TW200304032A - Liquid crystal display device - Google Patents
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 145
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 175
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 298
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 154
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 41
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 23
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 22
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 12
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 description 28
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 14
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 8
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000004209 hair Anatomy 0.000 description 2
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 or Mo Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910018575 Al—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000282376 Panthera tigris Species 0.000 description 1
- 229910052778 Plutonium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011440 grout Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- OYEHPCDNVJXUIW-UHFFFAOYSA-N plutonium atom Chemical compound [Pu] OYEHPCDNVJXUIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/1396—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent the liquid crystal being selectively controlled between a twisted state and a non-twisted state, e.g. TN-LC cell
Description
200304032 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明相關於一種使用薄膜電晶體(此後稱爲TFT ) 作爲開關元件的液晶顯示裝置,並且更特別地相關於一種 位於像素中的TF T的光遮罩方法。 【先前技術】 液晶顯示裝置一般包括其中安裝TFT的TFT陣列基 底、位於TFT陣列基底對面的對向基底、置於TFT陣列 基底和對向基底間的液晶層、在和液晶層相對的TF T陣 列基底側上提供的起偏振片,以及在和液晶層相對的對向 基底側上提供的起偏振片。 根據液晶顯示裝置,當從對向基底側入射的照明光線 穿透液晶層時,照明光線的透射率根據來自像素電極的信 號隨同液晶分子取向的改變而改變,從而具有顯示目標影 像所必需的強度的光被發射。 當入射到液晶顯示裝置的照明光線進入TFT的通道 形成區時’電導率由於光電效應而增加,結果産生泄汲極 電流C此處被稱作光汲極電流),由此引起TFT的誤動 作。通常’爲了避免光進入到通道形成區,在主動矩陣液 晶顯示裝置中,在和TFT陣列基底相對的對向基底側上 形成由金屬材料如C r (鉻)或A1 (鋁)、樹脂材料等構 成的光遮罩層。
穿透液晶層的大部分光被提供於對向基底一側或TFT (2) (2)200304032 陣列基底一側上的光遮罩層所阻擋以避免進入通道形成區 。但是,一部分透射光變成反射光(返回光),它被TFT 陣列基底的介面等反射而又進入TFT陣列基底,從而被 射入通道形成區引起光汲極電流。當儲存電容器等中的電 荷量根據光汲極電流而被改變從而使施加到像素電極的電 壓被改變時,液晶層中的光透射率隨之被改變。因此,存 在一個問題,即對比率被減少或引起顯示影像的顔色不均 和顯示不正確。特別地,在半色調顯示器中,使用其中光 透射率的改變受施加電壓的改變嚴重影響的區域。因此, 由於TF T中光汲極電流導致的顯示失效更明顯。 【發明內容】 爲解決上述問題,本發明的一個目的是減少特別是半 色調顯示器中環繞通道形成區的反射光的量,從而減少由 光汲極電流導致的顯示失效的風險。 根據本發明的液晶顯示裝置,在一對基底間提供一個 液晶層’該對基底中的一個基底配備有包含TFT和其中 形成開口部分的光遮罩層的像素區,構成TF τ的半導體 層與光遮罩層重疊並沿開口部分的一側形成,並且液晶分 子的排列被這樣控制,使得穿透液晶層的光以相對於開口 郃分的該側的p -偏振光入射,在半色調顯示器中,在開 口 ^为中fe供半導體層。該液晶層較佳由TN型液晶構成 〇 並且’根據本發明的另一個結構,在一對基底間提供 -6 - (3) (3)200304032 TN型液晶層,該對基底中的一個基底是其中排列有多個 TFT的是TFT陣列基底,並且該基底配備有包含多個TFT 和其中形成開口部分的光遮罩層的像素區,構成多個TFT 中每一個的半導體層與光遮罩層重疊並只在沿開口部分一 側的區中被形成,並且液晶分子的排列被這樣控制,使得 進入TFT陣列基底的光以相對於開口部分該側的P-偏振 光被入射,在半色調顯示器中,開口部分提供有半導體層 圖1表示入射到玻璃的光的反射係數和入射角之間的 關係。如圖1所示,一般,在包含入射光和入射表面法線 的平面中振動的光(p-偏振光)的反射係數小於在垂直於 包含入射光和入射表面法線的平面的平面中振動的光(s-偏振光)的反射係數。圖2表示入射到主要含氧化矽的基 底和真空間的介面的光的反射係數和透射係數。如圖2所 示’即使在被主要含折射率n= 1 . 4 6的氧化矽的基底所反 射的光中’類似地,p-偏振光的反射係數小於s_偏振光的 反射係數。 因此’當入射到TFT的反射光是主要含p-偏振光的 光時,其反射光的量與主要含s_偏振光的光相比可被抑制 。結果,入射TFT中的光可被減少。 如上所述’根據本發明的液晶顯示裝置,在半色調顯 示器中’穿透液晶層並且然後被射入TF T陣列基底的被 光轉化成在行方向(或列方向)上的線性偏振光,並且像 一 TFT被排列在行方向(或列方向)上傳播的光分量的 -7- (4) (4)200304032 傳播方向上。因此射入T F T陣列基底的反射表面的光被 轉化成主要包含Ρ-偏振光的光以使反射光量最小化。 【實施方式】 將利用圖4和5描述本發明的實施例模式。 圖4是藉由放大液晶顯示裝置中像素部分的一部分得 到的頂視圖。在圖4中,對於每一個像素TFT,假定半導 體層3〇1爲主動層,並假定其中閘電極3 02和半導體層 鲁 3 〇 1彼此重疊的區域爲通道形成區。 在本發明的液晶顯示裝置中,如圖4所示,在其中按 矩陣形式形成多個開口部分的光遮罩層3 05中在行方向上 連接的區域之一中,且在除與在列方向上連接的區域之一 相交部分之外的區域(被 A-A’ 、:B-B’ 、C-C’ 、D-D’ 線包圍的區)的下面,提供像素TFT的通道形成區。 