TW200421495A - Method for eliminating voiding in plated solder - Google Patents

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    • H01L2924/014—Solder alloys

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200421495 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明已於2002年10月9曰在美國申請為專利申請案號 10/267,453。 本發明一般相關於焊接接合及其形成的方法並更特定相 關於準備底突塊金屬化層做焊接電鍵及回流的方法。 【先前技術】 使用焊接突塊附接晶粒到覆晶封裝在本技藝中是眾所皆 知的。圖1及圖2 (後者是圖1區域2的放大觀點）說明一種形 態的先前技藝焊接接合10，其用在覆晶的應用上。如其中 所示’提供的晶粒11，其有I/O墊或晶粒墊13配置在其上。 提供一光聚合物鈍化層17來保護晶粒不會損壞。一胚金屬 化層14配置在此晶粒墊上，而一底突塊金屬化層15 配置在此胚金屬化層上。一焊接球19接著放置或形成在 UBM結構頂上並經由回流（也就是，藉由足夠地加熱此焊接 組合物使之液化）結合其下的UBM。焊接球係用來形成晶粒 與印刷電路板（PCB)21或其他裝置間的電氣與機械連接。 本技藝目前有一趨勢要置換已廣泛使用在晶粒附接動作 的錫鉛焊接物為無鉛焊接物，因為以鉛為基礎的焊接物有 健康及環境的問題。確實，國家電子製造創始委員會（nemi) 已經正式核准特定無鉛焊接物的使用，更特定的，以錫為 基礎的無鉛焊接物，在不同的應用上。因此，例如，nemi 已提倡在用來連結現今所生產大部分P C板的焊接物回流動 作中使用SnAg^Cuo·6，並還建議在波狀焊接應用上的兩種
O:\88\88443.DOC 200421495 其他無鉛合金-，SnCuG.7及SnAg3.5。 然而，在這些以錫為基礎的焊接物有幾個優異特性的同 時/也同樣遭遇某些缺點。特定的，以這些材料為基礎 的^物接合也常發現其壽命明顯的比根據理論考量的預 :可:,。換句話說，對以這些材料為基礎的焊接物接 口 =每單％時間焊接物接合出現的故障通常會發現不尋常 的向。 、 因此本技藝有需求在改善的以無㉝焊接物為基礎之焊接 物接合上（特別是無心χ錫為基礎的焊接物），其以有較長 的可〒本技藝也對達成這種焊接物接合的方法有一需 求。这些與其他的需求可藉由在此說明的方法而達到。 【發明内容】 在一觀點中，提供將焊接物電鍍在晶粒上的方法。這個 方法對無氣焊接物特別有用，例如SnCu，如^及SnAgCu。 根據此方法，提供的晶粒其上有_胚金屬化層。此胚金屬 化層最好包含第-層的Tiw及第二層的銅並最好有光阻劑 配置其上’其被圖樣來產生至少—縫隙，部分胚金屬化層 透過此縫隙曝光。曝光的胚金屬化層以溶解液(最好沖淡， 似水的）蝕刻，溶液包含酸（例如，舉例的硫酸）及氧化劑（例 如舉例的硫酸鈉），由之形成钱刻的胚金屬化層。最好包 a銅的底犬塊金屬化（UBM)接著被電鍍在此蝕刻的胚金屬 化層。此晶圓冑好以去離子化水沖〉先，而焊接物組合物（最 好疋無錯的）被電錢在UBM上。 在另一觀點中，提供一蝕刻UBM的方法。根據此方法，
