JPH06111387A - プラスチック・スタンパーの製造方法 - Google Patents
プラスチック・スタンパーの製造方法Info
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- JPH06111387A JPH06111387A JP4261198A JP26119892A JPH06111387A JP H06111387 A JPH06111387 A JP H06111387A JP 4261198 A JP4261198 A JP 4261198A JP 26119892 A JP26119892 A JP 26119892A JP H06111387 A JPH06111387 A JP H06111387A
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- plastic
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Abstract
(57)【要約】
【目的】光ディスクのＣ／Ｎ比を高くする。
【構成】光ディスクはプラスチック・スタンパーを用い
て製造される。プラスチック・スタンパーは、第１基板
（１）の表面にレジスト（２）を塗布する第１工程、レ
ジスト（２）をパターニングし、レジスト原盤（図１、
ｂ）を用意する第２工程、パターニングされたレジスト
（２）表面に剥離層（６）を形成する第３工程、剥離層
（６）上に放射線硬化性樹脂（例えば、紫外線硬化性樹
脂）（４）を塗布する第４工程、放射線硬化性樹脂
（４）上に第２基板を載置する第５工程、放射線（例え
ば、紫外線）を照射することにより放射線硬化性樹脂
（４）を硬化させる第６工程、剥離層（６）とレジスト
（２）との界面より剥離する第７工程からなる製造工程
で製造される。 本発明は、第２基板に従来よりも厚
い、厚さ３〜６ｍｍのガラスまたはプラスチックからな
る基板を用いることを特徴とする。 【効果】製造工程、製造コストを増やすことなく、Ｃ／
Ｎ比が高い光ディスクを製造することができる。
て製造される。プラスチック・スタンパーは、第１基板
（１）の表面にレジスト（２）を塗布する第１工程、レ
ジスト（２）をパターニングし、レジスト原盤（図１、
ｂ）を用意する第２工程、パターニングされたレジスト
（２）表面に剥離層（６）を形成する第３工程、剥離層
（６）上に放射線硬化性樹脂（例えば、紫外線硬化性樹
脂）（４）を塗布する第４工程、放射線硬化性樹脂
（４）上に第２基板を載置する第５工程、放射線（例え
ば、紫外線）を照射することにより放射線硬化性樹脂
（４）を硬化させる第６工程、剥離層（６）とレジスト
（２）との界面より剥離する第７工程からなる製造工程
で製造される。 本発明は、第２基板に従来よりも厚
い、厚さ３〜６ｍｍのガラスまたはプラスチックからな
る基板を用いることを特徴とする。 【効果】製造工程、製造コストを増やすことなく、Ｃ／
Ｎ比が高い光ディスクを製造することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスクに用いるプ
ラスチック製光学製品（前駆体）を成形により大量生産
するためのプラスチック・スタンパーを製造する方法に
関する。
ラスチック製光学製品（前駆体）を成形により大量生産
するためのプラスチック・スタンパーを製造する方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクは、大別して再生専用型、
一回だけ記録できる追記型、一回記録しても消去で
き、繰り返し何回でも記録ができる書換え可能型の３種
類に分類できる。再生専用型では、情報は、幅0.3 〜0.
4 μｍ程度、高さ又は深さが λ /5n〜λ /6n（λは再
生時に照射する光ビームの波長、ｎは基板の屈折率）の
ピットと呼ばれる島状突起又は窪みの有無で表される。
一回だけ記録できる追記型、一回記録しても消去で
き、繰り返し何回でも記録ができる書換え可能型の３種
類に分類できる。再生専用型では、情報は、幅0.3 〜0.
