TW200529293A - Masking methods - Google Patents

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200529293 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關係在積體電路製造中光罩半導體基板的方法。 【先前技術】 積體電路-般在半導體基板上形成，如梦日日日圓或其他半 導體材料。—般而t，使用不同材料層如半導電、導電或 絕緣材料以形成積體電路。例如，使用不同方法處理:同 材料’如，摻雜、離子植入、沉積、姓刻，生長等。半導 體處理的-連續目標為繼續致力於減少個別電子組件的尺 寸’因而成為更小及更密的積體電路。 種圖案化及處理半導體基板的技術為微影蝕刻。其一 般包括光阻層的沉積，然後加以處理以改變該層在某些溶 劑中的溶解度。例如，可以將部份光阻層透過光罩/主光罩 曝光光化能，以改變曝光區對非曝光區的溶劑溶解度以比 車，L積狀L的/合解度。然後，根據光阻的種類移除該等曝 光或未曝光部份，因而在基板上留下光阻的光罩圖案。可 以處理鄰近光罩部份的基板鄰近區，例如，由蝕刻或離子 植入，以執行鄰近該光罩材料之基板的理想處理。 一在某些例子中，已知的光罩/微影蝕刻步驟使用不同的多 光阻層。另外，可以一或更多其他層結合該微影光罩及圖 y、 種私序在忒光阻層（或泫等光阻層）沉積之前於基板 上面形成一般所謂的「硬光罩」。然後，圖案化該光阻層， 例如，如上述在硬光罩上形成光罩組塊。然後，使用該光 阻作為光罩以蝕刻硬光罩以轉移該光阻圖案至硬光罩。然 95476.doc 200529293 後立刻移除或不移除該光 用光阻更強固的光罩圖案 飿刻。 上述硬光罩提供一比單獨使 ’例如蝕射光阻必須完全腐蝕/ -種用來作為硬光罩的材料為非晶碳 作為硬光罩而㈣氧化物材 aa^ 率約比移除非晶碳快1〇倍。叙钮刻移除氧化物的速 述微影：刻方法以外，還有其他光單方法。例如， :收 利用¥电閘極’—般經由半導體材料的通道區 電性摻雜源極々極半導體材料區-般在通道區的 反面接收，而間極位於其間通道區的上面或下面。在某些 =::Γ想，經過源崎極區的摻雜分佈比其遠端一處 低更接近料㈣。—種提供該種㈣分佈的處理 方法為百先形成一理想的導電開極，約略在半導體基板的 理4通道區上面。然後，將適當植入量的導電性增強雜質 植入基板的半導體材料内，利用閘極結構防止該種雜質植 入該通道區。所以’絕緣層能局部沉積在間極結構上面及 異向性姓刻以形成絕緣性側壁間隔物於該開極上面。這些 側壁間隔物有效㈣作為光罩，其保護閘極㈣及防止I 剛形成的間隔物下面產生一後續植入。因此，可使用側壁 間隔物作為後續植入較高劑量的源極/汲極雜質的光罩，以 元成理想源極/汲極區的輪扉的形成。 雖然本發明的目的在處理上述問題，但並不限於此。本 發明只受附件申請專利範圍如文字表述（不包括上述背景 技術說明’剩餘的部份說明書或圖）的限制及其相當原理所 95476.doc 200529293 限制。 【發明内容】 本發明包括光罩方法。在實施例中，在一實施例中，一 光罩材料包括纟一半導體基板上形成一特徵之上形成的删 換雜非晶碳。該光罩材料包括至少約〇 5原子百分比㈣。 .亥光罩材料貝貝上為異向性蝕刻以有效形成一異向性蝕刻 側壁間隔物’該間隔物包括位於該特徵側壁上的硼摻雜非 晶碳。然|處理鄰近該間隔物的基板並使用包括間隔物之 該领摻雜非晶碳作為—光罩。處理鄰近關隔物的基板 後自5亥基板蝕刻包括間隔物之該硼摻雜非晶碳。 可以了解尚有其他觀點及實施例。 【實施方式】 本發明的揭示係為實現美國專利法的基本㈣「為促進 科學及有用技術的進步」（第一章第八節）。 首先參考圖1-8說明根據本發明的範例性光罩方法。首先 參考圖卜所顯示的半㈣基板片段的參考號碼為10。