TW200530965A - Display device - Google Patents

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200530965 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明’涉及一種與液晶顯示裝置（L C D ) 示裝置（PDP )、有機或者是無機電激發光顯示 光二極管（LED )顯示裝置、螢光顯示管、電場 示裝置、電泳顯示裝置、電激彩色發光顯示裝置 顯示裝置。 【先前技術】 作爲主動矩陣驅動之液晶顯示裝置（LCD ) 使用薄膜電晶體（TFT )的彩色液晶顯示裝置（ 迨個彩色液晶顯Tf；裝置（LCD)，具有作爲主動 基板的薄膜電晶體基板，與薄膜電晶體基板相對 備共用電極之對向基板，介於兩基板之間的液晶 電晶體基板，具有形成在閘極線及源極線交點近 φ 電晶體、連接於薄膜電晶體的畫素電極。藉由對 電極配置紅（R )、綠（G )、藍（B )之彩色濾 成各色畫素。作爲畫素的配列方法，例驾 USP5144288揭載的三角配列。 圖1，係模式顯示具有三角配列（Delta配列 液晶顯示裝置（LCD)的薄膜電晶體基板之平面 膜電晶體基板的顯示部分1中，形成了從閘極驅 長的閘極線4，從源極驅動器3延長的源極線5 線4和源極線5的交點附近形成了薄膜電晶體6 、電漿顯 裝置、發 放出型顯 等有關之 ，例舉了 LCD )。 矩陣驅動 配置的具 層。薄膜 旁的薄膜 應各畫素 光板，形 ^ 了例如 )畫素之 圖。在薄 動器2延 。在閘極 ，各個薄 -5- 200530965 (2) 膜電晶體6與畫素電極7連接。由閘極線4通過被 薄膜電晶體6，將對應各畫素的訊號從源極線5提 素電極7。由此在畫素電極7和共用電極（未圖示 施加了電壓，控制對應於這個畫素區域的液晶層之 性，進行顯示。 在圖1所示的薄膜電晶體基板中，相對於閘極 行方向上之直線延長，源極線5在列方向上爲蛇行 φ 還有，從同一源極線5提供給訊號的畫素電極7 ’ 源極線5的每一行左右交替，亦係曲折狀配置。 另一方面，以提高畫素開口率爲目的，開發了 線上覆蓋絕緣膜，在這個絕緣膜之上形成畫素電極 口率之液晶顯示裝置（LCD )。但是，如利用於三 的高開口率之液晶顯示裝置（LCD )中，會發生以 之問題。 圖2，係模式顯示圖1所示的三角配列顯示板 φ 線和畫素電極之間的電容之平面圖。如圖2所示’ 上看，各畫素7係被行方向相鄰的源極線5所夾。 圖2所示的第1行之綠畫素7G1及第3行之綠晝素 係被爲向綠畫素7G輸入影像訊號PS的綠畫素用 5G和爲向與綠畫素7G行方向相鄰的藍畫素7B輸 訊號PS的藍畫素用源極線5B所夾。 另一方面，圖2所示的第2行綠畫素7G2及弟 畫素7 G 4，係被綠畫素用源極線5 G和爲向與綠晝舅 方向相鄰的紅畫素7R輸入影像訊號P S的紅畫素用 定址的 供給畫 )之間 光學特 線4的 延長。 相對於 在源極 的高開 角配列 下所示 中源極 從平面 例如， 7G3， 源極線 入影像 4行綠 "G行 源極線 -6 - 200530965 (3) 5R所夾。換言之，被綠畫素用源極線5G與藍畫素用源極 線5 B所夾之綠畫素7 G 1、7 G 3，和被綠畫素用源極線5 G 與紅畫素用源極線5R所夾之綠畫素7G2、7G4的每一行 交替排列。亦係在行方向上夾的源極線5與兩種不同類的 綠畫素7G每隔一行交替排列。 圖3，係圖2中以第2行的綠畫素7G2爲中心的畫素 配列之部分擴大圖。圖4，係模式顯示圖3中A-B線之剖 面圖。圖5，係模式顯示圖3中C _ D線之剖面圖。如圖4 及圖5所示，因爲畫素電極7和源極線5介於絕緣膜8配 置，就存在寄生電容的源極·汲極間電容。