RU98121225A - Катод для распыления или электродугового испарения (варианты) и устройство для покрытия или ионной имплантации подложек - Google Patents

Катод для распыления или электродугового испарения (варианты) и устройство для покрытия или ионной имплантации подложек

Info

Publication number
RU98121225A
RU98121225A RU98121225/09A RU98121225A RU98121225A RU 98121225 A RU98121225 A RU 98121225A RU 98121225/09 A RU98121225/09 A RU 98121225/09A RU 98121225 A RU98121225 A RU 98121225A RU 98121225 A RU98121225 A RU 98121225A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
cathode
evaporated
parallel
sides
magnetic field
Prior art date
Application number
RU98121225/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2168233C2 (ru
Inventor
Ричард П. Велти
Original Assignee
Вэйпор Текнолоджиз Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Вэйпор Текнолоджиз Инк. filed Critical Вэйпор Текнолоджиз Инк.
Publication of RU98121225A publication Critical patent/RU98121225A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2168233C2 publication Critical patent/RU2168233C2/ru
Priority claimed from CA002385393A external-priority patent/CA2385393A1/en

Links

Claims (26)

1. Катод для распыления или электродугового испарения, имеющий форму стержня прямоугольного поперечного сечения, отличающийся тем, что длина стержня больше любого размера прямоугольного поперечного сечения, внешняя поверхность катода имеет четыре стороны и два корца, четыре стороны содержат первую пару параллельных сторон и вторую пару параллельных сторон, а так же испаряемую поверхность, содержащую по меньшей мере один материал, подлежащий испарению, при этом испаряемая поверхность составлена из обоих компонентов первой параллельной пары сторон и обоих торцов катода, испаряемая поверхность имеет две кромки, причем каждая кромка определяется пересечением испаряемой поверхности с одной из параллельных сторон второй пары, а средство генерации магнитного поля выполнено с возможностью создания вблизи испаряемой поверхности магнитного поля, причем магнитное поле представлено линиями магнитной индукции, магнитное поле имеет составляющую по всей испаряемой поверхности, которая параллельна испаряемой поверхности и перпендикулярна второй паре параллельных сторон катода, магнитное поле действует с возможностью направления распыляющейся плазмы или по меньшей мере одного активного пятна дугового разряда на испаряемую поверхность по траектории замкнутого контура вокруг периферии упомянутого катода с возможностью испарения упомянутого материала, подлежащего испарению, с испаряемой поверхности, средство бокового удержания выполнено с возможностью удержания распыляющейся плазмы или по меньшей мере одного активного пятна дугового разряда по бокам между кромками испаряемой поверхности и выполнено с возможностью эмиссии паров материала, подлежащего испарению, причем пары испускаются в направлениях, перпендикулярных испаряемой поверхности.
2. Катод по п. 1, отличающийся тем, что длина катода равна по меньшей мере 4-кратному любому измерению поперечного сечения.
3. Катод по п. 1, отличающийся тем, что длина катода равна по меньшей мере 10-кратному любому измерению поперечного сечения.
4. Катод по п. 1, отличающийся тем, что магнитная индукция параллельной составляющей магнитного поля составляет 1 - 100 Гс.
5. Катод по п. 1, отличающийся тем, что магнитная индукция параллельной составляющей магнитного поля составляет 100 - 1000 Гс.
6. Катод по п. 1, отличающийся тем, что магнитная индукция параллельной составляющей магнитного поля составляет 400 - 2000 Гс.
7. Катод по п. 1, отличающийся тем, что средство генерации магнитного поля содержит по меньшей мере одну катушку электромагнита, имеющую центральную ось, причем магнитное поле, созданное катушкой, имеет линии магнитной индукции, параллельные центральной оси по меньшей мере в центральной области катушки, и катушка располагается так, чтобы центральная ось была перпендикулярна второй паре параллельных сторон катода и так, чтобы вся испаряемая поверхность была локализована в пределах центральной области.
