JP2015179217A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】消費電流を低減することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、基板２１、２２と、基板２１、２２間に挟持された液晶層２３と、基板２２上に設けられ、複数の画素を区画する遮光膜ＢＭと、基板２２上かつ遮光膜ＢＭの複数の開口部に設けられたカラーフィルターと、遮光膜ＢＭ及び該カラーフィルター上に設けられた共通電極３５と、基板２１上に設けられた信号線ＳＬと、信号線ＳＬの上方に絶縁膜を介して設けられ、信号線ＳＬに電気的に接続され、画素に対応するように設けられた画素電極２７とを含む。信号線ＳＬの上方には、該カラーフィルターを介さずに遮光膜ＢＭが配置される。
【選択図】図４

Description

本発明は、液晶表示装置に関する。

カラー表示が可能な様々な液晶表示装置が開発されている。カラー表示を行う液晶表示装置には、例えば、カラーフィルターが用いられる。

カラーフィルターが形成されるカラーフィルター基板には、例えば全面に共通電極が形成される。液晶層の配向を制御するという観点では、共通電極はフラットであることが望ましい。このため、カラーフィルターを構成する複数色の着色部材は隙間無く並べられ、またアクティブエリアの外側においてもアクティブエリアの内側と同様にカラーフィルターが配置されることが多い。

しかしながら、カラーフィルターをフラットにすると、共通電極と液晶層を介して配置される配線との距離が短くなる。これにより、配線上の静電容量が大きくなり、結果として、液晶表示装置の消費電流が増大してしまう。

特開平０７−１２０６０８号公報 特開平０６−２６５８７０号公報

本発明は、液晶層を介した共通電極と配線との間の静電容量を小さくすることで消費電流を低減することが可能な液晶表示装置を提供する。

本発明の一態様に係る液晶表示装置は、第１及び第２基板と、前記第１及び第２基板間に挟持された液晶層と、前記第１基板上に設けられ、複数の画素を区画する遮光膜と、前記第１基板上かつ前記遮光膜の複数の開口部に設けられたカラーフィルターと、前記遮光膜及び前記カラーフィルター上に設けられた共通電極と、前記第２基板上に設けられた信号線と、前記信号線の上方に絶縁膜を介して設けられ、前記信号線に電気的に接続され、画素に対応するように設けられた画素電極とを具備する。前記信号線の上方には、前記カラーフィルターを介さずに前記遮光膜が配置されることを特徴とする。

本発明によれば、液晶層を介した共通電極と配線との間の静電容量を小さくすることで消費電流を低減することが可能な液晶表示装置を提供することができる。

第１実施形態に係る液晶表示装置の概略的な平面図。 図１に示したアクティブエリアに含まれる画素アレイの回路図。 第１実施形態に係る液晶表示装置の平面図。 図３に示したＡ−Ａ’線に沿った液晶表示装置の断面図。 図３に示したＢ−Ｂ’線に沿った液晶表示装置の断面図。 ＴＦＴ基板に設けられた配線の平面図。 第１変形例に係る液晶表示装置の平面図。 図７に示したＢ−Ｂ’線に沿った液晶表示装置の断面図。 第２変形例に係る液晶表示装置の平面図。 比較例に係る液晶表示装置の平面図。 図１０に示したＡ−Ａ’線に沿った液晶表示装置の断面図。 他の比較例に係る液晶表示装置の平面図。 本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置の概略的な平面図。 第２実施形態に係る液晶表示装置の平面図。 図１４に示したＡ−Ａ’線に沿った液晶表示装置の断面図。 デルタ配列を有する液晶表示装置の平面図。 第１変形例に係る液晶表示装置の断面図。 第２変形例に係る液晶表示装置の断面図。

以下、実施形態について図面を参照して説明する。ただし、図面は模式的または概念的なものであり、各図面の寸法および比率等は必ずしも現実のものと同一とは限らないことに留意すべきである。また、図面の相互間で同じ部分を表す場合においても、互いの寸法の関係や比率が異なって表される場合もある。特に、以下に示す幾つかの実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための装置および方法を例示したものであって、構成部品の形状、構造、配置等によって、本発明の技術思想が特定されるものではない。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する要素については同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。

