TW200805473A - Apparatus and method for treating substrate - Google Patents

Description

200805473 九、發明說明： C發明所屬技術領域3 相關申請案的交互引述 此美國非臨時專利申請案基於35 U.S.C. §119、主張於 5 2006年6月12日提申的韓國專利申請案案號2006-65374之 優先權，其等之全部内容於此被併入作為參考資料。 發明領域 本發明係有關於基材處理裝置。更特別地，本發明係 針對於一種基材處理裝置，其中化學品或氣體係被供應至 10 一種基材的一個頂部表面以清潔並乾燥該基材，以及利用 該基材處理裝置之一種基材處理方法。 【先前技術3 發明背景 於製造半導體裝置中，細微圖案的排列係藉由以下方 15式做到·重複地沈積和姓刻一個絕緣層與一種金屬材料， 塗覆和顯影光阻，以及移除一種灰化機。在此等製程期間 產生的粒子係用一種利用去離子水(DLr)或化學品的濕式 清潔製程予以移除。 一般而言，一種清潔和乾燥裝置包括被提供來夾住一 20種晶圓的一種晶圓夾盤。縱然由該晶圓夾盤所夾住的一種 晶圓係藉由-個馬達予以旋轉，以水或一種化學品係被供 應至該晶圓的-個表面。由於該晶圓的一種旋轉動力，該 被供應的m水或者化學品於該晶圓的整個表面展開以執行 一種清潔和乾燥製程。 5 200805473 於此一單-晶圓型的清潔和乾燥裝置中，一個晶圓係 利用m水予以沖洗以及該經沖洗的晶圓係利用犯氣體予以 乾燥。 然而，隨著近來的晶圓的—直徑更大的以及一種晶圓 、5 _案更細微之趨勢’ m水可能未完全地被移除(未被乾 ’ 燥）°因一種晶圓當被暴露於空氣中時被清潔和乾燥，一種 外在壞境對於該晶圓具有—種报大的效應以造成該晶圓的 _ 不良乾燥。

【發明内容;J 10 發明概要 本發明的例示實施例係針對於一種基材處理裝置· 於個例示實施例中，該基材處理裝置可以包括：帶有一 種夾i之種基材承載單S，一種基材被裝載於該夹盤 上，種底部室(bottom chamber)，其具有一個開著的頂部 被裝配以圍繞该炎盤的周邊；一種被裝配以打開或關閉· f _部室_部之頂部室’藉此該基材的一種乾燥處理被 執仃，然而該基材係與外部隔離；以及一種間接的射出喷 嘴，其被安裝在該頂部室且被裝配以向上地射出乾燥液 體’藉此該乾燥液體係被間接地射出至該基材。 2〇 一個上部空間可以被形成於該頂部室的内部中。該上 πΡ二間可以包括一種具有一種環形的邊緣部件與一種自該 邊緣部件延伸的中央部件，以及該間接的射出噴嘴係被安 裝在該邊緣部件以朝該中央部件射出。該中央部件係高於 该邊緣部件是較佳的。並且，一個下部空間可以被形成於 6 200805473 省頂部至的内部之該上部空間的下方，以及一個突出的辟 可以被配置介_τ部空間和該邊緣部件之間，以及—個 中心孔控可以被形成介於該中央部件和該下部空間之間， 藉此於該中央部件中的乾燥液體流向該下部空間。 該突出的壁的一個頂部表面可以包括一個向上地傾斜 朝向该中央部件之導引面(guide surface)，以及該突出壁的 一個底部表面具有一個向下地傾斜朝向該基材的—個邊緣