8. Катод по п. 1, отличающийся тем, что средство генерации магнитного поля содержит по меньшей мере две катушки электромагнита, причем каждая имеет центральную ось, при этом катушки расположены соосно с двух сторон катода так, чтобы центральные оси были перпендикулярны второй паре параллельных сторон катода, а магнитное поле, созданное катушками, имеет составляющие, параллельные испаряемой поверхности по всей испаряемой поверхности.
9. Катод по п. 1, отличающийся тем, что средство генерации магнитного поля содержит множество постоянных магнитов, установленных на полюсных наконечниках, обладающих магнитной проницаемостью, при этом полюсные наконечники содержат по меньшей мере два боковых полюсных наконечника и по меньшей мере один центральный полюсной наконечник, причем боковые полюсные наконечники располагаются параллельно второй паре параллельных сторон катода и на каждой стороне испаряемой поверхности, а центральные полюсные наконечники располагаются между боковыми полюсными наконечниками и проходят по меньшей мере через одно отверстие сквозь катод, причем отверстие перпендикулярно второй паре параллельных сторон и отсутствует с какой-либо частью испаряемой поверхности, при этом постоянные магниты содержат по меньшей мере два набора магнитов, причем по меньшей мере один из наборов магнитов устанавливается смежно к испаряемой поверхности на каждом из боковых полюсных наконечников, направление намагниченности магнитов перпендикулярно боковым полюсным наконечникам и параллельно испаряемой поверхности, упомянутые магниты в каждом наборе расположены на боковом полюсном наконечнике в матрице вокруг периферии испаряемой поверхности, при этом магниты и полюсные наконечники составляют магнитную цепь, имеющую межполюсной зазор, параллельный испаряемой поверхности и проходящий по всей испаряемой поверхности, а центральный полюсной наконечник выполнен с возможностью обеспечения замыкания контура силовых линий между боковыми полюсными наконечниками для магнитного потока, создаваемого в межполюсном зазоре, магнитная цепь выполнена с возможностью создания в пределах межполюсного зазора магнитного поля, которое имеет составляющую, параллельную испаряемой поверхности в каждой точке на испаряемой поверхности.
10. Катод про п. 1, отличающийся тем, что средство генерации магнитного поля содержит множество постоянных магнитов, установленных по меньшей мере на одном центральном полюсном наконечнике, обладающем магнитной проницаемостью, а боковой полюсной наконечник располагается параллельно испаряемой поверхности и проходит, по меньшей мере, через одно отверстие сквозь катод, причем отверстие расположено в плоскости, перпендикулярной второй паре параллельных сторон и отсутствует пересечение этой плоскости с какой-либо частью испаряемой поверхности, постоянные магниты содержат по меньшей мере два набора магнитов, причем по меньшей мере один из наборов магнитов устанавливается вокруг периферии центрального полюсного наконечника на противоположных сторонах катода и смежно к каждой из параллельных сторон второй пары, причем направление намагниченности магнитов параллельно второй паре параллельных сторон и противоположно между наборами магнитов на противоположных сторонах катода, магниты и полюсные наконечники составляют магнитную цепь, имеющую межполюсной зазор между наборами магнитов с противоположных сторон катода, при этом центральный полюсной наконечник обеспечивает замыкание силовых линий между магнитами для потока, созданного в межполюсном зазоре, а магнитная цепь выполнена с возможностью создания в пределах межполюсного зазора магнитного поля, имеющего составляющую, параллельную испаряемой поверхности по всей испаряемой поверхности.
11. Катод по п. 1, отличающийся тем, что средство бокового удержания содержит магнитное средство, выполненное с возможностью создания перпендикулярных составляющих магнитного поля на испаряемой поверхности, и добавления перпендикулярных составляющих к параллельной составляющей и получения результирующей кривизны магнитного поля вблизи испаряемой поверхности, при этом кривизна содержит выпукло изогнутый канал линий магнитной индукции в области по всей испаряемой поверхности, а магнитный канал функционирует с возможностью направления распыляющейся плазмы или по меньшей мере одного активного пятна дугового разряда на испаряемой поверхности по траектории замкнутого контура вокруг периферии катода и для удержания распыляющейся плазмы или активного пятна дуги от ухода по бокам с испаряемой поверхности.
