TW200306567A - Stamper original and its manufacturing method, stamper and its manufacturing method, and optical disk - Google Patents

Description

200306567 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於模板用原盤及其製造方法，模板及其 製造方法，及以該模板製造之光碟。 【先前技術】 可記錄資訊之記錄媒體光碟，一般可大別爲三：唯讀 型、僅記錄一次之記錄型及可重複記錄之可重錄型。唯讀 型光碟120毫米DVD，於光碟基盤形成有最小長度0.400 微米左右、高或深0.1毫米左右之稱爲槽之島狀突起或凹 窪。該槽係形成於光碟之同心圓上所形成的4萬7千條之軌 上，此時軌間之距離（軌距）爲0· 74微米。 如此之唯讀型光碟（例如，音樂CD、電影DVD等） ，其所記錄之資訊係由軌上槽之有無表現。因此，雖僅於 基盤上形成槽亦用作記錄媒體，但一般須提升對讀取光之 反射率，於表面形成鋁等之反射層。由此，形成槽之基盤 (成型物）或稱光碟前驅物。 另一方面，記錄型光碟係於基盤上設記錄層，該記錄 層一般係由容易蒸發之金屬薄膜、有機色素薄膜等構成。 資訊之記錄係以光束照射形成槽而進行。所記錄之資訊係 以記錄層上槽之有無或長短表現。 如此之記錄型光碟之記錄層設有，用以於記錄時誘導 光束等之記錄光的溝（如此之溝稱爲凹槽，溝與溝之間稱 爲面），一凹槽與一相鄰之面構成一軌。槽即形成於凹槽 -6 - (2) (2)200306567 或面上。 而可重錄型光碟亦設有如同記錄型之記錄層，該記錄 層由相變化型，光碟記錄型記錄材料構成。資訊之記錄係 以光束照射記錄層，形成光學性質不同之標記而進行。 該可重錄型光碟亦形成有凹槽及面，標記即形成於該 凹槽、面上。而於例如使用相變化型記錄材料之可重錄型 DVD，軌距係設計爲0.6 15至0.74微米左右。 記錄型及可重錄型光碟，係於預先形成凹槽及面之記 錄層，以記錄光照射形成槽、標記進行記錄。因此，於記 錄層形成凹槽、面之狀態者（成型物）可稱爲光碟之前驅 物。又，已知有於基盤上形成溝材層之光碟前驅物，該前 驅物稱作2P (Photo Polymer )基盤。在此 、Photo Polymer 〃指光硬化性樹脂。 如此，於唯讀型、記錄型及可重錄型之任一光碟，其 前驅物形成有槽、凹槽等微細凹凸。因此，製造光碟時該 凹凸之形成過程極爲重要。向來，於光碟基盤形成微細凹 凸之方法，已知有於使用所謂模板之鑄型的基盤或記錄層 上轉印凹凸之方法。 使用模板時，一般，往光碟基盤之凹凸轉印係與成型 同時進行。成型法可係射出成型法、注型成型、壓製成型 等已知方法，使用模板之方法係廉價、可大量製造光碟之 方法而廣爲採用。如此之模板向來係以如下方法製造。 第2圖A至D係習知模板製造方法之示意過程圖。首先 ，於基盤101上塗布正型光阻形成正型光阻層1〇2 (第2 -7- (3) (3)200306567 圖A :第一過程）。其次，正型光阻層102之特定部份以 雷射光束照射曝光後，顯像去除曝光部，形成圖型化之正 型光阻層（第2圖B:第二過程）。如此形成者稱爲光阻原 盤。更於光阻原盤之正型光阻層上，以濺鍍或真空蒸鍍形 成導電層後，以電鑄形成Ni電鑄層（第2圖C:第二過程； 導電層及Ni電鑄層合倂成Ni層103)。嗣後，自具有圖型 化正型光阻層102之基盤101剝除Ni層103後，殘留在Ni層 103之正型光阻以打磨（氧氣之乾式蝕刻）去除得模板（ 第2圖D:第四過程）。 上述方法以外亦知有，於玻璃原盤施以濕式或乾式蝕 刻製造具有圖型之玻璃模板，作爲射出成形或2P注型法用 的模板之方法。 【發明內容】 上述習知模板製造方法中，因於光阻之塗布、曝光、 顯像以外，以濺鍍法、真空蒸鍍法等形成導電層、電鍍形 成Ni電鑄層，模板全部製程有耗時之傾向，且各過程中形 成N i電鑄層之電鍍過程易有缺失，全部製程有合理化之必 要。 而形成之導電層與Ni電鑄層因密度不同，有二者容易 剝離之問題。因此，剝離Ni層之過程，去除殘留光阻之過 程中易起導電層之剝離，會在所得模板上形成目標圖型以 外之凹凸。 隨近年來資訊量之增加，爲於光碟達成更大容量，有 -8- (4) (4)200306567 能高密度記錄者之需求。爲實現該高密度記錄，用以使光 碟之軌距縮小之面及凹槽之微細化，構成標記之微小化有 其必要。 以模板形成光碟之凹槽、槽時，爲其微細化，模板之 凹凸宜微細且高精度形成，而上述習知模板之製造方法有 以下問題。 製造模板時形成光阻原盤之際用於曝光•顯像過程之 光阻已知有，曝光後顯像去除光之照射部（曝光部）之正 型光阻，及去除光未照射部（未曝光部）之負型光阻，一 般係用通常之正型光阻。 該正型光阻係由具酚式羥基之淸漆樹脂及萘醌二疊氮 等所成，可用鹼液顯像。如此之鹼顯像型光阻不因吸水等 膨脹，顯像時可高精度僅去除曝光部。因而光阻圖型化之 加工精度高。 但是，光阻原盤之形成當中，爲圖型化使光阻去除區 域寬度大於未去除區域，曝光時須以光照射於大範圍，故 照射光之點徑必須加大。 照射光之點徑加大，則點之光能分散，尤其點之外周 附近能量變小。該部份之光阻硬化不足，曝光部與未曝光 部之邊界模糊，致使難以高精度形成模板之凹凸。 本發明即鑑於有關實況，其目的在提供，製造模板時 可省略耗時、容易產生缺失之Ni電鑄過程，更能形成高精 度微細凹凸圖型之模板原盤及其製造方法。目的亦在提供 ，用該原盤所得模板及其製造方法，以及藉模板轉印圖型 -9 - (5) 200306567 (資訊之記錄圖型）而成之光碟。 爲達上述目的，本發明之模板原盤，其特徵爲：具備 基盤，及設於該基盤上，含半交聯光阻層及下述式（1) 之化合物所成之預烤光阻層。 ch3o^CH2 〜N*^CH2、OCH3

