TW200806635A - Nitrogen-containing heterocyclic derivatives and organic electroluminescence device using the same - Google Patents

Nitrogen-containing heterocyclic derivatives and organic electroluminescence device using the same Download PDF

Info

Publication number
TW200806635A
TW200806635A TW096110640A TW96110640A TW200806635A TW 200806635 A TW200806635 A TW 200806635A TW 096110640 A TW096110640 A TW 096110640A TW 96110640 A TW96110640 A TW 96110640A TW 200806635 A TW200806635 A TW 200806635A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
substituted
unsubstituted
layer
organic
Prior art date
Application number
TW096110640A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Yamamoto
Masahide Matsuura
Mineyuki Kubota
Masahiro Kawamura
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Idemitsu Kosan Co filed Critical Idemitsu Kosan Co
Publication of TW200806635A publication Critical patent/TW200806635A/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D235/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, condensed with other rings
    • C07D235/02—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, condensed with other rings condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D235/04—Benzimidazoles; Hydrogenated benzimidazoles
    • C07D235/06—Benzimidazoles; Hydrogenated benzimidazoles with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached in position 2
    • C07D235/08—Radicals containing only hydrogen and carbon atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D235/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, condensed with other rings
    • C07D235/02—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, condensed with other rings condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D235/04—Benzimidazoles; Hydrogenated benzimidazoles
    • C07D235/06—Benzimidazoles; Hydrogenated benzimidazoles with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached in position 2
    • C07D235/10—Radicals substituted by halogen atoms or nitro radicals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D235/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, condensed with other rings
    • C07D235/02—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, condensed with other rings condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D235/04—Benzimidazoles; Hydrogenated benzimidazoles
    • C07D235/06—Benzimidazoles; Hydrogenated benzimidazoles with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached in position 2
    • C07D235/16—Radicals substituted by carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D235/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, condensed with other rings
    • C07D235/02—Heterocyclic compounds containing 1,3-diazole or hydrogenated 1,3-diazole rings, condensed with other rings condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D235/04—Benzimidazoles; Hydrogenated benzimidazoles
    • C07D235/18—Benzimidazoles; Hydrogenated benzimidazoles with aryl radicals directly attached in position 2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D263/00—Heterocyclic compounds containing 1,3-oxazole or hydrogenated 1,3-oxazole rings
    • C07D263/52—Heterocyclic compounds containing 1,3-oxazole or hydrogenated 1,3-oxazole rings condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D263/54—Benzoxazoles; Hydrogenated benzoxazoles
    • C07D263/56—Benzoxazoles; Hydrogenated benzoxazoles with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached in position 2
    • C07D263/57—Aryl or substituted aryl radicals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1007—Non-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011—Condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1044—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing two nitrogen atoms as heteroatoms
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H10K50/171—Electron injection layers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

200806635 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於新穎含氮雜環衍生物及使用其之有機電 致發光（EL)元件用材料，及有機EL元件，尤其是關於將作 爲有機E L元件之構成成分爲有用的含氮雜環衍生物使用 於有機薄膜層之至少一層，可爲低電壓且同時發光效率高 的有機EL元件。 【先前技術】 使用有機物質之有機電致發光（EL)元件，作爲固體發 光型之廉價大面積全彩顯示元件之用途極有前途，而有多 種開發在進行著。一般EL元件，係由發光層及夾持該層 之一對對向電極所構成。發光係在兩電極間外加電場時， 自陰極側有電子注入，自陽極側有電洞注入。進而，此電 子在發光層中與電洞再結合，生成激發狀態，在激發狀態 回復至基底狀態之際能量係以光釋出之現象。 習知之有機EL元件，與無機發光二極體比較，驅動 電壓高，發光亮度或發光效率亦低。又，特性劣化亦顯著 ，並無法臻至實用化。最近有機EL元件雖有漸進之改良 ，但進而在低電壓之’高發光亮度及高發光效率被要求。 解決該等之方法方面，例如，在專利文獻1，有揭示 具有苯并咪唑構造之化合物作爲發光材料使用之元件，並 有記載此元件在電壓9V以200cd/m2亮度發光者。又，在專 利文獻2，有記載具有苯并咪唑環及蒽骨架之化合物。但 -5- (2) (2)200806635 是，與使用該等化合物之有機EL元件比較’更進一步之 發光亮度及發光效率之物爲所求。 專利文獻1 :美國專利第5,64 5,94 8號說明書 專利文獻2:日本特開2002-3 8 1 4 1號公報 【發明內容】 發明欲解決之課題 本發明係爲解決該等課題而完成者，其目的係提供一 種作爲有機EL元件之構成成分爲有用的新穎含氮雜環衍 生物，藉由將此含氮雜環衍生物使用於有機薄膜層之至少 一層，可實現爲低電壓且發光亮度及發光效率高的有機 EL元件。 解決課題之手段 本發明人等，爲達成該目的，一再重覆戮力硏究結果 ，首先發現將具有特定構造之新穎含氮雜環衍生物，使用 於有機EL元件之有機薄膜層之至少一層，可達成有機EL 兀件之低電壓化與局売度化及高效率化因而完成本發明。 亦即，本發明係提供一種下述一般式（丨）所示之含氮 雜環衍生物。 200806635 (3) [化1]
(1) 一般式⑴中，Ri〜r5係各 或者無取代之核碳數6〜6〇 ' :氨原子，取代 原子數5〜60之雜芳基 独Φ代或者無取代之核 其ΒΤ7 /4, t ^者無取代之碳數1〜50夕产 基，取代或者無取代之碳數3〜5〇之環院基 。:： 取代之核原子數6〜50之芳严其 F / ^者心 之方k基，取代或者無取代之碳數ι 〜刈之院氧基，取代或者無取代之核原子數5〜5〇之芳基 氧基，取代或者無取代之核原子數5〜5〇之芳基硫基，= 代或者無取代之碳數1〜5 〇之烷氧羰基，取代或者無取代 之核原子數5〜50之芳基所取代之胺基，鹵原子，氰基， 硝基，羥基或羧基。
Ra係核碳數6〜60之芳基或核原子數5〜6〇之雜芳基所 取代之核碳數6〜60之芳基或核原子數5〜60之雜芳基。 R2〜R5之相鄰基’可各自相互鍵結形成芳香環° R1〜R5之至少一個爲下述一般式（2)所7K之取代基。 200806635 (4) [化2]
Ar1 -Ar2 (2) 一般式（2)中， 〜6〇之伸芳基，取 芳基，或取代或考 代之核碳數6 5〜6 0之雜伸 代 Μ L係單鍵，取代或者無取 代或者無取代之核原子數 無取代之伸芴基。 代之核碳數6〜6 0之伸芳基，取 5〜60之雜伸芳基，或取代或者
Ar1係取代或者無取 或者無取代之核原子數 取代之伸芴基。
Ar2係氫原子，取代或者無取代之核碳數6〜6〇之芳基 取代或者無取代之核原子數5〜6 〇之雜芳基，取代或者 無取代之碳數50之烷基，取代或者無取代之碳數3〜5〇 之壞烷基，取代或者無取代之核原子數6〜5〇之芳烷基， 取代^者無取代之碳數1〜5 0之烷氧基，取代或者無取代 之核原子數5〜50之芳基氧基，取代或者無取代之核原子 數5〜50之芳基硫基，取代或者無取代之碳數1〜5〇之烷氧 鑛基’取代或者無取代之核原子數5〜5〇之芳基所取代之 胺基，鹵原子，氰基，硝基，羥基或羧基。 又本發明係提供一種爲有機E L元件用材料之該含氮 雜環衍生物。 進而本發明係提供一種，在陰極與陽極間夾持至少含 有發光層一層或複數層所成有機薄膜層的有機EL元件中 (5) 200806635 ，該有機薄膜層之至少1層含有該含氮雜環衍生物爲單獨 或者混合物之成分之有機EL元件。 發明之效果 本發明之含氮雜環衍生物及使用其之有機EL元件’ 爲低電壓且發光效率高的，電子輸送性優異之高發光效率 之物。 實施發明之最佳形態 亦即，本發明係提供一種下述一般式（1)所示之含氮 雜環衍生物。 [化3]
