TW200421030A - Positive resist composition and patterning process - Google Patents
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Description
200421030 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於含有酚醛淸漆樹脂之羥基之氫原子之一 部份爲1，2 -萘醌二迭氮基磺醯基酯基所取代之鹼可溶性酚 醛淸漆樹脂，以及甲基乙烯基醚-馬來酸單烷基酯共聚物 之正型光阻材料及使用其之圖型之形成方法。 【先前技術】 近年來，隨著電子機器之小型化、LSI (大型積體電 路）之高積體化及ASIC化急速成長，廣泛使用爲此而安 裝之多孔薄層。於如此的多孔構造，連接用端子之高度爲 l〇//m以上之突起電極（bump )係必要的，要求可形成 其之技術。依據電鍍法形成此突起電極於L S I上時，使用 光阻材料。此時，使用傳統的薄膜光阻所形成之草菇型之 突起電極形狀，爲實現LSI之多孔化或孔間隔之高密度化 係困難的，因此，使用厚膜之光阻以達成突起電極形狀側 壁之垂直化（straight sidewall，垂直側壁化）係必要的 。因此，對於此電鍍步驟用厚膜光阻，兼具高靈敏度、形 狀的垂直性、高解像性及尤其是電鍍步驟中或電鍍步驟後 之耐裂縫性係必要的。 作爲解決如此問題點用之手段，已知傳統上主要係以 提昇突起電極加工用光阻之電鍍耐性爲目的，添加丙烯酸 系樹脂之正型光阻組成物（特開平1 0 · 2 0 7 0 5 7號公報）。 另一方面，酚醛淸漆樹脂與含萘醌二迭氮基化合物中，添 -5- (2) 200421030
加聚乙烯醚所成之鹼可溶性之感光性樹脂組成物（特公昭 46-16049號公報）。然而，任一種方法雖可提昇耐裂縫 性，但有引起因光阻對比降低而圖型形狀惡化之可能性。 另一方面，已知添加酚醛淸漆樹脂及分子量爲20,000至 8 0，0 0 0之烷基乙烯醚與馬來酸酐之共聚物之水解物所形成 之正型光阻組成物（特開平6-202 3 3 2號公報）。然而， 於此系統中，尤其關於鍍金用途中之電鍍步驟中或電鍍步 驟後之耐裂縫性並不充份。 專利文獻1 :特開平10-20705 7號公報 專利文獻1 :特公昭46-16049號公報 專利文獻1 :特開平6-2023 3 2號公報 【發明內容】 發明所欲解決之課題
本發明係有鑑於上述事實而實施者，以提供作爲電鍍 步驟用厚膜光阻，兼具高靈敏度、形狀的垂直性、高解像 性及電鍍步驟中或電鍍步驟後之耐裂縫性之正型光阻組成 物及圖型之形成方法爲目的。 課題之解決手段及發明之實施型態 本發明者爲達成上述目的，努力檢討的結果，發現含 有酚醛淸漆樹脂之羥基之氫原子爲1，2 -萘醌二迭氮基磺醯 基酯基所取代之鹼可溶性酚醛淸漆樹脂，以及甲基乙烯基 醚-馬來酸單烷基酯共'聚物之正型光阻組成物，或於該組 -6- (3) 200421030 成物中添加鹼可溶性纖維素之組成物，作爲電鍍步驟用厚 膜光阻，兼具高靈敏度、形狀的垂直性、高解像性及電鍍 步驟中或電鍍步驟後之耐裂縫性之正型光阻組成物，而完 成本發明。 因此，本發明係提供下述之正型光阻組成物及圖型之 形成方法。 〔申請專利範圍第1項〕 一種正型光阻組成物，其特徵爲’含有具有構造式（ 1)所表示之重覆單位，聚苯乙烯換算重量平均分子量爲 1，000至30,000之酣酸淸漆樹脂之經基之氣原子之3至 27莫耳％，爲〗，2-萘醌二迭氮基磺醯基酯基所取代之鹼可 溶性酣酵淸漆樹脂，以及構造式（2 )所表示之聚苯乙稀 換算重量平均分子量爲1 00,000至5 00,000之甲基乙嫌基 醚-馬來酸單烷基酯共聚物°