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20 於另一個例示實施例中，該基材處理裝置可以包括· 一種具有一種夾盤的基材承載單元，一種基材係被裝栽於 該夾盤上；一室（chamber),其中該基材的承載單元的該夾 盤被配置於其中且被提供以界定一個密閉的空間，藉此节 基材的-種乾燥處理被執行，然而該基材被密封於料了 以及-種間接的射出喷嘴，其被裝配以向上地射出乾燥液 體朝向該室的中央，藉此該乾燥液體係被非直接的射:至 該基材的一個表面。 於又另-個㈣實施财’該基材處縣置可以包 括：-種具有盤的基材承載單元’―種基材係被裝 載於該夾盤上；—種底部室，其具有1開著的頂部且被 裝配以圍繞該夾盤的周邊；以及— 種了員部室，其被裝配以 密封該底部室的頂部，藉此該基材的 種乾燥處理係於一 個被密封於外部的空氣之空間中被執行。 本發明的例示實施例之係針對於〜 、〜種基材處理方法。 於一個例示實施例中’該基材處理方 乃决可以包括：裝載一 7 200805473 種基材於一種被配置於一種底部室之内的失盤上；供應— 種化學品至該被裝載的基材以化學處理該基材；以及二 頂部室韻該底部室之開著的頂部時，彻卜種被^

TfMj» 體予以 在該頂部室之間接的射出噴嘴所間接射出的乾燥液· & 乾燥該經化學處理的基材。 圖式簡單說明 第1圖闡明一種如本發明之基材處理裝置；

10 第2圖闡明於第1圖中圖示的該基材處理裳置之 分開啟的底部室； 1 第3圖闡明於第1圖中圖示的該基材處理震置之 全開啟的底部室； 70 弟4圖闡明一種頂部室； 第頂闡明自第i圖中圖示的該頂部室的第 的乾燥液體之流動； 、对出 15

