TW200405631A - Semiconductor light emitting device and optical disk unit using it - Google Patents

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Shinichi Agatsuma
Nozomu Hoshi
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Description

200405631 玫、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明乃有關於一種半導體發光裝置及使用其之光碟裝 置’居半導體發光裝置為在單一晶片上形成有發光波長相 異的複數個發光元件的所謂單晶矽型者，特指共用基板上 設有磷化銘鎵銦系或砷化鋁鎵系的元件做為發光元件的半 導體發光裝置及光碟裝置。 【先前技術】 近年’在半導體發光裝置的領域中，有關共用基板上設 有發光波長相異之發光元件的半導體雷射（LD : laser diode，运射一極體）(稱為多波長雷射）的開發相當盛行。 此系多波長雷射例如做為光碟裝置的光源來使用··目 鈾，一般在光碟裝置中，除了 780 nm頻帶的半導體雷射光 應用於CD (Compact Disk:光碟）的播放之外，也應用於 CD-R (CD Recordable :可錄寫 cD)、CD_RW (CD Rewritable ··可覆寫CD)或MD (Mini Disk :迷你光碟）等之 可記錄光碟的記錄與播放之用；此外，65〇 nm頻帶的半導 體雷射光應用於DVD (Digital Versatile Disk :數碼影像光 碟）的記錄及及播放。因此，藉由將上述般的多波長雷射搭 載於光碟裝置，不論為既有的複數種光碟的任一種，均能 進行記錄或且播放。 做為上述般之多波長雷射之一例，已有人提出有關在單 阳片上形成有發光波長相異的兩個發光元件的所謂單晶 矽雙長半導體雷射。藉由將該單晶硬雷射做為dvd及⑶在 82396 200405631 播放/記錄處理上的共用光源，將可謀求光學讀寫頭的小型 化及光學系統調整的簡化。 此種的雙波長半導體雷射方面，舉例來說，有具備做為 DVD用光源的磷化鋁鎵銦系的紅色半導體元件（以下稱為 「磷化鋁鎵銦系雷射元件」）者，及具備做為CD用光源的坤 化鋁鎵系的紅色半導體元件（以下稱為「砷化鋁鎵系雷射元 件」）者。 圖7A及圖7B所示的為該雙波長半導體雷射的具體構造 之一例：圖7A所示的為平面構造，圖7B所示的為沿著圖7八 · 的箭頭線II-II的剖面構造，均由雷射光的主射出面側所見 的圖。雙波長半導體雷射1 〇在神化鎵形成的共用基板1工上 具有磷化鋁鎵銦系雷射元件12及坤鋁鎵系雷射元件丨3。基 板11為以指定角度（傾斜角）傾斜的所謂傾斜基板（〇汀基 板），在此由主射出面（而）llc來看，乃向相對於結晶面（1〇〇) 的反時針方向傾斜，即由（011)面lla向（〇11)面傾斜。 採用上述般的傾斜基板的理由，在於抑制對由基板生長 _ 而成之雷射元件12及13形成自然超晶格，謀求振盪波長的 短波長化。 磷化鋁鎵錮系雷射元件12為振盪波長65〇 nm頻帶的紅色 發光兀件，由依序在基板丨丨上成膜的磷化鋁鎵銦下部箔 層、活性層、磷化鋁鎵錮上部落層、磷化鎵銦層、及砷化 鎵接觸層等所構成，上部部份形成在兩側具有由絕緣層形 成 < 電流閉鎖區域17的氣楔型雷射條狀結構丨4。