某一個畫素電 極7和向這個畫素電極7輸入影像訊號PS的源極線5 ( 換言之，驅動這個畫素電極7的源極線5)的寄生電容爲 電容Csdl，某一個畫素電極7和不向這個畫素電極7輸 入影像訊號P S的源極線5 (換言之，不驅動這個畫素電 極7的源極線5 )的寄生電容爲電容Csd2。例如，在紅畫 素用源極線5R和紅畫素7R之間存在電容Csdl，在紅畫 素用源極線5R和藍畫素7B或者綠畫素7G之間存在電容 Csd2。介於這些寄生電容Csdl、Csd2通過源極線5的電 位變動引入畫素電極7之電位。例如，紅畫素用源極線 5R及綠畫素用源極線5G所夾的第2行綠畫素7G2從這些 源極線5R、5G引入電位，綠畫素用源極線5G及藍畫素 用源極線5B所夾的第丨行綠畫素7G1從這些源極線5G、 5B引入電位。因此，引入後的畫素電極（例如綠畫素7G )的電位Vpix可用下式顯示。 200530965 (4)

Vpix = VslO + (Csdl/Cpix)xAVsll+(Csd2/Cpix)xAVsl2 {在此’ V s 10係引入則的電位（爲向綠畫素7 G輸入 影像訊號之從源極線5 G介由薄膜電晶體施加的電位）、 △ Vsll係爲向綠畫素7G輸入影像訊號的源極線5G的電壓 振幅、△ V s 12係爲不向綠畫素7 G輸入影像訊號的源極線 φ 5R或者5B的電壓振幅、Cpix係加在綠畫素7G上的電容 (寄生電容、輔助電容等）的和。} 圖6，係顯示從源極線5向綠畫素7G的電位引入之 平面圖。圖6中上段的綠畫素7G1從紅畫素用源極線5r 及綠畫素用源極線5 G引入電位，圖6中下段的綠畫素 7 G2從綠畫素用源極線5 G及藍畫素用源極線5 B引入電位 。因此，上段的綠畫素7G1及下段的綠畫素7G2由綠畫 素用源極線5 G引入之電位相同。但是，從紅畫素用源極 φ 線5 R引入之電位和從藍畫素用源極線5 B引入之電位並不 一定相等，所以，就產生上段的綠畫素7G 1引入電位和下 段的綠畫素7G2引入電位之電位差。亦即，向綠畫素7G 施加的電壓可以每一行不同。這種情況，每一行畫素的亮 度差呈橫紋出現，就得不到均勻的顯示。例如，紅畫素 7R爲白顯示（最高透過率的狀態），綠畫素7G爲中間色 調顯示，藍畫素7 B爲黑顯示（最低透過率的狀態）的情 況，可顯見橫紋。 這個現象，不只是綠畫素7G，在紅畫素7R及藍畫素 200530965

7B上亦產生。還有不只是三角配列，在馬賽笑 配列，正方形（s q u a r e )配列亦產生。 【發明內容】 本發明之目的在於：降低橫紋的發生，提 質。例如，綠畫素7G中，藉由紅畫素用源極| 電位和由藍畫素用源極線5 B引入之電位之間 φ 生橫紋。亦係，上述橫紋的發生，係藉由上述 項値每一個水平線的都不同之原因。因此，藉 項中的Csd2，第3項的値就會變小，就可以 出現。 本案發明人等，著眼於儘可能降低畫素電 該畫素電極的源極線之間的寄生電極Csd2, 綠畫素7G，爲紅畫素用源極線5R及藍畫素戶 的源極·汲極電容Csd2，完成了本裝置。 φ 本發明之顯示裝置，係包括：以蛇行之方 向延伸，分別提供給影像訊號的複數訊號線； 數訊號線的絕緣膜；在上述絕緣膜上形成的， 數訊號線分別輸入上述影像訊號的複數畫素電 置；列方向相鄰的上述電極間之距離爲上述訊 以上之長度。 圖7，係顯示本發明的顯示裝置中畫素配 面圖。圖8，係圖7中A-B線之剖面圖。本發 置，介於列方向訊號線5的相鄰畫素電極7、 (mosaic ) 周顯不的品 | 5R引入之 生成的差發 之式中第3 由縮小第3 降低橫紋的 極與未驅動 例如，對於 5源極線5B 式在列的方 覆蓋上述複 從上述之複 極之顯示裝 號線的線幅 列之模式平 明之顯示裝 7之間的距 200530965 (6) 離DO爲訊號線5的線幅w以上之長度。 爲了對比說明，顯示了與圖9及圖1 〇之比較例。圖9 ，係比較例的畫素配列之模式平面圖。圖1 〇 ’係圖9中 A-B線之剖面圖。比較例的顯示裝置’介於列方向訊號線 5的相鄰畫素電極7、7之間的距離d爲訊號線5的線幅w 以下之長度。