半導體層301、像素電極3 06和閘電極3 02中的形狀 可以不同於圖4所示形狀。 φ 圖5是沿圖4中E-E’線的橫截面圖。在圖5中,對 對準膜415b進行摩擦處理,從而使最靠近TFT陣列基底 的液晶層中的液晶分子在列方向上對準,以把入射到其中 的像素TFT如圖4所示排列的TFT陣列基底的光轉化成 « 半色調顯示器中列方向上的偏振光。這樣,當入射到TFT 陣列基底的光的偏振方向被控制時,在與TFT陣列基底 介面上反射的光的列方向光分量可被轉化成P-偏振光光 分量。 -8- (5) (5)200304032 在圖5中,像素TFT爲頂閘型。但是,如果通道部 分提供在光遮罩層3 0 5中沿行方向連接的區域之一中並且 在除與在列方向上連接的區域之一相交部分之外的區域( 被 A · A ’ 、B - B ’ 、C - C ’ 、D - D ’線包圍的區)的下面時 ,可採用底閘型。 以下將描述如圖5所示的液晶顯示裝置的製造方法。 在具有較佳的光透射性能和絕緣性能的基底402上形 成阻止雜質從基底402擴散到半導體層301的基底膜4〇3 。具有較佳的光透射性能和絕緣性能的氧化矽膜、氮化矽 膜等可被用作基底膜403。此外,不是必須製成單層,因 此可以使用兩層或更多層的多層膜。 如下所述在基底膜403上形成像素TFT401、用於信 號驅動器電路的N-通道TFT (未表示出)和用於信號驅 動器電路的P-通道TFT (未表示出)。 在基底膜403上形成非晶矽膜並藉由使用固相生長法 或鐳射結晶化法使其結晶化以形成結晶矽膜。結晶矽膜被 圖形化以形成具有所需形狀的半導體層3 0 1。在非晶矽膜 的形成過程中或其結晶化之後,用於控制起始値的雜質被 添加到半導體層3 0 1。 在半導體膜301上形成成爲閘極絕緣膜404的氧化矽 膜’並進一步在其上形成成爲閘電極3 02的導電膜。除氧 化矽膜之外,具有絕緣性的膜如氮化矽膜被用作絕緣膜。 金屬材料如鎢或鉬、金屬化合物如氮化鉅、添加雜質以降 低電阻率的矽膜等被用於導電膜。此外,閘極絕緣膜4 〇 4 (6) (6)200304032 不一定被製成單層,而可被製成多層結構,其中其他金屬 材料、其他金屬化合物、其他矽膜等被層疊。閘極絕緣膜 4 04和閘電極3 02藉由圖形化形成所需形狀。 其次,藉由摻雜將雜質添加到半導體層3 0 1以形成具 有低雜質濃度的LDD區405和具有高雜質濃度的源(和 汲)區406。LDD區405被形成以獲得所需的關態漏電流 。當即使在不存在該區的情況下也能獲得所需的關態漏電 流時,可不形成該區。此外,在信號驅動電路部分的TFT 中,爲了獲得所希望的可靠性,可形成其中閘電極和 LDD部分彼此重疊的低濃度雜質區。 藉由上述製程,像素TFT401、N-通道TFT以及P-通 道TFT被製作在相同基底上。 其次,形成層間絕緣膜4 〇 7。無機材料如具有較佳的 光透射性能和絕緣性能的氧化矽膜或有機材料如具有較佳 的光透射性能和絕緣性能的丙烯酸被用作層間絕緣膜407 。層間絕緣膜407不一定被製成單層,而可被製成多層結 構,其中具有較佳的光透射性能和絕緣性能的無機材料或 有機材料被層疊。此外,在層間絕緣膜4〇7形成之前或之 後對其進行氮氣體環境或氫氣體環境中的熱處理,以進行 摻雜雜質的啓動和用於終止存在於半導體層3 〇 1和閘極絕 緣膜4〇4之間介面中的懸挂鍵的氫化。當層間絕緣膜407 被製成多層結構時,可在層疊過程中進行熱處理。 在層間絕緣膜4〇7中形成接觸孔,然後形成像素電極 3 06,並進一步形成用於傳輸信號到TFT和像素電極306 (7) (7)200304032 的佈線4 0 9。作爲導電金屬化合物的ITO被用於像素電極 。氫化可在形成佈線4〇9後進行。此外,可使用由下述製 程獲得的結構。即,形成佈線後,形成層間絕緣膜,形成 像素電極,並藉由接觸孔使像素電極和佈線間接觸。 藉由上述製程製作TFT陣列基底後,如下所述製作 對向基底。 在具有較佳的光透射性能和絕緣性能的基底4 1 0上形 成金屬鉻膜,並進行圖形化形成具有所需形狀的光遮罩層 3 〇 5。除金屬材料如金屬鉻外,不透光的樹脂材料等可被 用作光遮罩層。 在光遮罩層3 0 5上形成作爲透明導電膜的ITO膜以形 成對向電極4 1 2。 雖然在圖5中未表示出,可在光遮罩層3 05和對向電 極4 1 2之間提供濾色器等。藉由上述製程,製造對向基底 〇 其次,分別在TFT陣列基底和對向基底上形成由聚 醯亞胺樹脂製成的對準膜4 1 5 a和4 1 5b。除聚醯亞胺樹脂 外,也可使用聚醯胺系樹脂。進行摩擦處理使液晶分子具 有恒定的預傾角(pretilt angle )和恒定的扭轉角。在本 實施例模式中,如圖1 1 A和11 B所示在相對於各基底的 長邊方向(A-A’ )成約45°的方向上,對形成於TFT陣 列基底上的對準膜4 1 5 a和形成於對向基底上的對準膜 4 1 5 b進行摩擦處理。注意對準膜4 1 5 a的處理方向與對準 膜4 1 5 b的處理方向相差約9 0° 。而且,當使液晶分子在 -11 - (8) (8)200304032 對準膜4 1 5 a和4 1 5 b之間具有左手扭轉方向時,在施加到 液晶層的電壓變化爲最大的電壓處,如圖1 1 C所示,可進 行控制從而使透過液晶層的光成爲垂直於A-A’方向的偏 振光。射入TFT的光成爲主要包含p-偏振光的光。 密封劑被施加到對向基底。之後,在烘箱中加熱對向 基底用於暫時固化,然後噴塗塑膠球形襯墊。 TFT陣列基底和對向基底以高精度彼此結合以製造液 晶面板。塡充劑(未表示出)被混入密封劑。這樣,兩個 基底可藉由塡充劑和襯墊在恒定間隔處彼此結合。被結合 的基底的不需要部分被剪掉以得到具有所需尺寸的液晶面 板。液晶材料4 1 3被注射液晶面板的內部以塡充整個面板 ,然後面板用密封劑完全密封。 FP C、起偏振片和相差片被附著到藉由上述製程製造 的液晶面板以獲得液晶顯示裝置。注意,本實施例模式的 液晶顯示裝置是TN型液晶顯示裝置。 實施例1 在本實施例中,將描述製造TN型液晶顯示裝置的方 法。 首先,將描述作爲液晶顯示裝置結構元件之一的TFT 陣列基底的製造方法。注意,本實施例製造的T F τ陣列 基底是這樣設計的,使得像素TFT被配置在列方向上毗 鄰開口部分的光遮罩層下。 在圖6中,準備用於形成TFT的基底501。具有絕緣 200304032 Ο) 表面的基底如玻璃基底或石英基底被用作基底5 0 1。此外 ,可使用表面形成絕緣膜的不鏽基底、主要含矽的基底或 金屬基底。 在基底5 0 1上形成用於防止來自基底的雜質擴散的基 底絕緣膜5 02 ( 502a和5 02b)。具有絕緣性的膜如氧化 矽膜或氮化矽膜被用作基底絕緣膜502。此處,描述其中 具有兩層結構(5 02a和5 02b )的膜被用作基底絕緣膜 5 02的一個實例。但是,單層膜或其中疊加兩層或更多層 的膜可用作絕緣膜。此外,如果雜質擴散不産生問題,可 不使用基底絕緣膜5 02。 在基底絕緣膜5 02上形成半導體層5〇3。形成非晶矽 膜,然後藉由光刻和腐鈾將由結晶化非晶矽膜獲得的結晶 矽膜形成所需形狀以獲得半導體層5〇3。半導體層5 03的 厚度爲45〜60nm。如果必要,可設定爲45nm或更小、 或60nm或更大。除了非晶矽膜,也可形成非晶矽鍺膜。 使用已知的固相生長法或已知的鐳射結晶化法進行結晶化 〇 用於控制兀件起始値電壓的雜質被添加到半導體層 5 〇3。磷、硼等被用作雜質。在非晶矽膜形成後、非晶政 膜結晶化後或半導體層5〇3形成後藉由摻雜進行雜質添加 。此外,在膜形成時可使用添加雜質的非晶矽膜。 在半導體層5 0 3上形成閘極絕緣膜5 〇4。閘極絕緣膜 5 04由厚100〜120nm的氧化矽膜製成。如果必要,聞極 絕緣膜5〇4的厚度可被設定爲lOOnm或更小、或12〇nm (10) 200304032 或更大。除了氧化矽膜,也可形成諸如氮 〇 在聞極絕緣膜5 〇 4上形成每個閘電才 5〇5b )。更特殊地,厚2〇〜1〇〇nm的導 100〜400nm的導電膜5〇5b被疊加在閘極 然後藉由光刻和腐蝕形成具有所需形狀的 本實施例中,TaN被用作導電膜5〇5a, 膜5 0 5 b。用於形成閘電極5 〇 5的材料不 或鎢。因此選自由元素Ta、W、Ti、Mo、 Nd組成的組中的一種元素、由這些元素 膜或化合物材料,或以添加諸如磷的雜質 爲代表的半導體膜可被用作閘電極。