法 第6圖是-流賴，其__種如本發明之基材處理方 【】 較佳實施例之詳細說明 本!X月見在將在下文中參照附圖予以更完整地說明， 2〇 ^中本發明的較佳實施例被顯示。然而，本發明可以以許 夕不同^式予以實施以及不應被解釋成被限制於文中提 :的/等貝(列。而是，此等實施例係被提供藉此此揭示 將更70王和7L整，以及將充分地表達本發明的範缚給那些 本技云中具有技藝者。相同的號碼始終意指相同的元件。 8 200805473 第1圖闡明一種如本發明之基材處理裝置1〇〇。第2和3 圖各別地闡明該基材處理裝置100的一個部分開啟的底部 室和一個完全開啟的底部室。該基材處理裝置1〇〇係被裝配 以化學處理、沖洗，以及乾燥一種基材w，然而旋轉該基 5 材W 〇 參見第1-3圖，該基材處理裝置100包括一種基材承載 單元110，一種底部室120，一種頂部室13〇，和一種化學品 喷嘴單元160，以及一個減壓單元170。 該基材承載單元110係被裝配以在一種製程期間支樓 10該基材W。該基材承載單元11〇包括一種夾盤η]，轉轴 114，一種旋轉構件116，一種起重構件117，以及一種後部 喷嘴部件118。 該夾盤112係被配置於該底部室120的内部之一個空間 中。該夾盤112具有該基材W係被裝載於其上的一個頂部表 15面112a，以支撐該基材W與該頂部表面112a隔開之支撐接腳 113a ’以及被提供來固定該基材w之夾盤接腳U3b。該基 材W係藉由該等支撐接腳U3a予以支撲，然而與該夾盤112 的該等頂部表面112a隔開。該等夾盤接腳113b係被提供以 在製程期間夾住該基材W的邊緣之一部分。 20 遠轉轴114係被麵合至該夾盤112的一個中央較低部 件。該轉軸114係以一種中空的軸的形式被提供以傳送該旋 轉構件116的一種旋轉動力至該夾盤112。縱然未被詳細 地闡明，該旋轉構件116可以包括一種被裝配以產生一種 旋轉動力之駆動部件（例如，馬達），一種被提供以傳送該 9 200805473 旋轉動力至該轉軸114之皮帶，以及一種動力傳輸部件（例 如，鍵）。 該起重構件117係被提供以升高或降下該夾盤in，藉 此該底部室120的内部，該夾盤ι12的一相對高度隨著液體 5的種類（或處理製程）而變化。憑著該起重構件117，該夾盤 112係依據液體的種類（或處理製程）而行進至對應至第一、 第二和第三抽吸導管122a、122b，和122c的高度的位置。 該等導管122a、122b，和122c稍後將更詳盡地予以說明。 如上說明的，該底部室12〇係被固定的，以及該夾盤112係 10依據清潔、沖洗，和乾燥處理（或使用的液體的種類）而被升 高或降下。然而，可能該夾盤112係被固定的以及該底部室 120被升高或被降下。 該後部噴嘴部件118係被提供於選擇性地射出用於清 潔和乾燥處理的液體至該基材W的底部。該後部噴嘴部件 15 118包括一種供應管118a和一種喷嘴118b。該供應管118a， 該液體的一種流動通路，係通過該轉軸114的一個中空區 段，以及該噴嘴118b係被安裝於該夾盤112的頂部表面之中 央上。该噴嘴118b係被連接至該供應管118a以被暴露至該 夹盤112的一種中央部件，射出用於清潔和乾燥處理的液體 20至該基材％的一種後部表面以清潔並乾燥該基材W的後部 表面。該供應管118a可以是以該轉軸114内部的一個預定管 的形式界定之一個預定管或一個空的空間。由於該基材W 的旋轉’自該噴嘴l18b射出的液體容易地自該基材w的後 部表面的中央被分散至邊緣。 200805473 该底部室120具有-個開著的頂部以及被裝配以圍繞 該夾盤112的周邊。該底部室12()包括多級的第―、第二和 第三環形的導管122a、122b，和122c。此等導管咖、⑽， 和122c係被提供藉此喷灑於該旋轉式基材w上之液體流入 5以及被接受。該底部室12G包括_個被連接_條真空線174 之排出埠124以強制地排出空氣。漏极線(未顯示）係被連接 該底部室120以回收一種化學品。 參見第1、4,和5圖，該頂部幻3〇包括一個上部杯⑴， 一種間接的射出喷嘴14〇 ’以及—種交換驅動部件138。該 1〇上部杯132係被提供以打開或關閉該底部室12〇的頂部。