12. Катод по п. 1, отличающийся тем, что средство Сокового удержания содержит выступы на обеих кромках испаряемой поверхности, выступы имеют стенки, протягивающиеся наружу от испаряемой поверхности и электрически соединенные с катодом, стенки протягиваются на расстояние по меньшей мере 2 мм над испаряемой поверхностью, по меньшей мере часть линий магнитной индукции над испаряемой поверхностью проходит через стенки, а выступы выполнены с возможностью предотвращения диффузии распыляющейся плазмы с боков с испаряемой поверхности по линиям магнитной индукции.
13. Катод по п. 1, отличающийся тем, что средство бокового удержания содержит по меньшей мере два боковых электрода, расположенных смежно к кромкам испаряемой поверхности, при этом электроды имеют стенки, протягивающиеся наружу от испаряемой поверхности и электрически изолированные от катода, упомянутые стенки протягиваются на расстояние по меньшей мере 2 мм над испаряемой поверхностью, между боковыми электродами отсутствует электрическая связь с катодом или на них подается электрическое смещение по напряжению, которое выше потенциала катода, по меньшей мере часть линий магнитной индукции над испаряемой поверхностью проходит через стенки, боковые электроды выполнены с возможностью предотвращения диффузии распыляющейся плазмы по бокам с испаряемой поверхности по линиям магнитной индукции.
14. Катод по п. 1, отличающийся тем, что средство бокового удержания содержит изолятор, расположенный смежно к обеим кромкам испаряемой поверхности, при этом изолятор выполнен с возможностью предотвращения ухода активного пятна дугового разряда с испаряемой поверхности.
15. Катод по п. 1, отличающийся тем, что средство бокового удержания содержит выступы на обеих кромках испаряемой поверхности, при этом выступы имеют стенки, протягивающиеся наружу от испаряемой поверхности и электрически соединенные с катодом, при этом стенки протягиваются на расстояние по меньшей мере 2 мм над испаряемой поверхностью, по меньшей мере часть линий магнитной индукции над испаряемой поверхностью проходит через стенки, а выступы, выполнены с возможностью предотвращения ухода активных пятен дуги по бокам с испаряемой поверхности.
16. Катод по п. 1, отличающийся тем, что содержит стыковое устройство, по меньшей мере, из двух прямоугольных стержней, по меньшей мере, из двух материалов, подлежащих испарению.
17. Катод по п. 1, отличающийся тем, что содержит крепежное средство и испаряемый элемент, который содержит множество сменных элементов, установленных по всей периферии крепежного средства, при этом сменные элементы содержат, по меньшей мере, один материал, подлежащий испарению, а испаряемая поверхность содержит сменные элементы.
18. Катод по п. 17, отличающийся тем, что сменные элементы содержат, по меньшей мере, два различных материала, подлежащих испарению.
19. Устройство для покрытия или ионной имплантации подложек, содержащее вакуумную камеру, насос, анод, источник питания, отличающееся тем, что содержит, по меньшей мере один катод по п. 1, и средство крепления подложек.
20. Устройство по п. 19, отличающееся тем, что средство крепления подложек содержит множество крепежных шпинделей, которые расположены в круговой матрице вокруг катода, при этом круговая матрица шпинделей имеет средство для вращения вокруг центра матрицы, а каждый из упомянутых шпинделей имеет средство для вращения вокруг его собственной оси.