此外 ’使用雙層疊層膜。但是,單層膜或兩層 層結構可被使用。在本實施例中,藉由使 蝕刻氣體的錐形蝕刻和各向異性蝕刻形成 ,其中,具有梯形斷面形狀的兩個層被疊 底部和下層的上部長度基本上相同。如果 狀,CF4氣體之外的氣體可被用於錐形蝕 刻。此外,可採用帽形之外形狀的閘電極 形成η…區5 06。ιΓ·區5 06藉由對半 摻雜磷形成。在本實施例中使用磷。但是 雜質元素,可使用 As等。除了摻雜,也 入的方法等。 形成ιΓ區5 07和n +區5 0 8。更特殊地 化矽膜的絕緣膜 亟 505 (505a 和 電膜 5 0 5 a和厚 絕緣膜5 0 4上, 閘電極 5 0 5。在 ί W被用作導電 限於上述氮化鉅 Al 、 Cu 、 Cr 和 結合形成的合金 元素的多晶矽膜 ,在本實施例中 或兩層以上的疊 用含CF4氣體的 帽形閘電極505 加,並且上層的 能夠形成所需形 刻和各向異性蝕 〇 導體層整個表面 k,如果是 η-型 可使用如離子注 ,形成抗蝕劑掩 -14- (11) (11)200304032 模’以便不添加η -型雜質到除n -區5 0 7和η +區5 0 8之外 的區域’然後摻雜磷形成η·區和η +區。區5 〇 7藉由閘電 極505a被摻雜磷。此外,η·區藉由留在半導體層5〇3上 的絕緣膜被摻雜。在本實施例中,用於形成η -區5 〇 7的摻 雜和用於形成η +區5 0 8的摻雜同時進行。但是,用於形 成η區和形成η +區的摻雜條件可被改變。此外,可使用 η-型雜質元素如As代替磷。摻雜之外的方法如離子注入 可被用作添加方法。 P區5 0 9和p+區5 1 0被形成。更特殊地,形成抗蝕劑 掩模,以便不添加p -型雜質到除p ·區5 0 9和p +區5 1 0之 外的區,然後硼被添加以形成p ·區和p +區。p ·區5 〇 9藉由 閘電極5 0 5 a被摻雜硼。此外,p ·區藉由留在半導體層5 〇 3 上的絕緣膜被摻雜。在本實施例中,用於形成ρ·區5 〇9的 摻雜和用於形成ρ+區5 1 0的摻雜同時進行。但是,用於 形成〆區5 09和形成ρ +區5 1〇的摻雜條件可被改變。此 外,摻雜之外的方法如離子注入可被用作添加方法。 層間絕緣膜5 1 1 ( 5 1 1 a、5 11 b和5 1 1 c )被形成。層 間絕緣膜5 1 1由是無機膜的第一層間絕緣膜5 u a和第二 層間絕緣膜5 1 1 b以及是有機膜的第三層間絕緣膜5 1 1 c構 成。 厚50〜10〇nm的氧化矽膜被用作第一層間絕緣膜 5 :l 1 a。第一層間絕緣膜5〗i a形成後,藉由加熱啓動添加 到半導體層的雜質。藉由使用電爐在氮氣體環境中進行 5 5 〇 °C、1〜1 2小時的啓動。在本實施例中,使用電爐進 (12) (12)200304032 行啓動。但是,可使用用於RTA的燈或雷射器進行啓動 。啓動時的氣體環境、溫度和時間條件不限於上述條件。 當啓動在閘電極5 〇 5不被氧化的氣體環境中進行時,例如 ,當使用電爐或用於RTA的燈在低氧氣體環境中進行啓 動時,可不形成層間絕緣膜5 11 a。另外,當使用雷射器 進行啓動時,可不形成層間絕緣膜5 i i a。另外,可使用 氧化政膜之外的材料,只要材料能耐啓動溫度,能防止閘 電極5 〇 5在啓動過程中被氧化並具有'較佳的光透射性能。 φ 厚5 0〜1 OOnm的氮化矽膜被用作第二層間絕緣膜 5 1 1 b。第二層間絕緣膜5 1 1 b形成後,在氮氣體環境中進 行3 5 0〜4 2 0 °C、1小時的熱處理。在本實施例中,熱處理 在氮氣體環境中。熱處理可在3 %〜1 0 〇 %的氫氣體環境中 進行。此外,熱處理時間不限於1小時。如果熱處理是在 第一層間絕緣膜5 1 1 a形成後進行的啓動處理之後在3 %〜 10 0%的氫氣體環境中進行1小時,第二層間絕緣膜51 lb 形成後可不進行上述熱處理。 Φ 厚0.6〜1 . 6 μηι的丙烯酸被用作第三層間絕緣膜5 1 1 c 。除丙烯酸外,可使用具有絕緣性能的材料如聚酸亞胺。 此外,可使用具有絕緣性能的無機膜。無機膜的厚度根據 · 無機膜的介電常數被改變。但是,一般爲1 . 〇〜〗.3 μιΏ。 在第三層間絕緣膜5 1 1 c上形成像素電極5丨2。像素 電極5 1 2藉由形成IΤ 0 (氧化銦錫)膜並且然後對其進行 光刻和腐蝕而被形成。如果是透明導電膜。除I Τ Ο外還可 使用氧化錫(Sn02)等。 -16- (13) (13)200304032 像素電極5 1 2形成後,藉由光刻和腐蝕形成用於連接 高雜質濃度區(5 0 8和5 1 0 )和佈線5 1 3的接觸孔。 形成接觸孔後,形成佈線5 1 3。更特殊地,形成厚約 6 0nm的第一 Ti膜,其上層疊厚約40nm的TiN膜,其上 再層疊厚3 5 0nm的Al-Si (含Si2%重量百分比的A1)膜 ,其上形成第二Ti膜,並對最終的疊層膜進行光刻和腐 蝕以形成佈線513。第一 Ti膜阻止Al-Si膜中的A1擴散 進入半導體層。第二Ti膜防止在Al-Si膜上形成小丘。 在本實施例中,TiN膜被形成以改善阻止A1擴散效應。 但是,可不形成TiN膜。除AN Si膜外,可使用另一種低 電阻導電膜如Al-Ti (含Ti的A1 )。 在本實施例中,提供一個其中像素電極5 1 2和佈線 5 1 3被層疊的區,從而不形成接觸孔而使像素電極5 1 2和 佈線5 1 3彼此電連接。 藉由上述製程,製造在相同基底上具有包含GOLD結 構的η-通道TFT和GOLD結構的p-通道TFT的驅動器電 路和包含像素TFT、儲存電容器和像素電極的像素部分的 TFT陣列基底。 其次,將描述對向基底的製造方法。如圖7所示,在 基底601上形成光遮罩膜6 02。光遮罩膜6 02藉由形成金 屬鉻膜並對其進行光刻和腐蝕而形成。 在光遮罩層602上形成對向電極605。對向電極605 藉由形成用作透明導電膜的ITO膜並對其進行光刻和腐蝕 形成。 -17- (14) (14)200304032 當在光遮罩膜602和對向電極605間提供濾色器603 時,目標色的彩色樹脂被藉由旋塗法施加到光遮罩層6 0 2 ,然後進行曝光和顯影。對三種顔色(紅、藍和綠)的濾 色器中的每一個(未表示出)重複這種濾色器形成製程。 用於消除濾色器603和光遮罩層602之間的臺階以使 ^ 之平滑的保護膜604被形成。保護膜604藉由將丙烯酸施 加到濾色器上形成。除丙烯酸外,可使用能夠平滑臺階的 材料。當不提供濾色器時,可不形成保護膜604。 修 藉由上述製程,製造對向基底。 TFT陣列基底609和對向基底610製造完成後,使用 這些基底按下面的方法生産液晶面板6 1 1。 分別在TFT陣列基底609的TFT形成側和對向基底 6 1 〇的像素電極形成側中形成對準膜608。膠版印刷( offset print)法被用於形成對準膜608。聚醯亞胺樹脂被 用作對準膜6〇8的材料。除此之外,可使用聚醯胺基( polyamic based)樹脂等。 _ 在形成對準膜6〇8的TFT陣列基底的對準膜形成側 和對向基底的對準膜形成側進行摩擦處理,從而使液晶分 子以恒定的預傾角被排列。設定摩擦角以使液晶分子具有 9 0 °的扭轉角,並且使液晶層中最靠近τ F T陣列基底的液 晶分子的導向器(director)方向以45°與圖4中的A-A ’線相交。在本實施例中,扭轉角被設定爲9 0。。但是, 可設定9(Γ之外的角度以獲得所需的對比度等。此外,爲 了在透過基底的光的透射率的變化相對於施加到液晶層的 -18- (15) (15)200304032 電壓的變化爲最大時的電壓處,將透過液晶層的光轉化爲 垂直於圖4中A-A’線的線性偏振光,必要時必須改變液 晶分子導向器方向。摩擦處理後,TFT陣列基底609和對 向基底6 1 0被淸洗以去除摩擦處理所造成的污染和摩擦布 所掉的毛。 密封劑(未表示出)被施加到對向基底,然後對向基 底6 1 0被在烘箱中加熱用於使密封劑暫時固化。暫時固化 後’塑膠球形襯墊6 0 7被噴塗到對向基底像素電極形成側 〇 TFT陣列基底609的TFT形成側和對向基底610的 像素電極605形成側彼此相對,並且兩個基底被高精度結 合在一起以製造液晶面板6 1 1。塡充劑(未表示出)被混 入密封劑。這樣,兩個基底藉由塡充劑和襯墊以固定間隔 被結合在一起。 被結合基底的不需要部分被剪掉以獲得具有所需大小 的液晶面板6 1 1基底。 