200800573 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種將薄膜與類似之物連結一基板至積 層滾軸之積層裝置，以及特別關於一保持固定張力之薄膜 之積層裝置。 【先前技術】 傳統上，積層裝置係應用至液晶生產線、半導體生產 線等裝配線上，其中具感光性之薄膜及其類似物係連結至 φ 玻璃基板、半導體基板等裝置上。在積層裝置中，薄膜依 序供給至預定間隔而重疊至各自基板之一表面上，並且一 對積層滾軸以壓力緊壓該基板與薄板而將其連結（例如，參 照日本專利公開公告第2003-062906號）。 在積壓裝置中，薄膜首先發送至其中基板與薄膜係已 連結之通道中，當基板已發送至通道中時，移動薄膜之運 送路線以重疊薄膜於基板上，該薄膜包括一基膜，一形成 於基膜上以連結至基板之樹脂層，以及一堆疊至樹脂層上 赢 之防護層。防護層係在該薄膜發送至通道中之前被削除， 藉由加熱融化該樹脂層以牢固地黏附於基板上，然而，E 黏附之樹脂層也處於防護層於室溫被削除之狀態中，由於 此情況，故樹脂層黏附於運送滾軸以及類似之裝置上以與 其接觸。 在上述公告第2003-062906號所說明之積層裝置中，於 積層滾軸之上游端上配置一抽吸式滾筒（suction drum)，該 抽吸式滾筒吸取薄膜並於運送薄膜方向與其相反方向中轉 動以穩定放置於積層滾軸上之薄膜張力（tension)，同時， 200800573 於抽吸式滾筒與積層滾軸間測量該薄膜之張力，基於張力 之測量結果，調節抽吸式滾筒之轉動速度以保持固定的薄 膜張力。 該抽吸式滾筒相較於用以運送薄膜之滾軸來說具有一 較大的直徑，並且其內部提供一空氣通道以執行空氣呼吸 (aspiration)，因此，轉動慣量（inertia moment)是較大的， 特別地是，近幾年中，於積層裝置中應用具有較大直徑的 抽吸式滾筒作爲液晶面板等具有較大螢幕之裝置，因此， 更增加轉動慣量，上述公告第2003-062906號之說明並無揭 露如何改變抽吸式滾筒之轉動速度，然而，當轉動該抽吸 式滾筒之馬達之轉動速度被調節時，會發生時間延遲直到 調節該馬達之轉動速度之後，抽吸式滾筒之轉動速度實際 改變爲止，由於此情況，於時間延遲與積層期間，會增加 由於薄膜張力之不穩定變動所導致之皺紋（wrinkles)等問 題而品質惡化，再者，會增加由於張力變動所導致之薄膜 拍動而干擾供給基板之其它問題。 本發明之主要目的係提供一種積層裝置，其中於抽吸 式滾筒與積層滾軸之間保持薄膜之張力爲固定不變。 【發明內容】 爲了達成上述目的與其它目的，依據本發明之積層裝 置其包含一積層滾軸與一張力滾軸。積層滾軸藉由運送與 壓迫基板與薄膜而連結薄膜至基板，該張力滾軸係於運送 薄膜方向中配置在積層滾軸之上游端上以應用張力至薄 膜。可於張力滾軸與轉動該張力滾軸馬達間，插入一轉矩 調節器（regulator)以調節從馬達傳送至張力滾軸之轉矩，同 200800573 時，在薄膜運送路線於張力滾軸與積層滾軸之間延伸配置 一用以測量薄膜張力之裝置，基於該測量之張力，由張力 控制器控制轉矩調節器以控制薄膜之張力。 作爲張力滾軸，可使用一滾軸轉動於相對於薄膜運送 方向之方向中，爲了增加應用該張力滾軸之張力，可於其 中周圍表面吸入該薄膜。 作爲轉矩調節器，可適用一用以調節轉矩之離合器 (clutch)，其從馬達傳送轉矩至該張力滾軸，再者，如該離 φ 合器，因爲其可快速地與準確地控制傳送轉矩，故可適用 一磁粉離合器（powder clutch)。 