在本 文中’名詞「半導體基板」《「半導電基板」的定義皆為 任何包括半導電材料的結構，其包括但不限於，主要半導 電材料如半導體晶圓（單獨或包括其他材料的組件）及半導 電材料層(單獨或包括其他材料的組件)。名詞「基板」表示 任何支撐結構，其包括但不限於，上述的半導體基板。同 装在本文中，名言可「層」包括單數及複數，除非另有說 明0 在本例中，基板H)包括-主要單^基板12。其上面具 95476.doc 200529293 有一些特欲14。考慮任何可辨認的結構特徵，不論是既有 或尚待發展。舉例而已，例子包括圖案化光阻層、部份或 完全場效電晶體閘極或其他電路結構、基板内的蝕刻區 等。舉例而已，圖1的特徵14顯示基板12上形成的一些圖案 化材料形狀。側壁丨6在所示的具體實施例中實質上垂直基 板12。光罩材料18包括、或由特徵14上形成的领摻雜非晶 石反組成。δ亥種光罩材料包括至少約〇·5原子百分比的硼。一 範例ί± #乂仏具體貫施例包括一從約丨〇原子百分比至約W 原子百分比的蝴濃度。另外的例子，舉例而已，包括從約 1.0原子百分比至約50原子百分比的石朋濃度；從大於原 子百分比至約1〇·〇原子百分比的领濃度；從大於〇原子百 分比至約15.〇原子百分比的石朋濃度；從大於15 〇原子百分比 至約20.0原子百分比的领濃度；以及從大於则原子百分比 至約75.0原子百分比的硼濃度。 曰f一範例性具體實施例中，該特徵可包括未摻雜硼的非 曰曰厌在本文中，「未摻雜硼」表示不具有任何可偵測量的 一 果至v特欲14的最外部份為未摻雜硼的非晶碳，則 光罩材料18在該非晶碳材料上面形成（意即相接觸）。、 ”-形成㈣雜非晶碳材料i 8的較佳範例係使用化學汽相 ’儿積(CVD)’及需要或不需要電漿增強。另外 化學汽相沉積中或之德產在户 _ ^ 灸產生。在一砣例性較佳具體實施例 :化予咖積使用至少c2h6、CA、C2H2、C3H6及LA H另外在—較佳具體實施例令，化學汽相沉積使用至 2 6、Β4Η滅叫C〇之—，及因而在剛沉積的《雜處 95476.doc 200529293 形成非晶碳。 舉例而已，範例性化學汽相沉積工具包括Santa Clara， California，應用材料公司出品的 Applied Materials Centura 處理器及Producer處理器。進一步舉例而已，下列提供利用 該等處理器的化學汽相沉積材料1 8的範例性較佳方法。一 種範例性處理氣體為C3H6，其範例性流率為300 seem至900 seem，600 seem為一特例。B2H6為一範例性的蝴源氣體， 其可與03116，流動，及其範例性流率從100 seem至2000 seem，根據其他氣體的流率及根據預定形成硼摻雜非晶碳 層的硼濃度而定。另外範例性載體或其他反應性或非反應 性氣體也可以利用，例如，從0 seem至500 seem的He及/或 H2。一範例性較佳基板溫度為400 ° C至650 ° C，及一範例性 較佳壓力範圍為3 Τοιτ至7 Τοιτ。一晶圓表面至氣體喷頭的 範例性理想距離為190 mils至240 mils。一容量耦合單電極 電漿沉積工具（如上述）的範例性較佳功率施加範圍為10 0瓦 特至800瓦特（對於200 mm晶圓而言）。進一步舉例而已，範 例性非電漿增強CVD參數包括一約為500°C至800°C的溫 度、壓力為50 mTorr至200 mTorr、流量為50 seem至1000 seem 的C3H6、流量為 100 seem 至 2000 seem 的 B2H6，及含有 或沒有任何He及/或H2。 在沉積過程中已決定的硼摻雜量影響特徵斜坡上沉積材 料1 8的正形度。總之，較高的硼濃度具有較佳的斜坡覆蓋 範圍。例如在上述參數範圍内，B2H6對C3H6的體積流率比 為0.4，與水平面相比在垂直斜坡上約有26%的覆蓋範圍， 95476.doc 200529293 同時hH6對CsH6的流率比為2·1，與水平面相比在垂直斜坡 上約有64%的覆蓋範圍。