［第１実施形態］
［１．液晶表示装置１０の全体構成］
図１は、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置１０の概略的な平面図である。本実施形態では、アクティブマトリクス型の液晶表示装置１０を例に挙げて説明する。液晶表示装置１０は、画像が表示されるアクティブエリア（有効表示領域）１１と、アクティブエリア１１の周囲に設けられた周辺エリア１２とを備える。

アクティブエリア１１には、複数の画素からなる画素アレイが設けられる。周辺エリア１２には、画素アレイを駆動及び制御するための周辺回路が設けられる。周辺エリア１２は、後述する遮光膜（ブラックマトリクス）によって遮光され、観察者からは黒の領域として視認される。

図２は、図１に示したアクティブエリア１１に含まれる画素アレイの回路図である。図２では、４つの画素を抽出して示している。

アクティブエリア１１には、それぞれがロウ方向（Ｘ方向）に延びる複数の走査線ＧＬと、それぞれがカラム方向（Ｙ方向）に延びる複数の信号線ＳＬとが配設される。複数の走査線ＧＬと複数の信号線ＳＬとの交差領域の各々には、画素１３が配置される。

画素１３は、スイッチング素子１４、液晶容量Ｃｌｃ、及び蓄積容量Ｃｓを備える。スイッチング素子１４としては、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor）が用いられる。ＴＦＴ１４のソースは、信号線ＳＬに電気的に接続される。ＴＦＴ１４のゲートは、走査線ＧＬに電気的に接続される。ＴＦＴ１４のドレインは、液晶容量Ｃｌｃに電気的に接続される。液晶容量Ｃｌｃは、画素電極と、共通電極と、これらに挟まれた液晶層とにより構成される。

蓄積容量Ｃｓは、液晶容量Ｃｌｃに並列接続される。蓄積容量Ｃｓは、画素電極に生じる電位変動を抑制するとともに、画素電極に印加された駆動電圧を次の信号に対応する駆動電圧が印加されるまでの間保持する機能を有する。蓄積容量Ｃｓは、画素電極と、蓄積電極（蓄積容量線）と、これらに挟まれた絶縁膜とにより構成される。共通電極及び蓄積電極には、共通電圧Ｖｃｏｍが印加される。

周辺エリア１２に設けられる周辺回路には、例えば、走査ドライバ（走査線駆動回路）１５、信号ドライバ（信号線駆動回路）１６、共通電圧供給回路１７、電圧発生回路（図示せず）、及び制御回路（図示せず）などが含まれる。

走査ドライバ１５は、後述する引き出し線を介して、複数の走査線ＧＬに接続される。走査ドライバ１５は、ＴＦＴ１４のオン及びオフを制御するための走査信号を走査線ＧＬに印加する。信号ドライバ１６は、後述する引き出し線を介して、複数の信号線ＳＬに接続される。信号ドライバ１６は、表示画像に応じた階調信号（駆動電圧）を信号線ＳＬに印加する。共通電圧供給回路１７は、共通電圧Ｖｃｏｍを生成してこれを画素アレイに供給する。制御回路は、走査ドライバ１５、信号ドライバ１６、及び共通電圧供給回路１７にそれぞれ制御信号を供給する。電圧発生回路は、液晶表示装置１０の動作に必要な各種電圧を生成して各回路部に供給する。

このように構成された液晶表示装置１０において、任意の画素１３に含まれるＴＦＴ１４がオン状態となると、駆動電圧が信号線ＳＬを介して画素電極に印加され、駆動電圧と共通電圧Ｖｃｏｍとの電圧差に応じて液晶の配向状態が変化する。これにより、光源から液晶表示装置１０に入射する光の透過状態が変化して画像表示が行われる。

［２．液晶表示装置１０の具体的な構成］
次に、液晶表示装置１０のより具体的な構成について説明する。図３は、液晶表示装置１０の平面図である。図４は、図３に示したＡ−Ａ’線に沿った液晶表示装置１０の断面図である。図５は、図３に示したＢ−Ｂ’線に沿った液晶表示装置１０の断面図である。図３は、カラーフィルターのストライプ配列の構成例である。