另一方 面’碎化銘鎵系雷射元件13為振盧波長78〇随頻帶的紅色 82396 200405631 發光70件，具有由依序在基板11上成膜的砷化鋁鎵下部箔 層、活性層、砷化鋁鎵上部箔層、及砷化鎵接觸層等，上 部部伤形成為兩側具有由B+離子的離子植入層所形成的電 泥閉鎖區域16的埋入型雷射條狀結構15。 磷化鋁鎵銦系雷射元件12及坤化鋁鎵系雷射元件13方 面各自的雷射條狀結構14及15配置成相互平行狀，並且 由田射光的主射出面（而）丨丨c側來看，磷化鋁鎵銦系雷射元 件12乃汉置於自基板中心線靠（〇ϊϊ)面的11 a侧，而坤化鋁鎵 系雷射兀件13設置於自基板中心線靠（〇11)面的llb側，雷射 條狀結構14及15的中心線間隔3為12〇 μιη。 上述的雙波長半導體雷射中，由圖8可知，磷化鋁鎵錮系 雷射元件12的光軸Ll與砷化銘鎵系雷射元件^的光軸L2 間，由主射出面來看，會有間隙s大小的偏差。 因此，如果欲將此雙波長半導體雷射做為dvd&cd播放 /記錄裝置的共用光源來使用的話，在進行勵或⑶的讀取 或寫入時有必要使共用光學系、统在磷化銘鎵錮系雷射元 件與坤化銘鎵系雷射元件之間進行切換4即，有必要對 共用光學系統進行個別的光軸進行整合。 為了如上述般對共用光學系統進行磷化銘鎵銦系雷射元 件或坤化㈣系雷射㈣的光轴整合，雖有必要使共用光 學系統的透鏡進行相對的移動，然而為了裝置整體的小型 化，最好能夠將該移動量抑制到最小的程度。冑鑑於此， 以往的雙波長半導體雷射中’雷射條狀結構14及15將配置 成能使磷化銘鎵銦系雷射亓杜] 了几件12及坤化鋁鎵系雷射元件13 82396 200405631 各自的雷射光主射出位置相接近。 惟，以往的雙波長半導體雷射中，雖然兩元件配置成使 雷射條狀結構14及15相接近，然而仍有必要保持某種程度 的相隔區域，因此兩元件間間隔S在縮短上有其限制。 此外，理由會於稍後敘述，即便儘可能地使兩元件相接 近，如圖8所示一般，磷化鋁鎵錮系雷射元件12的光軸^ 會由雷射條狀結構14的中心軸14a向外偏移，使得光軸^與
光軸h間分離，結果造成共用光學系統的鏡片位移量大於 元件間距離S的問題。 本發明有鑑於上述相關問題，第一目的在於：提供一種 半導體發光裝置，能夠進一步縮短兩個發光元件的光軸間 的間隔，使得在應用於光碟裝置時的共用光學系統的鏡片 位移量縮小至最小程度，得以謀求光碟裝置的小型化。
本發明之第二目的在於：提供一種光碟裝置，利用本發 明=半導體發光裝置，使得共用光學系統的鏡片位移量縮 小至最小程度，以謀求光碟裝置的小型化。 【發明内容】 本發明之半導體發光裝置為在共用基板的主面的相鄰 置上’具有至少一組主射出面為同一方向的發光元件， 匕^ ·基板，其由主射出面側來看，相對於結晶軸方向 向順時針方向以一定角度（傾斜角）傾斜；第-發光元件， 、、射出面側來看，具有相對向的2個侧面中之左側比右 t的梯形剖面；及第二發光元件，其與該第一發光元' :且由主射出面側來看，形成於上述第一發光元件〖 82396 -9^ 200405631 左側。 如採上述構造，當第—發光元件及第二發光元件兩者呈 =:;1T時’藉由元件材料的選擇，相對於第二發 =:的中心軸與光軸方向-致，第-發光元 件的先軸乃與其帶狀形狀的中心轴-致或接近於第二發光 元件的光軸侧。 具體而了，本發明偏好如下的構造。 