c=o (1) (2) (式（1)中，m係表示0至3的整數；式（2)中， R係表示碳原子數爲1至10個之直鏈狀或支鏈狀或脂環 式之烷基） -7- (4)200421030 〔申請專利範圍第2項〕 一種正型光阻組成物，其特徵爲，， 1)所表示之重覆單位，聚苯乙烯換算重 1;000至3 0,0 0 0之酚醛淸漆樹脂之羥基 27旲耳％ ’爲1，2 -桌醒^ 一迭氣基5貝釀基酉 溶性酣醒淸漆樹脂，構造式（2 )所表评 重量平均分子量爲100,000至5 00,000之 來酸單烷基酯共聚物，以及構造式（3 ) 性纖維素。 Γ有具有構造式（ 量平均分子量爲 之氫原子之3至 旨基所取代之鹼可 之聚苯乙烯換算 甲基乙烯基醚·馬 所表示之鹼可溶
⑴ (式（1)中，m係表示0至3的整 R係表示碳原子數爲1至10個之直鏈月 式之烷基） (2) 數；式（2 )中， (或支鏈狀或脂環 -8- (5) (5)200421030
(式（3)中，R1係獨立，於表示酸價爲30至150 之範圍，爲氫原子、碳原子數爲1至4個之丨兀基、㈤原子 數爲1至4個之羥烷基、碳原子數爲1至8個之酿基、或 構造式（4 ) Ο II ⑷ ——C—R.COOH t ” (式中，R’係碳原子數爲1至6個之亞烷基、伸苯基 、或環己亞基）所表示之有機基，而且R1中之該式（4) 所表示之有機基之比率爲平均每單位葡萄糖環之2至30 莫耳％，η係2至10，000之整數） 〔申請專利範圍第3項〕 一種圖型之形成方法，其特徵爲，包含 (I )將申請專利範圍第1項或第2項之正型光阻組 成物塗佈於基板之步驟 (Π)介由光罩，以波長爲150至450 nm的光曝光 之步驟 (m )以顯像液顯像之步驟。 〔申請專利範圍第4項〕 -9- (6) 200421030 一種圖型之形成方法，其特徵爲，包含於申請專利範 圍第3項之方法中，（ΙΠ )之顯像步驟後，依據電解電鍍 或無電解電鍍，形成金屬電鍍層於基板上之步驟。 以下係更加詳細地說明本發明，本發明之第1正型光 阻組成物係以含有具有下述構造式（1 )所表示之酚醛淸 漆樹脂之羥基之氫原子爲1，2 -萘醌二迭氮基磺醯基酯基所 取代之鹼可溶性酚醛淸漆樹脂，以及構造式（2 )所表示 之甲基乙烯基醚-馬來酸單烷基酯共聚物爲特徵之正型光 阻組成物。
• och3 (1)
I (2) ——CH2—CH—CH—CH—
I I o=c c=o
I I
OH OR (式（1)中，m係表示0至3的整數；式（2)中， R係表示碳原子數爲1至10個之直鏈狀或支鏈狀或脂環 式之烷基） 在此，作爲R之碳原子數爲1至10個之直鏈狀或支 鏈狀或脂環式之烷基係可舉例如甲基、乙基、丙基、異丙 基、正丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、叔丁基甲基、正 己基、正庚基、正辛基、正癸基及環丙基等。 另外，本發明之高分子化合物中，1;2-萘醌二迭氮基 -10- (7) (7)200421030 磺醯基酯基之取代率係每1原子之酚醛淸漆樹脂之羥基之 氫原子之3至27莫耳％，以5至20莫耳％爲宜。1.2-萘 醌二迭氮基磺醯基酯基之取代率若3莫耳％未滿時，殘膠 性差，作爲光阻組成物將不能形成圖型，將不能使用，若 超過2 7莫耳％時，難溶於溶媒，將不能作爲光阻材料調 合。 