該 間接的射时嘴M0被安裝錢上部杯132以難地射出乾 燥液體至該歸。該錢_部件138鶴該上部杯132以 打開或關閉該底部室132的頂部。 該上部杯132具有足以覆蓋該底部室⑶的頂部之大 15小。該上部杯132包括一個上部空間134,—個中心孔徑 135, -種導引面136, -種突出的壁137以及一個下部空間 139。該上部空間134是一個具有—種邊緣部件⑽和-種 中央部件⑽之傘形的空間。該邊緣部件⑽係被供應 以-個環形以及射央部件l34b係自該邊緣部件13如延 20伸。該間接的射出噴嘴係被安袭於該邊緣部件13如上。 該中央部件134b_提供至較該邊緣部件ma更高的位 置。該上部空間m具有一種通路134c，其係傾斜的以導 引自該間接的射出喷嘴140射出的該乾燥液體至其之中 央部件134b。 11 200805473 該間接的射出噴嘴140係被安裝在該上部空間134的該 邊緣部件134a以被配置成一種環形。該間接的射出噴嘴14〇 具有複數個以規則的間隔隔開的射出孔142。該等射出孔 142係被形成要向上地射出乾燥液體。該乾燥液體在經由該 5間接的射出喷嘴140的該等射出孔142射出之後，其係沿著 該上部空間134流動朝向該上部空間的該中央部件134b(該 上部杯132的中央）。 在該上部空間134的該中央部件134b收集的該乾燥液 體係經由該中心孔徑135而被排至一個下部空間139。該突 10出的壁137係被配置於該下部空間139和該邊緣部件134a之 間’自該間接的射出喷嘴140射出之乾燥液體流動至該處。 該突出的壁137作用為保護該基材W不受自該間接的射出 喷嘴140落下的外來的物質影響。該中心孔徑135係被形成 於該中央部件134b和下部空間139之間。該突出的壁137的 15頂部表面具有一種導引面B7a，其係向上地傾斜朝向該中 央部件134b，以及上部杯132的底部表面具有一種導引面 U6 ’其係向下地傾斜朝向於該夾盤112上移開的該基材之 一邊緣。 注意到該乾燥液體可以包括有機溶劑（IPA)和氮 2〇 (N2)氣’其可以在範圍自攝氏3〇至9〇度的溫度下予以 加熱。 如上說明的，該間接的射出噴嘴140係被用來間接地射 出乾燥液體至一種基材。因而’維持層流airfj〇w) 被徹底地維持以及該乾燥液體的一濃度分佈係較利用一種 12 200805473 慣用的擺動喷嘴更均勻地被維持。特別地，該間接的射出 喷嘴140係被配置於該上部空間134的該邊緣部件（一個向 内凹的空間）134a以預防自該間接的射出噴嘴14〇之該等射 出孔142落下之外來的物質不掉落至該基材上。 5 該上部杯132的該導引面136係自其之中央至其之邊緣 向下地傾斜。經由該中心孔徑13S予以排掉的乾燥液體係藉 由該導引面136導引以逐漸地自該基材的中央擴散至邊 緣。因而，該導引面136作用為預防該乾燥液體的密度不在 該基材的邊緣下降。該上部杯132的該導引面136係被提供 1〇以界定該處理空間139’其在高度上自該基材的中央至邊緣 變得狹窄。 因為該處理空間139係自其之中央至其邊緣下降，自一 種基材的中央至邊緣流動之該乾燥液體的密度在該處理空 間139的邊緣係更高於其之中央。另外，因該乾燥液體係逐 I5漸地擴散以自該基材的中央流動至邊緣，其係均勻地被供 應至該基材的整個表面。 特別地’因作用為液體的一個流動通路之該處理空間 139在該基材的邊緣比其之中央變得更狹窄，該乾燥液體在 該基材的邊緣比其之中央流動得更快。因此，提高移除剩 20餘在該基材的表面上的粒子之效力以及乾燥水分的效力是 可能的。 遠頂部室130係被提供以被配置於該上部杯132的旁邊 之一種始、封構件133，其係與該底部室12〇接觸。該密封構 件133係被提供以密封一個空間，一種基材於該空間中被處 13 200805473 力0 一種減壓構件no係被提供以減壓藉由該頂部和底部 室120和130彼此耦合而形成之一個密封的處理空間139。誃 減壓構件170包括一個真空幫浦Π2和一條真空線丨74，該真 5空線具有被連接至该真空奪浦172之一端以及被連接至兮 底部室120的該排出埠124之另一端。