亦即，第-發光元件及第二發光元件的主射出面為 ⑽，且基板由主射出面側來看，其兩侧面相對於結晶轴 (100)乃在(011)面至(011)面的方向上傾斜第—發光元件及 第二發光元件則分別配置於(〇⑴面側及⑽面侧上；此 外，基板為GaAs系，其傾斜角度為2度以上15度以下，第一 發光元件偏好為磷化鋁鎵銦系之雷射元件，而第二發光元 件則偏好為碎化銘鎵系之雷射元件。 本發明之光療裝置乃以本發明之半導體發域置做為光 源，用以對複數種的光碟進行資訊的記錄及播放中之至少 一種動作，且在對光碟進行資訊讀取或寫入時，由於第一 發光元件與第二發光元件兩者的光軸會平行或相接近，因 此相較於以往，能夠以較少的鏡片位移量來進行例如dvd 至CD或CD至DVD的切換。 【實施方式】 以下對於本發明之實施方式，參照圖式來詳細加以說明。 圖1A及圖1B所示的為本發明之一實施方式相關的雙波 長半導體雷射20的構造··圖1 a所示的為平面狀態，圖1 b所 82396 -10- 200405631 不的為沿著圖1A的箭頭線I-Ι的剖面構造，均為由雷射光的 主射出面側所見的圖。 咸雙波長半導體雷射20在由坤化鎵形成的共用基板22的 王面上，具有磷化鋁鎵銦系雷射元件24及砷化鋁鎵系雷射 元件26，基板22為兩側面相對於結晶軸方向以指定角度（傾 斗角Θ off)傾斜的傾斜基板（〇ff基板），在此面對圖式時，乃 以順時針方向，即由（οίϊ)面22a至（Oil)面22b，相對於（1〇〇) 呈2度以上15度以下範圍的傾斜角度^ 〇ff);兩雷射光的主 射出面為圖式正面，即為（Oli)面22c。 二基板22上，以後述的生長法形成的磷化鋁鎵銦系雷射 元件24具有非對稱的梯形剖面，由主射出面侧來看，對向 的2個侧面中的左侧面％比右側面2扑來得平坦；同樣地在 她鎵系雷射元件26中，由主射出面側來看，對向的㈣ 側面中的左側面26a比右側面26b來得平坦。 磷化銘鎵銦系雷射元件24為例如㈣波長㈣議頻帶的 紅色發光兀件，由依序在基板22上成膜之磷化鎵銦緩衝 層、磷化銘鎵錮下㈣層、活性層、磷化銘鎵銦上部洛層、 粦化蘇錮| 1钟化鎵接觸層等所構成，上部部份形成 兩側形成有電流_區域45的氣㈣雷射條狀結構28。、、 化銘鎵系雷射元件26為例如㈣波長78〇 nm頻帶的紅色發井矛杜 丄，、、 先70件，由依序在基板22上成膜的砷化鎵 緩衝層、坤化_下”層、活性層、神化㈣上部落屏、 =化鎵接觸層等所構成，其上部部曰 離子的離子植入層所^田ΰ /成足电泥閉鎖區域56的埋入型雷射 82396 -11 - 200405631 條狀結構3 0。 磷化鋁鎵銦系雷射元件24及坤化鋁鎵系雷射元件％方 . 面，各自的雷射條狀結構28及30配置成相互平行狀，並且 由雷射光的主射出面（〇ΰ) 22c側來看，磷化鋁鎵銦系雷射元 件24乃設置於自基板中心線靠（〇11)面22b侧，而石申化鋁鎵系 雷射元件26設置於自基板中心線靠面22a側，雷射條狀 結構28及30的中心線間隔s為120 μιη。 如圖7Β之說明，以往的雙波長半導體雷射1〇中，由雷射 光的主射出面（0Ϊ1) 11c側來看，基板u的傾斜方向為逆時鐘 _ 方向，且磷化鋁鎵銦系雷射元件12配置於自基板中心線靠 (011)面11a侧，且砷化鋁鎵系雷射元件13配置於靠基板中心 線靠（011)面lib側。 相對於此，本實施方式的雙波長半導體雷射2〇中，基板 22的傾斜方向為相反，由雷射光的主射出面（〇1丨）22c側來 看，磷化銘鎵銦系雷射元件24設置於自基板中心線靠（〇11) 面22b側（右側），此外砷化鋁鎵系雷射元件26設置於自基板 春 中心線靠（011)面22a側（左側）。