流率〇·4提供材料is—原子硼濃度 約為3.0°/◦石朋，而流率2.1則提供約16%领。決定電極上的RF 功率並不特別影響相對正形性。在一實際減少的例子中， 與水平面相比，垂直面上的斜坡覆蓋範圍約為74%，喷頭/ 晶圓表面的距離為215 mils、功率為250瓦特、及先驅流率 為 1250 sccm b2H6、650 seem C3H6、基板溫度為 550°C及反 應室壓力為5 Ton*。根據該應用來決定需要或不需要高正形 度0 參考圖2 ’光罩材料18實質上已異向性蝕刻並有效形成一 異向性蝕刻側壁間隔物20，其包括位於特徵14的側壁16上 的硼摻雜非晶碳。舉例而已，異向性蝕刻此類材料的範例 性程序包括使用CL及/或其他氟化物的組合，該氟化物包 含 5 seem 至 20 sccm 的氣體、20 sccm 至 6〇 %(^的3〇2及5〇 seem至120 seem的〇2。一範例性基板溫度為5。€至^。匸，反 應室壓力為5 mTon:至15 mT〇rr ’及源電漿功率為15〇至25〇 瓦特及偏壓功率為30至100瓦特（每晶圓直徑2〇〇mm)。 、使用包括間隔物之《雜非晶碳作為光I，然後處理鄰 近該？隔物的基板。舉例而6，使用包括間隔物的硼摻雜 非晶碳作為光罩的基板處理可包括離子植人基板、姓刻& 板及在基板上沉積之任何-者或其組合。例如，圖 :才直入型的範例性處理以形成擴散區22。圖4顯㈣刻 祀例性處理以形成相對基板的凹穴或溝渠部份Μ。圖$顯干 沉積程序的例子’使用包括間隔物2Q的卿雜非晶碳作為 95476.doc -10 - 200529293 光罩以便於由間隔物20覆蓋的基板材料12上面立刻沉積層 2 6 ’藉以在基板12上沉積一層2 6。舉例而已，圖6顯示一此 選擇性沉積/處理的型式，使用包括間隔物2〇的硼摻雜非晶 碳遮罩該處理之下的基板材料12，以於基板材料12上面形 成層28。舉例而已，該種沉積可包括磊晶矽生長及/或熱處

理及/或其他選擇性沉積/形成方法（不論是既有或尚待發 展）。 X 基板處理後，蝕刻基板上包括間隔物的硼摻雜非晶碳。 圖7顯不圖3所示的處理的後續處理。一種最佳蝕刻處理程 序使用包括電漿的〇2來蝕刻包括間隔物的硼摻雜非晶碳。 舉例而已，一般範例性較佳程序利用具有基板溫度為3〇〇。匸 至650 C基板至喷頭的距離為4〇〇 ^^1§至8、壓力 為 4 Ton* 至 9 Ton*、〇2氣體流量1〇〇〇 sccm 至25〇〇 %〇茁、及 «功率範圍為_瓦特至議瓦特的〇2磨光電毁反應 至在此條件下處理實質上可在75秒内完成含有0.5%至 1.0/。领的包括間隔物之领摻雜非晶碳之薄膜b⑼埃厚度的 等向姓刻。 一 毛見哪4雜浪度提供斜坡覆蓋範圍及減 輕均質唯氧電魏巍势丨 之間的_和。雖然較高硼濃度造成較 佳斜坡覆盖範圍、齡古、曲 同朋?辰度，但唯氧電漿較難從基板中 姓刻此類材料。μ 口為硼摻雜超過10原子百分比，在上述停 件下唯氧電漿蝕刻變Α又π &， ^ d欠為不可接受的緩慢。舉例而已，一包 έ CF4的钱刻氣體蝕刻 曰 括間隔物的非晶碳，但不受硼摻雜 ΐ影響。 95476.doc 200529293 使用包含電漿的〇 2蝕刻—基板的犧牲間隔物的能力在上 述條件下須實質上選擇二氧切、氮切、單0，及多 晶石夕之任何-者來進㈣刻可具有特㈣益。此類 擇的《雜非晶碳比二氧切、氮切、單㈣、及多晶 石夕之任何-者的比較_率至少為2:1。因此，如果在㈣ 基板㈣包括間隔物之犧牲师雜非晶碳之中或之前立刻 將基板上的任何材料曝光，則可選擇任何曝光材料姓刻均 為有利。 參考圖8,也在一範例性實施例中，基板的特徵14(未顯 岣也完成敍刻。當然，可以自該基板中敍刻包括間隔⑽ 的硼摻雜非晶碳之前或之後發生。或者，根據形成的結構 及形成的特徵形式，保留該特徵在該基板上一段時間或構 成最後完成的電路系統結構的一部份。 