液晶表示装置１０は、スイッチング素子としてのＴＦＴ、及び画素電極などが形成されるＴＦＴ基板２１と、カラーフィルター及び共通電極などが形成されかつＴＦＴ基板２１に対向配置されたカラーフィルター基板（ＣＦ基板）２２と、ＴＦＴ基板２１及びＣＦ基板２２間に挟持された液晶層２３とを備える。ＴＦＴ基板２１及びＣＦ基板２２の各々は、透明基板（例えば、ガラス基板）から構成される。

液晶層２３は、ＴＦＴ基板２１及びＣＦ基板２２間を貼り合わせるシール材２４によって封入された液晶材料により構成される。なお、ＴＦＴ基板２１及びＣＦ基板２２にはそれぞれ、液晶層２３に接しかつ液晶層２３を挟むようにして、液晶分子の配向を制御するための配向膜（図示せず）が形成される。液晶層２３のセルギャップは、液晶層２３内に設けられたスペーサー（図示せず）によって制御される。液晶材料は、電界に応じて液晶分子の配向が制御されて光学特性が変化する。液晶表示装置１０の表示方式は、特に制限されず、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertical Alignment）モード、ＩＰＳ（In-Plane Switching）モード、及びＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モードなど各種の表示方式を適用可能である。

まず、アクティブエリア１１における液晶表示装置１０の構造について説明する。アクティブエリア１１におけるＴＦＴ基板２１上（液晶層２３側）には、走査線（ゲート線）ＧＬと、蓄積容量線Ｃｓとが設けられる。走査線ＧＬ及び蓄積容量線Ｃｓ上には、絶縁膜２５が設けられる。絶縁膜２５上には、信号線（ソース線）ＳＬが設けられる。信号線ＳＬ上には、絶縁膜２６が設けられる。絶縁膜２６上には、画素電極２７が設けられる。

図６は、ＴＦＴ基板２１に設けられた配線の平面図である。走査線ＧＬは、Ｘ方向に延在する。走査線ＧＬは、ＴＦＴ１４を構成する半導体層２９の下方まで延在する電極部分を備える。走査線ＧＬの電極部分上には、ゲート絶縁膜を介して半導体層２９が設けられる。

信号線ＳＬは、Ｙ方向に延在する。電極２８の一端は信号線ＳＬに電気的に接続され、その他端はＴＦＴ１４を構成する半導体層２９に一部重なるように配置される。電極３０は、電極２８とＹ方向に離間して設けられ、その一端が半導体層２９に一部重なるように配置される。ＴＦＴ１４は、走査線ＧＬ、半導体層２９、及び電極２８、３０から構成される。なお、ＴＦＴ１４は、図４及び図５の断面図では図示を省略している。電極３０の他端には、コンタクトプラグ３１が設けられ、コンタクトプラグ３１は、画素電極２７に電気的に接続される。

蓄積容量線Ｃｓは、Ｘ方向に延在する第１配線部分と、該第１配線部分からＹ方向に延在する複数の第２配線部分とから構成される。蓄積容量線Ｃｓを構成する第１及び第２配線部分は、画素電極２７に重なるように配置される。

図４に戻り、アクティブエリア１１におけるＣＦ基板２２上（液晶層２３側）には、複数の画素１３を区画する遮光膜（ブラックマトリクス）ＢＭが設けられる。ブラックマトリクスＢＭは、複数の画素１３の境界部分に設けられ、また、複数の画素１３に対応した複数の開口部ＯＰを有する。ブラックマトリクスＢＭは、画素１３間の表示に不要な光を遮光する機能を有する。ブラックマトリクスＢＭは、例えば格子状（編み目状）に形成される。ブラックマトリクスＢＭは、例えば、着色材料としての染料又は顔料が含まれた黒色樹脂から構成される。

ＣＦ基板２２上かつブラックマトリクスＢＭの開口部ＯＰには、カラーフィルター３４が設けられる。すなわち、複数の画素電極２７の上方には、カラーフィルター３４が設けられる。

