TW200414110A - Optical device driving method, optical device, and electronic machine - Google Patents

Description

200414110 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關光電裝置之驅動方法，光電裝置及電子 機器，特別是關於根據採用內藏記憶體之畫素的副圖場驅 動之等級控制。 【先前技術】 從以往作爲中間調顯示方式的一種，知道有副圖場驅 動，而在爲時間軸調製方式之一種的副圖場驅動之中係將 規定的期間（例如：對於動畫的情況係爲1畫像之顯示單位 之1圖場）分割爲複數之副圖場，在由因應應顯示之等級 的副圖場之組合來驅動畫素，而被顯示之等級係由佔規定 期間之畫素的驅動期間比例所決定，並此比例係由副圖場 之組合所特定，而在此方式之中係因如電壓等級法，不必 準備對於液晶等之光電元件的施加電壓所需要之顯示等級 數量，故可縮小資料線驅動用驅動之電路規模，另外，亦 有可控制D/A變換電路或運算擴大器等之特性的不均， 或者因各種配線電阻之不均一性等引起之顯示品質降低的 優點。 對於專利文獻1係揭示有有關採用內藏記憶體之畫素 的副圖場驅動，而具體來說係各自的畫素係具有記憶複數 信息單位之等級資料之記憶體與，接續在此畫素內記憶體 後段之脈衝幅度控制電路，而脈衝幅度控制電路係因應記 憶在畫素內記憶體之資料來將設定畫素之顯示狀態爲開啓 -4- (2) (2)200414110 狀態之開啓電壓或，設定畫素之顯示狀態爲關閉狀態之關 閉電壓，以選擇性地施加於畫素電極，另，佔1圖場之開 啓電壓的施加時間比例，即，負荷比係依據記億在畫素內 記憶體之等級資料所特定，而關於某個畫素，如一但將等 級資料寫入於其畫素內記憶體，因應所記憶之資料的等級 顯示則將繼續。 隨之，對於沒有必要變更等級之畫素係原理上，沒有 必要進行再寫入，另一方面，對於應該變更等級之畫素係 只將其畫素作爲寫入對象，每次將新的等級資料寫入於畫 素內記憶體即可。 [專利文獻1] 日本特開2002-082653號公報 【發明內容】 [欲解決發明之課題] 在揭示於上述以往技術之副圖場驅動之中係利用寫入 一次於畫素內記憶體之k位元（例如3位元）之等級資料， 然後進行2k等級（例如8等級）之顯示，因此伴隨多等級化 ’作爲必要之畫素內記憶體也將增加。 本發明係爲有鑑於有關情況所作成之構成，而其目的 係針對採用內藏記憶體之畫素的副圖場驅動，不但可控制 增加記憶體之記憶容量，更可作爲多等級顯示。 另外’本發明之其他的目的係針對如此之副圖場驅動 ’可因應動作模式來作顯示等級數之變更。 200414110 (3) [爲解決課題之手段] 爲了解決有關之課題，第〗發明係提供將規定之期間 分割爲第1副圖場群與第2副圖場群，並根據因應構成等 級資料之一部份的第1資料與，構成前述等級資料之一部 份並與第1資料相異之第2資料的副圖場之組合來進行等 級顯示之同時，各自之畫素具有記憶等級資料之記憶體的 光電裝置之驅動方法，而在第1步驟之中係將前述第1資 料寫入於各自之畫素具有之記憶體，而在第2步驟之中係 依據規定構成前述第1副圖場群之各個副圖場之第1等級 信號，讀出寫入在前述記憶體之第1資料之同時，根據對 於前述畫素來施加因應該所讀出之第1資料的電壓之情況 驅動畫素，而在第3步驟之中係將前述第2資料寫入於前 述記憶體，並且，在第4步驟之中係依據規定構成前述第 2副圖場群之各個副圖場之第2等級信號，複數次重複讀 出寫入在前述記憶體之第2資料之同時，根據對於前述畫 素來複數次重複施加因應該所讀出之第2資料的電壓之情 況驅動畫素。 在此，針對第1發明，上述第2步驟係亦可依據寫入 在記憶體之第1資料與，規定構成第1副圖場群之各個副 圖場之等級信號來包含生成第1脈衝信號之步驟與，由第 1脈衝信號之時間密度來施加電壓於畫素之步驟，而同樣 地，上述第4步驟係亦可依據寫入在記憶體之第2資料與 ，規定構成第2副圖場群之各個副圖場之等級信號來包含 生成第2脈衝信號之步驟與，由第2脈衝信號之時間密度 (4) (4)200414110 來施加電壓於畫素之步驟，另外，理想則是第1脈衝信號 係具有因應第1資料之時間密度，而第2脈衝信號係具有 因應第2資料之時間密度。 另外，針對第1發明，比起增加第1副圖場群之全體 加權之設定而增加第2副圖場群之全體加權之設定則爲理 想，由此，與將兩者之加權設定爲相同之情況作比較，將 可增加等級數，另外，亦可將針對構成第1副圖場群之各 個副圖場之畫素驅動狀態，由因應等級資料內之下位信息 單位列來作決定，並將針對構成第2副圖場群之各個副圖 場之畫素驅動狀態，由因應等級資料內之上位信息單位列 來作決定。 此情況第1副圖場群內，將驅動畫素之副圖場，伴隨 下位信息單位列所示的値之增加，從接近第2副圖場群之 副圖場依序來作設定之情況則爲理想，相同地，第2副圖 場群內，將驅動畫素之副圖場，伴隨上位信息單位列所示 的値之增加，從接近第1副圖場群之副圖場依序來作設定 之情況則爲理想。 另外，針對第1發明，亦可將對於記憶體之第1資料 的寫入，針對在第1副圖場群之最初之副圖場來進行，並 將對於記憶體之第2資料的寫入，針對在第2副圖場群之 最初之副圖場來進行，而此情況，在最初之副圖場之中， 理想則是無論寫入於記憶體之第1資料或第2資料，而對 於畫素來施加規定電壓之情況。 另外，針對第1發明，亦可持續對構成第1副圖場群 (5) (5)200414110 之複數副圖場進行對於記億體之第1資料的寫入，並持續 對構成第2副圖場群之複數副圖場進行對於記憶體之第2 資料的寫入。 另外，針對第1發明，理想則是施加於畫素的電壓係 亦至少包含將畫素之顯示狀態作爲開啓狀態之開啓電壓與 ，將畫素之顯示狀態作爲關閉狀態之關閉電壓之情況。 第2發明係提供將規定之期間分割爲複數副圖場，並 根據因應構成等級資料之副圖場之組合來進行等級顯示之 同時，而各自之畫素具有記憶等級資料之記憶體的光電裝 置之驅動方法，此驅動方法係具有第1動作模式與第2動 作模式，而在第1動作模式之中係首先，將構成等級資料 之一部份相異的信息單位列作爲寫入單位，然後將成爲寫 入單位之資料，以規定之期間內複數次寫入至各個畫素具 有之記憶體，並且，將依據各個成爲寫入單位之資料的副 圖場驅動，以規定之期間內複數進行，對此，在比起第1 動作模式顯示等級數少之第2動作模式之中係首先將比起 第1等級資料位元數少之第2等級資料寫入至記憶體，並 且，進行依據第2等級資料之副圖場驅動，而在副圖場驅 動之中係根據由因應寫入至記憶體之資料與，規定各副圖 場之等級信號所決定之時間密度來施加電壓於畫素之情況 ’進行畫素之驅動。 在此，針對第2發明，理想則是在第丨動作模式之中 係於每個規定之期間進行對於記憶體之第1等級資料的寫 入’並且，在第2動作模式之中係於變更畫素顯示等級之 (6) (6)200414110 情況進行對於記憶體之第2等級資料的寫入。 另外，針對第2發明，亦可針對在因應此資料來決定 時間密度之一連串副圖場群之最初副圖場進行對記億體之 資料寫入。 第3發明係提供將規定之期間分割爲複數副圖場，並 根據因應構成等級資料之副圖場之組合來進行等級顯示之 光電裝置，而此光電裝置係具有顯示部與，掃描線驅動電 路與，資料線驅動電路，而顯示部係具有因應複數掃描線 與複數資料線之各交差來設置之複數畫素，而各個畫素係 具有畫素電極與，記憶資料之記憶體與，根據由因應記憶 於記億體之時間密度來施加電壓至畫素電極之情況來驅動 畫素之脈衝幅度產生電路，而掃描線驅動電路係選擇因應 成爲資料寫入對象之畫素的掃描線，而資料線驅動電路係 於根據掃描線驅動電路選擇掃描線之間，藉由因應成爲寫 入對象之資料線寫入資料至成爲寫入對象之畫素具有的記 憶體，另外’資料線驅動電路係將構成等級資料之一部份 相異的信息單位列作爲寫入單位，然後將成爲寫入單位之 資料，以規定之期間內複數次寫入至記憶體，並且，脈衝 幅度產生電路係針對在規定的期間內，於每個成爲記憶至 記憶體之寫入單位之資料，依據記憶至記憶體之資料與， 規定各副圖場之等級信號，然後根據施加電壓於畫素電極 之情況，驅動畫素。 