參考圖9-12說明另外的範例性處理例子。圖9顯示一基板 片段40,其包括半導體基板材料42。一對閘極結構私及牝 在基板材料42上面形成。舉例而已，該對閘極包括一閑極 氧化層48、-導電多碎層5()、―収金屬切火金屬石夕化 層52、及一絕緣帽54。閘極結構44及46作為一對相鄰特徵， 其上可形成上述的光罩材料及進行後續處理，如上述。在 一範例性考慮觀點中，特徵44及46可使用具有最小開口尺 寸的光罩微影蝕刻處理形成，例如，尺寸rA」相當於特徵 44及46的最近壁之間的間隔距離。光罩/主光罩的尺寸「a 可稍小或稍大於圖9所示的實際尺寸rA」，例如，根據微影 蝕刻處理的方位及/或像差而定。在一考慮的實施例中，= 95476.doc -12 - 200529293 =開口尺^例如尺寸「A」）較理想為該光罩方法及本文所 述方法之4)或之後的所有半導體基板微影钱刻處理所利用 的最J開口尺寸。例如’由微影蝕刻處理獲得的特徵料及 6之間的距_為處理基板時生產程序技術上所能獲得的最 小尺寸。相對基板42形成範例性擴散區58。 參考圖10，光罩材料60包括硼摻雜非晶碳，其形成在所 示的基板及特徵的上面。此類材料較理想具有任何相同特 性，如根據首先具體實施例說明的光罩材料18的說明。 參考圖11，光罩材料60實質上異向性蝕刻並有效形成相 隔異向性蝕刻側壁間隔物62及側壁間隔物64對。相鄰異向 性蝕刻側壁間隔物62由最短距離rB」分離，因而距離「B」 比圖9所示最小開口距離「Α」更小。鄰近該等間隔物之基 板的範例性處理為植入型式以形成區66並靠近該等間隔 物。 多考圖12，使用上述處理完成自基板敍刻包括間隔物a 及64的獨摻雜非晶碳。 參考圖13-15舉例說明另外的範例性處理例子。圖13顯示 一基板片段70，其包括半導體基板材料72。一層74，例如 二氧化矽，在材料72上面形成。例如未摻雜硼的非晶碳的 另外層76於材料74上面被接受。穿過層76形成一開口 ”並 具有壁78。壁78可作為層76相鄰特徵的一部份，其定義開 口 77的至少一些部份。在一範例性考慮觀點中，特徵78可 使用具有最小開口尺寸的光罩微影蝕刻處理形成，例如， 尺寸「C」相當於定義開口 77的最近壁之間的間隔距離。如 95476.doc -13- 200529293 上述尺寸「A」，弁置/ 所m 寸」可稍小或稍大於 圖13所不結構之間的實 .^ A …丁、尺寸C」，例如，根據微影蝕刻 處理的方位及/或像差而定。在一考慮的實施例中，最小開 口尺例如尺寸「c」）較理想為該光罩方法及本文所述方 彳或之後的所有半導體基板微影似彳處理所利用的最 寸例如由彳政影蝕刻處理獲得的特徵78之間的 離可為處理4基板時生產程序技術上所能獲得的最小尺 寸0 光罩材料80包括财雜非晶碳，其在所示的基板及特徵 的上面形成。此類材料較理想具有任何相同特性，如根據 1·先具體實施例說明的光罩材料18的說明。 參考圖14 ’光罩材料8G實質上異向性敍刻並有效形成相 隔異向性蝕刻側壁間隔物82對。相鄰異向性蝕刻側壁間隔 物82由最短距離「D」分離，因而距離「D」比圖13所示最 小開口距離「C」更小。鄰近該等間隔物的基板之範例性處 理為蚀刻層74的型式，以形成開口 84達靠近間隔物82之基 板材料7 2。 多考圖15，使用上述處理完成自基板姓刻包括間隔物$ 2 的該删摻雜非晶碳。

申請曰期2003年6月17曰的美國專利申請序號 10/463,185，標題為「侧摻雜非晶碳膜用作半導體裝置形成 的硬姓刻光罩（Bor〇n-D〇ped Amorphous Carbon Film For Use As A Hard Etch Mask During The Formation Of A

Semiconductoi· Device)」，發明人 Zhiping Yin 及 Gurtej 95476.doc -14- 200529293