O:\88\88443.DOC -6 - 200421495 提供的晶粒有—胚金屬化層，配置在胚金屬化層上的UBM， 及一無鉛的焊接物組合物配置在此UBM上。此胚金屬化層 接著被蝕刻並可能的沖洗，而此UBM被以包含酸及氧化劑 的溶解液蝕刻。焊接物助熔劑接著分配在晶粒上，而此焊 接物組合物則回流。 在另一個觀點中，提供電鍍焊接物在晶粒上的方法。根 據此方法，提供的晶粒有一晶粒塾配置在其上。胚金屬化 層形成在此晶粒墊上，及一光可限定聚合物配置在此胚金 屬化層上。此光可限定聚合物接著被圖樣並曝光來產生縫 隙’其曝光至少部分的胚金屬化層，之後此曝光的胚金屬 化層部分被以包含酸及氧化劑的溶解液蝕刻。Ubm，最好 包含銅’接著被電鍍在胚金屬化層的敍刻部分，以及（最好 是無鉛的）焊接組合物被電鍍至UBM上。 在另一個觀點中，提供一電鍍焊接組合物的方法。根據 此方法’提供的基板有一胚金屬化層配置在其上。此胚金 屬化層接著被以包含酸及氧化劑的溶解液餘刻，而一銅 UBM被電鍍至此胚金屬化層上。 本發明的這些及其他觀點在下面有更詳盡的說明。 【實施方式】 在觀察無鉛焊接物後，現已發現有不尋常高比例的焊接 物接合故障出現，而特別的是無鉛以錫為基礎的焊接物， 是因為至少兩個因素。首先，已發現無鉛的以錫為基礎的 焊接物在回流期間傾向有空洞。會出現此種空洞的焊接球 範例顯示在圖3及4 (空洞出現為圖3中的暗點，以及圖4的暗
O:\88\88443.DOC 200421495 色半球體）。這個形態的空洞嚴重的惡化焊接物接合的機械 整合性’因而造成熱循環期間焊接物接合故障並減短焊接 物接合的壽命。這個空洞現在已經連結到傳統用來電錢焊 接物至底突塊金屬化層（UBM)上的電鍍處理。這種傳統電 鑛處理的典型範例在這裡的圖9中說明。 所發現造成不尋常高比例的無鉛焊接組合物之焊接物接 合故卩早出現的第二個因素是傳統胚金屬化層蝕刻處理後傳 統回流期間it些焊#組合物不完全濕化底突塊金屬化層 (UBM)的趨向。當此UBM為銅柱形式時，這個問題在柱子 這面特別明顯，如圖7所示。這個趨向的結果。焊接物與銅 的介面發生在較小面積上並因此減少力量而接合的壽命因 而減短。 已發覺到在上面注意到問題可經適當修改在焊接物接合 形成中典型使用的傳統焊接電鍍及胚金屬化層處理加以避 免。特定的，已發現到上面注意到的問題可加以克服，經 由在這些處理中選擇性的使用微蝕刻（以及在焊接物電鍍 的貫例中，乾化步驟的免除）。傳統焊接物電鍍及胚金屬化 層#刻處理的這些修改在下面更詳盡的說明。 在此說明的方法可以就圖13_21中說明以UBM做焊接物 接合的一般方法程度加以理解。參考圖丨3，提供在其上有 著球體晶粒墊203的晶粒201。為了提供在後面階段引入之 焊接物突塊的適當放置及間距，此金屬晶粒墊重新分配來 形成如圖14顯示的重新分配晶粒墊2〇5。 如圖15所示，光可定義的囊封層2〇7，其可以是，例如，
