TH49715A - การประกอบหน่วยความจำผสมให้เป็นส่วนเดียวกันกับ feram ด้วยต้นทุนต่ำ - Google Patents
การประกอบหน่วยความจำผสมให้เป็นส่วนเดียวกันกับ feram ด้วยต้นทุนต่ำInfo
- Publication number
- TH49715A TH49715A TH1003974A TH0001003974A TH49715A TH 49715 A TH49715 A TH 49715A TH 1003974 A TH1003974 A TH 1003974A TH 0001003974 A TH0001003974 A TH 0001003974A TH 49715 A TH49715 A TH 49715A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- cell structure
- feram
- low cost
- memory device
- cost integration
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (08/01/44) อุปกรณ์หน่วยความจำที่เป็นสารกึ่งตัวนำที่รวมเข้าไว้ด้วยโครงสร้างของเซลล์หน่วยความจำอย่าง น้อยสามชนิดที่แตกต่าง กัน, ชนิดต่าง ๆ ดังกล่าวจะรวมถึงโครงสร้างของเซลล์ NVRAM, โครงสร้าง ของเซลล์ FERAM, โครงสร้างของเซลล์ DRAM และโครง สร้างของเซลล์ SRAM , บรรดาโครงสร้าง ของเซลล์ดังกล่าวถูก จัดใส่ลงบนวัสดุฐานรองแผ่นเดียวกัน. อุปกรณ์หน่วยความจำที่เป็นสารกึ่งตัวนำที่รวมเข้าไว้ด้วยโครงสร้างของเซลล์หน่วยความจำอย่าง น้อยสามชนิดที่แตกต่าง กัน ชนิดต่าง ๆ ดังกล่าวจะรวมถึงโครงสร้างของเซลล์ NVRAM, โครงสร้าง ของเซลล์ FERAM, โครงสร้างของเซลล์ DRAM และ ,โครง สร้างของเซลล์ SRAM , บรรดาโครงสร้าง ของเซลล์ดังกล่าวถูก จัดใส่ลงบนวัสดุฐานรองแผ่นเดียวกัน
Claims (2)
1. อุปกรณ์หน่วยความจำที่เป็นสารกึ่งตัวนำที่ประกอบด้วย - โครงสร้างของเซลล์ DRAM; - โครงสร้างของเซลล์ NVRAM; - โครงสร้างของเซลล์ SRAM และ - โครงสร้างของเซลล์ FERAM โดยที่หน่วยโครงสร้างของเซลล์ดังกล่าวทั้งหมดอยู่บนวัสดุ ฐานรองแผ่นเดียวกัน
2. อุปกรณ์หน่วยความจำที่เป็นสารกึ่งตัวนำตามที่ถือสืทธิ ในข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่โครงสร้างของ เซลล์ NVRAM ดังกล่าวจะ รวมเข้าไว้ด้วยเกตลอยตัวแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH49715A true TH49715A (th) | 2002-02-28 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR910019237A (ko) | 커패시터 dram 셀의 제조방법 | |
| KR890016573A (ko) | 반도체기억장치 | |
| KR940016841A (ko) | 정적 램 셀 및 메모리 소자 | |
| KR950007120A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR910013555A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| EP1308958A3 (en) | Three dimensional large storage random access memory device | |
| KR100456598B1 (ko) | 서로 상보되는 데이터를 갖는 메모리 셀들이 배열되는메모리 장치 | |
| KR910005307A (ko) | 비트라인 접촉영역과 스토레이지 캐패시터 접촉영역을 갖는 반도체 메모리 장치 | |
| KR950021539A (ko) | 반도체 집적 회로 | |
| KR970018605A (ko) | 다이나믹 이득 메모리셀을 가진 dram 셀 어레이 | |
| KR910005462A (ko) | 다이나믹 랜덤 액세스 메모리 디바이스 | |
| KR960032735A (ko) | 계층비트선 구조를 가지는 반도체기억장치 | |
| KR920008773A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| DE69228399D1 (de) | Speicherzellenmatrix der Multiporthalbleiterspeicheranordnungstype | |
| KR920001545A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR960002349A (ko) | 반도체 메모리 디바이스 | |
| EP0739035A3 (en) | DRAM bit line contact | |
| KR920010903A (ko) | 스태틱 랜덤 액세스 메모리용 셀 | |
| EP0801397A3 (en) | Improvements in or relating to semiconductor memory devices | |
| TH49715A (th) | การประกอบหน่วยความจำผสมให้เป็นส่วนเดียวกันกับ feram ด้วยต้นทุนต่ำ | |
| KR890004333A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
| JPH1126604A5 (th) | ||
| TW357454B (en) | Semiconductor memory device | |
| KR937000950A (ko) | 비 휘발성 반도체 메모리 셀 필드가 있는 반도체 메모리 | |
| KR970030836A (ko) | 반도체 메모리 장치 |