在此，由雷射光的主射出面 來看，磷化銘鎵銦系雷射元件24的砷化鋁鎵系雷射元件26 側’即左側的傾斜面24a比右側的傾斜面24b來的平坦。 本發明人在如何將由DVD切換至CD或由CD切換至DVD 時之鏡片位移量縮小的研究過程，在以往的單晶碎雙波長 半導體雷射中，如圖8所示，發現磷化鋁鎵錮系雷射元件12 的光軸L!會在雷射光的主射出方向上偏離坤化鋁鎵系雷射 元件13的光軸L2，即會較為分開，致使鏡片位移量會因而 82396 -12- 200405631 變大°並且’也發現到擴大的角度θ過大時，由於會超過鏡 片位移量的可調整範圍，會導致光學讀寫頭性能不良。 口粦銘蘇銦系雷射π件〗2的光軸之所以會分離的理由 σ 下亦即如上述般為了謀求振盪波長的短波長化 而使用傾斜絲時m㈣處理來开彡成脊狀（ndge)部 的話，脊狀部會呈非對稱狀：其原因在於在蝕刻處理上， 採用了依存於結晶方位而對㈣速率具有選擇性的姓刻 液。如此-般’由㈣狀部的側壁的傾斜角度呈非對稱， 傾斜較為平坦的一側(圖7”為右侧)的封閉光線的效果會 車乂弱致使光为布主非對稱的結果，兩個雷射的光軸會傾 向分離。 在此，本發明人等認為利用與上述傾斜基板傾斜方向相 反的傾斜基板（逆傾斜基板），脊狀部的㈣的傾斜狀況會與 以往的情況在左右方向上顛倒，使得光封閉的非對稱性也 會相反，進而使2個光軸相接近，因此進行了種種實驗。實 驗的結果，發現在具有2度以上15度以下範圍之傾斜角度 (off角度）的傾斜基板上，藉由依上述般的特定位置關係來 配置2個雷射元件，能夠使2個雷射元件的光軸相互平行， 且能夠更進' 步相互接近。 當傾斜角度（Θ off)在低於2度時，由於對自然超晶格的發 生無法產生抑制效果，因此振盪波長會大於所期望的波 長；此外，大於15度時，則會發生以下2個問題··第一，傾 斜角度大於丨5度的話’脊狀的非對稱性會更強，使得在使 用逆傾斜基板時，2個雷射光軸的接近程度會過度。 82396 -13- 200405631 第二，當傾斜角度大於15度時，在晶片化之際，切割出 來的晶片的剖面形狀會越接近平行四邊形，致使在進行晶 ‘ 片固定及連線銲接的組裝工序發生阻礙。此外，即便傾斜 角度大於1 5度，短波長化的效果也不會有所變化’維持在 相當於10度時的程度。 本實施方式之雙波長半導體雷射20中，藉由上述的構 造，如圖2所示，能使磷化鋁鎵銦系雷射元件24的光軸^ 對砷化鋁鎵系雷射元件26的光軸L2呈平行，且更進一步能 _ 夠以約0·5度（=Θ)的角度來接近：在此，㊀指磷化鋁鎵錮系 田射元件24中之雷射條狀結構28的中心軸28a與光軸L間 形成的角度。此外，坤化鋁鎵系雷射元件26的光軸L2則大 致與雷射條狀結構3〇的中心軸3〇a —致。 如上述般’由於分屬磷化鋁鎵銦系雷射元件24及砷化鋁 鎵系雷射元件26的光軸1^及1^間會平行或接近，因此如後 所述一般’在進行讀取或寫入之際，可使由Dvd切換至CD 或CD切換至DVD時之鏡片位移量顯著地比以往的單晶矽 鲁 雙波長半導體雷射10的情況來得小。 接下來’對上述雙波長半導體雷射2〇的製造方法加以說 明。 首先’如圖3A所示，例如備妥由η型坤化鎵形成的厚度350 μιη左右之基板22 (傾斜基板），以m〇cvD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition :有機金屬化學氣相磊晶法）依序 在該基板22的表面上形成生長·· ^型磷化銦鎵混晶形成的緩 衝層40、η型磷化鋁鎵銦混晶形成的η型箔層41、 82396 -14- 200405631