另外，構造式（1 )所表示之酚醛淸漆樹脂係必須聚 苯乙烯換算重量平均分子量爲1,000至30,000，以3,000 至20;000爲宜。聚苯乙烯換算重量平均分子量若爲1，000 未滿時，顯像後之殘膠性及耐熱性差，若超過3 0,0 00時 ，光阻之解像度及靈敏度變差。 另一方面，構造式（2)所表示之甲基乙烯基醚-馬來 酸單烷基酯共聚物係必須聚苯乙烯換算重量平均分子量爲 100,000 至 500,000，以 150,000 至 300,000 爲宜。苯乙烯 換算重量平均分子量若爲100, 〇〇〇未滿時，電鍍步驟中或 電鍍步驟後之耐裂縫性差，若超過5 0 0 5 0 0 0時，光阻之解 像度及靈敏度變差。 另外，此甲基乙烯基醚-馬來酸單烷基酯共聚物相對 於1 00重量份之式（1 )所表示之鹼可溶性酚醛淸漆樹脂 ，係以配合2至3 0重量份爲宜，以配合5至2 0重量份尤 佳。若2重量份未滿時，形成厚膜光阻圖型後之電鍍步驟 中，光阻無法承受金屬成長時之應力，圖型將發生裂縫。 另一方面，若超過30重量份時，顯像後有發生渣滓之虞 -11 - (8) 200421030 本發明之第2正型光阻組成物係含有具有上述構造式 (1 )所表示之酚醛淸漆樹脂之羥基之氫原子爲1 ,2 -萘酉昆 二迭氮基磺醯基酯基以上述之比率所取代之驗可溶性酣II 淸漆樹脂，上述構造式（2 )所表示之甲基乙烯基醚-馬來 酸單烷基酯共聚物，以及下述構造式（3 ) H OR1 CH2°R1
(式（3)中，R1係獨立，於表示酸價爲30至150 之範圍，爲氫原子、碳原子數爲1至4個之烷基、碳原子 數爲1至4個之羥烷基、碳原子數爲丨至8個之醯基、或 下述構造式（4 ) Ο
——C—R，COOH (4) (式中’ R’係表不碳原子數爲1至6個之亞院基、伸 苯基、或環己亞基）所表示之有機基，而且R1中之該式 (4)所表示之有機基之比率爲平均每單位葡萄糖環之2 至30莫耳％，11係2至10，〇〇〇之整數。） 所表示之鹼可溶性纖維素樹脂者。 此鹼可溶性纖維素樹脂係所導入的羧基烷基因爲於酸 性中不能解離，雖然其自身表示疏水性及耐酸性，但是因 -12- (9) (9)200421030 爲於弱酸性至中性範圍解離’於水性鹼性液中溶解’另外 ，對於曝光光源爲透明的樹脂膠粘劑。依據含有此鹼可溶 性纖維素，依據上述理由成爲高靈敏度，並且可提昇成膜 性及電鍍步驟中之耐裂縫性。於上述構造式（3 )中’若 酸價爲3 0未滿時’提昇靈敏度的功效減少，另外，若多 於1 5 0時，形成圖型後，殘膠量變少。 另外，R1係獨立，於表示酸價爲3 0至1 5 0之範圍， 爲氫原子、碳原子數爲1至4個之烷基、碳原子數爲1至 4個之羥烷基、或上述構造式（4)所表示之有機基，而 且R1中之上述構造式（4)所表示之有機基之比率爲平均 每單位葡萄糖環之2至3 0莫耳％。作爲R1，可舉例如氫 原子、甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基及叔 丁基等之碳原子數爲1至4個之烷基、羥甲基、羥乙基及 2·羥丙基等之碳原子數爲1至4個之羥烷基、乙醯基、丙 醯基及丁醯基等之醯基。另外，作爲式（4)中之R’，可 舉例如乙嫌基等之碳原子數爲1至6個之嫌基、伸苯基或 環己亞基。 R1中之上述構造式（4)所表示之有機基之比率係平 均每單位葡萄糖環之2至30莫耳％，以5至25莫耳％爲 宜。上述構造式（4)所表示之有機基之比率若爲2莫耳 %未滿時，顯像時之鹼性液中之溶解性差，超過3 0莫耳。/。 時，於鹼性液中之溶解性將過大，而成爲顯像後之膜減少 的原因。 另外，η爲2至10,000之整數，以100至5,000爲宜 -13- (10) 200421030
