SU646391A1 - Полевой транзистор - Google Patents

Description

(54) ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР

1

Изобретение относитс  к полупроводниковым приборам, и частности к интеграЛьным схемам. Наиболее эффективно оно может быть использовано при построении больших интегральных схем, логических и запоминающих устройств.

Известен полевой транзистор с затвором в виде выпр мл ющего перехода металлполупроводник (1)..

Наиболее близким к изобретению по технической сущности  вл етс  полевой транзистор с затворными област ми, расположенными на поверхности подложки и выполненными в виде перехода металл-полупроводник , со стоковой областью, расположенной между затворными област ми, и с истоком 2.

Известные конструкции полевых транзисторов имеют существенный недостаток, заключающийс  в относительно малой щирине стоковой области и большом сопротивлении растекани  тока стока, что ограничи-. вает величины коммутируемых приборам токов и в результате ограничивает быстродействие прибора. Кроме того, реализаци  прибора обуславливает повышение требований к минимальным размерам окон на фотошаблоне и к разрешающей способности фотолитографических операций.

Цель изобретени  - увеличение быстродействи  полевого транзистора.

Эта цель достигаетс  тем, что в подложке на рассто нии .введени  в область стока от пойерхности, не превЬ1шающем толщины сло  объемного зар да выпр мл ющего контакта затвор-исток, расположена дополнительна  область противоположного подложке типа проводимости таким . образом, что ее проекци  полностью перекрывает контакт стоковой области г подложке.

На чертеже изображен полевой транзистор , имеющий область истока 1, омический контакт 2 области стока, затворные области .3, дополнительную область 4 противоположного истоку типа проводимости и область канала 5.

В предложенной конструкции (6ласть канала 5 перекрываетс  слоем объемного зар да затвор-исток перехода, выполненного в виде диода Шоттки, когда на затворе .имеет место отрицательный или нул.евой (по отношению к области 1) потенциал. Когда

в области 3 приложен продолжительный потенциал , то область объемного зар да уменьшаетс  и между истоком 1 и стоком 2 имеет место гальваническа  св зь.

Уменьшение длины канала в предложенном транзисторе достигаетс  посредством расположени  краев области 4 и области 3 в одном вертикальном сечении.

В , данной структуре ширина области 2 может быть выбрана достаточно большой и, следовательно, транзистор имеет малое последовательное сопротивление между истоком и стоком. Это позвол ет истгользовать прибор дл  коммутации токов относительно больших величин и, следовательно, уменьшить врем  переходных процессов паразитных емкостей.

Транзистор может быть изготовлен по рбычной технологии, прин той при производстве пoлyп Jвoдниkoвыx приборов и интегральных схем.

Claims (2)

1. Формула изобретени 

   Полевой транзистор с затворными област ми , расположенными на поверхности подложки и выполненными в виде перехода металл-полупроводник , со становой областью, расположенной между затворными област ми , и с истоком, отличающийс  тем, что, с целью повышени  быстродействи , в подложке на рассто нии от поверхности, не превышающем толшины сло  объемного зар да выпр мл ющего контакта затвор-исток , расположена - дополнительна  область противоположного подложке типа проводимости таким образом, что ее проекци  полностью перекрывает контакт стоковой Области в подложке.

   Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе

   1,Патент США № 3804681, кл. 148-188, 1974.
2. 2.Авторское свидетельство СССР № 602055,-кл. Н 01 L 27/04, 06.01.77.