該張力控制器包含一轉矩計算器與一驅動信號產生 器’轉矩計算器比較由該張力測量裝置所測量之轉矩與預 設參考張力，以計算張力滾軸所需之轉矩，基於計算轉矩， 驅動信號產生器產生轉矩調節器之驅動信號，順帶一提的 是’轉矩計算器可計算與參考張力相等之測量張力所需之 張力滾軸轉矩。 φ 在較佳實施例中，積層裝置更可包含一運送機械裝置 (mechanism)與一轉矩改變器（torque changer)，運送機械裝 置只運送薄膜或薄膜與基板二者，運送機械裝置可改變當 只有薄膜通過積層滾軸時所設定時間之薄膜運送速度與當 連結基板與薄膜時所設定時間之連結速度之間之運送速 度。當運送機械裝置改變運送速度時，轉矩改變器藉由輸 入轉矩命令至張力控制器中，改變轉矩調節器之傳送轉矩。 在改變轉矩調節器之傳送轉矩中，當連結速度快於薄 膜運送速度時，轉矩調節器之傳送轉矩於其薄膜運送速度 200800573 改變爲連結速度期間，在加速度時降低，相較之下，轉矩 調節器之傳送轉矩於其連結速度改變爲薄膜運送速度期 間，在減速時增加。 當路線改變器改變配置於積層滾軸之上游端上之薄膜 之傳送路線時，其可較佳的提供一制動器（actuatoO於實質 垂直薄膜之傳送路線之方向中移動張力測量裝置，儘管薄 膜之傳送路線長度由於路線改變器執行傳送路線之改變而 改變，制動器依據路線改變器之操作移動張力測量裝置， φ 使得薄膜之傳送路線長度保持固定。 薄膜包括一基膜與一形成於基膜上之感光樹脂層，在 連結薄膜於基板上時，該基膜可於感光樹脂層轉移至基板 之狀態中從基板削除。 依據本發明之積層裝置，其相較於改變馬達之轉動速 度來說，其可更快速改變張力滾軸之轉矩，然而，其可縮 短張力改變時間上之不穩定週期。再者，由於應用至薄膜 之張力係保持固定，故其可預防由張力變動所導致之缺陷。 φ 關於轉矩調節器，其可利用一磁粉離合器等類裝置之 離合器，由於此裝置，其可相對以較低之成本而正確地調 節轉矩。 再者，由於轉矩調節器之傳送轉矩可依據薄膜與基板 之運送速度的改變而改變，其可準確地補償由於運送速度 之改變所導致之薄膜張力變動。 此外，由於薄膜之傳送路線長度保持固定，甚至當薄 膜之傳送路線於薄膜與基板之連結時間上改變時，其可適 當地測量薄膜張力。 200800573 【實施方式】 第1圖係依據本發明顯示由積層方法連結之一薄膜至 基板2之透視圖，基板2爲由如透明玻璃與塑膠製成之薄 板，且爲應用至液晶顯示器、電漿顯示器等類裝置中之彩 色濾光器之基部，參照元件符號9所示，其爲組成彩色濾 光器之感光樹脂層，感光樹脂層9係連結至基板2上之薄 膜3(參照第2圖）之一部分，在連結感光樹脂層9至基板2 上後，藉由曝光、顯影與清洗將預定圖案留在基板2上以 φ 組成彩色濾光器。 順帶一提地是，若感光樹脂層9黏附於基板2之側端， 則會導致不良產品。由此觀之，感光樹脂層9之連結區域 適宜比基板2還小，因此，基板2之連結表面係曝露於感 光樹脂層9附近以便具有一類似框架的形狀。在此之後， 此框架形狀部分稱爲外部框2a。 第3A圖到第3F圖係顯示用以連結薄膜3至基板2之 步驟。第3A圖顯示薄膜3之外部形狀，其爲一薄膜薄片並 φ 捲繞如一薄膜捲狀物6以設置於積層裝置上。如第2圖所 示之剖面圖中，該薄膜3爲一包含感光樹脂層及具有堆疊 複數層之多層結構之積層產品。薄膜3係由基膜8、感光 樹脂層9與防護薄膜10依序從底部堆疊所組成，由於各層 具有彈性，因此這些層不會被損害，即使此等層捲繞成捲 ' 狀形式時也不會損害。 如第3 B圖中所示，從薄膜捲狀物6取出之薄膜3設置 至於積層裝置上’並且接著，以二個長度爲L 1與L2之間 隔切割防護薄膜10’此製程稱爲半切割（half-cut)製程，並 -10- 200800573 在此交替使用間隔L1與L2之情況下對於薄膜3連續執 行，間隔L1係連結感光樹脂層9之長度以連結至基板2， 而間隔L2係界定連結長度L1區域之間的半切割間隔。