TW200527995A - Method for producing circuit-forming board and material for producing circuit-forming board - Google Patents

Description

200527995 九、發明說明： 【明 屬】 技術領域 本發明係有關於一種用以得到可使用於各種電子機器 5之電路基板的電路形成基板之製造方法及用以製造電路形 成基板之材料。 L ^tr Ji 背景技術 近年來，伴隨著電子機器的小型化及高密度化，用以 10搭載電子元件的電路基板亦由單層基板到成為雙層、多層 基板’朝可集積較多電路及元件的高密度基板開發。 第5A圖〜第5G圖係顯示揭露於曰本特開平6_268345 號公報中用以形成電路基板之過去的電路形成基板之製造 方法之截面圖。 15 如第5A圖所示，於膠片12的兩面藉著熱滾軋等積層 法貼上薄膜17。膠片12係使經含浸於環氧樹脂等熱硬化性 樹脂所構成之清漆中之玻璃纖維織布（補強材）乾燥後而 得，B階段狀態的厚度為ΙΟΟμιη。薄膜17為厚度2〇μιη之 聚對苯二曱酸乙二醇脂(PET)。於薄膜17上亦可被覆環氧 20 樹脂等熱硬化性樹脂。 如第5B圖所示，以雷射等加工法於膠片12形成導孔 18 ° 接著，如第5C圖所示，將由銅粉等導電粒子與熱硬化 性樹脂、硬化劑、溶劑等混練後而得之導電糊13填充至導 5 200527995 孑L 18内。 之後，如第5D圖所示，將薄膜17剝離。使導電糊13 由膠片12突出。接著，於膠片12的兩面上配置銅箔19。 然後，藉著熱壓裝置（圖中未示）加壓銅箔19，對膠片 5 12、銅箔19、導電糊13進行加熱。藉此，如第5E圖所示， 膠片12會熱硬化，導電糊13會被壓縮，而與銅箔19電連 接。此時，含浸於膠片12中的樹脂會流出至膠片12的外 側，成為樹脂12A。 之後，如第5F圖所示，將端部不要的部分切除後，得 10 到電路形成基板。進而，以蝕刻等方法將銅箔19加工成預 定的圖案，作成第5G圖所示的電路圖案15，得到兩面的 電路基板，經切割成預定尺寸後，得到電路基板16。可於 電路圖案15上形成用以防止附著不需要的焊料之防焊油 墨。亦可於電路圖案15上施予電鍍處理等最後加工處理。 15 第6A圖〜第6E圖係顯示使用第5A圖〜第5F圖得到之 電路基板16獲得之多層電路基板之製造方法之截面圖。於 作為芯部的電路基板16的兩面，一面定位一面疊合上經填 充導電糊13A的膠片12B及銅箔19A，熱加壓後，得到於 表面具有電路圖案15A之多層電路基板20。 20 於第5A圖〜第5G圖所示之電路基板之製造方法中， 以熱壓裝置等對導電糊13、13A加熱加壓時，會產生以下 的問題。第7A圖〜第7C圖係第5A圖〜第5G圖所示之電 路形成基板之截面圖。如第7A圖所示，於具有經填充導電 糊13的導孔18之膠片12兩面上配置有銅箔19。將其等挾 6 200527995 入金屬板14進行加熱加壓、壓縮時，如第7B圖所示，導 電糊13會受壓變形，成為扭曲形狀。 然後，如第7C圖所示，形成電路圖案15，具有導電 糊13相互鄰接之層間連接部13D、13C。於高密度的電路 5 基板中，因已經變形的導電糊13，相鄰接的層間連接部 13D、13C之絶緣間距離縮短，會損害電的絶緣性。 膠片12—被加熱加壓，含浸於其内的樹脂成份就會流 動。一對導電糊13施加過度的壓力，導電糊13會從膠片 12的厚度方向12C朝面内方向12D大幅擴張。因此，導電 10 糊13的導電粉無法相互牢固地被壓接，有無法充分地電連 接之情形。