TW200409144A - Electrically conductive paste and electrically conductive film using it, plating process and process for producing fine metal part - Google Patents

Description

200409144 玖、發明說明 (發明說明應敘明：發明所屬之技術領域、先前技術、內容、實施方式及圖式簡單說明) [發明的技術領域] 本發明係關於新型導電糊、使用此導電糊形成之導電膜 、使用前述導電糊之鍍敷方法、及應用此鍍敷方法之微細 金屬零件。 [背景技術] 傳統上，導電膜（印刷配線基板之導體電路等）的形成材 料、或使用於電氣零件間之導電黏著（對導體電路之元件等 的安裝、導體電路間之連接等）的導電黏著劑等，廣泛地應 用導電糊。 導電糊之製造上，會以特定比率將粉末狀導電成分調合 於樹脂等之黏著劑及溶劑內。又，例如，亦有導電糊使用 液狀硬化性樹脂等液狀黏著劑，而省略溶劑。 另外，導電成分之平均粒徑爲1〜數十程度，且一般 會使用粒狀、薄片狀（鱗片狀、石片狀）等形狀之金屬粉末 。又，形成金屬粉末之金屬例如Ag、Cu、Ni、A1等。 然而，使用前述傳統金屬粉末，想要更進一步使導電膜 或導電黏著劑之導電黏著部分（以下統稱爲「導電膜」）之 電阻係數少於現有水準，有其技術上之限度，而很難實現 〇 亦即，導電膜上，電流係通過分散於黏著劑中之多數金 屬粉末而流動。所以，以高密度將金屬粉末充塡至黏著劑 -7 - 200409144 中，增加金屬粉末間之直接接觸的接觸點數，應該爲有效 降低導電膜之電阻係數的方法。而其具體方法上，就是縮 小金屬粉末之粒徑。 然而，一般金屬粉末之製造方法中，除了不易製造次微 米級之金屬粉末以外，即使有辦法製造，此種微小金屬粉 末之粒徑愈小就愈容易凝集在一起，而有無法均一分散至 黏著劑中之傾向。 而且，實際之金屬粉末的表面會覆蓋著氧化覆膜等，在 各個接觸點上，會因爲此氧化覆膜等而產生接觸電阻，故 接觸點數愈增加，則膜整體之接觸電阻就會愈大，導電膜 之電阻係數反而呈現愈大之傾向。 所以，利用縮小金屬粉末之粒徑、及提高其充塡密度來 降低導電膜之電阻係數的方法，有其技術上的限度。 另外，傳統之金屬粉末因爲具有如前面所述之粒狀、薄 片狀等縱橫〉:,較小之彤狀，其厚度方_及面方向之導電膜 電導率會大致相同。亦節，會形成電導率之各向異性較小 的導電膜。 然而，相對的會有例如無法形成只有厚瘦方向電導率較 g而其他方_電_率較低之優良電導率各定異的導電疆 関題。 又，近來針對誇導電棚塗敷於底層上並形成t鬼膜後， 導電膜上利用將該導電膜當做電極進、頌 "使鉱 :寶」〔生長的方法、以及利用此鍍敷方各1 度糸；；r :久# m以下旦眞萸次徵米級之微細圖案部的金&零件·（以下 200409144 稱爲「微細金屬零件」）之方法，發明者進行了實用化檢討 〇 然而，在這些方法中使用傳統導電糊時，形成之鍍敷覆 膜中的金屬晶粒的粒徑，因在該鍍敷覆膜之厚度方向會有 非連續變化之分布，故無法獲得在整體厚度方向有均一晶 體構造之鍍敷覆膜，而無法製造具有良好特性之微細金屬 零件。 針對其原因進行進一步檢討，發現以下之事實。 亦即，使用傳統導電糊形成之導電膜，含有如前面所述 之導電成分…平均粒徑1 // m以上之、相對於微細金屬零件 並非極小之金屬粉末。 所以，依據微細金屬零件之尺寸水準來放大觀察導電膜 之表面，可以發現，金屬粉末外露之導電部份、及其間之 絕緣部份，會配合金屬粉末之尺寸而爲不規則斑狀分布之 狀態，而非電性均一之狀態。 此外，依據微細金屬零件之尺寸水準來放大觀察導電膜 之表面，可以發現，會有相對於金屬粉末之尺寸並非極小 之凹凸，即使相對於t迓金屬零件之尺寸亦非極小之凹凸 ’ ΐί::表面Μ不平坦。 利用鍍敷所得之鍍敷覆膜的晶體構造很容易受到底層的 ' € ’除了前面所述之表面電性不均一以外，將不平坦之 —膜當傲底層實施鍍敷覆膜之生長時’尤其是成膜初期 :¾段時在Γ.腠中產生之晶粒的粒徑，會呈現遠大於例如在 平坦金屬表面實施鍍敷覆膜之生長時所得之應有粒徑的傾 200409144 向。 其次，在覆膜持續生長且其表面接近平坦金屬面之階段 ，才會開始產生具有和在平坦金屬表面實施生長時相同之 應有粒徑的晶粒，其後，會繼續以該粒徑生長鍍敷覆膜。 因此，鍍敷覆膜無法整體具有均一晶體構造，形成該鑛 敷覆膜之金屬晶粒的粒徑在厚度方向亦爲非連續變化分布 。具體而言，會具有形成鍍敷覆膜之金屬晶粒的粒徑大於 應有粒徑之區域、以及粒徑爲應有粒徑之區域的2層構造 〇 又，應用此鍍敷方法之微細金屬零件的製造方法中，首 先會經由導電糊構成之導電膜，在金屬板等之導電性基體 上，黏著、固定具有對應微細金屬零件形狀之微細通孔圖 案而由樹脂等絕緣材料所構成之模而形成電鑄模。 其次，在從電鑄模之通孔圖案部份外露之導電性基體或 導電膜2:表面，利用以前述表面爲電極之鍍敷實艽钇 :漢之選擇性生長， 71气莬Τ遍二匱亨形狀之微細金屬零 〇 接著，除去模及導電ti:基體即可得到微細金屬零#。