21. Устройство по п. 19, отличающееся тем, что средство крепления подложек содержит множество крепежных шпинделей, при этом каждый шпиндель содержит средство для крепления множества подложек, подлежащих покрытию или имплантации, а упомянутые шпиндели расположены, по меньшей мере, в 2 линейных матрицах, по меньшей мере, одна из линейных матриц обращена к каждой из упомянутой первой пары параллельных сторон катода, причем линейные матрицы имеют средство для перемещения в направлении, параллельном первой паре параллельных сторон и перпендикулярном к длине катода, причем каждый из шпинделей имеет средство для вращения вокруг своей собственной оси.
22. Катод для распыления или электродугового испарения с прямоугольным поперечным сечением, отличающийся тем, что имеет длину больше любого размера прямоугольного сечения, четыре стороны и два торца, при этом четыре стороны содержат первую пару параллельных сторон и вторую пару параллельных сторон.
23. Катод по п. 22, отличающийся тем, что содержит испаряемую поверхность, содержащую по меньшей мере один испаряемый материал, а испаряемая поверхность содержит первую пару параллельных сторон и два торца.
24. Катод по п. 23, отличающийся тем, что испаряемая поверхность имеет две кромки, причем каждая кромка задается пересечением испаряемой поверхности с одной из параллельных сторон второй пары.
25. катод по п. 24, отличающийся тем, что включает средство бокового удержания для удержания распыляющейся плазмы или по меньшей мере одного активного пятна дуги по бокам между кромками испаряемой поверхности.
26. Катод по п. 25, отличающийся тем, что включает средство генерации магнитного поля для создания магнитного поля вблизи испаряемой поверхности, представляемое линиями магнитной индукции и имеющее составляющую по всей испаряемой поверхности, которая параллельна испаряемой поверхности и перпендикулярна второй паре параллельных сторон катода, при этом магнитное поле выполнено с возможностью направления распыляющейся плазмы или по меньшей мере одного активного пятна дугового разряда на испаряемую поверхность по траектории замкнутого контура вокруг периферии катода с возможностью испарения материала, подлежащего испарению, с испаряемой поверхности.
RU98121225/09A 1997-11-26 1998-11-25 Катод для распыления или электродугового испарения (варианты) и устройство для покрытия или ионной имплантации подложек RU2168233C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US97910097A 1997-11-26 1997-11-26
US08/979,100 1997-11-26
CA002385393A CA2385393A1 (en) 1997-11-26 2002-05-06 Linear magnetron arc evaporation or sputtering source

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU98121225A true RU98121225A (ru) 2000-09-20
RU2168233C2 RU2168233C2 (ru) 2001-05-27

Family

ID=32714129

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU98121225/09A RU2168233C2 (ru) 1997-11-26 1998-11-25 Катод для распыления или электродугового испарения (варианты) и устройство для покрытия или ионной имплантации подложек

Country Status (13)

Country Link
US (1) US6350356B1 (ru)
JP (1) JP4253385B2 (ru)
AU (1) AU9410498A (ru)
BR (1) BR9816084B1 (ru)
CA (1) CA2254677C (ru)
DE (1) DE19853943B4 (ru)
FR (1) FR2772185B1 (ru)
GB (1) GB2331768B (ru)
IL (1) IL127236A0 (ru)
IT (1) IT1302881B1 (ru)
PL (1) PL329905A1 (ru)
RU (1) RU2168233C2 (ru)
TW (1) TW404986B (ru)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6679977B2 (en) * 1997-12-17 2004-01-20 Unakis Trading Ag Method of producing flat panels