此現象於導孔18的孔徑較膠片12的厚度小時 特別明顯。 如第6A圖〜第6G圖所示，製造多層電路基板20時， 由於芯部之電路基板16的電路圖案15之凹凸狀或電路基 15 板16的厚度的不均勻度，配置兩面經加熱加壓被壓縮的導 電糊13A會不安定的被壓縮，導電糊13變得較容易變形。 t發明内容3 發明揭示 於設於材料片上之穴形成導電部。於材料片的表面上 20配置金屬箔，得到積層片。藉著對積層片加熱加壓，得到 電路形成基板。金屬箔具有設置於表面且厚度會依施加壓 力改變的壓力吸收部及鄰接於壓力吸收部之硬質部分。 藉著以此方法得到之電路形成基板，可獲得電連接品 質信賴性高、高密度、品質優之電路基板。 7 200527995 圖式簡單說明 第1A圖係顯示本發明之實施形態之電路形成基板之 製造方法之截面圖。 第1B圖係顯示本發明之實施形態之電路形成基板之 5 製造方法之截面圖。 第1C圖係顯示本發明之實施形態之電路形成基板之 製造方法之截面圖。 第1D圖係顯示本發明之實施形態之電路形成基板之 製造方法之截面圖。 10 第1E圖係用以加工使用於實施形態之電路形成基板 之金屬箔的加工裝置之概略圖。 第2A圖係顯示實施形態之電路基板之製造方法之截 面圖。 第2B圖係顯示實施形態之電路基板之製造方法之截 15 面圖。 第2C圖係顯示實施形態之電路基板之製造方法之截 面圖。 第2D圖係顯示實施形態之電路基板之製造方法之截 面圖。 20 第2E圖係顯示實施形態之電路基板之製造方法之截 面圖。 第3圖係實施形態之電路基板之另一金屬箔之截面圖。 第4A圖係顯示實施形態之另一電路形成基板之製造 方法之截面圖。 8 200527995 第4B圖係顯示實施形態之另一電路形成基板之製造 方法之截面圖。 第4C圖係顯示實施形態之另一電路形成基板之製造 方法之截面圖。 5 第5A圖係顯示過去的電路形成基板之製造方法之截 面圖。 第5B圖係顯示過去的電路形成基板之製造方法之截 面圖。 第5C圖係顯示過去的電路形成基板之製造方法之截 10 面圖。 第5D圖係顯示過去的電路形成基板之製造方法之截 面圖。 第5E圖係顯示過去的電路形成基板之製造方法之截 面圖。 15 第5F圖係顯示過去的電路形成基板之製造方法之截 面圖。 第5G圖係顯示過去的電路形成基板之製造方法之截 面圖。 第6A圖係顯示過去的電路基板之製造方法之截面圖。 20 第6B圖係顯示過去的電路基板之製造方法之截面圖。 第6C圖係顯示過去的電路基板之製造方法之截面圖。 第6D圖係顯示過去的電路基板之製造方法之截面圖。 第6E圖係顯示過去的電路基板之製造方法之截面圖。 第7A圖係顯示過去的電路形成基板之製造方法之截 200527995 面圖。 面圖第7B圖係顯示過去的電路形成基板之製造方法之截 • # 7C圖係、顯示過去的電路形成基板之製造方法之# • 5面圖。 心隹乂 【實施方式】 發明之較佳實施形態 鲁 第1A圖〜第1D圖係顯示本發明之實施形態1之電路 形成基板之製造方法及用以製造電路形成基板之材料之截 10面圖。第1E圖制以加工被使用於電路形成基板之鋼箱1 之加工裝置之概略圖。實施形態中，作為用以製造電路形 成基板之材料的金屬落—銅猪i，厚度為18μιη。用以製造 電路形成基板之材料之銅箔丨係於以陰極滾筒u〇i輸送 時，通過硫酸銅水溶液11〇2中，此時，銅箔丨之與陰極滾 15筒1101不相接觸的表面1B會因電解作用而電鍍並成長 ♦ 銅，形成凹凸狀，加工成10點平均粗度(Rz)約ΙΟμιη的粗 面。又，於銅箔1的表面1Β的相反側，即與陰極滾筒11〇1 相接觸的表面1C會析出瘤狀的銅，施予粗面化處理，形成 ^ Rz約5μιη的凹凸。