如上說明的，該基材處理裝置100具有如下的結構特 徵：該基材W的該處理空間139係藉由該上部室13〇而與外 部隔離，以及該隔離的處理空間（密閉的空間）“a，，可以被減 10壓至具有低於大氣壓力的壓力。依據該等結構特徵，由外 部的環境造成的影響可以被減弱，以及在一種基材乾燥製 程期間，一種基材可以被更快地乾燥。 縱然未被闡明於圖示中，該底部室120和該基材承载單 兀的該夾盤112係被裝配以相對或分別地被提高。縱然 15該底部室120和該夾盤112被升高或被降下，一種基材％可 以被裝載於該夾盤112上或者該經處理的基材|可以自該 夾盤112被卸下。 20 參見第1和3圖，該化學品噴嘴單元16〇係被裝配以射 清潔液體和沖洗液體至該騎W的-個頂部表面。該化 时喷嘴單70160包括—種噴嘴162，其係藉著—種喷嘴移 構件164而於—直線向上或向下地移動或者自該基材W 中〜頂部旋轉式地移動至該底部室12G的外部。該喷嘴移 構件164包括該噴嘴162被搞合至該處的—種水平支 166 Μ及被連接至該水平支承166且憑著—個馬達(未顯六 14 200805473 而可旋轉的一種垂直支承168。 射出孔的數目和被供應的液體之種類以及該該等射出 孔的空間可以依據清潔和乾燥一種基材的方法而變化。舉 例而言，用於清潔一種基材的液體可以是去離子水⑴I水) 5和氫敗酸(HF)的混合溶液，DI水或者氨溶液和過氧化氯I水 溶液的混合溶液，以及乾燥一種基材的液體可以是異1 丙醇 蒸、^(IPA蒸汽)和氮氣的混合氣體或者氮氣。 _ 如於第5圖中闡明的，-個上部杯132的邊緣和—種義 材係以範圍自0.5至2公分的間隔予以隔開以預防自該基^ 10散射的水粒子和乾燥液體不彈回一種底部室的壁上。 -種利时述的紐處理裝置之基材清潔和乾燥的方 法現在將如下予以更詳盡地說明。 第6圖是-流程圖，其闡明一種如本發明之基材處理方 法。 15 參見第1-6圖，一種基材1係通過-種底部室120之開 著的頂部而被裝載於-種夾盤112上(S11G)。該基材w係由 夾盤接腳113b夾住，同時由支撐接腳113&予以支撐。該基 材w憑著該旋轉構件116的操作而與該夾盤112 一起旋轉。 該旋轉的基材w係經由一種化學品喷嘴單元16〇之一個喷 20嘴I62射出的液體予以清潔和沖洗（見第3圖）(S120)。 在該基材W被清潔和沖洗之後，該基材w的一種乾燥 處理被執行(S130)。該乾燥處理係在一種高速和低於大氣壓 力的一個壓力下予以執行以預防該基材…的表面上之水潰 的產生。 15 200805473 . 現在，該乾燥處理被更詳盡地說明。該底部室120的頂 • «著-個上部杯m而予以密封(S132)。由該頂部室13〇 和该底部室12G所密封的-個下部空間丨39係藉著 單元170予以減壓以具有一個低於—個大氣壓力的壓力 -5 (S134卜#該下部空間139被減壓以具有—個低於—個大氣 . 動的壓力時’該基材W係藉著經由-種間接的射出喷嘴 140間接地射出的乾驗體而予以乾燥（Sl36)。該乾燥液 • 體可以是在該下部”139的減壓之前、經由該間接的射 ώ喷嘴14_予以供應（當該頂部室咖移動以密封該底 10郤至120時’自該點）。該間接的射出噴嘴14〇係被配置於 個上部空間134的該邊緣部件134a以及一個射出孔142 係面向上以預防自該射出孔142落下的外來的物質造成 的基材污染。 該乾燥液體在通過該間接的射出噴嘴14〇之該等射出 —15孔142射出之後’沿著該上部空肋仏被收集至該上部空 • f4134的該中央部件⑽(該上部杯出的頂部)。被收集的乾 燥液體係通過-種中心孔徑135而被排至該下部空間139。 被排掉的乾燥液體流動以更快且均勻地乾燥該基材％的表 面，然而自該基材W的中央逐漸地擴散至邊緣。 於本t明中，一種基材W的頂部和底部表面可以在同 時地被清潔和乾燥。清潔和乾燥該基材W的底部表面係以 如下方式做到，藉由通過一種後部喷嘴部件⑼的一種嘴嘴 52而i、應如被供應至該基材w的頂部之相同的液體至該 基材w的底部表面，然而旋轉該基材w。 16 200805473 °又若4基材W的乾燥結束，該頂部室130的該上部杯 132被提雨至於第2圖中閣明的位置，在移動至第3圖中闡明 的位置之财，以打開該底部室120(S140)的頂部。在-種不 動的位置時，該基材W係自該爽盤112卸下(S150)。 5 本务明可以被應用至利用液相（或氣相）液體予以處理 -種基材的全部的裝置。雖然—種旋轉式清潔裝置已經被 況明於違本發明的實施例中，本發明可以被應用至 一種旋