雖 然防護薄膜1 0藉由半切割製程而變爲類似薄片形狀，但是 防護薄膜10仍繼續留在感光樹脂層9上而不用從那裡削 除，在此之後，針對已執行半切割製程的部分均稱爲半切 割部3a，並且針對已於間隔L2上執行半切割製程的區域 均稱爲剩餘區域3b。 φ 如第3C圖中所示，針對已執行之半切割製程，附加標 記1 3係附加於該薄片形狀之防護薄膜1 〇a與1 〇b上，以便 跨於剩餘區域3b。附加標記1 3係附加至前述薄片形狀之防 護薄膜10a之後尾端以及接著該薄片形狀之防護薄膜i〇b 之前端，當防護薄膜1 0從薄膜3削除時，切割爲薄片形狀 之防護薄膜1 0連續削除附加標記1 3爲如第3D圖中所示之 類似網狀的形式，就這一點而言，當削除該防護薄膜10 時，此時針對薄膜3上防護薄膜1 〇所留下之剩餘區域3b φ 來說’該附加標記1 3沒有附加至剩餘區域3b。 如第3E圖中所示，翻轉從該削除之防護薄膜1〇之薄 膜3 ’並連結感光樹脂層9至基板2之上表面，在連結時， 由一對積層滾軸1 6a與1 6b緊壓基板2與薄膜3，該積層滾 軸16a係由馬達17轉動，基於此，可連結基板2與薄膜3 並同時將其運送。 同時，連續供給感光樹脂層9以與基板2連結，考慮 連結準確度之變化，例如於供給方向中，當基板2之供給 間隔爲20±5mm並且外框2a之長度L3爲1到5mm時，半 -11-
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切割間隔L2變爲由基板2之供給間隔加上前迎 外框2a與接下來供給方向中之側端所計算之I 如第3F圖中所示，基膜8係在連結感光横 板2之後被削除，在此方式下，只有感光樹脂 基板2上並得到如第1圖中所示之狀態。順帶 該基膜 8可被削除爲網狀狀態（在此之後 (continuous type))，並在對應每一基板時切割成 被削除（在此之後稱爲薄片型（sheet type))。 第4圖係顯示積層裝置之結構之示意圖， 20連結基板2與薄膜3，同時連續將其運送， 包含用以供應薄膜3之薄膜供應區2 1，用以3 薄膜3之連結區22，用以加熱與供給基板2 5 23，用以在連結完成之後冷卻基板2之基板冷 及用以從薄膜3削除基膜8之基部削除區25。 在積層裝置20中，可由分隔牆（partition 一第一清洗室29a與第二清洗室2 9b，該第一名 含薄膜供應區21，第二清洗室29b包含連結區 熱區23、基板冷卻區24以及基部削除區25。 清洗室29a與29b可經由一形成於該分隔牆28 連接。 該薄膜供應區 21包含一薄膜行進機 advancing mechanism)33，一 處理機械裝置 34 機械裝置35以及一削除機械裝置36。膜行進 包含薄膜捲狀物6，其中薄膜3係捲繞爲捲致 此薄膜捲狀物6向'前推進薄膜3。該處理機械 ^二基板2之 I度。 丨脂層9至基 層9餘留在 ^ 一提地是， 稱爲連續型 :薄片狀之後 該積層裝置 積層裝置20 I結基板2與 :基板加熱區 卻區24，以 wall)28 分隔 I洗室29a包. [22、基板加 第一與第二 中之通孔28a 械裝置（film ，一標記附加 機械裝置33 t形式，並從 裝置34針對 -12- 200800573 該向前推進之薄膜3之防護薄膜1 0執行半切割製程。標記 附加機械裝置35黏貼附加標記13於防護薄膜1〇上。削除 機械裝置36從薄膜3以預定間隔削除防護薄膜1〇。 削除機械裝置3 6係由用以作爲張力滾軸之抽吸式滾 筒39, 一用以去除從薄膜3所削除之防護薄膜1〇之去除捲 狀物（take-up roll)40，以及用以引導該抽吸式滾筒39與去 除捲狀物40之間之防護薄膜10之複數個引導滾軸41所組 成。 