液晶材料606被注射到液晶面板6 1 1的內部。面板的 整個內部被塡滿液晶材料6 〇 6後,面板用密封劑(未表示 出)完全密封。 圖8是液晶面板6 1 1的頂視圖。掃描信號驅動器電路 7〇2a和影像信號驅動器電路702b被配置在像素部分70 1 的周圍區域。除這些外,還提供包含CPU和記憶體的信 5虎處理電路7 0 2 c。驅動器電路藉由連接佈線組7 〇 3與外 部輸入和輸出端子組704連接。 (16) (16)200304032 在像素部分7 0 1中,從掃描信號驅動器電路7 0 2 a延 伸的閘極佈線組與從影像信號驅動器電路702b延伸的資 料佈線組以矩陣形式交叉以構成像素。像素TFT、儲存電 容器和像素電極被提供給每個像素。 Μ 在TFT陣列基底7〇7上的像素部分701、掃描信號驅 動器電路702a、影像信號驅動器電路702b和信號處理電 路702c的外部以及外部輸入和輸出端子組704的內部形 成密封劑7 0 5。 _ 在液晶面板61 1的外部,撓性印刷電路(FPC ) 706 和外部輸入和輸出端子組7〇4連接,從而使它藉由連接佈 線組703而與各個驅動器電路連接。外部輸入和輸出端子 組7 (Η由和資料佈線組相同的導電膜製成。撓性印刷電路 7 0 6由對其形成銅佈線的由聚亞醯胺等構成的有機樹脂膜 組成,並藉由各向異性導電粘接劑與外部輸入和輸出端子 組704連接。 起偏振片和相差片被附著到液晶面板6 1 1的對向基底 · ,使得在液晶層中與最接近對向基底的液晶分子相同的導 向器方向上的線性偏振光被射入其中。此外,起偏振片和 相差片被附著到面板的TFT陣列基底,使得在液晶層中 和最接近TFT陣列基底的液晶分子相同的導向器方向上 的光被輸出。 藉由上述方法,生産本發明的液晶顯示裝置。雖然本 實施例中沒有描述,必要時增加淸洗步驟和熱處理步驟。 -20- (17) (17)200304032 實施例2 在本實施例中,不同於實施例1,將描述一種液晶顯 不裝置的製造方法,其中像素TFT被配置在行方向上毗 鄰開口部分的光遮罩層下。作爲一種製造TFT陣列基底 和對向基底的方法,可使用與實施例1相同的方法。注意 ’假定本實施例中的液晶顯示裝置是TN型液晶顯示裝置 〇 像在實施例1中一樣,在對準膜6 0 8形成到的T F T 陣列基底的對準膜形成側和對向基底的對準膜形成側進行 摩擦處理,從而使液晶分子以恒定的預傾角被排列。設定 摩擦角以使液晶分子具有90°的扭轉角,並且使液晶層中 最靠近TFT陣列基底的液晶分子的導向器方向以45。與 圖4中的C-C’線相交。在本實施例中,扭轉角被設定爲 9〇° 。但是,可設定90°之外的角度以獲得所需的對比度 等。此外,爲了在透過基底的光的透射率的變化相對於施 加到液晶層的電壓的變化爲最大時的電壓處,將透過液晶 層的光轉化爲垂直於圖4中C-C’線的線性偏振光,必要 時必須改變液晶分子導向器方向。 經過這樣的摩擦處理後,TFT陣列基底和對向基底藉 由和實施例1同樣的方法彼此結合以製造液晶面板。fpc 等藉由和實施例1同樣的方法附著到製造好的液晶面板上 以生産液晶顯示裝置。 實施例3 -21 - (18) (18)200304032 在本實施例中,將使用圖3和9描述形成TFT陣列 基底的製程,其中在構成TFT的半導體層下提供一個下 部光遮罩膜。即使在如同本實施例中在半導體層下提供下 部光遮罩膜的情況下’例如,當照射強光如來自投影儀等 的光時,存在照射在下部光遮罩膜和半導體層之間的光回 繞引起光汲極電流的情況。即使在這種情況下,當應用本 發明時,在基底介面上反射光的量可被減少,並且光汲極 電流量可被抑制。注意,本實施例中的液晶顯示裝置是 TN型液晶顯示裝置。 作爲基底1〇,可使用石英基底、玻璃基底、陶瓷基 底等。此外,也可使用表面形成絕緣膜的不鏽基底、矽基 底或金屬基底。注意,當使用玻璃基底時,可預先在低於 玻璃變形點1 0〜2 0 °C的溫度下進行熱處理。 在基底1 0上形成多晶矽膜和W S i膜,並圖形化以形 成下部光遮罩膜1 1。作爲下部光遮罩膜1 1,可使用多晶 矽膜、WSix ( x = 2.0〜2.8 )膜、由導電材料如Al、Ta ' W 、C r或Mo構成的膜以及具有其疊層結構的膜。在本實施 例中,下部光遮罩膜11具有WSix膜(膜厚lOOnm) lib 和多晶矽膜(膜厚5 0 nm ) 1 1 a的疊層結構,它由具有高 光遮罩性能的導電材料構成,並且以預定間隔形成。注意 ’下部光遮罩膜1 1用作閘極線。於是,下文中對應於下 部光遮罩膜的部分稱作閘極線。 爲覆蓋閘極線1 1而形成第一絕緣膜1 2。第一絕緣膜 12厚度爲5〇Onm。作爲第一絕緣膜12,可使用藉由低壓 -22- (19) (19)200304032 CVD法、電漿CVD法、濺射法等形成的含矽絕緣膜。此 外’第〜絕緣膜1 2較佳由氧化矽膜、氮氧化矽膜、氮化 石夕膜或結合這些膜的疊層膜製成。 其次,藉由低壓C VD法在第一絕緣膜1 2上形成非晶 半導體膜。非晶半導體膜的材料不特別限定。但是,較佳 由矽或矽鍺(SixGe^x: 0<χ<1,典型地,x = 〇.001〜 0.0 5 )合金等構成。注葸在本實施例中,厚6 5 n m的非晶石夕 膜被形成作爲非晶半導體膜。 其次,非晶矽膜被藉由使用Ni作爲催化金屬元素的 結晶化步驟結晶化以形成結晶矽膜。注意,結晶化步驟後 ’可對結晶砂膜進行鐳射照射以改善結晶砂膜的結晶性。 在結晶化後的結晶矽膜上形成由膜厚5 0 n m的氧化石夕 膜製成的掩模絕緣膜作爲掩模,然後磷被以丨x 1 〇 19原子 /cm3〜1 X 1 〇2()原子/cm3的濃度添加到結晶矽膜。之後, 進行700°C、12小時的熱處理以除氣結晶化後不再需要的 催化金屬元素到添加磷的區。 其次,爲了改善結晶矽膜的結晶性,進行氧化處理。 當藉由使用低壓C VD裝置在結晶矽膜上形成厚20nm的氧 化矽膜(此後稱爲HTO膜)後於95 0°C進行熱氧化處理 時,熱氧化膜以Η Τ Ο膜:氧化矽膜(其中矽膜被氧化的 部分)=20 : 60 ( nm )的比例形成。腐蝕熱氧化膜,然後 圖形化藉由熱氧化處理其厚度變爲3 5 n m的結晶矽膜以形 成具有所需形狀的島狀半導體層19a〜19d。 其次,形成厚3〇nm的HTO膜以覆蓋島狀半導體層 (20) (20)200304032 19a〜19d。然後,磷被添加到後來成爲儲存電容器2004 的區中的島狀半導體層1 9 d中以給予導電性,使得它可被 用作儲存電容器的下部電極。更特殊地,位於島狀半導體 層1 9 d上的一個區中的厚3 0 n m的ΗΤ Ο膜被選擇性地腐触 ,然後磷被添加到島狀半導體層1 9d中。 之後,在厚30nm的HTO膜上形成厚5〇nm的HTO 膜以形成由兩層Η T 0層組成的閘極絕緣膜(第二絕緣膜 )20 ° 半導體層19a〜19d形成後,可摻雜少量的雜質元素 (硼或磷)以控制TFT的起始値。這一雜質添加步驟較 佳在半導體膜結晶步驟則、半導體膜結晶步驟後或形成閘 極絕緣膜2 0步驟後進行。 其次,爲了使用島狀半導體層19a〜19d作爲主動層 形成TFT,用於給予n_型或p-型的雜質元素(此後稱爲 η -型雜質元素或p -型雜質元素)被選擇性地添加到半導體 層,以形成具有低電阻的源極區和汲極區,並進一^步形成 LDD區。和在源極區和汲極區中一樣雜質元素被添加到 LDD 區。 因此,在島狀半導體層19a〜19d中形成被夾在源極 區和汲極區之間的通道形成區。 之後,形成藉由第一絕緣膜1 2和閘極絕緣膜20到達 閘極線1 1的接觸孔。然後在閘極絕緣膜20上形成導電膜 ,並圖形化以在各像素的通道形成區上形成閘電極22a〜 22c和電容器佈線(儲存電容器的上部電極)22d。其中 (21) (21)200304032 形成電容器佈線22d的區域中的閘極絕緣膜20只是閘極 絕緣膜的第二層。因此,該區比其他區薄,使得保持電容 得以增加。此外,閘電極22c藉由接觸孔與閘極佈線i j 電連接。 形成厚約3 00nm用於形成閘電極和電容器佈線的導 電膜’導電膜由添加給予導電類型的雜質元素的多晶矽膜 、\¥3“(父=2.0〜2.8)膜、由導電材料如 Al、Ta、W、Cr 或Mo構成的膜或者具有其疊層結構的膜構成。它可由上 述導電材料製成的單層構成。 其次,形成覆蓋閘電極22a〜22c和電容器佈線22d 的第三絕緣膜(第一層間絕緣膜)23。