200304564 (1) 玖、發明說明 【發明之所屬技術領域】 本發明係屬於光電裝置及電子機器之技術領域，特別 是屬於爲了將夾合於二片基板之間隙的間隔，保持爲規定 的値而利用柱狀襯墊之光電裝置及，具備其光電裝置而成 之電子機器之技術領域之構成。 【背景技術】 鲁 液晶顯示裝置等之光電裝置係通常於裝置電極，配線， 元件等之二枚基板間封液晶所構成，並且，針對如此之光電 裝置係於前述二枚基板間爲了在基板全面將由該二枚基板 所夾合之間隙的間隔，即由液晶而成之層的層厚（以下稱爲 「單元間隙」）保持爲一定値（例如：約3〜5 μιη )，所謂設置 襯墊則是一般情況，在此，必須將單元間隙保持爲一定値之 情況係如不保持的狀況將會影響光透過率，對比，應答速度 等之顯示特性，而最壞的情況係有可產生顯示不均的情況 β 〇 作爲此襯套係對於更具體之情況係廣泛利用例如具有 微小略球狀形狀之構成，而如此之微小略球狀形狀之襯套 係對於如液晶電視，顯示器之直視型（大型）之液晶顯示 裝置之情況係其多數被平均散佈在二枚基板間之液晶中所 使用著，另一方面，對於進行投影機之映像管等之放大顯示 之小型液晶顯示裝置之情況係也在混合於相接合二枚基板 間之封合材中之型態所使用。 -5- (2) (2)200304564 另外，作爲襯套之其他例係也利用具有所謂柱狀之構 成（以下稱「柱狀襯套」）（參照特許文獻1 )，而此係爲 在基板上作適當的間隔始由適當之有機材料等而成支柱狀 部材之型態所使用之襯套，並根據該柱之軸方向之耐力來 支撐二枚基板，再將這些之間之單元間隙保持爲一定値，在 此「適當之間隔」係針對以往，例如從數畫素到數十畫素 存在1支柱狀襯套之程度，順便帶說，即使爲採用如此之柱狀 襯套之情況，合倂使用上述之混合於封合材中所使用之略 球狀形狀之襯套（以下將此封合材中之襯套特別稱爲「間 隔材」）爲一般，根據此，針對在基板全面更可滿足一定單 元間隙値之情況。 又，針對將基板間保持爲『一定』之情況，其精確度係 因應構成由液晶而成的層之液晶分子之不同與針對二枚基 板間之「彎曲角度」之不同而有所差異，例如，對於該彎曲 角度爲260度程度之TN(Twisted Nematic)型之情況係要求 ± 0·1μιη程度以下，而該彎曲角度爲260度程度之STN(Super Twisted Nematic)型之情況係要求± 〇.3μιη程度以下。 【特許文獻1】 特開2000- 66 1 8 1號公報 【發明內容】 【欲解決發明之課題】 但，針對在以往之襯套係有如以下之問題，即，針對如上 -6- (3) (3)200304564 述之液晶顯示裝置係因有必要注入液晶於二枚基板間，故 設置有連通由該二枚基板所夾合之間隙與外部之間的液晶 注入口，但根據此液晶注入口之存在，有著將單元間隙保持 爲一定値之困難點。 更具體的來說明此情況，首先，液晶顯示裝置之製造係 如下槪略進行，即，預先於各自之二枚基板上裝置電極，配線 ，元件等之必要之構成，接著，至少於前述二枚基板之任何一 方的周邊塗抹混入前述間隔材之封合材後（封合材塗抹工 程），各自貼合前述二枚基板之後（貼合工程），最後經由 前述液晶注入口根據真空吸引來將液晶導入至前述間隙內 而成。 針對如此之製造工程，首先在封合材塗抹工程之中係 有關應成爲液晶注入口之部分，無法進行該封合材之塗抹， 爲何如此，那是因爲當塗抹封合材於該部分時將無法導入 液晶，另外，前述貼合工程係對於二枚基板持續加上適當的 壓力進行之情況係爲一般狀況。 從以上來看，關於前述液晶注入口存在之部分係比較 於其他部分，將比單元間隙還小，爲何如此，那是因爲在貼 合工程之中係如上述所述，將二枚基板之貼合持續利用適 當之壓力執行，前述封合材，或者該封合材中的間隔材係欲 抵抗其壓力地對於持續互相接近之基板產生規定之抗力， 但對於液晶注入口存在之部分係並無存在如此之封合材及 間隔材。 在此，於二枚基板間作爲前述襯套即使存在柱狀襯套 -7- (4) (4)200304564 也無法到達消解如上數之不良狀況，爲何如此，那是因爲 針對前述貼合工程之壓力係有相當大之程度，故柱狀襯套 之產生的抗力則無法達到至同等於如前述之封合材及間隔 材的產生抗力，而此係柱狀襯套則如上述所述地以柱得軸 方向隻耐力來支撐基版，即對於所謂以「點」來支撐之情 況，封合材等係以只塗抹於基板週邊之「面」來支撐的情 況來看時則更爲明確。 本發明係有鑑於上述問題所進行之構成，將不論液晶 注入口之存在，而針對基板全面可將單元間隙保持一定値 之光電裝置，及具備如此之光電裝置之電子機器作爲課題 【欲解決發明之手段】 本發明之第1光電裝置係爲了解決上述課題，具備有夾 合光電物質而成隻一對基板與，連通由前述一對基板所夾 合之間隙與其外部之注入口與，針對前述一對基板之相互 對向側的面內作爲點在地複數所配置，且針對其內面，在前 述注入口附近係更緊密，而在前述注入口附近以外係更稀 疏所配置之柱狀襯套。 如根據本發明之第1光電裝置，首先，根據柱狀襯套將可 使由一對之基板所夾合之間隙保持一定之厚度，另外對於 此間隙係可經由柱入口來從該間隙之外部導入液晶等之光 電物質，並且，有關此柱入口存在之部分係比較於並無此部 份之情況，則較容易崩潰，即也可說示單元間隙容易變小。 -8- (5) (5)200304564 在此，本發明隻中特別是前述柱狀襯套則針對在一對 之基板間如平行內面點在地複數配置於該一對之基板，且 針對其內面，在前述注入口附近係更緊密，而在前述注入口 附近以外係更稀疏地配置。 順便帶說，將像這樣的情況以以往廣泛所採用之略球 狀之襯套的散佈形態來實現是極爲困難，即，對於爲了以散 佈略球狀之襯套於一對之基板間的形態防止針對在注入口 之單元間隙之狹小化係有必要使該襯套密集於該注入口附 近來散佈，但像這樣的情況係極爲困難，而有鑑於此情況，針 對本發明將確認採用柱狀襯套之優勢性。 