在此，針對第3發明，理想則是脈衝幅度產生電路係 生成具有因應記憶於記憶體之時間密度之脈衝信號的同時 -9- (7) (7)200414110 ，以此脈衝信號的時間密度來施加電壓於畫素電極之情況 〇 另外，針對第3發明，記憶體係亦可由具有1位元記 憶容量之至少一個記憶體元件構成，而各個記憶體元件係 具有根據掃描線驅動電路來控制導通狀態之切換元件與， 相互一方之輸出成爲另一方之輸入的一對變換電路，而一 對變換電路係切換元件爲關閉的情況，則寫入藉由資料線 所供給之資料，另換元件爲開啓的情況，則維持所寫入之 資料。 另外，針對第3發明，理想則是規定的期間係至少包 含第1副圖場群與第2副圖場群，並脈衝幅度產生電路係 生成規定構成第1副圖場群之各個副圖場之第1等級信號 與，規定構成第2副圖場群之各個副圖場之第2等級信號 之情況，而此情況’爲了將第2副圖場群全體加權設定比 第1副圖場群全體加權還大’故第1等級信號之頻率數作 爲比第2等級信號之頻率數還大之情況則爲理想。 另外，針對第3發明’理想則是資料線驅動電路係根 據第1副圖場群來驅動畫素之情況’則將等級資料內之下 位信息單位列寫入至記憶體元彳牛’而根據第2副圖場群來 驅動畫素之情況，則將等級資料內之上位信息單位列寫入 至記憶體元件，此情況，脈衝幅度產生電路係第1副圖場 群內，將驅動畫素之副圖場’伴隨下位信息單位列所示値 的增加，從接近第2副圖場群之副圖場依序作設定之同時 ，第2副圖場群內’將驅動畫素之副圖場’伴隨上位信息 -10 ~ (8) (8)200414110 單位列所示値的增加，從接近第1副圖場群之副圖場依序 作設定之情況則爲理想。 另外，針對第3發明，掃描線驅動電路亦可針對在第 1副圖場群之最初的副圖場來依序選擇掃描線之同時，針 對在第2副圖場群之最初的副圖場來依序選擇掃描線，並 且，資料線驅動電路係與掃描線驅動電路協作來進行對於 記憶體之資料寫入，而此情況，理想則是脈衝幅度產生電 路係在最初的副圖場之中，不論寫入至記憶體之資料，而 對於畫素電極施加規定之電壓之情況。 另外，針對第3發明，掃描線驅動電路亦可針對在第 1副圖場群之最初的副圖場持續來依序選擇掃描線之同時 ，針對在第2副圖場群之最初的副圖場來依序選擇掃描線 ，並且，資料線驅動電路係與掃描線驅動電路協作來進行 對於記憶體之資料寫入，而此情況，理想則是等級信號產 生電路係具有因應各個掃描線之選擇期間來產生移開等級 信號之遷移時機之複數移動等級信號的等級信號移動電路 之情況。 更加地，針對第3發明，理想則是脈衝幅度產生電路 係至少施加，將畫素顯示狀態作爲開啓之開啓電壓或，將 畫素顯示狀態作爲關閉之關閉電壓於畫素電極。 第4發明係提供具有具備有關上述第3發明構成之光 電裝置的電子機器。 第5發明係針對根據因應將規定之期間分割爲第1副 圖場群與第2副圖場群，並根據因應構成等級資料之一部 -11 - (9) (9)200414110 份的第1資料與’構成前述等級資料之一部份並與第1資 料相異之第2資料的副圖場之組合來進行等級顯示之同時 ，各自之畫素具有記億等級資料之記憶體的光電裝置之驅 動方法，其特徵係具有將前述第1資料寫入至各個畫素具 有之記憶體的第1步驟與，依據規定構成前述第1副圖場 群之各個副圖場之第1等級信號來讀出寫入在前述記億體 之第1資料之同時，對前述畫素供給因應所讀出之第1資 料之電流的第2步驟與，將前述第2資料寫入於前述記憶 體之第3步驟與，依據規定構成前述第2副圖場群之各個 副圖場之第2等級信號’複數次重複讀出寫入在前述記憶 體之第2資料之同時，對於前述畫素來複數次重複供給因 應該所讀出之第2資料的電流之第4步驟。 第6發明係針對將規定之期間分割爲複數副圖場，並 根據因應構成等級資料之副圖場之組合來進行等級顯示之 同時，而各自之畫素具有記憶等級資料之記憶體的光電裝 置之驅動方法，其特徵係具有在第1動作模式之中係將構 成等級資料之一部份相異的信息單位列作爲寫入單位，然 後將成爲該寫入單位之資料，以規定之期間內複數次寫入 至各個畫素具有之記憶體之同時，將依據各個成爲寫入單 位之資料的副圖場驅動’以規定之期間內複數進行之第1 步驟與，在比起前述第1動作模式顯示等級數少之第2動 作模式之中係將比起前述第1等級資料位元數少之第2等 級資料寫入至記憶體之同時，進行依據第2等級資料之副 圖場驅動之第2步驟，並在前述副圖場驅動之中係根據由 -12 - (10) (10)200414110 因應寫入至前述記憶體之資料與，規定各副圖場之等級信 號所決定之時間密度來施加電流於前述畫素之情況，進行 前述畫素之驅動。 【實施方式】 (第1實施型態） 圖1係爲有關本實施型態之光電裝置之構成圖，而對 於顯示部係形成有各自延在於X方向（行方向）之m條之掃 描線1 1 2與，各自延在於Y方向（列方向）之n條之資料線 1 1 4，而畫素1 1 0係因應掃描線1 1 2與資料線1 1 4之各交 差所設置著，並針對在顯示部1 〇〇配列成矩陣狀，然而， 圖示之1條資料線Π 4係實際上來說係由複數條之資料線 組所構成，且對於各個畫素1 1 〇係內藏有記憶等級資料之 記憶體，而包含這些關於畫素1 1 〇之具體構成係在後面有 敘述。 對於時機信號產生電路200係從無圖示之上位裝置供 給稱爲垂直问期彳§號V s ^水平问期柄5虎H s，輸入等級資 料D0〜D5之點鐘擺信號DCLK及，模式信號MODE之外 部信號，在此，模式信號MODE係將顯示等級數指示爲 多等級模式之第1動作模式或，比起第1模式顯示等級數 少之第2動作模式任何一個之信號，而第1動作模式係例J 如爲適合多等級動作顯示之模式，另外，第2動作模$ g 例如適合人物顯示之低等級靜止畫面顯示之模式，％肖胃 1動作模式來比較，消耗電力也較少，而在本實施型態、2 -13- (11) (11)200414110 中，作爲一例，將第1動作模式之等級數作爲64，並將 第2動作模式之等級數作爲彼此少之8，而振盪電路1 5 0 係產生讀出時機之基本鐘擺RCLK，並將此供給至時機信 號產生電路2 0 0。 時機信號產生電路200係依據外部信號 Vs，Hs， DCLK，MODE來產生包含交流化信號FR，啓動脈衝DY ，鐘擺信號CLY，閉鎖脈衝LP，鐘擺信號CLX，選擇信 號SEL1，SEL2，復位信號CL等之各種內部信號，在此 ，交流化信號FR係爲在毎1圖框進行極性反轉之信號， 並供給至顯示部1〇〇等，而啓動脈衝DY係爲於後述之各 副圖場S F之開始時機所輸出之脈衝信號，並根據此脈衝 DY來控制副圖場SF的切換，而鐘擺信號CLY係爲規定 針對在掃描側（Y側）之水平掃描期間（1H)之信號，而閉鎖 脈衝LP係爲於最初水平掃描期間所輸出之脈衝信號，在 鐘擺信號CLY之等級遷移時，即，於開始即結束時所輸 出，而鐘擺信號CLX係爲對於畫素110(正確來說係畫素 內記憶體）之資料寫入用之點鐘擺信號，而第1選擇信號 SEL1係爲選擇作爲產生等級信號P〇〜P2時之基本鐘擺 CK3所使用之鐘擺CK1，CK2之任何一項的信號，而第2 選擇信號SEL2係爲選擇6位元之輸入等級資料D0〜D5之 一部份的信號，而復位信號CL係爲將針對在等級信號產 生電路1 6 0之內部計數器之計數値進行歸位之信號。 掃描線驅動電路1 3 0係將於最初各自之副圖場S F所 供給之啓動脈衝D Y，隨鐘擺信號C L Y來進行傳送’並對 (12) (12)200414110 於各掃描線來作爲掃描信號G1，G2，G3，…，Gm依順 序排他性地進行供給，由此，從針對同圖之最上的掃描線 1 1 2朝最下之掃描線1 1 2來1條1條依序選擇掃描線1 1 2 〇 資料切換電路3 0 0係從上位裝置所輸入之6位元之輸 入等級資料D0〜D5內，選擇下位3位元之資料D0〜D2或 上位3位元之資料D3〜D5之任何一項，並將此輸出至資 料線驅動電路140，而由任何3位元之等級資料D0〜D2， D 3〜D 5所輸出之情況係由第2選擇信號S E L 2所指示，即 ，選擇信號SEL2對於L等級之情況係輸出下位3位元之 等資料D0〜D2，而此對於Η等級之情況係輸出上位3位 元之等資料D3〜D5。 