φ 第5圖係顯示抽吸式滾筒39之鄰接結構，抽吸式滾筒 39係連接至空氣栗（吸附部件（adsorption member))，其沒有 顯示出來，以藉由形成於滾筒表面中之抽吸孔（suction holes)吸引，抽吸式滾筒39係藉由一馬達42在相對於薄膜 運送方向之方向中轉動，因此，抽吸式滾筒39可作爲張力 滾軸以應用固定負載至薄膜3之運送，使得薄膜3之張力 於抽吸式滾筒39與連結區22之間是穩定的。再者，馬達 42與抽吸式滾筒39之間，配置一磁粉離合器43，以調節 φ 從馬達42傳送至抽吸式滾筒39之轉矩。 連結區22提供一張力測量部46，以測量薄膜3之張 力，供給於基板2與薄膜3中之通道47，以及配置於通道 47上之連結機械裝置48，藉由削除防護薄膜10而曝露之 感光樹脂層9係由連結機械裝置48連結至基板2，一路線 改變機械裝置49,配置於連結機械裝置48之上游端上之預 熱器（preheaterWO與偵測相機51。當停止薄膜以及當準備 被處理時，該路線改變機械裝置49改變薄膜3之運送路線 • 以傳送至連結機械裝置48，預熱器5〇預熱薄膜3直到一預 -13- 200800573 定溫度爲止’偵測相機51偵測薄膜3之半切割部。 張力測量部46係由測量滾軸54與張力計量器55所構 成’測量滾軸54與放置於其上之薄膜3轉動，基於施加至 測量滾軸54之薄膜3之壓力，張力計量器55測量薄膜3 之張力。測量滾軸54與張力計量器55係由一含有氣缸之 制動器56支承住，並於垂直薄膜3之運送方向之方向中移 動。當路線改變機械裝置49已改變薄膜3之運送路線時， 制動器5 6移動張力測量部46以保持薄膜3之運送路線之 Φ 長度爲固定。 磁粉離合器43與張力計量器55係與張力控制器59連 接，其中張力控制器5 9包含一記憶體60，一轉矩計算器 61以及一驅動信號產生器（drive-signal producer)62，用以 藉由控制磁粉離合器43控制薄膜3之張力。 記憶體60係儲存預設參考張力，轉矩計算器61比較 從張力計量器55輸入之已測量的張力與參考張力，而計算 抽吸式滾筒39所需之轉矩，使測量張力與參考張力相等。 Φ 驅動信號產生器62基於由轉矩計算器61所計算之轉矩產 生磁粉離合器43之控制信號，以控制轉矩從馬達42傳送 至抽吸式滾筒3 9，由於張力控制器5 9，薄膜3之張力於抽 吸式滾筒39與連結機械裝置48之間保持固定。 第6A圖係顯示通道47之結構示意圖。連結機械裝置 48含有垂直配置並加熱至預定溫度之積層滾軸 65 a與 6 5 b，各自的積層滾軸6 5 a與6 5 b係由圓柱芯部（c ο 1U m n a r core)構成，其係由金屬等類材料，以及塗布於該芯部周圍 之矽橡膠等彈性材料製成，備用滾軸66a與66b各與積層 -14 - 200800573 滾軸65a與65b之圓周接觸，以保持該等積層滾軸之輸送 壓力爲固定。積層滾軸65a由馬達67轉動以連結感光樹脂 層9至基板上，同時插入且運送薄膜3與基板2至積層滾 軸 65b 〇 配置於通道47下之積層滾軸65b與備用滾軸66b係垂 直地移動，備用滾軸66b藉由含有圓筒裝置與螺線管等物 之制動器70垂直地移動，積層滾軸65b聯結備用滾軸66b 之垂直慣量而移動並壓迫積層滾軸65a，順帶一提的是，備 用滾軸 66b同樣經由制動器70藉由滾軸定位器（roller clamper)7 1垂直移動，滾軸定位器7 1由馬達與凸輪機械裝 置執行垂直移動，例如調節基板 2與薄膜 3之壓力 (pressurization)0 在連結機械裝置48之下游端上，配置上游薄膜運送滾 軸75a，75b與下游薄膜運送滾軸76a，76b，在積層裝置20 起動時只運送薄膜3，然而，上游基板運送滾軸77a，77b 與下游基板運送滾軸78a，78b在連結基板2與薄膜3時， 配置同時運送基板2與薄膜3。