TH78708A - กรอบตัวนำและวิธีการชุบกรอบตัวนำ - Google Patents

กรอบตัวนำและวิธีการชุบกรอบตัวนำ

Info

Publication number
TH78708A
TH78708A TH1004577A TH0001004577A TH78708A TH 78708 A TH78708 A TH 78708A TH 1004577 A TH1004577 A TH 1004577A TH 0001004577 A TH0001004577 A TH 0001004577A TH 78708 A TH78708 A TH 78708A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
conductor frame
alloy
intermediate layer
layer
conductor
Prior art date
Application number
TH1004577A
Other languages
English (en)
Other versions
TH49511B (th
TH78708B (th
Inventor
ลี นายคยู-ฮัน
ลี นายซัง-ฮัน
คัง นายซัง-อิล
ปาร์ค นายซี-ซิล
Original Assignee
นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
นางสาวสนธยา สังขพงศ์
Filing date
Publication date
Application filed by นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์, นางสาวสนธยา สังขพงศ์ filed Critical นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
Publication of TH78708A publication Critical patent/TH78708A/th
Publication of TH78708B publication Critical patent/TH78708B/th
Publication of TH49511B publication Critical patent/TH49511B/th

Links

Abstract

DC60 (16/05/45) กรอบตัวนำสำหรับเพ็คเกจสารกึ่งตัวนำและวิธีการสำหรับผลิตกรอบตัวนำ ในการ ทำกรอบตัวนำ ชั้นป้องกันทำจากนิเกิล (Ni) หรือโลหะผสมนิเกิล บนซับสเตรทที่เป็น โลหะ ชั้นระหว่างกลางทำจาก แพลเลเดียม (Pd) หรือโลหะผสมแพลเลเดียม แล้ว Pd และ ทอง (Au) ชุบสลับกันบนผิวของชั้นระหว่างกลางประกอบขึ้นเป็นชั้นนอกสุด ซึ่งประกอบ ด้วยชิ้นส่วน Pd และ Au กรอบตัวนำสำหรับเพ็คเกจสารกึ่งตัวนำและวิธีการสำหรับผลิตกรอบตัวนำ ในการ ทำกรอบตัวนำ ชั้นป้องกันทำจากนิเกิล (Ni) หรือโลหะผสมนิเกิล บนซับสเตรทที่เป็น โลหะ ชั้นระหว่างกลางทำจาก แพลเลเดียม (Pd) หรือโลหะผสมแพลเลเดียม แล้ว Pd และ ทอง (Au) ชุบสลับกันบนผิวของชั้นระหว่างกลางประกอบขึ้นเป็นชั้นนอกสุด ซึ่งประกอบ ด้วยชิ้นส่วน Pd และ Au

Claims (7)