上述構造式（3 )所表示之鹼可溶性纖維素樹脂之配 合量係相對於1 〇 〇重量份之上述構造式（1 )所表示之鹼 可溶性酚醛淸漆樹脂，係以配合1 〇至3 0重量份爲宜，以 配合10至25重量份尤佳。若爲10重量份未滿時，形成 厚膜光阻圖型後之電鍍步驟中，光阻無法承受金屬成長時 之應力，圖型將發生裂縫。另一方面，若超過30重量份 時，於水性鹼性液中之組成物之溶解性增加，殘膠性變差 ，並且組成物與基板之密合性有降低之虞。
關於本發明之正型光阻組成物之使用，溶解該組成物 於有機溶劑使用，作爲相關的有機溶劑，只要對於該組成 物具有充份的溶解度，給予良好塗膜性之溶媒即可，並無 特別的限制而可以使用。例如甲基溶纖素、乙基溶纖素、 甲基溶纖素醋酸鹽及乙基溶纖素醋酸鹽等之溶纖素系溶媒 、丙二醇單甲基醚、丙二醇單丁基醚、丙二醇單甲基醚醋 酸鹽、丙二醇二甲基醚及丙二醇單乙基醚醋酸鹽等之丙二 醇系溶媒、醋酸丁酯、醋酸戊酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、 3 -甲氧基丙酸及3 -乙氧基丙酸乙酯等之酯系溶媒、己醇及 二丙酮醇等之醇系溶媒、環己酮及甲基戊基甲酮等之酮系 溶媒、甲基苯基醚及二乙二醇二甲基醚等之醚系溶媒、 Ν，Ν·二甲基甲醯胺及N-甲基吡咯烷酮等之高極性溶媒或 此等之混合溶媒等。 溶劑的使用量係相對於固形物（本發明之酚醛淸漆樹 脂等）總量之重量比爲1至2 0倍，以1至1 5倍之範圍爲 •14- (11) (11)200421030 宜。 另外’本發明之光阻材料中，因應需要，可添加添加 物之塗平劑、染料、顏料及各種界面活性劑等。 使用本發明之正型光阻組成物以形成圖型時，可採用 周知之光刻（Lithography )技術而進行，例如於矽晶圓或 依據濺鎪或電鍍而形成金屬膜之基板上，以旋轉被覆等之 手法塗佈，於8 0至1 3 0 °C，5 0至6 0 0秒程度之條件預烘 ’形成光阻膜之厚度爲1至50/zm，以5至30/im爲宜 ，以10至25 //m尤佳。其次，將形成目的圖型用之光罩 ’覆蓋於上述之光阻膜上，照射I射線及g射線等之波長 爲500nm以下之高能量射線或電子束，曝光量爲1至 5,000mJ/cm2，以 100 至 2,000mJ/cm2 程度爲宜。其次，因 應需要，亦可於加熱板上，進行60至150 °C之1至10分 鐘，以80至120°C之1至5分鐘爲宜之曝後烤（post-exposure bake，PEB) 。 另外 ，使用 0.1 至 5%， 以 2 至 3% 爲宜之四甲基氫氧化銨（TMAH )等之鹼性水溶液之顯像 液，以〇·5至20分鐘，以1至10分鐘爲宜，依據浸漬（ d i ρ )法、攪煉（p u d d 1 e )法及噴霧（s p r a y )法等之常法 顯像，於基板上形成目的之圖型。另外，顯像後，亦可施 以0至lOOt，10至600秒程度之後烘。 其次，將形成圖型之基板，施加依據氧電漿等之拋光 ，除去圖型上之微小光阻殘渣之外，並且將光阻表面親水 化處理，接著進行電解或無電解電鍍，於基板上可得到金 屬圖型。另外，作爲電鍍的種類，可舉例如Au、Cu、Fe -15- (12) 200421030 及Ni等，另外，其膜厚爲1至以5至20/im爲 宜。 發明之功效