4 μｍ程度、高さ又は深さが λ /5n〜λ /6n（λは再
生時に照射する光ビームの波長、ｎは基板の屈折率）の
ピットと呼ばれる島状突起又は窪みの有無で表される。
【０００３】追記型では、記録層は一般に、蒸発し易い
金属薄膜あるいは有機色素薄膜からなる。この記録層
に、光ビームを照射することで、ピットと呼ばれる孔が
開けられる。情報は、このピットの有無又はピットの長
さで表される。書換え可能型には、相変化型記録媒体や
光磁気記録媒体などがある。 いずれも、光ビームによ
り光学的性質の異なるピット（マークとも呼ばれる）が
記録層のランドまたは溝上に形成される（対物レンズか
ら見て、近い方を溝、遠い方をランドと呼ぶ）。直径13
0 mmの書換え可能型光ディスクは国際規格(ISO規格) が
ある。一般に１つの溝とこれに隣接する１つのランドを
トラックと呼ぶ。現在、ISO 規格では、このトラックピ
ッチは1.6 μｍとされている。 また、溝の幅は0.4 μ
ｍ、深さは950 Å、ピットの幅は0.4 μｍ程度、深さ14
00Å程度である。しかし、情報量の増加に伴い、光ディ
スクの高密度化、大容量化が望まれていることから、更
にトラックピッチの狭化（狭トラック化）、ピット（情
報は、このピットの有無又はピットの長さで表される）
の微小化に向かうことは明らかである。
金属薄膜あるいは有機色素薄膜からなる。この記録層
に、光ビームを照射することで、ピットと呼ばれる孔が
開けられる。情報は、このピットの有無又はピットの長
さで表される。書換え可能型には、相変化型記録媒体や
光磁気記録媒体などがある。 いずれも、光ビームによ
り光学的性質の異なるピット（マークとも呼ばれる）が
記録層のランドまたは溝上に形成される（対物レンズか
ら見て、近い方を溝、遠い方をランドと呼ぶ）。直径13
0 mmの書換え可能型光ディスクは国際規格(ISO規格) が
ある。一般に１つの溝とこれに隣接する１つのランドを
トラックと呼ぶ。現在、ISO 規格では、このトラックピ
ッチは1.6 μｍとされている。 また、溝の幅は0.4 μ
ｍ、深さは950 Å、ピットの幅は0.4 μｍ程度、深さ14
00Å程度である。しかし、情報量の増加に伴い、光ディ
スクの高密度化、大容量化が望まれていることから、更
にトラックピッチの狭化（狭トラック化）、ピット（情
報は、このピットの有無又はピットの長さで表される）
の微小化に向かうことは明らかである。
【０００４】追記型及び書換え可能型では、記録時に、
光ビームをトラックに沿って誘導する案内手段が必要な
ことから、一般にはランドとランドとの間に溝を形成す
る。溝はスパイラル状又は同心円状に形成されている。
溝またはランド上にトラック長手方向に情報（ピット）
が記録されている。この追記型及び書換え可能型でも、
媒体の一部に、予めトラック番号やセクター番号などを
表す窪みからなるピット（プリピットと呼ばれる）を形
成する。
光ビームをトラックに沿って誘導する案内手段が必要な
ことから、一般にはランドとランドとの間に溝を形成す
る。溝はスパイラル状又は同心円状に形成されている。
溝またはランド上にトラック長手方向に情報（ピット）
が記録されている。この追記型及び書換え可能型でも、
媒体の一部に、予めトラック番号やセクター番号などを
表す窪みからなるピット（プリピットと呼ばれる）を形
成する。
【０００５】いずれにせよ、光ディスクにはピットや溝
の如き所定の微細な凹凸が必要になる。従って、安価に
大量に光ディスクを製造するには、プラスチック（合成
樹脂）を使用し、スタンパーと呼ばれる鋳型（金型）に
より、このプラスチック上に微細な凹凸を転写すること
が好ましい。転写は成形と同時になされる。成形法は射
出成形、注型成形、プレス成形などに分類できる。これ
により、溝やプレピットを与える凹凸を有する成形物が
得られる。
の如き所定の微細な凹凸が必要になる。従って、安価に
大量に光ディスクを製造するには、プラスチック（合成
樹脂）を使用し、スタンパーと呼ばれる鋳型（金型）に
より、このプラスチック上に微細な凹凸を転写すること
が好ましい。転写は成形と同時になされる。成形法は射
出成形、注型成形、プレス成形などに分類できる。これ