再者，相聯於放置於基板2 上而轉動之輔助滾軸79，係配置以助於基板2之移動，上 游薄膜運送滾軸75a、下游薄膜運送滾軸76a、上游基板運 送滾軸77a以及下游基板運送滾軸78a係藉由使用以驅動 積層滾軸之馬達67來轉動，以及其它滾軸係相對於基板2 與薄膜3之移動而轉動。 該等滾軸75b，77a，77b，76b，78a以及79係分別由 制動器82到87垂直地移動。當只有運送薄膜3時，該上 游薄膜運送滾軸75b與下游薄膜運送滾軸76b係移動至該 200800573 等滾軸與薄膜3之感光樹脂層9接觸之運送位置。再者， 該上游基板運送滾軸77a與77b、下游基板運送滾軸78a以 及輔助滾軸79係移動到該等滾軸與薄膜3分開之撤離位 置。因此，感光樹脂層9係防止黏附於基板運送滾軸與輔 助滾軸7 9。 同時，如第6B圖中所示，當連結與運送基板2以及薄 膜3時，上游基板運送滾軸77a與77b、下游基板運送滾軸 78a以及輔助滾軸79係移動至運送位置，其中該位置係該 φ 等滾軸與基板2以及薄膜3之基膜8接觸之位置，此時， 該上游薄膜運送滾軸75b與下游薄膜運送滾軸76b係移動 至該等滾軸與基板2分開之撤離位置，因此，在薄膜3之 運送時間上，黏附於薄膜運送滾軸之感光樹脂層9可防止 弄髒基板2。 第7A圖係顯示由各自的基板運送滾軸77a，77b，78a 以及78b運送之基板2與薄膜3的運送速度時序圖。在運 送基板2與薄膜3時期中，包括期間只運送薄膜3之薄膜 φ 運送時期以及基板2供給至連結機械裝置48中且與薄膜3 連結期間之連結時期，該等時期係依序重覆執行並且薄膜 3係相繼地連結至複數基板2，例如，藉由調節馬達67之 . 轉動速度而執行改變運送速度。 在連結時期中所採用的運送速度係定義爲連結速度， 其適用以連結基板2與薄膜3，同時，薄膜運送時期中所 採用的運送速度係定義爲薄膜運送速度，其爲了改善相對 於基板2之薄膜3連結位置的準確度，而設定爲低於該連 結速度。因此，發生用以加速運送速度之加速時期，其係 -16- 200800573 於改變薄膜運送時期至連結時期時發生，並且發生用以減 速運送速度之減速時期，其係於改變連結時期至薄膜運送 時期時發生。 由於薄膜3在加速時期期間於連結區22中拉緊，故增 加上游薄膜張力，相較之下，由於薄膜3之運送速度在減 速時期期間於連結區22中降低薄膜3之運送速度，故減少 上游薄膜張力。在傳統積層裝置中，有時因爲加速時期與 減速時期期間張力變動（Π u c t u a t i ο η)，以及供給下一個基板 φ 2至連結機械裝置42有時被薄膜3之拍動（flap)干擾，故會 因而下降積層品質。然而，在本發明之積層裝置中，張力 之變動係於加速時期與減速時期期間被偵測到以控制該磁 粉離合器43，並且調節從馬達42傳送至抽吸式滾筒39之 轉矩使得薄膜3之張力保持固定。 參照元件符號90係代表一尾端部切割機械裝置，用以 在每次操作開始時切割薄膜3之前尾端（anterior end)，並 且元件符號9 1代表中間部切割機械裝置，用以當裝置中發 φ 生問題時，切割基板2間之薄膜3。再者，元件符號92代 表輔助滾軸，用以於每次薄膜3被尾端部切割機械裝置90 切割而從通道47摒棄時，引導薄膜3。 路線改變機械裝置49係由放置於薄膜3上之接觸防止 滾軸95 ’以及用以移動接觸防止滾軸95之制動器96所構 成’關於制動器96，例如使用一氣缸或類似物以垂直移動 接觸防止滾軸95。