カラーフィルター３４は、複数の着色部材を備え、具体的には、複数の赤フィルター３４−Ｒ、複数の緑フィルター３４−Ｇ、及び複数の青フィルター３４−Ｂを備える。カラーフィルター３４は、例えば着色樹脂から構成される。一般的なカラーフィルターは光の三原色である赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）で構成される。隣接したＲ、Ｇ、Ｂの三色のセットが表示の単位（ピクセル、又は画素と呼ぶ）となっており、１つの画素中のＲ、Ｇ、Ｂのいずれか単色の部分はサブピクセル（サブ画素）と呼ばれる最小駆動単位である。ＴＦＴ１４及び画素電極２７は、サブピクセルごとに設けられる。以下の説明では、画素とサブ画素との区別が特に必要な場合を除き、サブ画素を画素と呼ぶものとする。図３のカラーフィルターの例では、カラーフィルターはライン状に形成される。すなわち、Ｙ方向に配列された同色の複数の画素には、ライン状の着色部材が設けられる。

カラーフィルター３４及びブラックマトリクスＢＭ上には、共通電極３５が設けられる。共通電極３５は、アクティブエリア１１及び周辺エリア１２の全面に形成される。

次に、周辺エリア１２における液晶表示装置１０の構造について説明する。周辺エリア１２におけるＴＦＴ基板２１上（液晶層２３側）には、走査線ＧＬ用の複数の引き出し線（リード線）３２が設けられる。引き出し線３２は、複数の走査線ＧＬを走査ドライバ１５に電気的に接続するための配線である。周辺エリア１２において、絶縁膜２５上には、信号線ＳＬ用の複数の引き出し線（リード線）３３が設けられる。引き出し線３３は、複数の信号線ＳＬを信号ドライバ１６に電気的に接続するための配線である。

周辺エリア１２におけるＣＦ基板２２上（液晶層２３側）には、ブラックマトリクスＢＭが全面に設けられる。ブラックマトリクスＢＭ上には、カラーフィルター３４が一部又は全面に設けられる。周辺エリア１２におけるカラーフィルター３４は、アクティブエリア１１のカラーフィルターと同じパターンで形成される。

画素電極２７及び共通電極３５は、透明電極から構成され、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）が用いられる。絶縁膜２５、２６は、透明な絶縁材料から構成され、例えばシリコン窒化物（ＳｉＮ）が用いられる。走査線ＧＬ、信号線ＳＬ、蓄積容量線Ｃｓ、及び引き出し線３２、３３は、低抵抗な導電材料が用いられ、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）のいずれか、またはこれらの１種類以上を含む合金等が用いられる。

（静電容量について）
ここで、図３及び図４に示すように、本実施形態では、Ｘ方向に並ぶ赤フィルター３４−Ｒ、緑フィルター３４−Ｇ、及び青フィルター３４−Ｂは、互いに接触しておらず、画素ごとのカラーフィルターが島状に（図３の例では、ライン状に）孤立するように互いにスペースＳＰを空けて配置される。

また、平面視において、カラーフィルター３４のスペースＳＰには、信号線ＳＬが配置される。すなわち、信号線ＳＬは、カラーフィルター３４を介さずに、ブラックマトリクスＢＭと向き合っている。換言すると、信号線ＳＬの上方には、カラーフィルター３４を介さずに、ブラックマトリクスＢＭが配置される。

液晶層２３の誘電率ε_ＬＣ、信号線ＳＬの面積Ｓ_ＳＬ、信号線ＳＬ上の液晶層２３の厚さｄ_１とすると、信号線ＳＬ上の静電容量Ｃ_１は、以下の式（１）で表される。

Ｃ_１＝ε_ＬＣ・Ｓ_ＳＬ／ｄ_１ ・・・（１）

本実施形態では、信号線ＳＬ上の液晶層２３の厚さｄ_１を大きくできる。これにより、信号線ＳＬ上の静電容量Ｃ_１を小さくできる。

［３．変形例］
図７は、第１変形例に係る液晶表示装置１０の平面図である。図８は、図７に示したＢ−Ｂ’線に沿った液晶表示装置１０の断面図である。図７に示したＡ−Ａ’線に沿った液晶表示装置１０の断面図は、図４と同じである。図７は、ストライプ配列の構成例である。