R5 R1
一'般式（1)中，R1〜R 者無取代之核碳數6〜 子數5〜60之雜芳基， ，取代或者無取代之碳數3〜5〇之環怒 代之核原子數6〜5〇之芳烷基，取代或 5 0之烷氧基，取代或者無取代之核原 〜R係各自獨立 ，氫原子，取代或
數3〜5〇之環烷基 ^ k基’取代或者無取 取代或者無取代之碳數1〜 核原子數5〜 5〇之芳基氧 (6) 200806635 基，取代或者無取代之核原子數5〜5 0之芳基硫基，取代 或者無取代之碳數1〜5 0之烷氧羰基，取代或者無取代之 核原子數5〜50之芳基所取代之胺基，鹵原子，氰基，硝 基，羥基或羧基。 ^係核碳數6〜60之芳基或核原子數5〜60之雜芳基所 取代之核碳數6〜60之芳基或核原子數5〜60之雜芳基。 ' r2〜R5之相鄰基，可各自相互鍵結形成芳香環。
Rl〜R5之至少一個爲下述一般式（2)所示之取代基。 [化4] ^^Ar1 -Ar2 (2) 般式（2)中，L爲單鍵，取代或者無取代之核碳數6 6〇之伸方基’取代或者無取代之核原子數5〜60之雜伸 方基’或取代或者無取代之伸芴基。 A r爲取代或者無取代之核碳數6〜6 〇之伸芳基，取代 或者無取代之核原子數5〜60之雜伸芳基，或取代或者無 取代之伸芴基。 ΑΓ爲氯原子’取代或者無取代之核碳數6〜60之芳基 取代或者無取代之核原子數5〜60之雜芳基，取代或者
無取代之碳數1〜5 〇之户其 m ^ Anr TT z k基，取代或者無取代之碳數3〜5 〇 之環k基，取代或者無取代之核原子數6〜之芳烷基， -10- (7) 200806635 取代或者無取代之 之核原子數5〜50之芳基氧基，取2 代或者無取代 數5〜5。之芳基硫基，取代錄心：無取代之核原子 «，取代或者無取代之核原；數：之碳數1〜50之院氧 ^ 嘁5〜50之芳基所取代之 月女基’鹵原子，氰基，硝基，羥基或竣基。 該一般式⑴所示之含氮雜環衍生物以下述—般式（1_ a)或（Ι-b)所示之化合物爲佳。 [化5]
(1 一 a )
一般式（1-a)及（l_b)中，…〜…及^係各自獨立，與 該一般式（1)之物同。L，Ar1，及Ar2係各自獨立，與該一 般式（2)之物同。一般式（Ι-a)及（i_b)中，R2〜R5之相鄰基 ，可各自相互鍵結形成芳香環。 該一般式（1 )所示之含氮雜環衍生物，以下述一般式 (1-c)，（Ι-d)，（卜e)或（l_f)所示之化合物爲佳。 -11 - 200806635
—般式（1-c)’（1-d)’（1-e)及（l-f)中，r1 〜r5 及 Ra 係 各自獨立，與該一般式（1)之物同。L，Ari，及Ar2係各自 獨立，與該一般式（2)之物同。η爲1〜5之整數，Ar3爲取 代或者無取代之核碳數6〜6 0之芳基，取代或者無取代之 核原子數5〜60之雜芳基。 爲該R1〜R5，…及八^之核碳數6〜60之芳基及核原子 數5〜60之雜芳基方面，可例舉例如苯基，1-萘基，2 -萘 基’ 1-蒽基，2-蒽基，9-蒽基，；!_菲基，2-菲基，3-菲基 ’ 4-菲基，9-菲基，1·萘荦基（naphthaCenyl)，2-萘审基， 9-萘审基，1-芘基，2-芘基，4-芘基，2-聯苯基，3-聯苯 基，4-聯苯基，對三聯苯基4-基，對三聯苯基3-基，對三 聯苯基2-基，間三聯苯基4-基，間三聯苯基3-基，間三聯 苯基2-基，鄰甲苯基，間甲苯基，對甲苯基’對三級丁基 苯基，對（2-苯基丙基）苯基，3-甲基-2-萘基，4-甲基-1-萘 基，4-甲基-1-蒽基，4·-甲基聯苯基，4"-三級丁基-對三聯 -12- (9) 200806635 苯基4 -基，夢基，芴基，1 -吡咯基，2 -吡咯基，3 -吡咯基 ，吡嗪基，2 -吡啶基，3 -吡啶基，4 -吡啶基，1 -吲哚基， 2-吲哚基，3-吲哚基，4-吲哚基，5-吲哚基，6-吲哚基， 7-吲哚基，1-異吲哚基，2-異吲哚基，3-異吲哚基，4-異 吲哚基，5-異吲哚基，6-異吲哚基，7-異吲哚基，2-呋喃 ' 基，3 -呋喃基，2 -苯并呋喃基，3 -苯并呋喃基，4 -苯并呋 - 喃基，5 -苯并呋喃基，6 -苯并呋喃基，7 -苯并呋喃基，1- 異苯并呋喃基，3-異苯并呋喃基，4-異苯并呋喃基，5-異 苯并呋喃基，6-異苯并呋喃基，7-異苯并呋喃基，喹啉基 ，3 -喹啉基，4 -喹啉基，5 -喹啉基，6 -喹啉基，7 -喹啉基 ，8 -喹啉基，1 -異喹啉基，3 -異喹啉基，4 -異喹啉基，5 -異喹啉基，6 -異喹啉基，7 -異喹啉基，8 -異喹啉基，2 -喹 喔啉基，5 -喹喔啉基，6 -喹喔啉基，1 -味唑基，2 -咔唑基 ，3-咔唑基，4-咔唑基，9-咔唑基，1-菲啶基，2-菲啶基 ’ 3 -非D定基’ 4 -非Π定基’ 6 -非D定基^ 7 -非D定基’ 8 -非D定基 ，9 -菲啶基，1 0 -菲啶基，1 -吖啶基，2 -吖啶基，3 -吖啶基 ，4-吖啶基，9-吖啶基，1，7-菲繞啉-2-基，1，7-菲繞啉-3-• 基，1,7-菲繞啉-4-基，1,7-菲繞啉-5-基，1,7-菲繞啉-6基 ~ ’ 1，7 -非繞琳-8基’ 1，7 -非繞琳-9 -基’ 1，7 -非繞琳-1 0 -基， 1，8-菲繞啉-2-基，1，8-菲繞啉-3-基，1，8-菲繞啉-4-基， 1,8-菲繞啉-5-基，1，8-菲繞啉-6基，1，8-菲繞啉-7-基， 1，8-菲繞啉-9-基，1，8-菲繞啉-10基，1，9-菲繞啉-2-基， 1，9-菲繞啉-3-基，1,9-菲繞啉-4-基，1，9-菲繞啉-5-基， 1，9 -菲繞啉-6 -基，1，9 -菲繞啉-7 -基，1,9 -菲繞啉-8 -基， -13- (10) (10)200806635 1，9-菲繞啉-10-基，1,10-菲繞啉-2-基，1，10-菲繞啉-3-基 ’ 1，10-非繞琳-4-基’ 1，10-非繞琳-5-基’ 2,9-非繞琳-1-基 ，2,9-菲繞啉-3-基，2,9·菲繞啉-4-基，2,9-菲繞啉-5-基， 2,9-菲繞啉-6-基，2,9·菲繞啉-7-基，2,9-菲繞啉-8-基， 2，9 -非繞咐-1 0 -基’ 2，8 -非繞琳-1 -基’ 2，8 -非繞琳-3 -基， 2.8- 菲繞啉-4-基，2,8-菲繞啉-5基，2,8-菲繞啉-6-基， 2.8- 菲繞啉-7-基，2,8-菲繞啉-9-基，2,8-菲繞啉-10-基， 2.7- 菲繞啉-1-基，2,7-菲繞啉-3-基，2,7-菲繞啉-4-基， 2.7- 菲繞啉-5-基，2,7-菲繞啉-6-基，2,7-菲繞啉-8-基， 2.7- 菲繞啉-9-基，2,7-菲繞啉-10-基，1-吩嗪基，2-吩嗪 基，1 -啡噻哄基，2 -啡噻畊基，3 -啡噻哄基，4 -啡噻哄基， 1 0 -啡噻哄基，1 -吩噁嗪基，2 -吩噁嗪基，3 -吩噁嗪基，4 -吩噁嗪基，1 0 -吩噁嗪基，2 -噁唑基，4 -噁唑基，5 -噁唑基 ，2 -噁二唑基，5 -噁二唑基，3 -呋咱基，2 -噻吩基，3 -噻 吩基，2 -甲基吡咯-1 -基，2 -甲基吡咯-3 -基，2 -甲基吡咯-4 -基’ 2·甲基卩比略-5-基’ 3 -甲基卩比略-1-基’ 3 -甲某赃胳-2-基，3-甲基吡略-4_基，3-甲基吡咯-5-基，2-三級丁基吡 咯-4 -基’ 3-(2 -本基丙基）卩比略-1-基’ 2 -甲基-1-卩引卩朵基’ 4 -甲基-1 -吲哚基，2 -甲基-3 -吲哚基，4 -甲基-3 -吲哚基， 2-三級丁基-1-吲哚基，4-三級丁基-1-吲哚基，2-三級丁 基-3-吲哚基，4-三級丁基-3-吲哚基等。 該等中，較佳爲苯基，萘基，聯苯基，蒽基，菲基， 蓝基，窟基，夢基，荀基（fluorenyl)基。 在爲該R1〜R5及Ar2之碳數1〜50之烷基方面，可例舉 -14- (11) (11)200806635 甲基’乙基，丙基，異丙基，正丁基，二級丁基，異丁基 ，三級丁基，正戊基，正己基，正庚基，正辛基，羥甲基 ，1-羥乙基，2-羥乙基，2-羥異丁基，1，2-二羥乙基，1，3-二經異丙基，2,3-二經-三級丁基，1，2,3 -三羥丙基，氯甲 基’ 1-氯乙基，2 -氯乙基，2 -氯異丁基，ι,2·二氯乙基， 1.3- 二氯異丙基，2,3-二氯-三級丁基，三氯丙基， 溴甲基，1-溴乙基，2_溴乙基，2_溴異丁基，二溴乙 基，1，3-二溴異丙基，2,3·二溴-三級丁基，三溴丙 基，碘甲基，1-碘乙基，2 -碑乙基，2 -碑異丁基，1，2 -二 碘乙基，1，3 -二碘異丙基，2,3 -二碘-三級丁基，；ι,2,3 -三 職丙基，胺基甲基’ 1-胺基乙基，2 -胺基乙基，2 -胺基異 丁基，1，2-二胺基乙基，1,3 -二胺基異丙基，2,3_二胺基-二級丁基’ 1，2,3 -二胺基丙基，氰甲基，丨_氰乙基，2 -氰 乙基，2-氰異丁基’ 1，2-二氰乙基，it二氰基異丙基， 2.3- 二氰-三級丁基，1,2,3-三氰丙基，硝基甲基，丨_硝基 乙基，2-硝基乙基，2-硝基異丁基，丨，2_二硝基乙基， 1，3-二硝基異丙基，2,3-二硝基-三級丁基，丨，〗，％三硝基 丙基等。 爲該R1〜R5及Ar2之取代或者無取代之碳數3〜5〇之環 烷基之具體例方面’可例舉例如環丙基，環丁基，環戊基 ’環己基’ 4-甲基環己基’丨-金剛烷基，2_金剛烷基，^ 正伯基，2-正伯基等。 爲該R1〜R5及A r2之取代或者無取代之核原子數6〜50 之芳烷基之例方面’可例舉苄基，丨―苯基乙基，2_苯基乙 -15- (12) (12)200806635 基，1-苯基異丙基，2-苯基異丙基，苯基-三級丁基，α-萘 基甲基，l-α-萘基乙基，2·α-萘基乙基，ΐ-α-萘基異丙基 ，2-α-萘基異丙基，β-萘基甲基，l-β-萘基乙基，2-β-萘 基乙基，l-β-萘基異丙基’ 2-β-萘基異丙基，1-吡咯甲基 ，2-(1-吡咯）乙基，對甲基苄基，間甲基苄基，鄰甲基苄 基，對氯苄基，間氯苄基’鄰氯苄基，對溴苄基，間溴苄 基，鄰溴苄基，對碘苄基’間碘苄基，鄰碘苄基，對羥基 苄基，間羥基苄基，鄰羥基苄基，對胺基苄基，間胺基苄 基，鄰胺基苄基，對硝基苄基，間硝基苄基，鄰硝基苄基 ，對氰苄基，間氰苄基，鄰氰苄基，1-羥基-2-苯基異丙 基，1-氯-2-苯基異丙基等。 爲該R1〜R5及Ar2之取代或者無取代之碳數1〜50之烷 氧基係以· 〇 Y 1所示之基，γ 1之例方面，可例舉以該烷基所 說明者相同之例。 爲該R1〜R5及Ar2之取代或者無取代之核原子數5〜50 之芳基氧基係以- OY2表示，Y2之例方面可例舉與該芳基所 說明者相同之例。 爲該R1〜R5及Ar2之取代或者無取代之核原子數5〜50 之芳基硫基係以- SY3表示，Y3之例方面可例舉與該芳基所 說明者相同之例。 爲該R1〜R5及A r2之取代或者無取代之碳數1〜5〇之烷 氧羰基係-COOY4所示之基’ γ4之例方面，可例舉以該烷 基所說明者相同之例。 爲該R1〜R5及Ar2之取代或者無取代之核原子數$〜5〇 •16- (13) (13)200806635 之芳基所取代之胺基中芳基之例方面，可例舉與該芳基所 說明者相同之例。 爲該R1〜R5及Ar2之鹵原子方面，可例舉氟原子，氯 原子，溴原子，職原子等。 又，一般式（1)及（Ι-a)〜（Ι-f)中R2〜R5之相鄰基可各 自相互鍵結形成芳香環，此時所形成之環狀構造方面，可 例舉例如取代或者無取代之核碳數3〜5 0之環烷基，取代 或者無取代之核碳數6〜5 0之芳香族烴基，.或取代或者無 取代之核原子數5〜50之雜環基等，進而與取代或者無取 代之核碳數3〜50之環烷基，取代或者無取代之核碳數6〜 5 0之芳香族烴基，或取代或者無取代之核原子數5〜5 0之 雜環基縮合亦可。 爲L及Ar1之取代或者無取代之核碳數6〜60之伸芳基 之具體例方面，係自該芳基所說明之取代基，進而藉由除 去1個氫原子2價之取代基，較佳爲伸苯基，伸萘基，聯伸 苯基，伸蒽基，伸菲基，伸芘基，伸窟基，伸螢蒽基，伸 芴基。 爲L及Ar1之取代或者無取代之核原子數5〜60之雜伸 芳基之具體例方面，係自該雜芳基所說明之取代基，進而 可藉由除去1個氫原子二價取代基，例如，自吡啶基，吡 嗪（pyrazyl)基，喹啉基，異喹啉基，菲繞啉基，呋喃基， 苯并呋喃基，二苯并呋喃基，噻吩基，二苯并噻吩基，苯 并噻吩基，吡咯基，吲哚基，咔唑基，咪唑基，苯并咪唑 基等除去氫原子之二價基，較佳爲自吡啶基，喹啉基，咔 -17- 200806635 (14) 唑基，吲哚基除去氫原子之二價基。 本發明之一般式（1)所示之含氮雜環衍生物之具體例 如以下所示，但並非限定於該等例示化合物。 -18- 200806635 (15) [化7]
-19- (16)200806635 [化8]
-20 (17)200806635 [化9]
-21 - (18)200806635 [化 10]
22- (19)200806635 [化 1 1]
-23- (20) (20)200806635 [化 1 2 ]