由以上之情況，如根據本發明可將針對在注入口附近 之一對之基板間的間隙，即單元間隙保持規定的厚度，進而 可將關於基板全面之單元間隙保持規定的厚度，另外由此 情況，如根據有關本發明之光電裝置，將可降低由於單元間 隙之不平均的原因造成對光透過，對比，應答速度等之顯 示特性不良影響之可能性，另外亦可降低產顯示不均等之 可能性，故可使畫像的品質提升。 又，針對本發明，「附近」係指將注入口作爲中心，有關 適當之範圍領域，而更爲詳細來說，此，「附近」係指爲不將 前述所述之顯示不均等之畫像上不良情況產生，應考慮緊 密配置在柱狀襯套需要多少程度之範圍，並具體來決定。 例如，一搬來說，前述顯示不均係有著觀察具有從mm( 毫米）標準至lcm程度之大小之構成，故應緊密配置柱狀襯 套之範圍係思考如此情況來決定，另外更爲具體來說，對於 -9- (6) (6)200304564 畫像顯示尺寸爲2吋之情況係因有觀察5mm程度之不均的 情況，故應緊密配置柱狀襯套之範圍係例如夾合其5mm來 決定3〜7mm程度等之構成。 也就是說在本發明所指的「附近」係指亦包含上述之 內容，根據經驗，實驗，理論，或者模擬等來適宜的訂定事項 〇 在本發明之第1光電裝置之形態之中係配置在前述注 入口附近之前述柱狀襯套係針對前述面內，在將前述注入 口作爲中心之半圓形狀之範圍內更緊密來配置。 如根據此形態，更可享受到有關上述本發明之作用效 果，另外成爲以往之問題，針對在注入口附近之柱狀襯套在 其他部份變比此還小之情況，其變小之範圍係一般而言，因 包含在將注入口作爲中心之略半圓形之情況，換言之，設置 注入口其本身之部分則最容易崩潰，而襯套則最爲容易變 小，而將此作爲基準，襯套則依序變大成放射狀，或者注入口 之口徑則對於如上述之略半圓形之直徑或其一部份進行如 該崩潰法之情況係爲一般情況。 然而，針對本形態係柱狀襯套在前述面內將注入口作 爲中心之略半圓形之範圍內，因更緊密的來配置，故可更有 效地消解如上述所述之特徵之襯套不平均度，另外亦可將 應緊密配置之柱狀襯套之數量控制到最低限。 又，對於本形態所指「半圓形」係指如字義「針對將 圓以直徑切爲兩半之情況，而一方的部份具有之形狀」，另 外例如「針對將橢圓以長徑或短徑切爲兩半之情況，而一 -10- (7) (7)200304564 方的部份具有之形狀」，即所謂半橢圓形及，除了顯著脫離 其他「半圓實質考慮形狀」之形狀之外，包含各種變形之 形狀等之槪念。 也就是說，針對注入口附近之柱狀襯套的具體配置則 有鑑究竟要如何防止如上述所述顯示不均等之發之觀點的 情況，在本形態所指「半圓形狀」亦留意從如其觀點所實 質考慮的槪念情況。 在本發明之第1光電裝置其他形態之中係於前述一對 基板之一方的第1基板上係具備有配列成矩陣狀之畫素電 極及接續在各個該畫素電極之切換元件，並配置在前述注 入口附近之柱狀襯套係因應各個畫素電極地來配置。 如根據此形態，例如藉由薄膜電晶體（以下稱爲「TFT 」）或薄膜二極體（以下稱爲「TFD」）等之切換元件，因將可 對於各個畫素電極施加規定之電場，故可進行所謂有源矩 陣驅動，又，至少將包含畫素電極之一及切換元件之一之構 成，作爲一單位來定義所謂「畫素」之一。 並且，在本形態當中特別是配置在注入口附近之柱狀 襯套係因應這些各自畫素電極，即各個晝素地來配置，此點， 有鑒於柱狀襯套係以從數畫素到十晝素來配置1條的比例 之情況爲一般情況，而針對本形態亦在形態注入口附近以 外的部份進行這樣的配置來作爲前提時，針對在本形態之 中係可在注入口附近可「更緊密地」配置柱狀襯套係。 順便帶說，柱狀襯套係以從數畫素到十畫素來配置1 條的比例之情況爲一般情況是指爲了平順地實現經由注入 -11 - (8) (8)200304564 口之液晶等之光電物質之導入，假設，針對基板全面，如因應 各個畫素來配置柱狀襯套之形態時，將對於基板各個角落 灌入前述液晶之情況將成困難狀況。 又，「因應各個畫素」來配置柱狀襯套之形態罡指對 於該畫素電極之一，除了包含配置一柱狀襯套之情況外，根 據情況係當然包含對於該畫素電極之一配置二以上柱狀襯 套之情況。 在本發明之第1光電裝置其他形態之中係對於前述第1 基板及前述一對基板之另一方的第2基板之至少一方的上 方係具備有因應前述矩陣狀之遮光膜，而前述柱狀襯套係 配置在前述遮光膜之寬度範圍內。 如根據此形態，根據具備因應矩陣狀之遮光膜，即，例如 由格子狀，帶狀等而成之遮光膜的情況，將不會由畫素間之 光混合之情況招致對比降低之情況發生，另外，對於設置眾 知之彩色膜之情況係可防止混色之情況。 並且，在本形態當中特別是柱狀襯套係配置在前述遮 光膜之寬度範圍內，也就是，柱狀襯套係因設置在對畫像 顯示無直接關係的部份，故即使根據設置該柱狀襯套之情 況也不會損及畫像的明亮度。 在本發明之第1光電裝置其他形態之中係更具備形成 在對向於前述一對之基板各自之前述光電物質側之配向膜 ，而前述柱狀襯套係配置在針對因應前述矩陣狀之遮光範 圍的交差部內之角落部。 如根據此形態，柱狀襯套係可以說配置柱狀襯套於畫 -12- 200304564 Ο) 素電極之角部附近，而由此情況與，針對本形態特別具備之 配向膜之關係享受接下來的作用效果。 即，如根據此形態，對於前述配向膜可適宜地進行通 常必須施行之平膜處理，在此平膜處理係指利用卷附在迴 轉金屬滾輪之拋光布，將燒成後之配向膜表面朝一定方向 擦拭之處理，由此將可將光電物質之一例之液晶配向方向 整合爲規定之方向，而此係構成配向膜之聚 亞胺之聚合 物-主鎖則延伸於平膜方向，並沿著此方向，液晶分部則將進 行配列。 但，如此之平膜處理係關於配向膜之全面盡可能平均 地處理則爲理想，但，針對在各個一對之基板上係通常形成 電極，配線，元件等之各種構成之同時，關於本發明特別是從 也設置柱狀襯套之情況，對於將平膜處理對配向膜全面平 均地處理係爲困難，爲何如此，那是因爲前述各種構成及柱 狀襯套係具有「高度」，通常對於燒成後之配向膜表面係 生成有因應該高度之凹凸，也就是即使根據迴轉滾輪來摩 擦此凹凸，例如此凹凸也將無法充分地平膜，隨之，這樣的情 況有可能波及畫像品質之不良影響。 