本發明之正型光阻組成物作爲電鍍步驟用厚膜光阻係 有效的，兼具高靈敏度、形狀的垂直性、高解像性及電鍍 步驟中或電鍍步驟後之耐裂縫性者’作爲形成突起電極等 之金屬端子用之光阻係有效的。 【實施方式】 實施例 以下係表示合成例及實施例、比較例，具體地說明本 發明，但本發明並不局限於下述之實施例者。
〔合成例1〕合成以1，2 -萘醌二迭氮基磺醯基酯基所取代 之酚醛淸漆樹脂 於安裝有攪拌機、冷凝器及溫度計之3 口燒瓶中’加 入75.7g(0.7mol)之對甲酣、32.5g(0.3mol)之間甲酌 、523.3g(0.59mol)之37重量°/◦之甲醛水溶液及〇.3〇g( 2 · 4 0 X 1 〇·3 m 〇 1 )之聚合催化劑之草酸2水合物，將燒瓶 浸入油浴中，保持內溫爲1 0 0 °C，進行1小時之聚合反應 。反應終了後，加入500ml之MIBK (甲基異丁酮）’擾 拌3 0分鐘後，分離水層，將MIBK層所萃取出之生成物 ，以3 0 0 m 1的純水水洗5次，分液後，於蒸態器中，進行 -16- (13) (13)200421030 於4mmHg之150°C之減壓帶，而得分子量（Mw)爲6200 之酚醛淸漆樹脂（87g)。 另外，測定Mw係使用TOSOH (股）製之GPC管柱 (2 支 G-2000H6、 1 支 G-3000H6 及 1 支 G-4000H6)，於 流量爲1 .5ml/min.，溶出溶媒爲THF，管柱溫度爲40°C下 進行。 其次，於遮光下，於安裝有攪拌機、滴定漏斗、冷凝 器及溫度計之3 口燒瓶中，溶解120g ( lmol )之合成例1 所得之酚醛淸漆樹脂、26.8g ( 0.1 mol )之1，2-萘醌二迭 氮基磺醯氯及400ml之二Df烷後，以內溫不超過30°C下 滴入lO.lg ( O.lOmol )之三乙胺。之後，熟成1小時，注 入5,0 0 0ml之0.1N鹽酸水，再次濾別沈澱物，再以800g 之醋酸乙酯溶解，經水洗分液後，於4 (TC下進行減壓帶 ，除去溶劑，真空乾燥而得1，2-萘醌二迭氮基磺醯基酯化 酚醛淸漆樹脂（140g)。 所得之聚合物依據脈衝核磁共振（PNMR )，確認 10%之酚醛淸漆樹脂之羥基之氫原子爲1,2-萘醌二迭氮基 磺醯基酯化。 〔合成例2〕合成甲基乙烯基醚-馬來酸單烷基酯共聚物 於安裝有攪拌機、滴定漏斗、冷凝器及溫度計之3 Q 燒瓶中，將l〇〇g之Mw約爲150,000之甲基乙烯基醚/馬 來酸酐共聚物（ISP社製，商品名「GANTREZ」），溶解 於4,000g之甲醇後，於60至65°C回流下反應約2小時。 -17- (14) 200421030 反應後，餾去甲醇，而得Mw約爲200,000之甲基乙嫌基 醚·馬來酸單甲基酯共聚物（135g)。 〔合成例3，4〕
與合成例 2同樣地，使用 Mw約爲 60,00〇及約 700，000之甲基乙烯基醚/馬來酸酐共聚物，而得Mw約爲 8〇，000 (合成例3)及Mw約爲900,000 (合成例4)之甲 基乙烯基醚-馬來酸單甲基酯共聚物（135g)。 〔實施例1〕