選擇信號SEL2之等級狀態係根據動作模式而有所不 同，而由模式信號MODE來指示第1動作模式之情況， 第2選擇信號S EL2係只在規定的期間11設定爲L等級之 後，切換成Η等級，並此Η等級則只維持在規定的期間 t2，隨之，在前半的期間tl之中係在輸入等級資料 D0〜D5內，只有下位資料D0〜D2輸出至資料線驅動電路 1 4 0，而針對在此期間11，沒被輸出之上位資料d 3〜D 5係 暫時收納於資料切換電路3 0 0內之圖框記憶體，並且，針 對持續於前半的期間11之後半之的期間t2，則讀出收納 在圖框記憶體之上位資料D3〜D5，並輸出至資料線驅動電 路140，對此，由模式信號MODE來指示第2動作模式之 情況，第2選擇信號S E L 2係維持在Η等級，隨之，對於 (13) (13)200414110 此情況係只輸出上位資料D3〜D5，然而，前半的期間tl 係相當於後述之第1副圖場群之合計期間，而後半的期間 t2係相當於後述之第2副圖場群之合計期間，並且，合計 前半的期間11與後半的期間t2之期間則相當於1圖框。 資料線驅動電路140係針對1水平掃描期間（1H)，以 並行進行對寫入此資料之畫素行之資料的一並輸出與，關 於在接下來的1 Η寫入資料之畫素行的資料之點依序方式 之閉鎖，另針對某個水平掃描期間，依序閉鎖相當資料線 1 1 4條數份之資料，並且，針對在接下來的水平掃描期間 ，這些被閉鎖之資料則作爲資料信號dl，d2，d3，…， d η，一並輸出至各個資料線1 1 4，而第1動作模式之情況 ，針對在1圖框，於下位資料D0〜D2之閉鎖·輸出結束後 ，開始上位資料D3〜D5之閉鎖.輸出。 資料線驅動電路1 4 0係具有3系統份由X偏移暫存 器，第1閉鎖電路及第2閉鎖電路所構成之電路系統（由 此將可進行3位元之資料D0〜D2(或D3〜D5)之閉鎖·輸出） ，而在1位元串聯資料之處理系統來看之情況，X偏移暫 存器係隨著鐘擺信號CLX來傳送1水平掃描期間之最初 所供給之閉鎖脈衝LP，並作爲閉鎖信號SI，S2，S3，… ，S η依順序排他性地進行供給，而第1閉鎖電路係針對 在閉鎖信號S 1，S 2，S 3，…’ s η的結束，依序閉鎖1位 元資料，第2閉鎖電路係針對在閉鎖脈衝LP的結束來閉 鎖根據第1閉鎖電路所閉鎖之1位元資料，並作爲Η等 級或L等級之2値資料d 1，d 2，d 3，…，d η來並行輸出 -16 - (14) (14)200414110 至資料線1 1 4。 針對本實施型態，對於各個畫素1 1 0之畫素電極係並 不是直接施加因應資料線1 1 4之資料的電壓，而是施加由 與此不同系統所供給之關閉電壓V 〇 ff或開啓電壓v 〇 n， 而供給至資料線1 1 4的資料係爲了選擇施加於畫素電極之 電壓Voff，Von所採用，另一方面，對於與此畫素電極對 向之對向電極係施加驅動電壓L C Ο Μ，而爲了交流驅動液 晶，將反轉驅動電壓L C Ο Μ各自設定爲1圖框或週期性地 極性之電壓（例如〇[V]，3[V])，將關閉電壓Voff設定爲 與此相同之電壓（〇[V]，3 [V])，將開啓電壓Von設定爲與 此相逆之電壓（3[V]，0[V])。 鐘擺產生電路1 70係與爲外部信號之垂直同期信號 Vs同期，產生頻率數不同之2種類之鐘擺CK1，CK2，而 這些鐘擺CK1，CK2的頻率數比係規定第1副圖場群全體 加權（長度）與第2副圖場群全體加權，針對本實施型態， 第1鐘擺CK1的頻率數係設定成第2鐘擺CK2的頻率數 之8倍，因此，如後述所述，將第1副圖場群全體加權作 爲1時，第2副圖場群全體加權則成爲比此還大的8。 鐘擺選擇電路180係依據第1選擇信號SEL1來選擇 2個鐘擺CK1，CK2之任何一項，並將此作爲基本鐘擺 CK3來輸出至等級信號產生電路160，而具體來說係選擇 信號SEL1對於Η等級之情況係作爲基本鐘擺CK3來選擇 頻率數高之第1鐘擺CK1，另一方面，選擇信號SEL1對 於L等級之情況係作爲基本鐘擺CK3來選擇比第1鐘擺 (15) (15)200414110 CK1低頻率數之第2鐘擺CK2。 選擇信號SEL 1之等級狀態係根據動作模式而有所不 同’而由模式信號MODE來指示第1動作模式之情況， 選擇信號SEL1係只針對在1圖框之前半的期間tl定爲Η 等級之後，切換成L等級並此L等級則只維持在規定的 期間t2，隨之，如圖5所示，基本鐘擺CK3係在前半的 期間11之中係相當於高頻率之第i鐘擺CK i，而在後半 的期間t2之中係相當於低頻率之第2鐘擺CK2，對此， 指示第2動作模式之情況，第1選擇信號SEL 1係維持在 L等級，隨之，對於此情況係基本鐘擺CK3係成爲相當於 低頻率之第2鐘擺CK2。 等級信號產生電路1 6 0係依據基本鐘擺C K 3來產生 規定各副圖場SF(及這些期間）之3個等級信號P0〜P2，而 此產生電路1 6 0係內藏有將基本鐘擺CK3之開始進行計 數之計數器，而此內部計數器係第1選擇信號SEL 1對於 Η等級之情況係依序縮減3位元之計數値，而對於L等級 之情況係依序增加計數値，而由計數器之計數値係根據從 復位信號C L之指示所復位，另，3位元之計數値因應著 等級信號Ρ0〜Ρ2之輸出等級（Ρ1Ρ2Ρ0)，並根據這些等級信 號Ρ0〜Ρ2指定各個副圖場SF的期間，例如現在的計數値 爲”100”的情況，此値則因應等級信號（Ρ1Ρ2Ρ0)之 ”1^以=100)”，而相當於此輸出等級之副圖場3?係在第1 副圖場群係成爲副圖場SF5，在第2副圖場群係成爲副圖 場S F 1 3 (參照圖5 )。 (16) (16)200414110 接著’邊參照圖9邊就有關針對在第1動作模式之副 圖場驅動的槪要進行說明，在第1動作模式之中係應進行 6 4等級顯不，而爲1畫像之顯示單位之1圖框（丨F)則分割 爲1 6個副圖場S F ’另將則半之副圖場s F 1〜S F 8作爲[第 1副圖場群]’而將後半之副圖場S F 9〜S F 1 6作爲[第2副 圖場群]，然而，副圖場S F之分割數係因因應等級數作適 宜的設定，故本發明當然並無限定此分割數。 針對與應該顯示等級之關係，等間隔之各副圖場 SF1〜SF9係設定爲賦予等級”1”之加權的長度（顯示其間） ，而各個副圖場SF1〜SF9之加權係可爲實質上相同，而 亦可因應液晶的特性來在例如20%程度範圔內作適當的調 整（例如，1 : 1，1 :…：0 · 9) ’另外，等間隔之各副圖場 SF10〜SF16係比副圖場SF1〜SF9的長度還大，而設定爲賦 予等級”8”之加權的長度，而各個副圖場SF 10〜SF16之加 權係可爲實質上相同，而亦可因應液晶的特性來在例如 2 0 %程度範圍內作適當的調整（例如，8 : 8，1 :…：7 · 9 )，然 而亦有如將前半與後半之副圖場的加權設定爲例如1:8.1 地根據液晶的特性來調整加權之情況，而針對在副圖場 SF2〜SF8之畫素110的顯示狀態之開啓/關閉狀態係由下 位 3位元之等級資料D0〜D2所決定，而針對在副圖場 SF10〜SF16之畫素110的顯示狀態之開啓/關閉狀態係由 上位3位元之等級資料D3〜D5所決定，另外，在副圖場 SF1，SF9之中係不論等級資料D0〜D5而施加規定的電位（ 例如開啓電壓）於畫素1 1 0，然後將畫素1 1 〇之顯示狀態 (17) (17)200414110 設定成規定的狀態（開啓狀態），而設置如此副圖場s F 1， SF9的理由係針對在有關於液晶等之光電材料之電壓-透 過率特性（或電-反射率特性），爲了傳達透過率（或反射率） 開始進行之臨限値電壓Vth，然而，如在謀求對比特性改 善之觀點來說，只有在等級” 0 ”之情況，將副圖場S F 1， S F 9設定爲關閉狀態，並亦可將1圖框全體設定爲關閉狀 態或者，將副圖場SF1設定爲關閉，而將副圖場SF9設 定爲開啓也可以。 畫素1 1 〇之顯示等級係基本來說，根據因應設定畫素 1 1 〇之顯示狀態爲開啓狀態之副圖場S F的組合之實效電 壓所決定，但此組合係因等級資料D0〜D5所一義特定， 而以下，於進行某個等級顯示時，設定畫素1 1 0之顯示狀 態爲開啓狀態，即，將施加驅動畫素1 1 0之電壓的副圖場 SF稱爲[開啓·副圖場SFon]，另外，設定畫素1 10之顯 示狀態爲關閉狀態，即，將施加不使畫素1 1 0進行驅動之 電壓的副圖場SF稱爲[關閉·副圖場SFoff]。 