複数の赤フィルター３４−Ｒ、複数の緑フィルター３４−Ｇ、及び複数の青フィルター３４−Ｂは、画素ごとに分離され、各フィルターは、島状に形成される。すなわち、Ｙ方向に並んだ複数の赤フィルター３４−Ｒは、互いにスペースＳＰを空けて配置される。緑フィルター３４−Ｇ及び青フィルター３４−Ｂについても赤フィルター３４−Ｒと同様である。

また、平面視において、カラーフィルター３４のスペースＳＰには、走査線ＧＬが配置される。すなわち、走査線ＧＬは、カラーフィルター３４を介さずに、ブラックマトリクスＢＭと向き合っている。第１変形例によれば、信号線ＳＬと同様に、走査線ＧＬ上の容量をさらに低減できる。

図９は、第２変形例に係る液晶表示装置１０の平面図である。図９は、デルタ配列の構成例である。

カラーフィルター３４を構成する赤フィルター３４−Ｒ、緑フィルター３４−Ｇ、及び青フィルター３４−Ｂは、デルタ状（三角形）に配置される。そして、平面視において、赤フィルター３４−Ｒ、緑フィルター３４−Ｇ、及び青フィルター３４−Ｂのスペースには、信号線ＳＬ及び走査線ＧＬが配設される。このように、デルタ配列にも本実施形態を適用可能である。

［４．比較例］
次に、比較例について説明する。図１０は、比較例に係る液晶表示装置の平面図である。図１１は、図１０に示したＡ−Ａ’線に沿った液晶表示装置の断面図である。図１０は、ストライプ配列の構成例である。

比較例のカラーフィルター３４は、フラット構造を有する。すなわち、Ｘ方向に並んだ赤フィルター３４−Ｒ、緑フィルター３４−Ｇ、及び青フィルター３４−Ｂは、スペースを空けずに、互いに接するように形成される。カラーフィルター３４上に設けられる共通電極３５は、段差がない状態で平面状に形成される。

液晶層２３の誘電率ε_ＬＣ、信号線ＳＬの面積Ｓ_ＳＬ、信号線ＳＬ上の液晶層２３の厚さｄ_２とすると、信号線ＳＬ上の静電容量Ｃ_２は、以下の式（２）で表される。

Ｃ_２＝ε_ＬＣ・Ｓ_ＳＬ／ｄ_２ ・・・（２）

本実施形態と比較例とを比べると、“ｄ_１＞ｄ_２”であるので、“Ｃ_１＜Ｃ_２”となる。このため、比較例では、静電容量Ｃ_２が大きくなるため、液晶表示装置の消費電流が大きくなる。これに対して、本実施形態は、比較例に比べて、信号線ＳＬ上の静電容量を小さくできる。同様に、本実施形態は、比較例に比べて、走査線ＧＬ上の静電容量を小さくできる。

一例として、ＴＮモードの液晶表示装置を想定し、ｄ_１＝５．５μｍ、ｄ_２＝４．５μｍとすると、“Ｃ_１≒０．８２Ｃ_２”となる。すなわち、本実施形態は、比較例に比べて、信号線ＳＬ上の静電容量が約２割弱だけ低減でき、それに相当する消費電流が低減できる。静電容量の削減効果は、走査線ＧＬ上の静電容量についても同様である。

図１２は、他の比較例に係る液晶表示装置の平面図である。図１２は、デルタ配列の構成例である。比較例のデルタ配列においても、カラーフィルターは、フラット構造を有している。よって、デルタ配列においても、ストライプ配列と同様に、信号線ＳＬ及び走査線ＧＬ上の静電容量が大きくなる。

