SA08290722B1 - إلكترود أمامي للاستخدام في جهاز ڤٌلطائي ضوئي وطريقة لتصنيعه - Google Patents

إلكترود أمامي للاستخدام في جهاز ڤٌلطائي ضوئي وطريقة لتصنيعه Download PDF

Info

Publication number
SA08290722B1
SA08290722B1 SA08290722A SA08290722A SA08290722B1 SA 08290722 B1 SA08290722 B1 SA 08290722B1 SA 08290722 A SA08290722 A SA 08290722A SA 08290722 A SA08290722 A SA 08290722A SA 08290722 B1 SA08290722 B1 SA 08290722B1
Authority
SA
Saudi Arabia
Prior art keywords
layer
oxide
tco
film
conductive
Prior art date
Application number
SA08290722A
Other languages
English (en)
Inventor
ويليم دين بوير
يوي ليو
Original Assignee
جارديان اندستريز كورب
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by جارديان اندستريز كورب filed Critical جارديان اندستريز كورب
Publication of SA08290722B1 publication Critical patent/SA08290722B1/ar

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H01L31/022483—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of zinc oxide [ZnO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

الملخـــص: يتعلق الاختراع بإلكترود/ ملامس أمامي للاستخدام في جهاز الكتروني مثل جهاز ڤٌلطائي ضوئي. وفي بعض النماذج التمثيلية، يشتمل الإلكترود الأمامي لجهاز ڤٌلطائي ضوئي أو ما شابه ذلك على مادة تغليف متعددة الطبقات تشتمل على طبقة أكسيد موصلة منفذة (TCO) واحدة على الأقل (مثل، طبقة مصنعة من أو تشتمل على مادة مثل أكسيد قصدير، ITO، أكسيد زنك، أو ما شابه ذلك) و/ أو طبقة معدنية بشكل أساسي عاكسة للأشعة IR وموصلة واحدة على الأقل (مثل، طبقة أساسها الفضة، الذهب، أو ما شابه ذلك). وفي بعض الحالات التمثيلية يمكن أن تشتمل مادة تغليف الإلكترود الأمامي متعددة الطبقات على واحدة أو أكثر من طبقات الأكسيد (الأكاسيد) المعدني (المعدنية) الموصلة وواحدة أو أكثر من الطبقات المعدنية بشكل أساسي العاكسة للأشعة IR والموصلة من أجل تقليل انعكاس الضوء المرئي، وزيادة الموصلية، وخفض تكاليف التصنيع، و/ أو زيادة القدرة على عكس الأشعة تحت الحمراء (IR). شكل ( 1 ) .