AlxGayIni+yP (惟，χ^〇且y^〇)混晶形成之活性層u、p型 磷化鋁鎵銦混晶形成之？型箔層43、及？型砷化鎵形成之p型 · 接觸層44。 & 接下來，如圖3B所示一般，在p側接觸層44上形成未圖示 的光罩（mask)，以對p型接觸層44及p型箔層43的上層部施 以選擇性的蝕刻，使其成為細的帶狀，而使p型箔層43在暴 露於表面；接著，利用？型接觸層44上未圖示的障板，形成 一種絕緣層（電流閉鎖區域）45，被覆於？型箔層43及？型接觸 層44的側面。 鲁 接下來，在p型接觸層44上，對應於預定形成磷化鋁鎵銦 系雷射元件24的區域，選擇性地形成光阻膜;其後，以 該光阻膜1^做為光罩，例如以硫酸系的蝕刻液對p型接觸層 44進行選擇性去除，並且以磷酸系或鹽酸系的蝕刻液對p型 泊層43、活性層42及n型箔層41之光阻膜1未被覆的部份分 別進行選擇性去除；其後，去除光阻膜Ri。 藉此’基於上述理由，在基板22上可得磷化鋁鎵銦系雷 修 射元件24 ’其剖面成梯形狀，且面向圖式的左側側面比右 側側面來得平坦。 接著’如圖4A所示，例如以MOCVD法依序形成生長：n ^碑化鎵形成的緩衝層5 1、η型砷化鋁鎵混晶形成的n型箔 層52、AlxGabxAs (惟，χ$〇)混晶形成之活性層53、ρ型坤 化銘鎵混晶形成之ρ型箔層54、及ρ型坤化鎵形成之ρ型接觸 層55 〇 接下來，如圖4Β所示一般，在ρ型接觸層55上，對應於預 82396 -15- 200405631 定形成磷化鋁鎵銦系雷射元件24的區域，，讲 ^ 選擇性地形成光 阻膜R2;接著，以該光阻膜域為光罩，例如以硫酸系的 触刻液對P型接觸層55進行選擇性去♦，以a酸系的蚀刻液 對P型箔層5 4、活性層5 3及η型箔層5 2分則、佳/ 々刀別進行選擇性去 除，並以鹽酸系蝕刻液對緩衝層51進行選擇性去除；其後， 去除光阻膜R2。 在去除光阻膜I之後，如圖5A所示—般，例如利用未圖 示的細帶狀光罩，藉由離子植入法，矽原子等n型雜質植入 Ρ型接觸層55及ρ型落層54的上層部。藉此，植入雜質的區 域會絕緣化，而形成電流閉鎖區域56。 電流閉鎖區域56形成後，如圖5Β所示，在ρ型接觸層料 及55的表面及其附近，依序蒸鍍例如鎳、白金及金，分別 形成Ρ型電極46及57。更進一步地，藉由對基板22的背面側 施以研磨及拋光處理，使基板22的厚度約成為例如1〇〇 μιη。 接下來，在該基板22的背面侧依序蒸鍍例如金與鍺的合 金、鎳、及金，以在2個雷射元件24及26上形成共用的11型 電極60 ;之後，施以加熱處理，分別使得ρ型電極46及57以 及η型電極60合金化；更進一步地，例如在與ρ型電極私及 57的長邊方向垂直的方向上，以特定的寬度來將基板22切 割開來，在該切割面形成一對反射鏡膜。藉此，製作出本 實施方式的雙波長半導體雷射20。 此外，該雙波長半導體雷射20係用於例如光碟裝置（光學 讀取頭）。 圖6為模式性的顯示該光碟裝置的構造之圖··該光碟裝置 82396 -16- 200405631 為利用波長相異的光線，分別讀取（播放）記錄於光碟内之資 訊或將資訊寫入（記錄於）光碟的裝置。 該光碟裝置不僅依控制部111的控制來將雙波長半導體 雷射20内的雷射元件24及26其中一者的射出光導至光 碟D，且具有用以讀取來自光碟D的信號光（反射光^^)的光 學系統’即尚包含：分光鏡Π2、準直鏡113、反射鏡114、 開口限制光圈115、對物鏡116、信號光檢出用鏡117、信號 光檢出用受光元件118及信號光播放電路119。