O:\88\88443.DOC 200421495 一壓力補償層_(SCL)，被塗層在晶粒基板上並加以圖樣化， 之後包含第一層TiW及第二層Cu的胚金屬化層211濺鍍在 的結果物體上，如圖16所示。一層的光阻劑213接著被塗層 並圖樣化在胚金屬化層，如圖17所示，而此UBM 215形成 在曝光的胚金屬化層，如圖18所示的，藉由以銅溶解液電 鍍。一層的焊接物217例如SnCu接著被電鍍在此UBM上， 如圖19所示。 如圖20所示，光阻劑接著剝落，經由塗抹溶劑或藉由其 他適當方法。此胚金屬化層接著被餘刻，如圖21所示，來 電氣的隔離每個晶粒墊。胚金屬化層的Tiw部分可以，例如 過氧化氫溶解液，加以蝕刻而胚金屬化層的Cu部分可以用 例如氨基甲酸銨，氫氧化銨及亞氯酸鈉沖淡似水的溶解液 加以钱刻。焊接物接著如圖21所示的回流來產生一連串的 焊接物突塊216。結果的結構可依需要加以清潔。 圖9說明典型上用來電鍍焊接物組合物在ubm上的傳統 處理。此處理的採用通常是在胚金屬化層形成後，以及在 光阻劑配置及圖樣在晶圓上以選擇性的曝光部分胚金屬化 層（例如，圖17中所描述形態的基板形成之後）之後。這個處 理中用的胚金屬化層通常包含第一層的Tiw及第二層的 Cu。Ti W層，其厚度通常大約2〇〇〇人，便於黏著此UBM與晶 粒墊及同時做為Cu的屏障，而此層，其厚度大約5〇⑻a， 提供UBM電鍍動作足夠的傳導性。 處理通吊從氧灰化5 1 (也就是，氧電漿的晶圓處理）開 始，接著以去離子化水沖洗53此晶圓。這些步驟移除出現
O:\88\88443.DOC 200421495 在B曰片上的任何有機雜質，並因而確保胚金屬化層將有足 夠吸水做後續的電鍍動作。 銅柱形式的UBM接著被電鐘55到被光阻劑曝光的部分胚 金屬化層上a日圓接著以去離子化水加以沖洗η，並風乾 9準備做焊接物命液。因為在形成ubm與開始焊接物電鐘 之間有充分的間隔(有時是幾天)，晶圓通常歷經第二次灰化 v驟61來移除在該間隔期間晶圓上累積的任何有機雜質， 該雜質傾向有害的影響晶圓的濕化特性。&晶圓接著以去 離子化水63冲洗而此焊接物組合物例如SnCu被電鍍至 UBM上。光阻劑接著從晶圓上剝落，而晶圓接著經由胚金 屬化層餘刻及焊接物回流被處理。 如之前注意到的，如前述的處理順序用來電鍍無鉛焊接 物，例如SnCu，SnAg及SnAgCu到銅UBMs上，實質空動可 能發生在回流焊接物中。根據圖9描述的方法電鍍之回流 SnCu焊接球中這種空洞（類似於回流後在SnAg& SnAgC^焊 接球中觀察到的空洞）的特定範例在圖3及4的橫切面顯微 圖中說明’其空洞出現為焊接突塊中的黑化區域。當使用 的是這種電鍍處理，則空洞的出現範圍可能相當廣。因此， 圖5描述根據圖9方法電鍍的連串焊接物突塊之細微聚焦χ_ 光（上視圖）。在此X-光中，空洞出現為焊接物突塊中的淺色 部分（也就是，沒有空洞的焊接物突塊是完全暗色的）。在χ_ 光中可完全見到的22個焊接物突塊，12(超過一半）出現有實 質的空洞。 圖10說明根據本發明之鍍金處理的一具體實例。如在圖9 O:\88\88443.DOC -10 - 200421495 中描述的方法，這個方法的採用典型上會在胚金屬化層已 經形成之後（但在蝕刻之前）以及用來形成鍍金遮罩的光阻 劑已經配置並圖樣在晶圓上之後。 圖10的處理從氧灰化81開始，之後晶圓被沖洗83 (典型上 會用去離子化水）。胚金屬化層的曝光部分接著被微蝕刻85 (此微蝕刻可能包含，例如將基板以在去離子水中包含1% 的石瓜酸及0.25%咼硫酸鈉的溶解液，加入大約〇〇1%硫酸銅 做為穩定劑的處理），並以去離子化水沖洗86，之後UBM (最 好包含銅）被電鍍87至胚金屬化層剛才蝕刻的表面。晶圓接 著再一次被沖洗89(再次最好以去離子水），但沒有風乾，而 此焊接物（最號是無鉛焊接物例如SnCu)立即被電鍍91至 UBM上。