預烤光阻層經曝光•顯像圖型化以後，實質上完全交 聯形成用以轉印槽及凹槽於光碟之凸塊。該凸塊因上述式 (1 )之化合物係交聯之甲氧基甲基化三聚氰胺構成，強 度高，並對高溫·高壓等條件具十足之耐久性。因此，使 用本發明之模板用原盤所製造的模板，於光碟之製造條件 下，即具充分之強度及耐久性。 預烤光阻層因係形成於半交聯光阻層上，形成之凸塊 介以半交聯光阻層之硬化物黏合於基盤。因凸塊及半交聯 光阻層之硬化物均係樹脂構成，密合性高，故凸塊之從基 盤剝離等極難以發生。 如此之由本發明模板用原盤製造之模板，即係相當於 上述習知技術之模板製造方法中用作Ni電鑄的模型之光阻 原盤，而因形成之凸塊具如上之高強度及耐久性，可直接 用作模板。因此，利用本發明之模板用原盤，可省略向來 製造光阻原盤後所需之Ni等的電鑄過程。 -10· (6) (6)200306567 又，使用本發明之模板用原盤時，經曝光•顯像形成 之圖型直接成爲模板之凸塊，故相較於圖型化後更施以電 鑄之習知技術，可形成具有更微細且高精度之圖型的凸塊 〇 具體而言，較佳者爲由基盤側依序層合半交聯光阻層 及預烤光阻層而成。又，預烤層係以更含對波長63 5至650 奈米之光具吸收性之色素爲佳。亦可更於預烤光阻層上設 保護膜。 依本發明之模板用原盤之製造方法，係用以有效製造 本發明的模板用原盤之製造方法，其特徵爲：具備硏磨或 淸洗基盤之至少一面的過程，於硏磨或淸洗之一面上形成 半交聯光阻層之過程，以及於半交聯光阻層上形成含上述 式（1 )之化合物而成的預烤光阻層之過程。 該製造方法中，在實施預烤光阻層之形成過程後，亦 可更實施於該層上形成保護膜之過程。 又，本發明之模板係用本發明之模板用原盤而實現者 ，其特徵爲：具備基盤，及設於該基盤上之含上述式（1 )之化合物作爲單體單元而成之凸塊。 依本發明之模板製造方法，係本發明模板之有效製造 方法，其特徵爲：具備於具有基盤，設於該基盤上，且含 半交聯光阻層及上述式（1 )之化合物所成的預烤光阻層 之模板用原盤的該預烤層記錄一定之資訊的過程，記錄資 訊之預烤光阻層顯像形成凸塊之過程，以及於半交聯光阻 層及凸塊起交聯反應實質上完全硬化之過程。 -11 . (7) 200306567 本發明更提供，使用具備基盤，設於該基盤上含上述 式（1 )之化合物作爲單體單元而成的凸塊之模板，轉印 一定資訊而成之光碟。 【實施方式】 以下參照圖式詳細說明本發明之實施形態。而同一主 要元件附有同一符號，其重複說明省略。 本實施形態之模板用原盤1 1具備基盤1，設於該基盤1 上之半交聯光阻層2，以及設於該半交聯光阻層2上含下述 式（1)之甲氧基甲基化三聚氰胺樹脂而成的預烤光阻層3 (參照第1圖C )。

