TH49511B - กรอบตัวนำและวิธีการชุบกรอบตัวนำ - Google Patents

กรอบตัวนำและวิธีการชุบกรอบตัวนำ

Info

Publication number
TH49511B
TH49511B TH1004577A TH0001004577A TH49511B TH 49511 B TH49511 B TH 49511B TH 1004577 A TH1004577 A TH 1004577A TH 0001004577 A TH0001004577 A TH 0001004577A TH 49511 B TH49511 B TH 49511B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
conductor frame
alloy
layer
protective layer
intermediate layer
Prior art date
Application number
TH1004577A
Other languages
English (en)
Other versions
TH78708A (th
Inventor
ลี นายคยูฮัน
คัง นายซังอิล
ลี นายซังฮัน
ปาร์ค นายซีซิล
Original Assignee
นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์ นางสาวสนธยา สังขพงศ์
นางสาวสนธยา สังขพงศ์
Filing date
Publication date
Application filed by นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์, นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์ นางสาวสนธยา สังขพงศ์, นางสาวสนธยา สังขพงศ์ filed Critical นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
Publication of TH78708A publication Critical patent/TH78708A/th
Publication of TH49511B publication Critical patent/TH49511B/th

Links

Abstract

DC60 (16/05/45) กรอบตัวนำสำหรับเพ็คเกจสารกึ่งตัวนำและวิธีการสำหรับผลิตกรอบตัวนำ ในการ ทำกรอบตัวนำ ชั้นป้องกันทำจากนิเกิล (Ni) หรือโลหะผสมนิเกิล บนซับสเตรทที่เป็น โลหะ ชั้นระหว่างกลางทำจาก แพลเลเดียม (Pd) หรือโลหะผสมแพลเลเดียม แล้ว Pd และ ทอง (Au) ชุบสลับกันบนผิวของชั้นระหว่างกลางประกอบขึ้นเป็นชั้นนอกสุด ซึ่งประกอบ ด้วยชิ้นส่วน Pd และ Au กรอบตัวนำสำหรับเพ็คเกจสารกึ่งตัวนำและวิธีการสำหรับผลิตกรอบตัวนำ ในการ ทำกรอบตัวนำ ชั้นป้องกันทำจากนิเกิล (Ni) หรือโลหะผสมนิเกิล บนซับสเตรทที่เป็น โลหะ ชั้นระหว่างกลางทำจาก แพลเลเดียม (Pd) หรือโลหะผสมแพลเลเดียม แล้ว Pd และ ทอง (Au) ชุบสลับกันบนผิวของชั้นระหว่างกลางประกอบขึ้นเป็นชั้นนอกสุด ซึ่งประกอบ ด้วยชิ้นส่วน Pd และ Au

Claims (7)

1. วิธีการของการผลิตกรอบตัวนำสำหรับเพ็คเกจสารกึ่งตัวนำ ประกอบด้วย การผลิตชั้นป้องกันด้วย นิเกิล (Ni) และ โลหะผสม Ni บนซับเสตรทโลหะ การผลิตชั้นระหว่างกลางด้วย แพลเลเดียม (Pd) หรือ โลหะผสม Pd บนชั้นป้องกัน และ การชุบแบบสลับบนผิวของชั้นระหว่างกลางด้วย Pd และ ทอง (Au)อย่างน้อยที่สุด 1 ครั้งเพื่อขึ้นรูปชั้นนอกสุด ประกอบด้วยชิ้นส่วน Pd และ Au
2. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 เมื่อการชุบสลับกันเพื่อขึ้นรูปชั้นนอกสุด Pd หรือ Au อันใดอันหนึ่งสามารถชุบครั้งแรกบนชั้นระหว่างกลาง
3. กรอบตัวนำสำหรับเพ็คเกจกึ่งตัวนำ ประกอบด้วย ชั้นป้องกันผลิตขึ้นจาก นิเกิล (Ni) และ โลหะผสม Ni บนซับสเตรทโลหะ ชั้นระหว่างกลางผลิตขึ้นจาก แพลเลเดียม (Pd) บนชั้นป้องกัน และชั้นนอก สุดผลิตขึ้นจาก Pd และ ทอง(Au) บนชั้นระหว่างกลาง Pd
4. กรอบตัวนำสำหรับเพ็คเกจสารกึ่งตัวนำ ประกอบด้วย ชั้นป้องกันผลิตขึ้นจาก นิเกิล (Ni) และ โลหะผสม Ni บนซับสเตรทโลหะ และ ชั้นนอกสุดผลิตขึ้นจาก Pd และ ทอง (Au) บนชั้นป้องกัน
5. กรอบตัวนำสำหรับเพ็คเกจสารกึ่งตัวนำ ประกอบด้วย ชั้นป้องกันผลิตขึ้นจาก นิเกิล (Ni) และ โลหะผสม Ni บนซับสเตรทโลหะ ชั้นระหว่างกลางผลิตขึ้นจาก แพลเลเดียม (Pd) บนชั้นป้องกัน และบริเวณที่ถูกชุบ ด้วยทอง (Au) หรือ โลหะผสม Au ถูกผลิตขึ้นบนชั้นระหว่างกลาง เปิดบางส่วนบนผิวของ ชั้นระหว่างกลาง
6. กรอบตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 5 บริเวณที่ถูกชุบมีความหนา 0.03 ไมโคร- นิ้วหรือน้อยกว่า
7. กรอบตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 5 โลหะผสม Au เป็นได้ทั้ง โลหะผสม Au- Pd หรือ โลหะผสม Au-เงิน (Ag)
TH1004577A 2000-11-27 กรอบตัวนำและวิธีการชุบกรอบตัวนำ TH49511B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH78708A TH78708A (th) 2006-07-20
TH49511B true TH49511B (th) 2016-05-24

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950004511A (ko) 집적회로 패키지, 리드프레임 및 제조물품
MY137479A (en) Bonding wire for semiconductor device and method for producing the same
US5436082A (en) Protective coating combination for lead frames
CA2118758C (en) Lead frame for integrated circuits
US5684329A (en) Lead frame for semiconductor device
GB2322475A (en) A multi-layer plated lead frame
US20110272184A1 (en) Lead frame and manufacturing method thereof
JP2001110971A (ja) 半導体パッケージ用リードフレーム及びその製造方法
KR100710090B1 (ko) 반도체 장치용 알루미늄 리드 프레임과 제조 방법
JP2005019922A (ja) 半導体パッケージ用リードフレーム
TH78708A (th) กรอบตัวนำและวิธีการชุบกรอบตัวนำ
ES2171088T3 (es) Procedimiento para producir un sustrato exento de plomo.
MY138109A (en) Electronic part and surface treatment method of the same
JPH11111909A (ja) 半導体装置用リードフレーム
WO2010143081A1 (en) Enhanced integrated circuit package
JP6057285B2 (ja) 半導体素子搭載用基板
MY124980A (en) Lead frame and method for plating the same
JPH07120819B2 (ja) 発光ダイオード
JPS5867053A (ja) リ−ドフレ−ム
JPH01244653A (ja) 半導体装置
KR100209264B1 (ko) 반도체 리드 프레임
KR100254268B1 (ko) 다층 구조의 도금층을 갖는 반도체용 리드프레임
JPS6417841A (en) Lead frame material for semiconductor
KR100254271B1 (ko) 다층 도금 리이드 프레임
JPS60117761A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ム