第三層間絕緣膜較 佳厚約7 0 n m,並由氧化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜或 組合這些膜的層疊膜製成。 其次,形成第四絕緣膜(第二層間絕緣膜)24。第四 絕緣膜由有機絕緣體材料膜、氧化矽膜、氮化矽膜或氧氮 化矽膜形成爲約8 0 0 n m厚。 其次,形成藉由閘極絕緣膜20、第三絕緣膜23和第 四絕緣膜24到達島狀半導體層1 9的接觸孔。然後,在第 四絕緣膜24上形成藉由接觸孔與島狀半導體層1 9接觸的 導電膜’並按所需形狀圖形化以形成用於各TFT間電連 接的連接佈線和源極佈線25a〜25e。藉由形成主要含A1 、W、Ti或TiN的膜,或具有其疊層結構的導電膜(在本 實施例中,爲三層結構,其中含Ti的A1膜夾在兩Ti膜 中)來獲得用於形成這些佈線的導電膜,使得它的厚度變 -25- (22) (22)200304032 成5 0 0nm,然後進行圖形化。注意,源極佈線25c}在儲存 電容器上延伸並與島狀半導體層19c電連接。 其次,形成厚1 000nm、由丙烯酸等製成的有機絕緣 膜構成的覆蓋連接佈線的第五絕緣膜26。由 Al、Ti、W 、Cr、黑色樹脂等構成並具有高光遮罩性能的膜被形成於 第五絕緣膜2 6上,並被圖形化成所需形狀以形成上部光 遮罩膜27。光遮罩膜27位於一個網格形狀中,以光遮罩 除像素開口部分以外的區域。進一步,由和第五絕緣膜 2 6相同材料製成的第六絕緣膜2 8被形成,以覆蓋光遮罩 膜27,並且在第五絕緣膜26和第六絕緣膜28中形成到 達連接佈線2 5 e的接觸孔。 其次,形成厚lOOnm的由ITO等構成的透明導電膜 ’並圖形化成所需形狀以形成像素電極2 9。 圖9表示至此所形成狀態的頂視圖。圖中沿A-A’線 的基本上橫截面的視圖對應於圖3B中的A-A’線部分, 而沿B-B’線的基本上橫截面的視圖對應於圖3B中的B-B 線。注意,圖9中未表示出像素電極。 其次,分別在TFT陣列基底3 0的TFT形成側和對向 基底4〇的對向電極42形成側中形成對準膜4 1。膠版印 刷法被用於形成對準膜4 1。聚醯亞胺樹脂被用作對準膜 4 1的材料。除此之外,可使用聚醯胺基樹脂等。 在TFT陣列基底對準膜形成側和對向基底的對準膜 形成側進行摩擦處理,從而使液晶分子以恒定的預傾角排 列。設定摩擦角以使液晶分子具有90。的扭轉角,並且使 -26- (23) (23)200304032 液晶層中最靠近TFT陣列基底的液晶分子的導向器方向 以4 5 °與圖9中的C - C ’線相交。在本實施例中,扭轉角 被設定爲90° 。但是,可設定90°之外的角度以獲得所 需的對比度等。此外,爲了在透過基底的光的透射率的變 化相對於施加到液晶層的電壓的變化爲最大時的電壓處, 將透過液晶層的光轉化爲主要垂直於圖9中C-C’線的線 性偏振光,必要時必須改變液晶分子導向器方向。摩擦處 理後,TFT陣列基底30和對向基底40被淸洗以去除摩擦 處理所造成的污染和摩擦布所掉的毛。由此,主要包含 P-偏振光的光被射入像素TFT2003。 密封劑(未表示出)被施加到對向基底,然後對向基 底40被在烘箱中加熱用於使密封劑暫時固化。暫時固化 後,塑膠球形襯墊被噴塗到對向基底的像素電極形成側。 TFT陣列基底30的TFT形成側和對向基底40的像 素電極42形成側彼此相對,並且兩個基底被高精度結合 在一起以製造液晶面板5 0。塡充劑(未表示出)被混入 密封劑。這樣,兩個基底藉由塡充劑和襯墊以固定間隔被 結合在一起。 被結合基底的不需要部分被剪掉以獲得具有所需大小 的液晶面板5 0基底。 液晶材料5 1被注射到液晶面板5 0的內部。面板的整 個內部被塡滿液晶材料5 1後,面板用密封劑(未表示出 )完全密封。 如同在實施例1中一樣,在液晶面板5 0中,在像素 -27- (24) (24)200304032 部分的周圍區域提供掃描信號驅動器電路和影像信號驅動 器電路。除這些外,還提供包含CPU和記憶體的信號處 理電路。驅動器電路藉由連接佈線組與外部輸入和輸出端 子組連接。 在像素部分,從掃描信號驅動器電路延伸的閘極佈線 組與從影像信號驅動器電路延伸的資料佈線組以矩陣形式 交叉以構成像素。像素TFT、儲存電容器和像素電極被提 供給每個像素。 φ 在TFT陣列基底3 0上的像素部分、掃描信號驅動器 電路、影像信號驅動器電路和信號處理電路的外部以及外 部輸入和輸出端子的內部形成密封劑。 在液晶面板50的外部,撓性印刷電路(FPC )被和 外部輸入和輸出端子連接,從而使它藉由連接佈線組而與 各個驅動器電路連接。外部輸入和輸出端子由和資料佈線 組相同的導電膜製成。撓性印刷電路由聚醯亞胺等構成的 對其形成銅佈線的有機樹脂膜組成,並藉由各向異性導電 · 粘接劑與外部輸入和輸出端子連接。 實施例4 對於配備應用本發明的顯示裝置作爲顯示構件的電氣 設備的具體實例,如圖10A〜10D所示,有個人電腦(圖 10A )、顯示器(圖10B )、正投型投影儀(圖10C )和 另一種正投型投影儀(圖1 0D )。本發明的電子裝置可被 用作電氣設備的顯示構件。此外,電子裝置可被用作除上 -28- (25) (25)200304032 面提到的電氣設備外的電子裝置的顯示構件。根據配備應 用本發明的顯示裝置的電子設備,光汲極電流的量被抑制 從而減少顯示影像的顔色不均勻性和錯誤顯示,從而獲得 較佳的顯示影像。 根據本發明,在和TFT陣列基底的介面上被反射並 環繞像素TFT的光的量可被減少,從而光汲極電流可被 抑制。 【圖式簡單說明】 在圖式中: 圖1表示對於入射角Θ的p-偏振光的反射係數R和 s-偏振光的反射係數R ; 圖2表示對於入射到氧化矽和真空間介面的入射角0 的光的反射係數和透射係數; 圖3是液晶顯示裝置的一部分的斷面圖; 圖4是藉由放大液晶顯示裝置像素部分的一部分得到 鲁 的頂視圖; 圖5是該液晶顯示裝置的一部分的斷面圖; 圖6是形成於TFT陣列基底上的TFT的斷面圖; , 圖7是該液晶顯不裝置的一部分的斷面圖; 圖8是該整個液晶顯示裝置的頂視圖; 圖9是該整個液晶顯示裝置的頂視圖; 圖10 A〜10D表示應用本發明的顯示裝置的電子設備 的實例;以及 -29 - (26) (26)200304032 圖11A〜11C是表示摩擦處理方向的示意圖。 主要元件對照表 3 0 1 :半導體層 3 02 :閘電極 3 0 5 :光遮層 3 〇 6 :像素電極 4 1 5 b :對準膜 _
40 1 :像素 TFT 402 :基底 403 :基底膜 404 :閘極絕緣膜 40 5 : LDD 區 4 0 6 :源(和汲)區 407 :層間絕緣膜 4 0 9 :佈線 _ 4 1 0 :基底 4 1 2 :對向電極 4 1 5 a :對準膜 , 501 :基底 5 02 :基底絕緣膜 5 0 2 a、5 0 2 b :兩層結構 5 0 3 :半導體層 5 04 :閘極絕緣膜 -30- (27) (27)200304032 5 0 5 :閘電極 505a、 505b:導電膜 5 06 : η'ΊΕ 5 0 7 : η-區 508 : η+區 509 : ρ·區 5 1 0 : ρ +區 5 1 1 :層間絕緣膜 5 1 1 a :第一層間絕緣膜 5 1 1 b :第二層間絕緣膜 5 1 1 c :第三層間絕緣膜 5 1 2 :像素電極 5 1 3 :佈線 601:基底 6 0 2 :光遮罩膜 60 3 :濾色器 604 :保護膜 6 0 5 :對向電極 60 8 :對準膜 609 : TFT陣歹!J基底 6 1 0 :對向基底 6 1 1 :液晶面板 6 0 6 :液晶材料 (28) (28)200304032 7 0 2 a :掃描信號驅動器電路 702b :影像信號驅動器電路 7〇2c :信號處理電路 7 〇 3 :連接佈線組 704 :外部輸入和輸出端子組 10 :基底 1 1 :下部光遮罩膜 lib: Wsix 膜(膜厚 100nm) 籲 1 la :多晶矽膜(膜厚50nm ) 1 2 :第一絕緣膜 19a、19b:島狀半導體層 2 0 :閘極絕緣膜(第二絕緣膜) 22a-22c:閘電極 22d :電容器佈線(儲存電容器的上部電極) 23 :第三絕緣膜(第一層間絕緣膜) 24 :第四絕緣膜(第二層間絕緣膜) @ 2 5 a - 2 5 e :源極佈線 2 6 :第五絕緣膜 27 :光遮罩膜 , 2 8 :第六絕緣膜 30 : TFT陣列基底 4 0 :對向基底 4 1 :對準膜 4 2 :對向電極 -32- (29)200304032 5 〇 :液晶面板 5 1 ·_液晶材料