CH3〇/CH 卜 N ，CH2' ch3o—ch2, ch3o—ch2/ och3 ，ch2 - och3 tH2-〇CH3 …（1) 在此，本發明中「半交聯」係指包含構成化學放大型 樹脂的單體成分完全交聯固化前之未交聯樹脂（亦含以單 體狀態存在者）之狀態。而「預烤」係指，爲蒸發用以形 成預烤光阻層3之液狀物中的殘留溶劑，用烘箱或熱板等 施以烘烤處理，使形成之層安定化之狀態。 構成基盤1之材料有例如，金屬、玻璃、石英、陶瓷 、合成樹脂等。金屬有例如鎳、鋁、鈦、不銹鋼、鎢、鉻 或此等之合金等，一般係N i金屬。 -12- (8) (8)200306567 基盤1之厚度若係所得光碟厚度可在規格値範圍內即 無特殊限制。例如，以射出成型作光碟之成型時，基盤i 之厚度以230至3 3 0微米爲佳，280至3 00微米更佳。 光碟基盤因係藉其射出成型時同時導入模具內之模板 轉印凹凸，隨模板之基盤1厚度相對變化光碟基盤厚度。 因此，若基盤1薄於23 0微米，所得光碟基盤有厚於規格値 1.2毫米±0.05毫米之傾向，而若基盤！厚於33〇微米， 則所得光碟基盤厚度有薄於規格値之傾向。 設於基盤1上之半交聯光阻層2，係藉熱及/或光線起 交聯反應之材料所構成，該材料係以加熱及/或光線之照 射半交聯而成。如此之材料有例如，負型光阻、正型光阻 、環氧系熱固型樹脂材料、壓克力系熱固型樹脂材料、三 聚氰胺樹脂材料等。考慮後敘之與預烤光阻層3之親和性 及工作環境上之問題，則以鹼可溶性負型光阻爲特佳。 鹼可溶負型光阻有具酚式羥基之化合物，例如，酚淸 漆樹脂、甲酚淸漆樹脂等淸漆樹脂，對乙烯酚或對酚馬來 醯亞胺之單聚物或此等之共聚物。此等鹼可溶性負型光阻 ，因工作時於人體等無不良影響而較佳。 上述以外之材料’基於後敘之與預烤光阻層3的親和 性之觀點’可用含下述式（1 )之甲氧基甲基化三聚氰胺 化合物而成之光阻’亦可用該材料與上述材料之多種組合 -13- …（1 ) (9)200306567