本發明之含氮雜環衍生物係有機EL元件用材料。 本發明之含氮雜環衍生物較佳爲有機EL元件用電子 注入材料或電子輸送材料。 本發明之含氮雜環衍生物較佳爲有機EL元件用發光 材料。 接著，就本發明之有機EL元件予以說明。 本發明之有機EL元件係，在陰極與陽極間夾持至少 含有發光層一層或複數層所成有機薄膜層的有機EL元件 中’該有機薄膜層之至少1層，係含有該含氮雜環衍生物 爲單獨或者混合物之成分。 -24- 200806635 (21) 本發明之有機EL元件，該有機薄膜 層或電子輸送層，其電子注入層或電子輸 發明之該含氮雜環衍生物爲單獨或者混合 本發明之有機EL元件，在陰極與陽 有發光層一層或二層以上所成有機薄膜j " 中，在發光層含有本發明之該含氮雜環衍 • 合物之成分爲佳。 本發明之有機EL元件，較佳爲含有 雜環衍生物之電子注入層或電子輸送層爲 劑之物。 本發明之有機E L元件之還原性摻雜 鹼金屬，鹼土類金屬，稀土類金屬，鹼金 金屬之鹵化物，鹼土類金屬之氧化物，鹼 物，稀土類金屬之氧化物，稀土類金屬之 之有機錯合物，鹼土類金屬之有機錯合物 有機錯合物所成群之1種或2種以上之物質 以下，就本發明之有機EL元件之元 (1)有機EL元件之構成 本發明之有機EL元件之代表性元件 (1) 陽極/發光層/陰極 (2) 陽極/電洞注入層/發光層/陰極 層具有電子注入 送層，係含有本 物之成分爲佳。 極間夾持至少含 罾的有機EL元件 生物爲單獨或混 本發明之該含氮 含有還原性摻雜 劑，較佳爲選自 屬之氧化物，鹼 土類金屬之鹵化 鹵化物，鹼金屬 及稀土類金屬之 〇 件構成加以說明 成方面，可例 -25- (22) (22)200806635 (3) 陽極/發光層/電子注入層/陰極 (4) 陽極/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極 (5) 陽極/電洞注入層/發光層/電子注入層/陰極 (6) 陽極/電洞注入層/發光層/電子輸送層/電子注入層/ 陰極 (7) 陽極/有機半導體層/發光層/陰極 (8) 陽極/有機半導體層/電子障壁層/發光層/陰極· (9) 陽極/有機半導體層/發光層/附著改善層/陰極 (10) 陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子注人 層/陰極 (11) 陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送 層/電子注入層/陰極 (12) 陽極/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極 (1 3 )陽極/無機半導體層/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極 (14) 陽極/有機半導體層/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極 (15) 陽極/絕緣層/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/絕 緣層/陰極 (16) 陽極/絕緣層/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電 子注入層/陰極 (17) 陽極/絕緣層/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電 子輸送層/電子注入層/陰極等之構造。 該等中以使用通常（10)或（11)之構成爲佳，但並非限 定於該等。 本發明之含氮雜環衍生物，亦可使用於有機EL元件 -26- (23) (23)200806635 之任一之有機薄膜層，較佳爲使用於發光帶域或電子輸送 帶域，特佳爲電子注入層，電子輸送層及發光層。 (2)透光性基板 本發明之有機EL元件可在透光性基板上製作。在此 ，透光性基板係支持有機EL元件之基板，400〜700nm之 可視區域之光透過率爲50 %以上，而以平滑的基板爲佳。 具體言之，可例舉玻璃板，聚合物板等。玻璃板方面 ，尤其是可例舉鹼石灰玻璃，含鋇·緦玻璃，鉛玻璃，鋁 矽酸玻璃，硼矽酸玻璃，鋇硼矽酸玻璃，石英等。又聚合 物板方面，可例舉聚碳酸酯，丙烯酸，聚對酞酸乙二酯， 聚醚硫化物，聚颯等。 (3)陽極 本發明之有機薄膜EL元件之陽極，係擔任使電洞注 入於電洞輸送層或發光層之任務，以具有4.5eV以上功函 數更爲有效，本發明所使用之陽極材料之具體例方面，可 適用氧化銦錫合金（ITO)，氧化錫（NESA)，氧化銦鋅合金 (IZO)，金，銀，鉛，銅等。 陽極係將該等電極物質以蒸鍍法或濺鍍法等方法來形 成薄膜而可製作。 如此一來，在將自發光層之發光自陽極擷取之情形， 相對於陽極之發光之透過率以比1 0%更大者爲佳。又，陽 極之薄片電阻，以數百Ω/□以下爲佳。陽極之膜厚可因材 -27- (24) (24)200806635 料而定，通常爲，較佳爲在10〜200nm之範圍 選擇。 (4)發光層 有機EL元件之發光層係一倂具有以下（1)〜（3)之機能 者，亦即 (1 )注入機能；在外加電場時可自陽極或電洞注入層 注入電洞，可自陰極或電子注入層注入電子之機能 (2)輸送機能；將注入之電荷（電子與電洞）以電場之力 予以移動之機能 (3 )發光機能；提供電子與電洞之再結合之電場，使 其與發光相關連之機能。 但是，電洞之注入容易性與電子之注入容易性可爲相 異，又電洞與電子移動度所示之輸送能可有大小之分，而 以任一者之電荷可移動爲佳。 在形成此發光層之方法方面，可適用例如蒸鍍法，旋 轉塗佈法，LB法等周知之方法。發光層尤以分子堆積膜 爲佳。在此所謂分子堆積膜係爲自氣相狀態的材料化合物 沈澱所形成的薄膜或自溶液狀態或液相狀態的材料化合物 固體化所形成的膜，通常該分子堆積膜由於與LB法所形 成之薄膜（分子累積膜）在凝集構造，高次構造差異，或起 因於該等機能之差異而可以區分。 又，如日本特開昭5 7 - 5 1 7 8 1號公報之揭示，將樹脂等 的黏合劑與材料化合物溶解於溶劑形成溶液後，藉由將此 -28- (25) (25)200806635 以旋轉塗佈法等薄膜化亦可形成發光層。 本發明中，在不損及本發明目的之範圍，可照所期望 在發光層含有本發明之含氮雜環衍生物所成發光材料以外 之其他周知發光材料，又，在含有本發明之含氮雜環衍生 物所成發光材料之發光層，亦可將其他周知發光材料之發 光層予以層合。 可使用於發光層之發光材料或摻雜材料方面，可例舉 例如芳基胺化合物及/或苯乙烯基胺化合物，蒽，萘，菲 ，苑，四氫蒽，六苯并苯（coronene)，窟（chrysene)， 熒光素（fluoresceine)，茈，鄰苯二茈，萘酞茈迫酮 (perinone)，鄰苯二迫酮（perinone)，萘酞迫酮（perinone) ，二苯基丁二烯，四苯基丁二烯，香豆素，噁二唑，醛連 氮（altazine)，雙苯并噁唑啉，雙苯乙烯基，吡嗪，環戊 二烯，喹啉金屬錯合物，胺基喹啉金屬錯合物，苯并喹啉 金屬錯合物’亞胺，二苯基乙烯，乙烯蒽，二胺基咔唑， 哌喃，噻喃，聚次甲基，部花青，咪唑鉗合物化氧化物類 化合物，陸B丫酮（quinacridone)，四审及螢光色素等， 但並非限定於該等。 又，本發明之有機EL元件，發光層以含有芳基胺化 合物及/或苯乙烯基胺化合物爲佳。 芳基胺化合物方面可例舉下述一般式（A)所示之化合 物’在苯乙烯基胺化合物方面可例舉下述一般式（B)所示 之化合物等。 -29 -
200806635 (26) [化 13] λΓ8^ν/ΑΓ9 \ \ Ar10 (A) - [一般式（A)中，Ar8係選自苯基，聯苯基，三聯 - ，二苯乙烯，二苯乙烯基芳基之基，Ah及ArlG係各 原子或碳數6〜2〇之芳香族基，Ar9〜Ar1G可被取代。 〜4之整數。進而較佳爲及/或^1()之苯乙烯基被] 〇 在此，碳數爲6〜20之芳香族基方面，以苯基， ，蒽基，菲基，三聯苯基等爲佳。 苯基 爲氫 P，係1 ί又代] 萘基 [化 14]
/ Ar12 \ Ar13
q· (B) [一般式（B)中，係可被取代之核碳數5 之芳基。q’爲1〜4之整數]。 在此’核原子數5〜40之芳基方面，以苯基，萘 恩基’非基，苑基，蔻基（coronyl)，聯苯基，三 基，吡咯基（pyrrolyl)，呋喃基，噻吩，苯并噻吩基 一 D坐基’二苯基蒽基，吲哚基，咔唑基，吡啶基，苯 〜4 0 基， 聯苯 ，嚼 并喹 -30- (27) (27)200806635 啉基，茯基’苊并萝基，二苯乙烯等爲佳。此外，核原子 數爲5〜40之芳基’進而可被取代基所取代，恰當的取代 基方面，可例舉碳數1〜6之烷基（乙基，甲基，異丙基， 正丙基，二級丁基，三級丁基，戊基，己基，環戊基，環 己基等），碳數1〜6之烷氧基（乙氧基，甲氧基，異丙氧基 ，正丙氧基’ 一級丁興基’二級丁興基，戊氧基，己氧基 ，環戊氧基，環己氧基等），核原子數5〜40之芳基，核原 子數5〜40之芳基所取代之胺基，核原子數5〜40之具有芳 基之酯基，碳數1〜6之具有烷基之酯基，氰基，硝基，鹵 原子（氯，溴，碘等）。 可使用於發光層之主材料方面，以下述（i)〜（ix)所示 之化合物爲佳。 下述一般式（i)所示之非對稱蒽。 [化 15]
(式中’ Ar係取代或者無取代之核碳數1〇〜5〇之縮合 芳香族基。 ΑΓ’係取代或者無取代之核碳數6〜50之芳香族基。 X係取代或者無取代之核碳數6〜50之芳香族基，取 -31 - (28) 200806635 代或者無取代之核原子數5〜5 0之芳香族雜 不比孩基，取代或 者無取代之碳數1〜50之烷基，取代或者無取伴〜 一 、、、 代之碳數1〜 50之烷氧基，取代或者無取代之碳數6〜5〇> 、 方k基，取 代或者無取代之核原子數5〜5 0之芳基氧某， ^ ^ 取代或者無 取代之核原子數5〜5 0之芳基硫基’取代或者伽π ^ Α有無取代之碳 數1〜50之院氧鑛基，竣基，鹵原子，氰基， — 明基，經基 a，b及c爲各自0〜4之整數。 η爲1〜3之整數。又，η爲2以上之情形，[]內可爲相 同或相異）。 下述一般式（ii)所示之非對稱單蒽衍生物。 [化 16] R1 R8
(ϋ) (式中，Ar1及Ar2係各自獨立，爲取代或者無取代之 核碳數6〜50之芳香族環基’ m及η爲各自1〜4之整數。但 是，m = n=l且Ar1與Ar2之苯環之鍵結位置爲左右對稱型之 情形，A r 1與A r 2並非相同，m或η爲2〜4之整數之情形，m 與η爲相異之整數。 -32- (29) 200806635 R1〜r1g係各自獨立，爲氫厣 局si原子，取代或者無 核碳數6〜50之芳香族環基，取代 取代或者無取代之核原子數5 〜5〇之方香族雜環基，取代或者無 Z碳數1〜5 0之惊 基，取代或者無取代之環烷基，取 取代或者無取代之碳數1 〜〇之院氧基，取代或者無取# > ^ ^ …取代之鈿數6〜50之芳烷基， 取代或者無取代之核原子數5〜5〇 4方基興基，取代或者 …、取代之核原子數5〜50之芳其炉其 一 … 方基硫基，取代或者無取代之 其内 耳又代或者無取代之單矽烷基，羧 基，鹵原子，氰基，硝基，羥基）。 下述一般式（Hi)所示之非對稱蓝衍生物。 [化 17]
取代或者無取代之核碳數6〜 無取代之伸苯基，取代或者無 取代之伸芴基或取代或者無取 [式中，Ar及Ar'係各自 5 〇之芳香族基。 L及L ’係各自取代或者 取代之伸奈基’取代或者無 代之 dibenzosilolyleile基。 -33- (30) (30)200806635 m爲0〜2之整數，η爲1〜4之整數，s爲0〜2之整數，t 爲〇〜4之整數。 又，L或Ar係在芘之1〜5位中任一項鍵結，1^或Ar’係 在芘之6〜1 0位中任一項鍵結。 但是，n + t爲偶數時，Ar，Ar'，L，Lf可滿足下述（1) 或（2)。 (1) Ar#Ai·’及/或L#L·(在此#示相異構造之基）。 (2) Ar = Ar ’ 且 L = L ’ 時 (2-l)m#s 及 /或 n#t，或 (2-2)m = s 且 n = t時， (2-2-l)L及L’，或芘，各自相互鍵結於Ar及Ar’上 相異之結合位置， (2-2-2)1^及1/，或芘，在於八1*及八1*’上相同結合位 置鍵結之情形， L及L’或Ar及Ar’之芘中取代位置並非1位與6位，或2 位與7位之情形]。 下述一般式（iv)所示之非對稱蒽衍生物。 -34- (31) (31)200806635 [化 18]
(式中，A1及A2係各自獨 W I，爲取什、 碳數10〜20之縮合芳香族環基。 $考無取代之核
Ar1及Ar2係各自獨立，爲氮原子，或、 之核碳數6〜5 0之芳香族環基。 B取代或者無取代 R1〜R1G係各自獨立，爲 爲氫原子，取什成本^ 核碳數6〜50之芳香族環基，取 t次者無取代之 〜50之芳香族雜環基，取代=者〃、、取代之核原子數5 似代或考無取代之碳數1〜 基，取代或者無取代之環烷基， 之诜 取代或者無取代之碳數1 〜5 〇之烷氧基，取代或者無取代 代之fe數6〜50之芳烷基， 取代或者無取代之核原子數 數）〜50之方基氧基，取代或者 無取代之核原子數5〜5〇之芳其： 方基硫基’取代或者無取代之 碳數卜5〇之院氧㈣，取代或者無取代之單砂院基，殘 基，鹵原子，氰基，硝基或羥基。
Ar ’ Ar ’ R9及Rig各自可爲複數，鄰接之物彼此之 間可形成飽和或者不飽和之環狀構造。 -35- (32) (32)200806635 但是，一般式（1)中，中心之蒽之9位及1 0位，相對於 該蒽上所示乂_¥軸，並非成爲對稱型之基爲鍵結之情形）。 下述一般式（v)所示之蒽衍生物。 [化 19]
(式中，R1〜R1G係各自獨立之氫原子，烷基，環烷基 ’可取代之芳基，烷氧基，芳氧基，烷基胺基，鏈烯基， 芳基胺基或可取代之雜環式基，a及b各自示1〜5之整數， 該等爲2以上之情形，Ri彼此之間或R2彼此之間，各自， 可爲相同或相異，又R1彼此之間或R2彼此之間可鍵結形成 環，R3與R4，R5與R6，R7與R8，R9與Rio可互爲鍵結形成 環。L1爲單鍵，·〇_，-s-，_N(R)—(R爲烷基或可取代之芳 基），烷撐基或伸芳基）。 下述一般式（v i)所示之蒽衍生物。 -36- (33) (33)200806635 [化 20]
(式中，R11〜R2G係各自獨立之氫原子，烷基，環烷 基，芳基，烷氧基，芳氧基’烷基胺基，芳基胺基或可取 代之複數環式基，c，d，e及f，各自示丨〜5之整數，該等 爲2以上之情形，R11彼此之間，R12彼此之間，R16彼此之 間或R17彼此之間，各自可爲相同或相異，又R11彼此之間 ，R12彼此之間，R10彼此之間或R17彼此之間可鍵結形成 環，R13與R14，R18與R19可互爲鍵結形成環。L2爲單鍵， _〇_，-S-，-N(R)-(R爲烷基或可取代之芳基），烷撐基或伸 芳基）。 下述一般式（v i i )所示之螺旋芴衍生物。