1. วิธีการของการผลิตกรอบตัวนำสำหรับเพ็คเกจสารกึ่งตัวนำ ประกอบด้วย การผลิตชั้นป้องกันด้วย นิเกิล (Ni) และ โลหะผสม Ni บนซับเสตรทโลหะ การผลิตชั้นระหว่างกลางด้วย แพลเลเดียม (Pd) หรือ โลหะผสม Pd บนชั้นป้องกัน และ การชุบแบบสลับบนผิวของชั้นระหว่างกลางด้วย Pd และ ทอง (Au)อย่างน้อยที่สุด 1 ครั้งเพื่อขึ้นรูปชั้นนอกสุด ประกอบด้วยชิ้นส่วน Pd และ Au
2. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 1 เมื่อการชุบสลับกันเพื่อขึ้นรูปชั้นนอกสุด Pd หรือ Au อันใดอันหนึ่งสามารถชุบครั้งแรกบนชั้นระหว่างกลาง
3. กรอบตัวนำสำหรับเพ็คเกจกึ่งตัวนำ ประกอบด้วย ชั้นป้องกันผลิตขึ้นจาก นิเกิล (Ni) และ โลหะผสม Ni บนซับสเตรทโลหะ ชั้นระหว่างกลางผลิตขึ้นจาก แพลเลเดียม (Pd) บนชั้นป้องกัน และชั้นนอก สุดผลิตขึ้นจาก Pd และ ทอง(Au) บนชั้นระหว่างกลาง Pd
4. กรอบตัวนำสำหรับเพ็คเกจสารกึ่งตัวนำ ประกอบด้วย ชั้นป้องกันผลิตขึ้นจาก นิเกิล (Ni) และ โลหะผสม Ni บนซับสเตรทโลหะ และ ชั้นนอกสุดผลิตขึ้นจาก Pd และ ทอง (Au) บนชั้นป้องกัน
5. กรอบตัวนำสำหรับเพ็คเกจสารกึ่งตัวนำ ประกอบด้วย ชั้นป้องกันผลิตขึ้นจาก นิเกิล (Ni) และ โลหะผสม Ni บนซับสเตรทโลหะ ชั้นระหว่างกลางผลิตขึ้นจาก แพลเลเดียม (Pd) บนชั้นป้องกัน และบริเวณที่ถูกชุบ ด้วยทอง (Au) หรือ โลหะผสม Au ถูกผลิตขึ้นบนชั้นระหว่างกลาง เปิดบางส่วนบนผิวของ ชั้นระหว่างกลาง
6. กรอบตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 5 บริเวณที่ถูกชุบมีความหนา 0.03 ไมโคร- นิ้วหรือน้อยกว่า
7. กรอบตัวนำของข้อถือสิทธิข้อ 5 โลหะผสม Au เป็นได้ทั้ง โลหะผสม Au- Pd หรือ โลหะผสม Au-เงิน (Ag)
TH1004577A 2000-11-27 กรอบตัวนำและวิธีการชุบกรอบตัวนำ TH49511B (th)

Publications (3)

Publication Number Publication Date
TH78708A true TH78708A (th) 2006-07-20
TH78708B TH78708B (th) 2006-07-20
TH49511B TH49511B (th) 2016-05-24

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950004511A (ko) 집적회로 패키지, 리드프레임 및 제조물품
JP3760075B2 (ja) 半導体パッケージ用リードフレーム
MY137479A (en) Bonding wire for semiconductor device and method for producing the same
JPH09275182A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ム
TW457674B (en) Aluminum leadframes for semiconductor devices and method of fabrication
US5354422A (en) Process for producing leadframe material for semiconductor
TH49511B (th) กรอบตัวนำและวิธีการชุบกรอบตัวนำ
TH78708A (th) กรอบตัวนำและวิธีการชุบกรอบตัวนำ
JP2005019922A (ja) 半導体パッケージ用リードフレーム
ES2171088T3 (es) Procedimiento para producir un sustrato exento de plomo.
TH78708B (th) กรอบตัวนำและวิธีการชุบกรอบตัวนำ
JPH11111909A (ja) 半導体装置用リードフレーム
MY124980A (en) Lead frame and method for plating the same
KR20030063835A (ko) 다층도금 리드프레임 및 이 리드프레임의 제조방법
KR100254268B1 (ko) 다층 구조의 도금층을 갖는 반도체용 리드프레임
JPH01187958A (ja) リードフレーム
JPS63304654A (ja) リ−ドフレ−ム
JPH0817995A (ja) 半導体装置用リードフレーム
TW200603311A (en) Palladium-plated lead finishing structure for semiconductor part and method of producing semiconductor device
KR100209264B1 (ko) 반도체 리드 프레임
KR100254271B1 (ko) 다층 도금 리이드 프레임
KR20100128061A (ko) 리드 프레임 및 집적회로 소자의 제조 방법
JPS6417841A (en) Lead frame material for semiconductor
JPH0473958A (ja) 半導体装置用リードフレーム
KR100348166B1 (ko) 리드프레임 은도금 장치의 애노드부재