Sarnlhu，全文以提示方式併入本文。 根據法令，本發明已經或多或少 的特徵。不過，必項了 ° 寸定的構造及方法 特徵，因為本文揭露的構件包括m ^及所示的特定 所以’本發明主張任何根據相心备明的較佳型式。 皆在所附中請專利範圍之内田的原理解釋的型式或修改 【圖式簡單說明】 說明參考下列附圖。 理步驟之半導體晶圓片段的 本發明之較佳具體實施例的 圖1為根據本發明觀點的處 不意斷面圖。 圖1晶圓片段的視圖 圖2晶圓片段的視圖 〇 圖2為在圖1所述的後續處理步驟中 圖3為在圖2所述的後續處理步驟中 圖4為在圖3所述以外的其他視圖。 圖5為在圖3所述以外的其他視圖。 圖6仍為在圖3所述以外的其他視圖 圖7為在圖3所述的後續處理步驟中圖以圓片段的視圖 圖8為在圖7所述的後續處理步驟中圖7晶_段的㈣c 圖9為根據本發明觀點的處理步驟之另外半導體晶圓片 段的示意斷面圖。 圖9晶圓片段的視 圖10為在圖9所述的後續處理步驟中 圖。 圖11為在圖10所述的後續處理步驟中圖1〇晶圓片段的視 〇 圖12為在圖11所速的後續處理步驟中圖丨丨晶圓片段的視 95476.doc -15- 200529293 圖。 圖13為根據本發明觀點的處理步驟之另外半導體晶圓片 段的示意斷面圖。 圖14為在圖13所述的後續處理步驟中圖13晶圓片段的視 圖。 圖15為在圖14所述的後續處理步驟中圖14晶圓片段的視 圖。 【主要元件符號說明】 10 、 40 、 70 半導體基板片段 12 早晶砍基板 14 特徵 16 側壁 18、60 光罩材料 20 、 62 、 64 ， 82 側壁間隔物 22 、 58 、 66 擴散區 24 溝渠部份 26 層 28 層 42、72 半導體基板材料 44，46 閘極 48 閘極氧化層 50 導電多矽層 52 防火金屬矽化層 54 絕緣層 95476.doc -16- 200529293 74 層 76 層 77 開口 78 壁 80 光罩材料 82 側壁間隔物 84 開口 95476.doc - 17-

Claims (1)

1. 200529293 申請專利範圍： j. -種光罩方法，包括·· 形成-光罩材料，其包括在—半導體基板上形成的特 徵上面的硼換雜非晶碳，該光草材料包括至少约0.5原子 百分比的领； 實質上異向性敍刻該光罩材料以有效形成一異向性敍 刻側壁間隔物，該間隔物於該特徵側壁上面包括該领摻 雜非晶碳； ，使用包㈣隔物的㈣摻雜非晶碳作為光罩並處理鄰 近該間隔物的該基板；及 在處理該基板後，自該基板餘刻包括間隔物的該㈣ 雜非晶碳。 =明求項1之方法’其中在該特徵上面形成的該光罩材料 包括未摻雜硼的非晶碳。 ，、2之方法中遠t罩材料在未推雜删的非晶碳 上面形成。 月，=1之方法’其中該光罩材料在一對相鄰特徵上形 側辟異向性㈣係有效形成—對相隔異向性姓刻 側壁間隔物。 5.如請求項4之方法，其中， ”有取小開口尺寸的光罩藉由微影敍刻處理形成 德了目鄰特徵；該最小開口尺寸為該光罩方法之前及之 何及所有半導體基板的微影钱刻處理使用的最小開 口尺寸；及 95476.doc 200529293 該等相鄰異向性蝕刻側壁間隔物相隔一最短距離，該 最紐距離小於該最小開口尺寸。 长員1之方法，其中该光罩材料主要由石朋摻雜非晶碳 組成。 长員1之方法，其中该光罩材料由领摻雜非晶碳組 成。 8 ·々明求項1之方法，其中該形成包括cvd 〇 9·如凊求項8之方法，其中該CVD為電漿增強。 1〇·如睛求項8之方法，其卡該CVD未電漿增強。 11 ·如凊求項8之方法，其中硼摻雜在CVD中發生。 12·如睛求項8之方法，其中硼摻雜在CVD後發生。 月求項1之方法，其中該形成包括CVD使用C2H6、 4 C2H2、C3H6& C3H8之至少一者，及使用 B2h6、 及BH3C〇之至少一者。 14·如明求項13之方法，其中該CVD為電漿增強。 15.如：求項13之方法，其中該⑽未電漿增強。 