信號光檢出 用受光元件11 8具有：第一光電二極體11 8 A，其用以對一側 的磷化銘鎵銦系雷射元件24射出的650 nm頻帶紅色雷射光 進行受光；及第二光電二極體11 8B，其用以對一側的坤化 銘鎵系雷射元件26射出的780 nm頻帶紅色雷射光進行受 光。 該光碟裝置中，當雙波長半導體雷射20的磷化鋁鎵銦系 雷射元件24或神化鋁鎵系雷射元件26射出例如強度大的射 出光[out時’該射出Lout經由分光鏡112的反射，以準直鏡11 3 校準為平行光’並經由反射鏡114來反射；經由反射鏡114 反射的射出光L。^在通過開口限制光圈i15後，藉由對物鏡 116聚光而射入光碟D :藉此，將資訊寫入光碟D。此外， 當雙波長半導體雷射20射出微弱的射出光乙^時，該射出光 Lout在經由上述各光學系統而射入光碟後，在光碟d上反 射；該反射光Lref經由對物鏡丨16、開口限制光圈U5、反射 鏡114、準直鏡113、及分光鏡112後，通過信號光檢出用鏡 117，射入信號光檢出用受光元件118，在此轉換成電氣信 82396 -17- 200405631 號後，在信號光播放電路119中，播放出寫入光碟内的資訊。 在此，當射出光L。^為磷化鋁鎵銦系雷射元件24射出的 ‘ 650 nm頻帶紅色雷射光時，以信號光檢出用受光元件118中 之第一光電二極體11 8 A來受光，如為坤化鋁鎵系雷射元件 26射出的780 nm頻帶紅色雷射光時，以第二光電二極體 118B來受光之外，兩當射元件24及26的雷射光路徑相同。 如上所述，由於磷化鋁鎵銦系雷射元件24及坤化鋁鎵系 雷射元件26的光軸會相互接近，使得在進行讀取或寫入之 $ 際，光碟D由DVD切換成CD或由CD切換成DVD時，相較於 以往的單晶矽雙波長半導體雷射，鏡片位移量會顯著地變 小，因此光學讀取頭的光學系統易於調整，使得光學讀取 頭的良率提升。此外，由於可減小鏡片位移量，伴隨鏡片 位移而生的光學像差會減少，可確保DVD及CD等光碟D傳 來信號達到高SN比（jitter :顫動），得以在穩定的性能下， 藉由光學讀取頭來進行讀取及寫入。 此外，記錄媒體方面，舉例來說並不限於CD及DVD，其 馨 他不僅當然可為CD-ROM (唯讀記憶體）、CD-R、CD-RW、 MD、DVD-ROM等各種既有光碟，且包含DVD-RAM(隨機 存取記憶體）、DVD+RW或DVD-R/RW等之夕卜，也可為面記 錄密度（例如20G位元以上）更高的可記錄光碟（例如，提唱 成為下一代光碟裝置的DVR (Digital Video Recorder，數位 錄放影機）或VDR (Video Disk Recorder，影音光碟錄放影 機）），本實施方式之雙波長半導體雷射20均可用來記錄及播 放。如果利用上述般的下一代大容量可記錄光碟的話，不 82396 -18- 200405631 僅可錄下影像資料，且能夠在良好的操作性下，以良好的 畫質來播放錄下的資料（圖像）。 此外，在此雖以雙波長半導體雷射2〇應用於光碟記錄播 放裝置為例加以說明，然而不僅可應用於光碟播放裝置、 光碟圮錄裝置、光磁碟（M〇 ; Magnet〇_〇ptical disk)機等之 圮錄播放用的光磁碟裝置或光通信裝置等全體等光學裝 置且也可應用於配備有必須在高溫下動作之車載用半導 體雷射裝置的機器等。 上述實施方式中，雖以M0CVD法來形成由砷鋁鎵系及磷 化鋁鎵銦系的化合物形成之各層的情況來加以說明，然而 也可利用MBE (Molecular Beam Epitaxy :分子束蟲晶法）法 或氫化物氣相生長法等之其他氣相生長法來形成。 