然而，針對本形態係根據柱狀襯套配置在交差部內之 角落部的情況，將可消解相當程度上述之不良情況。 即，如根據有關本形態之柱狀襯套之配置形態，交差部 內之中央部或，該交差部內之角落部以外之週邊部係並無 配置柱狀襯套而成爲略平坦的面，針對如此之情況，將平膜 處理作爲欲從前述角落部至前述交差部之中央部之方向， -13 - (10) (10)200304564 如此，因柱狀襯套具有「高度」之原因造成影響之部分，即 有效進行平膜處理困難的部份係將包含在前述交差部內。 但，此交差部係指畢竟配列成矩陣狀之畫素電極間之 所爲針對在因應「間隙」之遮光範圍之交差部，且，有鑑對 於此遮光範圍係如上述所述設置遮光膜之情況爲一般狀況 ，如上述所述，將平膜處理不奏效之部分留在前述交差部內 係指對畫像之品質提升將是適當的，也就是，即使在如此之 遮光範圍有著平膜處理不奏效之部分也不至相當影響到畫 像品質，將此情況換言之，既已設置柱狀襯套多少會發生平 膜處理不奏效之部分，如根據本形態可將該部份封入於對 畫像顯示無影響之部分，而進而可實施適宜之平膜處理。 又，作爲前述交差部係例如可具體想定假定此爲正方 形，而柱狀襯套係配置在其角落部之中之一的左上角落部 等之形態，此情況，包含該正方形之中央部及，該正方形內 之右上角落部，左下角落部，右下角落部之週邊部係呈略平 坦之面，隨之，針對如此之情況的平膜處理之方向係有關前 述正方形，如設定從前述左上角落部朝向乃至前述中央部 前述右下角落部之方向等即可。 在此形態當中特別是在配置前述一對之基板之中前述 柱狀襯套之方向更具備實施平膜處理之配向膜，並前述角 落部係針對在配置前述柱狀襯套方之基板上，安置於針對 前述交差部內之前述平膜方向之上流側的角落即可，而其 作用效果係從上述內容可明確了解。 在本發明之第1光電裝置其他形態之中係具備複數前 -14- (11) (11)200304564 述注入口，並前述柱狀襯套係針對在該各個複數注A 口之 前述面內更緊密地來配置。 如根據有關此形態，例如前述一對基板即使具有比較 大之面積乃至長徑之構成，亦可將該一對基板間之單元間 隙適當地保持一定的値。 順便帶說，針對基板具有比較大長徑之情況係如本形 態，爲了有效地進行對一對之基板間之間隙之液晶等之導 入，通常將設置複數個注入口，但如作爲如此存在複數個注 入口之形態時，因存在有該注入口之原因，將更造成於單元 間隙間不良情況，然而，本形態係亦可適宜地適用於如此 之情況。 又，針對上述，具體而言「較大長徑」係指例如針對 該光電裝置之畫像顯示範圍之大小爲1 5吋以上程度之情況 〇 本發明之第2光電裝置係具備有由夾合光電物質而成 之一對基板與，連通根據前述一對基板所夾合之間隙與其 外部之注入口與，複數點在配置於前述一對基板之相互對 向之側面內，且針對其面內所配置之柱狀襯套，並於前述基 板係具備有配列爲矩陣狀之畫素電極之同時，針對在前述 注入口之前述柱狀襯套係因應各個前述晝素電極地來配置 ，而針對此以外之前述柱狀襯套係對從2個至30個之前述畫 素電極來配置1個。 如根據本發明之第2光電裝置，與上述之第1光電裝置 相同地，根據柱狀襯套來將一對之基板間保持規定之厚度， -15- (12) (12)200304564 另外，對於該一對之基板係可經由注入口來導入液晶等之 光電物質。 並且，在本發明之中特別是針對注入口附近之柱狀襯 套係因應前述各個前述晝素電極來配置，而在此之外的柱 狀襯套係對從2個至3 0個之前述畫素電極來配置1個，即， 針對注入口附近之柱狀襯套的配置密度則作爲比在此之外 的配置密度還大。 隨之，起因於針對注入口附近之柱狀襯套之伉儷係比 在此之外的還大，由此，在貼合一對基板時，即使加上相當大 程度之壓力，在注入口附近係根據相當緊密配置之柱狀襯 套，將可充分抵抗該壓力。 並且，針對第2光電裝置係對於針對注入口附近之柱狀 襯套之配置密度爲1(條/畫素），而在此之外的柱狀襯套之配 置密度爲0.03〜0.5(條/畫素），前者係約爲後者之2〜33倍，隨 之，針對注入口附近之柱狀襯套之全體發揮得到之抗力比 較於在此之外的柱狀襯套，將有相當大的程度，而前述之作 用效果係可得到相當之效果。 由以上之情況，如根據本發明，可將針對注入口附近之 一對基板間之間隙，即柱狀襯套保持規定之厚度，進而可將 有關基板全面之柱狀襯套保持規定之厚度 ，另外，由此情況，如根據有關本發明之光電裝置，將可 減低因柱狀襯套之不均一度而對於光透過，對比，應答速 度等之顯示特性不良影響之可能性，另外，亦可減低使顯示 不均等發生之可能性，故可使畫像品質提升。 -16- (13) (13)200304564 又，在本發明所稱之「附近」的意義係與關於前述之 第1光電裝置所述之構成相同。 另外，針對本發明之第2光電裝置當然亦可適用關於上 述之本發明第1光電裝置所述之各種形態，即，對於第2光電 裝置係可適用在「半圓形狀之範圍內」更緊密地配置柱狀 襯套之形態，配置在「遮光膜之寬度範圍內」之形態，配 置在「針對在遮光膜之交差範圍之角落部」之形態，配置 在「平膜方向之上流側之角落」之形態，設置「複數注入 口」之形態。 在本發明之第1或第2光電裝置之其他形態之中係前述 柱狀襯套之配置密度係以平面視前述基板，從前述注入口 之中心朝向該中心之外部逐漸減少。 如根據此形態，例如將針對接近注入口中心之柱狀襯 套的配置密度作爲P(條/畫素），而將爲該注入口附近以外， 針對從該注入口相應程度間隔之位置之柱狀襯套之配置密 度，作爲Q(條/畫素）時爲P〉Q，且以滿足P〉X〉Q之X(條/ 畫素）之配置密度，一般存在配置柱狀襯套之範圍，而如將此 更作爲一般化之情況，亦可想定爲滿足P〉X 1〉X2〉...〉 Xn〉Q之XI，X2，...，Xn (條/畫素）之配置密度之範圍。 又，更具體來說，例如緊密地配置柱狀襯套之範圍假設 爲半徑R(mm)之半圓形狀之情況時，在從該半圓形之中心 至半徑r(mm)之半圓形狀範圍內之中，配置密度則爲P，而 在此半徑之半圓形狀之外緣與半徑R之半圓形狀之內緣所 夾合之範圍內，配置密度則爲Xr-R，另在此半徑R之半圓 -17- (14) (14)200304564 形狀範圍以外之範圍內之中，配置密度則爲Q，且包含P〉