因此，比較例的顯示裝置’從訊號線5的行 方向延伸部分和畫素電極7、7的平面圖上看具有重疊部 φ 分，由訊號線5引起之電容Csd2就大。 對此，本發明之顯示裝置中，因爲從訊號線5的行方 向延伸部分和畫素電極7、7的平面圖上看沒有重疊部分 ，由訊號線5引起的電容Csd2就小。如參照圖6所說明 的一樣，橫紋係由不同的源極線之間的引入電位差而產生 。因爲引入電位係起因於寄生電容，所以，藉由減小寄生 電容Csd2，可減小引入電位，不同源極線之間的引入電 位的差亦得到減小。因此，可以得到減少了橫紋的良好之 0 顯不品質。 在較佳之狀態下，上述訊號線，在行方向上’中介著 上述絕緣膜，與從上述訊號線輸入上述影像訊號的第1畫 素電極形成第1電容，並且，還是中介著上述絕緣膜，與 隔著上述訊號線與上述第1畫素電極在行方向上相鄰的第 2畫素電極形成第2電容，第1電容比第2電容大。 或者是，上述訊號線的一部分，在行方向上’與從上 述訊號線輸入上述影像訊號的第1畫素電極在平面上重疊 ，且中介著上述訊號線與第1畫素電極相鄰的第2畫素電 -10- 200530965 (7) 極在平面上重疊，上述第1畫素電極和上述訊號線 區域，比上述第2畫素電極和上述訊號線之重疊區 積大。 圖1 1，係較佳之狀態之顯示裝置中的畫素配列之 平面圖。圖12，係圖1 1中C - D線之剖面圖。較佳之 之顯示裝置，在訊號線的列方向之延長部分和行方向 鄰之兩個畫素電極從平面圖上重疊區域的面積在兩畫 p 極之間不同。如圖1 1及圖12所示，綠畫素用源極 和從這個源極線5 G輸入影像訊號的綠畫素7G之重 域的寬度D 1，比綠畫素用源極線5 G和紅畫素7 R之 區域的寬度D 2寬。換言之，綠畫素用源極線5 G和 素7G之間的第1電容Csdl，比綠畫素用源極線5G 畫素7R之間的第2電容Csd2大。 如參照圖6說明的一樣，對於在圖6的上段之綠 7G1及下段之綠畫素7G2通過綠畫素用源極線5G引 φ 電位相同，由其他的源極線5R、5B引入之電位不同 此就產生橫紋。如較佳狀態之顯示裝置，藉由其他源 5R、5B引起的電容Csd2小，可以減小其他源極線 5B的引入電位的影響。因此，由圖6上段之綠畫素 和下段之綠畫素7G2引入的電位差更小，可以抑制橫 發生。 在其他較佳狀態之下，平面圖中，上述訊號線的 一部分與從上述訊號線輸入上述影像訊號的第1畫素 重疊，上述訊號線與介於上述訊號線的上述第1畫素 重疊 的面 模式 狀態 上相 素電 % 5G 疊區 重疊 綠畫 和紅 畫素 入的 ，如 極線 5R、 7G1 紋之 至少 電極 電極 -11 - 200530965 (8) 相鄰的第2畫素電極不重疊。如這種狀態，可以進一步減 小第2電容Csd2，亦就可以進一步抑制橫紋之發生。 本發明之顯示裝置，還包括：進行上述畫素電極和上 述訊號線之間的開關控制之開關元件；爲開關控制上述開 關的供給掃描訊號之掃描線亦可。還有，爲形成輔助電容 線亦可。 上述掃描線形成之區域或者是上述輔助電容線之形成 g 區域，包含列方向相鄰的上述畫素電極間之區域亦可。換 言之，在列方向介於訊號線相鄰的上述畫素電極間的區域 由上述掃描線或者是上述輔助電容線遮光亦可。 還有，包括上述掃描線及上述輔助電容線的任何一個 不同之遮光層亦可。例如，與上述掃描線同層形成的遮光 層、與配線及電極都不接觸的遮光層、與上述掃描線相連 的遮光詹、與上述輔助電容線相連的遮光層均可。 且，本發明申請書中“行方向，，及“列方向”，並不一定 φ 意味著橫方向和縱方向。還有，亦不一定要有相互垂直之 意，而係意味著相互交叉的兩個方向。例如，可以設定對 於行方向傾斜的方向爲列方向。 如本發明，可以降低橫紋之發生，提高顯示品質。 【實施方式】 以下，參照圖示說明本發明之實施方式。