此外，做為第一發光元件的磷化鋁鎵錮系雷射元件及做 為第二發光元件的砷化鋁鎵系雷射元件26的構造只要晶格 整合於碎化鎵基板上，並無特別的限制。 再者，元件方面並不限於磷化銘鎵銦系/坤化銘鎵系的組 合，重點在於由主射出方向來看，相對於結晶軸方向，傾 斜基板的側面在順時鐘方向上呈特定範圍（2至丨5度）角度的 傾斜，且由主射出面側來看，一侧（右側）的發光元件具^一 種梯形剖面，其對向的2個側面中之左側比右側來的平坦即 "crj* 〇 如上說明，依本發明之半導體發光裝置，由主射出面侧 來看，側面在順時鐘方向上呈特定角《（傾斜角）傾斜的基板 王面上，形成剖面為梯形（脊形）的第—發光元件，由主射出 82396 -19· 200405631 面側來看，對向之2個側面中之左側比右侧來的平坦，並且 由王射出面側來看，第二發光元件係形成於第一發光元件 的左側，因此相較於以往，第一發光元件的光軸會接近第 一發光元件的光抽侧。 因此，藉由以該半導體發光裝置做為光碟裝置的光源， 在對光碟進行資訊的讀取或寫入之際，僅需極小的鏡片位 移量，便可例如由DVD切換至CD或由CD切換至dvd。藉 此，妩片位移量會比以往的單晶矽雙波長半導體雷射的情 況顯著地變小，使得光學讀取頭的光學系統易於調整，而 提升其製造良率；此外，由於可減小鏡片位移量，伴隨鏡 片位移而生的光學像差會減少，可確保及CD等光碟D ，來信號的高SN比（Jltter: ，得以在穩定的性能下， 藉由光學讀取頭來進行讀取及窝入。 【圖式簡單說明】 圖1A係以本發明-實施方式相關的雙波長半導體雷射的 構造為内容之平面圖；圖1B75上述内容之正面圖。 圖2係用以說明雙波長半導靜 及衣千导把印射的光軸的接近狀態之 圖0 導體發光裝置的製 圖3A及圖3B係用以對圖丨八所示之半 造方法加以說明之剖面圖。 工序加以說明之 工序加以說明之 圖4A及圖4B係用以對圖3B之後的製造 副面圖。 圖5A及圖5B係用以對圖4B之後的製造 剖面圖。
60S 82396 -20 - 圖6係使用本發明土雒 ▲ @ 月又波長丰導體雷射的光碟裝置之構 遣圖。 圖7A係以以往之雙波長半導體雷射的構造為内容之平面 圖’圖7B為同一内容之正視圖。 圖8係用以對以往之雙波長丰壤 、 又，久衣千等體雷射中之2個光軸間的 偏離狀態加以說明之圖。 【圖式代表符號說明】 10、20 雙波長半導體雷射 11、22 共用基板 1 la ' 22a (011)面 lib 、 22b (〇 11)面 12 、 23 、 24 磷化鋁鎵銦系雷射元件 13、26 砷鋁鎵系雷射元件 14、25 氣楔型雷射條狀構造 14a、28a 中心軸 15 、 28 、 30 雷射條狀構造 16 、 17 、 45 、 56 電流閉鎖區域 22c 主射出面（01Ϊ) 24a 左側面 24b 右側面 26a 左側面 26b 右側面 40、51 緩衝層 82396 -21 · 200405631 41、 52 n型洛層 42、 53 活性層 43、 54 Ρ型箔層 44、 55 Ρ型接觸層 46、 57 ρ型電極 60 η型電極 111 控制部 112 分光鏡 113 準直鏡 114 反射鏡 115 開口限制光圈 116 對物鏡 117 信號光檢出用鏡 118 信號光檢出用受光元件 118A 第一光電二極體 118B 第二光電二極體 119 信號光播放電路 82396 22-

Claims (1)