-37- (34) (34)200806635 (式中，A5〜A8係各自獨立，爲取代或者無取代之聯 苯基或取代或者無取代之萘基）。 下述一般式（Wii)所示之含縮合環化合物。 [化 22]
(式中，A9〜A14同前，R21〜R23係各自獨立之，氫原 子，碳數1〜6之烷基，碳數3〜6之環烷基，碳數1〜6之烷 氧基，碳數5〜18之芳基氧基，碳數7〜18之芳烷氧基，碳 數5〜16之芳基胺基，硝基，氰基，碳數1〜6之酯基或鹵 原子，A9〜A14中至少1個爲具有3環以上之縮合芳香族環 之基）。 下述一般式（ix)所示之芴化合物。 [化 23]
-38- (35) (35)200806635 (式中，1^及R2示氫原子，取代或無取代之烷基，取 代或無取代之芳烷基’取代或無取代之芳基，取代或無取 代之雜環基，取代胺基，氰基或鹵原子。在鍵結於相異之 荀基的L彼此之間’ h彼此之間，可爲相同或相異，鍵結 於相同芴基之1^及R2 ’可爲相同或相異。I及1示氫原子 ，取代或無取代之烷基，取代或無取代之芳烷基，取代或 無取代之芳基或取代或無取代之雜環基，鍵結於相異之荀 基之R3彼此之間’ R4彼此之間，可爲相同或相異，鍵結於 相同芴基之R3及R4，可爲相同或相異。Ari及Ar2，係以苯 環之合計爲3個以上之取代或無取代之縮合多環芳香族基 或本環與雜環之合§十爲3個以上之取代或無取代之碳，鍵 結於荀基之縮合多環雜環基，An及八^可爲相同或相異。 η示1至1 0之整數）。 以上之主材料中，較佳爲蒽衍生物，進而較佳爲單蒽 衍生物，特佳爲非對稱蒽。 又，摻雜劑之發光材料方面，亦可使用磷光發光性之 化合物。磷光發光性之化合物方面，以在主材料含有咔口坐 環之化合物爲佳。摻雜劑方面係可自三重態激發子進行發 光之化合物，在自三重態激發子發光之範圍並無特別限定 ，而以含有選自Ir，Ru，Pd，Pt，Os及Re所成群之至少一 個金屬之金屬錯合物爲佳。 對由含咔唑環之化合物所成磷光發光爲恰當的主材料 ，自其激發狀態至磷光發光性化合物產生能量移動之結果 ，則爲具有使磷光發光性化合物發光之機能的化合物。主 -39- (36) (36)200806635 化合物方面若爲可使激發子能量往磷光發光性化合物進行 能量移動之化合物則並無特別限制’可依目的適宜選擇。 可爲咔唑環以外具有任意雜環等。 此種主化合物之具體例方面，可例舉咔唑衍生物，三 唑衍生物，噁唑衍生物，噁二唑衍生物，咪唑衍生物，聚 芳基鏈院衍生物，D比哗啉衍生物，卩比D坐啉酮（P y r a ζ ο 1 ο 11 e) 衍生物，伸苯基二胺衍生物，芳基胺衍生物，胺基取代查 耳酮衍生物，苯乙烯基蒽衍生物，芴酮衍生物，腙衍生物 ，二苯乙烯衍生物，矽氮烷衍生物，芳香族第三胺化合物 ，苯乙烯基胺化合物，芳香族二次甲基系化合物，卟啉系 化合物，蒽并二甲烷衍生物，蒽酮衍生物，二苯基苯醌衍 生物，噻喃二氧化物衍生物，碳二醯亞胺衍生物，芴叉基 甲烷衍生物，二苯乙烯基吡嗪衍生物，萘茈等雜環四羧酸 酐，酞菁衍生物，8 -喹啉酚衍生物之金屬錯合物或金屬酞 菁，苯并噁唑或苯并噻唑稱爲配位基之金屬錯合物所代表 之各種金屬錯合物聚矽烷系化合物，聚（N-乙烯咔唑）衍生 物，苯胺系共聚物，噻吩寡聚物，聚噻吩等之導電性高分 子寡聚物，聚噻吩衍生物，聚伸苯基衍生物，聚伸苯基乙 烯撐衍生物，聚芴衍生物等之高分子化合物等。主化合物 可單獨使用，亦可倂用2種以上。 具體例方面，可例舉以下之化合物。 -40 - (37) (37)200806635 [化 24]
磷光發光性之摻雜劑係可自三重態激發子發光之化合 物。在可自三重態激發子發光之範圍並無特別限定，以含 有選自Ir，Ru，Pd，Pt，〇s及Re所成群之至少一個金屬之 金屬錯合物爲佳，以卟啉金屬錯合物或正金屬化金屬錯合 物爲佳。卟啉金屬錯合物方面，以卟啉鉛錯合物爲佳。磷 光發光性化合物可單獨使用，亦可倂用2種以上。 在形成正金屬化（orthometal ated)金屬錯合物之配位基 方面有各種之物，恰當的配位基方面，可例舉2 -苯基吡啶 衍生物，7,8-苯并喹啉衍生物，2-(2-噻吩基）吡啶衍生物 ，2-(1-萘基）吡啶衍生物，2-苯基喹啉衍生物等。該等衍 生物可因應需要可具有取代基。尤其是，導入氟化物，三 氟甲基之物，以藍色系摻雜劑方面爲佳。進而補助配位基 方面可具有乙醯基乙醯基丙酮合基，苦味酸等之上述配位 基以外之配位基。 磷光發光性摻雜劑之發光層中含量方面，並無特別限 -41 - (38) (38)200806635 制，可依目的適宜選擇，例如爲0.1〜70質量％，以1〜30 質量％爲佳。磷光發光性化合物之含量未達0.1質量％時發 光微弱，其含有效果並無法充分發揮，在超過70質量％之 情形，稱爲濃度驟熄（c ο n c e n t r a t i ο n q u e n c h i n g)之現象爲 顯著使得元件性能降低。 又，發光層，可因應需要含有電洞輸送材，電子輸送 材，聚合物黏合劑。 進而，發光層之膜厚，較佳爲5〜50nm，更佳爲7〜 50nm，最佳爲10〜50nm。未達5nm時發光層形成有所困難 ，會有色度調整爲困難之虞，超過5 0 nm時會有驅動電壓 上昇之虞。 (5)電洞注入·輸送層（電洞輸送帶域） 電洞注入·輸送層爲有助於對發光層之電洞注入，爲 輸送至發光區域止之層，電洞移動度大，離子化能量通常 小至5.5 eV以下。此種電洞注入·輪送層方面在更低的電 場強度下輸送電洞至發光層的材料爲佳，進而電洞的移動 度，例如在外加1〇4〜l〇6V/cm的電場時，以至少10_4cm2/ V ·秒爲佳。 形成電洞注入·輸送層的材料方面，若爲前述具有良 好性質之物的話並無特別限制，習知，可以自光傳導材料 中作爲電洞的電荷輸送材料所慣用之物，或於有機EL元 件的電洞注入輸送層所使用之周知之物中，任意選擇而使 用。 -42- (39) (39)200806635 具體例方面，可例舉三唑衍生物（參照美國專利 3，1 1 2，1 9 7號說明書等），噁二唑衍生物（參照美國專利 3，1 89,447號說明書等），咪唑衍生物（參照特公昭3 7- 1 6096 號公報等），聚芳基鏈烷衍生物（參照美國專利3,6 1 5,402號 說明書，同第3,82 0,9 8 9號說明書，同第3,542,544號說明 書，特公昭4 5 -5 5 5號公報，同5 1 - 1 0983號公報，日本特開 昭5 1 -93224號公報，同5 5 - 1 7 1 05號公報，同56-4 1 48號公 報，同55-108667號公報，同55-156953號公報，同56- 3 6 6 5 6號公報等），吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物（參照 美國專利第3,180,729號說明書，同第4,278,74 6號說明書 ，日本特開昭55-88064號公報，同55-88065號公報，同 49-105537號公報，同55-51086號公報’同56-80051號公 報，同5 6- 8 8 1 4 1號公報，同5 7-45 54 5號公報，同54-112637號公報，同55-74546號公報等），伸苯基二胺衍生 物（參照美國專利第3,615,404號說明書’ f寸公昭51-10105 號公報，同46-3 7 1 2號公報，同47-2 5 3 3 6號公報，日本特 開昭54-53435號公報，同54-110536號公報，同54-119925 號公報等），芳基胺衍生物（參照美國專利第3，5 6 7，4 5 0號說 明書，同第3，1 8 0,7 03號說明書，同第3,240,597號說明書 ，同第3,65 8,5 20號說明書，同第4,23 25103號說明書’同 第4，1 75,96 1號說明書’同第4,〇12,3 76號說明書’特公昭 49-3 5 702號公報，同3 9-275 77號公報’日本特開昭55-1 4425 0號公報，同56·119132號公報’同56-22437號公報 ，西獨專利第1，η 〇，5 1 8號說明書等），胺基取代查耳酮衍 -43- 200806635 (40) 生物（參照美國專利第3,526,5 0 1號說明書等），噁唑衍生物 (美國專利第3,2 57,203號說明書等所揭示者），苯乙烯基蒽 衍生物（參照日本特開昭56-4623 4號公報等），芴酮衍生物（ 參照日本特開昭5 4 - 1 1 0 8 3 7號公報等），腙衍生物（參照美 國專利第3,7 1 7,462號說明書，日本特開昭54- 5 9 1 43號公報 ‘ ，同55-52063號公報，同55-52064號公報，同55-46760號 - 公報，同5 5- 8 5 495號公報，同5 7- 1 1 3 5 0號公報，同57- M8749號公報，日本特開平2-311591號公報等），二苯乙 烯衍生物（參照日本特開昭61-2 1 0 3 63號公報，同第61-22845 1號公報，同6 1 - 1 4642號公報，同6 1 -7225 5號公報， 同62-47646號公報，同62-3 6674號公報，同62- 1 0652號公 報，同62-3 02 5 5號公報，同60-93 45 5號公報，同60-94462 號公報，同60-174749號公報，同60-175052號公報等）， 矽氮烷衍生物（美國專利第4,95 0,95 0號說明書），聚矽烷系 (日本特開平2-204996號公報），苯胺系共聚物（日本特開平 2 - 2 8 2 2 6 3號公報），日本特開平1 - 2 1 1 3 9 9號公報所揭示之 導電性高分子寡聚物（尤其是噻吩寡聚物）等。 電洞注入·輸送層之材料方面雖可使用上述之物，但 • 以卟啉化合物（日本特開昭63 -2956965號公報等所揭示者） ，芳香族第三級胺化合物及苯乙烯基胺化合物（參照美國 專利第4，127,412號說明書，日本特開昭5 3 -2703 3號公報， 同54-58445號公報，同54-149634號公報，同54-64299號 公報，同5 5 -79450號公報，同55 - 1 44250號公報，同56· 119132號公報，同61-295558號公報，同61_98353號公報 -44- (41) 200806635 ，同63 -29 5 69 5號公報等），尤以使用芳香族第三級胺化合 物爲佳。 可使用於電洞注入·輸送層之電洞注入·輸送材料方 面，以下述一般式（X)所示之化合物爲佳。
(X)
Ar1〜Ar4係各自獨立，爲取代或者無取代之核碳數6 〜5 0之芳基，R1〜R2係各自獨立，爲氫原子，取代或者無 取代之核碳數6〜50之芳基，碳數之烷基，m，^爲〇 〜4之整數。 核碳數6〜50之芳基方面，以苯基，萘基，聯苯基， 二聯苯基，菲基等爲佳。此外，核碳數6〜50之芳基，進 而可被取代基所取代，較佳之取代基方面，可例舉碳數j 〜6之烷基（甲基，乙基，異丙基，正丙基，二級丁基，三 級丁基’戊基’己基，環戊基，環己基等），核碳數6〜5 〇 之芳基所取代之胺基。 又’在美國專利第5,061，569號所記載之分子內具有2 個縮合方香族環之，例如，4，4，-雙（Ν - (1 -萘基）-Ν -苯基胺 基）聯本基（以下簡稱NPD)，又日本特開平4-308688號公報 所d載之二苯基胺單元連結於3個星爆型之4,4，，4"_三個 -45- (42) (42)200806635 (N-(3-甲基苯基）-N_苯基胺基）三苯基胺（以下簡稱 MTDATA)等。 進而’作爲發光層之材料所示之前述芳香族二甲叉系 化合物之外，亦可使P型Si，P型SiC等無機化合物作爲電 洞注入·輸送層之材料使用。 電洞注入，輸送層可藉由將上述的化合物以例如真空 蒸鍍法，旋轉塗佈法，鑄製法，LB法等周知的方法予以 薄膜化而形成。電洞注入，輸送層方面的膜厚並無特別的 限制，通常爲5nm〜5μιη。該電洞注入，輸送層若在電洞 輸送帶域含有上述化合物，亦可以上述材料的一種或二種 以上所成的一層而構成，或亦可將與該電洞注入，輸送層 爲別種化合物所成的電洞注入，輸送層予以層合者。 又，有助於對發光層之電洞注入或電子注入之層方面 則可設置有機半導體層，可恰當使用具有1(T1()S/Cm以上導 電率之物。此種有機半導體層的材料方面，可使用含噻吩 寡聚物或日本特開平8 - 1 93 1 9 1號公報所揭示的含芳基胺寡 聚物等的導電性寡聚物，含芳基胺樹狀聚合物等的導電性 樹狀聚合物四氰對醌二甲烷衍生物，六氰六氮雜三伸苯基 (專利公報036 1 4405號）等。 (6)電子注入·輸送層（電子輸送帶域） 電子注入層·輸送層爲有助於對發光層之電子注入， 爲輸送至發光區域爲止之層，電子移動度大，電子親和力 通常大至2.5 eV以上。此種電子注入·輸送層方面，以在 -46 - (43) (43)200806635 更低電場強度使電子輸送至發光層之材料爲佳’進而電子 之移動度，例如在1〇4〜l〇6V/cm之電場外加時’若至少 10_6cm2/V ·秒時爲佳。 在使本發明之含氮雜環衍生物用於電子輸送帶域之情 形，本發明之含氮雜環衍生物可單獨形成電子注入·輸送 層，亦可與其他材料混合。 與本發明之含氮雜環衍生物混合來形成電子注入·輸 送層之材料方面，若爲具有該等恰當性質之物則並無特別 限制，在習知光傳導材料中作爲電子之電荷輸送材料爲慣 用之物，或使用於有機EL元件之電子注入·輸送層之周 知物中可選擇任意之物使用。 又附著改善層，在此電子注入層中尤其是與陰極之附 著爲良好材料所成層。本發明之有機EL元件中，以使上 述本發明化合物作爲電子注入層·輸送層，附著改善層使 用爲佳。 本發明之有機EL元件之恰當形態，在輸送電子之區 域或陰極與有機層之界面區域，係含有還原性摻雜劑之元 件。在本發明，以於本發明化合物含有還原性摻雜劑之有 機EL元件爲佳。在此，還原性摻雜劑係指，可使電子輸 送性化合物還原之物質之定義。因此，若爲具有一定還原 性之物，則可使用各種之物，例如可恰當使用選自鹼金屬 ’鹼土類金屬，稀土類金屬，鹼金屬之氧化物，鹼金屬之 鹵化物，鹼土類金屬之氧化物，鹼土類金屬之鹵化物，稀 土類金屬之氧化物或稀土類金屬之鹵化物，鹼金屬之有機 -47- (44) (44)200806635 錯合物，鹼土類金屬之有機錯合物，稀土類金屬之有機錯 合物所成群之至少一個物質。 