Description

ض ا . إلكترود أمامي للاستخدام في جهاز فُلطائي ضوئي وطريقة لتصنيعه ‎Front electrode for use in photovoltaic device and mehtod of making same‏ : الوصف الكامل خلفية الاختراع
يتعلق هذا الاختراع بجهاز ‎SU‏ ضوئي يشتمل على الكترود مثل إلكترود/ ملامس أمامي. وفي بعض النماذج ‎Adal)‏ يشتمل الالكترود الأمامي للجهاز القلطائي الضوئي على مادة تغليف متعددة الطبقات تشمل طبقة معدنية بشكل أساسي واحدة على الأقل عاكسة للأشعة تحت الحمراء
‎(IR) 0‏ وموصلة إلى حدٍ كبير مصنعة من أو تشتمل على الفضة؛ الذهب؛ أو ما شابه ذلك» ومن الممكن أن تشتمل مادة التغليف على طبقة أكسيد موصلة منفذة ‎(TCO)‏ واحدة على الأقل (مثلاً مصنعة من أو تشتمل على مادة أكسيد قصدير؛ أكسيد زنك؛ أو ما شابه ذلك). وفي بعض النماذج التمثيلية؛ يتم تصميم مادة تغليف الإلكترود الأمامي متعددة الطبقات من أجل تحقيق واحدة أو أكثر
‏من الخصائص المميزة الآتية: (أ) مقاومة لوحية ‎(Rs)‏ منخفضة ومن ثم زيادة الموصلية وتحسين
‎)18( ‏قدرة الخرج الإجمالية لوحدة فلطائية ضوئية نمطية؛ (ب) زيادة انعكاس الأشعة تحت الحمراء‎ ٠ ‏وبالتالي تقليل درجة حرارة تشغيل الوحدة الفلطائية الضوئية النمطية من أجل زيادة قدرة الخرج‎ - 450 ‏للوحدة النمطية؛ (ج) تقليل انعكاس و/ أو زيادة انتقال الضوء في المنطقة التي تتراوح من‎
‎٠‏ نانو مترء و/ أو ‎moe‏ 100 تانومتر؛ وهذا يؤدي إلى زيادة قدرة الخرج للوحدة الفلطائية
‏الضوئية النمطية؛ (د) تقليل السمك الإجمالي لمادة تغليف الإلكترود الأمامي مما يمكن من تقليل
‎١٠‏ تكاليف و/ أو زمن التصنيع؛ و/ أو (ه) تحسين أو توسيع نافذة المعالجة عند تشكيل طبقة
‏(طبقات) ال ‎TCO‏ وذلك بسبب انخفاض تأثير موصلية (طبقة) طبقات ال ‎TCO‏ على الخواص عن
. الكهربية الإجمالية للوحدة النمطية بمعلومية وجود طبقة (طبقات) معدنية بشكل أساسي عاكسة للأشعة تحت الحمراء ‎IR‏ موصلة إلى حدٍ كبير. الأجهزة القلطائية الضوئية معروفة في المجال ‎Je)‏ سبيل المثال» أنظر» براءات الاختراع الأمريكية أرقام 6,784,361 و6,288,325 و6,613,603 و6,123,824؛ حيث تم تضمين الكشوفات ‎٠‏ الواردة بها في هذا الطلب كمرجع). وتشتمل الأجهزة ‎AU‏ الضوئية المصنعة من السيلكون غير ‎lisa)‏ على سبيل المثال؛ على إلكترود أو ملامس أمامي. ونمطياً؛ يتم تصنيع الالكترود الأمامي المنفذ من أكسيد حراري موصل منفذة ‎(TCO)‏ مثل أكسيد الزنك أو أكسيد القصدير المشكل على ركيزة ‎Jie‏ ركيزة زجاجية. وفي الكثير من الحالات؛ يتم تشكيل الالكترود الأمامي المنفذ من طبقة واحدة باستخدام طريقة من طريق التحلل الحراري الكيميائي حيث يتم رش مواد أولية منتجة لغيرها ‎٠‏ على الركيزة الزجاجية عند حوالي ‎Eee‏ إلى ‎op Tov‏ ويمكن أن يصل سمك طبقات ‎TCO‏ النمطية من أكسيد قصدير معالج بالإشابة بواسطة الفلور والتي تتحلل بالحرارة وتستخدم كإلكترودات أمامية؛ حوالي 5060 نانو مترء مما يوفر مقاومة لوحية ‎(Rs)‏ تبلغ حوالي 10 أوم/ مربع. وللحصول على قدرة خرج كبيرة؛ من المرغوب فيه أن يكون لدينا إلكترود أمامي له مقاومة لوحية منخفضة وتلامس أومي جيد بالطبقة العليا ‎IAN‏ ويسمح بأقصى طاقة شمسية في نطاقات معينة مرغوب فيها للنفاذ ‎ve‏ إلى أغشية أشباه الموصلات الماصة. ولسوء الحظ»؛ فإن الأجهزة الفلطائية الضوئية ‎Jia)‏ الخلايا الشمسية) التي تشتمل على الالكترودات الأمامية ‎TCO‏ التقليدية تعاني من المشكلات الآثية. ولا يكون لطبقة ‎TCO‏ من أكسيد القصدير المعالج بالإشابة بالفلور والتي تتحلل بالحرارة ويصل سمكها إلى حوالي ‎40١‏ نانومتر والمستخدمة كإلكترود أمامي كامل مقاومة لوحية ‎(Rs)‏ تبلغ حوالي ‎Fora‏
‎٠‏ أوم/ مربع وهي مقاومة كبيرة بالنسبة للإلكترود الأمامي الكامل. ومن المرغوب فيه أن تكون المقاومة اللوحية أقل (وبالتالي تكون الموصلية أفضل) بالنسبة للإلكترود الأمامي لجهاز فلطائي ضوئي. ويمكن الوصول إلى مقاومة لوحية أقل بزيادة سمك طبقة ‎TCO‏ كهذه؛ ولكن هذا سوف يتسبب في انخفاض نفاذ الضوء خلال طبقة ال ‎TCO‏ مما يقلل من قدرة خرج الجهاز ‎SBI‏ ‎٠‏ الضوئي.
‎(Lis‏ تسمح الكترودات ‎TCO‏ الأمامية التقليدية مثل أكسيد القصدير الذي ينحل بالحرارة بمرور كمية كبير إلى حدٍ ما من الأشعة تحت الحمراء ‎(IR)‏ خلالها مما يسمح لها بالوصول إلى طبقة (طبقات) شبه الموصل أو الطبقة الماصة من الجهاز القلطائي الضوئي. وتتسبب هذه الأشعة تحت الحمراء في حرارة تزيد من حرارة تشغيل الجهاز ‎SU‏ الضوئي وبالتالي تقليل قدرة الخرج ‎A)‏
‎٠‏ ثالثاء تميل إلكترودات ‎TCO‏ الأمامية التقليدية ‎Jie‏ أكسيد القصدير الذي ينحل بالحرارة لأن تعكس كمية كبيرة إلى حدٍ ما من الضوء في المنطقة من حوالي ‎7٠00 - 48٠‏ نانومتر بحيث تصل نسبة لا تقل عن حوالي ‎IAs‏ من الطاقة الشمسية المفيدة إلى طبقة شبه الموصل الماصة؛ وهذا الانعكاس الكبير إلى حدٍ ما للضوء المرئي يعتبر إهداراً للطاقة ويؤدي إلى خفض قدرة الخرج للوحدة الفُلطائية الضوئية النمطية. وبسبب امتصاص طبقة 700 وانعكاسات الضوء التي تحدث بين طبقة
‎n) ‏نانو متر) وغشاء شبه الموصل الرقيق‎ 909٠ ‏إلى ¥ عند طول موجي‎ ٠,8 ‏أل 100 (« حوالي‎ ve ‏والركيزة الزجاجية (« حوالي 1,0( فإن الزجاج المغلف‎ TCO ‏حوالي ؟ إلى 8( وبين طبقة ال‎ ‏عند مقدمة الجهاز الفلطائي الضوئي يسمح نمطياً بوصول نسبة تقل عن 2480 من‎ TCO ‏بطبقة ال‎ ‏الطاقة الشمسية المفيدة التي ترتطم بالجهاز إلى غشاء شبه الموصل الذي يقوم بتحويل الضوء إلى‎ ‏طاقة كهربية.‎
‏ض ّم
‎clad‏ كما أن السمك الإجمالي الكبير ‎Se)‏ نانو متر) للإلكترود الأمامي في حالة طبقة ‎TCO‏ من أكسيد القصدير سمكها ‎5٠6٠‏ نانو مترء يتسبب في زيادة تكاليف التصنيع. خامساً نافذة المعالجة التي تتم لتشكيل طبقة 100 من أكسيد زنك أو أكسيد قصدير لتصنيع الكترود أمامي تكون صغيرة وهامة. وبهذا ‎(asad)‏ فإنه حتى التغييرات الضئيلة في نافذة ‎٠‏ المعالجة يمكن أن تؤثر سلباً على موصلية طبقة ال 100. وعندما تكون طبقة ال ‎TCO‏ عبارة عن طبقة موصلة وحيدة للإلكترود الأمامي؛ فإن ‎Jia‏ هذه التأثيرات السلبية يمكن أن تكون ضارة بشدة. وبناءً على هذاء يمكن إدراك أن هناك حاجة في المجال لإلكترود أمامي محسّن لجهاز ‎Sb‏ ‏ضوئي يمكنه أن يحل أو يعالج واحدة أو أكثر من المشكلات الخمس السابق ذكرها. الوصف العام للاختراع ‎٠‏ وفي بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع؛ فإن الإلكترود الأمامي لجهاز فُلطائي ضوئي يشتمل على مادة تغليف متعددة الطبقات تشتمل على طبقة معدنية بشكل أساسي عاكسة للأشعة ‎IR‏ ‏وموصلة إلى حدٍ كبير ‎Sia)‏ طبقة أساسها الفضة؛ أو الذهب؛ أو ما شابه ذلك)؛ واختيارياً > على طبقة أكسيد موصلة منفذة ‎(TCO)‏ واحدة على الأقل ‎Nie)‏ مصنعة من أو تشتمل على مادة مثل أكسيد قصدير؛ أكسيد زنك؛ أو ما شابه ذلك). وفي بعض الحالات التمثيلية المعينة» يمكن أن تشتمل المادة المغلفة للإلكترود الأمامي متعددة الطبقات على مجموعة من طبقات ‎TCO‏ و/ أو مجموعة من الطبقات المعدنية العاكسة للأشعة ‎IR‏ الموصلة بشكل أساسي؛ مرتبة بطريقة تبادلية من أجل العمل على تقليل انعكاسات الضوء المرئي؛ وزيادة الموصلية؛ وزيادة القدرة على عكس الأشعة ‎IR‏ وهلم جرا. ‎89.١‏
وفي بعض النماذج التمثيلية لهذا ‎cp pall‏ يمكن تصميم مادة مغلفة متعددة الطبقات لالكترود أمامي من أجل تحقيق واحدة أو أكثر من الخصائص المميزة الآتية: (أ) مقاومة لوحية ‎(Rs)‏ ‏منخفضة ومن ثم زيادة الموصلية وتحسين قدرة الخرج الإجمالية لوحدة فُلطائية ضوئية نمطية؛ (ب) زيادة انعكاس الأشعة تحت الحمراء ‎(IR)‏ وبالتالي تقليل درجة حرارة تشغيل الوحدة الفلطائية © الضوئية النمطية من أجل زيادة قدرة الخرج للوحدة النمطية؛ (ج) تقليل انعكاس و زيادة انتقال الضوء في المنطقة (المناطق) التي تتراوح من حوالي +49 - 700 نانو مترء و/ أو 456- ‎Tov‏ ‏نانومتر؛ وهذا يؤدي إلى زيادة قدرة الخرج للوحدة الفلطائية الضوئية النمطية؛ (د) تقليل السمك الإجمالي لمادة تغليف الإلكترود الأمامي مما يمكن من تقليل تكاليف و/ أو زمن التصنيع؛ و/ أو (ه) تحسين أو توسيع نافذة المعالجة عند تشكيل طبقة (طبقات) ال ‎TCO‏ وذلك بسبب انخفاض ‎٠‏ تأثير موصلية طبقات ال ‎TCO‏ على الخواص الكهربية الإجمالية للوحدة النمطية بمعلومية وجود طبقة (طبقات) معدنية بشكل أساسي عاكسة للأشعة تحت الحمراء ‎IR‏ وموصلة إلى حدٍ ‎aS‏ ‏وفي بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع؛ تم تقديم جهاز ‎SE‏ ضوئي يشتمل على: ركيزة زجاجية أمامية؛ غشاء من أشباه الموصلات؛ إلكترود أمامي منفذ إلى حدٍ كبير يتواجد بين الركيزة الزجاجية الأمامية وغشاء شبه الموصل على الأقل ؛ حيث يشتمل الإلكترود الأمامي المنفذ إلى ‎an‏ ‎١‏ كبيرء عند التحرك بعيداً عن الركيزة الزجاجية الأمامية باتجاه غشاء شبه الموصل؛ على طبقة منفذة : إلى حدٍ كبير واحدة على الأقل حيث يمكن أن تكون موصلة أو غير موصلة؛ طبقة معدنية بشكل أساسي عاكسة للأشعة تحت الحمراء ‎(IR)‏ تشتمل على الفضة و/ أو الذهب؛ وغشاء (طبقة رقيقة) أول من أكسيد موصل ‎(TCO) Mie‏ يوضع على الأقل بين الطبقة العاكسة للأشعة تحت الحمراء ‎IR‏ وغشاء شبه الموصل.
وفي نماذج تمثيلية أخرى لهذا الاختراع؛ تم تقديم الكترود مهياً للاستخدام في جهاز الكتروني ‎Jie‏ ‏جهاز فلطائي ضوئي يشتمل على غشاء مصنع من أشباه الموصلات؛ حيث يكون الإلكترود عبارة عن: إلكترود متعدد الطبقات موصل للكهرباء ومنفذ إلى حدٍ كبير مدعم بواسطة ركيزة زجاجية؛ حيث يشتمل الالكترود متعدد الطبقات المنفذ إلى ‎aa‏ كبير؛ عند التحرك بعيداً عن الركيزة الزجاجية؛ ‎٠‏ على طبقة معدنية بشكل أساسي واحدة على الأقل عاكسة للأشعة تحت الحمراء ‎(IR)‏ وموصلة ومنفذة إلى حد كبير تشتمل على الفضة و أو ‎[Wt Al)‏ وغشا ع أول من أكسيد موصل منفذ ‎(TCO)‏ ‏وفي نماذج تمثيلية أخرى؛ تم تقديم جهاز فلطائي ضوئي يشتمل على: ركيزة زجاجية؛ غشاء من أشباه الموصلات؛ إلكترود منفذ إلى حدٍ كبير يتواجد على الأقل بين الركيزة والغشاء المصنع من ‎٠‏ أشباه الموصلات؛ وحيث يشتمل الالكترود المنفذ إلى ‎aa‏ كبير» عند التحرك بعيداً عن الركيزة الزجاجية باتجاه غشاء شبه الموصل؛ على طبقة معدنية بشكل أساسي موصلة ومنفذة إلى حدٍ كبير تشتمل على الفضة؛ وغشاء أول من أكسيد موصل منفذ ‎(TCO)‏ يتواجد على الأقل بين الطبقة المشتملة على الفضة وغشا ءِ شبه الموصل . شرح مختصر للرسومات ‎١‏ شكل ‎:١‏ عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز ‎Sb‏ ضوئي تمثيلي وفقاً لنموذج تمثيلي لهذا الاختراع.
A
‏مقابل الطول الموجي (نانو متر)؛ حيث‎ (n) ‏عن منحنى يوضح معامل الانكسار‎ ple :7 ‏شكل‎ ‏غشاء رقيق من الفضة؛ وسيليكون مهدرج‎ (TCO ‏يوضح معاملات الانكسار («) للزجاج؛ وغشاء‎ ‏(في طور غير متبلرء أو دقيق البلورات أو عديد البلورات).‎ ‏شكل ؟: عبارة عن منحنى يوضح النسبة المئوية للنفاذية (77) مقابل الطول الموجي (نانو متر)؛‎ ‏ضوئي‎ lh ‏حيث يوضح أطياف النفاذية في غشاء رقيق من السيليكون :8 المهدرج لجهاز‎ ٠ ‏مرجعي)؛ وهذا يُظهر أن أمثلة هذا الاختراع‎ TCO) ‏لمقارنة أمثلة هذا الاختراع بمثال مقارن‎ ‏متر تقريباً‎ sili 700 -48 ٠ ‏7و 2) قد زادت من النفاذية في مدى الطول الموجي‎ ٠ ‏(الأمثلة‎ ‏وبالتالي قد ساعدت على زيادة قدرة الخرج للوحدة القّلطائية الضوئية النمطية؛ مقارنة بالمثال المقارن‎ ‏المرجعي).‎ TCO) ‏مقابل الطول الموجي (نانو‎ (TR) ‏عن منحنى يوضح النسبة المئوية للانعكاس‎ ple :4 ‏شكل‎ ٠ ‏المهدرج لجهاز‎ Si ‏متر)؛ حيث يوضح أطياف الانعكاس من على غشاء رقيق من السيليكون‎ (F ‏في شكل‎ le) ‏ء و ؟ المشار‎ ١٠ ‏قلطائي ضوئي من أجل مقارنة أمثلة هذا الاختراع (الأمثلة‎ ‏المرجعي المشار إليه في شكل 7)؛ وهذا يُظهر أن النموذج التمثيلي لهذا‎ TCO) ‏مقابل مثال مقارن‎ ‏وهذا أدى إلى تقليل حرارة تشغيل‎ (IR ‏الاختراع قد زاد من الانعكاس في مدى الأشعة تحت الحمراء‎
Jl ‏الوحدة الفلطائية الضوئية النمطية من أجل زيادة قدرة الخرج للوحدة النمطية؛ مقارنة‎ ve ‏المرجعي) في‎ TCO) ‏؟ والمثال المقارن‎ -١ ‏المقارن. وحيث أنه قد تمت الإشارة إلى نفس الأمثلة‎ ‏قد تم استخدام نفس الرموز والأرقام المرجعية الدالة على الأجزاء في كل من‎ ald of ‏الشكلين ؟ و‎ .4 ‏الشكلين “ و‎
شكل ©: عبارة عن منظر لمقطع عرضي للجهاز ‎SUE‏ الضوئي وفقاً للمثال رقم ‎١‏ لهذا الاختراع. شكل 11 عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز فُلطائي ضوئي وفقاً للمثال رقم ؟ لهذا الاختراع. : شكل 7: ‎Ble‏ عن منظر لمقطع عرضي لجهاز فلطائي ضوئي وفقاً للمثال رقم © لهذا الاختراع. ‎٠‏ شكل ‎Ble tA‏ عن منظر لمقطع عرضي لجهاز فُلطائي ضوئي وفقاً لنموذج تمثيلي آخر لهذا الاختراع. شكل 4: عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز فلطائي ضوئي وفقاً لنموذج تمثيلي ‎AT‏ لهذا ا لاختراع . شكل ‎:٠١‏ عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز ‎Shab‏ ضوئي وفقاً لنموذج تمثيلي آخر لهذا ‎٠‏ الاختراع. شكل ‎:١١‏ عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز ‎Sab‏ ضوئي وفقاً لنموذج تمثيلي آخر لهذا الاختراع. بالإشارة الآن بشكل أكثر تحديداً للأشكال التي تشير فيها الأرقام المرجعية المتشابهة إلى أجزاء/ ‎١‏ طبقات متشابهة في المناظر المتعددة. تقوم الأجهزة القلطائية الضوئية ‎WAY Jie‏ الشمسية بتحويل الإشعاع الشمسي إلى طاقة كهربية يمكن استخدامها. ونمطياً فإن تحويل الطاقة يحدث نتيجة للتأثير ‎UB‏ الضوئي. حيث يقوم
0"
الإشعاع الشمسي (مثل؛ ضوء الشمس) الذي يسقط على جهاز ‎Sh‏ ضوئي ويُمتص بواسطة
منطقة فعالة من مادة مصنعة من أشباه الموصلات (مثل؛ غشاء من أشباه الموصلات يشتمل على
واحدة أو أكثر من الطبقات المصنعة من أشباه الموصلات مثل طبقات مصنعة من السيليكون ‎Si‏ ‏وأحياناً يطلق على الطبقة المصنعة من أشباه الموصلات اسم الطبقة الماصة أو الغشاء الماص)؛
‎٠‏ بتوليد زوج عبارة عن إلكترون وثقب في المنطقة الفعالة. ويمكن فصل الالكترونات والثقوب بواسطة مجال كهربي لوصلة في الجهاز الفلطائي الضوئي. ويؤدي فصل اللالكترونات والثقوب بواسطة الوصلة إلى توليد تيار كهربي وجهد كهربي. وفي بعض النماذج التمثيلية؛ تتدفق الالكترونات
‏ض باتجاه المنطقة من ‎sald)‏ شبه الموصلة التي لها موصلية من النوع - ‎en‏ وتتدفق الثقوب باتجاه المنطقة من المادة شبه الموصلة التي لها موصلية من ‎pm gsi‏ ويمكن أن يتدفق التيار خلال
‎٠‏ دائرة خارجية تصل المنطقة من النوع -« بالمنطقة من النوع ‎pm‏ بينما يستمر الضوء في توليد
‏أزواج اللالكترونات والثقوب في الجهاز القلطائي الضوئي.
‏وفي بعض النماذج ‎Ail‏ تشتمل الأجهزة الفلطائية الضوئية المصنعة من سيليكون غير ‎Jie‏ ‏أحادي الوصلة (وصلة ‎Si‏ واحدة) على ثلاث طبقات من أشباه الموصلات. ‎dandy‏ طبقة من
‏ْ النوع - (ء؛ طبقة من النوع - ‎en‏ وطبقة من النوع - : وهي طبقة أصلية. ويمكن أن يكون غشاء ‎٠‏ _السيليكون غير المتبلر (الذي يمكن أن يشتمل على طبقة واحدة أو أكثر ‎Jie‏ طبقات من النوع - (» «» و ‎Ble (i‏ عن سيليكون غير متبلر مهدرج في بعض الحالات؛ ولكنه يمكن أيضاً أن يكون
‏أو يمكن أن يشتمل على كربون سيليكا غير متبلر مهدرج أو جيرمانيوم سيكلون غير متبلر مهدرج؛
‏أو ما شابه ذلك؛ وذلك في بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع. وعلى سبيل المثال لا الحصرء عندما يمتص فوتون ضوئي في الطبقة - 1 فإنه يؤدي إلى زيادة وحدة التيار الكهربي (زوج مكون
"١
من إلكترون وثقب). وتعمل الطبقتان - ‎p‏ و «» اللتان تحتويان على أيونات الإشابة المشحونة؛ على إنشاء مجال كهربي عبر الطبقة - 1 حيث يسحب الشحنة الكهربية إلى خارج الطبقة ‎P=‏ ‏ويرسلها إلى دائرة خارجية اختيارية حيث يمكن أن توفر القدرة للمكونات الكهربية. وتجدر الإشارة
إلى أنه في حين أن بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع قد تم توجيهها تجاه أجهزة فُلطائية ضوئية
أساسها سيلكون غير متبلر إلا أن هذا الاختراع لا يقتصر عليها ويمكن استخدامه مع أنواع أخرى من الأجهزة الفُلطائية الضوئية وفي بعض الحالات التي تشمل على سبيل المثال لا الحصر الأجهزة التي تشتمل على أنواع أخرى من المواد شبه الموصلة؛ الخلايا الشمسية المزودة بغشاء رقيق أحادي أو مزدوج؛ والأجهزة القلطائية الضوئية ‎CdS‏ 5[ أو ‎CdTe‏ (وتشمل ‎((CdS/CdTe‏ ‏والأجهزة الفلطائية الضوئية عديدة السيليكون و/ أو المصنعة من :5 دقيق البلورات؛ وما شابه ذلك.