藉此，銅箔1具備有經粗面化之表面 20 1C所構成之壓力吸收部ia。材料片2，與第5Α圖〜第50 圖所示之膠片12相同地，於其兩面貼附有薄膜，藉著雷射 等加工法形成導孔8，於填充導電糊3後，將薄膜剝離。藉 此，導電糊3由材料片2的面突出。於材料片2的兩面係 藉熱滾軋等積層法貼附上薄膜。材料片2係使經含浸環氧 10 200527995 樹脂等熱硬化性樹賴構成之清漆巾之玻賴維織布（補 強材)乾燥後而得，於B階段狀態之厚度為⑽_之膠片。 實施形態中之材料片2使用玻璃織布，可防止加熱加壓時 用以構成織布之紗線位移㈣導電糊3帶來損害。薄膜係 =度2〇哗之聚對苯二曱酸乙二醇脂(ρΕτ)。於薄膜可被覆 %氧樹脂等熱硬化性樹脂。導電糊3係將銅粉料電粒子 與熱硬化性樹脂、硬化劑、溶劑等混練後而得。

如第1Α圖所示，於導電糊3經填充於導孔8内之材料 片2上配置銅箔1。 10 中 然後’如第IB ®所示’將其等挾人sus等金屬板* ，進行加熱加壓，使其-體化，得到積層片。銅箱丄 的面1B(RZ約10μηι)面向材料片2，面ic(Rz約5㈣具有 作為壓力吸收部la之功能。銅们的面m⑴的粗度並 不限定於這些值’但以面向材料片2的面lB之粗度較其相 反面之面ic大為佳。於加熱加壓時，鋼荡i的面ic之壓 la會損壞。然後’於因樹脂流動而厚度減少的材料片：的 上方的㈣i的-部份1D的高度與導電糊3上方的銅箱】 力吸收部la會損壞而吸收施加的壓力，壓力不會集中於由 材料片2突出之導電糊3。藉此，導電糊3可不會朝材料片 2之面内方向2B擴張地，於厚度方向2a被大幅壓縮，不 會產生第7B圖所示之過去的電路形成基板之上述問題。也 就是說，銅猪i之包含面1C的表層部> ιρ對應於壓力吸 收部la，銅箱i具有鄰接於壓力。及收部u之硬質部分ig。 於第1B圖所示之加熱加壓時，銅箱ι之塵力吸收部 11 200527995 的一 Μ 1E的高度幾乎相叫有效地對導電糊3施加壓 導電糊3中之導電粒子會被壓接於銅箱i的面1B，安 定的電連接。即，壓力財部la之被施加壓力的部分，並 厚度會騎的改變。藉此，獲得實施形態之電路形成基板。、 接著，如第1C圖所子，f» 、以蝕刻專成形銅箔丨，形成預 定形狀之電路_案5，得到魏基板10A。 進而’如第示，將電路圖案5表面之壓力吸收 部^以抛光研磨或輕度的_等方法去除，使轉料之間 10 15 的渥潤性提高，得到電路基板1Q。進而，為了使與焊料之 ^之渔潤性提高，對電路„15施予電鍍處理等最後加工 處理亦可。 於電路圖案5上形成用以防止附著不需要的焊料之防 焊油墨亦可。壓力吸收部1&於形成該防焊油墨後再去除亦 可。又，勤吸收部㈣藉著闕形成電路圖案5之前去 除亦可。 • 依此方法，即使導孔8孔徑很小，亦可安定的壓縮導 電糊3,使與銅^之間之電連接品質信賴性提高，獲得高 密度、品質優之電路形成基板。 • $ 2A圖〜第2E圖係顯示實施形態1之多層電路基板 20之製造方法之截面圖。 如第2A圖所示，準備第1C圖所示之電路基板作 為芯部基板。於電路基板之電路圖案5表面殘留為粗 面之壓力吸收部la。 接者’如第2B圖〜第2D圖所示，於電路基板1〇A的 12 200527995 兩面’分別疊合經填充導電糊从之材料片％及且有壓力 吸收部脈之_謝，經加熱加壓後，使其成:體化。 =匕第2E圖所示，對銅箱1〇1進行麵刻，形成電路圖 案5A，得到多層電路基板1〇B。 的電路圖案5A表 故可提局銅笛1與 由於作為芯部基板之電路基板10A 面殘留壓力吸收部la，表面經粗面化， 導電糊3A之間的接著強度。