又，更具體言之，較佳的還原性摻雜劑方面，可例舉 選自Na(功函數·· 2.36eV)，K(功函數：2.28eV)，Rb(功函 數：2.16eV)及Cs(功函數：i.95eV)所成群之至少一個的鹼 金屬或選自Ca(功函數：2.9eV)，Sr(功函數·· 2.0〜2.5eV) ，及Ba(功函數：2.52eV)所成群之至少一個的驗土類金屬 的功函數爲2.9eV以下者爲特佳。該等中，更佳的還原性 摻雜劑爲選自K，Rb及Cs所成群之至少一個的鹼金屬，進 而更佳爲，Rb或Cs，最佳爲Cs。該等鹼金屬，由於還原 能力特別高，添加至電子注入區域的量比較少’可謀求使 有機EL元件中的發光亮度提高及長壽命化。又，功函數 爲2.9eV以下的還原性摻雜劑方面，亦以該等2種以上的鹼 金屬的組合爲較佳，特別是含Cs的組合，例如以Cs與Na ，Cs與K，Cs與Rb或Cs與Na與K的組合爲佳。藉由含有Cs 的組合，可以有效率地發揮還原能力’藉由添加至電子注 入區域，可謀求使有機EL元件中的發光亮度提高及長壽 命化。 本發明中可進而於陰極與有機層之間設置以絕緣體或 半導體所構成的電子注入層。此時’可有效防止電流的漏 出，使電子注入性提高。此種絕緣體方面’以使用選自驗 金屬硫族化合物（chalc〇genide)’驗土類金屬硫*族化1合物 ，鹼金屬的鹵化物及鹼土類金屬的鹵化物所成群之至少一 個金屬化合物爲佳。電子注入層若以該等的驗金屬硫族化 -48- (45) (45)200806635 合物等構成的話，就可更提高電子注入性之觀點而言爲佳 。具體言之，較佳的鹼金屬硫族化合物方面，可例舉Li20 ，K20，Na2S，Na2Se及Na20，較佳的驗土類金屬硫族化 合物方面，可例舉 CaO，BaO，SrO，BeO，BaS，及 CaSe 。又，較佳的鹼金屬的鹵化物方面，可例舉LiF，NaF， KF，LiCl，KC1及NaCl等。又，較佳的鹼土類金屬的鹵 化物方面，可例舉CaF2，BaF2，SrF2，MgF2及BeF2之氟化 物或氟化物以外的鹵化物。 又，構成電子輸送層的的半導體方面，可例舉至少含 有一個 Ba，Ca，Sr，Yb，Al，Ga，In，Li，Na，Cd，Mg ，Si，Ta，Sb及Zn的元素之氧化物，氮化物或氧化氮化物 等的一種單獨或二種以上的組合。又，構成電子輸送層的 無機化合物以微結晶或非晶質的絕緣性薄膜爲佳。電子輸 送層若由該等的絕緣性薄膜所構成的話，由於可形成更均 質的薄膜，可減少黑點（dark spot)等的像素缺陷。又，此 種無機化合物方面，可例舉上述鹼金屬硫族化合物，鹼土 類金屬硫族化合物，鹼金屬的鹵化物及鹼土類金屬的鹵化 物等。 (7)陰極 陰極方面，因在電子注入·輸送層或發光層將電子注 入，可使用功函數小（4eV以下）的金屬，合金，導電性化 合物及該等的混合物作爲電極物質。此種電極物質的具體 例方面，可例舉鈉，鈉-鉀合金，鎂，鋰，鎂·銀合金· -49- (46) (46)200806635 鋁/氧化鋁，鋁·鋰合金，銦，稀土類金屬等。 該陰極可藉由將該等電極物質蒸鍍或濺鍍等的方法形 成薄膜來製作。 在此將自發光層之發光自陰極擷取之情形，相對於陰 極之發光的透過率以比1 0 %更大爲佳。 又，陰極方面的薄片電阻以數百Ω /□以下爲佳，膜 厚通常爲l〇nm〜Ιμπι，較佳爲50〜200nm。 (8) 絕緣層 有機EL元件由於施加電場於超薄膜上，易產生因漏 出或短路而致的像素缺陷。爲了防止該等情事，較佳爲在 一對的電極間插入絕緣性的薄膜層。 絕緣層所使用的材料方面，可例舉氧化鋁，氟化鋰， 氧化鋰，氟化絶，氧化鉋，氧化鎂，氟化鎂，氧化耗，氟 化鈣，氟化鉋，碳酸鉋，氮化鋁，氧化鈦，氧化矽，氧化 鍺，氮化矽，氮化硼，氧化鉬，氧化釕，氧化釩等。亦可 使用該等的混合物或層合物。 (9) 有機EL元件之製造方法 藉由以上例示的材料及形成方法，形成陽極，發光層 ，可因應需要形成電洞注入層電洞輸送層，電子輸送層及 電子注入層，進而藉由形成陰極可以製作有機EL元件。 又自陰極到陽極，以與該等以逆向的順序可以製作有機 EL元件。 -50- (47) (47)200806635 以下係記載將陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/ 陰極依序設置於透光性基板上所構成之有機E L元件的製 作例。 首先，於適當的透光性基板上以蒸鍍或濺鍍等的方法 使陽極材料所成薄膜爲1 μιη以下，較佳爲形成1 〇〜200nm 範圍的膜厚來製作陽極。接著於該陽極上設置電洞輸送層 。電洞輸送層的形成可藉由如前述的真空蒸鍍法，旋轉塗 佈法，鑄製法，LB法等的方法而進行，但是就由容易獲 得均質薄膜，且難以產生針孔等的觀點而言，以使用真空 蒸鍍法形成者爲佳。以真空蒸鍍法形成電洞注入層時，其 蒸鍍條件依照使用的化合物（電洞注入層的材料），爲目的 的電洞注入層之結晶構造或再結合構造等而異，但是一般 而言，以蒸鍍源溫度50〜450°C，真空度1(Γ7〜10·3拖耳， 蒸鍍速度0.01〜50nm/秒，基板溫度-50〜3 00°C，膜厚5nm 〜5 μιη的範圍內適當選擇爲佳。 接著，在電洞注入層上設置發光層的發光層之形成， 亦可使用所期望的有機發光材料，以真空蒸鍍法，濺鍍， 旋轉塗佈法’鑄製法等的方法將有機發光材料薄膜化而形 成，但是就容易獲得均質薄膜，且難以產生針孔等的觀點 而言，以使用真空蒸鍍法形成者爲佳。以真空蒸鍍法形成 發光層時，其蒸鍍條件依使用的化合物而相異，一般而言 ’可自與電洞注入層具有相同條件的範圍內選擇。 接著，在此發光層上設置電子注入層。與電洞注入層 ’發光層相同’因獲得均質膜爲必要故以藉由真空蒸鍍法 -51 - (48) (48)200806635 形成爲佳。蒸鍍條件可自與電洞注入層，發光層同樣條件 範圍自由選擇。 本發明之含氮雜環衍生物，可因是否含於發光帶域或 電洞輸送帶域之任一層而異，但在使用真空蒸鍍法之情形 可與其他材料進行共蒸鍍。又，在使用旋轉塗佈法之情形 ，可藉由與其他材料混合而含有。 最後層合陰極，可獲得有機E L元件。 陰極係由金屬所構成之物，可以使用蒸鍍法，濺鍍。 但是，爲了保護在基底的有機物層製膜時之損傷，則以真 空蒸鍍法爲佳。 此有機EL元件之製作以一次的真空吸引由陽極至陰 極予以一貫製作者爲佳。 本發明的有機EL元件之各層的形成方法並無特別的 限制。可以使用習知的真空蒸鍍法，旋轉塗佈法，等的形 成方法。使用於本發明之有機EL元件之，含有該一般式 (1)所示化合物之有機薄膜層，可以真空蒸鍍法，分子線 蒸鍍法（MBE法）或溶解於溶劑之溶液之浸漬法，旋轉塗佈 法’鑄塑法，棒塗佈法，輥塗佈法等塗佈法之周知方法來 形成。 本發明之有機EL元件的各有機層膜厚並無特別的限 定’但是一般而言，由於膜厚太薄易產生針孔等的缺g， 相反地太厚則必需施加高外加電壓，會使效率變差，故通 常以數nm至Ιμπι的範圍爲佳。 此外在外加電壓於有機EL元件之情形，係使陽極爲+ •52- (49) (49)200806635 ，陰極爲-之極性，在外加5〜4 0 V之電壓時可觀測到發光 。又，即使以相反極性外加電壓則電流並不流動，完全不 產生發光。進而在外加交流電壓之情形，僅在使陽極爲+ ，陰極爲-之極性時可觀測到均一的發光。外加之交流之 波形可爲任意。 【實施方式】 實施例 合成例1化合物（1)之合成 (1 -1)中間體1之合成 [化 26]
中間體1
將4-苯基苯甲酸6.4g(32mmol)懸濁於1，2-二氯乙烷 60mL，添加氯化亞硫醯5.8g(49mmol)，DMF 3滴，在50°C 經一小時加熱攪拌。將溶劑以旋轉蒸發器餾除後，溶解於 N-甲基吡咯啶酮80mL，添加N-(4-溴苯基）-1，2-伸苯基二胺 8.0g(3 0mmol)，在室溫經3小時攪拌。反應完成後，將反 應混合物放入水3 00mL，使析出之固體濾出，藉由減壓乾 燥，獲得中間體1 13.5g。收率99%。 -53- (50) (50)200806635 (1-2)中間體2之合成 [化 27]
將中間體1 13.5g(31mmol)溶解於二甲苯80niL，添加 對甲苯颯酸-水合物〇.6g(3.2mmol)，在氮氛圍下，經8小時 加熱回流同時進行共沸脫水。使反應液冷卻至室溫後，以 二氧化矽凝膠柱層析術（展開溶劑：二氯甲烷）精製，所得 之結晶以甲醇洗淨獲得中間體26.7g。收率52%。 (1_3)化合物（1)之合成 [化 28]
在氬氣流下，於3〇〇mL三口燒瓶’添加中間體26.7g (16mmol)，10-萘-2-基-蒽-9-硼酸 6.0g(17mmol)，四個三 -54- (51) (51)200806635 苯基膦鈀（〇)〇.36g(0.31mmol)，1,2-二甲氧基乙烷 50mL， 21^1碳酸鈉水溶液261111^(52111111〇1)，經8小時加熱回流。反應 完成後，添加二氯甲烷，將有機層水洗，以硫酸鎂乾燥後 ，以旋轉蒸發器將溶劑餾除。所得之粗結晶，以甲苯 5 0mL，甲醇lOOmL洗淨，獲得淡黃色粉末3.5g。此物以 FD-MS(field dissoption mass spetrum)測定，鑑定爲化合 物（1)(收率49%) 合成例2化合物（2)之合成 (2-1)中間體3之合成 [化 29]
中間體3 將2-苯基苯甲酸5.(^(25111111〇1)懸濁於1，2-二氯乙烷 50mL，添加氯化亞硫醯4.6g(39mmol)，DMF 3滴，在50°C 經一小時加熱攪拌。將溶劑以旋轉蒸發器餾除後，溶解於 N-甲基吡略啶酮80mL，添加N-(4-溴苯基）-1，2-伸苯基二胺 6.6g(2 5 mmol)，在室溫經3小時攪拌。反應完成後，使反 應混合物裝入水3 00mL，將析出之固體濾出，藉由減壓乾 燥，獲得中間體1 l〇.4g。收率94%。 (2-2)中間體4之合成 -55- (52) (52)200806635 [化 30]
將中間體2 10.4g(31mmol)溶解於二甲苯80mL，添加 對甲苯颯酸-水合物〇.44g(2.3mmol)，在氮氛圍下，在經8 小時加熱回流同時進行共沸脫水。使反應液冷卻至室溫後 ，以二氧化矽凝膠柱層析術（展開溶劑：二氯甲烷）精製， 所得之結晶以甲醇洗淨，獲得中間體45.4g。收率54%。 (2-3)化合物（2)之合成 [化 31]
除了使用中間體4以替代中間體2以外，其他則進行與 化合物（1)之合成同樣之操作，獲得化合物（2)爲淡黃色粉 末。獲得收量4.4g(收率53%)。此物以，FD-MS測定，則 鑑定爲化合物（2)。 -56- (53) 200806635 實施例1 (使本發明化合物使用於電子輸送層之有機EL 元件之製作） 將附有25111111\75111111><1.1111111厚之1丁0透明電極（陽極）之 玻璃基板（Geomatic公司製）於異丙基醇中進行超音波洗淨 5分鐘後，進行UV臭氧洗淨30分鐘。將洗淨後附有透明電 極線之玻璃基板安裝於真空蒸鍍裝置之基板保持架，首先 在透明電極線所形成側之面上以覆蓋該透明電極之方式使 膜厚60nm之N，N'-雙（N，N’-二苯基-4-胺基苯基）·Ν，Ν-二苯 基-4,4’-二胺基-1,1’-聯苯基膜（以下簡稱爲「TPD232膜」） 成膜。此TPD232膜，係作爲電洞注入層而作用。接續 TPD23 2膜之成膜，在此TPD23 2膜上使膜厚20nm之4,4’「 雙[N-(l-萘基）-N-苯基胺基]聯苯基膜（以下簡稱「NPD膜」 )成膜。此NPD膜係作爲電洞輸送層而作用。 進而，在此NPD膜上以膜厚40nm使下述式所示之蒽衍 生物A 1與苯乙烯基胺衍生物S 1以4 0 : 2之膜厚比成膜，成 爲藍色系發光層。 [化 32]
-57- (54) (54)200806635 在此膜上，電子輸送層係以膜厚2 0 n m使化合物（丨）藉 由蒸鍍而成膜。其後，將LiF以膜厚lnm成膜。在此LiF膜 上使金屬A1進行150nm蒸鍍形成金屬陰極，來形成有機EL 發光元件。 [化 33]
實施例2 除了實施例1中，使用化合物（2)以替代化合物（1)以外 ，其他則同樣地，來製作有機EL元件。 [化 34]
實施例3 除了在實施例1中，使用化合物（3)以替代化合物（1)以 外，其他則同樣地，來製作有機EL元件。 -58- (55) (55)200806635 [化 35]
實施例4 除了在實施例1中’使用化合物（4)以替代化合物（1 )以 外，其他則同樣地，來製作有機E L元件。 [化 36]
比較例1 除了在實施例1中’使用國際公開第w 0 2 0 0 4 / 080975A1號記載之下述化合物A以替代化合物（1)以外，其 他則同樣地，來製作有機EL元件。 -59- (56) (56)200806635 [化 37]
比較例2 除了在實施例1中，使用國際公開第W02 004/ 080975A1號記載之下述化合物B以替代化合物（1)以外，其 他則同樣地，來製作有機EL元件。 [化 38]
比較例3 除了在實施例1中，使用Alq(8-羥基喹啉之鋁錯合物） 以替代化合物（1)以外，其他則同樣地來製作有機EL元件 (有機EL元件之評價） 就上述實施例1〜4及比較例1〜3所得之有機EL元件 -60 - (57) 200806635 ’在外加下述表1所記載之直流電壓的條件下，測定發光 亮度，發光效率及色度，觀察發光色。該等結果如表1所 示0 [表1 ] 電子注入層 電壓(V) 電流密度 發光亮度 發光效率 發光色 之化合物 (mA/cm2) (cd/m2) (cd/A) 實施例1 化合物(1) 4.4 10.0 791.6 7.92 藍 實施例2 化合物(2) 4.5 10.0 806.8 8.07 藍 實施例3 化合物(3) 4.5 10.0 812.4 8,12 藍 實施例4 化合物(4) 4.5 10.0 825.1 8.25 藍 比較例1 化合物A 6.1 10.0 622.9 6.23 藍 比較例2 化合物B 5.3 10.0 740.0 7.40 藍 比較例3 Alq 6.2 10.0 480.3 4.80 藍 由上述表1結果可知，在使上述化合物用於電子注入 層，可製造極高發光亮度及發光效率之元件。 產業上之利用可能性 如以上詳細說明，藉由本發明含氮雜環衍生物之使用 於有機EL元件有機薄膜層之至少一層，可達成有機EL元 件之低電壓化與局売度化及局效率化。因此，本發明之有 機EL元件，作爲各種電子機器之光源等極爲有用。 -61 -