亦可‘ 1 〉基^之整面塗敷導電糊並將模黏著Y 基體上 ' 建後進行乾燥及固化，在導電性基體之整闕；L: ^電膜◊ &時：在從電鑄模之通孔圖案部份夕：@ : 5 :賣a錶敷覆膜之生長，即會形成微細金屬零^。 X，^ ％ *性基體黏著側之表面塗？、 棋沿著I验—實施乾燥及固化：而只.:仕模及/ I. -1 0 - 200409144 性基體之黏著部份形成導電膜。此時，會在從電鑄模之通 孔圖案部份外露之導電性基體上實施鑛敷覆膜之生長而形 成微細金屬零件。 然而，後者之構成上，將模黏著於導電性基體上時，不 易防止導電糊被擠壓至通孔圖案內。所以，電鑄模之通孔 圖案的邊緣部份，導電糊會被擠壓至通孔圖案內並乾燥及 固化而形成導電膜，所以在通孔圖案亦有鍍敷覆膜生長而 形成微細金屬零件。 所以，不論前述何種情形，所製造之微細金屬零件都有 下述問題，亦即，含有在導電膜上生長之前述晶粒粒徑大 於應有粒徑之區域，整體觀察時，無法得到期望之物理、 機械、或電性特性。 又，微細金屬零件爲具有前述晶粒粒徑較大之區域、及 其他晶粒粒徑爲應有大小之區域的2層構造，因爲此2區 域之物理及機械特性不同，故會因爲溫度變化等外在條件 而使微細金屬零件產生變形，有時，還有可能因而破損。 因此，爲了除去通孔圖案內之導電膜而使導電性基體外 »，鍍敷前應以溶劑淸洗通孔圖案之內部（濕蝕刻），或實 :乾蝕亥!J。 篇而’不論何種處理，都容易對樹脂之模造成傷害’尤 3是使通孔圖案之邊緣部成爲圓弧狀’或通孔圖案之側壁 B削而使通孔圖案之形狀容易變形。所以’而有微細金 件形狀之再現性降低的新問題。 :鼠明之槪述] -1 1 - 200409144 本發明之主要目的，就是提供可使導電膜之電阻係數低 於現狀水準之新型導電糊。 本發明之其他目的，就是提供因爲具有電導率各向異性 而可使用於目前爲止未曾應用之用途上的新型導電膜。 本發明之另一其他目的，就是提供可以形成使整體具有 均一晶體構造之鍍敷覆膜的新型鍍敷方法。 本發明之另一其他目的，就是提供一種新型製造方法， 可以優良形狀再現性製造因爲具有整體均一晶體構造而具 有良好特性之微細金屬零件。 本發明之導電糊之特徵，係含有之導電成分爲具有由微 細金屬粒形成多數之鏈狀相連形狀的金屬粉末。 在本發明中，被當做導電成分使用之鏈狀金屬粉末，因 係以後面所述之還原析出法等形成多數次微米級之微細金 屬粒、且預先具有鏈狀相連之形狀，故可使各金屬粒間之 :’觸電阻比目前爲止可實現之接觸電阻更小。 又如後面所述，鏈狀之金屬粉末亦可使用在相連之多數 金屬粒周圍更進一步具有含有金屬膜析出之構造者，此金 _粉末中，因爲金屬膜會使各個金屬粒間形成電性相連， 7可更進一步降低其接觸電阻。 此外’和粒狀等之傳統金屬粉末相比，鏈狀金屬粉末之 面積較大，若不會產生凝集等情形，而可均一分散至 :4劑中。 3以’使用鏈狀金屬粉末，可因爲形成該金屬粉末之微 金屬粒’而以傳統上不可能實現之次微米級粒狀金屬粉 200409144 末，在不會增加接觸電阻及不會產生凝集等情形下，可以 高密度形成均一分散於黏著樹脂內之導電膜。 所以’利用本發明之導電糊，可導電膜之電阻係數遠低 於目前水準。 又，鏈狀金屬粉末、或形成此金屬粉末之各金屬粒最好 爲以 •具有順磁性之單體金屬、 •具有順磁性之2種以上金屬的合金、 •具有順磁性之金屬及其他金屬之合金、或 •含有具順磁性之金屬的複合物 形成且具有磁力者。 此種金屬粉末包括多數微細金屬粒單純利用磁力連接成 鏈狀、以及具有在相連之金屬粒周圍更進一步析出金屬膜 並金屬粒間強固連結等各種不同構造，然而，不論那一種 η迄，基本上，金屬粒具有磁力。 因此，例如在製造導電糊時、或進行塗敷形成導電膜時 之應力程度，鏈結不會輕易脫離，即使脫離時，在未承受 到應力時，會因爲金屬粒之磁力而再度鏈結在一起，複數 ' 會互相接觸而容易形成導電網路。 所以，可進一步降低導電膜之電阻係數。 又，前述鏈狀金屬粉末或金屬粒之具有磁力的整體或一 ί: 9，最好以還原析出法來形成，前述還原析出法係在含 -;種或2種以上之金屬離子的溶液中，利用還原劑將該 ' :還原成会，7並使其在溶液中析出，而前述1種或2 200409144 種以上之金屬離子係具有順磁性之金屬離子。 利用此種還原析出法，在液中析出含有具順磁性之金屬 的次微米級微細金屬粒，因該金屬粒爲單晶構造、或接近 單晶構造之構造，只要單純將其分成2極，即會自動連結 成鏈狀，而形成鏈狀金屬粉末。 因此，很容易製造鏈狀金屬粉末，而可實現導電糊之生 產效率的提高、及成本降低等。 又，利用還原析出法形成金屬粒，各個之粒徑會十分一 致，粒徑之分布爲狹窄的。所以，由金屬粒形成之多數鏈 狀相連的金屬粉末，因爲可有效使導電膜表面處於電性均 一之狀態，故導電糊適用於後述之鍍敷方法、或微細金屬 零件之製造方法。 還原析出法之還原劑最好爲欽之3價化合物。 使用三氯化鈦等三價鈦化合物當做還原劑使用時，具有 下述優點’就是形成鏈狀金屬粉末後之溶液，利用電解再 生，可重複將其再生成可以製造鏈狀金屬粉末之狀態。 金屬粒之粒徑只要爲前述之次微米級即可。然而，尤其 在後面所述之鍍敷方法、或微細金屬零件之製造方法中， .在依據微細金屬零件之尺寸水準放大觀察表面時能爲 A邑均一 ’且可形成平坦之導電膜，金屬粒之粒徑最好爲 4 0 im以下。而在相同理由下，金屬粉末之鏈徑最好爲 :;π以下。 5;.，在固形成分方面，含有鏈狀金屬粉末及黏著劑之導 Μ㊄中’若相對於固形成分之總量，鏈狀金屬粉末之含有 一 14- 200409144 比例爲5重量％以下時，會減少金屬粉末間之接觸點數，而 可能降低導電膜之導電性。 相反的，若相對於固形成分之總量，鏈狀金屬粉末之含 有比例超過9 5重量％時，會使黏著劑之含有比率相對不足 ，而可能無法充份利用該黏著劑使多數金屬粉末黏著並形 成強固導電膜。 所以，本發明之導電糊中，相對於固形成分之總量的鏈 狀金屬粉末含有比率最好爲5〜9 5重量％。 本發明之導電膜如前面所述，將含有附與磁力之鏈狀金 屬粉末的導電糊塗敷於底層而形成塗膜，並從特定方向對 此塗膜施加磁場，故具有下述特徵，亦即使該塗膜中之鏈 狀金屬粉末對應前述磁場而形成特定方向之配向，同時， 利用塗膜之固化來固定金屬粉末之配向。 在本發明中，利用如前面所述之磁場施加，使分散於塗 膜中之金属F·末沿該磁束方向而成特定方向之配向的狀態 下，並w利用塗膜之固化來固定配向。其次，鏈狀金屬粉 末只有在配向之方向上具有特高之電導率且其他方向之電 導卒會極低，而具有電導率各向異性。 3以用本發明可以形成例如只有在其厚度方向、相 κ::):、:厚度万向具有特定角度之特定方向、，或只有面內之單 :方_具有高電導率之特殊導電膜，並可將此導電膜應用 :::目前爲止未曾使用之用述上。 念發明之鍍敷方法的特徵，係含有將本發明之導電糊塗 敵於底層上並形成導電膜之步驟、以及在此導電膜上利用 200409144 以該導電膜爲電極之鍍敷來實施鍍敷覆膜生長之步驟。 利用本發明之導電糊形成之導電膜’如前面所述’具有 高導電性。 不但如此，依據微細金屬零件之尺寸水準來放大觀察前 述導電膜之表面，構成鏈狀金屬粉末且相對於前述微細金 屬零件而爲極小之金屬粒，經由利用多數金屬粉末之相互 接觸形成之導電網路會成爲整體電性相連的狀態’且大略 爲均一分散狀態。所以，導電膜之表面爲電性均一。 此外，依據微細金屬零件之尺寸水準來放大觀察導電膜 之表面，可以發現，只有相對於金屬粉末之尺寸而爲極小 之凹凸，故表面大致平坦。 . 所以，在此導電膜表面利用鍍敷實施鍍敷覆膜生長時， 從成膜初期階段即會生成和在平坦金屬表面生長時相同之 具有應有粒徑之晶體粒，故可以形成整體具有均一晶體構 造之鍍敷p膜。 使用於本發明拜：敷万法之導電膜的體積本質電阻最好爲 Wcm以下。 導電膜之體積方.質電阻爲前述範圍內時，可降低鍍敷時 一:：氣沮’❽可減少發熱等之能量損失。 又’使用於本發明鍍敷方法之導電糊，其鏈狀金屬粉末 「-，至少含有]種金屬和鍍敷覆膜中含有者相同。 夂甩此權成，可以在導電膜表面露出之鏈狀金屬粉末表 ::丨鍍& S扠^菩續晶體成長。所以，可更容易將鍍敷 〕二痕之晶粒大小控制爲應有之粒徑。 200409144 本發明之微細金屬零件製造方法的特徵，係含有：經由以 本發明導電糊構成之導電膜，將具有對應微細金屬零件形 狀之微細通孔圖案、由絕緣材料構成之模固定於導電性基 體上而形成電鑄模之步驟；以及 在從此電鑄模之通孔圖案部份外露之導電性基體或導電 膜表面上，利用以該表面爲電極之鍍敷，實施鍍敷覆膜之 選擇性生長而形成對應通孔圖案形狀之微細金屬零件的步 驟。 如前面所述，在使用本發明導電糊形成之導電膜表面， 利用鍍敷形成之鍍敷覆膜，因爲鏈狀金屬粉末之特性，整 體會具有和直接在金屬製導電性基體表面形成者相同之均 一晶體構造。 所以，在從電鑄模之通孔圖案部份外露之導電膜表面實 施鍍敷覆膜生長時、以及在從電鑄模之通孔圖案部份外露 之導電性基體表面實施鍍敷覆膜生長時，不論那一種方式 ，都會因爲晶粒具有應有粒徑，而可製造具有可發揮期望 之物理、機械、及電性特性之單一層構造且具有良好特性 之微細金屬零件。 又，因爲不需要可能會對樹脂製模造成損害之去除導電 膜使導電性基體外露之步驟，而可製造再現性良好且忠實 實現模形狀之微細金屬零件。 又，再利用前述製造方法且以固形成分方式含有鏈狀金 屬粉末及黏著劑之導電糊中，若相對於固形成分之總量， 鏈狀金屬粉末之含有比率超過20體積％時，則黏著劑之含 - 17- 200409144 有比率會相對減少，可能導致導電糊之黏著力降低，而無 法強力固定由不同材料所構成之導電性基體及模。 針對前述情況’使鏈狀金屬粉末之含有比率爲2〇體積％ 以下’則可提高導電糊之黏著力，而可更強力固定導電性 基體及模。此外’使用此種導電糊形成之導電膜，因爲前 述鏈狀金屬粉末之特性，會具有比例如使用同量之粒狀爲 其他形狀之金屬粉末者更低的電阻並維持高導電性狀態。 所以，可以製造如前面所述之具良好特性的微細金屬零件 〇 然而，含有比率爲0 . 05體積％以下，即使使用鏈狀金屬 粉末，因會明顯減少金屬粉末間之接觸點數，導電膜之導 電性會大幅降低，可能無法製造具有良好特性之微細金屬 零件。 ， 所以，使用於微細金屬零件之製造上的導電糊，相對於 固形成分之總量，鏈狀金屬粉末含有比率最好爲0.05〜20 體積％。 使用含有具上述含有比率之鏈狀金屬粉末的導電糊所形 成的導電膜，因爲具有前述之鏈狀金屬粉末特性，故具有 充份之高導電性。 然而，即使在前述範圍內，其含有比率愈小時，依據微 細金屬零件之尺寸水準來放大觀察導電膜之表面’可以發 現在由黏著劑所形成之絕緣部份當中’鏈狀金屬粉末外露 之導電部份會呈現所謂海島構造之分布狀態的傾向。其次 ，鍍敷開始時之供電點的分布密度不足時’尤其會出現此 -1 8 - 200409144 傾向。 因此，在此種情況時，最好使用含有鏈狀金屬粉末、及 粒徑比該鏈狀金屬粉末更小之球狀金屬粉末的導電糊。 此種構成中，因會以粒狀金屬粉末塡埋導電膜之由鏈狀 金屬粉末形成的導電部份之間，而可增加鑛敷開始時之供 電點的分布密度，故可製造具有更良好特性之微細金屬零 件。

又，前述之導電糊中，基於前述相同理由，相對於固形 成分之總量的鏈狀金屬粉末含有比率最好爲0.0 5〜20體積 又，粒狀金屬粉末之含有比率爲0 . 05體積％以下時，可 能無法以該金屬粉末塡埋導電膜導電部份之間，而無法有 效增加鍍敷開始時之供電點的分布密度。 所以，粒狀金屬粉末之含有比率上，若考慮以塡埋導電