具體來說係根據下位3位元之等級資料D0〜D2，決定 構成第1副圖場群之各副圖場SF2〜SF8的開啓狀態或關 閉狀態，例如，針對圖9，下位3位元（D2DD1D0)對於 ”〇〇1”之情況係副圖場SF8則成爲開啓狀態，而對於” 010 ”之情況係副圖場S7，S8則成爲開啓狀態，而關於第1 副圖場群係基本上，伴隨下位信息單位列（D 2D 1 D0)所示 値的增加，依從接近第2副圖場群順序設定開啓·副圖場 SFon，另一方面，根據上位3位元之等資料D3〜D5，決 (18) (18)200414110 定構成第2副圖場群之各副圖場s F 1 0〜S F 1 6的開啓狀態 或關閉狀態，例如，上位3位元（D 5 D D 4 D 3 )對於” 〇 〇 〇 ” 之情況係副圖場SF 10〜SF16則全部成爲關閉狀態，並對 於” 1 1 1 ”之情況係副圖場S F 1 0〜S F 1 6則全部成爲開啓狀態 ，而關於第2副圖場群係基本上，伴隨上位信息單位列 (D 5 D 3 D 3 )所示値的增加，依從接近第}副圖場群順序設 定關閉·副圖場SFoff。 本副圖場驅動之特徵之一係針對在規定的期間（在本 實施型態之中係1圖框），由寫入2次等級信號於畫素 1 1 0來連續進行2次的副圖場驅動的點，而具體來說係首 先在副圖場SF1寫入下位3位元之資料D0〜D2於畫素 1 1 〇後，進行將副圖場群S F 2〜S F 8作爲對像之畫素1 1 〇的 驅動，接著，在副圖場 SF9寫入上位 3位元之資料 D3〜D5於畫素1 10後，進行將副圖場群SF10〜SF16作爲 對像之畫素1 1 〇的驅動，基本上，作用於液晶等之實效電 壓係因依存於佔1圖框之開啓·副圖場S F ο η之累積長度（ 顯示期間），故此長度越增加則等級則變越大（正常黑模式 之情況），而在本實施型態之中係針對在1圖框之前半的 期間tl，依據下位3位元之資料D0〜D2，設定加權”1”之 副圖場群S F 2〜S F 8之開啓/關閉狀態，並且，針對在其後 半的期間t2，依據上位3位元之資料D3〜D5，設定加權 ” 8”之副圖場群SF10〜SF16之開啓/關閉狀態，由此，針 對在1圖框全體的期間（tl+t2)，將可進行由6位元之等級 資料D0〜D5之64等級顯示。 (19) (19)200414110 另外，本副圖場驅動之其他特徵係有著根據連續性地 設定開啓·副圖場s F ο η之情況控制顯示等級之偏移’謀 求顯示品質之提升的點，而畫素1 1 〇之顯示等級係理想上 ，由佔空率所決定，但亦受到開啓·副圖場S F ο η之連續 性之影響，即，佔空率即使爲相同，在設定畫素之顯示狀 態爲開啓狀態之副圖場亦在1圖框內成爲連續之情況與’ 此成爲斷續之情況之中係於實際的顯示等級產生偏移’因 此，根據等級信號，在如此之副圖場之組合出現連續場合 與斷續場合之雙方的副圖場驅動之中係特別示進行多等極 化之情況，有著高品質顯示變爲困難之問題，因此，在本 副圖場驅動之中係如圖9所示，基本上，針對所有的等級 在1圖框內，開啓•副圖場SFon則成爲連續性地組合開 啓·副圖場SFon，由此防止開啓·副圖場SFon之連續或 斷續之不同所引起之等級偏移。 接著，關於畫素1 1 〇之具體構成來進行說明，圖2係 表示有關本實施型態之記憶體內藏型之畫素丨i 〇之構成的 電路圖，而爲畫像之最小構成單位之畫素1 1 〇係由記憶體 1 3 1 ’脈衝幅度控制電路1 3 2及，爲光電元件之液晶1 3 7 所構成，而記憶體1 3 1係應記憶3位元資料，而各自責由 具有1位元記憶容量之3個記憶體元件i 3丨a〜；t 3丨^所構成 ，而各自之記憶體1 3 1係記憶藉由資料線丨i 4所供給之資 料信號d (“d”係指資料信號dl，d2，d3，…dn之任何一 個）之或”〇”，然而，圖1所示之1條資料線114係由3 系統之資料線】1 4所構成，並作爲資料信號d來各自供給 -22- (20) (20)200414110 上述之3位元資料’另外，如圖3所示，1系統之資料線 1 1 4係具有2條之貝料線114a，114b，而對於一方之畜料 線1 1 4 a係供給資料信號d，並對於一方之資料線1】4 b係 供給使資料信號d之等級反轉之反轉資料信號/ d，而脈衝 幅度控制電路1 3 2係由解碼器1 3 8，變換電路1 3 3及一對 傳輸門電路1 3 4 a ’ 1 3 4 b所構成，而此脈衝幅度控制電路 132係依據等級信號P0〜P2來產生具有因應等級資料 D0〜D5之時間密度的脈衝信號PW。 圖3係爲1個記憶體元件13 1之電路圖，而此記憶體 元件131係爲具有一對之變換電路1301，1302與，一對 之電晶體1 3 03，1 3 04之靜態記憶體（SRAM)構成，而變換 電路130 1’ 1302係具有一方之輸出_接續於另一方之輸 入端之觸發電路構成，並記憶1位元之資料，而作爲切換 元件來發揮機能之電晶體1 3 03，1 3 04係爲資料寫入時或 資料讀出時成爲開啓狀態之N通道電晶體，而一方的電 晶體1 3 03之汲極係被接續於供給變換電路1 3 0 1之輸入與 變換電路1 3 02之輸出的端子（Q輸出），而其源極（D輸入） 係被接續在資料線1 1 4 a，另外，另一方之電晶體1 3 04之 汲極係被接續於供給變換電路1 3 0 1之輸出與變換電路 1 3 02之輸入的端子（/Q輸出），而其源極（/D輸入）係被接 續在資料線1 14b，並且，這些電晶體1 3 03，1 3 04之閘道 (G輸入）係共通接續在掃描線1 12。 針對如此之構成，掃描線Π2之掃描信號G(“G”係指 掃描信號G1，G 2，G 3，…，G m之任何一個）爲Η等級之 -23- (21) (21)200414110 情況’電晶體1 3 0 3，1 3 04則共同呈爲開啓狀態，由此， 由資料線1 14a所供給之資料信號d(/d)則記憶於由一對變 換電路1301，1 3 02所構成之記憶體元件，而所記憶之資 料信號d係掃描信號G則成爲L等級，並在變換電路 1 3 0 1 ’ 1 3 02共同成爲關閉狀態後亦被保存，而針對在由 如此之掃描信號G之控制下，記憶在記憶體元件1 1 0a之 1位元之資料信號d係因應需要而進行改寫。 針對圖2，對於構成脈衝幅度控制電路1 3 2 —部份之 解碼器1 3 8係輸入從各個記憶體元件1 3 1 a〜1 3 1 c之3位元 份之Q輸出與，從等級信號產生電路1 6 0所輸出之等級 信號P0〜P2，而解碼器138係進行輸入這些之理論演算， 並作爲其演算結果來輸出脈衝信號p W，而脈衝信號p W 係爲在1圖框內具有因應寫入於記憶體元件1 3 1 a〜1 3 1 C之 等級資料D0〜D2之佔空率（時間密度）之信號，而圖4係對 於3位元資料（D0〜D2或D0〜D5)與等級信號P0〜P2之輸入 ，從解碼器1 3 8所輸出之脈衝信號p W之可靠真値表，例 如3位元資料爲”01 1”，等級信號爲”101(HLH)，，之情況， 脈衝信號P W係成爲” 0 ”，即L等級。 設置在解碼器1 3 8後段之一對傳輸門電路〗3 4a， 1 3 4 b之輸出端係接續在畫素電極1 3 5，而對於此畫素電極 1 3 5與對向電極1 3 6之間係夾合液晶1 3 7來形成液晶層， 而對向電極136係爲與形成在元件基板之畫素電極135對 向地形成一面於對向電極之透明電極，而如上述所述，對 於此對向電極1 3 6係供給驅動電壓LC OM。 (22) (22)200414110 從解碼器1 3 8所輸出之脈衝信號PW係供給至構成一 方之傳輸門電路1 3 4 a —部份之P通道電晶體之閘道與， 構成另一方之傳輸門電路134b —部份之N通道電晶體之 聞道’另外，此脈衝信號P W係根據變換電路1 3 3來等級 反轉後’供給至針對在一方之傳輸門電路1 3 4 a之P通道 電晶體之閘道與，針對在另一方之傳輸門電路134b之N 通道電晶體之閘道，而各自之傳輸門電路1 3 4 a，1 3 4 b係 對於傳達L等級之閘道信號於P通道電晶體，且傳達η 等級之閘道信號於Ν通道電晶體之情況，成爲開啓狀態 ’隨之’一對之傳輸門電路1 3 4 a，1 3 4 b係因應脈衝信號 PW之等級，任合一個擇一性地成爲開啓狀態，另外，對 於一方之傳輸門電路134a之輸入端係供給關閉電壓Voff ’而對於另一方之傳輸門電路1 3 4b之輸入端係供給開啓 電壓V0n。 (第1動作模式） 在第1動作模式之中係在1圖框進行2次資料寫入， 並在1圖框連續進行將第1副圖場群爲對象之畫素1 1 〇的 驅動與，將第2副圖場群爲對象之畫素U 0的驅動，而進 行前者驅動之情況，如圖6(a)所示，針對最初之副圖場 SF 1 ’對於所有畫素1 1 〇內之記憶體元件1 3 1 a〜1 3 1 c寫入 下位3位元之等級資料D0〜D2，具體來說，掃描線驅動電 路1 3 0係針對在副圖場S F1，進行1條1條選擇掃描線 1 1 2之線順序掃描，而資料線驅動電路1 4 0係與掃描線驅 -25- (23) (23)200414110 動電路1 3 0協作，於選擇某個掃描線1 1 2之間，對於因應 所選擇之掃描線1 1 2之的畫素行，藉由資料線1 1 4來供給 1畫素份之等級資料D0〜D 2，而有關成爲寫入對象之1行 份之畫素1 1 〇係根據掃描線1 1 2之選擇，記憶體元件 1 3 1 a〜1 3 lc之G輸入則成爲η等級，隨之，有關成爲因應 所選擇之掃描線1 1 2與資料線1 1 4之各交差的輸入對象之 畫素1 1 〇 ’對於各記憶體元件1 3 1 a〜1 3 1 c寫入等級資料 D0〜D2，而寫入在記億體元件131a〜131c之等級資料 D0〜D2係在掃描線1 12之選擇後亦被保存，如上述，進行 資料爲入之最初副圖場S F 1係必須成爲開啓狀態，但持續 此之副圖場SF2〜SF8之開啓/關閉係根據寫入於記憶體元 件1 3 1 a〜1 3 1 c之等級資料D0〜D2所決定。 對此’進行後者之驅動的情況，針對最初之副圖場 SF9，對於所有畫素11〇內之記憶體元件13 la〜13 lc寫入 上位3位元之等級資料D3〜D5，即，如圖6(a)所示，掃描 線驅動電路1 30係針對在副圖場SF9，進行上述之線順序 掃描之同時，資料線驅動電路1 4 0係與掃描線驅動電路 1 3 0協作，對於因應所選擇之掃描線1 1 2之畫素行來供給 1畫素行份之等級資料D3〜D5，而藉由資料線1 14所供給 之等級資料D3〜D5係寫入在各記憶體元件131a〜131c，並 掃描線1 1 2之選擇後亦被保存，由此，記憶體元件 1 3 1 a〜1 3 1 c之記憶容量係從下位3位元之等級資料D 〇〜〇 2 改寫爲上位3位元之等級資料D 3〜D 5，進行資料寫入之最 初副圖場S F 9係必須成爲開啓狀態，但持續此之副圖場 (24) (24)200414110 SF10〜SF16之開啓/關閉係根據寫入於記憶體元件 1 3 1 a〜1 3 1 c之等級資料D3〜D5所決定。 因應記憶3位元資料（D0〜D2或D3〜D 5)由記憶體元件 131a〜13 lc所構成之記憶體131與，脈衝幅度控制電路 1 3 2所記憶之3位元資料與，等級信號p 〇〜p 2來將規定時 間密度之脈衝信號PW設定爲Η等級或L等級，而在脈衝 信號PW成爲Η等級之期間（開啓·副圖場sf〇 η)之中係因 傳輸門電路1 3 4 b成爲開啓狀態，故對於畫素電極係施加 電壓Von，而對於與此畫素電極135對向之對向電極136 係因施加與開啓電壓Von逆相之驅動電壓LCOM，故液晶 137之施加電壓VL CD係成爲將畫素1 10之顯示狀態作爲 開啓狀態之電壓，對此在脈衝信號PW成爲L等級之期間 (關閉·副圖場SFoff)之中係因傳輸門電路134a成爲開啓 狀態，故對於畫素電極1 3 5係施加關閉電壓v〇 ff，而對 於對向電極1 3 6係因施加與關閉電壓v 〇 ff同相之驅動電 壓LCOM，故液晶137之施加電壓VLCD係成爲將畫素 1 1 〇之顯不狀作爲關閉狀態之電壓，如此，畫素1 1 0之 驅動係根據在脈衝信號P W隻時間密度施加電壓於畫素電 極1 3 5之情況來進行。 如圖4之可靠真値表所示，記憶在記憶體1 3 1之3位 元資料爲”〇〇〇”之情況，等級信號（P〇P2) =只有”〇00，，Pw =成 爲”1”，隨之，因應此等級信號” 〇〇〇”之副圖場SF1 (或 S F 9)則成爲開啓·副圖場S F ο η，除此之外則成爲關閉· 副圖場SFoff，接著，3位元資料爲” 001”之情況，針對 - 7Ί - (25) (25)200414110 等級信號（P0P1P2) = ”000”，”001，，PW =成爲，，ι，，，，隨之， 只有應這些的副圖場SF1，SF8(或SF9〜SF1 0)則成爲開啓 •副圖場SFon，另外，3位元資料爲” 〇1〇”之情況，針 對等級信號（P0P1P2) =，，000，，，，，010”，”001，，PW=成爲 ”1” ，，隨之，只有應這些的副圖場 SF1，SF7〜SF8(或 SF9〜SF1 1)則成爲開啓·副圖場SFon，而有關這之後的等 級信號亦爲相同，並因應記憶在記憶體1 3 1之3位元資料 ，決定脈衝信號P W成爲Η等級之開啓·副圖場S F ο η或 脈衝信號PW成爲L等級之開啓·副圖場SFon。 針對第1動作模式之64等級顯示係針對在1圖框， 根據寫入2次3位元資料於記憶體1 3 1之情況所表現，例 如’ 6位元之等級資料D0〜D5爲” 0 1 00 11”之情況（等級 = 19)，針對在前半，下位3位元（D 2 D 1 D 0 ) = ” 0 1 1 ”則被寫入 於記憶體1 3 1，由此，加上於副圖場SF 1，然後因應” 0 1 1 ”之副圖場SF6〜SF8則被設定爲開啓·副圖場SFon，而 針對在繼續之後半，上位3位元（D5D4D3)=” 0 10”則被 寫入於記憶體1 3 1，由此，加上於副圖場SF9，然後因應 ” 010”之副圖場SF10〜SF11則被設定爲開啓·副圖場 SFon ’其結果，針對在1圖框畫素110之顯示狀態則進行 開啓之期間係相當於副圖場SF1，SF6〜SF1 1之合計期間 ，並顯示等級，，1 9，，。 (第2動作模式） 在第2動作模式之中係如圖1 0所示，只繼續將第2 -28 - (26) (26)200414110 副圖場群作爲對象之圖場驅動，而如上述，根據模式信號 Μ Ο D E來指示第2動作模式之情況，第1選擇信號s e L 1 係爲L等級，並第2選擇信號SEL2係成爲Η等級，隨之 ，作爲等級資料只利用上位3位元D 3〜D 5，且只重複進行 第2副圖場群，進行8等級顯示用之副圖場驅動。 與第1動作模式相同，在第2動作模式之中係針對在 最初之副圖場S F 9，對於所有畫素1 1 〇內之記憶體丨3 1寫 入上位3位元之等級資料D3〜D5，而進行此資料寫入之最 初之副圖場SF9係必須呈爲開啓狀態，但持續之副圖場 SF10〜SF16之開啓/關閉狀態係由寫入於記憶體131之等 級資料D3〜D5所決定，而顯示靜止畫像之情況，如一但 記憶等級資料D3〜D5於記億體1 3 1，只要不產生改變畫素 1 1 〇之顯示等級之必要性，將不必進行資料的再寫入，隨 之，在第2次以後之副圖場S F 9之中係亦可不進行由線次 序掃描之資料寫入而只採用由記憶體1 3 1所讀出之3位元 資料來進行第2次以後之副圖場驅動，由此，與重複進行 資料寫入於每個副圖場S F 9之方法來作比較，將可降低針 對在第2動作模式實行時之消耗電力，但將與先前寫入之 等級資料D3〜D5相同之資料，對於每個副圖場SF9當然 亦可重複寫入於記憶體1 3 1。 然而，針對在第2動作模式，亦可只取代上述第2副 圖場群之驅動來只進行第1副圖場群之驅動，而對於此情 況係在將第1選擇信號SEL1作爲η等級，並將第2選擇 ig號S E L 2作爲L等級之後，只採用下爲3位元之資料 - 29- (27) (27)200414110 DO〜D2來驅動畫素1 1〇，另外亦可進行採用第1及第2副 圖場群之雙方的驅動，此情況，副圖場群之設定自體係成 爲與第1動作模式相同，但變爲可根據只採用3位元之等 級資料之情況來進行低等級顯示。 如此，在本實施型態之中係將構成等級資料DO〜D 5 之一部份之相互不同之信息單位列，作爲寫入單位，並將 成爲此寫入單位之資料D0〜D 2 (或D3〜D5)，在1圖框內寫 入2次於記憶體1 3 1，並且將依據成爲寫入單位之資料 D0〜D2(或D3〜D5)之副圖場驅動，在1圖框內寫入2次， 由此，比較於對於每1圖框只進行1次資料寫入之情況， 將不會招致記憶體1 3 1之記憶容量增加而更可進行多等級 顯示，然而，再上述之實施型態之中係關於將針對1圖框 之等級資料之寫入次數作爲2次，並進行2次副圖場驅動 的例子已說明過，但，針對1圖框，亦可由寫入3次以上 資料來進行3次以上副圖場驅動，而對於此情況係加上於 上述第1及第2副圖場群來附加第3以後之副圖場群，例 如如由（DO，D1)與（D2，D3)與（D4，D5)之3次寫 入來達成64等級顯示或，如由（DO，D2)與（D3，D5) 與（D6，D8)之3次寫入來達成512等級顯示。 