US6093293A (en) * 1997-12-17 2000-07-25 Balzers Hochvakuum Ag Magnetron sputtering source
US6585870B1 (en) 2000-04-28 2003-07-01 Honeywell International Inc. Physical vapor deposition targets having crystallographic orientations
US20090090617A1 (en) * 2005-07-14 2009-04-09 Giauque Pierre H Method and Apparatus for Producing Controlled Stresses and Stress Gradients in Sputtered Films
US20070026205A1 (en) * 2005-08-01 2007-02-01 Vapor Technologies Inc. Article having patterned decorative coating
US7498587B2 (en) * 2006-05-01 2009-03-03 Vapor Technologies, Inc. Bi-directional filtered arc plasma source
BRPI0711644B1 (pt) 2006-05-16 2019-03-19 Oerlikon Trading Ag, Trübbach Fonte de arco voltaico com um alvo e processo para a produção de peças revestidas por arco voltaico
US7857948B2 (en) * 2006-07-19 2010-12-28 Oerlikon Trading Ag, Trubbach Method for manufacturing poorly conductive layers
DE102007009615A1 (de) 2007-02-26 2008-08-28 Leybold Optics Gmbh Anlage und Verfahren zur Vakuumbehandlung von bandförmigen Substraten
DE102007019981B4 (de) * 2007-04-23 2011-04-14 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Anode für die Bildung eines Plasmas durch Ausbildung elektrischer Bogenentladungen
US7772571B2 (en) 2007-10-08 2010-08-10 Advanced Ion Beam Technology, Inc. Implant beam utilization in an ion implanter
WO2009052544A1 (en) * 2007-10-26 2009-04-30 Steven Arnold Sesselmann Ion implantation device
EP2081212B1 (en) * 2008-01-16 2016-03-23 Applied Materials, Inc. Double-Coating Device with one Process Chamber
US9175383B2 (en) 2008-01-16 2015-11-03 Applied Materials, Inc. Double-coating device with one process chamber
WO2009131737A1 (en) * 2008-04-22 2009-10-29 The Regents Of The University Of California Method and apparatus for improved high power impulse magnetron sputtering
US9153422B2 (en) * 2011-08-02 2015-10-06 Envaerospace, Inc. Arc PVD plasma source and method of deposition of nanoimplanted coatings
CA2846177C (en) 2013-03-15 2019-09-17 Vapor Technologies, Inc. Low pressure arc plasma immersion coating vapor deposition and ion treatment
DE102013206210B4 (de) * 2013-04-09 2017-05-04 Von Ardenne Gmbh Vakuumbeschichtungsvorrichtung und Verfahren zur Mehrfachbeschichtung
RU2532779C1 (ru) * 2013-04-19 2014-11-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) Способ и устройство для ускоренного азотирования деталей машин с использованием импульсов электромагнитного поля
AT13830U1 (de) * 2013-04-22 2014-09-15 Plansee Se Lichtbogenverdampfungs-Beschichtungsquelle
UA86105U (ru) * 2013-07-09 2013-12-10 Общество С Ограниченной Ответственностью "Грэсэм Иновейшн" Плазменно-дуговое УСТРОЙСТВО ФОРМИРОВАНИЯ ПОКРЫТИЙ
CA2867451C (en) 2013-10-28 2021-06-29 Vapor Technologies, Inc. Low pressure arc plasma immersion coating vapor deposition and ion treatment
JP6403269B2 (ja) * 2014-07-30 2018-10-10 株式会社神戸製鋼所 アーク蒸発源
DE102015004856A1 (de) * 2015-04-15 2016-10-20 Oerlikon Metaplas Gmbh Bipolares Arc-Beschichtungsverfahren
JP6946410B2 (ja) * 2016-07-12 2021-10-06 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated スパッタ堆積源、スパッタ堆積装置及びスパッタ堆積源を操作する方法
US11322338B2 (en) * 2017-08-31 2022-05-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Sputter target magnet
US11053670B2 (en) 2018-08-23 2021-07-06 Spectrum Brands, Inc. Faucet spray head alignment system
MX2021001061A (es) 2018-08-23 2021-05-27 Spectrum Brands Inc Sistema de alineacion de cabezal de rociado de grifo.
