SU1014130A1

SU1014130A1 - Усилитель-формирователь

Info

Publication number: SU1014130A1
Application number: SU813361813A
Authority: SU
Inventors: Тимофей Васильевич Золотарев; Василий Сергеевич Хорошунов; Анатолий Иванович Стоянов; Александр Николаевич Сорокин
Original assignee: Воронежский Политехнический Институт
Priority date: 1981-12-04
Filing date: 1981-12-04
Publication date: 1983-04-23

Description

«;.

тйЦ

in:

iCO О

.г

г-ЛС

Изобретение относитс к импульсной и вычислительной технике и может быть применено в каскадах логических устройств, формирующих выходное напр жение с высоким уровнем логической 1.

Известен усилитель-формирователь на МДП-транзисторах, содержащий пер ключательный МДП-транзистор, затвор которого подключен к входной шине, исток - к шине нулевого потенциала , а , сток соединен с выходной шиной и истоком нагрузочного МДП-транэистора , затвор которого подключен к истоку МДП-транзистора предварительного зар да и первому выводу ус--кор ющего конденсатора, сток и затвор ЩП-тpaнзиcтopa предварительного зар да объединен со стоком нагрузочного МДП,-транзистора. Второй вы5®д , ускор ющего конденсатора, подключен к выходной шине. При формировании выходного напр жени логической его амплитуда относительно шины нулевого потенциала достигает знача- . НИН величины питающего напр жени CtJ.

Недостатком устройства вл етс низкое напр жение логической 1, поскольку при построении логических устройсв на МДП-структурах часто возникает необходимость в формировании выходного напр жени , превышающего величину питающего напр жени в два и более раз.

Наиболее близким к предлагаемому по. технической сущности вл етс усилитель-формирователь на ДП-транзисторах, содержащий разр дный и зар дный МДП-транзисторы, первый и второй и третий конденсаторы , переключающий МДП-транзистор, входную и; выходную шины, шины питани и нулевого потенциала. При этом затворы разр дного и переключающего МДП-транзисторов объединены и подключены к входной шине, истоки указанных.МДП-транзисторов соединены с шиной нулевого потенциала, сток разр дного МДП-транзистора соединен с истоком зар дного МДПтранзистора и с первой обкладкой первого конденсатора, втора обкладка которого подключена к стоку первого и истоку второго нагрузочных МДП-транзисторов, исток первого нагрузочного МДП-транзистора соединен со стоком переключающего МДП-транзистора и с первой обкладкой второго конденса- тора, втора обкладка которого подключена к истоку третьего нагрузочного МДП-транзистора, объединенные сток и затвор третьего нагрузочного МДП-транзистора соединены со стоками зар дного и второго нагрузочного МДП-транзистора и с шиной питани . Затвор четвертого нагрузочного МДП-транзистора объединен со стоком этого же МДП-транзистора и

с шиной питани , исток четвертого нагрузочного МДП-транзистора соединен с затвором второго нагрузочного МДП-транзистора и с первой об-; кладкой третьего конденсатора, втора обкладка которого св зана с входной шиной, затвор первого нагрузочного МДП-транзистора .подключен к истоку третьего нагрузочного МДП-транзистора, а затвор зар дного МДП-транзистора соединен с истоком первого нагрузочного МДП-транзистора и с выходной шиной 23.

Недостатком известного устройств вл етс низкий уровень логической

Цель изобретени - повышение выходного уровн напр жени логической единицы.

Поставленна цель достигаетс тем, что в усилителе-формирователе, содержащем разр дный и зар дный МДПтранзисторы , первый, Второй,Третий нагрузочные МДП-транзисторы, первый и второй конденсаторы, переключающий МДП-транзистор, входную и выходную шину, шину питани и общую шину, затворы разр дного и переключающего МДП-транзисторов объединены и подключены к выходной шине, истоки указанных МДП-транзисторов соединены с общей шиной, сток разр дного МДП-транзистора соединен с истоком зар дного МДП-транзистора и с первой обкладкой конденсатора, втора обкладка которого подключена к стоку первого и истоку второго нагрузочных МДП-транзистора, исток первого нагрузочного МДП-транзистора соединен со стоком перключающего МДП-транзистора и с первой обкладкой второго конденсатора, втора обкладка которого подключена к истоку третьего нагрузочного МДП-транзистора , объединенные сто.к и затвор которого соединены со стоками зар дного и второго нагрузочного МДП-транзистора и с шиной питани , затворы зар дного и первого нагрузочного МДП-транзисторов подключены к второй обкладке первого конденсатора, затвор четвёртого нагрузочного МДПтранзистора соединен с второй обкладкой второго конденсатора, затвор и сток второго нагрузочного МДП-транзистора соединен с шиной питани , исток четвертого нагрузочного МДП-транзистора объединен со стоком дополнительного переключающего МДП-транзистора и выходной шиной, затвор дополнительного переключающего МДП-транзистора подключен к входной шине, и исток его подключен к общей шине.