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Claims (1)
- (1) (1)200304032 拾、申請專利範圍 1 . 一種液晶顯示裝置,包含: 一對基底;及 提供於該對基底間的液晶層,其中該對基底中的一個 基底包含: 含有薄膜電晶體和光遮罩層的像素區,光遮罩層具有 用於透射光的開口部分且至少由一層構成,薄膜電晶體包 含與光遮罩層重疊並沿開口部分的一側形成的半導體層, 其中,當穿透該對基底的光的透射率的變化相對於施 加到液晶層的電壓的變化變爲最大時,在液晶層中的液晶 分子的排列被控制,從而使透過液晶層並入射到該對基底 中的該基底的光作爲垂直於開口部分的該側的偏振光被入 射。 2.如申請專利範圍第1項的液晶顯示裝置,其中該對 基底中的該基底包含第一佈線和第二佈線,第一佈線具有 和薄膜電晶體的閘電極相同的橫截面形狀,並藉由第二佈 線連接到薄膜電晶體的源極或汲極。 3 .如申請專利範圍第1項的液晶顯示裝置,其中液晶 顯示裝置組合在選自由個人電腦、顯示器和投影儀組成的 組中的至少一個中。 4 . 一種液晶顯不裝置,包含: 一對基底;以及 提供於該對基底間的TN型液晶層,其中該對基底中 的一個基底包含: -34- (2) (2)200304032 含薄膜電晶體和光遮罩層的像素區,光遮罩層具有用 於透射光的開口部分且至少由一層構成,薄膜電晶體包含 與光遮罩層重疊並沿開口部分的一側形成的半導體層, 其中,當穿透該對基底的光的透射率的變化相對於施 加到液晶層的電壓變化變爲最大時,在液晶層中的液晶分 子的排列被控制,從而使透過液晶層並入射到該對基底中 該基底的光作爲垂直於開口部分的該側的偏振光入射。 5 .如申請專利範圍第4項的液晶顯示裝置,其中該對 鲁 基底中的該基底進一步包含第一佈線和第二佈線,第一佈 線具有和薄膜電晶體的閘電極相同的橫截面形狀,並藉由 第二佈線連接到薄膜電晶體的源極或汲極。 6 .如申請專利範圍第4項的液晶顯示裝置,其中液晶 顯示裝置組合在選自由個人電腦、顯示器和投影儀組成的 組中的至少一個中。 7 . —種液晶顯示裝置,包含: 一對基底;以及 φ 提供於該對基底間的TN型液晶層,其中該對基底中 的一個基底包含: 含薄膜電晶體和光遮罩層的像素區,光遮罩層具有用 _ 於透射光的開口部分且至少由一層構成,薄膜電晶體包含 與光遮罩層重疊並沿開口部分的一側形成的半導體層, 其中,當穿透該對基底的光的透射率的變化相對於施 加到液晶層的電壓的變化變爲最大時’進行摩擦處理,從 而使射入提供給該對基底中該基底的開口部分的光作爲垂 -35- (3) (3)200304032 直於開口部分的該側的偏振光被入射。 8 ·如申請專利範圍第7項的液晶顯示裝置,其中該對 基底中的該基底進一步包含第一佈線和第二佈線,第一佈 線具有和薄膜電晶體的閘電極相同的橫截面形狀,並藉由 第二佈線連接到薄膜電晶體的源極或汲極。 9 .如申請專利範圍第7項的液晶顯示裝置,其中液晶 顯示裝置組合在選自由個人電腦、顯示器和投影儀組成的 組中的至少一個中。 籲 1 〇 . —種顯示裝置,包含: 一對基底;以及 提供於該對基底間的液晶層,其中該對基底中的一個 基底包含: 含薄膜電晶體和光遮罩層的像素區,光遮罩層具有用 於透射光的開口部分且至少由一層構成,薄膜電晶體包含 與光遮罩層重疊並沿開口部分的一側形成的半導體層、其 間置有閘極絕緣膜的毗鄰半導體層的閘電極, ® 形成於薄膜電晶體上的層間絕緣膜; 藉由形成於層間絕緣膜上的佈線被電連接到半導體層 的源極佈線;以及 _ 形成於層間絕緣膜上的閘極佈線, 其中,當穿透該對基底的光的透射率的變化相對於施 加到液晶層的電壓的變化變爲最大時,在液晶層中的液晶 分子的排列被控制,從而使透過液晶層並入射到該對基底 中的該基底的光作爲垂直於開口部分的該側的偏振光被入 -36- (4) (4)200304032 射。 1 1 .如申請專利範圍第1 〇項的顯示裝置,其中液晶顯 示裝置組合在選自由個人電腦、顯示器和投影儀組成的組 中的至少一個中。 1 2 . —種顯示裝置,包含: 一對基底;以及 提供於該對基底間的TN型液晶層,其中該對基底中 的一個基底包含: 含薄膜電晶體和光遮罩層的像素區,光遮罩層具有用 於透射光的開口部分且至少由一層構成,薄膜電晶體包含 與光遮罩層重疊並沿開口部分的一側形成的半導體層, 形成於薄膜電晶體上的層間絕緣膜; 藉由形成於層間絕緣膜上的佈線被電連接到半導體層 的源極佈線;以及 形成於層間絕緣膜上的閘極佈線, 其中,當穿透該對基底的光的透射率的變化相對於施 鲁 加到液晶層的電壓的變化變爲最大時,在液晶層中的液晶 分子的排列被控制,從而使透過液晶層並入射到該對基底 中該基底的光作爲垂直於開口部分的該側的偏振光被入射 Μ 〇 1 3 .如申請專利範圍第1 2項的顯示裝置,其中液晶顯 不裝置組合在選自由個人電腦、顯不器和投影儀組成的組 中的至少一個中。 1 4 . 一種顯示裝置,包含: -37- (5) (5)200304032 一對基底;以及 提供於該對基底間的TN型液晶層,其中該對基底中 的一個基底包含: 含薄膜電晶體和光遮罩層的像素區,光遮罩層具有用 於透射光的開口部分且至少由一層構成,薄膜電晶體包含 與光遮罩層重疊並沿開口部分的一側形成的半導體層, 形成於薄膜電晶體上的層間絕緣膜; 藉由形成於層間絕緣膜上的佈線被電連接到半導體層 的源極佈線;以及 形成於層間絕緣膜上的閘極佈線, 其中,當穿透該對基底的光的透射率的變化相對於施 加到液晶層的電壓的變化變爲最大時,進行摩擦處理,從 而使射入提供給該對基底中的該基底的開口部分的光以垂 直於開口部分的該側的偏振光被入射。 1 5 .如申請專利範圍第14項的顯示裝置,其中液晶顯 示裝置組合在選自由個人電腦、顯示器和投影儀組成的組 中的至少一個中。 -38-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002064389 | 2002-03-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200304032A true TW200304032A (en) | 2003-09-16 |
TWI284244B TWI284244B (en) | 2007-07-21 |
Family
ID=27784948
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW092104442A TWI284244B (en) | 2002-03-08 | 2003-03-03 | Liquid crystal display device |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7659947B2 (zh) |
JP (1) | JP4216092B2 (zh) |
KR (1) | KR100961931B1 (zh) |
CN (1) | CN100374938C (zh) |
TW (1) | TWI284244B (zh) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100866976B1 (ko) * | 2002-09-03 | 2008-11-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 제조방법 |
KR100685926B1 (ko) * | 2003-06-11 | 2007-02-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 이의 제조방법 |
KR100623247B1 (ko) * | 2003-12-22 | 2006-09-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