Xr-R > Q等之形態在本形態之範圍內。 如根據如此之形態，針對貼合一對基板時認爲最容易 崩潰之注入口中心，更緊密地配置柱狀襯套，並因應從該中 心部分越保持距離越減少崩潰之危險性之情況來漸次地更 爲疏鬆地配置柱狀襯套，隨之，本形態係對於達成將單位間 隙保持一定値之目的來實現更有效且適合之柱狀襯套之配 置形態。 _ 本發明之電子機器係爲了解決上述課題而具備上述之 本發明之光電裝置（但，包含其各種形態）而成。 如根據本發明之電子機器，因具備包含上述各種形態 之本發明光電裝置而成，故根據將構成該光電裝置之一對 基板間之單位間隙保持一定値之情況，將可實現顯示高品 質之畫像的投射型顯示裝置，液晶電視，行動電話，電子筆記 本，文字處理機，觀景型或顯示直視型之錄影機，工作站，電 視電話，POS終端，觸控面板等之各種電子機器。 · 本發明之如此之作用及其他優點係從接下來之說明實 施形態將可明確了解。 【實施方式】 _ 【發明之實施形態】 在以下之中關於本發明之實施形態來持續參照圖面進 行說明，而以下之實施形態係將本實施形態之光電裝置適 用於液晶裝置之構成。 -18- (15) (15)200304564 (光電裝置之全體構成） 首先，將有關本實施形態之光電裝置之全體構成參照 圖1及圖2來進行說明，又，圖1係爲形成TFT陣列基板於其 上方之各構成要素之同時，從對向基板20側所看到的平面 圖，而圖2係爲圖1之H-H’剖面圖。 針對圖1及圖2,在有關本實施形態之光電裝置之中係 對向配置TFT陣列基板10與對向基板20,而對於TFT陣列 基板10與對向基板20之間係封入有液晶層50,另TFT陣列 基板1 0與對向基板2 0係指根據設置在安置於畫像顯示範圍 10a周圍之封合範圍之封合材52,相互接著。 在此，液晶層50係例如由混合一種或數種類之絲狀液 晶之液晶而成，並在後述之一對配向膜間採用規定配向狀 態之構成。 另外，畫像顯示範圍10a係針對在TFT陣列基板10上 設置畫素電極9a，接續在該畫素電極9a之TFT，掃描線及資 料線等之範圍，或者對向於該範圍，且針對在對向基板20之 全面設置對向電極21之範圍，並針對圖1朝 面，從內側至對 側（即，從對向基板20側至TFT陣列基板10側）由於可進行光 的透過，將有助於畫像之顯示之範圍，又，可進行光的透過係 指前述之畫素電極9a或其一部份，或者對向電極2 1由透明 材料而成之同時，根據對該畫素電極9a之電場之施加來由 前述液晶層50之狀態接受變更，另外，將包含至少畫素電極 9a之一及前述TFT之一之構成，作爲一單位來定義一畫素， -19- (16) (16)200304564 但針對在本施施形態係使用將此（畫素）與（畫素電極）具有 略同一*之意義的用3吾。 更加地，封合材5 2係如圖1所示，如包圍畫像顯示範圍 10a之周圍，以平面來看設置成「口」字狀，但針對在其一 部份係如圖1下方所示，形成缺口設置有液晶注入口 52a，根 據此液晶注入口 52a之存在，謀求由TFT陣列基板10及對向 基板20所夾合之間隙與其外部之連通，並根據利用此之情 況，製造工程時，將可對於前述間隙來注入液晶。 · 又，此液晶注入口 5 2a之具體之大小係根據兩基板1 0極 20之大小來決定，但可以大槪以mm(毫米）標準來形成，而更 具體來說係例如作爲約3mm程度即可，另外針對在以完成 之光電裝置係因應液晶注入口 52a存在之部分，爲了防止導 入於前述間隙之液晶外漏至外部，設置有例如由紫外線硬 化型丙烯基樹酯而成之封合材54。 作爲構成如此之封合材52之材料係例如可舉出紫外線 硬化樹酯、熱硬化樹酯，另對於貼合TFT矩陣基板1 0及對 ® 向基板20之情況係加上適當隻壓力來壓著兩基板1〇及20之 同時，封合材如爲由前述紫外線硬化樹酯而成則根據對該 封合材照射紫外線之情況使其硬化，另外，如爲由熱硬化樹 酯而成則根據進行加熱之情況等使其硬化。 4 另外，對於此封合材52係爲了將夾合於兩基板10及20 之間隙之間隔，即，單元間隙作爲規定値，混入有襯套的一種 之間隔材（不圖示），而此間隔材係例如由玻璃導管或玻璃磁 環而成，另利用具有略球狀之形狀之構成爲一般的情況。 -20- (17) (17)200304564 並且，在本實施型態之中特別是爲了將TFT矩陣基板 1 0及對向基板20之間之單元間隙保持規定，上述之間隔材 之其他，如圖2所示地於對向基板20側，且對向電極2 1設置有 柱狀襯套40 1，而此柱狀襯套40 1係例如由丙烯基樹脂、聚 醯亞胺等材料而成，而其1條1條係如圖2所示地具有略四角 柱形狀、或略圓柱形狀，另外，如此之形狀係例如於TFT矩 陣基板10及對向基板20之至少一方之上方形成由前述材料 而成之原膜後，可由應用微縮術技術將前述原膜刻蝕等之 手法來形成乃至圖案化，而針對此情況係根據如何對形成 在前述原膜之電阻膜之曝光處理（圖案化處理），並不止可如 上述地形成柱狀襯套40 1之形狀，亦可自由訂定這些的配置 〇 並且，這些柱狀襯套401係如觀念地表示於圖3,在存在 前述液晶柱入口 5 2a之附近係更緊密地形成.配置，而除此 以外之部分係更疏鬆地形成.配置，而更具體而言係針對本 實施型態，柱狀襯套40 1係將包含存在前述液晶注入口 5 2a 部分之線分5 0 1 a作爲一邊來針對在包含略四邊形狀之範 圍（以下稱「四邊形狀範圍」）501內，比其他範圍502還 更緊密地配置之型態，又，圖3係都是觀念上的意思，必須注 意疏.密所示之情況。 