另外，在本實施型態之中係作爲可切換之模式，設定 第1模式與第2模式，並因應顯示內容的特性來適宜切換 這些，例如，如對於顯示多等級之動畫係選擇第1模式， 而顯示人物之低等靜止畫面之情況係將比顯示等級數還 低耗電力畫作爲優先來選擇第2模式，由此，將可進行適 -30» (28) (28)200414110 合顯示內容之顯示控制，盡而可謀求顯示品質與低、消耗電 力之情況。 另外’如根據有關本貫施型悲之副圖場驅動，有可謀 求顯示品質提升之效果，這是因爲針對在構成1圖框之第 1副圖場群與第2副圖場群，基本上開啓·副圖場SFon 作爲連續地設定副圖場之組合，由此，因可防止因開啓· 副圖場S F ο η之連續或斷續不同的起因之等級偏移，故可 更提升顯示品質。 然而，在上述之本實施型態之中係如圖6 (a)所示，關 於先行進行副圖場SF2〜SF8(或SF10〜SF16)之開啓/關閉設 定並在副圖場 SF1(或 SF9)進行等級資料 D0〜D2(或 D3〜D5)之寫入的例子已說明過，但，本發明並不限定此 構成，而如同圖（b)所示’亦可將等級資料 D0〜D2(或 D3〜D5)之寫入與，副圖場SF2〜SF8(或SF10〜SF16)之開啓 /關閉設定並形來進行’也就是亦可對構成副圖場群之複 數副圖場持續進行對於記憶體1 3 1之資料寫入。 此情況，由相同時機之等級信號p 2 P 1 P 0無法並行進 行副圖場驅動與資料寫入’而對於實現此係有必要設置例 如圖7所示之等級信號偏移電路1 6 1於等級信號產生電路 1 60，而此偏移電路1 6 1係因應掃描線1 1 2之選擇期間來 重新產生將遷移時機偏移之m個之偏移等級信號P(0〜2)1 ，P(0〜2：)1，···，P(〇〜2)m，並將此供給至因應各掃描線 1 1 2之畫素行，也就是將與各個掃描線1 1 2之選擇同期之 副圖場SF設定於每個掃描線112，在此’ P(0〜2)m係對於 (29) (29)200414110 因應Π)條掃描線1 1 2之畫素行所供給，顯示3個偏移等 級信號。 此等級信號偏移電路1 6 1係由輸入基本等級信號p 〇 之第1偏移暫存器161a與，輸入基本等級信號pi之第2 偏移暫存器161b與，輸入基本等級信號P2之第3偏移暫 存器161c所構成，而對於這些偏移暫存器i61a〜161c係 輸入規定1水平掃描期間（1H)之鐘擺信號GCK。 圖8係爲偏移信號之時機圖表，而第丨偏移暫存器 161a係隨著鐘擺信號GCK來傳送基本等級信號P0，再產 生因應各自畫素行之基本等級信號P01，P02，…POm，並 且，各自之信號P 〇1，P 〇 2 ’…P 〇 m係對於因應之畫素行 來輸出，而第2偏移暫存器161b係隨著鐘擺信號GCK來 傳送基本等級信號P1，再產生因應各自畫素行之基本等 級信號P 1 1，P 1 2，…P 1 m，並且，各自之信號p ! !，p i 2 ’…P 1 m係對於因應之畫素行來輸出，第3偏移暫存器 161c係隨著鐘擺信號GCK來傳送基本等級信號P2，再產 生因應各自畫素行之基本等級信號P21，P22，…P2m，並 且，各自之信號P21，P22，…P2m係對於因應之畫素行 來輸出’由此，因可使針對在各個畫素行之掃描線丨i 2之 選擇與，對於其畫素行之副圖場SF之期間作爲同期之情 況，故既使爲正在進行依序選擇掃描線1 1 2，亦可開始畫 素1 1 0之驅動。 另外，在上述之實施型態之中係採用驅動電壓LC0M 與’與此问相之關閉電壓Voff與’與此相逆之開啓電_ -32 - (30) (30)200414110 V ο η來使液晶進行交流驅動，但，液晶之交流驅動係並不 限定此構成，當然亦可採用其他方式，圖1 3係爲表示記 憶體內藏型之畫素1 1 〇的變形例電路圖，然而，針對同圖 ’關於與圖2同樣之構成要素係附上相同的符號，在此則 省略說明，而對於畫素1 1 0之對向電極1 3 6係施加一定電 壓V c (例如〇 [ V ])，另外對於畫素電極1 3 5係因應記憶在 記憶體13 1之資料來將Vc或V1(V2)擇一進行施加，在此 ，電壓VI係爲與電壓Vc作比較只有電壓VH高之電壓， 而電壓V2係爲與電壓Vc作比較只有電壓VH低之電壓。 另外，針對有關上述之實施型態之副圖場驅動，因應 各副圖場S F之加權設定或等級資料之組合方法係爲一例 ，本發明係不限於此構成，例如，將第1副圖場群與第2 副圖場群的加權設定爲相同之情況（等間格副圖場驅動）， 可由6位元之等級資料D0〜D5來進行16等級顯示（第1 動作模式時），另外’例如對於將各副圖場S F之加權設定 爲2k (k = 0，1，2，…）之副圖場驅動亦可適用。 圖1 1係設定爲附2k加權之副圖場驅動之說明圖（第1 動作模式時），另外’圖1 2係進行圖U所示之副圖場驅 動時，從解碼器1 3 8所輸出之脈衝信號PW可靠真直表， 而與上述之實施型態相同地，輸入等級資料係由D0〜D 5 之6位元所構成’另1圖框係應可進行64等級顯示，並 分割爲6個副圖場SF1〜SF6，而第2副圖場群SF4〜SF6之 加權係設定成第1副圖場群S F 1〜S F 3之加權的8倍’另 外，各自之副圖場SF1〜SF3(或SF4〜SF6)之加權係設定成 (31) (31)200414110 4十2。 根據下位3位元之等級資料DO〜D2來決定第1副圖 場群SF1〜SF3之開啓或關閉狀態，例如對於下位3位元 (D2D1D0)爲”〇〇1”之情況係副圖場S3則成爲開啓狀態， 另一方面，根據上位3位元之等級資料D 3〜D 5來決定第2 副圖場群SF4〜SF6之開啓或關閉狀態，例如對於上位3 位元（D5D4D3)爲” 0 00 ”之情況係副圖場SF4〜SF6則所有 成爲關閉狀態，並對於爲” 1 1 1 ”之情況係副圖場 SF4〜SF6則所有成爲開啓狀態，另與上述之實施型態相同 ，針對在1圖框，6位元之等級資料D0〜D5則3位元3位 元地被寫入2次，並連續性地進行2次副圖場驅動。 另外，在上述之副圖場驅動之中係關於根據對於畫素 電極135來將2値電壓（開啓電壓，關閉電壓）擇一地進行 施加之情況，設定畫素1 1 〇成2個驅動狀態（驅動狀態爲 開啓狀態或關閉狀態）之任何一個的例子已說明過，但’ 本發明係不限於此構成，另亦可根據對於畫素電極1 3 5來 施加3個電壓（開啓電壓，關閉電壓，中間電壓）之情況’ 設定畫素1 1 〇之驅動狀態爲3個以上’也就是，即使對於 並用電壓等級調製與副圖場驅動之驅動方法亦可適用於本 發明，另外，在上述之實施型態之中係關於以線順序掃描 來進行對畫素內記憶體之資料寫入已說明過’但’本發明 係不限於此構成，另亦可例如由點順序掃描或隨機選擇來 進行之。 又，在上述之實施型態之中係關於作爲光電元件採用 -34- (32) (32)200414110 液晶（L C)的例子已說明過，而作爲液晶例如可廣泛採用包 含TN(Twisted Nematic)型之其他，具有18〇g以上旋轉配 向之 STN(Super Twisted Nematic)型，B TN (B i - s t ab 1 e Twisted Nematic)型，具有強誘電型等之記憶性之雙安定 型，高分子分散型，主客行等之周知之構成，另外，本發 明係對於爲3端子切換元件之TFT(Thin Film Transistor) 以外，例如對於採用TFD(Thin Film Diode)之2端子切換 元件之有源矩陣型面板亦可適用，同時，本發明係對於無 採用切換元件之無源矩陣型面板亦可適用，又，對於液晶 以外之光電材料，例如，採用電致發光（EL)，數位微透鏡 裝置（DMD)，或由等離子發光及電子釋放之螢光等各種光 電元件亦可適用。 (第2實施型態） 例如，作爲光電兀件採用有機EL元件，且可由電流 程序方式來進行對畫素2之資料寫入，而在此[電流程序 方式]係只由電流基數進行對資料線的資料供給，而有關 本實施型態之光電裝置之構成，基本上亦與第1實施型態 相同。 