JPH07181517A - アクティブマトリックス型液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＴＦＴの光リーク電流を抑えて、表示画像の
コントラスト低下やクロストークの発生などの表示性能
低下を解消し、表示性能に優れた液晶表示装置を提供す
る。 【構成】 本発明のアクティブマトリックス型液晶表示
装置は、透明絶縁性基板である石英基板１の上面とＴＦ
Ｔ４の活性層１０との間の層に、前記のＴＦＴ４のチャ
ネル領域７およびこのチャネル領域７とソース領域９お
よびドレイン領域８とのジャンクション領域への入射を
遮る領域に形成された遮光膜２を具備することを特徴と
している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は画素部スイッチング素子
として半導体活性層を有するアクティブマトリックス型
液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリックス型液晶表示装置
は、画像表示の高速応答性や表示品位の向上を図り、ま
た高精細化、多画素化を実現できる表示デバイスとして
注目されている。

【０００３】このアクティブマトリックス型液晶表示装
置の表示画素部ごとに設けられそのスイッチングを行な
うスイッチング素子としては、ａ−Ｓｉ（非晶質シリコ
ン）またはｐ−Ｓｉ（多結晶シリコン）のような半導体
を活性層に用いた薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略
称）が一般的に用いられている。

【０００４】ａ−ＳｉによるＴＦＴは、安価なガラス基
板上に大面積にわたってスイッチング素子を形成するこ
とが比較的容易であるため、例えばＯＡ用ディスプレイ
装置や壁掛テレビといった大型の画面を有する液晶表示
装置に好適であると考えられている。一方、ｐ−Ｓｉに
よるＴＦＴは、活性層中のキャリアの移動度が数10〜20
0 cm² ／Ｖｓと大きく、ＴＦＴのサイズを小さく形成し
ても液晶表示装置の画素の駆動が十分可能で、かつ液晶
駆動回路として従来は表示パネルの周囲に別の専用ＩＣ
などで構成していた周辺駆動回路もＴＦＴアレイ基板上
に一体に形成できるため、プロジェクションテレビ用の
液晶パネルやビデオカメラのビューファインダー用の液
晶パネルといった、小型・高精細が要求される液晶表示
装置に好適であると考えられている。

【０００５】ここで、このような従来のアクティブマト
リックス型液晶表示装置の構造の概要を図３に示す。上
述したようなａ−Ｓｉなどの活性層を有するＴＦＴが画
素部スイッチング素子として形成され、これによって電
圧印加がスイッチングされる画素電極、およびこの画素
電極に映像信号を供給する信号線および各ＴＦＴを走査
的にスイッチングさせる走査パルスを供給する走査線と
が形成されたアレイ基板３０１と、いわゆるブラックマ
トリックスと呼ばれる遮光層およびカラー表示を行なう
場合にはカラーフィルターが形成され、前述のアレイ基
板３０１上の画素電極と対向するように形成された対向
電極とを備えた対向基板３０２とを、対向配置し、その
間隙に液晶材料（図示省略）を封入して液晶表示パネル
３０３が形成されている。言うまでもなくこの液晶表示
パネルの間隙部分の周囲は封着材（図示省略）で封止さ
れている。そしてこの液晶表示パネル３０３の外向きの
面両面にそれぞれ偏光板３０４、３０５が貼設されてい
る。そして一般には光源３０６を対向基板３０２の側に
配置し、この光源３０６から供給される光源光を前記の
液晶表示パネル３０３に透過させて光を変調し画像を表
示する。

【０００６】図４は、そのようなアクティブマトリック
ス型液晶表示装置に用いられるアレイ基板の表示画素領
域一画素分の部分を示す図である。図４（ａ）はその平
面図であり、また（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ｂ断面図
である。