Claims (1)

  1. (1) 200806635 十、申請專利範圍
    下述一般式（1)所 示之含氮雜環衍生物 )
    (1) { 一般式（1)中、Ri〜R5 ^ 係各自獨立爲氫原子、取代或 者無取代之核碳數6〜6〇之 ^ 之方基、取代或者無取代之核原 1〜5〇之烷氧基、取代或者無取代之核原子數5〜π之芳 基氧基、取代或者無取代之核原子數5〜5〇之芳基硫其、 取代或者無取代之碳數丨〜5()之烷氧羰基、取代或取 代之核原子數5〜5 0之芳基所取代之胺基、國原子、气 基、硝基、羥基或羧基， 數5〜60之雜芳基、取代或者無取代之碳數丨〜5。之院 基、取代或者無取代之碳數3〜5〇之環院基、取代或者無 取代之核原子數6〜50之芳院基、取代或者無取代之碳數 Ra爲核碳數6〜60之芳基或核原子數5〜6〇之雜芳 基所取代之核碳數6〜60之芳基或核原子數5〜6〇之雜芳 基， R2〜R5之相鄰基，可各自相互鍵結形成芳香環、R 〜R之至少一'個爲下述一般式（2)所不之取代基， -62- (2) 200806635 [化2] ^Ar^Ar2 或取 U (L爲單鍵、取代或者無取代之核碳數6〜6〇之 基、取代或者無取代之核原子數5〜6。之雜伸芳#伸方 代或者無取代之伸芴基、 Arl爲取代或者無取代之核碳數6〜60之伸芳 代或者無取代之核原子數5〜60之雜伸 ：、取 無取代之伸誠、 $取代或者 Ar2爲氫原子、取代或者無取代之核碳數6〜6〇之〜 基、取代或者無取代之核原子數5〜6〇之雜芳基、取代= 者無取代之碳數1〜5。之烷基、取代或者無取代之碳數3 〜50之環烷基' 取代或者無取代之核原子數6〜π之芳 烷基、取代或者無取代之碳數卜以之烷氧基、取代或： 無取代之核原子數5〜50之芳基氧基、取代或者無取代之 核原子數5〜50之芳基硫基、取代或者無取代之碳數 5〇之烷氧羰基、取代或者無取代之核原子數5〜5〇之芳 基所取代之胺基、鹵原子、氰基、硝基、徑基或竣基）}。 2 ·如申g靑專利範圍第〗項之含氮雜環衍生物，其中 一般式（1)所示之化合物爲下述—般式（1_a)或（i_b)所示之 化合物， -63 - (3) 200806635 [化3]
    { 一般式（1-a)及（1-b)中、R1〜R5及Ra係 之、與該一般式（1)中之物同，L、Ar1及Ar2係 之、與該一般式（2)之物同， 一般式（Ι-a)及（Ι-b)中、R2〜R5之相鄰基、 互鍵結形成芳香環}。 3 .如申請專利範圍第1項之含氮雜環衍生 一般式（1)所示之化合物爲下述一般式（1-0、（1-或（1-f)所示之化合物， 自獨立 自獨立 各自相 ，其中 、（1-e)
    {一般式（1-c) 、（Ι-d)、（Ι-e)及（Ι-f)中、R1 〜R 及Ra -64- (4) (4)200806635 係各自獨立’與該一般式（1)之物同，L、Ar1、及Ar2係 各自獨立，與該一般式（2)之物同， η爲1〜5之整數， A r爲取代或者無取代之核碳數6〜6 0之芳基、取代 或者無取代之核原子數5〜60之雜芳基， 一般式（1-C)〜（Ι-f)中、R2〜R5之相鄰基、可各自相 互鍵結形成芳香環}。 4·如申請專利範圍第1〜3項中任一項之含氮雜環衍 生物，其爲有機電致發光元件用材料。 5 *如申請專利範圍第1〜3項中任一項之含氮雜環衍 生物，其爲有機電致發光元件用電子注入材料或電子輸送 材料。 6 ·如申g靑專利範圍第1〜3項中任一項之含氮雜環衍 生物，其爲有機電致發光元件用發光材料。 7 · —種有機電致發光兀件，其爲在陰極與陽極間夾 持至少含有發光層之一層或複數層所成之有機薄膜層的有 機電致發光兀件’其特徵爲’該有機薄膜層之至少1層係 含有申請專利範圍第1〜3項中任一項之含氮雜環衍生物 爲單獨或者混合物之成分者。 8 ·如申請專利範圍第7項之有機電致發光元件，其 中該有機薄膜層具有電子注入層或電子輸送層，該電子注 入層或該電子輸送層係含有如申請專利範圍第1〜3項中 任一項之含氮雜環衍生物爲單獨或者混合物之成分者。 9 ·如申請專利範圍第7項之有機電致發光元件，其 -65- (5) (5)200806635 中該發光層係含有如申請專利範圍第1〜3項中任一項之 含氮雜環衍生物爲單獨或混合物之成分者。 10·如申請專利範圍第7項之有機電致發光元件，其 中含有含氮雜環衍生物之該電子注入層或該電子輸送層爲 含有還原性摻雜劑。 11 ·如申請專利範圍第1 〇項之有機電致發光元件， 其中該還原性摻雜劑係選自驗金屬、鹼土類金屬 '稀土類 金屬、鹼金屬之氧化物、鹼金屬之鹵化物、鹼土類金屬之 氧化物、鹼土類金屬之鹵化物、稀土類金屬之氧化物、稀 土類金屬之鹵化物、鹼金屬之有機錯合物、鹼土類金屬之 有機錯合物及稀土類金屬之有機錯合物所成群之1種或2 種以上之物質者。 -66- 200806635 七，指定代表圖： (一） ，本案指定代表圖為：無 (二） ，本代表圖之元件代表符號簡單說明：無 八，本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式：化（1) [化1]
    N >-Ra N R1 (1) -4-
TW096110640A 2006-03-27 2007-03-27 Nitrogen-containing heterocyclic derivatives and organic electroluminescence device using the same TW200806635A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006086023 2006-03-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW200806635A true TW200806635A (en) 2008-02-01

Family

ID=38541179

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096110640A TW200806635A (en) 2006-03-27 2007-03-27 Nitrogen-containing heterocyclic derivatives and organic electroluminescence device using the same

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20070267970A1 (zh)
EP (1) EP2000464A4 (zh)
JP (1) JPWO2007111262A1 (zh)
KR (1) KR20080105112A (zh)
CN (1) CN101410382A (zh)
TW (1) TW200806635A (zh)
WO (1) WO2007111262A1 (zh)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1582516B1 (en) * 2003-01-10 2013-07-17 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Nitrogenous heterocyclic derivative and organic electroluminescent element employing the same
JP2007039406A (ja) * 2005-08-05 2007-02-15 Idemitsu Kosan Co Ltd 含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
US8945724B2 (en) * 2007-12-27 2015-02-03 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Nitrogen-containing heterocyclic derivative and organic electroluminescent device using the same
TWI530493B (zh) 2008-10-14 2016-04-21 第一毛織股份有限公司 苯并咪唑化合物及具有該化合物之有機光電裝置
EP2452946B1 (en) 2010-11-16 2014-05-07 Novaled AG Pyridylphosphinoxides for organic electronic device and organic electronic device
EP2463927B1 (en) 2010-12-08 2013-08-21 Novaled AG Material for organic electronic device and organic electronic device
KR101466150B1 (ko) * 2010-12-31 2014-11-27 제일모직 주식회사 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자
EP2757101A1 (en) * 2011-09-13 2014-07-23 Idemitsu Kosan Co., Ltd Fused heterocyclic aromatic derivative, organic electroluminescence element material, and organic electroluminescence element using same
JP5839912B2 (ja) * 2011-09-22 2016-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置
CN108198947A (zh) 2011-11-30 2018-06-22 诺瓦尔德股份有限公司 有机电子器件
TWI558711B (zh) 2011-11-30 2016-11-21 諾瓦發光二極體有限公司 有機電子裝置
WO2015064558A1 (ja) * 2013-11-01 2015-05-07 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
EP3002801B1 (en) 2014-09-30 2018-07-18 Novaled GmbH Organic electronic device
JP6552257B2 (ja) 2015-04-30 2019-07-31 キヤノン株式会社 １位、１’位、３位、３’位に複素単環基を有する、２，２’−ビベンゾ［ｄ］イミダゾリデン化合物、それを有する有機発光素子、表示装置
EP3304599A4 (en) * 2015-06-05 2019-02-27 C/o Canon Kabushiki Kaisha ORGANIC PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, OPTICAL SURFACE SENSOR, IMAGING DEVICE AND IMAGING APPARATUS
CN110343073A (zh) * 2015-07-02 2019-10-18 昆山国显光电有限公司 苯并咪唑类n-型掺杂剂及其在有机电致发光器件中的应用
CN108264487A (zh) * 2016-12-30 2018-07-10 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种新颖的咪唑类化合物及其应用
CN108586533A (zh) * 2018-05-08 2018-09-28 马鞍山南大高新技术研究院有限公司 一种含氮杂环的有机发光材料及其应用
CN110818696A (zh) * 2018-08-09 2020-02-21 昱镭光电科技股份有限公司 苯并咪唑化合物及其有机电子装置
EP3754734A4 (en) 2018-09-20 2021-06-30 Lg Chem, Ltd. ORGANIC LIGHT DIODE
CN113831292A (zh) * 2021-10-13 2021-12-24 上海传勤新材料有限公司 一种含有苯并咪唑和蒽的有机电子传输材料及其应用

Family Cites Families (104)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE558078A (zh) 1956-06-04
BE558630A (zh) 1956-06-27
US3180729A (en) 1956-12-22 1965-04-27 Azoplate Corp Material for electrophotographic reproduction
NL242505A (zh) 1958-08-20
NL250330A (zh) 1959-04-09
US3240597A (en) 1961-08-21 1966-03-15 Eastman Kodak Co Photoconducting polymers for preparing electrophotographic materials