ch2—och3 上述式（1 )之甲氧基甲基化三聚氰胺化合物，可視 爲其分子中所含甲氧基甲基互相反應，或甲氧基甲基與半 交聯光阻層2中其它成分反應結合形成交聯者。此時，形 成半交聯光阻層2時之半交聯係指，甲氧基甲基化三聚氰 胺化合物中6個甲氧基甲基之中，一部份反應形成交聯之 狀態。如此形成之半交聯光阻層2幾不爲顯像液所溶解。 該半交聯光阻層2係爲提高基盤1與後敘之預烤光阻層 3之密合強度而設。因此，其厚度以可充分保持密合強度 之範圍爲佳，具體而言，以50至3 00奈米爲佳，100至150 奈米更佳。半交聯光阻層2薄於50奈米時，與預烤光阻層3 之密合強度不足，光碟成形時或有損於其形狀。若厚於 300奈米’則不見密合強度之更加提升，造成光阻之浪費 有加大模板的製造成本之傾向。 又’形成預烤光阻層3之材料，若係以熱預烤之材料 者即可使用’而本發明中，考慮與上述半交聯光阻層2之 親和性’後敘製造模板之際光阻凸塊4之形成性，所形成 的光阻凸塊4之強度，耐久性及工作時之安全性，最佳者 爲下述式（1)之甲氧基甲基化三聚氰胺化合物。 -14- (1) (10) 200306567 ch3o—ch2, ch3o—ch/