將l〇g之合成例1所得之1，2-萘醌二迭氮基磺醯基醋 基所取代之酚醛淸漆樹脂，溶解於40g之乳酸乙酯’其次 ，混合2g之合成例2所得之Mw約爲200,000之甲基乙 烯基醚-馬來酸單甲基酯共聚物及〇.〇5g之界面活性劑X-7 0-093，使其溶解後，以0.2 // m孔徑之膜濾器過濾’調 製光阻液。 其次，於6英吋之矽晶圓上，以濺鍍將金蒸著於基板 上，使用旋轉器塗佈上述之光阻液，於加熱板上，以120 t /3 00秒預烘，形成厚度爲2 0// m之光阻膜。另外，使 用 g 射線步進機（stepper )((股）NIKON，NSR-TFH-1 ，ΝΑ = 0·22)，進行圖型化曝光，使用2.38重量％四甲基 氫氧化銨之顯像液，攪煉顯像3 00秒，以純水漂洗後，以 掃描式電子顯微鏡（SEM) : S-4100 ((股）日立製作所 製）進行評估圖型。另外，評估圖型係觀察1 〇至5 0 μ m -18- (15) (15)200421030 線及間距（1 i n e a n d s p a c e )以及孔圖，以圖型側壁之垂直 性及空間部份之光阻殘渣（渣滓）的有無，判斷解像性。 另外，作成上述圖型後，使用乾式蝕刻裝置（曰電 AneWa (股）製，DEM-451)，將光阻圖型及基板表面於 氧電漿中拋光100 W X 30秒，其次，浸漬於鍍金液（田 中貴金屬工業（股）製，MicrofabAulOO)，於 60°C下， 通過一定電流100分鐘，進行鍍金，積層膜厚約爲15/im 的金。最後，電鍍後，將表面以純水進行流水洗淨，以光 學顯微鏡及上述之SEM觀察光阻表面，觀察光阻對於電 鍍之成長應力有無變形及耐裂縫性。關於耐裂縫性，觀察 4,500點之如圖1所示之光阻圖型上尤其容易發生裂縫之 角落部份，依據計數所發生之裂縫，該數於4,5 00點中之 1 〇〇點未滿時，判斷爲含有耐裂縫性者。另外，圖1中， A爲確認裂縫部份，1個射域爲50至l〇//m之6 X 5 x 5 =1 5 0點，晶圓全面（3 0個射域）爲1 5 0 X 3 0 = 4，5 0 0點 〔實施例2〕 將l〇g之合成例1所得之以1，2-萘醌二迭氮基磺醯基 酯基所取代之酚醛淸漆樹脂，溶解於40g之乳酸乙酯，其 次，混合2 g之合成例2所得之M w約爲2 0 0，0 0 0之甲基 乙烯基醚-馬來酸單甲基酯共聚物、2g之鹼可溶性纖維素 A(信越化學工業（股）製，羥丙基甲基纖維素鄰苯二甲 酸酯：酸價92，含有20莫耳％之羧苯醯基）及0.05g之 -19- (16) 200421030 界面活性劑X- 7 0-0 93，使其溶解後，以0.2 /i m孔徑之膜 濾器過濾，調製光阻液，其他與實施例1同樣地，塗佈光 阻顯像，進行評估圖型化及電鍍。 〔比較例1〕
將〗〇g之合成例1所得之以1;2-萘醌二迭氮基磺醯基 酯基所取代之酚醛淸漆樹脂，溶解於40g之乳酸乙酯，其 次，混合2g之合成例3所得之Mw約爲80,000之甲基乙 烯基醚-馬來酸單甲基酯共聚物及〇.〇5g之界面活性劑X-7 0-09 3，使其溶解後，以0.2 ν m孔徑之膜濾器過濾，調 製光阻液，其他與實施例1同樣地，塗佈光阻顯像，進行 S平估圖型化及電鑛。 〔比較例2〕
將10g之合成例1所得之以1，2-萘醌二迭氮基磺醯基 酯基所取代之酚醛淸漆樹脂，溶解於40g之乳酸乙酯’其 次，混合2g之合成例3所得之Mw約爲70 0，0 00之甲基 乙烯基醚-馬來酸單甲基酯共聚物及〇.〇5g之界面活性劑 X - 7 0 - 0 9 3，使其溶解後，以〇 . 2 // m孔徑之膜濾器過濾， 調製光阻液，其他與實施例1同樣地，塗佈光阻顯像’進 行評估圖型化及電鍍。 