RU2685828C1 (ru) * 2018-09-26 2019-04-23 Акционерное общество "Научно-производственное объединение "Центральный научно-исследовательский институт технологии машиностроения", АО "НПО "ЦНИИТМАШ" Устройство для нанесения покрытия вакуумно-дуговым испарением
CN114823252B (zh) * 2022-04-29 2023-07-14 电子科技大学 一种基于冷阴极的双向多注行波级联放大器

Family Cites Families (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3793179A (en) * 1971-07-19 1974-02-19 L Sablev Apparatus for metal evaporation coating
GB1391842A (en) * 1971-08-04 1975-04-23 Elektromat Veb Apparatus for coating substrates by cathode sputtering and for cleaning by ion bombardment in the same vacuum vessel
US4031424A (en) * 1971-09-07 1977-06-21 Telic Corporation Electrode type glow discharge apparatus
US3783231A (en) 1972-03-22 1974-01-01 V Gorbunov Apparatus for vacuum-evaporation of metals under the action of an electric arc
CH551498A (de) * 1972-05-09 1974-07-15 Balzers Patent Beteilig Ag Anordnung zur aufstaeubung von stoffen auf unterlagen mittels einer elektrischen niederspannungsentladung.
US4116806A (en) 1977-12-08 1978-09-26 Battelle Development Corporation Two-sided planar magnetron sputtering apparatus
SU711787A1 (ru) * 1978-06-17 1980-10-07 Предприятие П/Я В-8851 Электродуговой испаритель металлов
US4162954A (en) * 1978-08-21 1979-07-31 Vac-Tec Systems, Inc. Planar magnetron sputtering device
US4194962A (en) * 1978-12-20 1980-03-25 Advanced Coating Technology, Inc. Cathode for sputtering
GB2058142B (en) * 1979-07-31 1983-08-10 Nordiko Ltd Sputtering electrodes
US4457825A (en) * 1980-05-16 1984-07-03 Varian Associates, Inc. Sputter target for use in a sputter coating source
US4404077A (en) 1981-04-07 1983-09-13 Fournier Paul R Integrated sputtering apparatus and method
US4428259A (en) * 1981-07-28 1984-01-31 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Fail safe automatic transmission lock up clutch control system
GB2110719B (en) * 1981-11-30 1985-10-30 Anelva Corp Sputtering apparatus
US4486289A (en) * 1982-02-05 1984-12-04 University Of British Columbia, Canada Planar magnetron sputtering device
CH646459A5 (de) * 1982-03-22 1984-11-30 Balzers Hochvakuum Rechteckige targetplatte fuer kathodenzerstaeubungsanlagen.
AT376460B (de) * 1982-09-17 1984-11-26 Kljuchko Gennady V Plasmalichtbogeneinrichtung zum auftragen von ueberzuegen
US4581118A (en) 1983-01-26 1986-04-08 Materials Research Corporation Shaped field magnetron electrode
JPS59200761A (ja) * 1983-04-28 1984-11-14 Toshiba Corp スパツタリングタ−ゲツト支持装置
US4559121A (en) 1983-09-12 1985-12-17 Vac-Tec Systems, Inc. Method and apparatus for evaporation arc stabilization for permeable targets
US4515675A (en) 1983-07-06 1985-05-07 Leybold-Heraeus Gmbh Magnetron cathode for cathodic evaportion apparatus
US4448659A (en) * 1983-09-12 1984-05-15 Vac-Tec Systems, Inc. Method and apparatus for evaporation arc stabilization including initial target cleaning
DE3429988A1 (de) * 1983-12-05 1985-06-13 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Magnetronkatode zum zerstaeuben ferromagnetischer targets
US4478702A (en) * 1984-01-17 1984-10-23 Ppg Industries, Inc. Anode for magnetic sputtering apparatus
US4600489A (en) 1984-01-19 1986-07-15 Vac-Tec Systems, Inc. Method and apparatus for evaporation arc stabilization for non-permeable targets utilizing permeable stop ring
US4673477A (en) * 1984-03-02 1987-06-16 Regents Of The University Of Minnesota Controlled vacuum arc material deposition, method and apparatus
US4724058A (en) * 1984-08-13 1988-02-09 Vac-Tec Systems, Inc. Method and apparatus for arc evaporating large area targets
CH664768A5 (de) * 1985-06-20 1988-03-31 Balzers Hochvakuum Verfahren zur beschichtung von substraten in einer vakuumkammer.