により、溝やプレピットを与える凹凸を有する成形物が
得られる。
【０００６】再生専用型（例えば、コンパクト・ディス
ク）では、ピットだけあればよいので、成形物がそのま
ま光ディスクになり得るが、実際には反射率を高めるた
めに表面にアルミニウムの反射層を蒸着することが多
い。この意味で、成形物は光ディスクの前駆体と呼ぶこ
ともできる。追記型及び書換え可能型では、当然に記録
層が必要になるので、溝やプリピットを与える凹凸を有
する成形物は、光ディスクの前駆体と呼ぶ。尚、基板と
溝材層とからなり、この溝材層を成形物とする光ディス
クの前駆体もある。 これを２Ｐ（Photo polymer)基板
と呼ぶ。Photo polymer とは、放射線硬化性樹脂のこと
である。
ク）では、ピットだけあればよいので、成形物がそのま
ま光ディスクになり得るが、実際には反射率を高めるた
めに表面にアルミニウムの反射層を蒸着することが多
い。この意味で、成形物は光ディスクの前駆体と呼ぶこ
ともできる。追記型及び書換え可能型では、当然に記録
層が必要になるので、溝やプリピットを与える凹凸を有
する成形物は、光ディスクの前駆体と呼ぶ。尚、基板と
溝材層とからなり、この溝材層を成形物とする光ディス
クの前駆体もある。 これを２Ｐ（Photo polymer)基板
と呼ぶ。Photo polymer とは、放射線硬化性樹脂のこと
である。
【０００７】いずれにせよ、光ディスクの製造工程に
は、スタンパーと呼ばれる鋳型（金型）が必要になる。
従来、スタンパーは次の工程（図２参照）で製造されて
いる。 第１工程：第１基板（１）の上にレジスト（２）を塗布
する工程（図２のａ）； 第２工程：レーザービームでレジスト（２）を露光し、
現像することにより、所定パターンにパターニングする
工程（図２のｂ）；こうして形成されたものをレジスト
原盤と称する。 第３工程：Niスパッタや無電界Niメッキによって、パタ
ーニングされたレジスト（２）表面を導電化し、次いで
電鋳により厚いNi電鋳層を形成する工程；図２のｃで
は、導電層と電鋳層を合わせてNi層（５）とする。 第４工程：厚いNi層（５）からなるNiスタンパーを、
レジスト（２）から剥離し、剥離したNiスタンパー表面
の残留レジストをアッシング（酸素ガスによるドライエ
ッチング）により除去する工程（図２のｄ）；しかしな
がらこのようなNiスタンパーの製造方法には、次のよう
な問題点があった。 ・電鋳時の条件（電鋳液組成、温度及びｐＨ）を常時一
定に保つことが難しく、光ディスク原盤を長期間にわた
り安定して製造することが困難である。 ・スルファミン酸ニッケル液等の電鋳液は公害の原因と
なるため廃液処理等が難しい。 ・電鋳工程に長時間を要する。 ・電鋳装置が高価である（約１億円）。
は、スタンパーと呼ばれる鋳型（金型）が必要になる。
従来、スタンパーは次の工程（図２参照）で製造されて
いる。 第１工程：第１基板（１）の上にレジスト（２）を塗布
する工程（図２のａ）； 第２工程：レーザービームでレジスト（２）を露光し、
現像することにより、所定パターンにパターニングする
工程（図２のｂ）；こうして形成されたものをレジスト
原盤と称する。 第３工程：Niスパッタや無電界Niメッキによって、パタ
ーニングされたレジスト（２）表面を導電化し、次いで
電鋳により厚いNi電鋳層を形成する工程；図２のｃで
は、導電層と電鋳層を合わせてNi層（５）とする。 第４工程：厚いNi層（５）からなるNiスタンパーを、
レジスト（２）から剥離し、剥離したNiスタンパー表面
の残留レジストをアッシング（酸素ガスによるドライエ
ッチング）により除去する工程（図２のｄ）；しかしな
がらこのようなNiスタンパーの製造方法には、次のよう
な問題点があった。 ・電鋳時の条件（電鋳液組成、温度及びｐＨ）を常時一
定に保つことが難しく、光ディスク原盤を長期間にわた
り安定して製造することが困難である。 ・スルファミン酸ニッケル液等の電鋳液は公害の原因と
なるため廃液処理等が難しい。 ・電鋳工程に長時間を要する。 ・電鋳装置が高価である（約１億円）。
【０００８】そこで、電鋳を使用しないプラスチック・
スタンパーが提案された。このスタンパーの製造方法