CH30^CH2 〜N，"CH2 - 〇cH3 N

,ch2 - och3 、CH2—OCHq 上述式（1)之甲氧基甲基化三聚氰胺化合物 材料，有例如負型光阻、正型光阻、電子束光阻等 可溶性負型光阻爲佳，又，基於密合性係以與用在 交聯光阻層2同材料爲佳。又，亦可組合多種之此 〇 預烤光阻層3係，此等以熱預烤之材料塗布於 光阻層2上後，經預烤去除塗布時混合之溶劑等， 動性低之狀態。預烤光阻層3用之材料係上述甲氧 化三聚氰胺化合物時，上述甲氧基甲基所致交聯反 隨預烤而發生，但若不至於降低顯像液之溶解性， 烤而多少有交聯反應發生亦無妨。 該預烤光阻層3之厚度，如同上述基盤1，所得 盤可在規格範圍內即佳，可隨各光碟規格適當調整 ，DVD者預烤光阻層3之厚度以100至3 00奈米爲佳 2 5 0奈米更佳。 預烤光阻層3可含上述以外成分，以含例如， 模板後檢查電信號等目的之色素等爲佳。通常在模 造後，須檢查所得模板之凸塊狀態，該檢查一般係 光照射可觀察凹凸狀態之模板再生機。 以外之 ，以鹼 上述半 等使用 半交聯 成爲流 基甲基 應不應 則因預 光碟基 。例如 150至 爲形成 板之製 用，以 -15- (11) (11)200306567 利用模板用原盤11所得之模板的光阻凸塊4未著色或 透明時，因來自模板再生機之再生光穿透，模板再生機之 檢查趨於困難。相對於此，使光阻中含再生光之波長範圍 有吸收性之色素，賦予對再生光之吸收性，光阻凸塊4之 檢查即非常容易進行。 更具體言之，習知模板再生機因多係以63 5奈米或650 奈米波長之再生光照射，含於預烤光阻層3之色素係以對 波長6 3 5至65 0奈米之光具吸收性者爲佳。此時，預烤光阻 層3傾向呈深綠色或其近似色。 又，如此之色素係以具製作模板時或製作光碟時不起 變化之耐熱性（2 5 0 t左右）者爲佳，以於形成預烤光 阻層3之材料的溶解度優者爲更佳。 其次藉第1圖說明依本發明之模板製造方法。如第1圖 A至E，首先，爲去除基盤1表面之微小損傷，硏磨或淸 洗基盤1之至少一面。 硏磨方法有例如，用氧化鈽（Ce02 )之硏磨劑所作的 機械硏磨、使用化學藥物之化學硏磨、電解硏磨、無電解 硏磨、藉濺鍍等之物理硏磨等，可隨欲予硏磨之基盤適當 選擇。又，淸洗係爲去除硏磨時之硏磨粉等而實施，可用 已知方法爲之。 其次於基盤1之經硏磨或淸洗之面上，爲形成半交聯 光阻層2，塗布藉熱及/或光線起交聯反應之材料。該塗布 可自旋塗法、噴塗法、輥塗法、浸沾法等已知方法適當選 擇較佳方法爲之。而，爲提升半交聯光阻層2與基盤1的密 -16· (12) (12)200306567 合性之目的，亦可先於塗布面上塗布以適當之偶合劑。 如此於基盤1上塗布藉熱及/或光線起交聯反應之材料 後，加熱或以光線照射，使該材料起不致完全交聯之交聯 反應，形成半交聯光阻層2(第1圖B)。加熱可用烘箱、 熱板等，以不使交聯反應完全進行之溫度及時間實施。而 以光線照射之交聯可用例如UV熟化法實施，其照射條件 係適當設定成不致完全交聯。 用以形成半交聯光阻層2之材料係如上述式（1 )之甲 氧基甲基化三聚氰胺化合物，以加熱半交聯時，以70至 2 5 0 °C爲佳，80至200 t：更佳，10秒至20分鐘爲較佳， 20秒至10分鐘爲更佳。 又，以光線照射半交聯時，較佳者爲以200至4 5 0奈米 ’更佳者爲250至3 60奈米波長之光線，較佳者爲於10秒至 2〇分鐘，更佳者於20秒至10分鐘照射。但是此等條件 可隨基盤1之厚度，塗布之材料厚度，或加熱裝置、光線 之種類變更。 形成半交聯光阻層2後，於其上以旋塗法、噴塗法、 輥塗法、浸沾法等已知手段塗布用以形成預烤光阻層3之 光阻材料，更用烘箱或熱板加熱預烤形成預烤光阻層3 ( 第1圖C )，得模板用原盤1 1。 形成預烤光阻層3之光阻材料，係含上述式（1 )之甲 氧基甲基化三聚氰胺化合物之材料時，預烤係以於80至 100 °C實施爲佳，85至95 °C更佳，加熱70秒至15分鐘 爲佳，80秒至12分鐘更佳。