圖I 4係表示採用有關本實施型態之有機EL元件之 電流程序方式的畫素Π 0 —例之等效電路圖，而1個畫素 1 10係由有機EL元件0LED，3個電晶體ΤΙ，T2，T3及 電容器C所構成，而第1切換電晶體T1係接續於供給掃 描信號SEL之掃描線Yn，並其源極係接續於供給資料電 (33) (33)200414110 流I data之資料線Xm，而第1切換電晶體T1之汲極係 共通接續於第2切換電晶體Τ2之源極與，驅動電晶體Τ4 之汲極與，有機EL元件OLED的陽極，而第2切換電晶 體Τ2之閘道係與第1切換電晶體Τ1相同第接續於供給 掃描信號SEL之掃描線Υη，而第2切換電晶體Τ2之汲 極係共通接續於電容器C之一方的電極與，驅動電晶體 Τ4之閘道，而電容器C之另一方的電極與驅動電晶體Τ4 之源極係共通接續於設定爲電源電壓Vdd之第1電源線 L1，而另一方面，有機EL元件OLED之陰極係接續於設 定爲電壓Vss之電源線L2。 圖1 4所示之畫素1 1 0之控制程序係如以下，針對掃 描線SEL在Η等級期間，切換電晶體ΤΙ，T2共同作爲開 啓，由此，以電接續資料線Xm與驅動電晶體Τ4之汲極 的同時，驅動電晶體T4係成爲以電接續本身的閘道與本 身的汲極之二極體接續，而也擔當作爲程序編製電晶體之 機能的驅動電晶體T4係將由資料線Xm所供給之資料電 流I data流動至本身的通道，再使因應此資料電流I data 之閘道電壓V g產生在本身的閘道，而其結果，對於接續 在驅動電晶體T 4之閘道的電容器C係儲存因應產生之閘 道電壓Vg的電荷，然後寫入資料，之後，掃描線SEL當 L等級結束時，切換電晶體τ 1，T 2共同作爲關閉，由此 ’資料線X m與驅動電晶體T 4之汲極則電遮斷，但，根 據電容器C之儲存電荷，因對於驅動電晶體τ 4之閘道施 加相當閘道電壓V g，故驅動電晶體T4係持續流動因應閘 (34) (34)200414110 道電壓V g之驅動電流至本身的通道，其結果，設置在此 驅動電流之電流路徑中的有機EL元件OLED係由因應驅 動電流之光度來發光進行畫素110之等級顯示。 如此，在本實施型態之中係畫素1 1 0則包含有機EL 元件OLED，且即使針對在由電流程序方式來寫入資料至 畫素1 1 〇之光電裝置，亦可得到與上述各實施型態相同之 效果。 然而7具有可局品質等級顯不之顯不部1〇〇(不論投 射型，反射型之其他）之光電裝置係可實裝於例如包含投 射器，行動電話，行動終端，微型電腦，PC之電子機器 ，而如實裝上述之光電裝置於這些電子機器，將更可提升 電子機器之商品價値，進而可謀求針對在市場之電子機器 商品訴求力之提升。 (發明之效果） 本發明之中係針對在1圖框，邊複數次寫入等級資料 於畫素內記憶體，邊複數次執行副圖場驅動，由此，不但 可控制增加記憶體之記憶容量，更可作爲多等級顯示，另 外，顯示等級數作爲不同之動作模式來設定第1動作模式 與第2動作模式，並因應顯示內容來適宜變更動作模式， 由此，因可進行適合顯示內容之等級控制，故可謀求顯示 品質之提升與低消耗電力化。 【圖式簡單說明】 -37- (35) (35)200414110 圖1係爲光電裝置之構成圖。 圖2係表示記憶體內藏型畫素之構成電路圖。 圖3係表示記憶體元件之構成電路圖。 圖4係從解碼器所輸出之脈衝信號的可靠真値表。 圖5係針對在第〗動作模式之內部信號的時機圖表。 圖6係針對在第〗動作模式之掃描時機的說明圖。 圖7係等級信號偏移電路之構成圖。 圖8係將等級信號偏移掃描與顯示並行進行之情況的 時機圖表。 圖9係針對在第1動作模式之副圖場驅動的說明圖。 圖1 〇係針對在第2動作模式之副圖場驅動的說明圖 〇 圖1 1係附2k加權之副圖場驅動之說明圖。 圖1 2係從針對在附2k加權之副圖場驅動之解碼器所 輸出之脈衝信號的可靠真値表。 圖1 3係表示記憶體內藏型畫素之變形例電路圖。 圖1 4有關第2實施型態之畫素的等效電路圖。 [符號之說明] 100 顯示部 110 畫素 112 掃描線 114 資料線 1143 第1資料線 -38- (36)200414110 1 14b 第： 2資料線 1 3 0 掃 描 線 驅動電路 13 1 記 憶 體 1 3 1 a〜 13 1c 記憶體元件 1 32 脈 衝 幅 度控制電路 13 3 變 換 電 路 13 4a， 1 34b 傳輸門電路 13 5 畫 素 電 極 13 6 對 向 電 極 13 7 液 晶 13 8 解 碼 器 140 資 料 驅 動電路 150 振 盪 電 路 160 等 級 信 號產生電路 16 1 等 級 信 號偏移電路 170 鐘 擺 產 生電路 180 鐘 擺 •JBB 擇電路 200 時 機 信 號產生電路 300 資 料 切 換電路 1301 ，1302 變換電路 1303 ，1304 N通道電晶體

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Claims (1)

1. 200414110 (1) 拾、申請專利範圍 1、 一種光電裝置之驅動方法，屬於具有將特定之期 間，分割爲第1之副圖場群和第2之副圖場群，經由構成 色階資料之一部分的第1之資料，和構成前述色階資料之 一部分，與對應於前述第1之資料不同的第2之資料的副 圖場之組合，進行色階顯示的同時，各畫素記憶色階資料 之記憶體的光電裝置之驅動方法，其特徵係具有 將前述第1之資料，寫入具有各畫素之記憶體的第1 之步驟， 和根據規定構成前述第1之副圖場群之各副圖場的第 1之色階信號，讀取寫入至前述記憶體之第1之資料的同 時，將對應於該讀取第1之資料的電壓，對於前述畫素加 以施加之第2之步驟， 和將前述第2之資料，寫入至前述記憶體的第3之步 驟， 和根據規定構成前述第2之副圖場群之各副圖場的第 2之色階信號，複數次重覆讀取寫入至前述記憶體之第2 之資料的同時，將對應於該讀取之第2之資料的電壓，對 於前述畫素複數次重覆加以施加的第4之步驟。 2、 如申請專利範圍第1之光電裝置之驅動方法，其 中，前述第2之步驟係具有 根據寫入至前述記憶體之前述第1之資料，和規定構 成前述第1之副圖場群之各副圖場之色階信號，生成第1 之脈衝信號的步驟， -40- (2) (2)200414110 和於前述第1之脈衝信號之時間密度，在於前述畫素 施加電壓之步驟； 前述第4之步驟係具有 - 根據寫入至前述記憶體之前述第2之資料，和規定構 · 成前述第2之副圖場群之各副圖場之色階信號，生成第2 之脈衝信號的步驟， 和於前述第2之脈衝信號之時間密度，在於前述畫素 施加電壓之步驟； φ 3、 如申請專利範圍第2之光電裝置之驅動方法，其 中’前述第1之脈衝信號係具有對應於前述第1之資料的 時間密度，前述第2之脈衝信號係具有對應於前述第2之 資料的時間密度。 4、 如申請專利範圍第1至第3項之任一項之光電裝 置之驅動方法，其中，較前述第1之副圖場群之整體加權 ，前述第2之副圖場群之整體加權者爲大。 5、 如申請專利範圍第4之光電裝置之驅動方法，其 Φ 中，構成前述第1之副圖場群之各副圖場之前述畫素之驅 動狀態係對應前述色階資料內之下位位元列而決定，構成 前述第2之副圖場群之各副圖場之前述畫素之驅動狀態係 對應前述色階資料內之上位位元列而決定。 6、 如申請專利範圍第5之光電裝置之驅動方法，其 中’前述第1之副圖場群內’驅動則述畫素之副圖案係伴 隨前述下位位元列顯示値的增加，由接近於前述第2之副 圖場群的副圖場順序設定， -41 - (3) (3)200414110 前述第2之副圖場群內，驅動前述畫素之副圖案係伴 隨前述上位位元列顯示値的增加，由接近於前述第1之副 圖場群的副圖場順序設定。 · 7、 如申請專利範圍第1至第3項之任一項之光電裝 · 置之驅動方法，其中，於第1之步驟，對於前述記憶體之 前述第1之資料的寫入，於前述第1之副圖場群之最初副 圖場進行， 於第3之步驟，對於前述記憶體之前述第2之資料的 鲁 寫入，於前述第2之副圖場群之最初副圖場進行。 8、 如申請專利範圍第7之光電裝置之驅動方法，其 中，前述最初副圖場中，不論寫入至前述記億體之前述第 1之資料或第2之資料，對於前述畫素施加特定之電壓。 9、 如申請專利範圍第1至第3項之任一項之光電裝 置之驅動方法，其中，於前述第1之步驟中，對於前述記 憶體之前述第1之資料之寫入，在於構成前述第1之副圖 場群之複數之副圖場，加以進行， Φ 於前述第3之步驟中，對於前述記憶體之前述第2之 資料之寫入，在於構成前述第2之副圖場群之複數之副圖 場，加以進行。 