轉式餃刻裝置。 心而口之本發明具有如下的優點：（1)一種基材被很 10陕地乾，（2)乾燥液體係被間接地注入至一種基材以完 王地^持_種層流以及均句地維持該乾燥液體之濃度分 佈’（3)-種基材在—種乾燥處_間㈣護不受外部的 亏才物々響，⑷由外部的環境造成的影響在—種乾燥處 理期間被減弱；（5)_種基材被預防不與空氣接觸；以及 ⑹被供應以乾種基材的液體之濃度與溫度上的變

〃縱然本發明已經以有關該於附圖中閨明的本發明的實 ^例予以朗，本發明不被關於該處。各種取代、修錦 和改變可以被達成而不背離本發明的_和精神，此對那 二本技藝中具有技藝者將是明顯的。 【陶式簡單說明】 第1圖闡明一種如本發明之基材處理裝置； 部 第2圖闡明於第1圖中圖示的該基材處理裝置之一種 分開啟的底部室； 17 200805473 第3圖闡明於第1圖中圖示的該基材處理裝置之一種完 全開啟的底部室； 第4圖闡明一種頂部室； 第5圖闡明自第1圖中圖示的該頂部室的第一喷嘴射出 5 的乾燥液體之流動； 第6圖是一流程圖，其闡明一種如本發明之基材處理方 法。 【主要元件符號說明】

100…基材處理裝置 118,150···後部喷嘴部件 110…基材承載單元 118 a"·供應管 112…夾盤 118b，152···喷嘴 112a…夾盤之頂部表面 122a…第一抽吸導管 W…紐 122b…第二抽吸導管 120···底部室 122c…第三抽吸導管 130…頂部室 124…排出埠 160…化學品喷嘴單元 174…真空線 170…減壓單元/構件 132…上部杯 113a…支撑接腳 140…間接的射出喷嘴 113b…夾盤接腳 138…交換驅動部件 114…轉轴 134…上部空間 116…旋轉構件 135…中心孑L# 117…起重構件 136,137a…導引面 18 200805473 • 137···突出的壁 139···下部/處理空間 134a…邊緣部件 134b…中央部件 134c"·通路 133…密封構件 172…真空幫浦 142…射出孔 162…噴嘴 164…喷嘴移動構件 166…水平支承 168…垂直支承

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Claims (1)