デルタ配列においても、本実施形態は、比較例に比べて、信号線ＳＬ上の静電容量及び走査線ＧＬ上の静電容量を低減でき、それに相当する消費電流が低減できる。

［５．効果］
以上詳述したように第１実施形態では、信号線ＳＬと交差する方向に並ぶ赤フィルター３４−Ｒ、緑フィルター３４−Ｇ、及び青フィルター３４−Ｂは、互いに接触しておらず、互いにスペースＳＰを空けて配置される。そして、信号線ＳＬの上方には、カラーフィルター３４を介さずにブラックマトリクスＢＭが配置される。また、信号線ＳＬの場合と同様に、走査線ＧＬの上方には、カラーフィルター３４を介さずにブラックマトリクスＢＭが配置される。

従って第１実施形態によれば、信号線ＳＬ上の液晶層２３の厚さを大きくできる。これにより、信号線ＳＬ上の静電容量を小さくできる。この結果、液晶表示装置１０の消費電流を低減できる。同様に、走査線ＧＬ上の静電容量を小さくできるので、液晶表示装置１０の消費電流をより低減できる。

また、信号線ＳＬ及び走査線ＧＬ上の液晶層の厚さを小さくする一方で、画素電極２７上の液晶層２３の厚さは変更されない。これにより、画素の特性に影響を与えずに、液晶表示装置１０の消費電流を低減できる。

［第２実施形態］
第２実施形態は、周辺エリア１２の静電容量を低減することで、液晶表示装置１０の消費電流をさらに低減するようにしている。

図１３は、本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置１０の概略的な平面図である。図１４は、液晶表示装置１０のより詳細な平面図である。図１５は、図１４に示したＡ−Ａ’線に沿った液晶表示装置１０の断面図である。図１４は、ストライプ配列の構成例である。アクティブエリア１１の構成は、第１実施形態と同じである。

カラーフィルター３４は、アクティブエリア１１にのみ配置され、周辺エリア１２には配置されない。具体的には、図１５に示すように、周辺エリア１２におけるＣＦ基板２２上には、ブラックマトリクスＢＭが設けられる。周辺エリア１２におけるブラックマトリクスＢＭ上には、カラーフィルター３４が設けられない。なお、周辺エリア１２において、カラーフィルター３４は、少なくとも引き出し線３２、３３の上方に形成されなければよい。また、例えば、製造誤差などを考慮して、カラーフィルター３４は、アクティブエリア１１の境界から周辺エリア１２側に多少はみ出すように形成される。

液晶層２３の誘電率ε_ＬＣ、引き出し線３２の面積Ｓ_ＬＤ、引き出し線３２上の液晶層２３の厚さｄ_３とすると、引き出し線３２上の静電容量Ｃ_３は、以下の式（３）で表される。

Ｃ_３＝ε_ＬＣ・Ｓ_ＬＤ／ｄ_３ ・・・（３）

また、同様に、引き出し線３３上の静電容量は、上記式（３）で表される。

図１１の比較例において、引き出し線３２上の液晶層２３の厚さｄ_４、引き出し線３２上の静電容量Ｃ_４とする。一例として、ＴＮモードの液晶表示装置を想定し、ｄ_３＝５．５μｍ、ｄ_４＝４．０μｍとすると、“Ｃ_３≒０．７３Ｃ_４”となる。すなわち、本実施形態は、比較例に比べて、引き出し線３２上の静電容量が約３割弱だけ低減でき、それに相当する消費電流が低減できる。同様に、本実施形態は、比較例に比べて、引き出し線３３上の静電容量を低減できる。

図１６は、デルタ配列を有する液晶表示装置１０の平面図である。デルタ配列においても、ストライプ配列と同様に、液晶表示装置１０の消費電流が低減できる。

（第１変形例）
図１７は、第１変形例に係る液晶表示装置１０の断面図である。第１変形例では、共通電極３５は、アクティブエリア１１にのみ配置され、周辺エリア１２には配置されない。具体的には、図１７に示すように、周辺エリア１２におけるＣＦ基板２２上には、ブラックマトリクスＢＭのみが設けられ、周辺エリア１２におけるブラックマトリクスＢＭ上には、共通電極３５が設けられない。

第１変形例では、引き出し線３２、３３の上方には、共通電極３５が配置されないので、引き出し線３２、３３上の静電容量を無くすことができる。これにより、引き出し線３２、３３上の静電容量に起因する消費電流を削減できる。