1 〇、如申請專利範圍第1至第9項之任一項之光電裝 置之驅動方法，其中，施加於前述畫素之電壓係至少包含 將前述畫素之顯示狀態成爲開啓狀態的開啓電壓，和將前 述畫素之顯示狀態成爲關閉狀態的關閉電壓。 I1、一種光電裝置之驅動方法，屬於具有將特定之期 -42 - (4) (4)200414110 間，分割爲複數之副圖場，經由對應於色階資料之組合’ 進行色階顯示的同時，各畫素記憶色階資料之記憶體的光 電裝置之驅動方法，其特徵係具有 第1之動作模式中，將構成第1之色階資料之一部分 、 相互不同之位元列，做爲寫入單位，將成爲該寫入單位之 資料，於具有各畫素之記憶體，於前述特定之期間內，複 數次寫入的同時，將根據成爲前述寫入單元之各資料的副 圖場驅動，於前述特定期間內，進行複數次的第1之步驟 · 較前述第1之動作模式顯示色階數少的第2之動作模 式中，將較前述第1之色階資料位元數少的第2之色階資 料，寫入前述記憶體的同時，根據前述第2之色階資料進 行副圖場驅動的第2步驟； 前述副圖場驅動中，以對應於寫入至前述記憶體之資 料，和規定各副圖場之色階信號所決定之時間密度，於前 述畫素經由施加電壓，進行前述畫素之驅動。 · 1 2、如申請專利範圍第Π項之光電裝置之驅動方法 ，其中，於前述第1之步驟，對於前述記憶體之前述第1 之色階資料之寫入係於每前述特定之期間加以進行， 於前述第2之步驟，對於前述記憶體之前述第2之色 階資料之寫入係於變更前述畫素之顯示色階時加以進行。 1 3、如申請專利範圍第1 2項之光電裝置之驅動方法 ，其中，對於前述記憶體之資料之寫入，係對應於該資料 ，於決定前述時間密度之一連串之副圖場群之最初副圖場 -43- (5) (5)200414110 ，加以進行。 1 4、一種光電裝置，屬於將特定之期間，分割爲複數 之副圖場’經由對應於色階資料之組合’進彳了色階顯不的 光電裝置，其特徵係具備 具有對應於複數之掃瞄線和複數之資料線之各交叉所 設之複數之畫素的顯示部中’各前述畫素具有畫素電極’ 和記憶資料之記憶體’和以對應於記憶於前述記憶體的資 料的時間密度，經由於前述畫素電極施加電壓’驅動前述 畫素之脈衝寬度生成電路的顯示部， 和選擇對應於成爲前述資料之寫入對象畫素之前述掃 瞄線的掃瞄線驅動電路， 和經由前述掃瞄線驅動電路，於選擇前述掃瞄線之間 ，藉由對應於前述成爲寫入對象之畫素的前述資料線，於 具有成爲寫入對象之畫素的前述記憶體，寫入資料的資料 線驅動電路； 前述資料線驅動電路乃將構成色階資料之一部分相互 不同之位元列，做爲寫入單位，將成爲該寫入單位之資料 ，於前述所定之期間內，複數次寫入前述記憶體； 前述脈衝寬度生成電路係於前述特定之期間內，於每 成爲記憶於前述記憶體之前述寫入單位的資料，根據記憶 於前述記憶體之資料，和規定各副圖場之色階信號，經由 於前述畫素電極施加電壓，驅動前述晝素。 1 5、如申請專利範圍第14項之光電裝置，其中，前 述脈衝寬度生成電路係於每一成爲記憶於前述記憶體之前 -44 - (6) (6)200414110 述寫入單位的資料，根據寫入至前述記憶體之資料，和前 述色階信號，生成脈衝信號的同時，以該脈衝信號之時間 密度，於前述畫素電極施加電壓。 - 1 6、如申請專利範圍第1 4項或第1 5項之光電裝置， · 其中，前述記憶體係具有至少一個記憶單元； 前述記憶單元係具有連接於前述掃瞄線，經由前述掃 瞄線驅動電路控制導通狀態之開關元件，和相互地，一方 之輸出成爲另一方之輸入的一對之反相器； 參 前述一對之反相器係前述開關元件爲開啓狀態時，寫 入藉由前述資料線所供給之資料，前述開關元件爲關閉狀 態時，保持前述寫入資料。 1 7、如申請專利範圍第1 4項至第1 6項之任一項之光 電裝置，其中，前述特定之期間係包含第1之圖場群，和 第2之圖場群； 更具有生成規定構成前述第1之副圖場群之各副圖場 的第1之色階信號，和規定構成前述第2之副圖場群之各 · 副圖場的第2之色階信號的色階信號生成電路。 1 8、如申請專利範圍第17項之光電裝置，其中，爲 了設定成相較於前述第1之圖場群之整體加權，前述第2 之圖場群之整體加權者爲大者，前述第1之色階信號之頻 率較前述第2之色階信號之頻率爲大。 1 9、如申請專利範圍第1 7項或第1 8項之光電裝置， 其中，前述資料線驅動電路係經由前述第1之圖場群驅動 前述畫素之時，將前述色階資料內之下位位元列，寫入至 -45- (7) (7)200414110 前述記憶單元’經由前述第2之圖場群驅動前述畫素之0f ，將前述色階資料內之上位位元列，寫入至前述記憶單夭1 秦 〇 2〇、如申請專利範圍第1 9項之光電裝置’其中’前 述脈衝寬度生成電路係將前述第1之副圖場群內’驅動前 述畫素之副圖場群，伴隨前述下位位元列所示値之增加’ 由接近前述第2之副圖場群的副圖場順序加以設定的同@ ，將前述第2之副圖場群內，驅動前述畫素之副圖場群’ ® 伴隨前述上位位元列所示値之增加，由接近前述第1之昌IJ 圖場群的副圖場順序加以設定。 21、 如申請專利範圍第1 7項之光電裝置，其中，前 述掃瞄線驅動電路係於前述第1之副圖場群之最初副圖場 ，順序選擇前述掃瞄線的同時，於前述第2之副圖場群之 最初副圖場，順序選擇前述掃瞄線； 前述資料線驅動電路係與前述掃瞄線驅動電路連動， 進行對於前述記憶體之資料寫入。 Φ 22、 如申請專利範圍第21項之光電裝置，其中，前 述脈衝寬度生成電路係於前述最初之副圖場中，無關於寫 入至前述記憶體之資料，對於前述畫素電極施加特定之電 極。 23、 如申請專利範圍第17項之光電裝置，其中，前 述掃瞄線驅動電路係在於前述第1之副圖場群之複數之副 圖場，順序選擇前述掃瞄線的同時，在於前述第2之副圖 場群之複數之副圖場，順序選擇前述掃瞄線； -46- (8) (8)200414110 前述資料線驅動電路係與前述掃瞄線驅動電路連動， 進行對於前述記憶體之資料寫入。 24、 如申請專利範圍第23項之光電裝置，其中，前 述色階信號生成電路係具有對應前述掃瞄線之各選擇期間 ，生成偏移前述色階信號之遷移時間的複數之偏移色階信 號的色階信號偏移電路。 25、 如申請專利範圍第14項至第24項之任一項之光 電裝置，其中，前述脈衝寬度生成電路係至少將前述畫素 之顯示狀態成爲開啓狀態的開啓電壓或將前述畫素之顯示 狀態成爲關閉狀態的關閉電壓，施加於前述畫素電極者。 26、 一種電子機器，其特徵係具有如申請專利範圍第 1 4項至第2 5項之任一項之光電裝置。 27、 一種光電裝置之驅動方法，屬於具有將特定之期 間，分割爲第1之副圖場群和第2之副圖場群，經由構成 色階資料之一部分的第1之資料，和構成前述色階資料之 一部分，與對應於前述第1之資料不同的第2之資料的副 圖場之組合，進行色階顯示的同時，各畫素記憶色階資料 之記憶體的光電裝置之驅動方法，其特徵係具有 將前述第1之資料，寫入具有各畫素之記憶體的第1 之步驟， 和根據規定構成前述第1之副圖場群之各副圖場的第 1之色階信號，讀取寫入至前述記憶體之第1之資料的同 時，將對應於該讀取第1之資料的電流，對於前述畫素加 以施加之第2之步驟’ -47 - (9) 200414110 和將前述第2之資料，寫入至前述記憶體的第 驟， 和根據規定構成前述第2之副圖場群之各副圖 2之色階信號，複數次重覆讀取寫入至前述記憶體 之資料的同時，將對應於該讀取之第2之資料的電 於前述畫素複數次重覆加以供應的第4之步驟。 28、一種光電裝置之驅動方法，屬於具有將特 間，分割爲複數之副圖場，經由對應於色階資料之 之組合，進行色階顯示的同時，各畫素記憶色階資 憶體的光電裝置之驅動方法，其特徵係具有 第1之動作模式中，將構成第1之色階資料之 相互不同之位元列，做爲寫入單位，將成爲該寫入 資料，於具有各畫素之記憶體，於前述特定之期間 數次寫入的同時，將根據成爲前述寫入單元之各資 圖場驅動，於前述特定期間內，進行複數次的第1 較前述第1之動作模式顯示色階數少的第2之 式中，將較前述第1之色階資料位元數少的第2之 料，寫入前述記憶體的同時，根據前述第2之色階 行副圖場驅動的第2步驟’ 前述副圖場驅動中’以對應於寫入至前述記億 料，和規定各副圖場之色階信號所決定之時間密度 述畫素經由供給電流，進行前述畫素之驅動。 3之步 場的第 之第2 流，對 定之期 副圖場 料之記 一部分 單位之 內，複 料的副 之步驟 動作模 色階資 資料進 體之資 ，於前