但此等條件可隨基盤1之厚 -17- (13) (13)200306567 度，半交聯光阻層2之厚度，所塗布之光阻層厚度，所用 加熱裝置之種類適當變更。 而預烤光阻層3更含上述色素等以外之成分時，塗布 光阻材料之前，以於光阻材料中業已含該成分爲佳。 所得模板用原盤1 1的預烤光阻層3上，爲防存在於自 然環境之化學物質、菌類對該層之污染，必要時可設保護 膜。用於保護膜之材料有例如，聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸 甲酯、聚矽氧樹脂、聚氨酯、環氧樹脂。 保護膜係以於後敘之曝光時對所照射之光充分透明， 且於後敘之顯像當中有顯像液可溶之特性的材料爲佳。如 此之材料有例如聚乙烯醇。而此等形成保護膜之材料中， 亦可更含抗菌劑、殺菌劑、界面活性劑等添加劑。於預烤 光阻層3上形成保護膜之方法，可適當選用旋塗法、噴塗 法、輥塗法等已知方法。 其次，於所得模板用原盤1 1之預烤層3，以例如g線、 I線、Ar雷射、Kr雷射、ArF雷射、KrF雷射、？2雷射之光 源的光、X線、電子束等照射曝光、形成特定圖型。例如 ，用模板製造之光碟係DVD時，以照射波長351至41 3奈米 之光線爲佳。 預烤光阻層3曝光後去除未曝光部（顯像），形成 具一定凹凸圖型（一定資訊）之光阻凸塊4(凸塊）（第1 圖D )。顯像可用鹼系顯像液爲之。 顯像液有例如，磷酸鈉、氫氧化鈉等無機鹼水溶液、 氫氧化四甲銨（TMAH )等氫氧化四烷基銨水溶液、乙二 •18- (14) (14)200306567 胺、三乙胺等有機鹼溶液等。顯像液之濃度及顯像條件， 可依所用顯像液之種類適當設定。 預烤光阻層3係用含上述式（1)之甲氧基甲基化三聚 氰胺之化合物時，顯像液以TMAH溶液爲佳，此時其鹼 濃度以0.4至2.5重量％爲佳。顯像液之溫度以常溫爲佳， 顯像時間以30至90秒爲佳。 如此形成光阻凸塊4後，於半交聯光阻層2及光阻凸塊 4施以加熱及/或光線照射等處理，使此等實質上完全交聯 硬化得本發明之模板2 1 (第1圖E )。加熱處理可用烘箱、 熱板等實施，而光線之照射處理可經UV熟化法實施。 預烤光阻層3之材料係上述甲氧基甲基化三聚氰胺化 合物時，交聯係由如上述的甲氧基甲基之反應形成。此時 ，實質上的完全交聯狀態，係比半交聯狀態有更多甲氧基 甲基形成交聯之狀態，較佳者爲大部份形成交聯之狀態。 並且，完全交聯而形成之光阻凸塊4幾乎不溶解於顯像液 ，實質上不溶。 加熱處理時，較佳者爲於175至25 0 °C之間多階段烘 烤，使半交聯光阻層2及光阻凸塊4實質上完全交聯。作光 線照射處理時，較佳者爲以200至4 5 0奈米，更佳者25 0至 3 6 0奈米之波長的光線於1 〇秒至2 0分鐘，更佳者2 0秒至 10分鐘照射，使半交聯光阻層2及光阻凸塊4實質上完全 交聯。加熱處理及光線照射處理，實施至少其一即可，爲 切實完成交聯以兼作二者爲佳。而此等條件可隨基盤1之 厚度，半交聯光阻層2之厚度，光阻凸塊4之厚度，所用加 -19- (15) (15)200306567 熱裝置等適當變更。 如此製造之模板2 1，預烤光阻層3因有經交聯之甲氧 基甲基化三聚氰胺構成之光阻凸塊4，強度及耐久性優。 由本發明之模板用原盤11製造之模板21，基盤1與 光阻凸塊4因係介以樹脂材料構成之半交聯光阻層2之硬化 物接合，各層間之密合性格外提高。因此，模板2 1之強度 及耐久性可進一步提升。又，相較於直接將凸塊形成在基 盤上，可抑制光阻凸塊4之由基盤1剝離。 藉此，形成光阻凸塊4之模板2 1，於須有高溫•高壓 條件的光碟基盤成型時，亦可良好形成槽、凹槽（資料之 轉印）。多次重複使用時，光阻凸塊4之破損，自基盤1的 剝離之時間劣化亦少有發生。 模板2 1係相當於習知模板製造方法中用作Ni電鑄用型 板之光阻原盤。亦即，習知製造方法中該光阻原盤形成後 ，必需有更耗時，並容易起缺失之電鑄過程，反之，使用 本發明之模板用原盤1 1即可省略該電鑄過程。因此，根據 本發明，可於短時間製造模板，並大幅提升良率。