在以下之實 施方式中，說明有關液晶顯示裝置（LCD )，但是，本發 明之顯示裝置，不只限於液晶顯示裝置（L C D )，還包括 •12- 200530965 Ο) 有機或者是無機電激發光顯示裝置，電漿顯示裝置（PDP )，發光二極管（LED)顯示裝置，螢光顯示管，電場放 出型顯示裝置，電泳顯示裝置，電激彩色發光顯示裝置等 各種顯示裝置。 且，本說明書所使用之參照符號，總括顯示同族之構 成要素，省略英文字只用數字顯示。例如，用源極線5槪 括顯不紅畫素用源極線5 R、綠畫素用源極線5 G及藍畫素 p 用源極線5 B。 (第一實施例） 實施方式1之液晶顯示裝置（LCD )，具有包含薄膜 電晶體基板，與此相對配置的彩色濾光板（CF )基板，被 兩基板所夾的向列相（nematic )液晶材料之液晶層。彩色 濾光板基板，具有紅綠藍三色彩色濾色層，覆蓋彩色濾色 層的由ITO (銦錫氧化物）等形成之共用電極，覆蓋共用 φ 電極之液晶配向膜。且，彩色濾色層亦有形成在薄膜電晶 體基板上的形式。 參照圖1說明本實施方式之薄膜電晶體基板。在薄膜 電晶體基板的顯示部分1上，形成了從閘極驅動器2延伸 之複數閘極線4，從源極驅動器3延伸之複數源極線5。 在複數閘極線4和複數源極線5的各個交點附近，形成了 作爲開關元件之複數薄膜電晶體6，在複數薄膜電晶體6 上連接著畫素電極7。在畫素電極7上形成有由聚醯亞胺 (ρ ο 1 y i m i d e )等製成的液晶配向膜。藉由閘極線4定址的 -13- 200530965 (10) 薄膜電晶體6，將從源極線5的對應於各畫素之訊號（影 像訊號）提供給畫素電極7。由此，在畫素電極7和彩色 濾光板基板之間施加了電壓，對應於這個畫素區域的液晶 層之光學特性就被控制，顯示就得以進行。 在本實施方式之液晶顯示裝置（LCD )中，畫素電極 7和共用電極的重疊區域成爲畫素。本說明書中，爲了說 明方便，稱對應於紅綠藍三色彩色濾色層的畫素爲紅畫素 | 7R、綠畫素7G及藍畫素7B。還有，對應於各色之畫素電 極7亦簡單稱之爲畫素7。例如，對應於綠色的畫素電極 7亦稱爲綠畫素7G。 在圖1的薄膜電晶體基板上，在行方向上紅畫素7R 、綠畫素7G及藍畫素7B週期循環的成直線狀地配列著。 還有在每一行只以1 · 5畫素間距在行方向上偏離配列著同 色畫素7。閘極線4在行方向上直線延伸。對此，源極線 5在蛇行之同時，換言之使其成爲彎曲狀或者是曲線狀在 φ 列方向延伸。由同一源極線5提供給訊號之畫素電極7， 對於源極線5的每一行左右交替，亦係成曲折狀之配置。 圖13，係擴大顯示薄膜電晶體基板上的一個畫素的平 面圖。圖14，係圖13中A-B-C線之剖面圖。參照圖13、 圖1 4及圖1 5，說明本實施方式的薄膜電晶體基板的製造 工序之同時，說明薄膜電晶體基板之具體構成。 首先，在玻璃基板1 0的基板全表面上，由電漿熱解 化學氣相沈積（Chemical Vapor Deposition)法成膜 SiON 膜（厚度l〇〇nm程度），形成底層膜11。在底層膜π全 -14- 200530965 (11) 表面上，藉由電漿熱解化學氣相沈積法，用乙矽烷（ Si2H6 )成膜多晶矽膜（厚度50nm程度）。再由熱處理， 結晶多晶矽膜。其後，由光触刻法形成圖案，形成半導體 層1 2。 形成了半導體層12的底層膜11之全表面上，藉由電 漿熱解化學氣相沈積法成膜SiON膜（厚度115nm程度） ，形成閘極絕緣膜1 3。在閘極絕緣膜1 3之全表面上，由 φ 噴鍍法順次成膜氮化鉅膜（厚度5 Onm程度）及鎢膜（厚 度3 70nm程度）。且，代替氮化鉬膜及鎢膜的積層膜，選 用鉅、鎢、鈦、鉬、鋁及銅組成的金屬組中至少一種金屬 ’以從上述金屬組選出的至少一種金屬爲主要成份的合金 材料或者是化合物材料形成單層膜或者是積層膜亦可。 其後，由使用光蝕刻法形成圖案，形成：閘極線4， 閘極電極4a，輔助電容線1 5及如要求形成的遮光層（未 圖示）。且，遮光層與閘極線4、閘極電極4a及輔助電容 φ 線1 5的任何一個接觸（物理接觸）都可，或者是，閘極 線4、閘極電極4a及輔助電容線1 5的任何一個都不接觸 亦可。