TWI255032B (en) * | 2004-01-29 | 2006-05-11 | Casio Computer Co Ltd | Transistor array and manufacturing method thereof image processing device |
KR101177720B1 (ko) * | 2005-09-20 | 2012-08-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치와 그 제조방법 |
TWI633365B (zh) | 2006-05-16 | 2018-08-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 液晶顯示裝置 |
JP2010506196A (ja) * | 2007-04-17 | 2010-02-25 | オーキンス エレクトロニクス カンパニー,リミテッド | 電気光学的ディテクタ |
JP5360673B2 (ja) * | 2007-08-09 | 2013-12-04 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
CN103137616B (zh) * | 2011-11-25 | 2017-04-26 | 上海天马微电子有限公司 | Tft阵列基板及其形成方法、显示面板 |
KR101534421B1 (ko) * | 2011-11-25 | 2015-07-06 | 상하이 티안마 마이크로-일렉트로닉스 컴퍼니., 리미티드 | Tft 어레이 기판 및 그의 형성 방법, 및 디스플레이 패널 |
KR101339001B1 (ko) | 2012-07-04 | 2013-12-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판 및 제조방법 |
US9520424B2 (en) * | 2012-10-29 | 2016-12-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Black level correction (BLC) structure |
JP2014106428A (ja) * | 2012-11-28 | 2014-06-09 | Japan Display Inc | 表示装置及び電子機器 |
CN105785682B (zh) * | 2016-05-23 | 2020-09-04 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板、液晶显示面板及阵列基板的制造方法 |
Family Cites Families (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4991272A (en) * | 1988-08-09 | 1991-02-12 | Bianchi John E | Quick release buckle |
US5187604A (en) * | 1989-01-18 | 1993-02-16 | Hitachi, Ltd. | Multi-layer external terminals of liquid crystal displays with thin-film transistors |
US5115305A (en) * | 1990-07-05 | 1992-05-19 | Baur Thomas G | Electrically addressable liquid crystal projection system with high efficiency and light output |
FR2685500B1 (fr) * | 1991-12-20 | 1994-12-23 | Thomson Csf | Separateur optique de polarisations et application a un systeme de visualisation. |
JPH05289082A (ja) | 1992-04-07 | 1993-11-05 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置 |
JP3102467B2 (ja) * | 1992-04-28 | 2000-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス表示装置の作製方法 |
JP2812851B2 (ja) | 1993-03-24 | 1998-10-22 | シャープ株式会社 | 反射型液晶表示装置 |
JPH06281923A (ja) | 1993-03-25 | 1994-10-07 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
US5428469A (en) * | 1993-11-16 | 1995-06-27 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Liquid crystal display projection systems employing polarizing beam splitters and passing light through display cell from both directions |
US5594568A (en) * | 1993-12-15 | 1997-01-14 | Ois Optical Imaging Systems, Inc. | LCD with a pair of retardation films on one side of normally white liquid crystal layer |
JPH07181517A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Toshiba Corp | アクティブマトリックス型液晶表示装置 |
TW330986B (en) * | 1995-07-25 | 1998-05-01 | Toshiba Co Ltd | LCD element and optically anisotropic element |
KR100338480B1 (ko) * | 1995-08-19 | 2003-01-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치및그제조방법 |
US5835177A (en) * | 1995-10-05 | 1998-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Array substrate with bus lines takeout/terminal sections having multiple conductive layers |
JP3634089B2 (ja) * | 1996-09-04 | 2005-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US6088070A (en) * | 1997-01-17 | 2000-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix liquid crystal with capacitor between light blocking film and pixel connecting electrode |
JP3716580B2 (ja) * | 1997-02-27 | 2005-11-16 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置及びその製造方法、並びに投写型表示装置 |
WO1998057221A1 (fr) | 1997-06-13 | 1998-12-17 | Seiko Epson Corporation | Affichage et dispositif electronique |