光阻劑接著從晶圓上剝落，而晶圓經由胚金屬化 層钱刻及焊接物回流加以處理。 在圖10中描述的方法在幾個關鍵觀點上不同於在圖9中 描述的方法。例如，在圖10中描述的方法，晶圓（並特定的， 胚金屬化層）在UBM電鍍之前歷經一微蝕刻。在處理中這個 時點使用微蝕刻被發現可以明顯的改善UBM與此胚金屬化 層之間的黏著，而在此同時可在焊接物回流中減少空洞。 在希望不受到理論限制下，一般相信這個微蝕刻可有效的 k胚金屬化層表面移除金屬氧化物，其否則會有利於空 洞，而同時可改善UBM與胚金屬化層之間的黏著，藉由提 供剛產生的金屬（例如，銅）的非氧化層以便將UBM電鍍其 上。因此，最好UBM電鍍在微蝕刻後短暫時間進行，使得 金屬氧化物沒有機會重新形成在此胚金屬化層表面上。 O:\88\88443.DOC -11- 495 圖10的方法與圖9描述的方法不同的還有晶圓在最後的 沖洗後未風乾。而β阳』 疋百日日0在取後的 疋’焊接電鍍（例如，利用s c 曰圓 沖洗後短暫時間谁# Μ 刃物C U)在曰曰因 俨，#由游备 纟希望不受到理論限制下，-般相 乾步驟(以及特定，藉由在晶圓風乾前繼續 物形：。❿排除可能造成空洞的風乾期間的金屬氧化 如t圖1G的⑽處理是用來電鍍無錯焊接物到銅麵， 則在知接物突塊中的空洞實質上被消除。這個效果在圖6 中顯微的X·光款、明，甘t t ，上 月其知取根據圖10方法電鍍的連串回流 焊接物突塊。如其中相，可以在此x_光相的所有U個 知接物突塊完全是暗色的，因此表示完全沒有任何可辨識 的空洞出現。 如在上面注意到的’在圖_述的方法中，焊接物電鍵 在UBM1：鍍至晶圓後短暫時間進行而晶圓有被沖洗，而因 此先前技藝方法中的典型風乾步驟(參閱圖9)被消去。然 而’在某些環境下’不可能避免在兩個電鍍處理之間風乾 此晶圓（或讓晶圓風乾）。可能的情形是，例如，如果不可能 同時在相同位置進行電鍍動作，或做為連續處理的部分。 這種情形下，圖10的處理可加以些微修改，藉由將風乾的 晶圓在焊接物電鍍前，歷經氧灰化並接著微蝕刻。而這個 修改的處理可允許某些空洞發生在回流的焊接物中並因此 較不像圖10的方法那樣優異，因為這個修改處理造成的在 焊接物接合中的空洞通常會比典型發生在圖9描述形態的 先前技藝處理中的那些為小，並因而在某些應用上是可接 O:\88\88443.DOC -12- 200421495 受的。 至此，可因在此所教授而達成吃焊接物接合可靠性改善 已經處理了焊接物電鍍處理之前的處理步驟焊接物電鍍。 然而’焊接物接合可靠性的額外改善，特別是以無船焊接 物為基礎的焊接物接合，是可能經由對發生在焊接物電鍍 之後但在焊接物回流前的標準胚金屬化層蝕刻處理的修 改。而對於標準胚金屬化層姓刻處理的這些改變本身即可 造成焊接物接合壽命的改善，最好能與上述改善的焊接物 電鑛處理'一併使用。 圖11說明一用在胚金屬化層蝕刻的傳統處理，其中胚金 屬化層為在Tiw上的銅。此處理一般是在焊接物電鍍處理之 後採用，例如在圖9中說明的形態以及在光阻劑剝落之後 (例如，在圖20描述的結構形成之後）。如在此看到的，在處 理開始時，晶圓被以去離子水沖洗丨〇丨。此胚金屬化層接著 歷經利用碳酸氨，氫氧化氨及亞氯酸鈉之很淡似水溶解液 的銅蝕刻103。晶圓再次的沖洗1〇5以去離子水而此胚金屬 化層歷經以過氧化氫之似水溶解液的Tiw蝕刻1〇7，之後晶 圓再次的以去離子水沖洗109。晶圓接著風乾ln焊接物助 而焊接物回流115。焊接物助熔劑 熔劑分佈113在晶圓上， 接著被移除117而晶圓被風乾。 在回流期