は、次の工程（図３参照）からなる。 第１工程：第１基板（１）上にレジスト（２）を塗布す
る工程（図３のａ）； 第２工程：レジスト（２）を所定パターンにレジストを
露光し、現像することにより所定パターンにパターニン
グし、これによりレジスト原盤を作製する工程（図３の
ｂ）； 第３工程：ＲＦスパッタリング等により、前記レジスト
原盤上に金属薄膜等からなる剥離層（６）を形成する工
程（図３のｃ）； 第４工程：剥離層（６）上に放射線硬化性樹脂（４）例
えば、紫外線硬化性樹脂を塗布する工程； 第５工程：塗布された樹脂（４）上に厚さ１〜２ｍｍの
ガラス製第２基板を載置する工程（図３のｄ）； 第６工程：樹脂（４）が第２基板（３）全面に広がった
ら樹脂（４）に放射線例えば、紫外線を照射して硬化さ
せる工程；第７工程：剥離層（６）とレジスト（２）と
の界面より剥離する工程（図３のｅ）；
スタンパーが提案された。このスタンパーの製造方法
は、次の工程（図３参照）からなる。 第１工程：第１基板（１）上にレジスト（２）を塗布す
る工程（図３のａ）； 第２工程：レジスト（２）を所定パターンにレジストを
露光し、現像することにより所定パターンにパターニン
グし、これによりレジスト原盤を作製する工程（図３の
ｂ）； 第３工程：ＲＦスパッタリング等により、前記レジスト
原盤上に金属薄膜等からなる剥離層（６）を形成する工
程（図３のｃ）； 第４工程：剥離層（６）上に放射線硬化性樹脂（４）例
えば、紫外線硬化性樹脂を塗布する工程； 第５工程：塗布された樹脂（４）上に厚さ１〜２ｍｍの
ガラス製第２基板を載置する工程（図３のｄ）； 第６工程：樹脂（４）が第２基板（３）全面に広がった
ら樹脂（４）に放射線例えば、紫外線を照射して硬化さ
せる工程；第７工程：剥離層（６）とレジスト（２）と
の界面より剥離する工程（図３のｅ）；
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、従来法に
よりプラスチック・スタンパーを製造し、これを用いて
前駆体を製造し、その上に記録層を形成して光ディスク
を製造した。そして、これに情報を記録、再生を行い再
生信号のＣ／Ｎ比を測定した。その結果、再生信号のＣ
／Ｎ比が低いという問題点が生じた。
よりプラスチック・スタンパーを製造し、これを用いて
前駆体を製造し、その上に記録層を形成して光ディスク
を製造した。そして、これに情報を記録、再生を行い再
生信号のＣ／Ｎ比を測定した。その結果、再生信号のＣ
／Ｎ比が低いという問題点が生じた。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者は、Ｃ／Ｎ比が
低い原因は、従来法のプラスチック・スタンパーを用い
て前駆体を製造するときの剥離時に第２基板に反りが生
じ、凹凸が形成されている第２基板上の表面の平面性が
悪化（歪み）し、このようなスタンパーを繰り返し用い
た場合、平面性が悪化した前駆体が製造されてしまうた
めであることを見い出した。このような平面性が悪化し
た前駆体からなる光ディスクの記録層表面に形成されて
いる凹凸は、当然に平面性が悪化しており、プレピット
の形状も一定でなく、トラックも基板中心から正確な同
心円を描いておらず、 これらが原因で再生信号のＣ／
Ｎを低くしていることを突き止めた。
低い原因は、従来法のプラスチック・スタンパーを用い
て前駆体を製造するときの剥離時に第２基板に反りが生
じ、凹凸が形成されている第２基板上の表面の平面性が
悪化（歪み）し、このようなスタンパーを繰り返し用い
た場合、平面性が悪化した前駆体が製造されてしまうた
めであることを見い出した。このような平面性が悪化し
た前駆体からなる光ディスクの記録層表面に形成されて
いる凹凸は、当然に平面性が悪化しており、プレピット
の形状も一定でなく、トラックも基板中心から正確な同
心円を描いておらず、 これらが原因で再生信号のＣ／
Ｎを低くしていることを突き止めた。
【００１１】本発明者は研究の結果、上記問題点を解決
するためには第２基板の反りを防止すれば、凹凸が形成
されている第２基板上の表面の平面性が悪化することが
ないことを見い出し、第２基板を強化する補強板（例え
ば、ガラス製、金属製）を接着することを試みた。その