【０００７】ＴＦＴ４０１は、ソース領域４０２ドレイ
ン領域４０３チャネル領域４０４を有するｐ−Ｓｉから
なる活性層４０５と、ゲート絶縁膜４０６と、低抵抗化
されたｐ−Ｓｉからなるゲート電極４０７とからその主
要部が構成されている。ソース領域４０２、ドレイン領
域４０３はｎ型ドーパントであるＰ（燐）が打ち込まれ
て低抵抗化されて形成されている。そしてドレイン領域
４０３は層間絶縁膜４０８に穿設されたコンタクトホー
ルを通してＣｒ・Ａｌからなる信号配線４０９に接続さ
れている。またゲート電極４０７は走査配線４１０と一
体に形成されている。またソース領域４０２は、層間絶
縁膜４０８に穿設されたコンタクトホールを通してＩＴ
Ｏからなる画素電極４１１と接続されている。さらにこ
のソース領域４０２は蓄積容量４１２の下部電極として
用いられており、蓄積容量４１２の誘電体層としてはゲ
ート絶縁膜４０６が、また上部電極４１３としてはゲー
ト電極４０７を形成するものと同じ膜材料を用いて形成
されている。

【０００８】このような構造の従来のアクティブマトリ
ックス型液晶表示装置に、そのＴＦＴが形成された側の
面から光が入射すると、この光がまず直接的にＴＦＴ４
０１の活性層４０５に入射した場合、特にＴＦＴ４０５
のチャネル領域４０４や、そのチャネル領域４０４とソ
ース領域４０２、ドレイン領域４０３とのジャンクショ
ン部分近傍で光リーク電流が発生する。この光リーク電
流に起因して、ＴＦＴがオフとなるべき動作条件下でも
電流が流れてしまい、その結果ＴＦＴが誤動作すること
になり、液晶表示装置としての適正な表示が妨げられる
という問題がある。

【０００９】そこで従来は、このような光リーク電流の
解消のため、対向基板側にいわゆるブラックマトリック
スと呼ばれる遮光膜５０１（図４中においては図示の簡
潔化を図るためにこの遮光膜５０１は斜線を付して示し
てある）を形成し、特にＴＦＴ４０５に対して光が入射
することを防ぐようにしていた。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような従来の液晶表示装置では、ＴＦＴの図中上方から
照射される入射光に対しては前記のブラックマトリック
スによって入射を防ぐことが可能であるが、例えばガラ
ス基板４１４の外部と接触する界面近傍で反射する光
が、ＴＦＴの図４（ｂ）中下側から照射されることを防
ぐことは困難である。すなわち、図４（ｂ）に示すよう
に、ＴＦＴ本体に対して斜め方向から入射してくる光
が、そのＴＦＴ４０１が形成されている基板であるガラ
ス基板４１４の外部との境界面で反射してＴＦＴ４０１
の下側から活性層４０４のジャンクション部分に照射さ
れる。

【００１１】上述のようなＴＦＴ４０１へのガラス基板
４１４界面での反射光の照射の問題は、一般にプロジェ
クション方式の液晶表示装置のように光源光の光量が大
きい場合に特に顕著なものとなる。一般にプロジェクシ
ョン方式の液晶表示装置に用いられる光量は液晶表示パ
ネルに入射される時点で約1,000,000 Ｌｘ以上である。
上述したようにＴＦＴ４０１への直接入射光については
対向基板側などに設けられたブラックマトリックス（遮
光膜５０１）によって遮光することができるが、しかし
前記の間接的な反射光や迷光については、例えば外部が
空気である場合、ガラス基板４１４の界面近傍での反射
率が4 〜 5％程度であるため、数万Ｌｘの光がＴＦＴ４
０１に照射されることになる。その結果、ＴＦＴ４０１
の光リーク電流が許容値以上に大きくなって、液晶表示
パネルの動作に対して外乱的影響を与え、表示画像のコ
ントラストの低下やクロストークの増大などの表示性能
成果をもたらすという問題がある。

【００１２】本発明は、このような問題を解決するため
に成されたもので、その目的は、ガラス基板の界面や、
液晶表示パネルを通過した光の偏光板界面等による反射
によって間接的にＴＦＴに入射される光に起因したＴＦ
Ｔの光リーク電流を抑えて、表示画像のコントラスト低
下やクロストークの発生などの表示性能低下を解消し、
表示性能に優れた液晶表示装置を提供することにある。