如第6A圖中所示，制動器96向下移動 接觸防止滾軸95以防止薄膜3與積層滾軸65a接觸，並當 只有薄膜3供給至通道47，具體來說當停止薄膜以及當執 -17- 200800573 行準備操作時，藉以防止被加熱。同時，如第6B圖中所示， 制動器96向上移動該接觸防止滾軸95以於連結基板2與 薄膜3時，增加相對於積層滾軸65a之捲繞角度。 根據路線改變機械裝置49改變薄膜3之運送路線，可 於抽吸式滾筒39與連結機械裝置48間改變薄膜3之運送 路線的長度。再者，當改變運送路線之長度時，也可改變 薄膜3之張力，就此而言，在本發明中，相聯於路線改變 機械裝置49之制動器96操作而操作制動器56，以保持薄 φ 膜3之運送路線之長度爲固定。 具體地，當接觸防止滾軸95向下移動時，則可拉長運 送路線之長度，在此時，制動器56朝第5圖中所示之雙點 連續線之右邊方向移動該張力測量部46。相對地，當接觸 防止滾軸95向上移動時，則可縮短運送路線之長度，在此 時，制動器56朝第5圖中所示之實線之左邊方向移動張力 測量部46。 順帶一提的是，當張力測量部46藉由制動器56移動 φ 以保持運送路線之長度爲固定時，薄膜3之張力由於相對 於抽取式滾筒39之薄膜3之捲繞角度之改變而少量變動， 然而，此張力之變動也可藉張力測量部46測量並由張力控 制器59控制，使得薄膜3之張力保持固定。 在基板加熱區23中，包含於基板貯存器100之基板2 藉由自動控制裝置（robot) 101取出，並供應至基板搬運機械 裝置102,於基板搬運機械裝置102中加熱之基板2供給至 連結區22中，在冷卻區24中，基板2到連結區22中所連 結之薄膜3係藉由冷卻機械裝置103冷卻，並遞送至基部 -18 - 200800573 削除區25，其中藉由基部削除機械裝置104從薄膜3削除 基膜8以得到只有感光樹脂層9黏附之基板2。再者，感光 樹脂層9之連結位置藉由測量單元1 05測量，並接著藉由 該自動控制裝置106裝載基板2至處理基板貯存器107中。 經由積層處理控制器11 0完全控制積層裝置20，例 如，基板加熱控制器m，積層控制器112以及基部削除控 制器11 3係提供至積層裝置20之各自的作用部分，並經由 處理網路連結。該積層處理控制器110係連接至製造廠網 • 路以基於從製造廠CPU(沒有顯示）發送之命令資訊（情況設 定與生產資訊）執行操作管理與生產管理之生產資訊處理。 該基板加熱控制器111控制基板加熱區23，並且基部 削除控制器113控制基部削除區25。該積層裝置112控制 薄膜供應區21、連結區22以及基板冷卻區24。同時，積 層控制器112控制各自的功能部分作爲整個處理的主要部 分。再者，積層控制器112藉由控制制動器82到87以垂 直移動各自滾軸，並藉由控制張力控制器59保持薄膜3之 φ 張力爲固定。此外，積層滾軸112藉由控制制動器56及96 保持固定的薄膜3之運送長度。 接下來，參照第8圖中所示之流程圖於下方說明上述 實施例之操作。根據啓動積層裝置20，積層控制器112藉 由薄膜行進機械裝置33遞送薄膜3至薄膜供應區21，對於 遞送之薄膜3，由處理機械裝置34執行半切割製程並由該 標記附加機械裝置35附加附加標記13至防護薄膜10，接 下來，藉由削除機械裝置36從薄膜3削除防護薄膜10，並 接著從已削除防護薄膜之薄膜供給至連結區22中。 -19- 200800573 在連結區22中，積層控制器11 2控制制動器82到87， 以移動上游薄膜運送滾軸75b與下游薄膜運送滾軸76b至 該等滾軸與薄膜3之感光樹脂層9接觸之位置，如第6A圖 中所示。