16·如印求項1之方法，#中該特徵側壁係實質上垂直該基 17 :二求項1之方法，其中該光罩材料包括丨.0原子百分比至 •'、子百分比的蝴。 18·如請求項1之方法，苴 -^光罩材料包括大於5.0原子百分 匕至1〇.0原子百分比的领。 1 9.如清求項】$古、土 jj.. / 、 / ，/、中該光罩材料包括大於10.0原子百 刀比至15.0原子百分比的硼。 95476.doc 200529293 2 〇 ·如請求項1 、之方法，其中該光罩材料包括大於15〇原子百 分比至2〇.〇原子百分比的硼。 21 ·如請求jg 1 、之方法，其中該光罩材料包括大於2〇·〇原子百 刀匕至75.0原子百分比的蝴。 2 2 ·如請求項1 紅 <方法，其中該基板使用包括間隔物的該硼摻 亦隹非Β日衩作為光罩之該處理包括蝕刻該基板。 月长員1之方法，其中該基板使用包括間隔物的該硼摻 雜非晶碳作為光罩之該處理包括離子植入該基板。 2 4 ·如請求項1夕士 、乏方法，其中該基板使用包括間隔物的該硼摻 阳妷作為光罩之該處理包括於基板上沉積。 月求員1之方法，其中該蝕刻使用包括電漿的〇2。 26·如請求項1之方法，進-步包括在該基板之該處理後，自 基板飯刻該特徵。 27.如請求項26之方法，其中在自該基板蝕刻包括間隔物的 «亥蝴4雜非晶奴之後’自該基板蚀刻該特徵。 28· —種光罩方法，包括·· 其包括在一半導體基板上 化學汽相沉積一光罩材料 形成的特徵上_摻雜非晶碳，該光罩材料包括至少 約1.0原子百分比至約20原子百分比的硼； 實質上異向性蝕刻該光罩材料 以有效形成一異向性蝕 刻側壁間隔物 雜非晶碳； 該間隔物於該特徵側壁上面包括該硼摻 使用包括間隔物的該蝴摻雜非晶碳作為一光罩並處理 鄰近該間隔物的該基板；及 95476.doc 200529293 在基板之該處理後，使用— 括〇2之電裝實質卜；II樓 曝光二氧化石夕、氮化石夕及石夕 小 、、 王V —者，自該基板蝕 包括間隔物的該石朋摻雜非晶碳。 29·如請求項28之方法，其中在該特 城上形成的該光罩材料 包括未捧雜领的非晶碳。 30·如請求項29之方法，其中該光罩姑 疋旱材枓在未摻雜硼的非晶 碳上形成。 31. 一對相鄰特徵上 對相隔異向性姓 如請求項28之方法，其中該光罩材料在 形成，該實質異向性蝕刻係有效形成一 刻側壁間隔物。 32·如請求項31之方法，其中， 使用具有最小開Π尺寸的光罩由微影㈣處理形成該等 相鄰特徵；該最小開口尺寸為該光罩方法之前及之後任何 及所有半導體基板的微影蝕刻處理使用的最小開口尺寸； 及 該等相鄰異向性蝕刻側壁間隔物相隔一最短距離，該最 短距離小於該最小開口尺寸。 33·如請求項28之方法，其中該光罩材料主要由硼摻雜非晶 碳組成。 34·如請求項28之方法，其中該CVD為電漿增強。 3 5 ·如請求項28之方法，其中該CVD未電漿增強。 36·如請求項28之方法，其中硼摻雜在該CVD中發生。 37. 如請求項28之方法，其中硼摻雜在該CVD後發生。 38。 如請求項28之方法，其中該化學汽相沉積使用c2H6、 95476.doc 200529293 C2H4、C2H2、C3H6& C3H8之至少一者；及使用 b2h6、b4Hiq 及bh3co之至少一者。 39.如請求項28之方法，其中該特徵側壁係實質上垂直該基 板0 40.如請求項28之方法，其中該基板使用包括間隔物的該硼 摻雜非晶碳作為光罩之該處理包括蝕刻該基板。 札如請求項28之方法，其中該基板使用包括間隔物的石朋摻 雜非晶碳作為光罩之該處理包括離子植入該基板。 明求項28之方法，其中該基板使用包括間隔物的硼摻 雜非晶碳作為光罩之該處理包括於該基板上沉積。 43·如:求項28之方法，進一步包括在該基板之該處理後， 自該基板颠刻該特徵。 士明求項43之方法’其中自該基板蝕刻包括間隔物的硼 摻雜非晶碳之後，自該基板㈣該特徵。 95476.doc