圖4及圖5之中係表示各個擴大以圖3中符號X級Y所 示之圓內部分之構成，而柱狀襯套40 1之配置情況則以更詳 細或更實際形式來表示，即，首先針對圖4各個柱狀襯套401 係如因應各個畫素電極9a地1條1條設置之另一方面，針對 -21 - (18) (18)200304564 圖5係在各個縱橫方向之間夾合二個畫素電極9a來1條1條 設置著，如使用密度之單位，前者係對於柱狀襯套401以1 ( 條/畫素）來配置之情況，後者係以約0 · 1 (條/畫素）（ 二1 + 9 )來配置。 另一方面，即使針對兩者任何一個，柱狀襯套4 0 1係穿 過畫素電極9a間之間隙地配置於所規定之格子狀之遮光 範圍內，並且，於此遮光範圍內係具備在該範圍略一致之格 子狀之遮光膜23 (參照圖2 )與，規定其最外緣之額緣遮光 膜5 3 (參照圖1 )，也就是，針對本實施型態之柱狀襯套4 〇 1 係配置於格子狀之遮光膜23之寬度範圍內。 順便帶說，如根據此遮光膜23,將可防止畫素電極9a間 之光的混合，並不會招致對比之低係，另外，作爲構成此遮光 膜23之材料係可考慮分散金屬鉻、碳或鈦於光致抗蝕劑之 樹酯炭黑及鎳等金屬材料，更加地係亦可由包含這些之二 個以上材料具有堆積構造之構成。 另外，針對本實施型態之柱狀襯套40 1係加上於設置 於前述格子狀之遮光膜2 3之寬度範圍內之情況，如更詳細 之說明，如圖4及圖5所示，因應畫素電極9 a之角部附近地配 置著，換句話來說，柱狀襯套4 0 1係配置在針對配列成矩陣 狀之前述格子狀之遮光範圍之交差部601內之圖中左上角 落部601a 。 除了如此之構成之外，針對圖1及圖2係於封合材5 2之 外側隻範圍根據以規定之時機供給畫像信號至後述之資料 線之情況，沿著T F T矩陣基板1 0之一邊來設置驅動該資料 -22- (19) (19)200304564 線之資料線驅動電路101及外部電路接續端子102之另一方 面，根據以規定之時機供給掃描信號至後述之掃描線，沿著 鄰接於此一邊之二邊來設置驅動該掃描線之掃描驅動電路 104 ° 又，如供給至掃描線之掃描信號延遲不產生問題的話， 掃描驅動電路1 04當然也可爲單側，另外亦可沿著畫像顯示 範圍1 0a配列資料線驅動電路1 〇 1於兩側。 對於TFT矩陣基板1〇之殘留的一邊係設置有爲了連接 設置於畫像顯示範圍1 〇a之兩側之掃描驅動電路1 04間的複 數配線105,另外，針對對向基板20之角落部之至少一處係設 置在TFT矩陣基板1〇與對向基板20之間爲採取電導通之導 通材1 0 6。 另外，針對圖2,對於TFT矩陣基板10上係於形成畫素 切換用之TFT或掃描線，資料線等支配線之後的畫素電極 9a上，形成配向膜16,另一方面，對於對向基板20上係除了由 IT〇等之透明材料而成之對向電極21，於最上層之部分形成 配向膜22,在此，針對本實施型態之配向膜22係於對向基板 20側從設置如上述之柱狀襯套401之關係，包覆對向電極21 地來形成之其他也將此柱狀襯套40 1包覆地來形成。 又，對於TFT矩陣基板1〇上係加上於這些資料線驅動 電路1 0 1、掃描驅動電路1 〇4等，亦可形成以規定時機來施 加畫像信號於複數之資料線6a之抽樣電路，將規定電壓標 準之預通電信號先行於畫像信號各自供給於複數之資料線 6a的預通電電路，爲了檢查製造中途及出貨時之該光電裝 - 23- (20) (20)200304564 置之品質，缺陷的檢查電路等。 針對成爲如此構成之本實施型態之光電裝置係特別是 根據上述之柱狀襯套401之特徵的配置型態，得到接下來之 作用效果。 即，首先柱狀襯套401係在液晶注入口 52a附近之四邊 形狀範圍501之中係因更緊密地來配置，故製造有關本實施 型態之光電裝置之過程，特別針對TFT矩陣基板10與對向 基板20之貼合，將可消解液晶注入口 52a附近之單元間隙比 其他部分之此還小之不良狀況，而此係針對前述四邊形狀 範圍501，因更緊密地形成柱狀襯套401，故由柱狀襯套401起 因之抗力比由在此之外之柱狀襯套401起因之抗力還大，隨 之，在貼合TFT矩陣基板10與對向基板20時，即使加上相當 大之壓力，在液晶注入口 52a附近係根據更緊密地來配置之 柱狀襯套401也可充分抵抗該壓力。 如根據這些，可維持液晶注入口 52a附近之單元間隙與 在其他部分之此之略同等，並可將有關兩基板1〇及20之單 元間隙保持爲規定的値，並且，從這樣的情況，如根據有關本 實施型態之光電裝置，將可降低對光透過率，對比，應答速度 等之顯示特性不良影響之可能性，另外因亦可降低使顯示 不均發生之可能性，故可提升畫像之品質。 另外，加上上述，針對在本實施型態，柱狀襯套401係如 參照圖4及圖5來說明地爲遮光膜23之寬度範圍內，且因形 成在交差部601之左上角落部601a，故該柱狀襯套401將不會 成爲畫像顯示上之障礙，另外，可適宜地實施對前述配向膜 -24- (21) (21)200304564 22之平膜處理，在此適宜地實施平膜處理是指針對本實施 型態，可將平膜處理之不奏效之部分止於交差部60 1內之意 思。 例如，針對圖4及圖5,如根據在一致於圖示之箭頭方 向實施平膜處理，平膜處理之不奏效之部分係止於交差部 601內，在此，此交差部601係因爲爲格子狀之遮光膜23之形 成範圍之一部份，故於夾合該交差部60 1之堆積構造內即使 有任何輕微之不良狀況，此係基本上不會對畫像顯示造成 大的影響，隨之，對於配向膜22之平膜處理不良則即使在交 差部60 1內發生，這也不會對畫像顯示造成大的影響，換言之 ，既然設置柱狀襯套40 1，多少也會產生平膜處理之不奏效之 部分，針對在本實施型態係由可將該部分封閉在對畫像之 顯示無影響之部分（也就是交差部601 )情況，故可實施適 當之平膜處理。 又，在上述之中應更緊密地形成柱狀襯套401之範圍作 爲四邊形狀，但本發明並不限定如此之型態構成，例如如圖6 觀念地顯示，將液晶注入口 52a作爲中心來想定成爲略半橢 圓形狀之範圍（以下稱「半橢圓形狀範圍」）503,並針對 其內部，更緊密地形成柱狀襯套40 1之同時，考慮在該半橢 圓形狀範圍503以外之範圍504,更疏鬆地來配置。 