O:\88\88443.DOC 如前面注意到的，如果接著圖11的處理步驟，在回流期 間焊接物經常不能完全濕化銅UBM。如果ubm是銅柱的形 -13- 200421495 無鉛焊接物不_會完全地濕化銅UBM，因為在之前的過氧 SlTiW㈣期間形成—厚層的氧化銅。這個氧化物層通常會 太厚而無法完全地由接著的焊接物助㈣移除，特別是^ UBM這面。就這個氧化物層的任何部分所剩餘程度，傾向 造成此UBM抗拒被此融化焊接物濕化。 圖12說明根據在此教授之胚金屬化層蝕刻處理的一個具 體實例。α圖11描述的方》，這個處理通常在焊接物電鍍 (最好是根據圖ίο的方法）之後採用，而從沖洗131晶圓開 始。在這個處理的不同沖洗步驟中，晶圓最好以去離子水 沖洗，雖然就本技藝所知可替代使用其他的清潔劑與溶劑。 此胚金屬化層接著歷經銅蝕刻丨3 3，其可能包含，例如， 以碳酸氨，氫氧化氨及亞氯酸鈉的淡似水溶解液。晶圓被 沖洗135而此胚金屬化層歷經Tiw蝕刻137，最好是以過氧化 氫的似水溶解液，之後晶圓再次被沖洗丨3 9。晶圓接著歷經 微蝕刻141，之後再被沖洗143—次。晶圓接著風乾145，焊 接物助熔劑分佈147在電鍍焊接物上，而焊接物回流149。 焊接物助熔劑接著被移除15 1，而晶圓被風乾。 圖12中描述的方法與圖π描述的方法不同在Tiw蝕刻之 後使用微蝕刻以及接著的沖洗。當圖12的此胚金屬化層蝕 刻處理在焊接物回流之前使用，焊接物被發現如圖8所示完 全地濕化UBΜ(包含其的面）。在希望不受到理論限制下， 一般相信金屬氧化物從表面藉由微蝕刻移除的結果，而特 別是在UBM的面，使得UBM的表面在回流期間輕易被焊接 物組合物濕化。結果，焊接物到銅介面的表面積最大化， O:\88\88443.DOC -14- 200421495 此焊接物接合有最佳的力量，而焊接物接合的壽命達到最 長0 |種溶解液可以用來按照在此說明的方法執行微蝕刻。 最好，此溶解液為氧化劑與酸的似水溶解液，而最好的， 此溶解液為氧化劑與酸沖淡的似水溶解液。最好的，此微 餘刻是硫酸形式的高硫酸鈉的沖淡似水溶解液，因為這個 溶解液讓銅以非常可控制的方式被蝕刻。 雖然在此說明之方法採用的微蝕刻溶解液中使用高硫酸 鈉疋較好的，可以在此說明的微敍刻溶解液中用不同的其 他氧化劑。這些包含，例如，鉀或硫酸氨，硫酸氨鈽，鉻 酸’過氧化氫，碘化鉀，硝酸銀，碘，臭氧，氧，一氧化 氮及氣化鐵。也可以使用二或多個這些氧化劑的不同組合。 類似的，雖然在此說明的不同方法中採用的微蝕刻溶解 液中使用硫酸是較好的，不同的其他酸也可以用來做適當 酸性的溶解液。這些包含有機酸例如，舉例的，醋酸，己 二酸，擰檬酸，蟻酸，乳酸以及草酸，以及無機酸，例如， 舉例的，硝酸，鹽酸，硼酸，鉻酸，氫溴酸，氫氰酸，氫 氟酸磷酸及磺酸。也可以使甩二或多個這些酸的組合。 在此說明的方法可以用在焊接物電鍍及胚金屬化層蝕刻 動作其包含幾乎任何形態的焊接物，包含錫鉛焊接物（SnPb) 以及其他的以錯為基礎的焊接物，例如，舉例的SnPbAg， SnPbAgSb及SnPbSb焊接物。然而，這些方法與無鉛焊接物 一起使用時特別有用，因為這些方法能夠克服許多無鉛焊 接物特別普遍的弱點。無鉛焊接物的範例可以與在此說明
O:\88\88443.DOC -15- 200421495 的方法一起使用的包含，但不限制為，SnCu，SnAg，SnAgCu，