在本實施方式中，爲兩個閘極電極4a形成的成對 閘極型，但是，閘極電極4 a爲一個亦可。 以閘極電極4a爲遮罩，通過閘極絕緣膜1 3向半導體 層1 2摻入雜質，在對應於閘極電極4a的部分形成通道區 域、其外側的源極電極區域及汲極電極區域。藉由加熱處 理’進行摻雜元素的活化。其後，摻入作爲雜質的磷形成 N通道型薄膜電晶體（TFT ) 6，摻入硼形成P通道型薄膜 -15- 200530965 (12) 電晶體（TFT) 6。 在玻璃基板1 0上，藉由熱解化學氣相沈積法成膜氮 化矽膜及氧化矽膜的二層構造形成的積層膜（厚度爲 9 5 Onm程度），形成層間絕緣膜14。在閘極絕緣膜13及 層間絕緣膜1 4上形成到達半導體層1 2的源極電極區域接 觸孔CH 1的同時，在閘極絕緣膜1 3及層間絕緣膜1 4上形 成到達半導體層1 2的汲極電極區域接觸孔CH2。 ^ 在層間絕緣膜14的全表面，由濺鍍法順次形成鈦膜 (厚度爲l〇〇nm程度）、鋁膜（厚度爲5 00nm程度）及 鈦膜（厚度爲l〇〇nm程度）。其後，藉由光蝕刻法形成圖 案，形成源極線（包含源極電極）5及汲極電極1 6。藉由 進行加熱處理，進行半導體層12之氫化。這個氫化工序 ，由包含在氮化矽膜等製成的層間絕緣膜1 4中的氫，係 將半導體層12中的砂的不成對電子對（dangling bond) 予以終結的工序。再有，在層間絕緣膜1 4上，塗布膜厚 φ 爲1 程度的丙烯樹脂等的有機絕緣材料，形成絕緣膜 8 ° 在絕緣膜8上形成到達汲極電極1 6的接觸孔Cil3。 在絕緣膜8上，由噴塗法成膜厚度爲〗〇〇nnl的ITO膜後 ，由光蝕刻法形成圖案製成畫素電極7。再有，由印刷法 在畫素電極7及絕緣膜8上形成聚醯亞胺系樹脂薄膜後， 藉由實施摩擦處理形成液晶配向膜。由以上工序，形成本 實施方式的薄膜電晶體基板。 接下來’說明彩色濾光板基板及本實施方式之液晶顯 -16- 200530965 (13) 示裝置（LCD)的製造工序。在玻璃基板上塗布鉻（Cr) 或者是黑色遮罩材料，在黃光工序中形成遮光層（厚度爲 10〇nm程度）。就紅綠藍的每一個進行彩色濾色膜的噴塗 、黃光工序形成及燒成所規定的圖案，形成紅綠藍的彩色 濾色層（厚度爲2μιη )。藉由在彩色濾色層上塗布Ιμιη程 度厚的丙烯樹脂，形成外層。在外層上介於遮罩成膜ΙΤΟ 膜（厚度爲l〇〇nm程度），形成共用電極。與薄膜電晶體 | 基板一樣，彩色濾光板基板上形成液晶配向膜。 薄膜電晶體基板或者是彩色濾光板基板上散佈球狀間 隔件（spacer )或者是形成柱狀間隔件。藉由周邊的封口 材料粘合兩基板，進行燒成。將粘合的基板以顯示板單位 分割。在分割後的顯示板部件中用減壓法注入如TN ( Twisted Nematic)液晶材料，經過封口形成液晶層。藉由 以上的工序，製成本實施方式之液晶顯示裝置（LCD )。 本實施方式之液晶顯示裝置（LCD )，如圖13及圖 φ 1 5所示，在列方向介於訊號線5相鄰的畫素電極7、7之 間的間距DO爲訊號線（源極線）5的線幅w以上的長度 。且，列方向相鄰的畫素電極7、7之間的間距DO，爲從 一個畫素電極7的一側邊緣介於列方向的訊號線5到相鄰 的另一個畫素電極7的一側邊緣的最短距離。還有，訊號 線（源極線）5的線幅w，爲訊號線5的寬方向（相對於 訊號線5的延長方向的垂直方向）的訊號線5的兩端邊緣 之間的距離。 本實施方式之液晶顯示裝置（LCD)，從平面看訊號 -17- 200530965 (14) 線5的行方向延伸部分5 a和畫素電極7、7不重疊’所以 由訊號線5的寄生電容Csd2小。由此，可以降低訊號線 5引入的電位，就可以抑制橫紋的發生。 在列方向介於訊號線5相鄰的畫素電極7、7之間的 間距D0比訊號線（源極線）5的線幅w長的情況下，從 平面上看畫素電極7和訊號線5之間產生間隙’這個間隙 有可能漏光。