‎٠‏ شكل ‎١‏ عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز فلطائي ضوئي وفقاً لنموذج تمثيلي لهذا الاختراع. ويشتمل الجهاز الفلطائي الضوئي على ركيزة زجاجية أمامية منفذة ‎)١(‏ (ويمكن ‎Lad‏ استخدام مادة مناسبة أخرى لتصنيع الركيزة بدلاً من الزجاج في بعض الحالات)؛ وطبقة (طبقات) عازلة اختيارية (7)؛ وإلكترود أمامي متعدد الطبقات ‎oT)‏ وغشاء شبه موصل نشط )0( مصنع من أو يشتمل على واحدة أو أكثر من طبقات أشباه الموصلات ‎Jie)‏ رصات طبقية ترادفية ‎pinpin «pn «pin Jie‏
‎١‏ ء أو ما شابه ذلك)؛ والكترود/ ملامس خلفي (7) حيث يمكن أن يكون مصنوعاً من 700 أو معدن؛ ومادة كبسلة اختيارية )3( أو لاصق من مادة مثل أسيتات إيثيل فينيل ‎(BVA)‏ أو ما شابه ذلك وطبقة فوقية اختيارية ‎)١١(‏ من مادة ‎Jie‏ الزجاج. وبطبيعة الحال؛ يمكن إضافة طبقة (طبقات) أخرى؛ لم يتم توضيحها؛ في الجهاز. ويمكن تصنيع الركيزة الزجاجية الأمامية ‎)١(‏ و/ أو الطبقة الفوقية (الركيزة) الخلفية ‎(VY)‏ من زجاج أساسه الصودا - الجير (أكسيد الكالسيوم) - عنم
‘ ١ ‏السيليكاء وذلك في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ ويمكن أن تحتوي على محتوى قليل من‎ ‏الحديد و/ أو طبقة مغلفة مضادة للانعكاس توضع عليها من أجل تحسين النفاذية بشكل مثالي في‎ ‏من الزجاج في بعض‎ )١١ ؛٠( ‏بعض الحالات التمثيلية. وفي حين أنه يمكن تصنيع الركيزتين‎ ‏النماذج التمثيلية لهذا الاختراع؛ فإنه يمكن استخدام مواد أخرى مثل الكوارتز؛ أو البلاستيك؛ أو ما‎ ‏بدلاً من الزجاج. وعلاوة على هذاء فإن‎ )١١( ‏و/ أو‎ )١( ‏شابه ذلك لتصنيع الركيزة (الركيزتين)‎ 5 (OV) ‏و/ أو‎ )١( ‏تكون اختيارية في بعض الحالات. ويمكن أن يكون الزجاج‎ )١١( ‏الطبقة الفوقية‎ ‏حرارياً و/ أو مشكل بنمط معين حرارياً؛ وذلك في بعض النماذج التمثلية لهذا‎ be ‏أو لا يكون؛‎ ‏الاختراع. وعلاوة على هذاء يجب إدراك أن كلمة "على" كما هي مستخدمة في هذا الطلب تغطي‎ ‏من طبقة تكون موضوعة بشكل مباشر أو غير مباشر على جسم ماء بينما يمكن أن تتواجد‎ JS
‎٠‏ طبقات أخرى فيما بينها وبين الجسم.
‏ويمكن أن تكون الطبقة (الطبقات) العازلة (؟) من أية مادة منفذة إلى حدٍ كبير ‎Jia‏ أكسيد معدن و أو نيتريد معدن» حيث يمكن أن يكون لها معامل انكسار يتراوح من حوالي ‎٠,9‏ إلى ‎Yo‏ ‏والأفضل من حوالي ‎٠,3‏ إلى ‎(Yio‏ والأفضل من حوالي ‎٠,6‏ إلى ‎VY‏ والأفضل من حوالي ‎٠,6‏ ‏إلى ؛ والأكثر تفضيلاً من حوالي 7 إلى ‎A‏ ومع ذلك؛ في بعض الحالات؛ يمكن أن يكون ‎ve‏ للطبقة العازلة ‎(Y)‏ معامل انكسار («) يتراوح من حوالي 7,7 إلى ‎Yo‏ وتشتمل أمثلة المواد التي تصنع منها الطبقة العازلة )1( على أكسيد السيليكون؛ نيتريد السيليكون» أوكسي نيتريد السيليكون؛ أكسيد الزنك؛ أكسيد القصدير؛ أكسيد التيتانيوم (مثل؛ ‎(TIO;‏ أوكسي نيتريد الألومينيوم؛ أكسيد الألومينيوم؛ أو خلائط مما سبق. وتعمل الطبقة (الطبقات) العازلة (7) كطبقة واقية في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع» من أجل منع المواد ‎Jie‏ الصوديوم من الانتقال ‎all‏ من الركيزة
VY
الزجاجية ‎(V)‏ والوصول إلى الطبقة (الطبقات) العاكسة للأشعة 18 و/ أو شبه الموصل. وعلاوة على ‎da‏ فإن الطبقة العازلة (؟) تكون عبارة عن مادة ذات معامل انكسار («) في المدى الموضح أعلاه؛ وذلك من أجل تقليل انعكاس الضوء المرئي وبالتالي زيادة نفاذية الضوء المرئي (مثل؛ الضوء الذي له طول موجي يتراوح من حوالي 86؛- ‎Yer‏ نانو متر و/ أو 456- ‎Tov‏ ‎٠‏ نانو متر) خلال الطبقة المغلّفة وإلى شبه الموصل (*) مما يؤدي إلى زيادة قدرة الخرج للوحدة ‏الفلطائية الضوئية النمطية. ‏وباستمرار الإشارة إلى شكل ١؛‏ فإن الإلكترود الأمامي متعدد الطبقات )7( في النموذج التمثيلي المبين في شكل ‎١‏ حيث تم تقديمه لأغراض التمثيل فقط وليس لأغراض الحصر والتقييد؛ يشتمل؛ ‏بدءاً من الركيزة الزجاجية ‎)١(‏ وعند الاتجاه للخارج؛ على طبقة أكسيد موصلة منفذة ‎(TCO)‏ أو ‎٠‏ طبقة عازلة أولى (؟أ)؛ طبقة أولى معدنية بشكل أساسي عاكسة للأشعة تحت الحمراء ‎TR‏ وموصلة (”ب)؛ طبقة ‎TCO‏ ثانية (؟ج)؛ طبقة ثانية معدنية بشكل أساسي عاكسة للأشعة ‎IR‏ ومنفذة ‎(a7)‏ ‏طبقة ‎TCO‏ ثالثة ‎(aT)‏ وطبقة واقية اختيارية (؟و). واختيارياً» يمكن أن تكون الطبقة (؟أ) عبارة ‏عن طبقة عازلة بدلاً من طبقة ‎TCO‏ وذلك في بعض الحالات وتعمل كطبقة نواة للطبقة (؟ب). ‏وهذا الغشاء متعدد الطبقات )7( هو الذي يكوّن الالكترود الأمامي في بعض النماذج التمثلية لهذا ‎ve‏ الاختراع. وبطبيعة ‎(Jl‏ يمكن إزالة بعض طبقات الالكترود ‎(Y)‏ في بعض النماذج التمثيلية البديلة لهذا الاختراع (مثلاً. يمكن إزالة واحدة أو أكثر من الطبقات ؟أء و/ أو اج و/ أو اد و/ أو كه ‎٠‏ كما يمكن أيضاً توفير طبقات إضافية في الالكترود متعدد الطبقات (7) ‎٠‏ ويمكن أن يكون الالكترود الأمامي (©) ممتداً بشكل متصل عبر الركيزة الزجاجية ‎)١(‏ بأكملها أو جزء كبير منهاء ‏أو بدلاً من ذلك يمكن تشكيله بنمط معين ليكون له تصميم مرغوب فيه (مثل؛ شرائح)؛ وذلك في ا
VE
‏؟) منفذة إلى حدٍ كبير‎ -١( ‏نماذج تمثيلية مختلفة لهذا الاختراع. وتكون كل من الطبقات/ الأغشية‎ ‏في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع.‎
IR ‏ويمكن أن يتم تصنيع كل من الطبقتين المعدنيتين بشكل أساسي والعاكستين للأشعة‎ ‏أو يمكن أن تشتملان على أية مادة مناسبة عاكسة للأشعة‎ af ‏والموصلتين الأولى والثانية "ب و‎ ‏وهذا‎ IR ‏مثل الفضة؛ الذهب؛ أو ما شابه ذلك. وهذه المواد تعكس كميات كبيرة من الأشعة‎ 18 ٠ ‏التي تصل إلى غشاء شبه الموصل (*). وحيث أن 18 تزيد من حرارة‎ IR ‏يؤدي إلى خفض كمية‎ ‏فإن تقليل كمية الأشعة 18 التي تصل إلى غشاء شبه الموصل © يكون مفيداً من حيث‎ Sled ‏الضوئية النمطية مما يؤدي إلى زيادة قدرة الخرج‎ AU ‏من درجة حرارة تشغيل الوحدة‎ J ‏أنه‎ ‏للوحدة الفلطائية الضوئية النمطية. وعلاوة على هذاء فإن الطبيعة عالية الموصلية لمثل هذه‎ ‏الطبقات المعدنية بشكل أساسي (ب) و/ أو )2%( تمكن من زيادة موصلة الالكترود الإجمالي‎ ٠ ‏وفي بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ يكون للالكترود متعدد الطبقات )1( مقاومة لوحية‎ ٠ (0) ‏أوم/ مربع؛ والأفضل أقل من أو تساوي حوالي 4 أوم/ مربع؛‎ ١١ ‏أقل من أو تساوي حوالي‎ ‏والأفضل من ذلك أقل من أو تساوي حوالي 3 أوم/ مربع. ومرة ثانية؛ فإن زيادة الموصلية (وهذا‎ ‏يعني أيضاً تقليل المقاومة اللوحية) تؤدي إلى زيادة قدرة الخرج الإجمالية للوحدة الفلطائية الضوئية‎ ‏النمطية؛ وذلك عن طريق تقليل الفقودات بسبب المقاومة في الاتجاه الجانبي الذي يراد فيه التحكم‎ ١١ ‏التيار عند حافة قطع الخلية. وتجدر الإشارة إلى أن الطبقتين الأولى والثانية المعدنيتين بشكل‎ )3 ‏أساسي العاكستين للأشعة 18 والموصلتين (”ب) و )37( (وكذلك الطبقات الأخرى للالكترود‎ ‏تكون رقيقة بدرجة كافية بحيث تكون منفذة بدرجة كبيرة للضوء المرئي. وفي بعض النماذج التمثلية‎ ‏لهذا الاختراع؛ يتراوح سمك كل من الطبقتين الأولى والثانية المعدنيتين بشكل أساسي العاكستين‎ ‏عنم‎
للأشعة ‎IR‏ والموصلتين ‎(2F)‏ و )7( من حوالي ؟ إلى ‎١١‏ نانو متر؛ والأفضل من حوالي ه إلى ‎٠١‏ نانو مترء والأكثر تفضيلاً من حوالي © إلى ‎A‏ نانو متر. وفي النماذج التي لا يتم فيها استخدام واحدة من الطبقتين "ب أو ‎oY‏ فإن سمك الطبقة المتبقية المعدنية بشكل أساسي العاكسة للأشعة ‎IR‏ والموصلة يمكن أن يتراوح من حوالي 7 إلى ‎١8‏ نانو مترء والأفضل من حوالي © إلى ‎١١‏ نانو مترء والأكثر تفضيلاً من حوالي ‎١‏ إلى ‎١١‏ نانو متر وذلك في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع. وهذه الأسماك (جمع ‎(els‏ تكون مرغوبة من حيث أنها تسمح للطبقتين "ب و/ أو “د بعكس كمية كبيرة من الأشعة ‎IR‏ بينما في الوقت نفسه تكون منفذة إلى حدٍ كبير للإشعاع المرئي الذي يسمح له بالوصول إلى شبه الموصل © لكي يقوم الجهاز ‎SUB‏ الضوئي بتحويله إلى طاقة كهربية. وتسهم الطبقتين )7( و (؟د) العاكستين للأشعة ‎TR‏ وعاليتي الموصلية في ‎٠‏ الموصلية الإجمالية للالكترود (3) بدرجة أكبر كثيراً من طبقات 100؛ وهذا يسمح بتوسيع نافذة (نوافذ) المعالجة لطبقة (طبقات) ‎TCO‏ التي تتمتع بمساحة نافذة محدودة لتحقيق كل من الموصلية والنفاذية المرتفعة. ويمكن أن تكون طبقات ‎TCO‏ الأولى؛ والثانية؛ والثالثةء ‎Jv‏ "جء ‎cal‏ على الترتيب؛ من أية ‎sale‏ ‎TCO‏ مناسبة بما في ذلك على سبيل المثال لا الحصرء؛ الصور الموصلة من أكسيد الزنك؛ أكسيد ‎١٠‏ زنك — ألومينيوم ‎٠‏ أكسيد القصدير؛ أكسيد إنديوم- قصدير؛ أكسيد إنديوم - زنك (حيث يمكن معالجتها بالإشابه بالفضة)؛ أو ما شابه ذلك. وهذه الطبقات تكون نمطياً ذات كميات فرعية متكافئة وذلك لجعلها موصلة وفقاً لما هو معروف في المجال. على سبيل المثال؛ يتم تصنيع هذه الطبقات من مادة (مواد) تكسبها مقاومة لا تزيد عن حوالي ‎٠١‏ أوم - سم ‎ls)‏ لأفضل 2 تزيد عن حوالي ‎١‏ ‏أوم - سم؛ والأكثر تفضيلاً إلا تزيد عن حوالي ‎٠١‏ أوم - سم). ويمكن معالجة واحدة أو أكثر من ا
V1
هذه الطبقات بالإشابة بمواد أخرى ‎Jie‏ الفلور؛ الألومينيوم؛ الأنتيمون؛ أو ما شابه ‎ely‏ وذلك في بعض الحالات التمثيلية؛ طالما أنها تظل موصلة ومنفذة بدرجة كبيرة للضوء المرئي. وفي بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ تكون طبقتا ‎TCO‏ (7ج) و/ أو "ه أكثر سمكاً من الطبقة ‎(IY)‏ ‎ie)‏ أكثر ‎Caw‏ بحوالي © نانو متر على الأقل؛ والأفضل حوالي ‎٠١‏ على الأقل؛ والأكثر
© تفضيلاً حوالي ‎Ye‏ أو 70 نانو متر على الأقل). وفي بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع» يتراوح سمك طبقة ‎(IF) TCO‏ من حوالي 7 إلى ‎Ae‏ نانو مترء والأفضل من حوالي ‎٠١‏ نانو مترء حيث يكون لها سمك تمثيلي يبلغ حوالي ‎٠١‏ نانو متر. ويتم توفير الطبقة الاختيارية (؟أ) بشكل أساسي كطبقة نواة للطبقة ‎(oF)‏ و/ أو للأغراض المضادة للانعكاس؛ ولا تمثل موصليتها أهمية مثل موصلية الطبقات ‎AT - OF‏ (ولهذاء فإن الطبقة ؟أ يمكن أن تكون عازلة بدلاً من أن تكون طبقة
‎0٠‏ 100 في بعض النماذج التمثيلية). وفي بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ يتراوح سمك طبقة ‎TCO‏ (7ج) من حوالي ‎٠‏ إلى حوالي ‎١٠5١‏ نانومتر؛ والأفضل من حوالي ‎Ee‏ إلى ‎١٠١‏ نانو ‎«Je‏ حيث يكون لها سمك تمثيلي حوالي ‎VO - VE‏ نانو متر. وفي بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ يكون لطبقة ‎(aT) TCO‏ سمك يتراوح من حوالي ‎7١0‏ إلى ‎١8١‏ نانو مترء والأفضل من حوالي ‎٠‏ إلى ‎٠‏ نانو مترء حيث يكون لها سمك تمثيلي حوالي 44 أو ‎١١١‏ نانو متر. وفي
‎No‏ بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع» يكون لجزء من الطبقة (؟ ه) سمك؛ ‎Sle‏ يتراوح من حوالي ‎gli Yo -١‏ متر أو ‎YO m0‏ نانو ‎«fie‏ وذلك عن الوصلة بين الطبقتين ‎(aT)‏ و )0( وقد يتم استبداله بغشاء منخفض الموصلية ذي معامل انكسار ‎(n)‏ كبير )57( مثل أكسيد تيتانيوم من أجل تعزيز نفاذية الضوء وكذلك تقليل انتشار حاملات الشحنة الكهربية المتولدة للخلف؛ وبهذه الطريقة
‏يمكن تحسين الأداء بشكل أفضل.
‎Yaya
0
وفي بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ يمكن تصنيع الجهاز ‎SUR‏ الضوئي عن طريق توفير ركيزة زجاجية (١)؛‏ ثم ترسيب ‎Sli)‏ عن طريق الرشرشة أو أي سلوب آخر مناسب) الالكترود متعدد الطبقات (3) على الركيزة (1). وبعد ذلك يتم إقران البنية المشتملة على الركيزة )1( والالكترود الأمامي (3) مع بقية الجهاز من أجل تكوين الجهاز ‎SUA‏ الضوئي المبين في شكل ‎.١ ١‏ على سبيل المثال؛ يمكن بعدئذٍ تكوين الطبقة شبه الموصلة )2( فوق الالكترود الأمامي على الركيزة ‎.١‏ وبدلاً من ذلك؛ يمكن تصنيع/ تشكيل الملامس الخلفي ‎(V)‏ وشبه الموصل )0( على الركيزة ‎١١‏ (مثلاًء من الزجاج أو أية مادة مناسبة أخرى) أولاً؛ ثم يتم تشكيل الالكترود (3) والطبقة
العازلة ‎(Y)‏ على شبه الموصل )0( وكبسلته بواسطة الركيزة ‎١‏ بواسطة ‎sale‏ لاصقة ‎EVA Jie‏ كما أن الطبيعة المختلفة لطبقات ‎fff TCO‏ و/ أو 7ج؛ و/ أو ؟ ‎aa‏ والطبقتين المعدنيتين بشكل ‎٠‏ أساسي العاكستين للأشعة ‎IR‏ والموصلتين ب و/ أو ‎oF‏ تفيد ‎Lad‏ في تحقيق واحدة؛ أو اثنتين؛ أو ثلاث؛ أو أربع؛ أو جميع الفوائد الآتية: (أ) مقاومة لوحية ‎(Ry)‏ منخفضة للالكترود الإجمالي ؟ ومن ثم زيادة الموصلية وتحسين قدرة الخرج الإجمالية لوحدة فلطائية ضوئية نمطية؛ (ب) زيادة انعكاس الأشعة تحت الحمراء ‎(IR)‏ بواسطة الالكترود © وبالتالي تقليل درجة حرارة تشغيل جزء شبه الموصل 0 للوحدة الفلطائية الضوئية النمطية من أجل زيادة قدرة الخرج للوحدة النمطية؛ (ج) تقليل ‎٠‏ انعكاس و/ أو زيادة انتقال الضوء في المنطقة المرئية التي تتراوح من £00 - 700 نانو متر (و/ أو ‎-+٠‏ 100 نانومتر) بواسطة الالكترود الأمامي © وهذا يؤدي إلى زيادة قدرة الخرج للوحدة القلطائية الضوئية النمطية؛ (د) تقليل السمك الإجمالي لمادة تغليف الإلكترود الأمامي © مما يمكن من تقليل تكاليف و/ أو زمن التصنيع؛ و/ أو (ه) تحسين أو توسيع نافذة المعالجة عند تشكيل طبقة (طبقات) اذ ‎TCO‏ وذلك بسبب انخفاض تأثير موصلية طبقات ال ‎TCO‏ على الخواص
ا الكهربية الإجمالية للوحدة النمطية بمعلومية وجود طبقة (طبقات) معدنية بشكل أساسي موصلة إلى حدٍ كبير. ويمكن أن تشتمل منطقة شبه الموصل النشطة أو الغشاء شبه الموصل النشط (5) على طبقة واحدة أو أكثر؛ ويمكن أن تكون من أية مادة مناسبة. على سبيل المثال؛ يشتمل غشاء شبه 0 الموصل النشط )0( لأحد أنواع الأجهزة الفلطائية الضوئية المزودة بسيليكون غير متبلر ذي وصلة أحادية (5-ه)؛ على ثلاث طبقات من أشباه الموصلات؛ وتحديداً هي طبقة - ‎op‏ طبقة — ‎on‏ طبقة - 1. ويمكن أن تشكل طبقة ‎a-Si‏ من النوع - م لغشاء شبه الموصل )0( الجزء الأعلى من غشاء شبه الموصل (9) في بعض النماذج ‎hall‏ لهذا الاختراع؛ ونمطياً تتواجد الطبقة - 1 بين الطبقتين النوعين م و ‎on‏ ويمكن أن تكون هذه الطبقات التي أساسها سيليكون غير متبلر للغشاء ‎٠‏ (*) مصنعة من سيليكون غير متبلر مهدرج في بعض الحالات؛ ولكن يمكن أن تصنع أيضاً أو يمكن أن تشتمل على كربون سيليكون غير متبلر مهدرج أو جيرمانيوم سيليكون غير متبلر مهدرج؛ أو سيليكون دقيق البلورات مهدرج؛ أو مادة (مواد) مناسبة أخرى في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع. ويمكن أن تكون المنطقة النشطة ذات وصلة مزدوجة أو من النوع ثلاثي الوصلات؛ وذلك في نماذج بديلة لهذا الاختراع. كما يمكن استخدام 0078 لتصنيع غشاء شبه الموصل )2( ‎ve‏ وذلك في نماذج بديلة لهذا الاختراع. ويمكن تصنيع الملامس و/ أو العاكس؛ و/ أو الالكترود الخلفي ‎١‏ من أية مادة مناسبة موصلة للكهرباء. على سبيل المثال لا الحصرء يمكن تصنيع الملامس أو الإلكترود الخلفي ‎(V)‏ من ‎TCO‏ ‏و/ أو من معدن في بعض الحالات. وتشتمل أمثلة مواد 100 المناسبة للاستخدام كملامس أو إلكترود خلفي ‎(V)‏ على أكسيد إنديوم = زنك؛ أكسيد إنديوم - قصدير ‎(ITO)‏ أكسيد قصدير؛ و/ نب
أو أكسيد زنك حيث يمكن إشابته بالألومينيوم (حيث يمكن أن تتم إشابته أو لا تتم إشابته بالفضة).
ويمكن أن يكون الملامس الخلفي ‎(V)‏ من النوع أحادي الطبقة أو من نوع متعدد الطبقات في
حالات مختلفة. وعلاوة على هذا؛ يمكن أن يشتمل الملامس الخلفي ‎(V)‏ على ‎JS‏ من جزء ‎TCO‏
وجزء معدني في بعض الحالات. على سبيل المثال؛ في مثال لنموذج متعدد الطبقات؛ يمكن أن
‎٠‏ يشتمل جزء ‎TCO‏ للملامس الخلفي ‎(V)‏ على طبقة من مادة مثل أكسيد إنديوم - زنك (حيث تكون
‏مُشابَّة أو غير مُشابة بالفضة)؛ أكسدي إنديوم - قصدير ‎(ITO)‏ أكسيد قصدير؛ و/ أو أكسيد
‏زنك؛ أقرب ما يكون من المنطقة النشطة )0( ويمكن أن يشتمل الملامس الخلفي على طبقة
‏موصلة أخرى ومن الممكن أن تكون عاكسة من مادة مثل ‎mill‏ الموليبدنيوم؛ البلاتينيوم؛