SnBi, SnAgBi, SnCuNi，SnSb，及 SnBiAgCu。在這些焊接物， 在此說明利用SnCu，SnAg，SnAgCu的方法是較佳的，而這 些利用SnCu的方法是特別更好的。 在此揭示的焊接物電鍍及胚金屬化層蝕刻處理已主要參 考有銅UBMs的系統加以說明。然而，這些方法的每一個也 可以與其他形態UBMs之系統一起使用，特別是包含鎳的那 些。當在此揭示的方法與鎳UBM—起使用時，較好的能使 用沖淡的硝酸做為微蝕刻。 電鍍焊接物在晶粒上的方法已經在此提供。此方法，在 UBM電鍍之前利用微蝕刻並且消除常在先前技藝處理中發 現的在UBM電鍍及焊接物電鍍之間的風乾步驟，可以減少 ΐ㊉伴卩通著無鉛焊接物組合物回流的空洞的出現，並確保 在胚金靥化層及UBM間更強健的結合。蝕刻xjBM的方法也 已經提供，其可以單獨使用或與之前的方法組合使用。這 個方法，其在焊接物回流之前利用UBM的微蝕刻，可以使 UBM有更好的濕化，因而造成佔據更大面積的焊接物接合 而表現出更長的平均壽命。 本發明的上述說明是說明性的，而非限制性的。因此可 發覺可以對上述具體實例做出不同的新增，取代及修改而 不背離本發明的範疇。因此，本發明的範疇應參考後附申 請專利範圍的架構。 【圖式簡單說明】 圖1及2為說明以焊接物突塊將晶粒附接在覆晶封裝一般
O:\88\88443.DOC -16- 200421495 使用的程序概要圖； 圖3及4為橫切面微顯影，其顯示根據先前技藝電鍍處理 而電鍍之回流SnCu中空洞的出現； 圖5為細微聚焦X-光（上視圖）說明根據先前技藝方法電鍍 之焊接物突塊中回流後空洞的出現； 圖6為細微聚焦χ—光（上視圖）說明根據在此教授的電鍍之 焊接物突塊中回流後空洞的沒有出現； 圖7為無鉛焊接突塊的橫切面微顯影（利用銅UBM及 TiW/Cu胚金屬化層）其經在焊接物回流之前以先前技藝胚 金屬化層蝕刻處理的處理，而其呈現在UBM面上不佳的濕 化； 圖8為無錯焊接突塊的橫切面微顯影（利用銅UBM及 TiW/Cu胚金屬化層），其經根據在此教授的胚金屬化層蝕刻 處理的處理； 圖9為說明電鍍無鉛焊接物之先前技藝方法的流程圖； 圖10為說明根據在此教授的電鍍無鉛焊接物方法的流程 圖； 圖11為說明用在胚金屬化層蝕刻之先前技藝方法的流程 圖； 圖12為说明根據在此教授用在胚金屬化層敍刻之方法的 流程圖；以及 圖13-21為做出與UBM焊接物接合的方法說明。 【圖式代表符號說明】 10 焊接物接合 O:\88\88443.DOC -17- 200421495 11 晶粒_ 13 晶粒墊 14 金屬化 15 底突塊金屬化層（UBM) 17 惰化層 19 焊接球 21 印刷電路板（PCB) 51 灰化 53 沖洗 55 電鍍 57 沖洗 59 風乾 61 灰化 63 沖洗/濕化 65 電鍍 81 灰化 83 沖洗 85 微蝕刻 87 電鍍 89 沖洗 91 電鍍 101 沖洗 103 蝕刻 105 沖洗 107 蝕刻 109 沖洗 O:\88\88443.DOC -18 - 200421495 111 風乾_ 113分佈 115 回流 117 移除 131 沖洗 133 蝕刻 135 沖洗 137蝕刻 139 沖洗 141 微蝕刻 143 沖洗 145 風乾 147 分佈 149 焊接物回流 15 1 移除 201 晶粒 203 晶粒塾 205 晶粒墊 207 囊封層 221 金屬化 212 光阻劑層 215 底焊接物金屬化層（UBM) 216 焊接突塊 217焊接層 O:\88\88443.DOC -19-