在本實施方式中，至少在包含列方向上介於 φ 訊號線5相鄰的畫素電極7、7之間區域的區域上，形成 了輔助電容線1 5。這個輔助電容線1 5起到遮光的功能， 所以，就可以防止畫素電極7和訊號線5的間隙漏光。且 ，輔助電容線1 5，介於閘極絕緣膜1 3與半導體層1 2形成 輔助電容。 本實施方式中，在至少包含列方向相鄰畫素電極7、7 之間區域的區域上，形成了輔助電容線1 5，但是，取代輔 助電容線1 5形成掃描線（閘極線）4亦可。且，按要求形 0 成的遮光層，可配置在列方向或者是彳了方向包含相鄰畫素 電極7、7之間區域的區域。 (第二實施方式） 實施方式2之液晶顯示裝置（LCD)，與實施方式1 相同，包括：薄膜電晶體基板，與此相對配置的彩色濾光 板（C F )基板’被兩基板所夾的向相液晶材料的液晶層。 本實施方式之液晶顯示裝置（L C D )，除薄膜電晶體基板 以外，與實施方式1和液晶顯示裝置（LCD )具有同樣的 -18- 200530965 (15) 構造。圖1 6，係擴大顯示本實施方式所涉及之薄膜電晶體 基板上的一個畫素之平面圖。在圖16中，與實施方式1 的薄膜電晶體基板的構成要素和實質上具有相同功能的構 成要素標有相同之符號，並省略其說明。 在本實施方式的薄膜電晶體基板中，列方向延伸的訊 號線5，偏向於行方向介於訊號線5相鄰的畫素電極7、7 中由訊號線5驅動的畫素電極7的一側配置。下面參照圖 ^ 16具體說明。例如，綠畫素7G從平面看由綠畫素用源極 線5G及藍畫素用源極線5B所夾。綠畫素用源極線5G的 一部分，從平面上看與綠畫素7G及藍畫素7B各自重疊。 但是，綠畫素用源極線5 G和綠畫素7G的重疊區域寬度 D 1，比綠畫素用源極線5 G和紅畫素7R的重疊區域寬度 D2寬。換言之，綠畫素用源極線5G和綠畫素7G之間的 電容量Csdl，比綠畫素用源極線5G和紅畫素7R之間的 電容量Csd2大。 φ 同樣，藍畫素用源極線5 B和藍畫素7B的重疊區域寬 度D1，比藍畫素用源極線5B和綠畫素7G的重疊區域寬 度D2寬。換言之，藍畫素用源極線5B和藍畫素7B之間 的電容量Csdl，比藍畫素用源極線5B和綠畫素7G之間 的電容量C s d 2大。因此，列方向延伸的源極線5與在行 方向相鄰兩個畫素電極7、7之間配置的情況相比，寄生 電容Csdl增加了，但是寄生電容Csd2卻減小了。 如本實施方式，因爲引起電容Csd2的引入電位減小 ，與實施方式1相比更減小了每行的引入電位差，所以就 -19- 200530965 (16) 可以抑制橫紋的發生。 (實施方式3 ) 實施方式2之液晶顯示裝置（LCD )，在行方向，畫 素電極7與不驅動該畫素電極的源極線5重疊。但是，爲 了儘可能減小電容Csd2，較佳者係畫素電極7與不驅動 該畫素電極的源極線5不重疊。圖1 7，係擴大顯示本實施 0 方式所涉及的薄膜電晶體基板上的一個畫素之平面圖。在 圖1 7中，與實施方式1的薄膜電晶體基板的構成要素和 實質上具有相同功能的構成要素標有相同的符號，並省略 其說明。 本實施方式之薄膜電晶體基板中，列方向延伸的訊號 線5，與在行方向介於訊號線5相鄰的兩個畫素電極7、7 中的一個畫素電極一部分重合，而與另一個畫素.電極7不 重疊。以下，參照圖1 7具體說明。例如，綠畫素用源極 φ 線5 G從平面看一部分與綠畫素7G重疊，但是，與行方 向介於綠畫素用源極線5G又與綠畫素7G相鄰的紅畫素 7R不重疊。同樣，藍畫素用源極線5B從平面看一部分與 藍畫素7B重疊，但是，與行方向介於藍畫素用源極線5B 又與藍畫素7B相鄰的綠畫素7G不重疊。如本實施方式， 與實施方式1及2相比，可以更加減小訊號線5和畫素電 極7之間生成的寄生電容Csd2。因此，可以減小電容 Csd2引起的引入電位，所以比實施方式1及2更減小每 行的引入電位差，就可以進一步抑制橫紋的發生。 -20- 200530965 (17) 本實施方式中，不僅行方向，在列方向亦產生畫素電 極7與訊號線5之間的間隙，這個間隙有可能漏光。