Ni之電鑄係以電鍍實施，而通常電鍍處理後因所用電 鍍液等產生廢液，於環境不佳，並造成廢液處理成本。相 對於此，利用本發明之光阻原盤1 1因無廢液產生，不僅削 減成本’亦可對環境友善。 又，習知模板製造方法中，如上述一旦經光阻之曝光 •顯像得光阻原盤後，以之爲型板更施以Ni電鑄，則需要 用以形成模板之凹凸的多段過程。相對於此，依本發明之 -20- (16) (16)200306567 模板製造方法，僅曝光•顯像過程即可形成凹凸。因此， 於模板2 1經曝光高精度再生圖型。結果，作微細之圖型化 時亦可減輕加工精度的下降。 於是，使用具如此特性之模板2 1，於光碟基盤轉印一 定的資訊，即可得光碟。第3圖係本發明的光碟之一實施 形態的剖視圖。光碟200係由，形成槽之光碟基盤201，形 成於該基盤上之反射層202，及形成於該反射層上之虛擬 基盤203構成，形成於基盤上的槽係藉上述本發明之模板 2 1轉印而成。 構成光碟基盤20 1之材料，對用以讀取光碟之記錄的 光具透明性（透光性）者即可，有例如聚碳酸酯。又，反 射層係由例如鋁等構成，係爲提升對讀取光之反射率而設 。虛擬基盤203係爲保護形成有槽之基盤或反射層，以由 如同基盤20 1之材料構成爲佳。 如此之光碟200係用上述的本發明之模板21，於光碟 基盤2 0 1或形成於該基盤上之記錄層轉印一定的資訊而製 造。此時，轉印可與光碟之成型同時進行。成型方法有例 如射出成型、注模成型、壓製成型等已知方法，一般係射 出壓縮成型。成型條件可依欲予成型之光碟種類（DVD、 CD等）適當決定。又’模板21之基盤1的固定於模具之面 若加以硏磨，則因成型時不易有模板2 1自模具脫落等之缺 失而較佳。 〔實施例〕 -21 - (17) 200306567 (實施例1 ) <模板用原盤之製造> 首先，外徑200毫米，厚0.3 毫米之Ni基盤的一面 以氧化铈（C e Ο 2 )作機械硏磨。其次，於N i基盤經硏磨 面以旋塗機塗布含下述式（1 )之化合物的鹼可溶性負型 光阻（NNR600 S2，NAGASECHEMTECS (股）製）成 200 奈米厚度。 CH3O^CH2 〜N/CH卜〇Ch3