第3圖係實施形態！之電路形成基板之另一金屬羯之 銅箱撕之截面圖。使用銅簿2〇1取代第u圖所示之銅猪 10卜藉著於面向材料片2之面的相反側面上形成可變形層6 來取代壓力吸收部la。可變形層6與壓力吸收部h相同， 被施加壓力的部分之厚度會局部的改變。銅箔201具有鄰 接於可變形層6，較可變形層6硬之硬質部分。 可變形層6宜於第1B圖所示之步驟之加熱加壓時會變 15形，且硬度較銅_2〇1低，可使用有機材料、無機材料等 各種材質。無機材料所構成之可變形層6,即使加熱，雜質 或揮發成分的產生量很少。可變形層6可藉著將财熱性佳 之環氧樹脂或石夕樹脂以鑄造或簾幕式塗布等方法於銅箱 201上形成1〇μΠ1左右的厚度，可得到與壓力吸收部la相 2〇 同效果。 又，不使用導電糊之電路形成基板，例如使用以電鍍 於導孔8形成之導電部與銅箱2()1之電路形成基板亦具有 與實施形悲相同效果。可避免將銅箔2〇1加熱加壓於導電 部上時，導電部因加壓而受到損害。 13 200527995 材料片2係經含浸於B階段化之熱硬化性樹脂之玻璃 纖維織布或不織布等玻璃纖維片所構成之膠片 亦可，以芳 香族聚醯胺等有機纖維片取代玻璃纖維片亦可。又，取代 纖維片材料片2使用b p皆段薄膜或由聚酿亞胺等樹脂薄 5膜與接著劑構成之B階段片亦可。 又材料片2係使用作為補強材之由織布與不織布混 成之材料之膠片亦可，例如使用於2片玻璃纖維織布之間 挾入玻璃纖維不織布之材料之膠片。 又，實施形態中之熱硬化性樹脂可使用由環氧系樹 10月曰、銥氧及二聚氰胺系樹脂、不飽和聚脂系樹脂、苯酚系 樹脂聚醯亞胺系樹脂、氰酸鹽系樹脂、氛酸醋系樹脂、蔡 系樹脂、尿素系樹脂、胺系樹脂、醇酸系樹脂、矽系樹脂、 呋喃系樹脂、聚胺酯系樹脂、胺基醇酸系樹脂、丙稀酸系 樹脂、氟系樹脂、聚二苯醚系樹脂、氰酸酯系樹脂等中單 15獨選出或混合2種以上之熱硬化性樹脂組成物，或使用以 熱可塑性樹脂改質之熱硬化性樹脂組成物。又，依需要於 熱硬化性樹脂中添加難燃劑或無機填充劑亦可。 多層電路基板的各層不需要使用實施形態之銅箔！、 201。用以連接不同層之電路圖案(銅箔）間之導電部容易受 20到損傷之靠近外側部分，即，若是10層電路基板，僅第1〇 層或第8層與第10層之間使用實施形態之銅箔丨'20卜亦 可得到與實施形態相同效果。 第4A圖〜第4C圖係顯示實施形態之另一電路形成基 板之製造方法之截面圖。於第1A圖〜第1D圖所示之電路 200527995 形成基板中，壓力吸收部la設置於鋼箔丨之相對於材料片 2之面1C。如第4A圖所示，金屬箔之鋼箔5〇1具有面向 材料片2之面501B與其相反面501C。壓力吸收部設 • 置於銅箔501之包含面501B之表層501G，例如形成以印㈤ • 5之凹凸。銅箔501於鄰接於壓力吸收部501a的部分具有較 壓力吸收部501a硬之硬質部分501F。如第4B圖所示，與 第1B圖相同，將銅箔5〇1及材料片2以金屬板*挾持後， | 於材料片2之厚度方向2A施加壓力。壓力吸收部5〇la 因施加的壓力會改變方向2A的厚度，藉此，具有與第1B 10圖所示之壓力吸收部la相同效果。之後，鋼箔501藉著蝕 刻等加工形成電路圖案505。 與銅箔相連接之作為導電部之導電糊可使用導電粒子 與加熱加壓時可排出至材料片2中之適當黏度的高分子材 料之混合物、由導電粒子與溶劑等混練而成之混合物或異 15 方導電接著劑等。 φ 進而，取代導電糊，使用電鍍等形成之柱狀導電突起， 或將不會糊化之較大粒徑之導電粒子與銅箔相連接，作為 形成於導孔8之導電部使用亦可。 