【００１３】特に本発明はプロジェクション方式の液晶
表示装置など光源光の光量の大きい液晶表示装置に対し
て好適な技術である。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のアクティブマトリックス型液晶表示装置
は、 画素を形成する画素電極と該画素電極への電圧印
加をスイッチングする画素部スイッチング素子として半
導体からなる活性層を有するコプラナ型の薄膜トランジ
スタ素子とを透明絶縁性基板上に備え、前記画素電極と
対向電極との間に封入挟持される液晶層とを有するアク
ティブマトリックス型液晶表示装置において、前記透明
絶縁性基板上面と前記薄膜トランジスタ素子の活性層と
の間の層に、前記薄膜トランジスタ素子側から入射され
前記透明絶縁性基板の界面で反射して前記活性層のチャ
ネル領域、および該チャネル領域とソース領域およびド
レイン領域との接合へ入射する光を遮る領域に形成され
た遮光膜を具備することを特徴としている。

【００１５】また、上記のアクティブマトリックス型液
晶表示装置において、前記透明絶縁性基板の前記薄膜ト
ランジスタ素子の形成された側の面から入射して前記透
明性絶縁性基板の界面で反射し前記活性層へと入射しよ
うとする光を遮る大きさに、前記遮光膜の外形が形成さ
れていることを特徴としている。

【００１６】また、上記のアクティブマトリックス型液
晶表示装置において、前記遮光膜が、前記チャネル領域
の透明性絶縁基板上面に対する法線方向の投射外形に加
えてその周囲に前記遮光膜と前記活性層との間の距離の
tan 45°倍の幅を加えた外形寸法以下の大きさに形成さ
れたことを特徴としている。

【００１７】

【作用】従来の液晶表示装置においては、主に対向基板
側にブラックマトリックス（遮光膜）を形成していたの
で、ＴＦＴが形成されたガラス基板の外部との界面で光
源からの光が反射あるいは迷光し、この光がＴＦＴの下
側から照射されてＴＦＴに光リーク電流が発生してい
た。そこで、この下側からの反射光を遮光するために、
ＴＦＴとガラス基板との間にすわなちＴＦＴが形成され
たガラス基板の上面に遮光膜を形成していた。しかしこ
の遮光膜は一般にＣｒなどの光遮蔽性の高い材料である
金属材料膜が用いられているので、この遮光膜の表面が
光を反射させてしまい、光の照射角度によってはむしろ
従来よりもさらに強く反射光がＴＦＴに照射されてしま
う。

【００１８】そこで、本発明においては、遮光膜をＴＦ
Ｔの下層に、ＴＦＴの少なくともチャネル領域およびそ
の両脇のジャンクション領域近傍を覆うような形状に形
成することで、遮光膜自体での入射光の反射による迷光
の入射を防ぐとともに、ガラス基板の外部との界面等で
の入射光の反射光がＴＦＴに照射されることを防ぐこと
ができる。

【００１９】この遮光膜の形状（外形）としては、ＴＦ
Ｔの活性層のうち特に光リーク電流が発生する確率の高
いチャネル領域両端のドレイン領域およびソース領域と
のジャンクション部分を覆うように形成すればよい。具
体的な遮光膜の寸法（面積）は、この遮光膜とＴＦＴの
活性層との垂直距離および光源から入射される光源光の
主方向と液晶表示パネルとのなす角との諸条件を考慮し
て最適値を決めればよい。特に、液晶表示装置にガラス
基板のような一般的な透明絶縁性基板を用いる場合で
は、その透明絶縁性基板界面での光反射の臨界角が44°
以上なので、チャネル領域の透明性絶縁基板上面に対す
る法線方向の投射外形に加えてその周囲に遮光膜と活性
層との間の距離のtan 45°倍の幅を加えた寸法以下の大
きさに外形寸法を形成すればよい。

【００２０】

【実施例】以下、本発明に係る液晶表示装置の一実施例
を図面に基づいて詳細に説明する。 図１は本発明に係
る液晶表示装置の特に一画素部分の構造を示す図であ
る。図１（ａ）はその平面図、（ｂ）はそのＡ−Ｂ断面
図である。

