍銅組成物鍍覆的FR4及NELC〇板子分別具 有4.65與4.3的平均背光值。儘管含乙駿酸的無電鍍銅組 成物的背光值稍微低於甲酸配方的值,但是該含乙搭酸的 鋼組成物具有超過4的背光值。此等值表示含乙酸酸的無 電鐵銅配方可為金屬化工業所接受而且為不環保 良好替代物。 a任何無電鍍銅組成物中都未觀察到氧化銅。因此,該 無電鑛銅組成物係安定的。 故在i〇〇x及i50X放大倍率的光學顯微鏡下檢查該等片 斷的ICD。任何鍍浴類型的片斷都沒觀察到ICD。 結果顯不該環保的乙醛酸之效能就像甲醛一樣而且 _為該不環保的甲醛之可接受的取代物。 實施例2 (比較性) 在八個低Tg (150°C) FR4環氧樹脂/玻璃多層疊層板 (六層)及八個高Tg (180。〇 NELCO 4000·6多層疊層板(六 層)中鑽複數個通孔。接著去除各板中的通孔之膠渣並且依 上述實施例1的方式來鍍覆銅。 使用具有下列配方的鍍浴於四個FR4板子及四個 NELCO 4000-6板子的通孔壁無電鍍覆銅: 93997 26 200813255 表4 成分 用量 五水合硫酸銅 5公克 曱醛 2.5公克 氬氧化鉀 15公克 伸乙基二胺四乙酸(EDTA) 36公克 巯基羧酸 15 ppm 水 加到1公升 使用具有下列配方的無電鍍組成物於剩下四個FR4 馨板子及四個NELCO 4000-6板子的通孔壁鐘覆銅: 表5 成分 用量 五水合硫酸銅 5公克 乙醛酸 5公克 氫氧化鉀 15公克 伸乙基二胺四乙酸(EDTA) 36公克 巯基羧酸 15 ppm 水 加到1公升 從侧面切開該等板子以暴露出該等通孔之銅鍍覆 壁。從各板子切開的通孔壁取下複數個1毫米厚的侧片斷 以使用歐洲背光分級標準來測定該等板子的通孔壁覆蓋。 在經由50X放大倍率的光學顯微鏡來觀看該等片斷 時,以人工計數各片斷的洞孔及間隙。記錄各片斷的洞孔 及間隙數目並且根據該背光分級標準得到該板子的背光 值。測定各類型板子及電鍍浴的平均背光值。 使用含曱醛的無電鍍銅配方鍍覆的FR4及NELCO板 27 93997 200813255 子刀別具有4.95與4.9的平均背去插. r ^^ ]十杓月先值。使用含代替甲醛的 乙㈣夂之热電鑛銅組成物鍍覆的FR4及祖C〇板子 4·8與4.9的背光值。所有背光值都超過4,包括得自使用 含乙盤酸的組成物來㈣的板子之值。此等值表示含乙酸 酸的無電賴配方可為金屬化工業所接受而且為不環保的 甲盤之良好替代物。 任何無電鍍銅組成物中都未觀察到氧化銅。因此,該 無電鍍銅組成物係安定的。 在100Χ及150Χ放大倍率的光學顯微鏡下檢查該等片 斷的ICD。任何電鍍浴類型的片斷都沒觀察到ICD。結果 顯示該環保的乙醛酸之效能就像曱醛一樣而且為曱越之可 接受的取代物。 【圖式簡單說明】 第1圖說明0至5的歐洲背光分級標準以顯示通孔壁 上的銅覆蓋量。
93997 28

Claims (1)

  1. 200813255 f 十、申請專利範圍: 1 · 一種組成物,包括一種或多種銅離子來源、一種或多種 % 疏基叛酸(thiocarboxylic acid)、乙越酸及其鹽、以及一 種或多種鹼性化合物以將該組成物維持於驗性。 2·如申請專利範圍第1項之組成物,其中,該巯基緩酸具 有下列化學式: HS-CCXO.^CHXs^-COOH 其中&為_H或-C00H ; X2為-Η或-SH ; r及s為正整 _ 數,其中r為0至2,或0或1;以及s為1或2。 3·如申請專利範圍第1項之組成物,復包含一種或多種錯 合劑、羧酸、界面活性劑及抗氧化劑。 4·如申請專利範圍第1項之組成物,其中,該鹼性化合物 係選自氫氧化鈉、氫氧化鉀及氫氧化鋰。 5·如申請專利範圍第1項之組成物,復包含一種或多種額 外的金屬離子。 _ 6·如申請專利範圍第1項之組成物,其中,該pH值至少 為9 〇 7·—種方法,包括·· a) 提供基材;以及 b) 使用無電鍍銅組成物在該基材上無電沈積銅,該無 電鍍銅組成物包括一種或多種銅離子來源、一種或 多種選自巯基羧酸之螯合劑、乙醛酸及其鹽、以及 一種或多種鹼性化合物以將該組成物維持於驗性。 8· 一種方法,包括: 93997 29 200813255 a) 提供包括複數個通孔的印刷線路板; b) 去除該等通孔的膠渣;以及 C)=用無電鍍銅浴在㈣通孔壁上 鋼浴僉括一德々々 X…、电餵 鲈 2夕種銅離子來源、一種或多種選自 種二羧酉夂之螯合劑、乙醛酸及其鹽、以及-種或多 ^化合物以將該組成物維持於驗性。
    93997 30 200813255 七、 指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:第(1 )圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: 無元件符號 八、 本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式: 本案無代表化學式 93997
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