産業上之可利用性 2〇 依本發明之電路形成基板之製造方法，可於不會損害 形成於材料片之導孔之導電糊等導電部下，對材料片、導 電部及金屬治進行加熱加壓，因此，可得到金屬箱與導電 部之間之電連接品質信賴性大幅提高、高品質之高密度電 路基板。 15 200527995 【圖式簡單說明】 第1A圖係顯示本發明之實施形態之電路形成基板之 製造方法之截面圖。 第1B圖係顯示本發明之實施形態之電路形成基板之 5 製造方法之截面圖。 第1C圖係顯示本發明之實施形態之電路形成基板之 製造方法之截面圖。 第1D圖係顯示本發明之實施形態之電路形成基板之 製造方法之截面圖。 10 第1E圖係用以加工使用於實施形態之電路形成基板 之金屬箔的加工裝置之概略圖。 第2A圖係顯示實施形態之電路基板之製造方法之截 面圖。 第2B圖係顯示實施形態之電路基板之製造方法之截 15 面圖。 第2C圖係顯示實施形態之電路基板之製造方法之截 面圖。 第2D圖係顯示實施形態之電路基板之製造方法之截 面圖。 20 第2E圖係顯示實施形態之電路基板之製造方法之截 面圖。 第3圖係實施形態之電路基板之另一金屬箔之截面圖。 第4A圖係顯示實施形態之另一電路形成基板之製造 方法之截面圖。 16 200527995 第4B圖係顯示實施形態之另一電路形成基板之製造 方法之截面圖。 第4C圖係顯示實施形態之另一電路形成基板之製造 方法之截面圖。 5 第5A圖係顯示過去的電路形成基板之製造方法之截 面圖。 第5B圖係顯示過去的電路形成基板之製造方法之截 面圖。 第5C圖係顯示過去的電路形成基板之製造方法之截 10 面圖。 第5D圖係顯示過去的電路形成基板之製造方法之截 面圖。 第5E圖係顯示過去的電路形成基板之製造方法之截 面圖。 15 第5F圖係顯示過去的電路形成基板之製造方法之截 面圖。 第5G圖係顯示過去的電路形成基板之製造方法之截 面圖。 第6A圖係顯示過去的電路基板之製造方法之截面圖。 20 第6B圖係顯示過去的電路基板之製造方法之截面圖。 第6C圖係顯示過去的電路基板之製造方法之截面圖。 第6D圖係顯示過去的電路基板之製造方法之截面圖。 第6E圖係顯示過去的電路基板之製造方法之截面圖。 第7A圖係顯示過去的電路形成基板之製造方法之截 17 200527995 面圖。 第7B圖係顯示過去的電路形成基板之製造方法之截 面圖。 第7C圖係顯示過去的電路形成基板之製造方法之截 面圖。 【主要元件符號說明】

1.. .銅猪 la.··壓力吸收部 IB. ..表面 IC. ··表面 ID. ..銅箔的一部份 IE. ..銅箔的一部份 IF. ..表層部份 1G…硬質部份 10.. .電路基板 IOA. ..電路基板 IOB. ..積層片 101.. .銅箔 101a···壓力吸收部 1101…陰極滾筒 1102.. .硫酸銅水溶液 12.. .膠片 12A...樹脂 12B...膠片 12C...厚度方向 12D...面内方向 13.. .導電糊 13A...導電糊 13C...層間連接部 13D...層間連接部 14.. .金屬板 15.. .電路圖案 15A…電路圖案 16.. .電路基板 17…薄膜 18…導孔 19…銅箔 19A...銅箔 2.. .材料片 2A…厚度方向 2B...面内方向 2C...材料片 18 200527995 20.. .多層電路基板 3.. .導電糊 3A...導電糊 _ 4...金屬板 5…電路圖案 5A...電路圖案 501…銅箔 501a·.·壓力吸收部 501B·..面 501C...相反面 501F...硬質部份 501G...表層 505.. .電路圖案 6.. .變形層 8…導孔