  1. ^05631 拾 申請專利範圍·· 一種半導體發光裝置，其特徵為： 射的主面上的相鄰位置上，至少設有1組主 政由、η《發光70件’且其特徵為包含：基板， :由^出面側來看，相對於結晶轴方向，向順時針 以一疋角度（傾斜角）傾斜； 2. 第一發光元件，其由主射出^^^ 徊加T i 木看具有相對向的: 、’面中之左侧比右側平坦的梯形剖面；及 第二發光元件，其與該第一發光元件相對，且由主射出 面側來看，形成於上述第m件的左側。 如申請專利範圍第丨項之半導體發光裝置，其中
    、上述第一發光元件及第二發光元件均呈相互平行的帶 狀相對於上述第二發光元件方面的帶狀形狀的中心轴盘 光轴方向-致，上述第-發光元件方面則為該光軸與帶狀 形狀的中心、軸-致或向上述第二發光元#的光軸側接近。 如申請專利範圍第2項之半導體發光裝置，其中 上述第一發光元件及第二發光元件的主射出面為 (Oil)，且上逑基板由主射出面側來看，其兩侧面相對於結 阳軸（100)方向，乃在（011)面至（〇1丨）面的方向上傾斜，上述 第一發光元件及第二發光元件則分別配置於（011)面側及 (〇S)面侧上。
    4·如申請專利範圍第1項之半導體發光裝置，其中 上述基板的傾斜角度在2度以上15度以下。 5·如申請專利範圍第3項之半導體發光裝置，其中 上述基板為砷化鎵系的基板，上述第一發光元件為磷化 82396 200405631 第一發光元件為砷化鋁鎵系的雷射 6. 如申請專利範圍第5項之半導體發光裝置，其中
    鋁鎵銦系的雷射元件， 元件。 士述第一發光元件射出㈣細頻帶波長的雷射光，而上 W二發光元件射出75G nm頻帶波長的雷射光。 一種光碟裝置，其特徵為：
    之在以半導體發光裝置做為光源，對複數種光碟至少進行 肩訊的記錄或播放的光碟裝置中， 上述半導體發光裝置為在共用基板的主面上的相鄰位 ，至少設有—組主射出面為同_方向之發光 包含： 基板，其由主射出面侧來看’相對於結晶軸方向，向順 B、針方向以一定角度（傾斜角）傾斜； 佃f發光兀件’其由王射出面側來看，具有相對向的2 則面中之左側比右側平坦的梯形剖面；及 罘二發光元件，其與該第一發光元件相對，且由主射出 面側來看，形成於上述第—發光元件的左側。 如申凊專利範圍第7項之光碟裝置，其中 上述第-發光元件及第二發光元件均呈相互平行的帶 、相對於上述第二發光元件方面的帶狀形狀的中心抽與 形，万向一致’上述第一發光元件方面則為該光軸與帶狀 :^中心軸—致或向上述第二發光元件的光轴侧接近。 如申請專利範圍第8項之光碟裝置，其中 逑第一發光7C件及第二發光元件的主射出面為
    82396 -2- 200405631 (01Ϊ )，且上述基板由主射出面側來看，其兩侧面相對於結 晶軸（100)方向，乃在面至（〇11)面的方向上傾斜，上述 第一發光元件及第二發光元件則分別配置於（ou)面側及 (〇Π)面侧上。 10. π. 12. 如申請專利範圍第8項之光碟裝置，其中 上述基板的傾斜角度在2度以上15度以下。 如申請專利範圍第1 〇項之光碟裝置，其中 上述基板為砷化鎵系的基板，上述第一發光元件為磷化 銘嫁姻系的雷射元件，第二發光元件為砷化鋁鎵系的雷射 元件。 如申請專利範圍第11項之光碟裝置，其中 上述第一發光元件射出650 nm頻帶波長的雷射光，而上 迷第二發光元件射出7 5 0 nm頻帶波長的雷射光。 82396
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