部份間來增力α鍍敷開始時之洪電點的分布密度，則是愈大 愈好。 然而，因爲係鏈狀金屬粉末及粒狀金屬粉末混合存在之 系統，粒狀金屬粉末之含有比率超過20體積％時，黏箸劑 之含有比率倉相對變Θ。因此，除了會降低導電糊之黏著 力以外，亦Μ能降低導電膜本身之強度，旦無法強力固定 房以，相？£彤成分；Z.，i，丨:·犾金ΐ 4末之含有比 砰二瑶：灯·炭j . …:〜二υ I豆：g a ◦ 本發明之微細金屬零件的冥信製造方法之特徵，爲具有： 200409144 除了在導電性基體上依序形成由本發明導電糊所形成之第 1導電膜、以及以含有粒徑小於第1導電膜含有之鏈狀金 屬粉末之金屬粉末的導電糊所形成之第2導電膜以外，尙 經由兩導電膜，將由具有對應微細金屬零件形狀之微細通 孔圖案的絕緣材料所構成之模固定於導電性基體上，形成 電f霉模之步驟；以及 在從此電鑄模之通孔圖案部份外露的第2導電膜表面， 以利用該表面做爲電極之鍍敷實施鍍敷覆膜之選擇性生長 ，來形成對應通孔圖案形狀之微細金屬零件之步驟。 利用本發明，會以第2導電膜中之金屬粉末塡埋第1導 電膜之島狀分布的導電部份間，和前述情形相同，可增加 鍍敷開始時之供電點的分布密度，而製造具有更良好之特 性的微細金屬零件。 又，第2導電膜之基本材料的導電糊中，相對於固形成 分之總量的金屬粉末'含有比率爲0.0 5體積％以下時，可能 無法以該小粒徑金屬粉末充份塡埋前述第1導電膜之導電 部份間而獲得增加鍍敷開始時之供電點分布密度的效果。 因此，第2導電膜之基本材料的導電糊中之金屬粉末含 有比率，若考慮以塡淫導電部份間來增加鍍敷開始時之供 電點分布密度的效果，則愈大愈好。又，因爲只要能黏著 ΞΞ'罔樣是展：脂材料所橋成之第1導電膜及模即可，和第1 Y T膜相比，此t更171黏著劑含有比率可大幅減少。 3可，金；r 六之/二比率超過7〇體積％時，黏著劑之 含有比率則會相對太小，除了會降低導電糊之黏著力以外 -20- 200409144 ’尙會使第2導電膜本身之強度降低，而可能有無法強力 固定第1導電膜及模之疑慮。 所以’形成第2導電膜之導電糊中，相對於固形成分之 總量的金屬粉末含有比率最好爲〇 . 〇 5〜7 0體積％。 又’日本國公開特許公報JP- 200 1 - 2003 0 5 -A2之第0015 欄中’記載著可以平均粒徑50nm程度、具順磁性之合金微 粉末形成鏈狀相連之二次粒子的可能性。 然而’該公報係以提供電磁波屏蔽材料爲目的，如眾所 皆知其電磁波屏蔽材料必須具有絕緣性，故公報中完全沒 有如前面所述、利用鏈狀相連之二次粒子來積極提高導電 性之構想。 ~ 而其証據則是該公報中記載著，將合金微粒子和合成樹 脂一起捏合並將其當做射出成型用材料來形成電磁波屏蔽 材料、以及將合金微粒子和凝膠陶瓷等混合並當做噴霧成 型用漿體用於電磁波屏蔽上。 · 在這些成型方法中，因爲會施加使用糊劑時無法相比之 強大應力’故合金微粒子無法維持鏈狀相連之二次粒子形 狀，而各合金微粒子會以適合電磁波屏蔽之各自互相分離 的.¾態分散於電7「波莽蔽材料中。 所以，前述公5之記載和本發明無關。 又，日不：£公開特許公報JP-H08 - 27 3 4 3 1 -A2則記載著利 丐^汶3 Ε Ξ 二做爲導電成分之導電糊。然而，此種樹 茂 ：¾ r· Ί 厂 …P之固體金屬粉末，只是本專利申 請/乙習知技1;卜」’τ Ά 狀寺金屬粉末的一*個變形例而已 200409144 故，前述公報亦和本發明無關。 [圖式之簡單說明] 第1A圖〜第1F圖係本發明導電糊分別含有之鏈狀金屬 粉末導電成分的一個實施例之部份放大剖面圖。 第2A圖〜第2E圖係本發明微細金屬零件製造方法中使 用、形成由絕緣材料構成之模的步驟實施例剖面圖。 第3A圖、第3B圖係使用前述模形成電鑄模之步驟的實 施例剖面圖。 第4A圖〜第4C圖係使用前述模形成電鑄模之步驟的另 一實施例剖面圖。 第5A圖〜第5D圖係使用前述電鑄模以本發明製造方法 製造微細金屬零件之步驟的實施例剖面圖。 第6A圖、第6B圖係使用前述模形成電鑄模之步驟的另 一實施例剖面圖。 第7A圖〜第7C圖係使用前述模形成電鑄模之步驟的另 一實施例剖面圖。 第8圖係本發明實施例1製造之鏈狀N i粉末粒子構造的 電子顯微鏡圖。 第9圖係本發明實施例2製造之鏈狀高導磁合金粉末粒 子構造的電子顯微鏡圖。 [本發明之良好實施形態] <導電糊> 本發明之導電糊的特徵，係含有金屬粉末，而前述金屬 - 22 - 200409144 粉末則具有由當做導電成分使用之微細金屬粒所形成之多 數鏈狀相連的形狀。 (金屬粉末） 鏈狀金屬粉末係以氣相法、液相法等各種方法製造，可 以使用直鏈狀、分支鏈狀等各種鏈狀構造之金屬粉末。 形成鏈狀金屬粉末之各金屬粒的粒徑，最好爲次微米級 ，尤其以400nm以下爲佳。又，鏈之直徑最好爲！ 以下 。其理由則如前面所述。 又，金屬粒之粒徑若考慮形成電性均一及平坦之導電膜 ，則即使在前述範圍內，若能爲20Onm以下更佳。然而， 粒徑若過小，則鏈狀相連之金屬粉末本身的尺寸會太小， 可能無法獲得充份之導電成分機能。所以，金屬粒之粒徑 應爲1 0 n m以上。 又，鏈之直徑若亦考慮形成電性均一及平坦之導電膜， 則節使在前述範圍內，則以40 Onm以下尤佳。然而，鏈之 直徑太小，則製造或塗敷導電糊時之應力可能很容易就會 使其分離。所以，鏈之直徑應爲10nm以上。 前述鏈狀金屬粉末如前面所述，該金屬粉末、或形成此 冥粉末之各金屬粒最好以具有順磁性之單體金屬、具有 順磁性之2種以上金屬的合金、具有順磁性之金屬及其他 今，之合金、或含有具順磁性之金屬的複合物形成。其理 S :如前面所述。 種含有具順磁性之金屬的金屬粉末之具體實施例，可 以爲下述U)〜（f)之任一種或2種以上之混合物。 - 23 - 200409144 (a )如第1 A圖之部份放大圖所示’利用本身之磁性’ 使以具有順磁性之單體金屬、具有順磁性之2種以上金屬 的合金、或具有順磁性之金屬及其他金屬之合金所形成之 次微米級金屬粒m 1形成多數個鏈狀相連的金屬粉末M 1 ° (b)如第1B圖之部份放大圖所示’在前述（a)之金屬粉 末Μ 1的表面上，進一步析出以具有順磁性之單體金屬、具 有順磁性之2種以上金屬的合金、或具有順磁性之金屬及 其他金屬之合金所形成之金屬層m2，而爲使金屬粒間可強 力結合之金屬粉末M2。 (c )如第1 C圖之部份放大圖所示’在前述（a )之金屬粉 末Ml的表面上，進一步析出以△£、〇11、人1、八11、1?11等之 其他金屬或合金所形成之金屬層m 3，而爲使金屬粒間可強 力結合之金屬粉末M3。 (d)如第1D圖之部份放大圖所示，在前述（M之金屬粉 术Μ 2的表面上，進一步析出以A g、C u、A 1、A u、R h等之 其他金屬或合金所形成之金屬層m4，而爲使金屬粒間可強 力結合之金屬粉末M4。 (e )如第1 E圖之部份放大圖所示，在以具有順磁性之 ，谨金屬、具有順磁性之2種以上金屬的合金、或具有順 性之金屬及其他金屬之合金所形成之粒狀芯材m5a的表 f上，覆蓋以Ag、Cu、Al、Au、Rh等之其他金屬或合金所 ::咸覆蓋層m5b而得到複合物m5，將此複合物m5當做金 •…，利挎芯材m 5 a之磁性形成多數個鏈狀相連的金屬粉 -24- 200409144 (f)如第IF圖之部份放大圖所示，在前述（e)之金屬粉 末M5的表面上’進一步析出以Ag、Cu、Al、Au、Rh等之 其他金屬或合金所形成之金屬層m6，而爲使金屬粒間可強 力結合之金屬粉末M6。 又，圖中係以單層標示金屬層m2、m3、m4、m6、及覆蓋 層m5，然而，各層亦可具有以同一或不同金屬材料形成之 2層以上的積層構造。 又，前述中，以具有順磁性之單體金屬、具有順磁性之 2種以上金屬的合金、或具有順磁性之金屬及其他金屬之 合金所形成之金屬粉末或金屬粒整體，或者 以具有順磁性之金屬的複合物所形成之金屬粉末或金屬 粒中，含有具順磁性之金屬的部份， 最好以前面所述之還原析出法，在含有其形成材料之具 順磁性之金屬離子的溶液中添加還原劑，使其在液中析出 之方式來形成。 還原析出法中，在溶解著例如三氯化鈦等3價鈦化合物 、及檸檬酸三鈉等還原劑之溶液（以下稱爲「還原劑溶液」） 中添加氨水，將pH調整爲9〜10。利用此方式，3價之鈦 1 r會和錯合劑之檸檬酸結合而形成配位化合物，從 :氧化成Ti(IV)時之活性化能會降低，而還原電位 :::會提高。具體而言，Ti(III)及Ti(IV)之電位差會超過IV 。此數値會遠大於從Νι(ΙΙ)成爲Ni(0)之還原電位、及從 :' ΠΙ)成爲Fe(0)之還原電位等，而爲極高的値。因此’ 下::有效還原各種金屬之離子，析出並形成金屬粒或金屬膜 -25- 200409144 等。 其次，在前述還原劑溶液中，添加例如N i等之含順磁性 之金屬單體離子的溶液、或含有形成具順磁性金屬之合金 的2種以上離子的溶液。 如此，T i ( I I I )可發揮還原劑之機能，當其本身氧化成 Ti(IV)時’會速原金屬離子並在溶液中析出。亦即，溶液 中除了析出前述金屬單體或合金所形成之金屬粒以外，尙 會以本身之磁性形成多數鏈狀相連之鏈狀金屬粉末。又， 其後會繼續析出，在前述金屬粉末之表面進一步析出金屬 層，使金屬粒互相強力結合。 亦即，利用前述方法，可以製造前述（a)、（b)等之金屬 粉末Ml、M2或還原之金屬粒ml、或還原成前述（e)、（f) 之金屬粉末Μ 5、Μ 6的複合物m 5中之芯材m 5 a等。 又，前述金屬粒ml及芯裙m5a之各粒徑十分一致，粒度 分布亦十分明確。其理白係因爲還原反應在系統中均一 進行。所以，以此種金屬粒ml或芯材m5a製造之金屬粉末 Ml〜M6，具有可使導電膜表面處於電性均一狀態的優良效 果，故適合應用於鍍敷方法或微細金屬零件之製造方法上 〇 &前面m述，對扔出金屬粒或芯材等後之還原劑溶液實 ’ ^奪二兰，可無隊_池重複使用於還原析出法之鏈狀金 屬s末的賴進上。亡I卩。將析出金屬粒或芯材等後之還原 質#液1入1 : 施加電壓使THIV)還原成ΤΊ(ΙΙΙ) ’則可完a f :¾ m贫η:用還原劑溶液使用。