‏الصلب؛ الحديد؛ النيوبيوم؛ التيتانيوم؛ ‎cag SIH‏ البيزموث؛ الأنتيمون؛ أو الألومينيوم؛ أبعد ما يكون
‎٠‏ عن المنطقة النشطة )0( وأقرب إلى الطبقة الفوقية ‎.)١١(‏ ويمكن أن يكون الجزء المعدني أقرب إلى الطبقة الفوقية ‎)١١(‏ مقارنة بالجزء ‎TCO‏ للملامس الخلفي (7).
‏ويمكن كبسلة الوحدة الفلطائية الضوئية النمطية أو تغطيتها جزئياً بمادة كبسلة مثل مادة الكبسلة
‏(9) في بعض النماذج التمثلية. وتتمثل ‎sale‏ كبسلة تمثيلية أو ‎sale‏ لاصقة للطبقة (9) في ‎EVA‏
‏أو 8. ومع ذلك؛ يمكن استخدام مواد أخرى مثل بلاستيك من نوع «16018؛ بلاستيك من نوع
‎Nuvasil ٠‏ بلاستيك من نوع ‎Tefzel‏ أو ما ‎als‏ ذلك للطبقة (9) في الحالات المختلفة.
‏ويسمح استخدام الطبقتين المعدنيتين بشكل أساسي والعاكستين للأشعة 18 والموصلتين بدرجة كبيرة
‏"ب و ‎oF‏ وطبقات ‎TCO‏ ؟أ؛ ‎oz‏ و ‎a‏ لتكوين إلكترود أمامي متعدد الطبقات ‎oT)‏ بتحسين
‏أداء الجهاز القلطائي الضوئي المشتمل على غشاء رقيق وذلك عن طريق خفض المقاومة اللوحية
‏(وزيادة الموصلية) وأطياف الانعكاس والنفاذ للضوء المخططة حسب الحاجة التي تناسب أفضل
: استجابة للجهاز ‎SURE‏ الضوئي. ولقد تم توضيح معاملات الانكسار للزجاج )5 ‎a-Si‏ المهدرج كمثال لشبه الموصل (*)؛ و ‎Ag‏ كمثال للطبقتين "ب و 0 ومثال لأكسيد ‎TCO‏ في شكل ‎XY‏ ‎Sli‏ على معاملات الانكسار ‎(n)‏ هذه؛ تم توضيح أطياف النفاذية المتوقعة للأشعة التي ترتطم بشبه الموصل )0( من سطح السقوط للركيزة (١)؛‏ في شكل 3. وتحديداً؛ فإن شكل 3 عبارة عن
0 متحنى يوضح النسبة المئوية للنفاذية (77) مقابل الطول الموجي (نانو متر)؛ حيث يوضح أطياف النفاذية إلى غشاء رقيق مكون من :5 المهدرج )0( لجهاز ‎Sb‏ ضوئي لمقارنة ‎-١ AR)‏ © الخاصة بهذا الاختراع (أنظر الأمثلة ‎-١‏ © في الأشكال ‎(V =o‏ مقابل مثال مقارن ‎TCO)‏ ‏مرجعي). ولقد تم تصنيع ‎TCO‏ المشار إليه كمرجع من ركيزة زجاجية ‎)١(‏ سمكها 3 ‎cae‏ وامتداداً للخارج بدءاً من الزجاج؛ نجد طبقة أكسيد قصدير سمكها © نانو مترء وطبقة أكسيد سيليكون
‎٠‏ سمكها ‎٠١‏ نانو مترء وطبقة ‎TCO‏ سمكها +79 نانو متر. وبالتالي فإن شكل 7 يظهر أن الأمثلة الخاصة بهذا الاختراع (الأمثلة ‎-١‏ ؟ المبينة في الأشكال ‎(V m0‏ قد زادت من النفاذية في مدى الأطوال الموجية من 496- 600 و 90؛- 100 نانو متر وهذا أدي إلى زيادة قدرة الخرج للوحدة
‏الفلطائية الضوئية النمطية؛ مقارنة بالمثال المقارن ‎TCO)‏ المرجعي).
‏ولقد تم تصنيع مثال ‎١‏ المبين في شكل 0 والموضح ‎Lily‏ في الأشكال ؟- 4 من ركيزة زجاجية
‎)١( ٠‏ سمكها ¥ مم؛ وطبقة عازلة )¥( من ‎TiO;‏ سمكها ‎١١‏ نانو ‎jie‏ « وطبقة ‎TCO‏ عبارة عن أكسيد زنك سمكها ‎٠١‏ نانو متر مُشابة ب اه (؟أ)؛ وطبقة ‎Ag‏ )1( عاكسة للأشعة 18 ‎A Sale‏ نانو ‎«jie‏ وطبقة ‎TCO‏ عبارة عن أكسيد زنك سمكها ‎١١١5‏ نانو متر مُشابة ب ‎(AT) Al‏ ولم تتواجد الطبقات ‎af af‏ و ؟ و في مثال ‎.١‏ وتم تصنيع المثال 7 المبين في شكل 1 والموضح بيانياً في الأشكال ‎=F‏ 4 من ركيزة زجاجية ‎)١(‏ سمكها © مم؛ وطبقة عازلة (7) من ‎TIO;‏ سمكها
‎١‏ نانو مترء وطبقة ‎TCO‏ عبارة عن أكسيد زنك سمكها ‎٠١‏ نانو متر ‎le‏ ب اه )7( وطبقة
‎Ag‏ )7( عاكسة للأشعة ‎IR‏ سسُمكها ‎A‏ نانو ‎«jie‏ وطبقة ‎TCO‏ عبارة عن أكسيد زنك سمكها
‎٠‏ نانو متر مُشابة ب له (7ه)؛ وطبقة )57( من شبه أكسيد تيتانيوم سمكها ‎Ye‏ نانو متر. وتم تصنيع المثال ؟ المبين في شكل ‎V‏ والموضح بيانياً في الأشكال = 4 من ركيزة زجاجية ‎)١(‏
‏0 سمكها ؟ ‎cpa‏ وطبقة عازلة ‎(Y)‏ سمكها £0 نانو ‎«jie‏ وطبقة ‎TCO‏ من أكسيد زنك سمكها ‎٠١‏ ‏نانو ‎jie‏ مُشابة ب ‎oF) Al‏ وطبقة ‎(OF) Ag‏ عاكسة للأشعة ‎IR‏ سمكها © نائنو ‎fie‏ ¢ وطبقة ‎TCO‏ من أكسيد زنك سمكها ‎Vo‏ نانو ‎jie‏ مشابة ب ‎AL‏ (7ج)؛ وطبقة ‎(oF) Ag‏ عاكسة للأشعة
‎IR‏ سمكها 7 نانو ‎fe‏ ¢ وطبقة (؟و) من شبه أكسيد تيتانيوم سمكها ‎٠١‏ نانو متر. وكان لطبقات التغليف هذه المحتوية على طبقة فضة أحادية أو طبقتي فضة المستخدمة في الأمثلة ‎ov‏
‎٠‏ مقاومة لوحية أقل من ‎fash ٠١‏ مربع و 3 أوم/ مربع؛ على الترتيب؛ وكان لها سمك إجمالي أقل كثيراً من السمك الذي يبلغ 40860 ‎pl‏ متر المستخدم في الفن السابق. وكان للأمثلة ‎-١‏ 3 أطياف نفاذية مخططة حسب الحاجة؛ كما هو مبين في شكل © ذات نفاذية تزيد من 780 إلى شبه الموصل (5) في جزء أو في كل مدى الطول الموجي الذي يتراوح من حوالي ‎mgr‏ 00 نانو متر و/ أو 5+6؛- ١56ل‏ نانو مترء حيث كان ل 241.5 أقوى شدة ويمكن أن يكون للأجهزة
‎ve‏ الفلطائية الضوئية أعلى أو ‎lef‏ كفاءة ‎ES‏ إلى حدٍ كبير.
‏وفي الوقت نفسه؛ فإن شكل 4 عبارة عن منحنى يبين النسبة المئوية للانعكاس ‎(TR)‏ مقابل الطول الموجي (نانو متر) حيث يوضح أطياف الانعكاس من على غشاء رقيق من ‎Si‏ المهدرج لجهاز فلطائي ضوئي لمقارنة بالأمثلة ‎-١‏ © بالمثال المقارن السابق ذكره؛ وهذا يوضح أن الأمثلة ‎-١‏ 3+ قد زادت من الانعكاس في مدى ال 18 مما يقلل من درجة حرارة تشغيل الوحدة الفلطائية الضوئية
A
النمطية مما يؤدي إلى زيادة خرج الوحدة النمطية؛ مقارنة بالمثال المقارن. وفي شكل 4؛ فإن انخفاض الانعكاس في المدى المرئي الذي يتراوح من ‎m0 hia‏ 100 نانو متر و/ أو 56؛- ‎sb ٠‏ متر (مدى الكفاءة المرتفعة للخلية) يقترن بشكل مفيد بزيادة الانعكاس في مدى ‎IR‏ ‏القريب والقصير الذي يزيد عن حوالي ‎٠‏ نانو متر؛ وتؤدي زيادة الانعكاس في مدى ‎IR‏ ‎٠‏ القريب والقصير إلى تقليل امتصاص الطاقة الحرارية الشمسية مما يؤدي إلى تحسين خرج الخلية وذلك بسبب انخفاض درجة حرارة الخلية والمقاومات الموصلة على التوالي في الوحدة. وكما هو مبين في شكل ‎cf‏ فإن ‎DIS‏ من الركيزة الزجاجية الأمامية )1( والالكترود الأمامي (3) مجتمعين يكون لهما درجة انعكاسية تبلغ حوالي 745 على الأقل (والأفضل حوالي 755 على الأقل) في جزء كبير إلى حدٍ ما أو في معظم مدى الطول الموجي القريب إلى القصير للأشعة 18 الذي يتراوح ‎٠‏ .من حوالي ‎000-٠٠١‏ نانو متر و/ أو ‎٠00١‏ إلى 77086 نانو متر. وفي بعض النماذج التمثيلية؛ فإنهما يعكسان ‎٠‏ 7.9 على الأقل من الطاقة الشميبة في المدى من ‎eee‏ = 79060 نانو متر و/ أو ‎١700‏ - 7300 نانو متر. وفي بعض النماذج ‎Aa‏ يكون للركيزة الزجاجية الأمامية والالكترود الأمامي )7( مجتمعين درجة انعكاسية للأشعة ‎IR‏ تبلغ حوالي 745 على الأقل و/ أو ‎Too‏ على الأقل في جزء كبير إلى حدٍ ما أو في معظم مدى الطول الموجي القريب للأشعة ‎٠‏ 18 الذي يتراوح من حوالي ‎0-٠٠٠١‏ 72.60 نانو مترء؛ ويمكن من ‎YY er - ١0٠059‏ نانو متر. وفي بعض النماذج التمثيلية؛ يمكنهما حجب ‎٠‏ 79 على الأقل من الطاقة الشمسية في المدى من ‎-٠‏ 70.60 نانو متر. ّ| لخ
YY
وفي حين أنه يتم استخدام الالكترود (©) كالكترود أمامي في جهاز فُلطائي ضوئي في بعض النماذج التمثيلية لهذا الاختراع التي تم وصفها وتوضيحها في هذا الطلب؛ )3 أنه يمكن أيضاً استخدام الالكترود (3) كالكترود ‎Led AT‏ يتعلق بجهاز فُلطائي ضوئي أو ‎ADA‏ ‏شكل ‎A‏ عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز فلطائي ضوئي وفقاً لنموذج تمثيلي آخر لهذا ‎٠‏ الاختراع. ويمكن توفير طبقة اختيارية (١أ)‏ مضادة للانعكاس ‎(AR)‏ على الركيزة الزجاجية الأمامية ‎)١(‏ في أي من نماذج هذا الاختراع؛ وفقاً لما هو مشار إليه على سبيل المثال بالطبقة (الطبقات) ‎AR‏ (١أ)‏ المبينة في شكل ‎A‏ (على سبيل المثال؛ أنظر أيضاً الأشكال 4- ‎.)٠١‏ ويشتمل الجهاز ‎SUL‏ الضوئي في شكل ‎A‏ على ‎BS)‏ زجاجية (١)؛‏ طبقة (طبقات) عازلة (7) ‎SY)‏ مصنعة من أو تشتمل على واحد أو أكثر من بين أكسيد سيليكون؛ أوكسي نيتريد سيليكون؛ نيتريد سيليكون» ‎٠‏ أكسيد تيتانيوم؛ أكسيد نيوبيوم؛ و/ أو ما شابه ذلك) حيث يمكن أن تعمل كحاجز للصوديوم لمنع الصوديوم من التحرك خارجاً من الركيزة الزجاجية الأمامية (١)؛‏ والطبقة النواة ‎Si) (wt)‏ مصنعة من أو تشتمل على أكسيد زنك؛ أكسيد زنك ألومينيوم؛ أكسيد قصدير؛ أكسيد قصدير أنتيمون؛ أكسيد إنديوم زنك؛ أو ما شابه ذلك) حيث يمكن أن تكون طبقة ‎TCO‏ أو طبقة عازلة في نماذج تمثيلية مختلفة؛ وطبقة (؛ ج) عاكسة للأشعة 18 أساسها ‎dad)‏ وطبقة تغطية علوية أو ‎١‏ طبقة تلامس ‎(af)‏ اختيارية ‎Oli)‏ مصنعة من أو تشتمل على أكسيد ‎Ni‏ و/ أو ‎(Cr‏ أكسيد زنك؛ أكسيد زنك ألومينيوم؛ أو ما شابه ذلك) حيث يمكن أن تكون طبقة ‎(TCO‏ وطبقة ‎TCO‏ (4ه) ‎Sl)‏ مصنعة من أو تشتمل على أكسيد زنك أكسيد زنك ألومينيوم؛ أكسيد قصدير؛ أكسيد قصدير أنتيمون؛ أكسيد إنديوم قصديرء أكسيد إنديوم زنك» أو ما شابه ذلك)؛ طبقة واقية اختيارية؛ و ‎Si)‏ ‏مصنعة من أو تشتمل على أكسيد زنك؛ أكسيد زنك ألومينيوم؛ أكسيد قصدير؛ أكسيد قصدير ‎YA‏
AR
‏أنتيمون؛ أكسيد إنديوم قصدير؛ أكسيد إنديوم زنك؛ أو ما شابه ذلك) حيث يمكن أن تكون موصلة‎ ‏أو ما شابه ذلك)؛ وملامس؛ و/ أو‎ a-Si ‏وشبه الموصل )©( (مثل؛ ع005/007؛‎ the ‏إلى حدٍ‎ ‏و/ أو الكترود خلفي اختياري (7)؛ وطبقة لاصقة اختيارية (4)» وركيزة زجاجية خلفية‎ cole ‏هي‎ (ot) ‏وتجدر الإشارة إلى أنه في بعض النماذج التمثيلية؛ يمكن أن تكون الطبقة‎ .١١ ‏اختيارية‎ ‏هي نفسها الطبقة‎ (gf) ‏التي سبق وصفها أعلاه؛ ويمكن أن تكون الطبقة‎ (IV) ‏نفسها الطبقة‎ ٠ ‏على الأشكال 4- ١٠)؛ ويمكن أن‎ Lad ‏أو )37( التي سبق وصفها أعلاه؛ (وهذا ينطبق‎ (<7) ‏تكون الطبقة (؛و) هي نفسها الطبقة (و) التي سبق وصفها أعلاه (وهذا ينطبق أيضاً على‎ ‏(أنظر الوصف المتقدم أعلاه لشرح النماذج الأخرى في هذا الخصوص).‎ (Ve -8 ‏الأشكال‎ ‏أيضاً أعلاه فيما يتعلق بالنماذج‎ ١١ ‏و‎ 9 67 8 ٠ ‏وبالمتل؛ فإنه قد سبق مناقشة الطبقات‎ ‏الأخرى.‎ ٠ ‏كما يلي (لاحظ أن بعض الطبقات‎ A ‏سيتم تقديم مثال لنموذج شكل‎ dads ‏ولأغراض التمثيل‎ ‏بالإشارة إلى‎ (JE) ‏لم يتم استخدامها في هذا المثال). على سبيل‎ A ‏ا لاختيارية المبينة في شكل‎
Sie) (Y) ‏وطبقة عازلة‎ (po TY ‏سمكها حوالي‎ Sia) )١( ‏تم استخدام ركيزة زجاجية‎ A ‏شكل‎ ‏نانو متر ويمكن أن تليها طبقة *110 عازلة بسمك حوالي‎ ٠١ ‏أوكسي نيتريد سيليكون بسمك حوالي‎ ‏أو أكسيد زنك‎ TCO ‏نواة (كب) (مثل؛ طبقة عازلة أو طبقة أكسيد زنك‎ Ag ‏وطبقة‎ (Jie ‏نانو‎ ٠١ ١ ‏(؟ ج) (من الفضة بسمك يتراوح‎ 18 Aas ‏نانو متر)؛ وطبقة عاكسة‎ ٠١ ‏ألومينيوم بسمك حوالي‎ ‏(؛ه) (مثل؛ طبقة أكسيد زنك؛ أكسيد قصدير؛ أكسيد‎ TCO ‏من حوالي ©- 8 نانو متر)؛ طبقة‎ -٠٠١ ‏نانو متر) والأفضل من حوالي‎ 790 -8 ٠ ‏موصلة بسمك يتراوح من‎ ITO ‏زنك ألومينيوم؛‎ ‏أكسيد قصدير؛ أكسيد‎ TCO ‏نانو متر)؛ وطبقة واقية موصلة اختيارية (؛و) (أكسيد زنك‎ ٠٠
Yor A
‎vo |‏ زنك ألومينيوم ‎(ITO‏ أو ما شابه ذلك؛ بسمك يتراوح من حوالي ‎©٠ -٠١‏ نانو متر). وفي بعض النماذج التمثيلية؛ يتم تصميم الطبقة الواقية و (أو ؟و) بحيث يكون لها معامل انكسار («) يتراوح من حوالي ‎1,١‏ إلى 7,4؛ والأفضل من حوالي ‎AYO‏ 7,75؛ حيث يتوافق معامل الانكسار إلى حدٍ بعيد مع شبه الموصل )0( (مثل؛ ‎CS‏ أو ما شابه ذلك) من أجل تحسين كفاءة الجهاز.
‎A ‏مقاومة لوحية لا تزيد عن حوالي‎ A ‏الضوئي المبين في شكل‎ SUE ‏ويمكن أن يكون للجهاز‎ ٠ ١“ ‏والأفضل ألا تزيد عن حوالي 10 أوم/ مربع؛ والأفضل من ذلك ألا تزيد عن حوالي‎ cee ‏أوم/‎ ‏مربع في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع. وعلاوة على هذاء يمكن أن يكون للنموذج‎ [as] ‏المبين في شكل 8« أطياف نفاذية مخططة حسب الحاجة تتميز بنفاذية أكبر من 7850 إلى شبه‎ ‏الموصل (*) في جزء من مدى الطول الموجي أو كل مدى الطول الموجي الذي يتراوح من حوالي‎
‎٠‏ 00-4860 نانو متر و/ أو ٠؛- ‎Yew‏ نانو مترء حيث 811.5 يمكن أن يكون لها أشد كثافة
‏وفي بعض الحالات التمثيلية يكون للخلية أعلى كفاءة كمي <ة أو الأعلى إلى حدٍ كبير.
‏| شكل 4 عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز فلطائي ضوئي وفقاً لنموذج تمثيلي آخر أيضاً لهذا الاختراع. ويشتمل الجهاز ‎SUB‏ الضوئي للنموذج المبين في شكل 9 على طبقة ‎(AR)‏ اختيارية مضادة للانعكاس (١أ)‏ على جانب سقوط الضوء للركيزة الزجاجية الأمامية (١)؛‏ وطبقة عازلة أولى
‎٠‏ (؟)» وطبقة عازلة ثانية ‎oY)‏ وطبقة ‎Ale‏ ثالثة (ج) حيث يمكن أن تعمل اختيارياً كطبقة نواة ‎Arias Se)‏ من أو تشتمل على أكسيد زنك؛ أكسيد زنك ألومينيوم؛ أكسيد قصدير؛ أكسيد قصدير أنتيمون ‎٠‏ أكسيد إنديوم زنك؛ أو ما شابه ذلك) للطبقة التي أساسها الفضة (؛ ج)؛ وطبقة موصلة عاكسة للأشعة تحت الحمراء ‎TR‏ أساسها الفضة (؛ ج)؛ وطبقة تغطية علوية أو طبقة تلامس (؛د) اختيارية (مثلاً؛ مصنعة من أو تشتمل على أكسيد ‎Ni‏ و/ أو ‎(Cr‏ أكسيد زنك؛ أكسيد زنك
‏ا
A
ألومينيوم؛ أو ما شابه ذلك) حيث يمكن أن تكون ‎TCO‏ أو عازلة؛ وطبقة ‎Si) (41) RCO‏ تشتمل على طبقة واحدة أو ‎ie JS‏ تصنع من أو تشتمل على أكسيد زنك؛ أكسيد زنك ألومينيوم؛ أكسيد قصدير؛ أكسيد قصدير أنتيمون؛ أكسيد زنك قصدير؛ أكسيد إنديوم قصدير» أكسيد إنديوم زنك؛ أو ما شابه ذلك)؛ وطبقة واقية اختيارية (؛و) ‎Sie)‏ مصنعة من أو تشتمل على أكسيد زنك؛ أكسيد زنك ألومينيوم؛ أكسيد قصدير؛ أكسيد قصدير أنتيمون؛ أكسيد زنك قصدير؛ أكسيد إنديوم قصدير؛ أكسيد إنديوم زنك؛ أو ما شابه ذلك) حيث يمكن أن تكون موصلة إلى حدٍ ‎le‏ وشبه الموصل () ‎Sia)‏ طبقة واحدة أو أكثر ‎Jin‏ 008/0078؛ ‎a-Si‏ أو ما شابه ذلك)؛ وملامس» و/ أو عاكس؛ و/ أو الكترود ‎(V)‏ خلفي اختياري؛ وطبقة لاصقة اختيارية (9)؛ وركيزة زجاجية خلفية اختيارية ‎.)١١(‏ ويمكن أن يشتمل غشاء شبه الموصل (*) على بنية شبه موصل ‎pin‏ أو ‎pn‏ ‎٠‏ أحادية؛ أو بنية شبه موصل مزدوجة في نماذج مختلفة لهذا الاختراع. ويمكن أن يكون شبه الموصل ‎oe Ble‏ أو يمكن أن يشتمل على؛ سيليكون في بعض الحالات التمثيلية. وفي نماذج تمثيلية أخرى» يمكن أن يشتمل غشاء شبه الموصل )0( على طبقة أولى مصنعة من أو تشتمل على ‎(Jie) CdS‏ طبقة نافذة) مجاورة أو قريبة من الطبقة (الطبقات) ‎(a2)‏ و/ أو )5%( وطبقة شبه موصل ثانية مصنعة من أو تشتمل على 0078 (مثل؛ طبقة ماصة رئيسية) مجاورة أو قريبة من ‎.7 ‏الالكترود أو الملامس الخلفي‎ ve ‏وبالإشارة إلى نموذج شكل 9 (ونموذج ‎SE‏ ١٠)؛‏ في بعض النماذج التمثيلية؛ يتم استخدام طبقة عازلة أولى )11( ذات معامل انكسار («) منخفض نسبياً ‎Se)‏ « تتراوح من حوالي ‎١,7‏ إلى ‎(XY‏ والأفضل من حوالي 8 إلى ‎X,Y‏ والأفضل من ذلك من حوالي ‎٠,98‏ إلى ‎7١١‏ والأكثر تفضيلاً من حوالي ؟ إلى 1,08)» وطبقة عازلة ثانية (كب) ذات معامل انكسار )0( كبير نسبياً ‏ل
ب (مقارنة بالطبقة ‎Se) (IT)‏ « تتراوح من حوالي 1,7 إلى 1.3 والأفضل من حوالي 1.3 إلى ‎oT,‏ والأكثر تفضيلاً من حوالي 1,35 إلى 7,45)؛ وطبقة عازلة ثالثة (7ج) ذات معامل انكسار ‎(n)‏ منخفض نسبياً (مقارنة بالطبقة ‎Sie) (oF‏ « تتراوح من حوالي ‎٠,8‏ إلى ‎X,Y‏ والأفضل من حوالي ‎٠,56‏ إلى ‎(YY‏ والأكثر تفضيلاً من حوالي 7 إلى 7,05). وفي بعض النماذج ‎ALE‏ ‏يمكن تصنيع الطبقة العازلة الأولى ‎(IY)‏ ذات معامل الانكسار المنخفض من؛ أو يمكن أن تشتمل ‎le‏ نيتريد سيليكون؛ أوكسي نيتريد سيليكون؛ أو أية مادة أخرى مناسبة؛ ويمكن تصنيع الطبقة العازلة الثانية ("ب) ذات معامل الانكسار المرتفع من؛ أو يمكن أن تشتمل ‎(le‏ أكسيد تيتانيوم ‎THO, (ie)‏ أو ما شابه ذلك)؛ ويمكن تصنيع الطبقة العازلة الثالثة (7ج) من؛ أو يمكن أن تشتمل على؛ أكسيد زنك أو أية مادة أخرى مناسبة. وفي بعض النماذج التمثيلية؛ يتم دمج الطبقات ؟أ- ‎٠‏ 7ج لتكوين طبقة مجمعة ذات معامل انكسار جيد متوافق وتعمل أيضاً كطبقة واقية ضد ارتحال الصوديوم من الزجاج ‎.)١(‏ وفي بعض النماذج التمثيلية؛ يتراوح سمك الطبقة العازلة الأولى (؟أ) من حوالي ©- ‎Te‏ نانو مترء والأفضل من حوالي ‎Yo -٠١‏ نانو مترء ويتراوح سمك الطبقة العازلة الثانية (ب) من حوالي *- ‎Te‏ نانو متر؛ والأفضل من حوالي ‎٠١ -٠١‏ نانو مترء وتكون الطبقة العازلة الثالثة (7ج) أقل ‎Kau‏ ويتراوح سمكها من حوالي ‎sl Ye oF‏ مترء 0 والأفضل من حوالي ‎Ne =o‏ نانو مترء والأكثر تفضيلاً من حوالي 7- ‎١4‏ نائو متر. وفي حين تكون الطبقات ‎JY‏ "بء و "ج عازلة في بعض نماذج هذا الاختراع؛ فإن واحدة أو اثنتين أو جميع هذه الطبقات الثلاث قد تكون عازلة أو ‎TCO‏ في بعض النماذج التمثيلية الأخرى لهذا الاختراع. وتكون الطبقتان (ب) و (7ج) ‎Ble‏ عن أكاسيد معدنية في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع؛ في حين تكون الطبقة ‎(IY)‏ عبارة عن أكسيد معدني أو نيتريد معدني؛ أو نيتريد سيليكون ل