ch3o—ch2, ch3o—ch/

，CH2_OCH3 、CH，一OChU …（1) 塗布後，該光阻於設定在l l 〇 t之熱板內處理2分 鐘熱交聯，並於加熱後/前以UV光照射光交聯，形成半交 聯光阻層。其次，於半交聯光阻層上面，以旋塗機塗布含 上述式（〗）之甲氧基甲基化三聚氰胺樹脂的鹼可溶性負 型光阻（NNR600S2，NAGASECHEMTEC (股）製）成 200 奈米厚度後，在設定於8 5 °C之烘箱內預烤1 〇分鐘形成 預烤光阻層，製造模板用原盤。 (實施例2 ) <模板之製造> 於所得模板用原盤之預烤光阻層將Ar雷射（351奈米 )作特定圖型照射記錄一定資訊後，於設定在1 1 0 °C之 -22- (18) (18)200306567 熱板內烘烤4分鐘。其次用1.57重量％之TMAH水溶液， 於常溫（約24 °C )旋轉顯像60秒，去除曝光部形成光阻 凸塊。對形成光阻凸塊之模板用原盤，於設定在1 75 °C 的熱板內處理1 0分鐘後，在設定於2 5 0 °C之熱板內處理 10分鐘作多段烘烤。再用深UV光使半交聯光阻層及光阻 凸塊完全交聯。沖裁該模板用原盤成外徑1 3 8毫米，內 徑22毫米之甜甜圈狀，製造模板。 (實施例3 ) <光碟之製造> 光碟基盤材料係用聚碳酸酯樹脂。安裝上述實施例2 所得之模板於模具，經射出壓縮成形，得轉印有記錄於模 板之資訊圖型的外徑120毫米，內徑15毫米之光碟基盤 。其次於該光碟基盤之資訊圖型轉印面施以鋁濺鍍，成膜 爲反射膜。再於該反射膜上用黏合劑貼合與光碟基盤同大 小之聚碳酸酯製虛擬盤，製造光碟。 如以上說明，利用本發明之模板用原盤及其製造方法 ，模板及其製造方法，以及藉該模板轉印圖型之光碟，可 省略模板之製造中耗時且易於缺失的Ni電鑄過程，並可形 成高精度之微細凹凸圖型。 【圖式簡單說明】 第1圖A至E係依本發明的模板製造方法之過程示意圖 -23- (19) (19)200306567 第2圖A至D係習知模板製造方法之過程示意圖。 第3圖係本發明的光碟之一實施形態的剖視圖。 【符號說明】 1、1 0 1 基 盤 2 半 交 聯 光 阻層 3 預 烤 光 阻 層 4 光 阻 凸 塊 11 模 板 用 原 jfiru 盤 2 1 模 板 102 正 型 光 阻 層 103 Ni 層 200 光 碟 20 1 光 碟 基 盤 202 反 射 層 203 虛 擬 基 盤 -24-

Claims (1)

1. 200306567 Π) 拾、申請專利範圍 1·一種模板用原盤，其特徵爲：具備 基盤，以及 設於上述基盤上之半交聯光阻層，及含下述式（1) 之化合物而成的預烤光阻層，

   …（1) 2.如申請專利範圍第1項之模板用原盤，其中上述半 交聯光阻層及上述預烤光阻層係由上述基盤起依序層合而 成。 3 ·如申請專利範圍第1項之模板用原盤，其中上述預 烤光阻層含對波長63 5至650奈米的光具吸收性之色素。 4 ·如申請專利範圍第1項之模板用原盤，其中具備設 於上述預烤光阻層之保護膜。 5· —種模板用原盤之製造方法，其特徵爲：具備 將基盤之至少一面硏磨、淸洗之過程， 於硏磨或淸洗之上述至少一面上，形成半交聯光阻層 之過程，以及 於上述半交聯光阻層上形成含下述式（1)之化合物 而成的預烤光阻層之過程， -25- (2) 200306567 CH30^CH2 〜N /CH2、OCh3

   /CH2 - och3 I xch2-och3 6·如申請專利範圍第5項之模板用原盤之製造方法， 其中在經實施形成上述預烤光阻層之過程後，具備形成保 護膜於該預烤光阻層上之過程。 7. —種模板，其特徵爲：具備 基盤，以及 設於上述基盤上，含下述式（1)之化合物作爲單體 單元而成之凸塊， CH3〇/CH2 〜N/CH2、〇Ch3

   8· —種模板之製造方法，其特徵爲：具備 於具備基盤，以及設於該基盤上之半交聯光阻層及含 下述式（1)之化合物而成的預烤光阻層之模板用原盤之 該預烤光阻層記錄一定資訊之過程， 將已記錄資訊之上述預烤光阻層顯像形成凸塊之過程 ，以及 使上述半交聯光阻層及上述凸塊發生交聯反應，實質 上完全硬化之過程， -26- …（1) (3) 200306567 …（1) (3)

   9. 一種光碟，其特徵爲：轉 及設於該基盤上含下述式（1)之 成之凸塊的模板之一定資訊而成。 印記錄於具備基盤，以 化合物作爲單體單元而

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