1. 200805473 十、申請專利範圍： 1. 一種基材處理裝置，其包含： 一種帶有一種夾盤之基材承載單元，一種基材被裝 載於該夾盤上； 5 一種底部室，其具有一個開著的頂部且被裝配以圍 繞該夾盤的周邊； 一種被裝配以打開或關閉該底部室的頂部之頂部 室，藉此該基材的一種乾燥處理被執行，然而該基材係 與外部隔離；以及 10 一種間接的射出喷嘴，其被安裝在該頂部室且被裝 配以向上地射出乾燥液體，藉此該乾燥液體係被間接地 射出至該基材。 2. 如申請專利範圍第1項之基材處理裝置，其中一個上部 空間係被形成於該頂部室的内部中，該上部空間具有帶 15 有一種環形的邊緣部件與一種自該邊緣部件延伸的中 央部件，以及該間接的射出噴嘴係被安裝在該邊緣部件 以朝該中央部件射出。 3. 如申請專利範圍第2項之基材處理裝置，其中該中央部 件係高於該邊緣部件。 20 4.如申請專利範圍第2項之基材處理裝置，其中一個下部 空間係被形成於該頂部室的内部中之該上部空間的下 方，以及其中一個突出的壁係被配置介於該下部空間和 該邊緣部件之間，其中一個中心孔徑係被形成介於該中 央部件和該下部空間之間，藉此於該中央部件内的乾燥 20 200805473 液體流向該下部空間。 5.如申請專利範圍第4項之基材處理裝置，其中該突出的 壁的一個頂部表面具有一種向上地傾斜朝向該中央部 件之導引面。 5 6.如申請專利範圍第4項之基材處理裝置，其中該上部室 的一個底部表面具有一種向下地傾斜朝向該基材的一 個邊緣之導引面。 7.如申請專利範圍第2項之基材處理裝置，其中該上部空 間係被形成為一種傘形。 10 8.如申請專利範圍第2項之基材處理裝置，其中該頂部室 係以範圍自0.5至2公分的間隔與該基材的邊緣隔開以預 防自該基材散射的乾燥液體和水粒子不彈回該底部室 的壁上。 9. 如申請專利範圍第2項之基材處理裝置，其中該底部室 15 包括複數個以多級(multi-steps)方式配置的環形的抽吸 導管以抽吸空氣和一種被散射於該基材上的化學品。 10. 如申請專利範圍第9項之基材處理裝置，其中該夾盤係 依據抽吸導管的高度而被升高或者被降下。 11. 如申請專利範圍第2項之基材處理裝置，其中該夾盤包 20 含承載單元，其等係被裝配以支撐一種向上隔開的基 材。 12·如申請專利範圍第11項之基材處理裝置，其進一步包 含： 一種被安裝在該夾盤之後部喷嘴部件以注入清潔 21 200805473 /夜體和乾無液體至該基材的一個後部表面。 申月專利範圍第1項之基材處理裝置，其中該乾燥液 體包括有機溶劑或者氮氣。 、 14· 一種基材處理方法，其包含： 衣載種基材於一種被配置於一種底部室之内的 夾盤上；

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   20 供應種化學品至該被裝載的基材以化學處理該 基材；以及 μ 一種頂部室密封該底部室之開著的頂部時，利用自 一種被安裝在該頂部室之間接的射出喷嘴所間接射出 的乾燥液體予以乾燥該經化學處理的基材。 15:1請專利範圍第14項之基材處理方法，其中在該頂部 室密封該底部室之前，該頂部室的内部係被維持在一種 乾燥液體的氛圍。 16.如申請翻範圍第14項之基材處理方法，其中該乾燥 該基材包含： ' 自該頂部室的邊緣射出該乾燥液體朝向該中央； 通過一種被形成於該頂部室的中央之中心孔徑而 排掉在該頂部室的中央收集的該乾燥液體；以及 乾燥該基材，然而自該基材的的中央逐漸地擴散該 被排掉的乾燥液體至該邊緣。 17· —種基材處理裝置，其包含： 一種基材係被 一種具有一種夾盤的基材承載單元 裝載於該夾盤上； 22 200805473 一種底部室，其具有一個開著的頂部且被裝配以 圍繞該夾盤的周邊；以及 一種頂部室，其被裝配以密封該底部室的頂部，藉 此該基材的一種乾燥處理係於一個被密封於外部的空 5 氣之空間中被執行。 18. 如申請專利範圍第17項之基材處理裝置，其進一步包 含·· 一種間接的射出喷嘴，其被安裝在該頂部室且被裝 配以射出乾燥液體朝向該頂部室的中央，藉此該乾燥液 10 體被間接地射出至該基材。 19. 如申請專利範圍第18項之基材處理裝置，其中該頂部室 進一步具有一種中心孔徑，通過該中心孔徑該乾燥液體 經由該間接的射出喷嘴射出，在中心收集的乾燥液體被 排掉，以及一種用於引導該乾燥液體之導引面，藉此該 15 乾燥液體逐漸地自該基材的中央擴散而流動至邊緣。 20. 如申請專利範圍第18項之基材處理裝置，其中該頂部室 進一步具有一個突出的壁，其係被配置以保護該基材不 受自該間接的射出喷嘴滴下的外來物質影響。 23