【００２１】石英基板１上に厚さ300 ｎｍのＣｒからな
る遮光膜２が形成されている。この遮光膜２を含んで石
英基板１の上面を覆うように第１の層間絶縁層３が形成
されている。この第１の層間絶縁層３の厚さは約1 μｍ
とした。そしてこの第１の層間絶縁層３の上にＴＦＴ４
が形成されている。またさらにこのＴＦＴ４に接続され
る画素電極５と、蓄積容量６とが形成されている。

【００２２】ＴＦＴ４は、第１のｐ−Ｓｉで形成されチ
ャネル領域７、ドレイン領域８、ソース領域９を備えた
活性層１０と、そのチャネル領域７の上をゲート絶縁層
１１を介して覆うように形成されたゲート電極１２と、
ドレイン領域８に接続されるドレイン電極１３とソース
領域９に接続されるソース電極１４とからその主要部が
構成されている。そしてこのＴＦＴ４を含む基板上面を
覆うように第２の層間絶縁層１５が形成されている。こ
こで、ゲート絶縁層１１は、活性層１０の表面を熱酸化
して得た熱酸化膜から形成されている。またゲート電極
１２は不純物をドープされ低抵抗化されたｐ−Ｓｉを用
いて形成されており、ゲート配線すなわち走査配線１６
と一体形成されている。そしてドレイン電極１３は信号
配線１７と一体形成されている。このドレイン電極１３
は、第２の層間絶縁層１５に穿設されたコンタクトホー
ルを通してＣｒ・Ａｌの２層構造からなる接続電極とし
て形成されている。またソース電極１４は画素電極５と
一体形成されている。そして活性層１０のドレイン領域
８とソース領域９は、いずれもｎ型のドーパントである
Ｐ（燐）が打ち込まれて低抵抗化されている。そして第
２の層間絶縁層１５は、前述の第１の層間絶縁層３と同
様の材料であるＳｉＯ₂ を用いて形成されている。

【００２３】また、ＴＦＴ４のソース領域９は蓄積容量
６の下部電極１８と一体形成されている。そしてこの蓄
積容量６はゲート電極１２と同様のｐ−Ｓｉから形成さ
れた上部電極１９と前記の下部電極１８とでゲート絶縁
層１１と同じ材料から形成された誘電体層２０を挟持し
て蓄積容量として形成されている。そして上部電極１９
は蓄積容量線２１と一体形成されている。

【００２４】ここで、ＴＦＴ４のチャネル領域７は、チ
ャネル幅 3μｍ、チャネル長 6μｍに形成されている。
また遮光膜２は、同図１中に示すようにＴＦＴ４のチャ
ネル領域７を含んでさらにその大きさよりも縦方向およ
び横方向ともに 0.5μｍずつはみ出すように大きく形成
されている。つまりその大きさは4 ×7 μｍで、その形
状はチャネル領域７を覆うとともにチャネル領域７より
も若干大きい外形に形成されている。また本実施例では
遮光膜２とＴＦＴ４との垂直方向（積層方向）の距離
を、約 1μｍとした。このような遮光膜２とＴＦＴ４と
の垂直方向距離と遮光膜２のチャネル領域７に対する
（外形寸法）はみ出し量との関係は、液晶表示パネルに
対して入射する光源光の主方向のパネルに対してのなす
角に対応して適宜設定することが好ましい。

【００２５】すなわち、一例を挙げるならば、光源光の
主方向と液晶表示パネルの平面とが垂直に配置される液
晶表示装置の場合、液晶表示パネル内を通過する光の伝
搬方向は、間接入射光も含めるとその方向分布が石英基
板１に対して法線方向とのなす角が約30°以内に収ま
る。従って、前記の遮光膜２のはみ出し量としては、Ｔ
ＦＴ４と遮光膜２との垂直方向距離×ｔａｎ30°程度に
設定することが好ましい。ただしこれ以外、例えば光源
の光出射の主方向が液晶表示パネルの平面に対して垂直
でない場合などには適用されない。そのような場合に
は、光源光の主方向と液晶表示パネルの平面とのなす角
に対応して適宜に遮光膜２のはみ出し量すなわち遮光膜
２のチャネル領域７に対する寸法の余裕およびチャネル
領域７と遮光膜２との形状の相対的位置関係を変更すれ
ばよい。このとき、特に注意すべきは、石英基板１の外
部との界面で光が反射してきたときに、その光を遮光膜
２で遮光することができ、かつ遮光膜２によって少なく
ともチャネル領域７の領域には反射させることがないよ
うな寸法および形状に、遮光膜２を形成することが必要
である。