DE3527626A1 (de) * 1985-08-01 1987-02-05 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Zerstaeubungskatode nach dem magnetronprinzip
US4717968A (en) * 1985-09-16 1988-01-05 Eastman Kodak Company Video player with power-down capability
FR2596920A1 (fr) * 1986-04-03 1987-10-09 Saint Roch Sa Glaceries Cathode de pulverisation
US5215640A (en) 1987-02-03 1993-06-01 Balzers Ag Method and arrangement for stabilizing an arc between an anode and a cathode particularly for vacuum coating devices
NL8700620A (nl) * 1987-03-16 1988-10-17 Hauzer Holding Kathode boogverdampingsinrichting alsmede werkwijze voor het bedrijven daarvan.
DE4017111C2 (de) * 1990-05-28 1998-01-29 Hauzer Holding Lichtbogen-Magnetron-Vorrichtung
US4812217A (en) * 1987-04-27 1989-03-14 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Method and apparatus for feeding and coating articles in a controlled atmosphere
FR2619247A1 (fr) * 1987-08-05 1989-02-10 Realisations Nucleaires Et Implanteur d'ions metalliques
JPH01290765A (ja) * 1988-05-16 1989-11-22 Toshiba Corp スパッタリングターゲット
US4892633A (en) * 1988-11-14 1990-01-09 Vac-Tec Systems, Inc. Magnetron sputtering cathode
US4915805A (en) * 1988-11-21 1990-04-10 At&T Bell Laboratories Hollow cathode type magnetron apparatus construction
EP0462902B1 (en) * 1990-06-20 1996-09-18 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Process and apparatus for preparing superconducting thin films.
DE4042286C1 (ru) 1990-12-31 1992-02-06 Leybold Ag, 6450 Hanau, De
US5269898A (en) * 1991-03-20 1993-12-14 Vapor Technologies, Inc. Apparatus and method for coating a substrate using vacuum arc evaporation
AU664995B2 (en) * 1991-04-19 1995-12-14 Surface Solutions, Incorporated Method and apparatus for linear magnetron sputtering
GB9108553D0 (en) * 1991-04-22 1991-06-05 Ion Coat Ltd Ionised vapour source
US5451308A (en) * 1991-04-29 1995-09-19 Novatech Electric arc metal evaporator
US5364518A (en) * 1991-05-28 1994-11-15 Leybold Aktiengesellschaft Magnetron cathode for a rotating target
DE4123274C2 (de) 1991-07-13 1996-12-19 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten von Bauteilen bzw. Formteilen durch Kathodenzerstäubung
FR2680799B1 (fr) * 1991-09-03 1993-10-29 Elf Aquitaine Ste Nale Element de cible pour pulverisation cathodique, procede de preparation dudit element et cibles, notamment de grande surface, realisees a partir de cet element.
