TH78708B - กรอบตัวนำและวิธีการชุบกรอบตัวนำ - Google Patents

กรอบตัวนำและวิธีการชุบกรอบตัวนำ

Info

Publication number
TH78708B
TH78708B TH1004577A TH0001004577A TH78708B TH 78708 B TH78708 B TH 78708B TH 1004577 A TH1004577 A TH 1004577A TH 0001004577 A TH0001004577 A TH 0001004577A TH 78708 B TH78708 B TH 78708B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
conductor frame
conductor
plating method
intermediate layer
palladium
Prior art date
Application number
TH1004577A
Other languages
English (en)
Other versions
TH78708A (th
TH49511B (th
Inventor
นายซัง-ฮัน ลี นายซัง-อิล คัง นายซี-ซิล ปาร์ค นายคยู-ฮัน ลี
Original Assignee
ซัมซุง เทควิน โคแอลทีดี
Filing date
Publication date
Application filed by ซัมซุง เทควิน โคแอลทีดี filed Critical ซัมซุง เทควิน โคแอลทีดี
Publication of TH78708A publication Critical patent/TH78708A/th
Publication of TH78708B publication Critical patent/TH78708B/th
Publication of TH49511B publication Critical patent/TH49511B/th

Links

Abstract

กรอบตัวนำสำหรับเพ็คเกจสารกึ่งตัวนำและวิธีการสำหรับผลิตกรอบตัวนำ ในการ ทำกรอบตัวนำ ชั้นป้องกันทำจากนิเกิล (Ni) หรือโลหะผสมนิเกิล บนซับสเตรทที่เป็น โลหะ ชั้นระหว่างกลางทำจาก แพลเลเดียม (Pd) หรือโลหะผสมแพลเลเดียม แล้ว Pd และ ทอง (Au) ชุบสลับกันบนผิวของชั้นระหว่างกลางประกอบขึ้นเป็นชั้นนอกสุด ซึ่งประกอบ ด้วยชิ้นส่วน Pd และ Au

Claims (2)

1. วิธีการของการผลิตกรอบตัวนำสำหรับเพ็คเกจสารกึ่งตัวนำ ประกอบด้วย การผลิตชั้นป้องกันด้วย นิเกิล (Ni) และ โลหะผสม Ni บนซับเสตรทโลหะ การผลิตชั้นระหว่างกลางด้วย แพลเลเดียม (Pd) หรือ โลหะผสม Pd บนชั้นป้องกัน และ การชุบแบบสลับบนผิวของชั้นระหว่างกลางด้วย Pd และ ทอง (Au)อย่างน้อยที่สุด 1 ครั้งเพื่อขึ้นรูปชั้นนอกสุด ประกอบด้วยชิ้นส่วน Pd และ Au
2. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 เมื่อการชุบสลับกันเพื่อขึ้นรูปชั้นนอกสุด Pd หรือ Au อันใดอันหนึ่งสามารถชุบครั้งแ
TH1004577A 2000-11-27 กรอบตัวนำและวิธีการชุบกรอบตัวนำ TH49511B (th)

Publications (3)

Publication Number Publication Date
TH78708A TH78708A (th) 2006-07-20
TH78708B true TH78708B (th) 2006-07-20
TH49511B TH49511B (th) 2016-05-24

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI411081B (zh) 導線架及其製造方法
US6518508B2 (en) Ag-pre-plated lead frame for semiconductor package
JP4489193B2 (ja) 多層メッキリードフレーム
KR0183645B1 (ko) 다층 구조의 도금층을 구비한 반도체 리드 프레임
KR950004511A (ko) 집적회로 패키지, 리드프레임 및 제조물품
JP3760075B2 (ja) 半導体パッケージ用リードフレーム
JPH09275182A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ム
EP1037277B1 (en) Lead frame and method of fabricating a lead frame
US5354422A (en) Process for producing leadframe material for semiconductor
US20030107112A1 (en) Aluminum leadframes for semiconductor devices and method of fabrication
TH78708B (th) กรอบตัวนำและวิธีการชุบกรอบตัวนำ
TH49511B (th) กรอบตัวนำและวิธีการชุบกรอบตัวนำ
TH78708A (th) กรอบตัวนำและวิธีการชุบกรอบตัวนำ
JPH05109958A (ja) リードフレーム
JPH11111909A (ja) 半導体装置用リードフレーム
DE60306166D1 (de) Hartlötwekstoff und dessen hertstellungsverfahren
MY124980A (en) Lead frame and method for plating the same
JP6057285B2 (ja) 半導体素子搭載用基板
JPS5854644A (ja) ボンデイング用樹脂基板
JPH06302740A (ja) 半導体装置用リードフレーム
JP3757539B2 (ja) 半導体装置用ステム
TW200603311A (en) Palladium-plated lead finishing structure for semiconductor part and method of producing semiconductor device
JPH01244653A (ja) 半導体装置
JPS63304654A (ja) リ−ドフレ−ム
KR100254271B1 (ko) 다층 도금 리이드 프레임