【００２６】あるいは、光学系および光源等の性質上極
めて直進性に優れた光源光を用いる場合などでは、遮光
膜２の外形寸法（はみ出し量）としては殆どはみ出し量
を 0にして遮光膜２とチャネル領域７とが同じ形状でチ
ャネル領域７の石英基板１上面に対する投影面積分に当
たる寸法に遮光膜２を形成してもよい。また、広く一般
的に、理論上はＴＦＴアレイ基板として用いるガラス基
板の全反射角θは44°以下であるので、前記のはみ出し
量を決定するｔａｎθに代入すべきθの値としてはこの
ようなθの値を採用すればよい。

【００２７】このような本発明に係る液晶表示装置を、
プロジェクション方式の液晶表示装置として用いて、光
源光に 100万Ｌｘの光源を用いて画像投影を行なった。
その結果、表示画像のコントラスト比は150:1 にまでも
向上した。これは、従来の液晶表示装置の場合でＴＦＴ
アレイ基板側に遮光膜を設けない場合での表示画像のコ
ントラスト比が20:1、またＴＦＴの下部に画素領域を除
いてほぼ全領域をあたって遮光膜を形成した場合でもコ
ントラスト比が40対1 程度だったのに比べて、本発明は
150 対1 となり、飛躍的に向上させることができた。ま
た、従来の液晶表示装置ではクロストーク等が発生し表
示品位が低下したが、本発明に係る液晶表示装置におい
てはそのような表示品位の低下は全く見られなかった。
このような結果から、本発明によって、ＴＦＴの光リー
ク電流が減少し、表示画像のコントラスト比が飛躍的に
向上するとともに表示品位の低下を解消して、良好な表
示品位の画像を実現することが可能となった。

【００２８】次に、上述のような本発明に係る液晶表示
装置の製造方法の概要を、主にその画素領域を中心とし
て説明する。

【００２９】石英基板１上にＣｒをスパッタ法により成
膜し、これをエッチング等によりパターニングして遮光
膜２を形成する。

【００３０】続いて減圧ＣＶＤ法および常圧ＣＶＤ法に
よりＳｉＯ₂ を、遮光膜２を含めて石英基板１の上面ほ
ぼ全面を覆うように成膜し、これを第１の層間絶縁層３
とする。

【００３１】続いて減圧ＣＶＤ法により、アンドープの
第１のｐ−Ｓｉを成膜、これをパターニングして、ＴＦ
Ｔ４の活性層１０および蓄積容量６の下部電極１８を形
成する。

【００３２】そしてこの活性層１０および下部電極１８
の表面を熱酸化処理してＴＦＴ４のゲート絶縁層１１お
よび蓄積容量６の誘電体層２０を形成する。このときゲ
ート絶縁層１１および誘電体層２０の膜厚は約50ｎｍと
した。

【００３３】そしてＰをドープした第２のｐ−Ｓｉを減
圧ＣＶＤ法で成膜、これをパターニングして、ゲート電
極１２および上部電極１９を形成する。

【００３４】そしてイオン注入法により、ｐ型ＭＯＳ−
ＴＦＴとする場合にはＢ（ホウ素）を、あるいはｎ型Ｍ
ＯＳ−ＴＦＴを形成する場合にはＰ（燐）を注入して、
ＴＦＴ４のドレイン領域８およびソース領域９を形成す
る。

【００３５】そして、減圧ＣＶＤ法により、基板面上ほ
ぼ全面を覆うようにＳｉＯ₂ を成膜し、これを第２の層
間絶縁層１５とする。なお、この工程はドレイン領域８
およびソース領域９に前記の工程でドープした不純物の
活性化をも兼ねている。