因爲電解析 2 200409144 出時，幾乎 時被析出。 形成金屬 、Fe、Co、 體或Ni -Fe 形成之--尤 用很強，故 又，前述 、（e )、( f ) ，以高電導 複合物當 電解鍍敷法 種成膜方法 (黏著劑） 形成鏈狀 之導電糊用 可塑性樹脂 細酸系樹脂 (導電糊） 導電糊之 率和適當溶 性樹脂等液 前述各成 即鏈狀金屬 不會消耗鈦離子，亦即，不會和析出之金屬同 粒或芯材等之、具順磁性金屬或合金，例如N i 及前述之其中2種以上的合金等，尤其以Ni單 合金（高導磁合金）等爲佳。以此種金屬或合金 其是金屬粒，因爲在形成鏈狀相連時之磁性作 在降低金屬粒間之接觸電阻上具有優良效果。 之具順磁性金屬或合金、以及形成前述（c )、（ d ) 之複合物的其他金屬爲Ag、Cu、Al、Au、Rh等 率之角度而言，以Ag爲佳。 中，以前述其他金屬形成之部份，可以利用無 、電解鍍敷法、還原析出法、真空蒸鍍法等各 來形成。 金屬粉末及導電糊之黏著劑，只要爲傳統已知 黏著劑的各種化合物皆可。此種黏著劑例如熱 、硬化性樹脂及液狀硬化性樹脂等。最好爲丙 、氟系樹脂、酚系樹脂等。 製造上’係將鏈狀金屬粉末及黏著劑以特定比 媒進行調合。又，如前面所述，使用液狀硬化 狀黏著劑時可省略溶媒。 分之比率並無特別限制，相對於固形成分…亦 粉末及黏著劑之總量，金屬粉末之比率應爲5 -27 - 200409144 〜9 5重量％。其理由如前面所述。 採用此種導電糊，可以利用如前面所述之鏈狀金屬粉末 的特性，形成具有前所未有之局導電性的導電膜等。 亦即，若鏈狀金屬粉末之比例在前述範圍內而爲和一般 導電糊相同之50重量％以上’則可形成體積本質電阻1Ω· cm 以下、具有前所未有之高導電性的導電膜等。 又，此時之鏈狀金屬粉末的更佳比率範圍爲5 0〜9 0重量 %，此時，形成之導電膜的體積本質電阻大約爲lxl〇_4Q*Cm 〇 又，本發明之導電糊，利用前述鏈狀金屬粉末之特性， 可以將比率降低至低於到目前爲止之水準，且可形成和傳 統具有相同程度之導電性的導電膜等。 亦即，即使鏈狀金屬粉末之比率爲5 0重量％以下，利用 鏈狀金屬粉末之特性，亦可形成具有和傳統相同程度之導 電性的導電膜等，而可實現節省能源及降低成本之目的。 又，此時之鏈狀金屬粉末的更佳比率範圍爲3 0重量％以 上、50重量％以下，此時，形成之導電膜的體積本質電阻 雖然會高於1 Ω · c ra ’但約爲1 0 0 Ω · c ιώ以下。 <導電膜> 爲了形成前述控制鏈狀金屬粉末之配向的本發明導電膜 :首先在底層上塗敷以含有順磁性金屬者當做鏈狀金屬粉 末之導電糊並形成塗膜。 其次，對此塗膜從特定方向施加磁場，使膜中之鏈狀金 曆粉末對應前述磁場而進行特定方向之配向。亦即，鏈狀 -28- 200409144 金屬粉末在施加磁場時會進行沿著該磁束方向之配向。 其次，在此狀態下進行塗膜之乾燥及固化、或含有硬化 型樹脂時則進行硬化，實施金屬粉末之固定，只有鏈狀金 屬粉末之配向方向會有極高之電導率而其他方向則有較低 之電導率，形成具有電導率各向異性之導電膜。 例如，只有其面內之單1方向具高電導率之導電膜，在 下述之鍍敷方法及微細金屬零件之製造方法中適合當做電 極使用。 又，只有其他方向具有高電導率之導電膜，亦具有可應 用於到目前爲止未曾思考過之各種用途上的可能性。 以鏈狀金屬粉末之配向爲目的而對塗膜施加之磁場的強 度，應大約爲7 . 9 A / m以上。磁場之強度在此範圍之內時， 可能會出現無法充分竇施鏈狀金屬粉末之配向的情形。 <鍍敷方法> 本發明之鑛敷方法中，在底層上塗敷含有鏈狀金屬粉末 Z毛電糊Μ形成導電膜後，實施將此導電膜當做電極之鍍 敷。亦即，將導電膜當做陰極，並將想要鍍敷之金屬或合 金等當做陽極，將其浸入鍍歡槽中並施加電壓，即可形成 :前面所述之厚度方_整缓眉有均一晶體構造之鑛敷覆膜 ::u:時，二々積本質電阻應調整爲1Ω·(：πι以下較好 。^理由如前面所述。要將導電膜之體積本質電阻調整至 言遽範圍內時，只要提高導Γ摄中相對於固形成分之總量 200409144 又，使用之導電糊中的鏈狀金屬粉末，最好含有和鍍敷 覆膜含有之金屬相同的金屬、或至少含有1種和鍍敷覆膜 含有之金屬相同的金屬。其理由亦如前面所述。 又，如前項所示，只對鏈狀金屬粉末實施導電膜面內之 單1方向的配向，亦爲有效的方法。本方法中，可以在未 增加鏈狀金屬粉末之比率的情形，將導電膜之同方向的體 積本質電阻調整至前述範圍內。其次，例如在導電膜之前 述配向方向的端部配置以連接電源爲目的之導電端子，亦 可實施不會有能量損失之良好鍍敷。 又，若將兩種方法進行組合，亦可能進一步降低導電膜 之體積本質電阻。例如，若鏈狀金屬粉末之比率爲前述之 50重量％時，且對鏈狀金屬粉末實施面內單1方向之配佝 ’亦可使導電膜之同方向體積本質電阻爲1χ1〇· 4Ω·(：πι以下 〇 又，導電膜之體積本質電阻之下限並無特別限制。只要 利用以上說明之方法而可實現之極限値，都可採用而不會 有任何問題。 <微細金屬零件之製造方法之I〉 微細金屬零件之製造方法之I中，首先如第2D圖所示， 以具有對應微細金屬零件形狀之微細通孔圖案3 a的絕緣材 料形成模3。 模3可以利用各種方法來形成，然而，最好以使用微影 術或電鑄法製作之母模來進行射出成型或反應性射出成型 等來形成。又，微影術則應採用對抗蝕劑實施 -30- 200409144 SR(Synchrotron Radiation:同步加速輻射）光等之χ射線 照射、及利用照射後之顯影形成微細圖案的X射線微影術 〇 具體而Η，首先利用X射線微影術及電鑄法，如第2 A圖 所示，在導電性基板1 M2上形成微細金屬零件之基礎的母 模1 Μ 1後，再以射出成型或反應性射出成型，形成對應前 述母模1Μ1形狀且具有通孔圖案3a之基礎的微細凹部3b 之模3的前驅物3 ’（第2B、2C圖）。 硏磨前驅物3 ’使凹部3 b貫通，如第2 D圖所示，形成具 有對應母模1 Μ 1形狀之通孔圖案3 a的模3。 利用此方法，可以重複使用1個母模1Μ1來形成大量模 3，結果，可將微細金屬零件之製造成本大幅降低至低於到 目前爲止之成本。 其次，本發明中，如第3Α、3Β圖所示，在金屬板等導電 性基體2的整靣塗敷導電糊1’後，將模3重疊於其上。接 著，使導電糊1’乾燥，又，黏著劑爲硬化型樹脂時實施硬 化，形成導電膜1，同時將模3固定於導電性基體2上， 製成電鑄模ΕΜ。 或者，如第4Α〜4C圖所示，在金屬板等之導電性基體2 整面塗敷導電糊1’後，將前述第2C圖所得之模3的前 物3 ’以凹部3 b朝下方式重疊。其次，使導電糊1 ’乾燥 X，黏著劑爲硬化型樹脂時實施硬化，形成導電膜1， Λ, :f將模3固定於導電性基體2上後，進行硏磨使凹部3b :Χ: Γ，亦可製成同樣的電鑄模EM。 -31- 200409144 利用前述步驟製成之電鑄模EM，因爲通孔圖案3 a之底 部整面會覆蓋著前述具優良特性之導電膜1 ’在無需去除 該導電膜1之情形下，可以製造具有良好特性之微細金屬 零件。 又，雖然圖上未標示，在模3之下面塗敷導電糊後，在 使其疊合於導電性基體2上之狀態下進行乾燥’又’黏著 劑爲硬化型樹脂時則實施硬化，亦可製成電鑄模EM。同樣 爲圖上未標示，將導電糊塗敷於凹部3b爲下側之前驅物3 ’ 的下面後，使其疊合於導電性基體2上之狀態下進行乾燥 ，又，黏著劑爲硬化型樹脂時則實施硬化，然後硏磨前驅 物3 Μ吏凹部3 b貫通，亦可製成電鑄模EM。 此時，如前面所述，基本上，導電性基體2會從通孔圖 案3a之底部外露，其中，尤其是通孔圖案3a之邊緣部的 一部份，會有由被擠壓出之導電糊所形成的導電膜，然而 ，因爲此種導電膜具有如前面所述之優良特性，故無需將 其去除。故此時無需去除導電膜亦可製成具有良好特性之 微細金屬零件。 導電膜1之基礎的導電糊lf，最好爲含有鏈狀金屬粉末 及黏著劑之固形成分，且將相對於固形成分之總量的鏈狀 金屬粉末比率調整爲〇.〇5〜20體積％者。其理由如前面所 述。 鏈狀金屬粉末及黏著劑和前面所示實施例相同。 導電糊1’之塗敷厚度應爲0.5〜70//m較好。 塗敷厚度爲0 . 5 # m以下時，無法充份獲得利用導電糊將 -32- 200409144 模3固定於導電性基體2上之效果，鍍敷時容易產生模偏 離等的情形，而可能降低微細金屬零件之形狀的再現性。 相反的，若超過7 0 // m，將模3重疊於導電性基體2上時 ’因重疊時之應力或模3之重量等而被擠壓出之過剩導電 糊’會有不少量被擒壓至通孔圖案3 a內而形成波狀或水滴 狀’結果’因鍍敷開始面並非平坦面而無法形成具有均一 晶體構造之鍍敷覆膜，或是導電糊堆積較高部份之鍍敷覆 膜會較薄，而無法製成具有特定厚度之微細金屬零件。 導電性基體2可以利用噴鍍法等，在如不銹鋼、a 1、Cu 等金屬系或合金系基體上、或是Si、玻璃、陶瓷、塑膠等 非導電性基體上實施導電層之積層而形成之複合物等。又 ’必要時’亦可利用噴鍍法等，在前述金屬系或合金系基 體上實施由同種或他種金屬所構成之導電層。 形成模3之絕緣材料，應採用可實施前述之射出成型、 反應性射出成型等之樹脂。此種樹脂如聚甲基丙烯酸甲酯 、聚丙嫌、聚碳酸脂、環氧樹脂等。 其次，本發明中，以前述方法製造之電鑄模EM，在第5A 圖所示之從通孔圖案3 a部份外露之導電膜1表面、圖上未 標示之從通孔圖案3 a部份外露之導電性基體2表面、及由 被擠壓至該處之導電糊所構成的導電膜1表面上，可利用 以這些部位當做電極之鍍敷實施鍍敷覆膜之選擇性生長。 亦即，將導電膜1或導電性基體2當做陰極，而將想要 鍍敷之金屬或合金等當做陽極，將其浸入鍍敷槽並施加電 壓，實施鍍敷覆膜之生長。如此的話，可如前面所述，在 -33- 200409144 其整體形成具有均一晶體構造、對應通孔圖案3 a形狀、以 及成爲微細金屬零件之基礎的鍍敷覆膜4 ’（第5B圖）。 其次，同時對形成之鍍敷覆膜4 ’及模3進行硏磨或硏削 等使其具有特定高度後，去除模3(第5C圖）。 