YA
في بعض الحالات التمثيلية. ويمكن ترسيب الطبقات ؟أ - ١ج‏ عن طريق الرش أو أي أسلوب ‎al‏ مناسب. ‏وبالإشارة أيضاً إلى نموذج شكل 9 (ونماذج شكلي ‎٠١‏ - ١1)؛‏ يمكن أن تكون طبقة (طبقات) ‏0 (؛ه) مصنعة من أو يمكن أن تشتمل على ‎TCO‏ مناسب ويشمل على سبيل المثال لا الحصر؛ على أكسيد زنك؛ و/ أو أكسيد زنك ألومينيوم؛ و/ أو أكسيد قصدير؛ و/ أو ما شابه ذلك. ‏ويمكن أن تشتمل طبقة ‎TCO‏ أو صف ‎TCO‏ (؛ه) على عدة طبقات في بعض الحالات التمثيلية. ‏وعلى سبيل المثال؛ في بعض الحالات؛ تشتمل طبقة ‎TCO‏ )8( على طبقة أولى من أكسيد معدني ‏0 أول ‎(Jie)‏ أكسيد زنك) قريبة من طبقة ‎Ag‏ ) ج)؛ وطبقة التغطية العلوية ‎Ag‏ (؟د)؛ وطبقة ‏ثانية من أكسيد معدني ‎TCO‏ (مثل؛ أكسيد قصدير) قريبة من طبقة التلامس )58( و/ أو )0( ‎sabes ٠‏ التمثيل فقط؛ سيتم توضيح مثال لنموذج شكل 9 كما يلي. على سبيل ‎JE‏ بالإشارة إلى شكل 9؛ تم استخدام ركيزة زجاجية ‎)١(‏ (مثل؛ زجاج سائب بسمك حوالي 3,7 مم؛ ومعامل انكساره («) حوالي 1,0( وطبقة عازلة أولى ‎(IY)‏ (مثل نيتريد سيلكون بسمك حوالي ‎١5‏ نانو مترء ذات معامل انكسار («) حوالي 07 ,.7)؛ وطبقة عازلة ثانية )2( (مثل. أكسيد 71 ‎Jie‏ ‏ض ‎TiO,‏ أو مادة مكافئة مناسبة أخرىء بسمك حوالي ‎١١‏ نانو مترء وذات معامل انكسار ‎(n)‏ حوالي ‎4 ‏وسمكها حوالي‎ (Al ‏أكسيد زنك؛ من الممكن إشابته ب‎ (Jia) ‏وطبقة عازلة ثالثة (7ج)‎ »)1,50 ٠ ‏ج) (من الفضة‎ 4( TR ‏نانو متر؛ وذات معامل انكسار («) حوالي 7.07)؛ وطبقة عاكسة للأشعة‎ ‏نانو متر)؛ وطبقة تغطية علوية تشتمل على الفضة‎ ١ ‏بسمك يتراوح من 70 + نانو متر؛ مثل؛‎ ‏متر حيث يمكن أن تكون أو لا تكون‎ SLY -١ ‏(؛د) مصنعة من ,100:0 بسمك يتراوح من‎ ‏متدرجة الأكسدة؛ وغشاء . 10©0(؛ه) (مثل؛ أكسيد زنك؛ أكسيد زنك ألومينيوم؛ و/ أو أكسيد‎
Ya
قصدير؛ موصل؛ بسمك يتراوح من ‎١5١ -٠١‏ نانو متر)؛ وغشاء شبه موصل )0( يشتمل على طبقة أولى من 005 ‎Dia)‏ حوالي ‎7١‏ نانو متر) أقرب ما يكون إلى الركيزة )1( وطبقة ثانية من ‎CdTe‏ أبعد ما يكون عن الركيزة (١)؛‏ وملامس أو إلكترود خلفي ‎oY)‏ وطبقة لاصقة اختيارية
)9(¢ وركيزة اختيارية ‎AY‏ ‎٠‏ ويمكن أن يكون للجهاز ‎SUB‏ الضوئي المبين في شكل 4 (و/ أو شكلي ‎)١١ - ٠١‏ مقاومة لوحية لا تزيد عن حوالي ‎VA‏ أوم/ مربع؛ والأفضل ألا تزيد عن ‎١5‏ أوم/ مربع؛ والأفضل من ذلك أل تزيد عن ‎١١‏ أوم/ مربع في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع. وعلاوة على هذاء يمكن أن يكون لنموذج شكل 9 (و/ أو شكل ‎)٠١‏ أطياف نفاذية مخططة حسب الحاجة ذات نفاذية تزيد عن ‎٠‏ في شبه الموصل (*) في جزء من أو في كل مدى الطول الموجي الذي يتراوح من جوالي
‎48460٠‏ 1.0 نانو متر و/ أو 5+6؛- ‎Vee‏ نانو مترء حيث يمكن أن يكون ل 111.5م أشد كثافة.
‏وشكل ‎Ble ٠١‏ عن منظر لمقطع عرضي لجهاز فلطائي ضوئي وفقاً لنموذج تمثيلي آخر أيضاً لهذا الاختراع. ونموذج شكل ‎٠١‏ مشابه تماماً لنموذج شكل 9 الذي سبقت مناقشته أعلاه؛ باستثناء غشاء ‎TCO‏ (؛ه). في نموذج شكل ‎Vo‏ يشتمل غشاء ‎TCO‏ (؛ه) على طبقة أولى ‎(a8)‏ ‏مصنعة من أو تشتمل على أكسيد معدني ‎TCO‏ أول (مثل؛ أسيد زنك؛ حيث يمكن أن يكون أو لا ‎٠‏ يكون مُشاباً ب له أو ما شابه ذلك) مجاورة وملامسة للطبقة (؛د)؛ وطبقة ثائية )702( من أكسيد معدني ‎TCO‏ ثانٍ (مثل؛ أكسيد قصدير) مجاورة وملامسة للطبقة (؛و) و/ أو )0( ‎ie)‏ يمكن حذف الطبقة (؛و)؛ كما في النماذج السابقة). وتكون الطبقة ‎(at)‏ أكثر سمكاً إلى حدٍ كبير من الطبقة )28( في بعض النماذج التمثيلية. وفي بعض النماذج التمثيلية؛ يكون لطبقة ‎TCO‏ الأولى (؛ه) مقاومية أثل من طبقة ‎TCO‏ الثانية ‎(Cat)‏ وفي بعض النماذج التمثيلية. يمكن أن تكون
. طبقة ‎(a8) (AY) TCO‏ عبارة عن أكسيد زنك؛ أكسيد زنك مُشاب ب ‎Al‏ أو ‎ATO‏ حيث يتراوح سمكها من ‎١٠5١-70‏ نانو ‎Sia) ie‏ حوالي ‎٠١١‏ نانو متر) وتكون ذات مقاومية لا تزيد عن حوالي ‎١‏ أوم. سم؛ ويمكن أن تكون طبقة ‎TCO‏ الثانية ‎(Fat)‏ مصنعة من أكسيد قصدير ويتراوح سمكها من حوالي ‎9٠ -٠١‏ نانو متر ‎Se)‏ حوالي ‎"٠‏ نانو متر) وتكون ذات مقاومية تتراوح من ‎٠‏ حوالي ‎٠٠١ -٠١‏ أوم. سم؛ ومن الممكن أن تتراوح من حوالي ‎٠٠١ -١‏ أوم. سم. وتكون طبقة ‎(ag) JY TCO‏ أكثر سمكاً وأعلى موصلية عن طبقة ‎TCO‏ الثانية ‎(Ft)‏ في بعض النماذج ‎lined‏ وهذا يكون مفيداً حيث أن الطبقة ‎(a8)‏ تكون أقرب للطبقة (؟ج) الموصلة التي أساسها ‎Ag‏ وهذا يؤدي إلى تحسين كفاءة الجهاز ‎Salil‏ الضوئي. وعلاوة على هذاء فإن هذا التصميم يعتبر متميزاً من حيث أن 008 للغشاء (*) يلتصق أو يلتحم جيداً بأكسيد القصدير الذي يمكن أن ‎٠‏ يستخدم في الطبقة ‎(Fat)‏ أو يمكن أن تصنع منه. ويمكن ترسيب طبقتي ‎TCO‏ 4ه و/ أو ‎(fat)‏ ‏عن طريق الرش أو بأي أسلوب مناسب آخر. وفي بعض الحالات ‎lial‏ يمكن أن تكون الطبقة 0 الأولى (؛ه) مصنعة من أو تشتمل على ‎ITO‏ (أكسيد إنديوم قصدير) بدلاً من أكسيد الزنك. وفي بعض الحالات التمثيلية؛ يمكن أن يشتمل أكسيد 170 للطبقة 4ه على حوالي 796 10» ‎71١‏ 80» أو بدلاً من ذلك حوالي ‎dn Joe‏ مد 5 ‎Sn lov‏ ويكون استخدام ثلاث طبقات عازلة على الأقل مثل ؟أ- ‎2Y‏ مفيداً من حيث أنه يمكن خفض الانعكاسات مما يؤدي إلى الحصول على جهاز ‎lab‏ ضوئي أكثر كفاءة. وعلاوة على هذاء يمكن أن تكون طبقة التغطية العلوية كد ‎(Sie)‏ مصنعة من أو تشتمل على أكسيد ‎Ni‏ و/ أو ‎(Cr‏ ‏متدرجة الأكسدة؛ بشكل مستمر أو غير مستمر؛ في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع. وتحديداً من
‏يمكن تصميم الطبقة ؛د بحيث تكون معدنية بدرجة أكبر (أقل أكسدة) عند موضع فيها أقرب‎ ‏ولقد وجد‎ (Ag ‏عند موضع فيها أبعد عن الطبقة )08( التي أساسها‎ Ag ‏للطبقة )21( التي أساسها‎ ‏أن هذا يكون مفيداً بالنسبة لأغراض الثبات الحراري من حيث أن طبقة التغليف لا تتحل بدرجة‎ ‏كبيرة أثناء المعالجة ذات درجة الحرارة المرتفعة إلى حدٍ كبير التي يمكن أن تصاحب عملية تصنيع‎ ‏الضوئي أو أية عملية أخرى.‎ SER ‏الجهاز‎ ١ ‏وفي بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع» وجد بشكل مثير للاهتمام أن أي سمك يتراوح من حوالي‎ ‏نانو متر)؛‎ Ee ‏نانو متر (مثل؛‎ ١50 IF ‏نانو مترء والأفضل من حوالي‎ VTL IY
TCO ‏في هذا المدى. وبالنسبة لأغشية‎ Tse ‏(؛ه) يكون مفيداً من حيث أن قمم ال‎ TCO ‏لغشاء ال‎
TCO ‏تقل بما يصل إلى حوالي 71,5 حتى تصل إلى أدناها عند سمك‎ Tse ‏الأرق؛ فإن قمم ال‎
TCO ‏نانو مترء فإنها تزداد ثانية حتى الوصول إلى غشاء‎ Te ‏من‎ Jil ‏وعند‎ jie ‏نانو‎ ٠١ ‏حوالي‎ ٠ ‏نانو متر) فإنها تصبح جذابة؛‎ Ve -٠١ ‏نانو متر (والأفضل‎ YO -١١ ‏(؛ه) بسمك يتراوح من‎ ‏ولكن طبقات التغليف هذه قد لا تكون مرغوبة في بعض الحالات التمثيلية غير الحصرية. ولهذاء‎ ‏للحصول على خفض في شدة تيار دائرة قصر للأجهزة القلطائية الضوئية المشتملة على‎ ‏(؛ه) بسمك في المدى‎ TCO ‏في بعض الحالات التمثيلية؛ فإنه قد يتم توفير غشاء ال‎ 08/05
You SAF ‏نانو متر أو‎ ١10-١7١ ‏5؟ نانو مترء أو في المدى من حوالي‎ -١١ ‏من حوالي‎ ١ ‏نانو متر.‎ ‏عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز فلطائي ضوئي وفقاً لنموذج تمثيلي آخر أيضاً‎ ١١ ‏وشكل‎ ‏التي سبقت مناقشتها أعلاه؛‎ ١١ - 4 ‏مشابه تماماً لنماذج شكلي‎ ١١ ‏لهذا الاختراع. ونموذج شكل‎
Sab ‏عبارة عن منظر لمقطع عرضي لجهاز‎ ١١ ‏باستثناء الاختلافات المبينة في الشكل. شكل‎ 8.١
YY
ضوئي وفقاً لنموذج تمثيلي آخر أيضاً لهذا الاختراع. يمكن أن يشتمل الجهاز الفلطائي الضوئي المبين في شكل ‎١١‏ على: طبقة اختيارية مضادة للانعكاس ‎(AR)‏ (١أ)‏ على جانب سقوط الضوء للركيزة الزجاجية الأمامية ١؛‏ طبقة عازلة أولى ("أ) مصنعة من أو تشتمل على واحد أو أكثر من بين نيتريد سيليكون (مثل؛ ‎SING‏ أو مكافئ كيميائي مناسب آخر)؛ أوكسي نيتريد سيليكون؛ أكسيد 0 سيليكون (مثل؛ ‎SiO‏ أو مكافئ كيميائي مناسب آخر)؛ و/ أو أكسيد قصدير (مثل؛ 500,2 أو مكافئ كيميائي مناسب آخر)؛ طبقة عازلة ثانية ‎(IF)‏ مصنعة من أو تشتمل على أكسيد تيتانيوم (مثل؛ ‎TIO;‏ أو مكافئ كيميائي مناسب آخر) و/ أو أكسيد نيوبيوم؛ طبقة تالثة ("ج) (يمكن أن تكون عازلة أو طبقة ‎(TCO‏ حيث يمكن أن تعمل اختيارياً كطبقة نواة ‎(Jia)‏ طبقة مصنعة من أو تشتمل على أكسيد زنك؛ أكسيد زنك ألومينيوم ‎٠‏ أكسيد قصدير؛ أكسيد قصدير أنتيمون؛ أكسيد إنديوم ‎٠‏ زنك» أو ما شابه ذلك) للطبقة التي أساسها الفضة (؟ ج)؛ طبقة تغليف فوقية أو طبقة تلامس ؛د (حيث يمكن أن تكون عازلة أو موصلة) مصنعة من أو تشتمل على أكسيد من ‎[Ni‏ أو ‎(Cr‏ ‎¢Ti NiCr‏ أكسيد 71 أكسيد زنك ألومينيوم؛ أو ما شابه ذلك؛ طبقة ‎TCO‏ (؛ه) ‎Sia)‏ تشتمل ‏على طبقة واحدة أو أكثر) مصنعة من أو تشتمل على أكسيد زنك» أكسيد زنك ألومينيوم» أكسيد ‎pad‏ أكسيد قصدير أنتيمون؛ أكسيد زنك قصدير؛ أكسيد إنديوم قصديرء أكسيد إنديوم زنك» و/ ‎ve‏ أو أكسيد زنك جاليوم ألومينيوم؛ طبقة واقية اختيارية )58( يمكن أن تكون ‎TCO‏ في حالات معينة ‎Sli)‏ مصنعة من أو تشتمل على أكسيد زنك؛ أكسيد زنك ألومينيوم؛ أكسيد قصدير؛ أكسيد قصدير أنتيمون؛ أكسيد زنك قصدير؛ أكسيد إنديوم قصدير؛ أكسيد إنديوم زنك أكسيد تيتانيوم؛ أو ما شابه ‏ذلك) حيث يمكن أن تكون موصلة إلى حدٍ ما؛ غشاء شبه موصل )0( مصنع من أو يشتمل على طبقة واحدة أو أكثر ‎Jia‏ 008/0078؛ 8-51؛ أو ما شابه ذلك ‎Sli)‏ الغشاء )0( يمكن أن يصنع ‎CdTe ‏وطبقة مصنعة أو تشتمل على‎ of 5%) ‏مجاورة للطبقة‎ CdS ‏من طبقة مصنعة أو تشتمل على‎ ٠
OVA ry ‏لاصقة اختيارية 4 مصنعة من أو تشتمل‎ sale ‏من الألومينيوم أو ما شابه ذلك؛‎ (V) ‏مجاورة للطبقة‎ ‏وفي بعض النماذج التمثيلية لهذا‎ .١١ ‏وركيزة خلفية زجاجية اختيارية‎ PVB ‏على بوليمر مثل‎ ‏والأفضل من‎ pie ‏نانو‎ ١١ - ٠١ ‏من حوالي‎ IY ‏الاختراع؛ يمكن أن يتراوح سمك الطبقة العازلة‎ ‏نانو مترء‎ 70 -٠١ ‏نانو متر؛ ويمكن أن يتراوح سمك الطبقة "ب من حوالي‎ 8 IY ‏حوالي‎ ‎Yo =o ‏نانو متر ؛ ويمكن أن يتراوح سمك الطبقة "ج من حوالي‎ YA ١ sa ‏والأفضل من‎ ٠ ‏نانو متر (وتكون الطبقة "ج أرق من إحدى الطبقتين ؟أ و‎ Ve m0 ‏والأفضل من حوالي‎ «jie ‏نانو‎ ‎~0 ‏"ب أو كلتاهما في بعض النماذج التمثيلية)؛ ويمكن أن يتراوح سمك الطبقة ؛ج من حوالي‎ ‏نانو متر؛ ويمكن أن يتراوح سمك الطبقة ؛د من‎ ٠١ -76 ‏نانو مترء والأفضل من حوالي‎ ٠١ ‏إلى ؟ نانو متر؛ ويمكن أن يتراوح سمك‎ ١.69 ‏إلى © نانو مترء والأفضل من حوالي‎ ١.7 ‏حوالي‎ ‎sie ‏نانو‎ ١5١ -75 ‏نانو مترء والأفضل من حوالي‎ ٠٠١ mon ‏(4ه) من حوالي‎ TCO ‏الغشاء‎ ٠ ‏ملي أوم في بعض الحالات التمثيلية؛ ويمكن‎ ٠٠١ ‏ويمكن أن تكون له مقاومة لا تزيد عن حوالي‎ 40-7١0 ‏نانو مترء والأفضل من حوالي‎ 9٠ -٠١ ‏أن يتراوح سمك الطبقة الحاجزة ؛و من حوالي‎ ‏ميجا أوم - سم في بعض الحالات‎ ١ ‏نانو متر ويمكن أن تكون ذات مقاومة لا تزيد عن حوالي‎ ‏الأقرب إلى الشمس ليكون له نمط تكراري‎ ١ ‏التمثبلية. وعلاوة على هذا؛ يمكن تشكيل سطح الزجاج‎ ‏لهذا الاختراع.‎ Adal ‏عن طريق الخدش أو ما شابه ذلك؛ في بعض النماذج‎ Ve
ويمكن أن توفر الطبقة الحاجزة الاختيارية (؛و) توافقاً جوهرياً لمعامل الانكسار بين غشاء شبه الموصل )0( (مثل؛ الجزء ‎Jia (CdS‏ الغشاء ‎TCO‏ (؛ه) في بعض النماذج التمثيلية. من أجل
تحسين النفاذية الإجمالية لأشعة الشمس التي تصل إلى شبه الموصل.
ص وبالإشارة أيضاً إلى نماذج شكل )0 يمكن أن يشتمل غشاء شبه الموصل )0( على بنية شبه موصلة ‎pin‏ أو ‎pn‏ واحدة؛ أو بنية شبه موصلة ترادفية في نماذج مختلفة لهذا الاختراع. ويمكن أن يضع غشاء شبه الموصل )9( أو يشتمل على سيليكون في بعض الحالات التمثيلية. وفي نماذج تمثيلية أخرى؛ يمكن أن يشتمل غشاء شبه الموصل )0( على طبقة أولى مصنعة من أو تشتمل ‎٠‏ على ‎CdS‏ (مثل؛ طبقة نافذة) قريبة أو أقرب إلى الطبقة (الطبقات) ؛ه و/ أو ؛و وطبقة شبه موصل ثانية مصنعة من أو تشتمل على ‎CdTe‏ (مثل؛ مادة ماصة رئيسية) قريبة أو أقرب إلى الإلكترود أو الملامس الخلفي 7. وبالإشارة ‎Lad‏ إلى شكل ‎١٠١‏ في بعض النماذج التمثيلية؛ يكون للطبقة العازلة الأولى ؟أ معامل انكسار («) منخفض نسبياً (مثلاً؛ « تتراوح من حوالي ‎1١١‏ إلى 7,7 والأفضل من حوالي ‎VA‏ ‎٠‏ إلى ‎VY‏ والأفضل أيضاً من حوالي 1,49 إلى ‎1,١‏ والأكثر تفضيلاً من حوالي ؟ إلى 3,08)؛ ويكون للطبقة العازلة الثانية "ب معامل انكسار («) مرتفع نسبياً (مقارنة بالطبقة ؟أ) ‎n Sa)‏ تتراوح من حوالي 7,؟ إلى ‎V1‏ والأفضل من حوالي 1,7 إلى ‎(V0‏ والأكثر تفضيلاً من حوالي 8 إلى 45,)؛ ويمكن على نحو اختياري أن يكون للطبقة العازلة ‎AEE‏ "ج معامل انكسار ‎(n)‏ منخفض نسبياً (مقارنة بالطبقة "ب) ‎Sia)‏ « تتراوح من حوالي ‎٠,8‏ إلى 1,7؛ والأفضل من ‎١٠‏ حوالي ‎٠,98‏ إلى ‎7,١‏ والأكثر تفضيلاً من حوالي ؟ إلى 00( وفي بعض النماذج التمثيلية؛ يتم دمج الطبقات ؟أ- 7١ج‏ لتكوين رصة ذات توافق جيد لمعامل الانكسار للأغراض المضادة للانعكاس وحيث تعمل ‎Lal‏ كطبقة واقية لمنع ارتحال الصوديوم من الزجاج ‎.١‏ وفي بعض النماذج التمثيلية؛ يتراوح سمك الطبقة العازلة الأولى "أ من حوالي ‎Ve =o‏ نانو متر؛ والأفضل من حوالي ‎Te -٠١‏ نانو مترء ويتراوح سمك الطبقة العازلة الثانية "ب من حوالي ‎m0‏ 70 نانو مترء ‎Y.\A‏ ve
والأفضل من حوالي ‎Ye -٠١‏ نانو ‎«ie‏ وتكون الطبقة الثالثة #ج أقل سمكاً ويتراوح سمكها من
حوالي ‎5١ TT‏ نانو مترء والأفضل من حوالي ©- ‎١١‏ نانو مترء والأكثر تفضيلاً من حوالي 7-
‎VE‏ نانو متر. وفي حين تكون الطبقات ‎JY‏ "بء ؟ج عازلة في بعض نماذج هذا الاختراع؛ فإن
‏واحدة أو اثنتين أو جميع هذه الطبقات الثلاث قد تكون عازلة أو ‎TCO‏ في بعض النماذج التمثيلية
‎٠‏ الأخرى لهذا الاختراع؛ بينما تكون الطبقة ؟أ عبارة عن أكسيد و/ أو نيتريد فلز أو نيتريد سيليكون
‏في حالات تمثيلية أخرى. ويمكن ترسيب الطبقات ؟أ- 1ج بالرش أو بأية طريقة أخرى مناسبة.
‏]00+[ وبالإشارة ‎Lad‏ إلى نموذج شكل ‎١١١‏ يمكن تصنيع الطبقة (الطبقات) ‎TCO‏ (4ه) أو
‏يمكن أن تشتمل على أي أكسيد 0 مناسب ‎Le‏ في ذلك على سبيل المثال لا الحصرء؛ أكسيد
‏زنك؛ أكسيد زنك ألومينيوم؛ أكسيد قصدير؛ و/ أو ما شابه ذلك. ويمكن أن تشتمل طبقة أو غشاء
‎(af) 100 ٠‏ على عدة طبقات في بعض الحالات التمثيلية. على سبيل المثال؛ في بعض الحالات؛ تشتمل طبقة ال ‎TCO‏ (؛) على طبقة أولى من أكسيد معدني ‎TCO‏ أول (مثل؛ أكسيد زنك) قريبة
‏من طبقة ‎Ag‏ (4ج)؛ وطبقة ‎Ag‏ فوقية (4د)؛ وطبقة ثانية من أكسيد معدني ‎TCO‏ ثانٍ (مثل؛ أكسيد قصدير قريبة وملامسة للطبقة (؛و) و/ أو (*). ويمكن أن يكون للجهاز ‎SUE‏ الضوئي المبين في شكل ‎١١‏ مقاومة لوحية لا تزيد عن حوالي ‎١8‏ أوم/ مربع؛ والأفضل ألا تزيد عن ‎sa‏
‎VO ٠‏ أوم/ مربع؛ والأفضل من ذلك ألا تزيد عن حوالي ‎١7‏ أوم/ مربع في بعض النماذج التمثلية لهذا الاختراع. وعلاوة على هذاء يمكن أن يكون للنموذج المبين في شكل ‎١١‏ أطياف نفاذية مخططة حسب الحاجة تتميز بنفاذية أكبر من 780 إلى شبه الموصل )0( في جزء من مدى الطول الموجي أو كل مدى الطول الموجي الذي يتراوح من حوالي ٠5؛-‏ 100 نانو متر و/ أو لي
A
‏يمكن أن يكون لها أشد كثافة؛ في بعض النماذج التمثلية‎ AMIS ‏حيث‎ pie ‏نانو‎ 0١-٠ ‏لهذا الاختراع.‎ في حين قد تم وصف الاختراع فيما يتعلق بما يمكن اعتباره في الوقت الراهن النموذج المفضل والأكثر قابلية للتطبيق العملي ‎NE‏ أنه يجب أن يفهم أن الاختراع لا يقتصر على النموذج الذي تم ‎٠‏ الكشف عنه؛ ولكن على العكس؛ تتجه النية لأن يغطي الاختراع مختلف التعديلات والترتيبات المكافئة التي تم تضمينها داخل فحوى ومجال عناصر الحماية المرفقة. ب