US3180703A (en) 1963-01-15 1965-04-27 Kerr Mc Gee Oil Ind Inc Recovery process
JPS45555B1 (zh) 1966-03-24 1970-01-09
JPS463712B1 (zh) 1966-04-14 1971-01-29
US3526501A (en) 1967-02-03 1970-09-01 Eastman Kodak Co 4-diarylamino-substituted chalcone containing photoconductive compositions for use in electrophotography
US3542544A (en) 1967-04-03 1970-11-24 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing organic photoconductors of the triarylalkane and tetraarylmethane types
US3658520A (en) 1968-02-20 1972-04-25 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing as photoconductors triarylamines substituted by active hydrogen-containing groups
US3567450A (en) 1968-02-20 1971-03-02 Eastman Kodak Co Photoconductive elements containing substituted triarylamine photoconductors
US3615404A (en) 1968-04-25 1971-10-26 Scott Paper Co 1 3-phenylenediamine containing photoconductive materials
CA917980A (en) 1969-06-20 1973-01-02 J. Fox Charles Alkylaminoaromatic organic photoconductors
US3717462A (en) 1969-07-28 1973-02-20 Canon Kk Heat treatment of an electrophotographic photosensitive member
BE756375A (fr) 1969-09-30 1971-03-01 Eastman Kodak Co Nouvelle composition photoconductrice et produit la contenant utilisables en electrophotographie
BE756943A (fr) 1969-10-01 1971-03-16 Eastman Kodak Co Nouvelles compositions photoconductrices et produits les contenant, utilisables notamment en electrophotographie
JPS4725336B1 (zh) 1969-11-26 1972-07-11
JPS5110983B2 (zh) 1971-09-10 1976-04-08
GB1413352A (en) 1972-02-09 1975-11-12 Scott Paper Co Electrophotographic material
US3837851A (en) 1973-01-15 1974-09-24 Ibm Photoconductor overcoated with triarylpyrazoline charge transport layer
GB1505409A (en) 1974-12-20 1978-03-30 Eastman Kodak Co Photoconductive compositions
US4127412A (en) 1975-12-09 1978-11-28 Eastman Kodak Company Photoconductive compositions and elements
US4012376A (en) 1975-12-29 1977-03-15 Eastman Kodak Company Photosensitive colorant materials
CA1104866A (en) 1976-08-23 1981-07-14 Milan Stolka Imaging member containing a substituted n,n,n',n',- tetraphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine in the chargge transport layer
US4175961A (en) 1976-12-22 1979-11-27 Eastman Kodak Company Multi-active photoconductive elements
US4123269A (en) 1977-09-29 1978-10-31 Xerox Corporation Electrostatographic photosensitive device comprising hole injecting and hole transport layers
JPS5453435A (en) 1977-10-01 1979-04-26 Yoshikatsu Kume Portable bicycle equipped with foldable type triangle frame
US4150987A (en) 1977-10-17 1979-04-24 International Business Machines Corporation Hydrazone containing charge transport element and photoconductive process of using same
JPS5464299A (en) 1977-10-29 1979-05-23 Toshiba Corp Beam deflector for charged particles
JPS54112637A (en) 1978-02-06 1979-09-03 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
JPS54110837A (en) 1978-02-17 1979-08-30 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
JPS54110536A (en) 1978-02-20 1979-08-30 Ichikoh Ind Ltd Device for time-lag putting out room lamp for motorcar
JPS54119925A (en) 1978-03-10 1979-09-18 Ricoh Co Ltd Photosensitive material for electrophotography
US4251612A (en) 1978-05-12 1981-02-17 Xerox Corporation Dielectric overcoated photoresponsive imaging member
JPS6028342B2 (ja) 1978-06-21 1985-07-04 コニカ株式会社 電子写真感光体
JPS6060052B2 (ja) 1978-07-21 1985-12-27 コニカ株式会社 電子写真感光体
JPS5551086A (en) 1978-09-04 1980-04-14 Copyer Co Ltd Novel pyrazoline compound, its preparation, and electrophotographic photosensitive substance comprising it
JPS5546760A (en) 1978-09-29 1980-04-02 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
JPS5552064A (en) 1978-10-13 1980-04-16 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5552063A (en) 1978-10-13 1980-04-16 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5574546A (en) 1978-11-30 1980-06-05 Ricoh Co Ltd Electrophotographic photoreceptor
US4306008A (en) 1978-12-04 1981-12-15 Xerox Corporation Imaging system with a diamine charge transport material in a polycarbonate resin
JPS5588064A (en) 1978-12-05 1980-07-03 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5588065A (en) 1978-12-12 1980-07-03 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5585495A (en) 1978-12-18 1980-06-27 Pacific Metals Co Ltd Method of composting organic waste
JPS55108667A (en) 1979-02-13 1980-08-21 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
US4233384A (en) 1979-04-30 1980-11-11 Xerox Corporation Imaging system using novel charge transport layer
JPS6035058B2 (ja) 1979-05-17 1985-08-12 三菱製紙株式会社 有機光半導体電子写真材料
JPS564148A (en) 1979-06-21 1981-01-17 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5622437A (en) 1979-08-01 1981-03-03 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
US4232103A (en) 1979-08-27 1980-11-04 Xerox Corporation Phenyl benzotriazole stabilized photosensitive device
JPS5636656A (en) 1979-09-03 1981-04-09 Mitsubishi Paper Mills Ltd Electrophotographic material
JPS5646234A (en) 1979-09-21 1981-04-27 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
US4273846A (en) 1979-11-23 1981-06-16 Xerox Corporation Imaging member having a charge transport layer of a terphenyl diamine and a polycarbonate resin
JPS5680051A (en) 1979-12-04 1981-07-01 Ricoh Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5688141A (en) 1979-12-20 1981-07-17 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS6034099B2 (ja) 1980-06-24 1985-08-07 富士写真フイルム株式会社 電子写真感光体
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
JPS6059590B2 (ja) 1980-09-03 1985-12-25 三菱製紙株式会社 電子写真感光体
JPS57148749A (en) 1981-03-11 1982-09-14 Fuji Photo Film Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS6094462A (ja) 1983-10-28 1985-05-27 Ricoh Co Ltd スチルベン誘導体及びその製造法
JPS6093445A (ja) 1983-10-28 1985-05-25 Ricoh Co Ltd 電子写真用感光体
JPS60175052A (ja) 1984-02-21 1985-09-09 Ricoh Co Ltd 電子写真用感光体
JPS60174749A (ja) 1984-02-21 1985-09-09 Ricoh Co Ltd スチリル化合物及びその製造法