結果、補強板を接着したスタンパーを用いて製造した光
ディスクの再生信号のＣ／Ｎ比は、従来よりも高くなっ
たが、補強板を接着する工程が増え、工程が煩雑にな
り、更に補強板の平面性を常に高い状態に保持しなくて
はならず、補強板の交換を頻繁に行う必要があることか
ら製造コストが高くなるという問題点が生じた。
するためには第２基板の反りを防止すれば、凹凸が形成
されている第２基板上の表面の平面性が悪化することが
ないことを見い出し、第２基板を強化する補強板（例え
ば、ガラス製、金属製）を接着することを試みた。その
結果、補強板を接着したスタンパーを用いて製造した光
ディスクの再生信号のＣ／Ｎ比は、従来よりも高くなっ
たが、補強板を接着する工程が増え、工程が煩雑にな
り、更に補強板の平面性を常に高い状態に保持しなくて
はならず、補強板の交換を頻繁に行う必要があることか
ら製造コストが高くなるという問題点が生じた。
【００１２】そこで本研究者は鋭意研究の結果、従来よ
りも厚い第２基板を用いれば、補強板を使用する必要が
なくなり、製造工程を増やさず、更に製造コストも高く
せずに従来よりも再生信号のＣ／Ｎ比が高い光ディスク
が製造できるプラスチック・スタンパーを得ることが可
能なことを見い出し、本発明をなすに至った。そこで本
発明は、「第１工程：第１基板の上にレジストを塗布す
る工程； 第２工程：前記レジストをパターニングすることによ
り、レジスト原盤を作製する工程； 第３工程：前記レジスト原盤の上に剥離層を形成する工
程； 第４工程：前記剥離層上に放射線硬化性樹脂を塗布する
工程； 第５工程：前記樹脂上に厚さ３〜６ｍｍの第２基板を載
置する工程； 第６工程：放射線を照射することにより前記樹脂を硬化
させる工程； 第７工程：前記剥離層と前記レジストとの界面より剥離
する工程；からなるプラスチック・スタンパーの製造方
法（請求項１）」を提供することにある。
りも厚い第２基板を用いれば、補強板を使用する必要が
なくなり、製造工程を増やさず、更に製造コストも高く
せずに従来よりも再生信号のＣ／Ｎ比が高い光ディスク
が製造できるプラスチック・スタンパーを得ることが可
能なことを見い出し、本発明をなすに至った。そこで本
発明は、「第１工程：第１基板の上にレジストを塗布す
る工程； 第２工程：前記レジストをパターニングすることによ
り、レジスト原盤を作製する工程； 第３工程：前記レジスト原盤の上に剥離層を形成する工
程； 第４工程：前記剥離層上に放射線硬化性樹脂を塗布する
工程； 第５工程：前記樹脂上に厚さ３〜６ｍｍの第２基板を載
置する工程； 第６工程：放射線を照射することにより前記樹脂を硬化
させる工程； 第７工程：前記剥離層と前記レジストとの界面より剥離
する工程；からなるプラスチック・スタンパーの製造方
法（請求項１）」を提供することにある。
【００１３】
【作用】本発明によれば、従来、スタンパーとなる第２
基板として厚さ１〜２ｍｍのガラス基板を用いていたと
ころを、厚さ３〜６ｍｍのガラス基板又はプラスチック
基板を使用する。第２基板の材料は特に限定されず、例
えば、金属又はセラミックでもよい。
基板として厚さ１〜２ｍｍのガラス基板を用いていたと
ころを、厚さ３〜６ｍｍのガラス基板又はプラスチック
基板を使用する。第２基板の材料は特に限定されず、例
えば、金属又はセラミックでもよい。
【００１４】第２基板の厚さが従来よりも厚いことか
ら、前駆体を製造する場合の剥離時にプラスチック・ス
タンパーである第２基板が反りを生じることはない。
ら、前駆体を製造する場合の剥離時にプラスチック・ス
タンパーである第２基板が反りを生じることはない。
【００１５】
【実施例１】本発明の実施例を図１を用いて説明する。 第１工程：まず、第１基板（１）上にレジスト（２）を
塗布する（図１のａ）。ここでは、基板（１）として
は、レジスト（２）と第１基板（１）として使用するガ
ラス基板との接着性を高めるために予め表面に例えばＨ
ＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）をスピンコート法に
より塗布した、シラン処理されたガラス板を使用する。
塗布する（図１のａ）。ここでは、基板（１）として