如根據如此之型態，將可更確實地防止針對晝像上之 顯示不均之發生，而此亦成爲以往問題，針對在液晶注入口 52a附近之單元間隙變比在其他部分之此還小之情況，其變 小之範圍係因一般來說包圍將液晶注入口 52a作爲中心之 -25- (22) (22)200304564 略半圓形狀。 然而，如根據本型態，柱狀襯套40 1如圖6所示，在平 面上來看將液晶注入口 5 2a作爲中心之略半圓形狀之範圍 內，因更緊密地來配置，故可更有效地消解如上述之特徵的 單元間隙之不均一度。 針對本發明係上述之四邊形狀範圍501，或半橢圓形狀 範圍5 0 3以外，當然也可將應緊密配置柱狀襯套4 0 1之範圍 作各種設定。 另外，針對上述係就有關只設置1個液晶注入口 52a之 型態已作過說明，但本發明係並不限定於如此之型態，例如， 本發明係因晝像顯示範圍1 Oa之面積比較上來說較大等之 理由，故對如設置二個液晶注入口之情況亦可適用，例如，如 圖7觀念上所示地針對具備液晶注入口 52aa及52ab之二個 注入口之情況係就有關該二個液晶注入口 52aa及52ab，亦 可進行如圖3或圖6所示之柱狀襯套401的配置，順便帶說，針 對圖7係如圖4所示地表示在四邊形狀範圍505緊密地配置 柱狀襯套401之型態。
更加地，在上述之中，應形成在四邊形狀範圍501及除此 以外之範圍502 (參照圖3 )之柱狀襯套401的配置密度係 各自作爲1 (條/畫素）及約0.1 (條/畫素），但本發明並不 限定於如此之構成，總而言之，如以圖3爲例，如將針對液晶 注入口 52a附近之四邊形狀範圍501之柱狀襯套401的配置 密度，作爲P，而如將針對液晶注入口 52a附近之外的四邊形 狀範圍502之柱狀襯套401的配置密度，作爲q，如滿足成爲P (23) (23)200304564 > q之關係即可。 但，理想則是針對液晶注入口 52a附近之柱狀襯套401 係因應各個畫素電極9 a地來配置，並針對除此之外之柱狀 襯套401係對從2個至30個畫素電極9a配置1個地來構成即 可，此情況，關於前者之配置密度係成爲1 (條/畫素），而後 者之配置密度係成爲〇.〇3〜〇.1 (條/畫素），如根據此，前者 係成爲後者約2〜33倍，而針對液晶注入口 52a附近之柱狀襯 套4 0 1全體發揮得到之抗力係比較於除此之外之此，變相當 大程度，並其前述作用效果係將得到相當之效果，另，針對上 述，柱狀襯套401係於對向基板20側，且對向電極21上，將丙 烯基樹酯作爲構成爲柱狀之構造來形成，但本發明並不限 定於如此之型態，例如可思考如圖8所示之各種變形型態。 首先，圖8 ( a )所示地針對對向基板20上，將位於由 ITO膜而成之對向電極2丨之下方（圖中，上側）的遮光膜， 作爲絕緣材料層來圖案化形成柱狀襯套40 1，也可以，而對 於此情況係爲防止畫素電極9a與對向電極2 1之短路，可在 兩者間（至少一方之基板）設置透明之絕緣膜302,另如圖 8(b)所示地於TFT矩陣基板側設置柱狀襯套401’’也可 以，而對於此情況係於畫素電極9a上，藉由透明之絕緣膜 402來形成柱狀襯套40 Γ，，並也可對於不圖示之對向基板20 之配向膜2 2施以平膜處理，或者如圖8 ( c貞）所示地針對 對向基板20上，在形成配向.膜22後，設置柱狀襯套401，，，也 可以。 另外，代替從適當之有機材料將柱狀襯套進行圖案形 -27- (24) (24)200304564 成，例如由蝕刻法形成溝於堆積在基板主體（對向基板20 或TFT矩陣基板）或基板上之層絕緣膜等，由於形成溝（ 凹部）於除了應形成柱狀襯套範圍之基板上範圍之情況， 也可從溝以外之凸狀部分形成隔壁，又，對於此情況亦與圖8 之變形例之情況相同地可爲防止畫素電極9a與對向電極 2 1之短路設置透明之絕緣膜。 (變形型態） 在以下之中係關於將上述之實施形態之光電裝置進行 變形之變形形態來邊參照圖9及圖1 0邊進行說明，於此圖9 係與圖3，圖6及圖7同意思的圖，而是觀念地表示針對本實施 形態之柱狀襯套之配置形態之說明圖，另圖1 0係針對圖9之 半圓形狀範圍502C及其附近之一部份擴大圖，又，有關本實 施形態之光電裝置之全體構成等係因與上述之實施形態略 相同，故以下之中就關於其說明係省略。 另外，針對在以下所參照之圖面對於指示與在上述實 施形態說明之要素相同之要素之情況係使用與上述實施形 態所使用之符號相同之符號。 首先，針對圖9係與圖6略相同地柱狀襯套40 1係在以平 面來看將液晶注入口 52a作爲中心之半圓形狀範圍503C，更 緊密地來配置，由此，如先前所述對於將液晶注入口 5 2a作 爲中心，而產生「崩潰」之實際發生之形態下，將可得到防 止如此之作用效果。 並且，針對圖9特別是柱狀襯套401係從液晶注入口 52a (25) (25)200304564 之中心朝該中心之外部，其密度漸次減少地來配置著，更爲 詳細則如圖1 〇所示，被緊密配置之柱狀襯套40 1的半圓形狀 範圍503C之半徑爲R(mm),而在從該半橢圓形狀範圍503之 中心C至半徑r(mm)之半圓形狀範圍內之中，配置密度p 爲1 (條/畫素），另在此半徑r之半圓形狀之外緣與半徑R 之半圓形狀之內緣所夾合之範圍內，配置密度Xr-R則約 爲0.3〜0.4 (條/畫素），在此半徑R之半圓形狀範圍（即， 半圓形狀範圍5 03C)以外之範圍內之中，配置密度Q則約 爲0.1(條/畫素），成爲P>Xr-R>Q，在此有關Xr-R之具體 値係針對圖10所示之該範圍，依據存在有12條柱狀襯套401， 另從在有約34個晝素電極9a，而Q之具體値係圖1〇所示之 該範圍則依據與圖5所示之相同配置形態情況（參照圖1 0虛 線）。 