JPS6114642A (ja) 1984-06-29 1986-01-22 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 電子写真感光体
JPS6172255A (ja) 1984-09-14 1986-04-14 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 電子写真感光体
US4665000A (en) 1984-10-19 1987-05-12 Xerox Corporation Photoresponsive devices containing aromatic ether hole transport layers
JPS61210363A (ja) 1985-03-15 1986-09-18 Canon Inc 電子写真感光体
JPS61228451A (ja) 1985-04-03 1986-10-11 Canon Inc 電子写真感光体
US4588666A (en) 1985-06-24 1986-05-13 Xerox Corporation Photoconductive imaging members with alkoxy amine charge transport molecules
JPS6210652A (ja) 1985-07-08 1987-01-19 Minolta Camera Co Ltd 感光体
JPS6230255A (ja) 1985-07-31 1987-02-09 Minolta Camera Co Ltd 電子写真感光体
JPS6236674A (ja) 1985-08-05 1987-02-17 Fuji Photo Film Co Ltd 電子写真感光体
JPS6247646A (ja) 1985-08-27 1987-03-02 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 感光体
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
JPH07108950B2 (ja) 1987-05-27 1995-11-22 ダイセル・ヒュルス株式会社 ポリアミド樹脂組成物
JPH01211399A (ja) 1988-02-19 1989-08-24 Toshiba Corp スキャン機能付きダイナミックシフトレジスタ
JPH02282263A (ja) 1988-12-09 1990-11-19 Nippon Oil Co Ltd ホール輸送材料
JP2727620B2 (ja) 1989-02-01 1998-03-11 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌ素子
US5653713A (en) 1989-04-24 1997-08-05 Michelson; Gary Karlin Surgical rongeur
US4950950A (en) 1989-05-18 1990-08-21 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with silazane-containing luminescent zone
JPH02311591A (ja) 1989-05-25 1990-12-27 Mitsubishi Kasei Corp 有機電界発光素子
US5061569A (en) 1990-07-26 1991-10-29 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic electroluminescent medium
JP3016896B2 (ja) 1991-04-08 2000-03-06 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3306735B2 (ja) 1995-01-19 2002-07-24 出光興産株式会社 有機電界発光素子及び有機薄膜
US5645948A (en) 1996-08-20 1997-07-08 Eastman Kodak Company Blue organic electroluminescent devices
JP3716096B2 (ja) 1998-04-02 2005-11-16 三菱重工業株式会社 微粉炭セパレータ装置
US6620529B1 (en) * 1999-10-27 2003-09-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Materials for light emitting devices and light emitting devices using the same
KR100377321B1 (ko) 1999-12-31 2003-03-26 주식회사 엘지화학 피-형 반도체 성질을 갖는 유기 화합물을 포함하는 전기소자
JP2002038141A (ja) * 2000-07-28 2002-02-06 Fuji Photo Film Co Ltd 新規縮合へテロ環化合物、発光素子材料およびそれを使用した発光素子
JP4344494B2 (ja) * 2000-08-24 2009-10-14 富士フイルム株式会社 発光素子及び新規重合体子
JP2003022893A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子
TWI276369B (en) * 2002-09-20 2007-03-11 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent device
KR101036391B1 (ko) 2003-03-13 2011-05-23 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 신규한 질소 함유 헤테로환 유도체 및 이를 이용한 유기 전기발광 소자
US7777051B2 (en) * 2003-05-13 2010-08-17 Icagen, Inc. Asymmetric benzimidazoles and related compounds as potassium channel modulators
JP2007501189A (ja) * 2003-08-01 2007-01-25 ジェネラブス テクノロジーズ，インコーポレイテッド フラビウイルス科に対する二環式イミダゾール誘導体
JP2005123164A (ja) * 2003-09-24 2005-05-12 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子
JP4864697B2 (ja) * 2004-04-07 2012-02-01 出光興産株式会社 含窒素複素環誘導体およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
DE102004057073A1 (de) * 2004-11-25 2006-06-08 Basf Ag Verwendung von Phenothiazin-S-oxiden und -S,S-dioxiden als Matrixmaterialien für organische Leuchtdioden
CN101218208A (zh) * 2005-07-11 2008-07-09 出光兴产株式会社 含氮杂环衍生物以及使用其的有机电致发光元件
US8187727B2 (en) * 2005-07-22 2012-05-29 Lg Chem, Ltd. Imidazole derivatives, preparation method thereof and organic electronic device using the same
TWI348463B (en) * 2006-03-06 2011-09-11 Lg Chemical Ltd Novel anthracene derivative and organic electronic device using the same

Also Published As

Publication number Publication date
EP2000464A4 (en) 2010-06-30
JPWO2007111262A1 (ja) 2009-08-13
WO2007111262A1 (ja) 2007-10-04
KR20080105112A (ko) 2008-12-03
CN101410382A (zh) 2009-04-15
US20070267970A1 (en) 2007-11-22
EP2000464A1 (en) 2008-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI418547B (zh) Aromatic amine derivatives and organic electroluminescent elements using the same
KR101290027B1 (ko) 질소 함유 헤테로환 유도체 및 그것을 사용한 유기전기발광 소자
TW200806635A (en) Nitrogen-containing heterocyclic derivatives and organic electroluminescence device using the same
TWI430490B (zh) Organic electroluminescent element
TWI361020B (zh)
KR101308341B1 (ko) 유기 전계발광 소자용 재료 및 유기 전계발광 소자
JP5684135B2 (ja) 有機発光デバイス及びそれに用いるための物質
TWI400221B (zh) An asymmetric monoanthracene derivative, an organic electroluminescent device material, and an organic electroluminescent device using the same
US8629613B2 (en) Aromatic amine derivative and organic electroluminescent device using same
US8945724B2 (en) Nitrogen-containing heterocyclic derivative and organic electroluminescent device using the same
TW200815446A (en) Organic electroluminescent device and material for organic electroluminescent device
TW200421932A (en) Aromatic amine derivative and organic electroluminescent element employing the same
TW200414803A (en) Organic electroluminescence element
TW200804232A (en) Benzanthracene derivative and electroluminescence device using the same
TW200408303A (en) Organic electroluminescence device and anthracene derivative
TW200913341A (en) Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device
KR20080028424A (ko) 질소 함유 헤테로환 유도체 및 그것을 사용한 유기전기발광 소자
KR20080031931A (ko) 질소 함유 헤테로환 유도체 및 그것을 사용한 유기전기발광 소자
US7851073B2 (en) Organic electroluminescence device and material for organic electroluminescence device
JPWO2007007463A1 (ja) 電子吸引性置換基を有する含窒素複素環誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20140015319A (ko) 함질소 헤테로환 유도체, 유기 전기발광 소자용 전자 수송 재료, 및 그것을 이용하여 이루어지는 유기 전기발광 소자
TW200808687A (en) Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same
JPWO2006120859A1 (ja) 新規有機エレクトロルミネッセンス材料、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス用薄膜形成溶液
TW200911017A (en) Organic electroluminescence device
KR20120027133A (ko) 유기 일렉트로 루미네선스 소자 및 유기 일렉트로 루미네선스 소자용 재료