は、レジスト（２）と第１基板（１）として使用するガ
ラス基板との接着性を高めるために予め表面に例えばＨ
ＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）をスピンコート法に
より塗布した、シラン処理されたガラス板を使用する。
【００１６】レジスト（２）としては、例えばヘキスト
製ＡＺ1350などのポジ型レジストが使用される（ネガ型
レジストを使用してもよい）。 第２工程：基板（１）上のレジスト（２）に高エネルギ
ービーム（例えば、アルゴンレーザー光、波長457.9nm
）で所定パターン、例えば溝やピット形状に照射し、
レジスト（２）を露光する。ピットで情報を表すために
は、情報に応じてレーザー光が変調される。その後、所
定のエッチング液（例えば、希アルカリ水溶液）で現像
することにより所定パターンを有するレジスト層が形成
される。これをレジスト原盤と称する。所定パターンを
形成した時点の断面図を図１のｂに示す。
製ＡＺ1350などのポジ型レジストが使用される（ネガ型
レジストを使用してもよい）。 第２工程：基板（１）上のレジスト（２）に高エネルギ
ービーム（例えば、アルゴンレーザー光、波長457.9nm
）で所定パターン、例えば溝やピット形状に照射し、
レジスト（２）を露光する。ピットで情報を表すために
は、情報に応じてレーザー光が変調される。その後、所
定のエッチング液（例えば、希アルカリ水溶液）で現像
することにより所定パターンを有するレジスト層が形成
される。これをレジスト原盤と称する。所定パターンを
形成した時点の断面図を図１のｂに示す。
【００１７】第３工程：次いで、レジスト（２）の上に
真空蒸着またはスパッタリング法などにより図１のｃの
如く剥離層（６）を形成する。剥離層（６）は例えばSi
3N4等のシリコン窒化物が用いられ、またAl、Si、Ti、T
a、などの金属やAl2O3 などの金属酸化物や金属炭化物
も剥離層（６）として使用できる。膜厚は200 〜600Å
が好ましい（本実施例では500 Å) 。
真空蒸着またはスパッタリング法などにより図１のｃの
如く剥離層（６）を形成する。剥離層（６）は例えばSi
3N4等のシリコン窒化物が用いられ、またAl、Si、Ti、T
a、などの金属やAl2O3 などの金属酸化物や金属炭化物
も剥離層（６）として使用できる。膜厚は200 〜600Å
が好ましい（本実施例では500 Å) 。
【００１８】第４工程：剥離層（６）の上に紫外線硬化
性樹脂（４）を塗布する。 第５工程：液状の紫外線硬化性樹脂（４）の上に厚さ６
ｍｍガラス板からなる第２基板（３）を押しつける。こ
の第２基板は予め密着助剤（シランカップリング剤）を
塗布（図示せず）して表面処理を施し、紫外線硬化性樹
脂（４）との密着性が高まるようにしてある。
性樹脂（４）を塗布する。 第５工程：液状の紫外線硬化性樹脂（４）の上に厚さ６
ｍｍガラス板からなる第２基板（３）を押しつける。こ
の第２基板は予め密着助剤（シランカップリング剤）を
塗布（図示せず）して表面処理を施し、紫外線硬化性樹
脂（４）との密着性が高まるようにしてある。
【００１９】第６工程：その後、第２基板（３）を通し
て紫外線を照射し、これによって紫外線硬化性樹脂
（４）を硬化させる。この状態が図１のｄである。 第７工程：紫外線硬化性樹脂（４）が硬化した後にレジ
スト（２）と剥離層（７）との界面より剥離する（図
１、ｅ）。剥離後のスタンパーの剥離層（７）表面には
わずかにレジスト（２）が付着している。これを、アセ
トンで溶解除去する。これに用いる溶剤は、アセトンの
他にメチルエチルケトンなどのケトン系溶剤、エタノー
ル、イソプロピルアルコールなどのアルコール系溶剤が
好ましい。
て紫外線を照射し、これによって紫外線硬化性樹脂
（４）を硬化させる。この状態が図１のｄである。 第７工程：紫外線硬化性樹脂（４）が硬化した後にレジ
スト（２）と剥離層（７）との界面より剥離する（図
１、ｅ）。剥離後のスタンパーの剥離層（７）表面には
わずかにレジスト（２）が付着している。これを、アセ
トンで溶解除去する。これに用いる溶剤は、アセトンの
他にメチルエチルケトンなどのケトン系溶剤、エタノー