如根據如此之形態，在認爲貼合TFT矩陣基板1 0及對 向基板20時最容易崩潰之液晶注入口 52a之中心及其附近 部份，以最緊密地配置柱狀襯套401，並因應從該中心C及 其附近部份越保持距離越減少崩潰危險性之情況來將柱狀 襯套401漸次疏鬆地來配置，隨之，本形態係對於達成將單元 間隙保持爲一定値之目的，將實現更有效且適當之柱狀襯 套401之配置形態。 又，在上述變形形態之中係就有關半圓形狀範圍503C 已說明過，但本發明係並不限定於如此之形態，而柱狀襯套 40 1之配置密度作爲漸次減少之形態係應緊密形成柱狀襯 套40 1之範圍，具體而言即使成爲什麼樣的形狀基本上都可 -29 - (26) (26)200304564 適用，當然如圖7所示地關於擁有二個之液晶注入口 52aa及 52ab之光電裝置，亦可一開始容易地適用本形態之想法。 順便帶說，如更一般的來說本形態之想法，將針對接 近液晶注入口 52a中心之柱狀襯套401的配置密度作爲p( 條/畫素），而將爲該液晶注入口 52a附近以外，針對從該注入 口 5 2a相應程度間隔之位置之柱狀襯套之配置密度，作爲 Q(條/畫素）時，在爲P〉Q，且以滿足P〉X〉Q之X(條/畫素） 之配置密度，將存在配置柱狀襯套之範圍，而如將此更作爲 一般化之情況，亦可想定爲滿足P〉XI〉X2〉…〉Xn〉Q 之XI，X2,…，Xn (條/畫素）之配置密度之範圍。 (光電裝置之電路構成及動作） 在以下之中針對成爲如上述所構成之光電裝置，關於 如何驅動晝素電極9a，參照圖11來說明，在此，圖11係針對型 成爲構成光電裝置之畫像顯示範圍之矩陣狀之複數畫素 100a之各種元件，配線等之等效電路。 針對圖1 1，於複數之畫素l〇〇a係各自行成畫素電極9a 與，爲將該畫素電極9a進行切換控制之TFT30,並以電接續 供給畫像信號之資料線以於該TFT30之電源，而寫入至資 料線6a之晝像信號S1，S2，...，Sn係也可依此順序線次序進 行供給，另亦可對同爲相鄰接之複數資料線6a來供給同組 群。 另外，掃描線3a則以電接續於TFT30之閘道，並以規定 的時機，將脈衝方式之掃描信號〇l，G2，...，Gm以此順序線次 -30- (27) (27)200304564 序來施加於掃描線3a地構成著，而畫素電極9a係以電接續 於TFT30之漏極，並根據將爲切換元件之TFT30只有一定時 間關閉其開關之情況，以規定之時機來寫入由資料線6a所 供給之畫像信號S 1，S 2，...，S η。 藉由晝素電極9a來寫入於作爲光電裝置之一例之液 晶的規定標準之畫像信號s 1，S 2，…，S η係被一定期間維持 在與形成於對向基板20之對向電極21之間，而液晶係根據 由所施加之電壓標準，分子集合之配向及秩序產生變化之 情況，將光調製並可顯示深淡，而如爲正常白色模式，因應以 各畫素100a之單位所施加的電壓來對於入射光之透過 則減少，而如爲正常黑色模式，因應以各畫素100a之單位所 施加的電壓來對於入射光之透過 則減少，並作爲全體來 從光電裝置係射出擁有因應畫像信號之對比的光。 又，爲了防止所維持之畫像信號漏洩之情況，有與形成 在畫素電極9 a與對向電極2 1之間得液晶容量並列地附加 儲存容量70之情況，例如，畫素電極9a之電壓係根據只比 施加電源電壓時間還長3位數時間儲存容量70所維持，由此 電荷的維持特性將被改善，進而可實現高對比之光電裝置， 又，作爲形成儲存容量70之方法係作爲形成爲此專用之特 別的配線之容量線300之情況及，形成在與前段之掃描線3a 之間的情況都可以。 (TFT及其週邊之實際構成） 如上述之畫素l〇〇a係對於更實際來說係具有如圖12及 -31 - (28) (28)200304564 圖1 3所示之構成，在此，圖1 2係使用在地2實施形態之TFT 矩陣基板之相互鄰接之複數晝素群之平面圖，而圖1 3係爲 圖12之A-A’剖面圖，但，針對圖12及圖13係只就有關一畫素 詳細表示。 針對圖1 2，於T F T矩陣基板上係除了上述之τ F T 3 0， 掃描線3a，資料線6a，儲存容量70等之外還設置透明電極 8,反射電極9,又，上述之畫素電極9a係指含有透明電極8及 反射電極9兩者之意思之用語。 反射電極9係於TFT矩陣基板1〇上形成爲矩陣狀，並對 於這些各反射電極9，藉由透明電極8來以電接續畫素切換 用之TFT30,另外對於此反射電極9係形成如圖12所示之透 過窗14,並因應此透過窗14之範圍係由透明電極8所包覆，而 如此之反射電極9係由鋁或銀，或者與這些合金，或鈦，氮化 駄，組，組等堆積膜所而成，另透明電極8係由IT 0等所構成 〇 另一方面，於反射電極9及透明電極8之下方係如圖13 所示，形成有凹凸形成層13及其上層之凹凸層7(圖12中均無 表示），在此凹凸形成層1 3及凹凸層7係例如由有機系樹酯 等之感光性樹酯而成，特別是前者係以包含點在於基板面 之方塊之形式所形成之層，而後者係以包覆包含如此之凹 凸形成層13之基板全面的形式所形成之層，隨之，凹凸層7 之表面係因應構成凹凸形成層1 3之方塊的點在形態，成爲 所謂「彎曲」，而其結果將形成凹凸圖案9g，針對圖12係此 凹凸圖案9 g則以圓形狀來表示，而該圓形狀之部分係比較 -32- (29) (29)200304564 於其他部份，朝圖之 面突出於內側之形態之情況來表示 〇 即，針對該圓形狀之部分，對於朝圖之 面對側係形成 凹凸層7,並形成前述方塊（參照圖13)。 在具備如此構成之地2實施形態之光電裝置之中係由 於利用透明電極8及透過窗14之情況，將可進行由透過模式 之畫像顯示，而由於利用反射電極9以及凹凸形成層13，凹 凸層7以及凹凸圖案9g之情況，將可進行由反射模式之畫 像顯示，即，由前者之構成所規定之範圍係爲使從無圖示之 內部光源所發光之光，從圖1 2 面對側透過至內側之透過 範圍，而由後者之構成所規定之範圍係從 面內側至前述 反射電極9進行反射後，在至 面內側之反射範圍，又，在後 者之情況特別是因由凹凸圖案9g引起光的散亂反射，故可 縮小畫像之視野角依存性。 