Claims (1)

  1. الام عناصر الحماية ‎-١ ١‏ جهاز فلطائي ضوئي يشتمل على: ‎Y‏ ركيزة أمامية؛ ‎F‏ طبقة أولى تشتمل على واحد أو أكثر من بين نيتريد سيليكون؛ أكسيد سيليكون؛ أوكسي نيتريد
    ؛ . سيليكون؛ و/ أو أكسيد قصدير؛ 0 طبقة ثائية تشتمل على واحد أو أكثر من بين أكسيد تيتانيوم و/ أو أكسيد نيوبيوم» حيث + تتواجد الطبقة الأولى على الأقل بين الركيزة الأمامية والطبقة الثانية؛ ‎١‏ طبقة ثالثة تشتمل على أكسيد زنك و/ أو أكسيد زنك ألومينيوم؛ ‎A‏ طبقة موصلة تشتمل على فضة؛ حيث يتم توفير الطبقة ‎AE‏ على ‎JE)‏ بين الطبقة 4 الموصلة التي تشتمل على الفضة والطبقة الثانية؛ و ‎٠‏ غشاء من أكسيد موصل منفذ ‎(TCO)‏ بسماكة تتراوح من حوالي ‎١5١-١١١‏ نانومتر و يتم ‎١‏ توفير الغشاء بين الطبقة الموصلة التي تشتمل على الفضة وغشاء من أشباه الموصلات ‎١"‏ للجهاز الفلطائي الضوئي. ‎=F)‏ الجهاز القلطائي الضوئي وفقاً لعنصر الحماية رقم )0 حيث يكون للطبقة الأولى معامل ‎Y‏ انكسار ‎(n)‏ يتراوح من حوالي ‎٠١7‏ إلى ‎VY‏ يكون للطبقة الثانية معامل انكسار («) يتراوح " من حوالي ‎oF, YLT‏ وحيث يكون للطبقة الثانية معامل انكسار أكبر من الطبقة الأولى. ‎=F)‏ الجهاز ‎SUN‏ الضوئي وفقاً لعنصر الحماية رقم ٠؛‏ حيث يشتمل الغشاء ‎TCO‏ على " واحد أو أكثر من بين أكسيد زنك؛ أكسيد زنك ألومينيوم ‎٠‏ أكسيد قصدير؛ أكسيد إنديوم - " قصديرء أكسيد إنديوم زنك؛ أكسيد قصدير أنتيمون؛ و أكسيد زنك جاليوم ألومينيوم. ا
    ‎YA —‏ -— ‎١‏ ؛- الجهاز الفلطائي الضوئي وفقاً لعنصر الحماية رقم ١؛‏ حيث يشتمل أيضاً على طبقة واقبة يتم توفيرها بين الغشاء ‎TCO‏ والغشاء المصنع من أشباه الموصلات. ‎١‏ #- الجهاز ‎SUI‏ الضوئي وفقاً لعنصر الحماية رقم ‎١‏ حيث يشتمل الغشاء المصنع من ‎ Y‏ أشباه الموصلات على طبقة أولى تشتمل على ‎CdS‏ وطبقة ‎dpb‏ تشتمل على ‎CdTe‏ ‎١‏ +- الجهاز القلطائي الضوئي وفقاً لعنصر الحماية رقم ٠؛‏ حيث يشتمل الغشاء ‎TCO‏ على " طبقتين أولى وثانية مصنعتين أو تشتملان على أكاسيد معدنية مختلفة. ‎١‏ 7- الجهاز ‎SUB‏ الضوئي وفقاً لعنصر الحماية رقم ‎٠‏ حيث تشتمل الطبقة الثانية على 7 أكسيد تيتانيوم . ‎=A)‏ الجهاز القلطائي الضوئي وفقاً لعنصر الحماية رقم ٠؛‏ حيث تشتمل الطبقة الأولى على واحد أو أكثر من بين أكسيد سيليكون؛ نيتريد سيليكون؛ وأوكسي نيتريد سيليكون. ‎١‏ 4- الجهاز الفلطائي الضوئي وفقاً لعنصر الحماية رقم ٠؛‏ حيث يشتمل أيضاً على طبقة وتتلامس معها مباشرة. ‎-٠١ ١‏ الجهاز ‎LEI‏ ائي الضوئي وفقاً لعنصر الحماية رقم ١؛‏ حيث يتراوح سمك الطبقة " الموصلة المشتملة على الفضة من حوالي © إلى ‎١١‏ نانو متر.
    _ 8 7 _— ‎-١١ ١‏ الجهاز القلطائي الضوئي وفقاً لعنصر الحماية رقم ‎١‏ حيث يكون للركيزة الأمامية " وجميع طبقات الجهاز ‎SU‏ الضوئي على جانب أمامي للغشاء المصنع من أشباه " الموصلات مجتمعة نسبة انعكاس للأشعة ‎TR‏ تبلغ حوالي 748 على الأقل في جزء كبير إلى 4 حدٍ ما على الأقل من نطاق للطول الموجي للأشعة ‎IR‏ يتراوح من حوالي ‎Yor = Ee‏ 0 ناأنو متر. ‎VY‏ الجهاز الفلطائي الضوئي وفقاً لعنصر الحماية رقم ‎١٠‏ حيث يكون للركيزة الأمامية " وجميع طبقات الجهاز ‎AUB‏ الضوئي على جانب أمامي للغشاء المصنع من أشباه ‎VF‏ الموصلات مجتمعة نسبة انعكاس للأشعة 18 تبلغ حوالي 745 على الأقل معظم نطاق
    ؛ . للطول الموجي للأشعة ‎IR‏ على الأقل يتراوح من حوالي ‎-٠٠٠١‏ 7900 نانو متر. ‎OY)‏ الجهاز ‎SUN‏ الضوئي وفقاً لعنصر الحماية رقم ٠؛‏ حيث يشتمل الغشاء المصنع من " أشباه الموصلات على ‎CdS‏ أو ع0017. ‎١‏ 4؟١-‏ الجهاز ‎SUB‏ الضوئي وفقاً لعنصر الحماية رقم ٠؛‏ حيث يشتمل الغشاء المصنع من " أشباه الموصلات على ‎a-Si‏ ‎-\e \‏ الجهاز ‎Salil‏ الضوئي وفقاً لعنصر الحماية رقم ‎١‏ حيث يشتمل الغشاء ‎TCO‏ ‎Y‏ المذكور على طبقة أولى تشتمل على أكسيد معدني أول وطبقة ثانية تشتمل على أكسيد " معدني ثان؛ ويكون للطبقة الأولى للغشاء ‎TCO‏ مقاومة أقل إلى ‎aa‏ كبير من تلك التي للطبقة ¢ الثانية للغشاء ‎«TCO‏ وحيث تتواجد الطبقة الأولى للغشاء ‎TCO‏ أقرب إلى الركيزة الأمامية من
    ٍ وا
    0 الطبقة الثانية للغشاء ‎TCO‏
    ‎VT)‏ جهاز فلطائي ضوئي يشتمل على:
    ‏؟" ركيزة أمامية؛
    ‎Y‏ طبقة أولى تشتمل على واحد أو أكثر من بين نيتريد سيليكون؛ أكسيد سيليكون» أوكسي نيتريد " ميليكون؛ و/ أو أكسيد قصدير؛
    ‏؛؟ ‏ طبقة ثانية تشتمل على واحد أو أكثر من بين أكسيد تيتانيوم و/ أو أكسيد نيوبيوم»؛ حيث 2 تتواجد الطبقة الأولى على الأقل بين الركيزة الأمامية والطبقة الثانية؛
    ‏1 طبقة ثالثة تشتمل على أكسيد معدني؛
    ‎Y‏ طبقة موصلة تشتمل على فضة و/ أو ذهب؛ حيث يتم توفير الطبقة الثالثة على الأقل بين ‎A‏ الطبقة الموصلة التي تشتمل على الفضة و/ أو الذهب والطبقة الثانية؛ و
    ‏4 غشاء من أكسيد موصل منفذ ‎(TCO)‏ بسماكة تتراوح من حوالي ‎9-١١‏ ؟ نانومتر و يتم توفير ‎٠‏ الغشاء بين الطبقة الموصلة التي تشتمل على الفضة و/ أو الذهب وغشاء من أشباه ‎١‏ الموصلات للجهاز الفلطائي الضوئي.
    ‎-١١7 ١‏ الجهاز ‎SURED‏ الضوئي وفقاً لعنصر الحماية رقم ‎VT‏ حيث يكون للطبقة الأولى " معامل انكسار ‎(n)‏ يتراوح من حوالي ‎١‏ إلى 7,7 يكون للطبقة الثانية معامل انكسار ‎(n)‏ ‎TF‏ يتراوح من حوالي ‎YY‏ إلى ‎TT‏ وحيث يكون للطبقة الثانية معامل انكسار أكبر من الطبقة ؛ ‏ الأولى.
    ‏يخ
    ‎VA)‏ الجهاز ‎SEN‏ الضوئي وفقاً لعنصر الحماية ‎OT)‏ حيث يشتمل الغشاء ‎TCO‏ على " واحد أو أكثر من بين أكسيد زنك؛ أكسيد زنك ألومينيوم؛ أكسيد قصدير؛ أكسيد إنديوم - " قصديرء؛ أكسيد إنديوم زنك؛ أكسيد قصدير أنتيمون ‎٠‏ و أكسيد زنك جاليوم ألومينيوم . ‎-١١ ١‏ الجهاز ‎SU‏ الضوئي وفقاً لعنصر الحماية رقم ‎O07‏ حيث يشتمل ‎Load‏ على طبقة ‎Y‏ واقية يثم توفيرها بين الغشاء ‎TCO‏ والغشاء المصنع من أشباه الموصلات .
    ‏ع
SA08290722A 2007-11-13 2008-11-10 إلكترود أمامي للاستخدام في جهاز ڤٌلطائي ضوئي وطريقة لتصنيعه SA08290722B1 (ar)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/984,092 US20080302414A1 (en) 2006-11-02 2007-11-13 Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SA08290722B1 true SA08290722B1 (ar) 2012-11-19