ル、イソプロピルアルコールなどのアルコール系溶剤が
好ましい。
【００２０】以上の工程によりプラスチック・スタンパ
ーが製造できる。
ーが製造できる。
【００２１】
【実施例２】実施例１において、第２基板（３）として
用いたガラス基板に変えてプラスチック基板を使用し
た。この場合、基板の一面に上述のシラン処理は行わず
に、直接紫外線硬化性樹脂（４）に押しつけることが可
能である。これは、プラスチック及び紫外線硬化性樹脂
は共に有機物を成分としているため密着性が高いことに
起因する。 また、スタンパーは紫外線硬化性樹脂
（４）が露出した状態になることから、紫外線硬化性樹
脂（４）表面に表面硬化層を形成することも可能であ
る。表面硬化層は真空薄膜形成技術例えばスパッタリン
グ法、真空蒸着法、プラズマＣＶＤ法などにより形成さ
れる。材料としては、例えば、金属又は誘電体又は無機
化合物が使用される。具体的には、例えばSiO2、Si
3N4 、SiON、などのシリコン酸化物や窒化物、又はAl、
Ni、Fe、Crなどの金属やAl2O3 、AlN などの金属酸化物
や窒化物が使用される。
用いたガラス基板に変えてプラスチック基板を使用し
た。この場合、基板の一面に上述のシラン処理は行わず
に、直接紫外線硬化性樹脂（４）に押しつけることが可
能である。これは、プラスチック及び紫外線硬化性樹脂
は共に有機物を成分としているため密着性が高いことに
起因する。 また、スタンパーは紫外線硬化性樹脂
（４）が露出した状態になることから、紫外線硬化性樹
脂（４）表面に表面硬化層を形成することも可能であ
る。表面硬化層は真空薄膜形成技術例えばスパッタリン
グ法、真空蒸着法、プラズマＣＶＤ法などにより形成さ
れる。材料としては、例えば、金属又は誘電体又は無機
化合物が使用される。具体的には、例えばSiO2、Si
3N4 、SiON、などのシリコン酸化物や窒化物、又はAl、
Ni、Fe、Crなどの金属やAl2O3 、AlN などの金属酸化物
や窒化物が使用される。
【００２２】表面硬化層の膜厚は好ましくは、300 〜10
00Åである。
00Åである。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、プラスチック・スタン
パーに用いる第２基板の厚さが従来よりも厚いため、こ
のプラスチック・スタンパーを使用して光ディスクの前
駆体を製造するときの剥離時に反りを生じることがな
い。よって、プラスチック・スタンパー表面に形成され
ている凹凸（プレピット、トラック等）が歪むことな
く、正確に前駆体表面に転写することができ、高い平面
性を有した状態を保って前駆体を製造できる。
パーに用いる第２基板の厚さが従来よりも厚いため、こ
のプラスチック・スタンパーを使用して光ディスクの前
駆体を製造するときの剥離時に反りを生じることがな
い。よって、プラスチック・スタンパー表面に形成され
ている凹凸（プレピット、トラック等）が歪むことな
く、正確に前駆体表面に転写することができ、高い平面
性を有した状態を保って前駆体を製造できる。
【００２４】本発明によるプラスチック・スタンパーの
製造工程は従来に比べて工程を増やすことなく、製造コ
ストも高くすることなく、Ｃ／Ｎ比が高い光ディスクを
製造することができる。
製造工程は従来に比べて工程を増やすことなく、製造コ
ストも高くすることなく、Ｃ／Ｎ比が高い光ディスクを
製造することができる。
【図１】は、本発明の実施例に係わるスタンパーの製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図２】は、従来のＮｉスタンパーの製造工程を示す断
面図である。
面図である。
【図３】は、従来のプラスチック・スタンパーの製造工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
１・・・・・第１基板 ２・・・・・レジスト ３・・・・・第２基板 ４・・・・・紫外線硬化性樹脂 ５・・・・・Ｎｉ層 ６・・・・・剥離層 ７・・・・・補強板
Claims (1)
- 【請求項１】第１工程：第１基板の上にレジストを塗布
する工程； 第２工程：前記レジストをパターニングすることによ