那麼，回到圖12,沿著形成反射電極9之範圍的縱橫境界 係形成有資料線6a，掃描線3a及容量線300,並TFT30係對 於資料線6a及容量線300所接續著，即，資料線6a係藉由接 觸孔以電接續於TFT30之高濃度電源範圍ld，而透明電極8 係藉由接觸孔15及電源線6b以電接續於TFT30之高濃度漏 極範圍le，另外，對向於 TFT30之波到範圍la’地延伸著掃描 線3 a 0 又，儲存容量70係將爲了形成畫素切換用之TFT30之 半導體膜1之延設部份If進行導電化之構成，作爲下部電極 ，並構成爲於此下部電極將掃描線3a與同層之容量線300作 -33- (30) (30)200304564 爲上部電極來重疊。 順便帶說，本實施形態中之特徵特別是既如參照圖3乃 至圖5等所述，於因應反射電極9之角部，設置柱狀襯套401( 參照圖1 2)。 又，針對圖13係除了上述，於TFT矩陣基板10形成由厚 度100〜5OOnm之矽氧化膜（絕緣膜）而成之下保護膜111，並 於此下保護膜111與TFT30之上方除形成由厚度300〜800nm 之矽氧化膜而成之第1層間絕緣膜4,另更於此第1層間絕緣 膜4上方形成由厚度100〜800nm之矽氧化膜而成之第2層間 絕緣膜5 (表面保護膜），但，根據情況，此第2層間絕緣膜5係 不形成也可以，另外，於TFT矩陣基板10係作爲其最上層形 成配向膜16,其他，針對圖13係設置以電接續各種構成要素 之接觸孔等，另一方面，於對向基板20側係依序堆積穿過畫 素100a間之所謂間隙地延設之遮光膜23,形成在基板全面 之對向電極21及配向膜22地形成。 (電子機器） 如此所構成之光電裝置係可作爲各種電子機器之顯示 部所使用，但，將其一例持續參照圖14〜圖16具體的來做說明 〇 圖1 4係表示將有關本發明之光電裝置作爲顯示裝置所 使用之電子機器的電路構成方塊圖。 針對圖14,電子機器係具有顯示資訊輸出源77,顯示資 訊處理電路71，電源電路72,定時信號震盪器77及液晶顯示 (31) (31)200304564 裝置74,另外，液晶顯示裝置74係具有液晶顯示面板75及 驅動電路76,作爲液晶顯示裝置74係可使用在前述之光電 裝置。 顯示資訊輸出源70係具備 R〇M(Read Only Memory)，RAM(Random Access Memory)等之記憶體，各種磁 碟等之儲存元件，將數位畫像信號進行調階輸出之調階電 路等，並依據由定時信號震盪器73所生成之各種鐘擺信號 來將規定規格化之畫像信號等之顯示資訊供給至顯示資訊 處理電路7 1。 顯示資訊處理電路7 1係具備串並形切換電路或，放大. 反轉電路，低壓電路，伽馬補正電路，緊固電路等眾知之各種 電路，並執行輸入之顯示資訊之處理，然後將其畫像信號與 鐘擺信號CLK同時供給至驅動電路76,而電源電路72係供 給規定電壓至各構成要素。 圖1 5係表示有關本發明之電子機器之一實施形態筆記 型電腦，而在此所示之電腦80係具有備有鍵盤81之主體部 82與，液晶顯示單元83,而液晶顯示單元83係包含前述之光 電裝置100所構成。 圖1 6係表示其他機器之行動電話，而在此所示之行動 電話90係具有複數之操作按鍵91與，由前述之光電裝置100 而成之顯示部。 本發明係並不限定於上述之實施形態，只要不違反申 請專利範圍及從明 書所讀取之發明主旨或想法之範圍內 均可作適宜的變更，而伴隨如此之變更之光電裝置及電子 -35- (32) (32)200304564 機器亦包含在本發明之技術範圍之構成。 【圖式簡單說明】 [圖1] 將針對本發明之實施形態之光電裝置之TFT矩陣基板 同時與形成在其上之各構成要素，從對向基板側看到之平 面圖。 [圖2] 圖1之H-H’剖面圖。 [圖3] 以觀念表示有關本發明之實施形態之柱狀襯套配置形 態說明圖。 [圖4] 表示針對液晶注入口附近之範圍之柱狀襯套配置形態 說明圖。 [圖5 ] 表示針對液晶注入口附近以外範圍之柱狀襯套配置形 態說明圖。 [圖6] 以觀念表示與圖3不同之柱狀襯套配置形態說明圖，而 圖3係指應更緊密地配置柱狀襯套範圍就關於成爲半圓形 狀的點之不同之構成。 [圖7] 以觀念表示與圖3不同之柱狀襯套配置形態說明圖，而 (33) (33)200304564 圖3係指就關於液晶注入口數不同之構成。 [圖8] 表示柱狀襯套之各種變形形態之剖面圖。 [圖9] 與圖3,圖6及圖7同意思的圖，以觀念表示有關本發明 之變形形態之柱狀襯套配置形態說明圖。 [圖 10] 針對圖9之半圓狀範圍及其附近之一部份擴大圖。 [圖 1 1] 表示設置於構成針對本發明實施形態之之光電裝置之 畫像顯示範圍之矩陣狀複數晝素的各種元件，配線等之等 價電路之電路圖。 [圖 12] 鄰接在TFT矩陣基板之相互的複數畫素群平面圖。 [圖 13] 圖1 2之A - A ’線剖面圖。 [圖 1 4] 表示將有關本發明之光電裝置作爲顯示裝置所使用之 電子機器的電路構成方塊圖。 [圖 15] 表示作爲採用有關本發明之光電裝置之電子機器之一 例之筆記型電腦說明圖。 [圖 16] 表示作爲採用有關本發明之光電裝置之電子機器之其 -37 - (34) (34)200304564 他例之行動電話說明圖。 [符號之說明]: 9a···畫素電極 10…TFT矩陣基板 1 0a…畫像顯示範圍 20…對向基板 21…對向電極 23···遮光膜 5 0…液晶層 52…封合材 52a…液晶注入口 54…封止材 401…柱狀襯套 501…四邊形狀範圍 5 02···(四邊形狀範圍以外）範圍 5 03…半橢圓形狀範圍 5 03 C···半圓形狀範圍 504…（半圓形狀範圍以外）範圍 601…交差部
601a…交差部之左上角落部 3 a…掃描線 6a···資料線 30··· TFT (35)200304564 5〇…液晶層 70…儲存容量
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