去除模3之方法，爲了避免勉強施加應力導致鍍敷覆膜 V變形，應採用如利用氧等離子之灰化、或利用照射X射 線、紫外線之分解等不接觸之方法。 最後，去除導電膜1及導電性基體2即完成微細金屬零 件4(第5D圖）。 去除導電膜1及導電性基體2之方法’爲利用適當溶媒 溶解、或以乾蝕刻等分解並去除導電膜1之方法。利用此 方式消除導電膜1後，再去除殘餘之導電性基體2即可。 <微細金屬零件之製造方法之11> 本發明之微細金屬零件製造方法之Π中，除了使用含有 鏈狀金屬粉末、及粒徑小於該鏈狀金屬粉末之金屬粉末之 導電糊以外，其餘和前述製造方法之I相同’如第5A圖所 示，經由導電膜1，將由具有對應微細金屬零件形狀之微 細通孔圖案3 a之絕緣材料所構成之模3固定於導電性基體 2上，製造電鑄模EM。 其具體步驟和製造方法之1時相同。 亦即，以 (A)如第3A、3B圖所示’在導電性基體2之整面塗敷 導電糊1，後，將模3重疊於其上，實施導電糊丨’之乾燥、 固化、或者硬化，形成導電膜1，同時將模3固定於導電 一 34 - 200409144 性基體2上； (B) 圖上並未標示，將導電糊塗敷在模3之下面後，在 將其疊合於導電性基體2上之狀態下’實施導電糊之乾燥 、固化、或者硬化，將模3固定於導電性基體2上； (C) 如第4A〜4C圖所示，在導電性基體2之整面塗敷 導電糊1 ’後’將模3之前驅物3 ’以凹部3b朝下方式重疊 其上，貫施導電糊1 ’之乾燥、固化、或者硬化使其黏著、 固定後，進行硏磨使凹部3b貫通； (D) 圖上並未標示，將導電糊塗敷於凹部3b朝下時之 前驅物3 ’的下面，使其疊合於導電性基體2上之狀態下， 實施乾燥、固化、或者硬化使其黏著、固定後，進行硏磨 使凹部3b貫通； 之其中任一種方法來製作電鑄模EM。 則述（A )、（ C )時之電鑄模E Μ ’通孔圖案3 a之底部整面 會覆蓋著導電膜1。又，前述（B)、（D)時，基本上，導電 性基體2會從通孔圖案3 a之底部外露，其後，尤其是通孔 圖案3 a之邊緣部的一部份，會出現由被擠壓出之導電糊所 形成之導電膜的狀態。 無論那一種狀態，導電膜1除了會具有源自鏈狀金屬粉 末特性之優良導電性以外，尙因爲粒狀金屬粉末之行爲而 可增加供電點之分布密度。 所以，持續實施第5B〜5D圖之步驟即可製造具良好特性 之微細金屬零件4。 導電膜1之基礎的導電糊1，塗敷厚度’基於前面所述之 -35- 200409144 相同理由，應爲0 · 5〜7 0 // m較好。 導電糊1 1最好爲含有鏈狀金屬粉末及黏著劑之固形成分 ，且相對於固形成分之總量，鏈狀金屬粉末爲〇 . 〇 5〜2 0體 積％、粒狀金屬粉末爲0 · 0 5〜2 0體積％者較好。其理由如前 面所述。 鏈狀金屬粉末及黏著劑和前面所示實施例相同。 又，粒狀金屬粉末亦可以和前面所述相同之還原析出法 來製造。 實施還原析出法時，利用前述機構製造不會鏈狀相連且 由Ag、Cu、Al、Au、Rh等不具順磁性之金屬製成金屬粉末 ，其本身即會呈現粒狀。 若將還原劑溶液之pH設定爲7以下實施還原析出法，即 使爲具順磁性之金屬所形成的金屬粉末，亦可防止其鏈狀 結合而成爲粒狀。亦即，將pH設定於7以下實施還原析出 & ’因會抑翻金屬之玍長ϋ遵：，在反應初期之液中，可防 止容易形成鏈狀相連之單晶構造的金屬粉末大量產生。因 此’即使爲由具順磁性之金屬所形成的金屬粉末，亦會成 爲粒狀。 而且，利吊還原祈出法成之粒狀金屬粉末，各粒徑十 分一致旦粒度分布狹窄。因爲還原反應在系統中均一進行 。浮以，使S此種金屬粉末可使導電膜之導電性更爲均一 ，〔可製造具有更良好特性之微細金屬零件。 金屬粉末 Cu粉末時，此種Cu粉末之形成上，應以降 低含Cu ( I )氨（配位子)錐離子之溶液的pH，使金屬Cu以超 200409144 微粒子狀析出。 此方法係利用在溶液爲鹼性狀態時，安定之Cn ( I )氨（配 位子）錯合物會使溶液處於氧化狀態而不安定化，錯合物中 之Cu(I)離子（Cu1 + )會歧化分解反應成Cu(II)離子（Cu2+)及 Cu(Cu)，而在溶液中析出金屬Cu。 利用此方法，可在不使用還原析出法中當做還原劑使用 之危險物質…聯氨或聯氨化合物而更安全地製造Cu粉末。 所以，無需實施嚴格安全管理之生產設備及保存設備等。 又，含有Cu(I)氨錯離子之溶液，可以如下述方式製成 ，將含有硫酸Cu( I I )、氨、及硫酸氨之溶液中添加金屬Cu ，在無氧條件下使其反應，而在下一步驟中析出金屬Cu得 到Cu粉末後之含有Cu( II)離子的溶液，可再度利用爲製 作含Cu ( I )氨（配位子）錯離子之溶液時的起始原料。亦即 ，溶液可爲半永久地使用。 所以，可以將Cu粉末之製造成本，可以降低至比到目前 爲止之成本更低的成本。 又’前面所述之從含Cu( I )氨錯離子之溶液的調製步驟 、到析出金屬Cu製作Cu粉末之步驟爲止的全部步驟中， 都無需添加磷酸鹽等含有可能和Cu共析之元素在內之成分 。而且，調整歧化分解反應之條件，而使金屬C u之析出速 度愈快時，則可更進一步減少雜質之混入量。 所以，例如在調製含C u ( I )氨（配位子）錯離子之溶液時 ，即使使用再生C u等之低純度且便宜的金屬c u，亦可將C u 粉末之純度維持於高純度。 一 37 - 200409144 又，前述歧化分解反應例如在捏合下進行，金屬Cu之析 出因可在溶液中均一進行，故產生之Cu粉末的複數|立子間 會有大致一致之粒徑。 而且，在捏合下進行歧化分解反應，可以防止只在各粒 子之特定部份選擇性析出金屬Cu，粒子之生長因爲全方向 且平均化，故產生之Cu粉末的形狀會大致都爲球形。 所以，使用前述C u粉末，不但可使導電膜之導電性更進 一步均一化，亦可更進一步提局其表面之平滑性，故可製 造具有更良好特性之微細金屬零件。 <微細金屬零件之製造方法之111> 本發明之微細金屬零件製造方法之I I I中，如第6A圖所 示，除了在導電性基體2之整面塗敷導電糊來形成第1導 電膜1以外，尙在其上塗敷含有粒徑小於該第1導電膜1 含有之鏈狀金屬粉末的金屬粉末之導電糊5 ’後，再如第6 B 圖所示，將模3疊合於上面。 其次，實施導電糊5’之乾燥，同時黏著劑爲硬化型樹脂 時實施硬化，形成第2導電膜5，同時將模3固定於導電 性基體2上，製成電鑄模EM。 或者又，如第7A〜7C圖所示，在第1導電膜1上塗敷導 .颂5 ’後，將模3之前驅物3 '以凹部3 b朝下方式重疊其 二，實施導電糊5，之乾燥、固化、或者硬化使其黏著、固 ：荽，進行該前驅物3’之硏磨使凹部3b貫通，而製成電 :真EM亦可。 無論何種方式，電鑄模ΕΜ之通孔圖案3a之底部整面會 - 3 8 - 200409144 覆蓋著第2導電膜。 因此，即使第1導電膜1之表面在鍍敷開始時之供電點 分布密度不足時，第2導電膜中之金屬粉末亦會塡埋該間 隙，而增加供電點之分布密度。 所以，持續實施第5A〜5D圖之步驟即可.製造具良好特性 之微細金屬零件4。 第1導電膜1之基礎的導電糊1'可以使用和前述製造方 法之I相同者。 又，導電糊1 ’塗敷厚度，亦基於前面所述之相同理由， 應爲0.5〜70//m較好。 又，第2導電膜5之基礎的導電糊5'之塗敷厚度，應爲 0.5〜70 "m較好。 •塗敷厚度爲0 . 5 μ m以下時，無法充份獲得利用導電糊將 模3固定於導電性基體2上之效果，鍍敷時容易產生模偏 離的情形，而可能降低微細金屬零件之形狀的再現性。 相反的，若超過70 // m，將模3重疊於導電性基體2上時 ’因重疊時之應力或模3之重量等而被擠壓出之過剩導電 糊，會有不少量被擠壓至通孔圖案3 a內而形成波狀或水滴 狀，結果，因鍍敷開始面並非平坦面而無法形成具有均一 晶體構造之鍍敷覆膜，或是導電糊堆積較高部份之鍍敷覆 膜會較薄，而無法製成具有特定厚度之微細金屬零件。 第2導電膜5之基礎的導電糊5 ·，最好爲含有粒徑小於 第1導電膜1含有之鏈狀物的金屬粉末、及黏著劑之固形 成分，且將相對於固形成分之總量的金屬粉末比率調整爲 - 39- 200409144 0.05〜70體積％者。其理由如前面所述。 黏著劑則可使用和前面所述相同之物。 金屬粉末之粒徑只要小於第1導電膜含有之鏈狀物即可 ，其範圍並無特別限制，但平均粒徑最好爲4〇0nm以下。 平均粒徑爲400nm以下，可以提高裝塡密度，而增加金屬 粉末間之接觸點數。因此，可更進一步提高利用第2導電 膜增加供電點分布密度之效果。 金屬粉末係由Ag、Cu、Ni、Al、Au、Rh等形成，可使用 粒徑小於第1導電膜含有之鏈狀金屬粉末且具有鏈狀、粒 狀、薄片狀等各種形狀之金屬粉末。 其中之鏈狀金屬粉末可以如前面所述之方法來製造。 又，粒狀金屬粉末亦可以如前面所述之方法來製造。 尤其是粒狀金屬粉末，如前面說明所示，可使用以降低 含Cu(I)氨（配位子）錯離子之溶液的pH來使金屬Cu以超 微粒子狀析出者。使用此種Cu粉末，不但可使導電膜之導 電性更進一步均一化，亦可更進一步提高其表面之平滑性 ，故可製造具有更良好特性之微細金屬零件。 以前述製造方法之I〜之I I I製造的微細金屬零件’皆 如前面所述，因晶粒具有應有之粒徑，擁有可發揮預期之 物理、機械、及電性之特性的單一層構造’而具有良好特 性。 此種微細金屬零件可以使用於如半導體檢查元件等之接 觸探針、加速度檢測器等之微引動器、光開關、微連接器 等。 -40- 200409144 [產業上之利用性] 如上面所述，本發明之導電糊因爲可使導電膜之電阻係 數小於目前水準’故可有效地當做導電膜之形成材料或導 電黏著劑等來應用。又，本發明之導電膜因爲具有不同於 一般之電導率各向異性，亦可以應用於到目前爲止未曾應 用過的用途上。又’本發明之鍍敷方法、以及應用其之微 細金屬零件的製造方法，可以製造具有優於到目前爲止之 良好特性的微細金屬零件。 [實施例] 以下以實施例及比較例來說明本發明。 (實施例1 ) <鏈狀Ni粉末之製造> 將三氯化鈦及檸檬酸三鈉加入純水中，調製雨成分之濃 度如表1所示數値的還原劑溶液。 成份 濃度（mol/L)