US5482611A (en) * 1991-09-30 1996-01-09 Helmer; John C. Physical vapor deposition employing ion extraction from a plasma
DE4135939A1 (de) 1991-10-31 1993-05-06 Leybold Ag, 6450 Hanau, De Zerstaeubungskathode
JP3025095B2 (ja) * 1992-03-25 2000-03-27 三菱重工業株式会社 長尺電子ビーム発生装置
US5277779A (en) 1992-04-14 1994-01-11 Henshaw William F Rectangular cavity magnetron sputtering vapor source
US5262028A (en) 1992-06-01 1993-11-16 Sierra Applied Sciences, Inc. Planar magnetron sputtering magnet assembly
JP3365643B2 (ja) * 1992-07-06 2003-01-14 株式会社神戸製鋼所 イオン注入装置
EP0584768B1 (en) 1992-08-24 1999-08-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for making soft magnetic film
DE4230291C2 (de) 1992-09-10 1999-11-04 Leybold Ag Mikrowellenunterstützte Zerstäubungsanordnung
US5380421A (en) 1992-11-04 1995-01-10 Gorokhovsky; Vladimir I. Vacuum-arc plasma source
JP2970317B2 (ja) * 1993-06-24 1999-11-02 松下電器産業株式会社 スパッタリング装置及びスパッタリング方法
US5407551A (en) * 1993-07-13 1995-04-18 The Boc Group, Inc. Planar magnetron sputtering apparatus
US5480527A (en) 1994-04-25 1996-01-02 Vapor Technologies, Inc. Rectangular vacuum-arc plasma source
DE19537267C1 (de) * 1994-10-19 1996-07-04 Grc Glass Refining Center Ges Verfahren zum Aufbringen von dünnen farbigen Schichten auf Substrate mit gekrümmten Oberflächen, insbesondere auf rotationssymmetrische Substrate, sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US5587207A (en) * 1994-11-14 1996-12-24 Gorokhovsky; Vladimir I. Arc assisted CVD coating and sintering method
US5597459A (en) 1995-02-08 1997-01-28 Nobler Technologies, Inc. Magnetron cathode sputtering method and apparatus
US5518597A (en) * 1995-03-28 1996-05-21 Minnesota Mining And Manufacturing Company Cathodic arc coating apparatus and method
US5589039A (en) 1995-07-28 1996-12-31 Sony Corporation In-plane parallel bias magnetic field generator for sputter coating magnetic materials onto substrates
US5804041A (en) 1996-06-10 1998-09-08 Sony Corporation Method and apparatus for forming a magnetically oriented thin film
US5997705A (en) * 1999-04-14 1999-12-07 Vapor Technologies, Inc. Rectangular filtered arc plasma source

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU98121225A (ru) Катод для распыления или электродугового испарения (варианты) и устройство для покрытия или ионной имплантации подложек
RU2168233C2 (ru) Катод для распыления или электродугового испарения (варианты) и устройство для покрытия или ионной имплантации подложек
US7828946B2 (en) Arc evaporator with a powerful magnetic guide for targets having a large surface area
US6153067A (en) Method for combined treatment of an object with an ion beam and a magnetron plasma with a combined magnetron-plasma and ion-beam source
JP3869680B2 (ja) イオン注入装置
US4915805A (en) Hollow cathode type magnetron apparatus construction
US6224725B1 (en) Unbalanced magnetron sputtering with auxiliary cathode
US20050082493A1 (en) Floating mode ion source
KR20080072037A (ko) 리던던시형 애노드 스퍼터링 방법 및 조립체
JPH11273580A (ja) イオン源
ES2602114T3 (es) Fuentes de pulverización catódica a alta presión con blancos grandes y procedimiento de pulverización catódica
WO2022019130A1 (ja) イオンガン及び真空処理装置
US6242749B1 (en) Ion-beam source with uniform distribution of ion-current density on the surface of an object being treated
US5418348A (en) Electron beam source assembly
GB2368597A (en) Rectangular cathodic arc source and method of steering an arc spot
JP6985570B1 (ja) イオンガン及び真空処理装置
JPH0525625A (ja) マグネトロンスパツタカソード
JP2942301B2 (ja) 電子銃磁界補正用フェンス装置
JP3961158B2 (ja) 電子ビーム蒸発装置
UA44850C2 (uk) Катод для розпилення або електродугового випаровування (варіанти) і пристрій для покривання або іонної імплантації підкладок
CN219861543U (zh) 一种磁控溅射系统
JP2010525172A (ja) 真空内で基板上にコーティングを形成するためのアセンブリ
JP4073158B2 (ja) 電子ビーム装置
KR100397751B1 (ko) 자성체 재료 코팅용 마그네트론 원
RU2074904C1 (ru) Катодный узел для ионно-плазменного нанесения тонких пленок в вакууме