り、レジスト原盤を作製する工程； 第３工程：前記レジスト原盤の上に剥離層を形成する工
程； 第４工程：前記剥離層上に放射線硬化性樹脂を塗布する
工程； 第５工程：前記樹脂上に厚さ３〜６ｍｍの第２基板を載
置する工程； 第６工程：放射線を照射することにより前記樹脂を硬化
させる工程； 第７工程：前記剥離層と前記レジストとの界面より剥離
する工程；からなるプラスチック・スタンパーの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4261198A JPH06111387A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | プラスチック・スタンパーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4261198A JPH06111387A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | プラスチック・スタンパーの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06111387A true JPH06111387A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17358509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4261198A Pending JPH06111387A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | プラスチック・スタンパーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06111387A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005090043A1 (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Pioneer Corporation | 凹凸パターン形成方法および凹凸パターン形成装置 |
| US8466456B2 (en) | 2009-12-24 | 2013-06-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same |
| KR101374740B1 (ko) * | 2012-10-30 | 2014-03-18 | 김현수 | 입체패턴 및 코팅층이 형성된 휴대폰 케이스의 제조 방법 |
| JP2018032875A (ja) * | 2017-11-09 | 2018-03-01 | 大日本印刷株式会社 | インプリント用のモールド |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP4261198A patent/JPH06111387A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005090043A1 (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Pioneer Corporation | 凹凸パターン形成方法および凹凸パターン形成装置 |
| US8466456B2 (en) | 2009-12-24 | 2013-06-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same |
| KR101374740B1 (ko) * | 2012-10-30 | 2014-03-18 | 김현수 | 입체패턴 및 코팅층이 형성된 휴대폰 케이스의 제조 방법 |
| JP2018032875A (ja) * | 2017-11-09 | 2018-03-01 | 大日本印刷株式会社 | インプリント用のモールド |
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