在此時，積層控制器11 2移動上游基板運送滾軸 77a與7 7b、下游基板運送滾軸78a以及輔助滾軸79至該 等滾軸分開薄膜3之撤離位置，薄膜3係由上游薄膜運送 滾軸75a，7 5b以及下游薄膜運送滾軸76a與76b運送，而 薄膜3之前尾端係藉由輔助滾軸92發送至通道47之外部 φ 並由尾端部切割機械裝置90在切割之後而摒棄。 當薄膜3如上所述被運送時，配置於薄膜供應區21中 之抽吸式滾筒39係藉由馬達42於薄膜運送方向之反方向 中轉動，以施加薄膜3之張力於抽吸式滾筒39與連結機械 裝置48之間，此薄膜3之張力係藉由張力測量部46之張 力計量器55來測量並輸入至張力控制器59中。 在張力控制器59之轉矩計算器61中，從張力計量器 55所輸入之測量張力與從記憶體60所讀出之參考張力做 φ 比較而計算抽吸式滾筒39所需之轉矩，使測量張力與參考 張力相等。由轉矩計算器61計算之轉矩係輸入至驅動信號 產生器62中以產生磁粉離合器43得到計算轉矩所需之控 制信號，磁粉離合器43係基於產生之控制信號而啓動，以 調節從馬達42傳送至抽吸式滾筒39之轉矩，基於此，薄 膜3之張力係於抽吸式滾筒39與連結機械裝置48之間保 持固定。 在完成薄膜3之準備後，基板2係從基板加熱區23供 給至連結區22中，連結機械裝置48夾擠並按壓該基板2 -20- 200800573 與薄膜3以將其連結起來。積層控制器1 1 2控制制動器82 到87以移動上游薄膜運送滾軸75b與下游薄膜運送滾軸 76b至該等滾軸分開基板2之撤離位置，如第6B圖中所示。 在此時，積層控制器112移動上游基板運送滾軸77a與 7 7b、下游基板運送滾軸78a以及輔助滾軸79至該等滾軸 與基板2以及薄膜3接觸而將其運送之運送位置。 如第5圖中之雙點連結線所示，當只有運送薄膜3時， 該接觸防止滾軸95向下移動以便分開薄膜3與積層滾軸 φ 65a。當已供給基板至連結區22中以開始在那裡連結薄膜3 時，接觸防止滾軸95向上移動並改變運送路線以便增加相 對於積層滾軸65a之薄膜3的捲繞角度。由於制動器56相 聯於接觸防止滾軸95之移動而移動張力測量部46,因此可 防止運送路線之長度在抽吸式滾筒39與連結機械裝置48 之間的改變，使得也可防止由於運送路線之長度改變而改 變張力。 順帶一提地是，由於張力測量部46係由制動器56移 φ 動，相對於抽吸式滾筒39來說可改變薄膜3之捲繞角度， 因此，薄膜3之張力會有少量的變動。然而，此張力變動 也可由張力控制器59控制，使得薄膜3之張力保持固定。 再者，雖然薄膜3之張力於從薄膜運送時期改變到連 結時期之加速時期期間以及從連結時期改變到薄膜運送時 期之減速時期期間變動，但此張力變動也可由張力控制器 59控制，使得薄膜3之張力保持固定。 在上述實施例中，於加速時期與減速時期中之張力變 動係藉由張力測量部46偵測，並且磁粉離合器43係基於 -21- 200800573 張力測量部46之偵測結果而控制。然而，由於各自加速與 減速時期之發生時間根據相對於連結機械裝置48執行基 板2之輸送須事先確認，並由於其加速與減速型式係爲固 定的，故可藉由控制同時發生於加速時期與減速時期中之 張力，以高準確度補償該加速與減速。 例如，如第9圖中所示，PLC(可程式邏輯控制器120) 係連接至張力控制器59，轉矩命令係於加速時期與減速時 期期間，直接從PLC輸入至張力控制器59之驅動信號產生 器62，如第7A圖中所示。如第7B圖中所示，關於轉矩命 令，其可於加速時期中藉由減少從馬達4 2傳送至抽吸式滾 筒39之轉矩而防止薄膜張力於加速時期增加。相對地，藉 由增加減速時期中之傳送轉矩，其可防止薄膜張力減少。 