Family

ID=40639367

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SA08290722A SA08290722B1 (ar) 2007-11-13 2008-11-10 إلكترود أمامي للاستخدام في جهاز ڤٌلطائي ضوئي وطريقة لتصنيعه

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20080302414A1 (ar)
EP (1) EP2218105A2 (ar)
BR (1) BRPI0820070A2 (ar)
SA (1) SA08290722B1 (ar)
WO (1) WO2009064331A2 (ar)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080105293A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8076571B2 (en) * 2006-11-02 2011-12-13 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US7964788B2 (en) * 2006-11-02 2011-06-21 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8012317B2 (en) 2006-11-02 2011-09-06 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US8203073B2 (en) * 2006-11-02 2012-06-19 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8334452B2 (en) 2007-01-08 2012-12-18 Guardian Industries Corp. Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like
US20080308145A1 (en) * 2007-06-12 2008-12-18 Guardian Industries Corp Front electrode including transparent conductive coating on etched glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US7888594B2 (en) * 2007-11-20 2011-02-15 Guardian Industries Corp. Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index
US8501522B2 (en) * 2008-05-30 2013-08-06 Gtat Corporation Intermetal stack for use in a photovoltaic cell
US7915522B2 (en) 2008-05-30 2011-03-29 Twin Creeks Technologies, Inc. Asymmetric surface texturing for use in a photovoltaic cell and method of making
US8022291B2 (en) 2008-10-15 2011-09-20 Guardian Industries Corp. Method of making front electrode of photovoltaic device having etched surface and corresponding photovoltaic device
EP2454755A4 (en) * 2009-07-13 2016-03-30 First Solar Inc CONTACT DOPING OF ANTERIOR FACE OF SOLAR CELL
US20110168252A1 (en) * 2009-11-05 2011-07-14 Guardian Industries Corp. Textured coating with etching-blocking layer for thin-film solar cells and/or methods of making the same
US8502066B2 (en) * 2009-11-05 2013-08-06 Guardian Industries Corp. High haze transparent contact including insertion layer for solar cells, and/or method of making the same
US20110186120A1 (en) * 2009-11-05 2011-08-04 Guardian Industries Corp. Textured coating with various feature sizes made by using multiple-agent etchant for thin-film solar cells and/or methods of making the same
US8257561B2 (en) 2010-03-30 2012-09-04 Primestar Solar, Inc. Methods of forming a conductive transparent oxide film layer for use in a cadmium telluride based thin film photovoltaic device
US20110240115A1 (en) * 2010-03-30 2011-10-06 Benyamin Buller Doped buffer layer
KR101224282B1 (ko) 2011-03-04 2013-01-21 주식회사 엘지화학 전도성 구조체 및 이의 제조방법
JP6048526B2 (ja) * 2015-03-26 2016-12-21 Tdk株式会社 透明導電体及びタッチパネル
JP6601199B2 (ja) 2015-12-11 2019-11-06 Ｔｄｋ株式会社 透明導電体
US9887497B1 (en) * 2016-06-10 2018-02-06 Amazon Technologies, Inc. Device connector with reduced electromagnetic noise