Claims (1)

  1. 200421495 拾、申請專利範園： 1 · 一種電鍍焊接物在一晶粒上的方法，其包含以下步驟： 提供有胚金屬化層（211)在其上的晶粒（201); 以包含酸及氧化劑的溶解液來蝕刻（137)此胚金屬化層 (211)’由之形成蝕刻的胚金屬化層； 電鍛（87)—底突塊金屬化層（215)在此蝕刻的胚金屬化 層上’此底突塊金屬化層包含銅；以及 電鍛（91)無錯焊接物組合物（216)在此底突塊金屬化層 上。 2·如申請專利範圍第丨項的方法，其中該酸為硫酸。 3·如申请專利範圍第1項的方法，其中該氧化劑為高硫酸鈉· 4·如申請專利範圍第1項的方法，其中的無鉛焊接物係從包 含SnCu，SnAg，及SnAgCu的群組中選出。 5·如申睛專利範圍第1項的方法，其中溶解液為包含硫酸及 南硫酸鈉的沖淡似水溶解液。 6·如申請專利範圍第5項的方法，其中，在無鉛焊接物組合 物電鍍在底突塊金屬化層上之後，該晶粒暴露在胚金屬 化層钱刻（137)中，其中該胚金屬化層包含一具有Tiw的 第一層及一具有銅的第二層，而其中胚金屬化層蝕刻包 含利用過氧化氫溶解液的處理。 7·種用來蝕刻底突塊金屬化層的方法，其包含以下步驟： 提供有胚金屬化層（211)的晶粒（201)，配置在胚金屬化 層上的底突塊金屬化層（215)，以及配置在底突塊金屬化 層上的無錯焊接物組合物（216); O:\88\88443.DOC 200421495 蝕刻（13?)此胚金屬化層； 以包含一酸及氧化劑的沖淡溶解液來蝕刻（141)此底突 塊金屬化層；以及 回流（149)此焊接物組合物。 8.如申請專利範圍第7項的方法，其中該胚金屬化層包含 TiW並以過氧化物溶解液來蝕刻。 9 · 一種電鍍焊接物在一晶粒上的方法，其包含以步驟： 提供一具有晶粒墊（205)配置在其上的晶粒（201); 形成胚金屬化層（211)在該晶粒墊上； 形成光可定義的聚合物（213)在該晶粒墊上； 圖樣化該聚合物來產生缝隙，其曝光至少部分的胚金 屬化層； 以包含酸及氧化物的溶解液來蝕刻（137)該曝光部分的 胚金屬化層，藉此形成蝕刻部分的胚金屬化層； 電鍍（87)底突塊金屬化層（215)在該蝕刻部分的胚金屬 化層，此底突塊金屬化層包含銅；以及 電鍍（91)無鉛焊接物組合物（216)到該底突塊金屬化層 上。 1 〇 · —種電鑛一焊接物組合物的方法，其包含以下步驟： 提供一具有晶粒墊（205)配置其上的基板（201); 配置胚金屬化層（211)在此基板上，此胚金屬化層包含 銅； 配置與圖樣化一光阻劑（212)在該胚金屬化層上，使得 該胚金屬化層暴露於該晶粒墊的附近； O:\88\88443.DOC -2- 200421495 以酸性的_高硫酸鈉似水溶解液來蝕刻（137)該胚金屬化 層； 電鍍（87)底突塊金屬化層（215)在該胚金屬化層上，該 底突塊金屬化層包含銅；以及 電鍍（91) 一焊接物（216)到該底突塊金屬化層上，該焊 接物係從包含SnCu，SnAg及SnAgCu的群組中選出。 O:\88\88443.DOC
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