基於從轉矩計算器61輸入之轉矩以及從可程式邏輯 控制器（PLC) 120輸入之轉矩，就磁粉離合器43之驅動信號 於驅動信號產生器62中產生之情況來說，其也可調節其它 由於除了加速時期與減速時期所導致之因素之張力變動， 在此情況下，可以較高準確度控制該張力。 在上述實施例中，磁粉離合器係用來作爲轉矩調節 器，然而，其可使用其它的離合器以及非離合器之驅動傳 送器，此外，上述實施例係有關於基膜8被削除而沒有切 割薄膜3之連續型，然而，在本發明中，其可適用在每個 基板2切割薄膜3之後而削除基膜8之薄片型。再者，在 上述說明之積層裝置中，薄膜3之一薄片係連結至基板2, 然而，本發明可適用在平行連結複數個薄膜薄片至基板之 另一稹層裝置，再者，在前述積層裝置中，感光樹脂層係 -22- 200800573 形成於彩色濾光器之玻璃基板上，然而，本發明可適用在 針對用在其它產品之積層裝置。 在本發明中，包含黏附感光樹脂層之薄膜係連結至基 板上，然而，本發明可適用在具有非黏附連結表面之基板 與薄膜之連結。 工業應用 本發明爲可較佳地應用以保持薄膜之張力爲固定之積 層裝置\ 【圖式簡單說明】 第1圖係依據本發明顯示由積層裝置連結之一薄膜與 一基板之透視圖； 第2圖係顯示薄膜之層結構之剖面圖； 第3A圖到第3F圖係顯示說明積層裝置之連結步驟； 第4圖係顯示積層裝置之結構之示意圖； 第5圖係顯示抽吸式滾筒之鄰接結構之示意圖； 第6A圖與第6B圖係顯示連結區域之結構示意圖； 第7A圖與第7B圖係顯示運送速度改變與轉矩命令之 時間時序圖； 第8圖係顯示積層裝置之連結處理流程圖；以及 第9圖係顯示另一積層裝置之抽吸式滾筒之鄰接結搆 之示意圖，其中磁粉離合器之傳送轉矩由PLC之轉矩命令 調節。 【主要元件符號說明】 2 基板 2a 外框 3 薄膜 -23- 200800573
3 a 半切割部 3b 剩餘區域 6 薄膜捲狀物 8 基膜 9 感光樹脂層 10 防護薄膜 10a 、 10b 薄片形狀之防護薄膜 13 附加標記 16a 、 16b 積層滾軸 17 馬達 20 積層裝置 21 薄膜供應區 22 連結區 23 基板加熱區 24 基板冷卻區 25 基部削除區 28 分隔牆 28a 通孔 29a 第一清洗室 29b 第二清洗室 33 薄膜行進機械裝置 34 處理機械裝置 35 標記附加機械裝置 36 削除機械裝置 . 39 抽吸式滾筒 40 去除捲狀物 41 引導滾軸 42 ^ 67 馬達 43 磁粉離合器 -24- 200800573 46 47 48 49 50 51 54 55 56 ' 70、82、83、84
85 ^ 86 ' 87 、 96 59 60 61 62 65a、 65b 66a、 66b 71 75a 、 75b 76a 、 76b Φ 77a 、 77b 78a 、 78b 79 90 91 92 95 101 、 106 102 張力測量部 通道 連結機械裝置 路線改變機械裝置 預熱器 偵測相機 測量滾軸 張力計量器 制動器 張力控制器 記憶體 轉矩計算器 驅動信號產生器 積層滾軸 備用滾軸 滾軸定位器 上游薄膜運送滾軸 下游薄膜運送滾軸 上游基板運送滾軸 下游基板運送滾軸 輔助滾軸 尾端部切割機械裝置 中間部切割機械裝置 輔助滾軸 接觸防止滾軸 自動控制裝置 基板搬運機械裝置 冷卻機械裝置 -25- 103 •200800573 104 基部削除機械裝置 105 測量單元 107 處理基板貯存器 110 積層處理控制器 111 基板加熱控制器 112 積層控制器 113 基部削除控制器 120 可程式邏輯控制器 LI、L2 長度間隔 L3 長度 -26-