На чертеже приведена схема усили тел -формировател .

Устройство содержит разр дный 1, зар дный 2 и переключающий 3 МДПтранзисторы , первый.4, второй 5 и дополнительный переключающий б МДПтранэисторы , третий и четвертый нагрузочный МДП-транзисторы 7 и 8, первый и второй конденсаторы 9 и 10 шину 11 питани , общую ,входную и выходную шины 12 - 14. Затворы разр дного 1, переключающего 3 и дополнительного переключающего МДП- транзисторов объединены и подключены к входной шине. Истоки этих МДП-транзисторов , соединены с общей шиной 12 Сток разр дного МДП-транзистора 1 соединен с истоком зар дного МДПтранзистора 2 и с первой обкладкой первого конденсатора 9. Затворы зар дного 2 и первого нагрузочного 4 1Щ1-транзисторов объединены и подключены к истоку первого нагрузочного МДП-транзистора 4, истоку второго нагрузочного МДП-транзИстора 5 и к второй обкладке первого конденсатора 9. Исток первого нагрузочного МДП-транзистора 4 соединен со стоком переключающего МДП-транз стора 3 и с первой обкладкой второго конденсатораЮ, втора обкладка которого подключена к соединенным вместе затвору и стоку четвертого нагрузочного МДП-транзистора 7, и стоку третьего нагрузочного МДПтранзистора 8.

Устройство работает следующим образом.

При подаче на входную шину напр жени логической 1 открьгаают-. с разр дный 1, переключающий 3 и дополнительный переключающий 6 ,МДП-транзисторы. Наих стоках устанавливаетс низкий уровень напр жени и на выходной шине формируетс уровень логического О. Первый и второй конденсаторы 9 И 1о зар жаютс до напр жени на величину порога меньшую, чем напр жение питани .

При поступлении на входную шину 13 напр жени логического О МДПтранзисторы 1, 3 и 6 закрываютс . Начинаетс процесс формировани выходного напр жени логической 1.

0 Так как к затвору и истоку зар дного МДП-транзистора 2 подкгаочен зар жен1шй конденсатор 9, то. зар д-: ный транзистор 2 откр1;гт и на стоке разр дного МДП-транзистора напр же5 ние увеличитс от низкого уровн до напр жени питани . Напр жение на второй обкладке первого, конденсатора 9 относительно общей шины при этом на величину порога меньше удвоенного напр жени питани . Через

0 первый нагрузочный транзистор 4 предварительно зар женный второй конденсатор 10 оказываетс включенным последовательно с первым конденсатором 9. Через четвертый нагру5 зочный МДП-транзистор 7 втора об- кладка второго конденсатора 10 подключаетс к .выходной шине. Таким образом нагрузочна етлкость выходной шины .оказываетс подключенной

0 к последовательно включенным конденсаторам 9 и 10. При этом выходное напр жение логической 1 на выходной шине определ етс выражением

ЗЕрит.- JnoBи

35

вых.

ЕПИТ, - напр жение питани /

где и„рр« - пороговое напр жение МДПтранзисторов .

Claims

» 525247, кл. Н 03 К 19/08, 17.04.74. ¹ УСИЛИТЕЛЬ-ФОРМИРОВАТЕЛЬ, содержащий разрядный и зарядный МДПтранэисторы, первый, второй, третий . нагрузочные МДП-транзисторы, первый и второй конденсаторы, переключающий МДП-транзистор, входную и выходную шину, шину питания и общую шину, затворы разрядного и переключающего МДП-транзисторов объединены и подключены к входной шине, а их истоки:: соединены с общей шиной, сток разрядного МДП-транзистора соединен с .истоком зарядного МДП-транзистора и с первой обкладкой первого конденсатора, вторая обхладка которого подключена к стоку первого и истоку второго нагрузочных МДП-транзисторо^ исток первого нагрузочного МДП-транзистора соединен со стоком переключающего МДП-транзистора и с первой обкладкой второго конденсатора, вторая обкладка которого подключена к истоку третьего нагрузочного МДПтранзистора, объединенные сток и затвор которого соединены со стоками зарядного и второго нагрузочного МДП-транзистора и с шиной питания, отличающийся тем, что, с целью повышения выходного напряжения логической единицы, затворы зарядного и первого нагрузочного МДП- . транзисторов подключены к второй об-γ кладке первого конденсатора, затвор: четвертого нагрузочного МДП-транзисто ра соединен с второй обкладкой вто. рого конденсатора, затвор и сток второго нагрузочного МДП-транзистора соединен с шиной питания, исток четвертого нагрузочного МДП·*·транзистора л объединен со стоком дополнительного переключающего МДП-транзйстора и выходной шиной, затвор дополнительного переключающего МДП-транзистора подключен к входной шине, а.исток к общей шине.