0 · G 4 ίΏ 〇 ] / L 之溶鐵 4 200409144 再將此溶液l〇〇ml添加至前面之還原劑溶液 在3 5 °C進行1小時捏合後，將析出於溶液中之 行過濾及水洗後實施乾燥，製成N i粉末。 以掃描型電子顯微鏡圖觀察所得到之N i粉末 第8圖所示，確認微細金屬粒具有鏈狀相連之死 又，從前述電子顯微鏡圖測量金屬粒之粒徑万 鏈徑，金屬粒之粒徑約l〇〇nm、鏈徑約200nm。 <導電糊之調製> 將90重量％之以前述方法製造的鏈狀Ni粉未 量％之當做黏著劑使用的聚氟化亞乙烯基樹脂， 使用之N -甲基-2 -吡咯啶酮一起混合，調製導電 <導電膜之形成> 在當做底層之聚醯亞胺薄膜的一側面，以固 著量爲20mg/cm2之方式塗敷利用上述方法調製 ，實施100°C、4小時之乾燥來去除溶媒，形成; 以金屬顯微鏡觀察導電膜表面，確認表面幾 而爲大致平坦。評估表面狀態爲良好。又，測 的體積本質電阻爲1χ1〇_4Ω·(：ιη。 <敷覆膜之形成> 其次，在此導電膜裝設導電端子並當做供電 表2所示濃度之Ni鍍敷槽中，在電流密度1〇/ 溫4 0〜6 0 °C之條件下，實施1小時鍍敷。 100ml 內， 固形成分進 的形狀，如 I N i粉末之 :、及10重 和當做溶媒 形成分之附 之導電糊後 導電膜。 乎沒有凹凸 得之導電膜 部，浸入下 〜1 5 0mA/ cm2 200409144 表2 Νι鍍敷槽（pH3.5〜4.5) 成份 濃度