（第２変形例）
図１８は、第２変形例に係る液晶表示装置１０の断面図である。液晶表示装置１０の平面図は、図１４と同じである。

第２変形例では、樹脂に比べて薄く形成かつ加工できる遮光材料を用いてブラックマトリクスＢＭを構成するようにしている。ブラックマトリクスＢＭは、例えば遮光性を有する金属が用いられ、具体的には、クロム（Ｃｒ）、又は、酸化クロムとクロムとの積層膜などが用いられる。

第２変形例では、第２実施形態に比べて、ブラックマトリクスＢＭの厚さを小さくできる。よって、第２変形例では、引き出し線３２、３３上の液晶層２３の厚さｄ_３は、第２実施形態に比べて大きくできるため、引き出し線３２、３３上の静電容量をより低減できる。この結果、液晶表示装置１０の消費電流をより低減できる。

また、第２変形例では、アクティブエリア１１におけるブラックマトリクスＢＭの厚さも薄くできる。これにより、第２変形例では、第１実施形態に比べて、信号線ＳＬ上の液晶層２３の厚さｄ_１をより大きくできるため、信号線ＳＬ上の静電容量をより低減できる。この結果、液晶表示装置１０の消費電流をより低減できる。同様に、走査線ＧＬ上の静電容量をより低減できる。

本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内で、構成要素を変形して具体化することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、１つの実施形態に開示される複数の構成要素の適宜な組み合わせ、若しくは異なる実施形態に開示される構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を構成することができる。例えば、実施形態に開示される全構成要素から幾つかの構成要素が削除されても、発明が解決しようとする課題が解決でき、発明の効果が得られる場合には、これらの構成要素が削除された実施形態が発明として抽出されうる。

１０…液晶表示装置、１１…アクティブエリア、１２…周辺エリア、１３…画素、１４…スイッチング素子、１５…走査ドライバ、１６…信号ドライバ、１７…共通電圧供給回路、２１…ＴＦＴ基板、２２…カラーフィルター基板、２３…液晶層、２４…シール材、２５，２６…絶縁膜、２７…画素電極、２８，３０…電極、２９…半導体層、３１…コンタクトプラグ、３２，３３…引き出し線、３４…カラーフィルター、３５…共通電極。

Claims (6)

1. 第１及び第２基板と、
   前記第１及び第２基板間に挟持された液晶層と、
   前記第１基板上に設けられ、複数の画素を区画する遮光膜と、
   前記第１基板上かつ前記遮光膜の複数の開口部に設けられたカラーフィルターと、
   前記遮光膜及び前記カラーフィルター上に設けられた共通電極と、
   前記第２基板上に設けられた信号線と、
   前記信号線の上方に絶縁膜を介して設けられ、前記信号線に電気的に接続され、画素に対応するように設けられた画素電極と、
   を具備し、
   前記信号線の上方には、前記カラーフィルターを介さずに前記遮光膜が配置されることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記第２基板上に設けられた走査線をさらに具備し、
   前記走査線の上方には、前記カラーフィルターを介さずに前記遮光膜が配置されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記複数の画素が配置されるアクティブエリアと、
   前記複数の画素を駆動する周辺回路が配置される周辺エリアと、
   前記周辺エリアの前記第２基板上に設けられ、前記信号線と前記周辺回路とを電気的に接続する第１引き出し線と、
   をさらに具備し、
   前記第１引き出し線の上方には、前記カラーフィルターを介さずに前記遮光膜が配置されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 前記複数の画素が配置されるアクティブエリアと、
   前記複数の画素を駆動する周辺回路が配置される周辺エリアと、
   前記周辺エリアの前記第２基板上に設けられ、前記走査線と前記周辺回路とを電気的に接続する第２引き出し線と、
   をさらに具備し、
   前記第２引き出し線の上方には、前記カラーフィルターを介さずに前記遮光膜が配置されることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
5. 前記引き出し線の上方には、前記共通電極が配置されないことを特徴とする請求項３又は４に記載の液晶表示装置。
6. 前記遮光膜は、樹脂又は金属から構成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の液晶表示装置。

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