【００３６】続いて、スパッタ法によりＩＴＯ膜を成膜
後これをパターニングして、画素電極５を形成する。こ
のときこの画素電極５の一端はソース電極１４としてソ
ース領域９に接続されるように形成する。

【００３７】さらに、スパッタ法によりＣｒ、Ａｌの順
に成膜しこれをパターニングして、第２の層間絶縁層１
５を形成後に穿設しておいたコンタクトホールを通して
ドレイン領域８に接続するようにドレイン電極１３を形
成する。

【００３８】以上の実施例においては、遮光膜２の形状
をＴＦＴ４のチャネル領域７を含んで縦横ともにチャネ
ル領域７よりも大きな寸法のものとしたが、この遮光膜
２の形状および寸法は、第１の層間絶縁層３の膜厚や石
英基板１の板厚および光り反射の臨界角などに対応し
て、反射光の角度分布が小さい場合（光源光の直進性が
高い場合）など、ＴＦＴ４の活性層１０の垂直投射形状
に形成してもよい場合もある。

【００３９】さらに、以上の実施例のようにＴＦＴ４の
活性層１０が蓄積容量６の下部電極１８としても一体形
成されている場合には、ＴＦＴ４の領域のみならず蓄積
容量６の領域においてもＴＦＴ４と同様に石英基板１の
外部との界面で反射した入射光が下部電極１８に入射し
て来ることになり、この下部電極１８で光励起電流が発
生し、これが引いては蓄積容量６やＴＦＴ４の外乱とな
ることがある。そこでこのような場合には、ＴＦＴ４の
活性層１０および蓄積容量６の下部電極１８を含めた領
域をその下側から覆って遮光するような形状に遮光膜２
を形成してもよい。このような場合の遮光膜２を用いた
本発明に係る液晶表示装置の一例を図２に示す。図２
（ａ）はその一画素部分の平面図、（ｂ）はそのＡ−Ｂ
間断面図である。なお図２においては、説明の簡潔化の
ために、図１と同じ部位には同一の符号を付して示して
いる。

【００４０】このような形状に遮光膜２を形成する場合
の製造方法としては、例えば以下に示す製造工程を採る
ことができる。

【００４１】すなわち石英基板１上にＣｒをスパッタ法
により約 300ｎｍ成膜した後、ＴＦＴ４の活性層１０お
よび蓄積容量６の下部電極１８の両者を含めてその下側
から覆うような形状にパターニングして遮光膜２を形成
する。そして遮光膜２を含めて石英基板１上ほぼ全面を
覆うようにＳｉＯ₂ を成膜してこれを第１の層間絶縁層
３とする。引き続きアンドープの第１のｐ−Ｓｉを成膜
しこれをパターニングして活性層１０および下部電極１
８を一体形成する。

【００４２】このような形状に遮光膜２を形成すること
によっても、ＴＦＴ４のチャネル領域７のジャンクショ
ン部分での光リーク電流の発生を効果的に抑制して、コ
ントラスト150 対1 以上で、かつクロストークの発生し
ない良好な表示品位の画像表示を実現することが可能と
なった。

【００４３】なお、以上の実施例においては、ＴＦＴ４
に対して入射されてくる光源からの直接入射光の遮光を
行なう遮光膜については図示および詳細な説明は省略し
たが、これは例えば従来から一般的に用いられてきたよ
うな対向基板側に設けられるブラックマトリックスを用
いるようにしてもよい。あるいは、例えばゲート電極１
２の上にチャネル領域７を覆うような形に遮光膜を形成
しこれをブラックマトリックスとして用いることもでき
る。あるいは、対向基板側のブラックマトリックスと、
ゲート電極１２上などを覆うブラックマトリックスと
を、併用してもよい。これらの場合においても、遮光膜
２は石英基板１の界面での光の反射光のＴＦＴ４への侵
入を効果的に防いで、光リーク電流を抑制することがで
きる。