氨基磺酸鎳 450g/L

硼酸 30g/L 鍍敷後，以金屬顯微鏡觀察在導電膜上形成之鍍敷覆膜 剖面，測量厚度方向之上下各5%位置之晶粒尺寸。若導電 膜側之晶粒尺寸爲4 1，而覆膜表面側之晶粒尺寸爲（/) 2，則 由公式（1 ):

Rc/) = φ J φ 2 ( 1 ) 求取晶粒尺寸之比率R 4爲1 . 1，晶粒之尺寸幾乎沒有誤 差，確認鍍敷覆膜在厚度方向整體具有均一之晶體構造。 (實施例2 ) <鐽狀高萆磁合金粉末之製.造> 將氯化鎳6水合物及氯化鐵加入純水中，調製兩成分之 濃度如表3所示數値的溶液。 叛份 濃度（mol/L) S化鎳 0,008 氯化鐵 0.032 將溶壤10Cn':: 稼：ί 至和實施例1相同之還原劑溶液 200409144 1 0 0m 1內’在3 5 °C進行1小時捏合後，將析出於溶液中之 固形成分進行過濾及水洗後實施乾燥，製成高導磁合金 [Ni(20%)-Fe 合金]粉末。 以掃描型電子顯微鏡圖觀察所得到之高導磁合金粉末的 形狀’如第9圖所示，確認微細金屬粒具有鏈狀相連之形 狀。 又’從前述電子顯微鏡圖測量金屬粒之粒徑及高導磁合 金粉末之鏈徑，金屬粒之粒徑約50nm、鏈徑約l〇〇nm。 <.導電糊之調製> 將90重量％之以前述方法製造的高導磁合金粉末、及10 重量％之當做黏著劑使用的聚氟化亞乙烯基樹脂，和當做溶 媒使用之N -甲基-2 -吡略啶酮一起混合，調製導電糊。 〈導電膜之形成> 除了使用前述導電糊以外，其餘和實施例1相同，在當 做底層之聚醯亞胺薄膜的一側面上形成導電膜。 以金屬顯微鏡觀察導電膜表面，確認表面幾乎沒有凹凸 而爲大致平坦。評估表面狀態爲良好。又，測得之導電膜 的儘積本質電阻爲2χ10·4Ω·^。 敷覆膜之形成> 其次，除了使用此導電膜以外，其餘和實施例1相同， 3 Λ Ni之鍍敷後，以金屬顯微鏡觀察在導電膜上形成之鍍 :1膜剖面，利用公式（1 )求取之晶粒尺寸比率R 0爲〇 · 9 •晶粒之尺寸幾乎沒有誤差，確認鍍敷覆膜在厚度方向整 :具有均一之晶體構造。 -44- 200409144 (實施例3 ) <導電膜之形成> 在當做底層之聚醯亞胺薄膜的一側面，以固形成分之附 著量爲2 0 m g / c m2之方式塗敷利用和實施例1調製之導電糊 相同的導電糊後，沿著面方向施加強度79A/m之磁場，並 實施1 0 0 °C、4小時之乾燥以去除溶媒，形成導電膜。 導電膜之鏈狀N i粉末會沿著前述磁場方向配向，而只有 面內之前述配向方向具有高電導率。亦即，導電膜之面內 之鏈狀Ni粉末配向方向的體積本質電阻雖然爲5χ10·5Ω·οιη 之低値，然而，相同面內而和配向方向垂直之方向的體積 本質電阻爲導電膜之厚度方向的體積本質電 阻則爲 2 . 5 X 1 0 ·3 Ω · c m。 以金屬顯微鏡觀察導電膜表面，確認表面幾乎沒有凹凸 而爲大致平坦。評估表面狀態爲良好。 <鍍敷覆膜之形成> 其次’除了在此導電膜之配向方向的端部裝設導電端子 並當做供電部以外，其餘和實施例1相同，實施N i之鍍敷 後’以金屬顯微鏡觀察在導電膜上形成之鍍敷覆膜剖面， 利用公式（1)求取晶粒尺寸之比率R0爲1.1，晶粒之尺寸 幾乎沒有誤差，確認鍍敷覆膜在厚度方向整體具有均一之 晶體構造。 (比較例1 ) <導電糊之調製> 將9 0重量％之平均粒徑爲1 · 2 // m的球狀n i粉末、及1 〇 200409144 重量％之當做黏著劑使用的聚氟化亞乙烯基樹脂，和當做溶 媒使用之N -甲基-2 -吡咯啶酮一起混合，調製導電糊。 <導電膜之形成〉 除了使用前述導電糊以外，其餘和實施例1相同，在當 做底層之聚醯亞胺薄膜的一側面上形成導電膜。 以金屬顯微鏡觀察導電膜表面，確認表面有對應N i粉末 尺寸之不均一凹凸而非平坦。評估表面狀態爲不良。又， 測得之導電膜的體積本質電阻爲8x1 (Γ4Ω· cm。 <鍍敷覆膜之形成> 其次，除了使用此導電膜以外，其餘和實施例1相同， 實施N i之鍍敷後，以金屬顯微鏡觀察在導電膜上形成之鍍 敷覆膜剖面，利用公式（1 )求取之晶粒尺寸比率R 4爲3 . 0 ，晶粒之尺寸有較大的誤差，確認鍍敷覆膜具有金屬晶粒 較大之區域、及晶粒較小之區域的2層構造。 (比較例2 ) <導電糊之調製> 將90重量％之平均粒徑爲的球狀Ag粉末、及10 重量％之當做黏著劑使用的聚氟化亞乙基樹脂，稆當做溶 媒使用之N -甲基〜2 咯哫P — ΐ五·' ，調製導電箱 <_電膜之形成> 除了使用前述導電糊以舛，3 h I實施例1 5，在當 ^層之聚醯亞ϋ :1.的一側面上形成導電膜。 金屬a微鏡氕r導電膜表面，乂，表面t厂./ :·末 尺寸之不均一凹凸而非平坦。評估表画狀態爲γ良。又， 200409144 測得之導電膜的體積本質電阻爲ΐχ10_5ΩΦί:ΙΏ° <鍍敷覆膜之形成> 其次，除了使用此導電膜以外，其餘和實施例1相同， 實施N i之鍍敷後，以金屬顯微鏡觀察在導電膜上形成之鍍 敷覆膜剖面，利用公式（1)求取之晶粒尺寸比率R 0爲2 · 0 ，晶粒之尺寸有較大的誤差，確認鍍敷覆膜具有金屬晶粒 較大之區域、及晶粒較小之區域的2層構造。將以上結果 匯整成表4。 表4 導電膜之 表面狀態 導電膜之 體積本質電阻 R0 實施例1 良 2xl〇·4 1.1 實施例2 優良 2xl〇'4 0.9 實施例3 優良 5xl〇'5 1 · 1 比較例1 劣 8xl0·4 3.0 比較例2 劣 lxlO'5 2.0 (實施例4 ) # <導電糊之調製> 將20重量％之前述實施例1製造的鏈狀Ni粉末、及80 U量％之液狀硬化型樹脂的熱硬化型丙烯酸漿體混合，調製 ”，糊。相對於兩者之總量的鏈狀N i粉末比率爲2 · 5體積 :禱模之製作> 利用X射線微影術及電鑄，如第2A圖所示，在導電性基 -47- 200409144 板1 M2上形成微細金屬零件之基礎的母模1 Μ 1。 其次，利用此母模1 Μ 1以反應性射出成型實施光硬化性 樹脂[長瀨產業（株）製、商品名稱XNR5 5 07 ]之成形後，實 施光硬化，得到對應前述母模1 Μ 1形狀、具有通孔圖案3 a 之基礎的微細凹部3 b的模3之前驅物3 ’ [第2B、2C圖]。 光硬化條件爲照射線量3J / cm2、壓力0 . IMP a。 其次如第4A圖所示，在當做導電性基體2之Cu基板上 ’以刮刀塗敷厚度5 // m之以前述方法調製之導電糊1 ’後， 並以凹部3b朝下方式疊合前述前驅物3 ’，以〇 . IMPa之壓 接力進行壓接，實施80°C之2小時加熱，使導電糊1 ’中之 熱硬化型丙烯酸漿體硬化，形成導電膜1，同時將前驅物3 ’ 固定於導電性基體2上（第4B圖）。 狀之通孔 其次’對被固定之刖驅物3’進行硏磨，使其厚度成爲150 並使凹部3b貫通’製成具有對應母模iMi I重！案3 a的模3 21、第4 C圖唐示的電鑄模£ μ。 利用導電糊之固定十分強固，實施前面所述 硏磨時，亦不會有偏離或剝離等情形。 <徴細金屬零件之製造> t做供電 密度10 在前述電鑄模ΞΜ之導電性基體2裝設導電踅 浸入下述表所示濃度之Ν :鍍敷槽中，在 200409144 表5