Family Cites Families (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL127148C (ar) * 1963-12-23
US4155781A (en) * 1976-09-03 1979-05-22 Siemens Aktiengesellschaft Method of manufacturing solar cells, utilizing single-crystal whisker growth
US4162505A (en) * 1978-04-24 1979-07-24 Rca Corporation Inverted amorphous silicon solar cell utilizing cermet layers
US4163677A (en) * 1978-04-28 1979-08-07 Rca Corporation Schottky barrier amorphous silicon solar cell with thin doped region adjacent metal Schottky barrier
US4213798A (en) * 1979-04-27 1980-07-22 Rca Corporation Tellurium schottky barrier contact for amorphous silicon solar cells
JPS56138701A (en) * 1980-03-31 1981-10-29 Minolta Camera Co Ltd Antireflection film
US4378460A (en) * 1981-08-31 1983-03-29 Rca Corporation Metal electrode for amorphous silicon solar cells
US4554727A (en) * 1982-08-04 1985-11-26 Exxon Research & Engineering Company Method for making optically enhanced thin film photovoltaic device using lithography defined random surfaces
JPS59175166A (ja) * 1983-03-23 1984-10-03 Agency Of Ind Science & Technol アモルファス光電変換素子
US4598306A (en) * 1983-07-28 1986-07-01 Energy Conversion Devices, Inc. Barrier layer for photovoltaic devices
US4598396A (en) * 1984-04-03 1986-07-01 Itt Corporation Duplex transmission mechanism for digital telephones
US4689438A (en) * 1984-10-17 1987-08-25 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
JPS61108176A (ja) * 1984-11-01 1986-05-26 Fuji Electric Co Ltd 粗面化方法
DE3446807A1 (de) * 1984-12-21 1986-07-03 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Duennschichtsolarzelle mit n-i-p-struktur
US4663495A (en) * 1985-06-04 1987-05-05 Atlantic Richfield Company Transparent photovoltaic module
AU616736B2 (en) * 1988-03-03 1991-11-07 Asahi Glass Company Limited Amorphous oxide film and article having such film thereon
EP0364780B1 (en) * 1988-09-30 1997-03-12 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Solar cell with a transparent electrode
US4940495A (en) * 1988-12-07 1990-07-10 Minnesota Mining And Manufacturing Company Photovoltaic device having light transmitting electrically conductive stacked films
EP0436741B1 (en) * 1989-08-01 1996-06-26 Asahi Glass Company Ltd. DC sputtering method and target for producing films based on silicon dioxide
WO1992007386A1 (en) * 1990-10-15 1992-04-30 United Solar Systems Corporation Monolithic solar cell array and method for its manufacture
DE4126738A1 (de) * 1990-12-11 1992-06-17 Claussen Nils Zr0(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)-haltiger keramikformkoerper
US5256858A (en) * 1991-08-29 1993-10-26 Tomb Richard H Modular insulation electrically heated building panel with evacuated chambers
US5230746A (en) * 1992-03-03 1993-07-27 Amoco Corporation Photovoltaic device having enhanced rear reflecting contact
FR2710333B1 (fr) * 1993-09-23 1995-11-10 Saint Gobain Vitrage Int Substrat transparent muni d'un empilement de couches minces agissant sur le rayonnement solaire et/ou infra-rouge.
CN1112734C (zh) * 1993-09-30 2003-06-25 佳能株式会社 具有三层结构表面覆盖材料的太阳能电池组件
JP3029178B2 (ja) * 1994-04-27 2000-04-04 キヤノン株式会社 薄膜半導体太陽電池の製造方法
GB9500330D0 (en) * 1995-01-09 1995-03-01 Pilkington Plc Coatings on glass
FR2730990B1 (fr) * 1995-02-23 1997-04-04 Saint Gobain Vitrage Substrat transparent a revetement anti-reflets
EP0733931B1 (en) * 1995-03-22 2003-08-27 Toppan Printing Co., Ltd. Multilayered conductive film, and transparent electrode substrate and liquid crystal device using the same
FR2734811B1 (fr) * 1995-06-01 1997-07-04 Saint Gobain Vitrage Substrats transparents revetus d'un empilement de couches minces a proprietes de reflexion dans l'infrarouge et/ou dans le domaine du rayonnement solaire
CZ297518B6 (cs) * 1995-09-15 2007-01-03 Rhodia Chimie Podklad opatřený povlakem, majícím fotokatalytické vlastnosti, zasklívací materiál obsahující uvedený podklad, použití uvedeného podkladu, způsob výroby tohoto podkladu, disperze protento způsob a použití této disperze při uved
JP3431776B2 (ja) * 1995-11-13 2003-07-28 シャープ株式会社 太陽電池用基板の製造方法および太陽電池用基板加工装置
DE19604699C1 (de) * 1996-02-09 1997-11-20 Ver Glaswerke Gmbh Wärmedämmendes Schichtsystem für transparente Substrate
US6433913B1 (en) * 1996-03-15 2002-08-13 Gentex Corporation Electro-optic device incorporating a discrete photovoltaic device and method and apparatus for making same
US6046621A (en) * 1996-09-30 2000-04-04 Advanced Micro Devices, Inc. Differential signal generator with dynamic beta ratios
US6406639B2 (en) * 1996-11-26 2002-06-18 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Method of partially forming oxide layer on glass substrate
US6123824A (en) * 1996-12-13 2000-09-26 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing photo-electricity generating device
JP3805889B2 (ja) * 1997-06-20 2006-08-09 株式会社カネカ 太陽電池モジュールおよびその製造方法
JPH1146006A (ja) * 1997-07-25 1999-02-16 Canon Inc 光起電力素子およびその製造方法
US6222117B1 (en) * 1998-01-05 2001-04-24 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic device, manufacturing method of photovoltaic device, photovoltaic device integrated with building material and power-generating apparatus
US6344608B2 (en) * 1998-06-30 2002-02-05 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic element
FR2781062B1 (fr) * 1998-07-09 2002-07-12 Saint Gobain Vitrage Vitrage a proprietes optiques et/ou energetiques electrocommandables
US6077722A (en) * 1998-07-14 2000-06-20 Bp Solarex Producing thin film photovoltaic modules with high integrity interconnects and dual layer contacts
FR2791147B1 (fr) * 1999-03-19 2002-08-30 Saint Gobain Vitrage Dispositif electrochimique du type dispositif electrocommandable a proprietes optiques et/ou energetiques variables
TW463528B (en) * 1999-04-05 2001-11-11 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescence element and their preparation
NO314525B1 (no) * 1999-04-22 2003-03-31 Thin Film Electronics Asa Fremgangsmåte ved fremstillingen av organiske halvledende innretninger i tynnfilm
US6380480B1 (en) * 1999-05-18 2002-04-30 Nippon Sheet Glass Co., Ltd Photoelectric conversion device and substrate for photoelectric conversion device
US6187824B1 (en) * 1999-08-25 2001-02-13 Nyacol Nano Technologies, Inc. Zinc oxide sol and method of making
DE19958878B4 (de) * 1999-12-07 2012-01-19 Saint-Gobain Glass Deutschland Gmbh Dünnschicht-Solarzelle
JP4434411B2 (ja) * 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
US7267879B2 (en) * 2001-02-28 2007-09-11 Guardian Industries Corp. Coated article with silicon oxynitride adjacent glass
US6576349B2 (en) * 2000-07-10 2003-06-10 Guardian Industries Corp. Heat treatable low-E coated articles and methods of making same
US6521883B2 (en) * 2000-07-18 2003-02-18 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
US6784361B2 (en) * 2000-09-20 2004-08-31 Bp Corporation North America Inc. Amorphous silicon photovoltaic devices
JP2002260448A (ja) * 2000-11-21 2002-09-13 Nippon Sheet Glass Co Ltd 導電膜、その製造方法、それを備えた基板および光電変換装置
KR100768176B1 (ko) * 2001-02-07 2007-10-17 삼성에스디아이 주식회사 광학적 전기적 특성을 지닌 기능성 박막
US6774300B2 (en) * 2001-04-27 2004-08-10 Adrena, Inc. Apparatus and method for photovoltaic energy production based on internal charge emission in a solid-state heterostructure
WO2002091483A2 (en) * 2001-05-08 2002-11-14 Bp Corporation North America Inc. Improved photovoltaic device
US6589657B2 (en) * 2001-08-31 2003-07-08 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Anti-reflection coatings and associated methods
US6936347B2 (en) * 2001-10-17 2005-08-30 Guardian Industries Corp. Coated article with high visible transmission and low emissivity
FR2832706B1 (fr) * 2001-11-28 2004-07-23 Saint Gobain Substrat transparent muni d'une electrode
US6830817B2 (en) * 2001-12-21 2004-12-14 Guardian Industries Corp. Low-e coating with high visible transmission
US7037869B2 (en) * 2002-01-28 2006-05-02 Guardian Industries Corp. Clear glass composition
US7169722B2 (en) * 2002-01-28 2007-01-30 Guardian Industries Corp. Clear glass composition with high visible transmittance
US6919133B2 (en) * 2002-03-01 2005-07-19 Cardinal Cg Company Thin film coating having transparent base layer
KR100505536B1 (ko) * 2002-03-27 2005-08-04 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 투명한 도전성 박막, 그것의 제조방법, 그것의 제조를위한 소결 타겟, 디스플레이 패널용의 투명한 전기전도성기재, 및 유기 전기루미네선스 디바이스
FR2844136B1 (fr) * 2002-09-03 2006-07-28 Corning Inc Materiau utilisable dans la fabrication de dispositifs d'affichage lumineux en particulier de diodes electroluminescentes organiques
FR2844364B1 (fr) * 2002-09-11 2004-12-17 Saint Gobain Substrat diffusant
TW583466B (en) * 2002-12-09 2004-04-11 Hannstar Display Corp Structure of liquid crystal display
TWI232066B (en) * 2002-12-25 2005-05-01 Au Optronics Corp Manufacturing method of organic light emitting diode for reducing reflection of external light
JP4241446B2 (ja) * 2003-03-26 2009-03-18 キヤノン株式会社 積層型光起電力素子
JP5068946B2 (ja) * 2003-05-13 2012-11-07 旭硝子株式会社 太陽電池用透明導電性基板およびその製造方法
US7087309B2 (en) * 2003-08-22 2006-08-08 Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et La Ceramique S.A. (C.R.V.C.) Coated article with tin oxide, silicon nitride and/or zinc oxide under IR reflecting layer and corresponding method
JP4761706B2 (ja) * 2003-12-25 2011-08-31 京セラ株式会社 光電変換装置の製造方法
US7700869B2 (en) * 2005-02-03 2010-04-20 Guardian Industries Corp. Solar cell low iron patterned glass and method of making same
US7531239B2 (en) * 2005-04-06 2009-05-12 Eclipse Energy Systems Inc Transparent electrode
US7597964B2 (en) * 2005-08-02 2009-10-06 Guardian Industries Corp. Thermally tempered coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating
JP2007067194A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Fujifilm Corp 有機光電変換素子、および積層型光電変換素子
US20070184573A1 (en) * 2006-02-08 2007-08-09 Guardian Industries Corp., Method of making a thermally treated coated article with transparent conductive oxide (TCO) coating for use in a semiconductor device
US20070193624A1 (en) * 2006-02-23 2007-08-23 Guardian Industries Corp. Indium zinc oxide based front contact for photovoltaic device and method of making same
US7557053B2 (en) * 2006-03-13 2009-07-07 Guardian Industries Corp. Low iron high transmission float glass for solar cell applications and method of making same
US8648252B2 (en) * 2006-03-13 2014-02-11 Guardian Industries Corp. Solar cell using low iron high transmission glass and corresponding method
US20080047602A1 (en) * 2006-08-22 2008-02-28 Guardian Industries Corp. Front contact with high-function TCO for use in photovoltaic device and method of making same
US20080047603A1 (en) * 2006-08-24 2008-02-28 Guardian Industries Corp. Front contact with intermediate layer(s) adjacent thereto for use in photovoltaic device and method of making same
US20080178932A1 (en) * 2006-11-02 2008-07-31 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US8203073B2 (en) * 2006-11-02 2012-06-19 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105299A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode with thin metal film layer and high work-function buffer layer for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105293A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8012317B2 (en) * 2006-11-02 2011-09-06 Guardian Industries Corp. Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105298A1 (en) * 2006-11-02 2008-05-08 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
WO2008063305A2 (en) * 2006-11-02 2008-05-29 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8076571B2 (en) * 2006-11-02 2011-12-13 Guardian Industries Corp. Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8334452B2 (en) * 2007-01-08 2012-12-18 Guardian Industries Corp. Zinc oxide based front electrode doped with yttrium for use in photovoltaic device or the like
US20080169021A1 (en) * 2007-01-16 2008-07-17 Guardian Industries Corp. Method of making TCO front electrode for use in photovoltaic device or the like
US20080223430A1 (en) * 2007-03-14 2008-09-18 Guardian Industries Corp. Buffer layer for front electrode structure in photovoltaic device or the like
US20080223436A1 (en) * 2007-03-15 2008-09-18 Guardian Industries Corp. Back reflector for use in photovoltaic device
US7888594B2 (en) * 2007-11-20 2011-02-15 Guardian Industries Corp. Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index
US20090194155A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same
US20090194157A1 (en) * 2008-02-01 2009-08-06 Guardian Industries Corp. Front electrode having etched surface for use in photovoltaic device and method of making same

Also Published As

Publication number Publication date
WO2009064331A2 (en) 2009-05-22
EP2218105A2 (en) 2010-08-18
BRPI0820070A2 (pt) 2019-09-24
WO2009064331A3 (en) 2010-06-24
US20080302414A1 (en) 2008-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SA08290722B1 (ar) إلكترود أمامي للاستخدام في جهاز ڤٌلطائي ضوئي وطريقة لتصنيعه
RU2435250C2 (ru) Фронтальный контакт с тсо с высокой работой выхода для применения в фотоэлектрическом устройстве и способ его получения
RU2413333C2 (ru) Передний контакт на основе оксида индия-цинка для фотоэлектрического прибора и способ его изготовления
US8076571B2 (en) Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US8203073B2 (en) Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US7964788B2 (en) Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US7888594B2 (en) Photovoltaic device including front electrode having titanium oxide inclusive layer with high refractive index
EP2494607B1 (en) Polarization resistant solar cell
US20080105302A1 (en) Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080105298A1 (en) Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
US20080047603A1 (en) Front contact with intermediate layer(s) adjacent thereto for use in photovoltaic device and method of making same
US11309445B2 (en) Thin-film photovoltaic cell series structure and preparation process of thin-film photovoltaic cell series structure
US20170162731A1 (en) Photovoltaic module
WO2008063305A2 (en) Front electrode for use in photovoltaic device and method of making same
JP5409675B2 (ja) 薄膜太陽電池およびその製造方法
JPH05145095A (ja) 光起電力素子
JP5935047B2 (ja) 太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽電池の製造方法
JP6191995B2 (ja) 太陽電池モジュール
CN115347056A (zh) 太阳能电池
KR20140007032A (ko) 박막 태양전지 모듈
WO2014151514A1 (en) Photovoltaic device with a zinc oxide layer and method of formation