因此 ，較佳之係在行方向介於訊號線5至少包含相鄰畫素電極 7、7之間區域的區域內形成遮光層。 (實施方式4 ) 實施方式1〜3中，各畫素（電極）7的形狀爲矩形’ 但是各畫素（電極）7的形狀不只限於此。圖1 8，係模式 顯示畫素電極7的變形例之平面圖。例如圖1 8所示’畫 素電極7的形狀爲六角形亦可。 圖1 8所示畫素配列中，與實施方式1〜3相同，紅畫 素7R、綠畫素7G及藍畫素7B在行方向週期性配列。還 有訊號線蛇行在列方向延伸，掃描線蛇行在行方向延伸。 (其他實施方式） 實施方式1〜4中，說明在每一行只以1 . 5畫素間距在 行方向上偏離配列著同色畫素7的三角配列。但是’本發 明的顯示裝置，不只限於三角配列，如馬賽克配列、正方 形配列亦可。例如，相對於奇數行畫素，由相同訊號線驅 動的偶數行畫素，只要在行方向上偏移畫素寬（行方向的 畫素間距）的3/2範圍內的配列即可。 實施方式1〜4之液晶顯示裝置（LCD)不只是透過型 ，如反射型或者是透過反射兩用型亦可。例如，藉由畫素 區域的一部分由反射畫素電極形成，可以得到透過反射兩 -21 - 200530965 (18) 用型液晶顯示裝置（LCD )。透過型液晶顯示裝置（lcd )中藉由在掃描線4或者是輔助電容線ls等的形成區域 上形成反射畫素電極，提高有效畫素面積。 畫素電極7和訊號線5之間的進行開關控制的開關元 件不只限於薄膜電晶體（TFT )，例如，MOS-FET ( Metal

Oxide Semic- onductor-Field Effect Transistor)等的其他 三端子元件亦可。或者是取代三端子元件，使用MIM ( φ Metal Insulator Metal)等的非線型兩端子元件亦可。 以上，說明瞭本發明的較佳之實施方式，但是，本發 明的技術範圍不只限於上述實施方式記載之範圍。上述實 施方式僅僅爲示例，由這些各構成要素或者是各處理工序 之組合，還可能變形出各種各樣之變形例，本件發明者認 爲這些變形例亦屬本發明之範疇。 本發明之顯示裝置，可以利用於液晶顯示裝置（LCD )、電漿顯示裝置（PDP )、有機或者是無機電激發光顯 φ 示裝置、發光二極管（LED )顯示裝置、螢光顯示管、電 場放出型顯示裝置、電泳顯示裝置、電激彩色發光顯示裝 置等的各種顯示裝置。例如，可以利用於電腦的螢幕、攜 帶終端的螢幕、彩色電視。 【圖式簡單說明】 圖1，係模式顯示具有三角配列（Delta配列）畫素之 液晶顯示裝置（LCD )的薄膜電晶體基板之平面圖。 圖2，係模式顯示圖1所示的配列顯示板中源極線和 -22- 200530965 (19) 畫素電極之間的電容之平面圖。 圖3’係圖2中以第2行的綠畫素7G2爲中心的畫素 配列之部分擴大圖。 圖4，係模式顯示圖3中Α·Β線之剖面圖。 圖5，係模式顯示圖3中C - D線之剖面圖。 圖6 ’係顯不從源極線5向綠畫素7 G的電位引入之 平面圖。 φ 圖7，係顯示本發明的顯示裝置中畫素配列之模式平 面圖。 圖8，係圖7中Α-Β線之剖面圖。 圖9，係比較例的畫素配列之模式平面圖。 圖10，係圖9中Α-Β線之剖面圖。 圖1 1，係較佳之狀態的顯示裝置中的畫素配列之模式 平面圖。 圖1 2，係圖1 1中C - D線之剖面圖。 φ 圖1 3，係擴大顯示薄膜電晶體基板上的一個畫素之平 面圖。 圖14，係圖13中Α-Β-C線之剖面圖。 圖1 5，係圖1 3中D-E線之剖面圖。 圖1 6，係擴大顯示實施方式2所涉及的薄膜電晶體基 板上的一個畫素之平面圖。 圖1 7，係擴大顯示實施方式3所涉及的薄膜電晶體基 板上的一個畫素之平面圖。 圖1 8，係模式顯示畫素電極7的變形例之平面圖。 -23- 200530965 (20) 【主要元件之符號說明】 1 :顯示部分 2 :閘極驅動器 3 :源極驅動器 4 :鬧極線 4 a :閘極電極 5 :源極線（訊號線） 5 R :紅畫素用源極線 5 G :綠畫素用源極線 5B :藍畫素用源極線 6 :薄膜電晶體（TFT) 7 :畫素（電極） 7R :紅畫素 7 G :綠畫素 7B :藍畫素 8 :絕緣膜 1 〇 :玻璃基板 1 1 :底層膜 12 :半導體層 1 3 :閘極絕緣膜 1 4 :層間絕緣膜 1 5 :輔助電容線 1 6 :汲極電極 -24 200530965 (21) P S :影像訊號