Ni鍍敷槽（pH3 . 5〜4.5) 成份 濃度

氨基磺酸鎳 4 5 0 g / L

硼酸 30g/L 貫時2小時前述鍍敷’如第5b圖所示，電鑄模之通 孔圖案3 a會被鍍敷覆膜4，塡埋，故從鍍敷槽取出進行充 份水洗後，同時對鍍敷覆膜4 ·及模3進行硏磨，使厚度一 致爲6 0 // m。 其次’利用氧等離子進行灰化，分解去除模3後，以濕 蝕刻溶解去除導電膜丨，再去除導電性基體2，製成對應前 述母模1MI彤狀之微細金屬零件4。 以3次元表面構造解析顯微鏡[ZYG〇公司製之 N e w V i e w 5 0 1 ()]測量製成之微細金屬零件4表面的表面粗度 ，中心線平均粗度R a爲〇 . 5 // m以下。 又’測量製成之微細金屬零件4的抗拉強度，抗拉強度 以發度比來表示，而強度比則爲測得之抗拉強度相對於直 Γ·平坦Cu基板上依相同條件實施鍍敷所形成之同尺寸微 :::S屬零件抗拉強度的百分比，故其測量値爲90%。 闺前述事實可知，實施例4中製造之微細金屬零件4, :V.膜初期階段開始，即會產生具有和在平坦金屬表面生 Λ犮相同之應有粒徑的晶粒，且其整體因具有均一晶體構 -49 - 200409144 造，擁有可發揮預期之物理、機械、及電性特性的單一層 構造，而具有良好特性。 (實施例5 ) <導電糊之調製> 將20重量％之前述實施例1製造的鏈狀Ni粉末、20重 量％之平均粒徑 50nm的球狀Ag粉末、及60重量％之液狀 硬化型樹脂的熱硬化型丙烯酸漿體混合，調製導電糊。相 對於三者之總量的鏈狀N i粉末比率爲2 · 5體積％，而球狀 Ag粉末比率爲2體積％。 <電鑄模之製作> 如第4A圖所示，在當做導電性基體2使用之Cu基板上 ，塗敷以前述方法調製之導電糊1 '後，並將以和實施例4 相同方式形成之前述前驅物3 ’，以凹部3 b朝下方式疊合 ，並以0 . IMPa之壓接力進行壓接，實施8(TC之2小時加熱 ，使導電糊1 ’中之熱硬化型丙烯酸漿體硬化，形成導電膜 1，同時將前驅物3 ’固定於導電性基體2上（第4 B圖）。 其次，對被固定之前驅物3 ’進行硏磨，使其厚度成爲i 50 // m並使、凹邰3 b貫通’製成具有對應母模1 μ 1形狀之通孔 圖案3 a的模3之、第4C圖所示的電鑄模ΕΜ。 利用導電糊之固定十分強固’實施前面所述之前驅物3, 研磨時，亦不會有偏離或剝離等情形。 其後，利用此電鑄模EM，和賨施例4相同，製成同形狀 、同尺寸之微細金屬零件4。 ~ 以前述相问方式’測星製成之微細金屬零件4表面的表 - 50- 200409144 面粗度，中心線平均粗度R a爲〇 . 2 // m以下。 又，測量製成之微細金屬零件4的抗拉強度’求取和前 述相同之強度比，而爲9 5 %。 由前述事實可知，實施例5中製造之微細金屬零件4， 從成膜初期階段開始’即會產生具有和在平坦金屬表面生 長時相同之應有粒徑的晶粒，且其整體因具有均一晶體構 造，擁有可發揮預期之物理、機械、及電性特性的單一層 構造，而具有良好特性。 (實施例6 ) <導電糊之調製> 將.75重量％之平均粒徑 50nm的球狀Ag粉末、及25重 量％之液狀硬化型樹脂的熱硬化型丙烯酸漿體混合，調製導 電糊。相對於兩者之總量的球狀Ag粉末比率爲20體積％。 <電鑄模之製作> 如第7 A圖所示，在當做導電性基體2使用之C u基板上 ，以刮刀塗敷以實施例4相同方法調製、含有Ni粉末之厚 度5 // m的導電糊後，實施8 0 °C之2小時加熱，使導電糊中 之熱硬化型丙烯酸漿體硬化，形成第1導電膜。 其次，在此第1導電膜1上，塗敷以前述方法調製、含 胃球狀Ag粉末之導電糊5’後，並將以和實施例4相同方 成之前驅物3’，以凹部3b朝下方式疊合，並以O.iMPa ，Γ接力進行壓接，實施801之2小時加熱，使導電糊中 :硬化型丙烯酸漿體硬化，形成第2導電膜5，同時將 L S物P固定於導電性基體2上（第7B圖）。 -51- 200409144 其次，對被固定之前驅物3 ’進行硏磨，使其厚度成爲1 50 A m並使凹部3b貫通，製成具有對應母模1M1形狀之通孔 圖案3a的模3之、第7C圖所示的電鑄模EM。 利用導電糊之固定十分強固，實施前面所述之前驅物3 ’ 硏磨時，亦不會有偏離或？離等情形。 其後，利用此電鑄模EM，和實施例4相同，製成同形狀 、同尺寸之微細金屬零件4。 以前述相同方式，測量製成之微細金屬零件4表面的表 面粗度，中心線平均粗度R a爲〇 . 2 // m以下。 又，測量製成之微細金屬零件4的抗拉強度，求取和前 述相同之強度比，而爲9 5 %。 由前述事實可知，實施例6中製造之微細金屬零件4， 從成膜初期階段開始，即會產生具有和在平坦金屬表面生 長時相同之應有粒徑的晶粒，且其整體因具有均一晶體構 造，擁有可發揮預期之物理、機械、及電性特性的單一層 構造，而具有良好特性。 (比較例3) <導電糊之調製> 將20重量％之平均粒徑1 · 2 // m的球狀Ni粉末、及8〇重 量％之液狀硬化型樹脂的熱硬化型丙烧酸漿體混合，調製導 電糊。相對於兩者之總量的球狀N i粉末比率爲2 . 5體積％ 〇 <電鑄模之製作> 如第4A圖所不’在當做導電性基體2使用之Cu基板上 ~ 5 2 - 200409144 ’塗敷以前述方法調製之導電糊丨，後，將以和實施例4相 同方式形成之前驅物3，，以凹部3 b朝下方式疊合，並以 〇 · IMPa之壓接力進行壓接，實施8(TC之2小時加熱，使導 電糊中之熱硬化型丙烯酸漿體硬化，形成導電膜1，同時 將前驅物3 ’固定於導電性基體2上（第4B圖）。 其次’對被固定之前驅物3 ’進行硏磨，使其厚度成爲1 50 並使凹部3b貫通，製成具有對應母模ιΜ1形狀之通孔 圖案3a的模3之、第4C圖所示的電鑄模EM。 利用導電糊之固定十分強固，實施前面所述之前驅物3 ’ 硏磨時，亦不會有偏離或剝離等情形。 其後，利用此電鑄模EM，和實施例4相同，製成同形狀 、同尺寸之微細金屬零件4，然而，在至模3之厚度 (1 50 // m)爲止之間，並未形成可發揮微細金屬零件4機能 之連續鍍敷覆膜。 比較例4 ) <導電糊之調製> 將7 5重量％之平均粒徑1 · 2 // m的球狀N i粉末、及2 5重 5之液狀硬化型樹脂的熱硬化型丙烯酸漿體混合，調製導 \ :。相對於兩者之總量的球狀N i粉末比率爲2 5體積％。 «鑄模之製作> 在當做導電性基體2使用之Cu基板上，塗敷以前述方法 …之導電糊後，將以和實施例4相同方式形成之前驅物 '~以凹部3b朝下方式疊合，並以0 . IMPa之壓接力進行 I接，實施801之2小時加熱，使導電糊中之熱硬化型丙 200409144 烯酸漿體硬化，然而，無法將前驅物3 ’固定於導電性基體 2上。 以上結果匯整成表6。 表6 ,先質之 Ra R0 固定 (// m) (%) 實施例4 實施例5 良. 良 <0.5 <0.2 90 95 實施例6 良 <0.2 95 比較例3 良 — -- 比較例4 劣 — --

[元件符號之說明] Μ 1〜Μ 6 金屬粉末 ml 金屬粒 Η Μ 電變模 1 導電膜 1 : 導電糊 # 2 導電性基體 1 模 ' 'J5" 〃 fe:歡覆膜

Claims (1)

1. 200409144 拾、申請專利範圍 1. 一種導電糊，其特徵爲：含有之導電成分爲具有由微細金 屬粒形成多數之鏈狀相連形狀的金屬粉末。 2 .如申請專利範圍第1項之導電糊，其中鏈狀金屬粉末、 或形成該金屬粉末之各金屬粒係由 •具有順磁性之單體金屬、 •具有順磁性之2種以上金屬的合金、 •具有順磁性之金屬及其他金屬之合金、或 •含有具順磁性之金屬的複合物 所形成。 3 ·如申請專利範圍第2項之導電糊，其中鏈狀金屬粉末或 金屬粒之整體或一部份，係在含有1種或2種以上具有 順磁性之金屬離子之金屬離子的溶液中，利用還原劑將 該離子還原成金屬，並使其在溶液中析出而形成者。 4·如申請專利範圍第3項之導電糊，其中還原劑爲三價之 鈦化合物。 5 .如申請專利範圍第1項之導電糊，其中金屬粒之粒徑爲 400nm以下。 d .如曱請專教:範圍第I項之導電糊，其中金屬粉末之鏈徑 爲 1 // m以'下。 —〒請辱於1 _之導電糊，其中含有鏈狀金屬粉 X及黏者·齊U作爲固形成分，且相對於固形成分之總量的 鉱^金屬粉末含有比率爲5〜95重量％。 8·—種導電膜，其特徵爲：將申請專利範圍第丨項之導電糊 200409144 塗敷於底層上形成塗膜，從特定方向對該塗膜施加磁場 ，使該塗膜中之鏈狀金屬粉末對應前述磁場而爲特定方 向之配向，固化塗膜以固定金屬粉末之配向。 9 . 一種鍍敷方法，其特徵爲：具有將申請專利範圍第1項之 導電糊塗敷於底層上形成導電膜之步驟；及將該導電膜當 做電極實施鍍敷，在該導電膜上實施鍍敷覆膜之生長的 步驟。

   1 〇 .如申請專利範圍第9項之鍍敷方法，其中導電膜之體積 本質電阻爲lQ*cm以下。 1 1 .如申請專利範圍第9項之鍍敷方法，其中導電糊中之鏈 狀金屬粉末含有至少1種和鍍敷覆膜所含之金屬相同。 1 2 , —種微細金屬零件之製造方法，其特徵爲具有：經由以申 請專利範圍第1項之導電糊所構成的導電膜，將具有對 應微細金屬零件形狀之微細通孔圖案、S絕緣材料構成

   之模固定於導電性基體上而形成電鑄模之步驟；以及在從 此電鑄模之通孔圖案部份外露之導電性基體或導電膜表 面上，利用以該表面爲電極之鍍敷，實施鍍敷覆膜之選 擇性生長而形成r;事r y案厂3之微網金屬零件的步 驗。 如申請專利筆 激細 製 -—ί- . * 十.使 ί,糊係含t ^狀金 及黏著劑 200409144 中使用之導電糊係含有鏈狀金屬粉末、以及粒徑小於該 鏈狀金屬粉末之球狀金屬粉末。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之微細金屬零件之製造方法，其 中使用之導電糊係含有鏈狀金屬粉末、粒狀金屬粉末及 黏著劑之固形成分，且相對於固形成分之總量的鏈狀金 屬粉末含有比率爲0.05〜20體積％，且粒狀金屬粉末含 有比率爲0.05〜20體積％。 1 6 . —種微細金屬零件之製造方法，其特徵爲具有：除了在導 電性基體上依序形成由申請專利範圍第1項之導電糊所 形成之第1導電膜、以及以含有粒徑小於第1導電膜含 有之鏈狀金屬粉末之金屬粉末的導電糊所形成之第2導 電膜以外，尙經由兩導電膜，將由具有對應微細金屬零 件形狀之微細通孔圖案的絕緣材料所構成之模固定於導 電性基體上，形成電鑄模之步驟；以及在從此電鑄模之通 孔圖G記份外露的第2導電膜表荒，以利甩該表面做爲 電極Ζ鍍敷實施鍍敷覆膜之選擇性生長，來形成對應通 孔圖案形狀之微細金屬零件之步驟。 i 7 .如申證專利範圍第1 6項之微細」;F ^ ：亡方法，其 中形成第2妗二二ΐ J之導1 t i J . 及 黏著劑之固形成分‘且相對於固彭威分之鋪:量的金屬粉 含私：:匕銮爲0 .. 0 5.體積％。