〔比較例3〕 將10g之合成例1所得之以1，2-萘醌二迭氮基磺醯基 -20 - (17) (17)200421030 酯基所取代之酚醛淸漆樹脂，溶解於40g之乳酸乙酯，其 次，混合2 g之鹼可溶性纖維素B (信越化學工業（股） 製，羥丙基甲基纖維素六氫化鄰苯二甲酸酯：酸價170, 含有27莫耳％之羧環己醯基）及0.05g之界面活性劑X-70- 0 93，使其溶解後，以0.2 // m孔徑之膜濾器過濾，調 製光阻液，其他與實施例1同樣地，塗佈光阻顯像，進行 評估圖型化及電鍍。 以上的結果如下之表1所示。 〔表1〕 評估圖型解像性 電鍍步驟之耐裂縫性 (裂縫數） 實施例1 圖型側壁垂直無裂縫 光阻未變形，耐裂縫性良好 (8) 實施例2 圖型側壁垂直無裂縫 光阻未變形，耐裂縫性良好 (1) 比較例1 圖型側壁垂直無裂縫 光阻雖未變形，但耐裂縫性變差 (600) 比較例2 雖然圖型側壁垂直， 光阻變形，耐裂縫性良好 但有裂縫 (22) 比較例3 雖然圖型側壁爲正錐形， 光阻雖未變形，但耐裂縫性變差 但無裂縫 (150) 【圖式簡單說明】 圖1係光阻圖型上之確認裂縫部份之說明圖。 -21 -
Claims (1)
- 200421030 (1) 拾、申請專利範圍1 · 一種正型光阻組成物，其特徵爲，含有具有構造式 (1)所表示之重覆單位，聚苯乙烯換算重量平均分子量 爲1,00 0至3 0,00 0之酚醛淸漆樹脂之羥基之氫原子之3 至27旲耳％ ’爲1，2 -萘醒一迭氣基擴酿基醋基所取代之 鹼可溶性酚醛淸漆樹脂，以及構造式（2 )所表示之聚苯 乙烯換算重量平均分子量爲100,000至500,000之甲基乙 烯基醚-馬來酸單烷基酯共聚物。och3 I ——CH2—CH—CH—CH— o=c c=o I IOH OR (式（1 )中，m係表示0至3的整數；式（2 )中， R係表示碳原子數爲1至個之直鏈狀或支鏈狀或脂環 式之烷基） 2.—種正型光阻組成物，其特徵爲，含有具有構造式 (1)所表示之重覆單位，聚苯乙烯換算重量平均分子量 爲1，000至3 0,000之酚醛淸漆樹脂之羥基之氫原子之3 至27莫耳％，爲1，2-萘醌二迭氮基磺醯基酯基所取代之 鹼可溶性酚醛淸漆樹脂，構造式（2 )所表示之聚苯乙烯 -22- (2) 200421030 換算重量平均分子量爲100,000至500.000之甲基乙烯基 醚-馬來酸單烷基酯共聚物，以及構造式（3)所表示之鹼 可溶性纖維素。(式（1)中，m係表示0至3的整數；式（2)中， R係表示碳原子數爲1至10個之直鏈狀或支鏈狀或脂環 式之烷基）(式（3)中，R1係獨立，於表示酸價爲30至150 之範圍，爲氫原子、碳原子數爲1至4個之烷基、碳原子 數爲1至4個之羥烷基、碳原子數爲1至8個之醯基、或 構造式（4 ) -23- (3) (3)200421030 Ο II … -C-R，CO〇H ( 4 ) (式中，R’係碳原子數爲1至6個之亞烷基、伸苯基 、或環S55基）所表示之有機® ’而且Rl中之該式（4) 所表示之有機基之比率爲平均每單位葡萄糖環之2至30 莫耳％，！^係2至10,000之整數） 3.—種圖型之形成方法，其特徵爲，包含 (I )將申請專利範圍第1項或第2項之正型光阻組 成物塗佈於基板之步驟 (Π )介由光罩，以波長爲150至450nm的光曝光 之步驟 (m )以顯像液顯像之步驟。 4 . 一種圖型之形成方法，其特徵爲，於申請專利範圍 第3項之方法中，（m )之顯像步驟後，依據電解電鍍或 無電解電鍍，形成金屬電鍍層於基板上之步驟。 -24 -
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