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Claims (1)

1. 200527995 十、申請專利範圍： 1· 一種電路形成基板之製造方法，包含有以下步驟· 金屬箔準備步驟，係準備具有第1面及前述第i面 , 之相反側之第2面之金屬箔，且前述金屬箔具有設置於 • 5 丽述第1面且厚度會依施加壓力改變之壓力吸收部及鄰 接則述壓力吸收部之硬質部分者； 材料片準備步驟，係準備表面經形成孔之材料片者； • 導電部形成步驟，係於前述材料片之前述孔七 導電部者； " 積層片形成步驟，係於前述材料片之前述表面上配 置則述金屬箔，而得到積層片者；及 加熱加壓步驟，係對前述積層片進行加熱加壓者。 2·如申請專利範圍帛1項之電路形成基板之製造方法，其 月J过壓力吸收部的硬度較前述硬質部分的硬度低。 15 3·如巾請專利範圍第1項之電路形成基板之製造方法，其 _ 中别述積層片形成步驟包含有使前述金屬箔之前述第2 面面向前述材料片之步驟。 4_如:睛專利範圍第1項之電路形成基板之製造方法，其 ' 、j述金屬省之前述第1面經粗面化，前述壓力吸收部 20 係、包含前述金屬箱之前述第i面之表層。 5·如：請專利範圍第4項之電路形成基板之製造方法，其 1述積層>}形成步驟包含有使前述金屬箱之前述第2 面面向前述材料片之步驟； 月)述金屬麵備步驟進而包含有使前述金屬箱之前 20 200527995 述第2面粗面化之步驟； 又，前述金屬猪之前述第2面較前述金屬f|之前述 第1面粗。 6. 如申請專利範圍第1項之電路形成基板之製造方法，其 5 中前述壓力吸收部由可變形之有機材料構成。 7. 如申請專利範圍第1項之電路形成基板之製造方法，其 中前述壓力吸收部由可變形之無機材料構成。 8. 如申請專利範圍第1項之電路形成基板之製造方法，其 中前述加熱加壓步驟之後進而包含有用以去除前述壓力 10 吸收部之步驟。 9. 如申請專利範圍第1項之電路形成基板之製造方法，其 中前述導電部形成步驟包含有於前述材料片之前述孔中 填充導電糊之步驟。 10. 如申請專利範圍第1項之電路形成基板之製造方法，其 15 中前述積層片形成步驟包含有使前述金屬箔之前述第1 面面向前述材料片之步驟。 11. 一種材料，係用以製造電路形成基板者，具備有： 壓力吸收部，係厚度會依外加壓力而改變者；及 金屬箔，係具有設置前述壓力吸收部之第1面及前 20 述第1面之相反側之第2面，且具有鄰接於前述壓力吸 收部之硬質部分者； 前述電路形成基板包含有於表面形成孔之材料片 與設置於前述孔之導電部，前述材料則被配置於前述材 料片之前述表面上，與前述材料片及前述導電部一同加 21 200527995 壓。 12. 如申請專利範圍第11項之材料，其中前述壓力吸收部 的硬度較前述硬質部分的硬度低。 13. 如申請專利範圍第11項之材料，其中前述金屬箔之前 5 述第2面面向前述材料片。 14. 如申請專利範圍第11項之材料，其中前述金屬箔之前 述第1面經粗面化，前述壓力吸收部係包含前述金屬箔 之前述第1面之表層。 15. 如申請專利範圍第14項之材料，其中前述金屬箔之前 10 述第2面面向前述材料片，且前述金屬之前述第2面 經粗链面化，前述金屬之前述第2面較前述金屬之 前述第1面粗。 16. 如申請專利範圍第11項之材料，其中前述壓力吸收部 由可變形之有機材料構成。 15 17.如申請專利範圍第11項之材料，其中前述壓力吸收部 由可變形之無機材料構成。 22