【００４４】また、以上の実施例においては、遮光膜２
の形成材料としては、従来からブラックマトリックスと
して一般的に用いられてきたＣｒを用いる場合を一例と
して挙げたが、遮光膜２の形成材料としてはこれのみに
は限定されない。また、遮光膜２の形成材料のみならず
第１の層間絶縁層３や活性層１０、あるいは第２の層間
絶縁層１５等の各部位の形成材料を種々変更することが
可能であることは言うまでもない。

【００４５】

【発明の効果】以上、詳細な説明で明示したように、本
発明によれば、ガラス基板の界面や液晶表示パネルを通
過した光の偏光板界面等による反射で間接的に入射され
てくる光に起因したＴＦＴの光リーク電流を解消して表
示画像のコントラスト低下やクロストーク等の表示性能
成果を解消し、表示性能に優れた液晶表示装置を提供す
ることができる。

【００４６】さらに、本発明に係る技術と比べて、例え
ば石英基板上に第１の層間絶縁層を介してＴＦＴの下に
画素領域を除いてほぼ全面を覆うような形で遮光膜を例
えばＣｒを用いて形成した場合では、走査配線とこの遮
光膜とそれらに挟持された第１の層間絶縁層との間でい
わゆるゲート配線容量が（走査配線容量）が増大して走
査パルスの遅延あるいは鈍りに起因したＴＦＴの動作機
能の低下さらには表示特性の低下が発生していたが、本
発明の技術においてはそのような走査配線と遮光膜との
間で第１の層間絶縁層を介して走査配線容量が形成され
ることはないので、上記のような走査パルスの遅延や鈍
りなどの問題は発生せず、さらに良好な表示画像を得る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る液晶表示装置の構造を、その一画
素部分を中心として示す図。

【図２】本発明に係る液晶表示装置の構造を、その一画
素部分を中心として示す図。

【図３】従来の投射型液晶表示装置の表示パネル部分と
光源との配置構造を示す図。

【図４】従来の液晶表示装置の構造を、その一画素部分
を中心として示す図。

【符号の説明】

１………石英基板 ２………遮光膜 ３………第１の層間絶縁層 ４………ＴＦＴ ５………画素電極 ６………蓄積容量 ７………チャネル領域 ８………ドレイン領域 ９………ソース領域 １０………活性層 １１………ゲート絶縁層 １２………ゲート電極 １３………ドレイン電極 １４………ソース電極 １５………第２の層間絶縁層 １６………走査配線 １７………信号配線 １８………下部電極 １９………上部電極 ２０………誘電体層 ２１………蓄積容量線

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 画素を形成する画素電極と該画素電極へ
   の電圧印加をスイッチングする画素部スイッチング素子
   として半導体からなる活性層を有するコプラナ型の薄膜
   トランジスタ素子とを透明絶縁性基板上に備え、前記画
   素電極と対向電極との間に封入挟持される液晶層とを有
   するアクティブマトリックス型液晶表示装置において、 前記透明絶縁性基板上面と前記薄膜トランジスタ素子の
   活性層との間の層に、前記薄膜トランジスタ素子側から
   入射され前記透明絶縁性基板の界面で反射して前記活性
   層のチャネル領域、および該チャネル領域とソース領域
   およびドレイン領域との接合へ入射する光を遮る領域に
   形成された遮光膜を具備することを特徴とするアクティ
   ブマトリックス型液晶表示装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載のアクティブマトリックス
   型液晶表示装置において、 前記透明絶縁性基板の前記薄膜トランジスタ素子の形成
   された側の面から入射して前記透明性絶縁性基板の界面
   で反射し前記活性層へと入射しようとする光を遮る大き
   さに、前記遮光膜の外形が形成されていることを特徴と
   するアクティブマトリックス型液晶表示装置。
3. 【請求項３】 請求項１乃至２記載のアクティブマトリ
   ックス型液晶表示装置において、 前記遮光膜が、前記チャネル領域の透明性絶縁基板上面
   に対する法線方向の投射外形に加えてその周囲に前記遮
   光膜と前記活性層との間の距離のtan 45°倍の幅を加え
   た外形以下の大きさに形成されていることを特徴とする
   アクティブマトリックス型液晶表示装置。