Csdl :畫素電極和驅動該畫素電極的源極線之間之寄 生電容 Csd2 寄生電容 :畫素電極和不驅動該畫素電極的源極線之間之 DO :列方向相鄰畫素電極間之距離 w :訊號線之寬度 D 1 :畫素電極和驅動該畫素電極的源極線的重疊區域 之寬度 D2 :畫素電極和不驅動該畫素電極的源極線的重疊區 域之寬度 CH1 ： 接觸孔 CH2 ： 接觸孔 CH3 ： 接觸孔 • -25-

Claims (1)

1. 200530965 (1) 十、申請專利範圍 1 · 一種顯示裝置，包括：以蛇行的方式在列方向延 伸’分別提供給影像訊號之複數個訊號線；覆蓋上述複數 訊號線之絕緣膜；在上述絕緣膜上形成的，從上述的複數 個訊號線分別輸入上述影像訊號之複數個畫素電極；其特 徵爲： 列方向相鄰的上述畫素電極間的距離爲上述訊號線的 線幅以上之長度。 2 ·如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中： 上述訊號線，在行方向上，介於上述絕緣膜，與從上 述訊號線輸入上述影像訊號的第1畫素電極形成第1電容 ’並且’介於上述絕緣膜，且隔著上述訊號線與在行方向 上和上述第1畫素電極相鄰的第2畫素電極形成第2電容 ，第1電容比第2電容大。 3 ·如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中： 上述訊號線的一部分，在行方向上，與從上述訊號線 輸入上述影像訊號的第1畫素電極在平面上重疊，且隔著 上述訊號線與上述第1畫素電極相鄰的第2畫素電極在平 面上重疊’上述第1畫素電極和上述訊號線的重疊區域， 比上述第2畫素電極和上述訊號線的重疊區域之面積大。 4 ·如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中： 於平面圖中，上述訊號線的至少一部分與從上述訊號 線輸入上述影像訊號的第1畫素電極重疊，上述訊號線與 隔著上述訊號線的上述第1畫素電極相鄰的第2畫素電極 -26- 200530965 (2) 不重疊。 5 ·如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中： 還包括：進行上述畫素電極和上述訊號線之間的開關 控制之開關元件；用於提供給開關控制上述開關元件的掃 描訊號之掃描線。 6 ·如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中： 還具有形成上述輔助電容之輔助電容線。 7·如申請專利範圍第5項之顯示裝置，其中： 上述掃描線的形成區域包含列方向相鄰的上述畫素電 極間之區域。 8 ·如申請專利範圍第6項之顯示裝置，其中： 上述輔助電容線的形成區域包含列方向相鄰上述畫素 電極間之區域。 9·如申請專利範圍第5或7項之顯示裝置，其中： 還包括上述掃描線和形成在同層上之遮光層。 10. 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中： 還包括與配線及電極的任何一個都不接觸之遮光層。 11. 如申請專利範圍第5或7項之顯示裝置，其中： 還包括與上述掃描線相連之遮光層。 12. 如申請專利範圍第6或8項之顯示裝置，其中： 還包括與上述輔助電容線相連之遮光層。 13. 如申請專利範圍第5或7項之顯示裝置，其中： 還包括爲形成輔助電容的輔助電容線，與上述輔助電 谷線相連之遮光層。 -27-