JPH1195212A (ja) | 1997-09-17 | 1999-04-09 | Hitachi Ltd | 反射型液晶表示素子および液晶プロジェクタ |
EP0991126B1 (en) * | 1997-12-09 | 2006-10-18 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing an electrooptic device |
US6433841B1 (en) * | 1997-12-19 | 2002-08-13 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus having faces holding electro-optical material in between flattened by using concave recess, manufacturing method thereof, and electronic device using same |
KR100459482B1 (ko) * | 1998-10-02 | 2005-06-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막트랜지스터및그제조방법 |
JP3141860B2 (ja) * | 1998-10-28 | 2001-03-07 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
TW478014B (en) * | 1999-08-31 | 2002-03-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of manufacturing thereof |
US6825488B2 (en) * | 2000-01-26 | 2004-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7023021B2 (en) | 2000-02-22 | 2006-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
TW521303B (en) * | 2000-02-28 | 2003-02-21 | Semiconductor Energy Lab | Electronic device |
TW507258B (en) * | 2000-02-29 | 2002-10-21 | Semiconductor Systems Corp | Display device and method for fabricating the same |
JP4416901B2 (ja) * | 2000-03-14 | 2010-02-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レベルシフタ |
US6789910B2 (en) * | 2000-04-12 | 2004-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. | Illumination apparatus |
JP4092851B2 (ja) | 2000-04-19 | 2008-05-28 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 |
US6747289B2 (en) * | 2000-04-27 | 2004-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating thereof |
JP4588167B2 (ja) * | 2000-05-12 | 2010-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TWI286338B (en) * | 2000-05-12 | 2007-09-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP3570974B2 (ja) * | 2000-07-17 | 2004-09-29 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
US6613620B2 (en) * | 2000-07-31 | 2003-09-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US6720577B2 (en) * | 2000-09-06 | 2004-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US6842211B2 (en) | 2000-11-02 | 2005-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device, and method of manufacturing the same |
JP2002151698A (ja) * | 2000-11-14 | 2002-05-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
TW525216B (en) * | 2000-12-11 | 2003-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device, and manufacturing method thereof |
SG179310A1 (en) * | 2001-02-28 | 2012-04-27 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US6833313B2 (en) * | 2001-04-13 | 2004-12-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device by implanting rare gas ions |
-
2003
- 2003-02-25 JP JP2003047828A patent/JP4216092B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-02-28 US US10/376,158 patent/US7659947B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-03-03 TW TW092104442A patent/TWI284244B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-03-07 KR KR1020030014229A patent/KR100961931B1/ko active IP Right Grant
- 2003-03-10 CN CNB031201628A patent/CN100374938C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100374938C (zh) | 2008-03-12 |
US7659947B2 (en) | 2010-02-09 |
JP4216092B2 (ja) | 2009-01-28 |
CN1444083A (zh) | 2003-09-24 |
KR100961931B1 (ko) | 2010-06-10 |
KR20030074285A (ko) | 2003-09-19 |
US20030169380A1 (en) | 2003-09-11 |
JP2003330026A (ja) | 2003-11-19 |
TWI284244B (en) | 2007-07-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |