RU98121225A - Катод для распыления или электродугового испарения (варианты) и устройство для покрытия или ионной имплантации подложек - Google Patents
Катод для распыления или электродугового испарения (варианты) и устройство для покрытия или ионной имплантации подложекInfo
- Publication number
- RU98121225A RU98121225A RU98121225/09A RU98121225A RU98121225A RU 98121225 A RU98121225 A RU 98121225A RU 98121225/09 A RU98121225/09 A RU 98121225/09A RU 98121225 A RU98121225 A RU 98121225A RU 98121225 A RU98121225 A RU 98121225A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- cathode
- evaporated
- parallel
- sides
- magnetic field
- Prior art date
Links
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 title claims 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims 6
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 title 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims 11
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims 3
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 150000004291 polyenes Polymers 0.000 claims 1
Claims (26)
1. Катод для распыления или электродугового испарения, имеющий форму стержня прямоугольного поперечного сечения, отличающийся тем, что длина стержня больше любого размера прямоугольного поперечного сечения, внешняя поверхность катода имеет четыре стороны и два корца, четыре стороны содержат первую пару параллельных сторон и вторую пару параллельных сторон, а так же испаряемую поверхность, содержащую по меньшей мере один материал, подлежащий испарению, при этом испаряемая поверхность составлена из обоих компонентов первой параллельной пары сторон и обоих торцов катода, испаряемая поверхность имеет две кромки, причем каждая кромка определяется пересечением испаряемой поверхности с одной из параллельных сторон второй пары, а средство генерации магнитного поля выполнено с возможностью создания вблизи испаряемой поверхности магнитного поля, причем магнитное поле представлено линиями магнитной индукции, магнитное поле имеет составляющую по всей испаряемой поверхности, которая параллельна испаряемой поверхности и перпендикулярна второй паре параллельных сторон катода, магнитное поле действует с возможностью направления распыляющейся плазмы или по меньшей мере одного активного пятна дугового разряда на испаряемую поверхность по траектории замкнутого контура вокруг периферии упомянутого катода с возможностью испарения упомянутого материала, подлежащего испарению, с испаряемой поверхности, средство бокового удержания выполнено с возможностью удержания распыляющейся плазмы или по меньшей мере одного активного пятна дугового разряда по бокам между кромками испаряемой поверхности и выполнено с возможностью эмиссии паров материала, подлежащего испарению, причем пары испускаются в направлениях, перпендикулярных испаряемой поверхности.
2. Катод по п. 1, отличающийся тем, что длина катода равна по меньшей мере 4-кратному любому измерению поперечного сечения.
3. Катод по п. 1, отличающийся тем, что длина катода равна по меньшей мере 10-кратному любому измерению поперечного сечения.
4. Катод по п. 1, отличающийся тем, что магнитная индукция параллельной составляющей магнитного поля составляет 1 - 100 Гс.
5. Катод по п. 1, отличающийся тем, что магнитная индукция параллельной составляющей магнитного поля составляет 100 - 1000 Гс.
6. Катод по п. 1, отличающийся тем, что магнитная индукция параллельной составляющей магнитного поля составляет 400 - 2000 Гс.
7. Катод по п. 1, отличающийся тем, что средство генерации магнитного поля содержит по меньшей мере одну катушку электромагнита, имеющую центральную ось, причем магнитное поле, созданное катушкой, имеет линии магнитной индукции, параллельные центральной оси по меньшей мере в центральной области катушки, и катушка располагается так, чтобы центральная ось была перпендикулярна второй паре параллельных сторон катода и так, чтобы вся испаряемая поверхность была локализована в пределах центральной области.
8. Катод по п. 1, отличающийся тем, что средство генерации магнитного поля содержит по меньшей мере две катушки электромагнита, причем каждая имеет центральную ось, при этом катушки расположены соосно с двух сторон катода так, чтобы центральные оси были перпендикулярны второй паре параллельных сторон катода, а магнитное поле, созданное катушками, имеет составляющие, параллельные испаряемой поверхности по всей испаряемой поверхности.
9. Катод по п. 1, отличающийся тем, что средство генерации магнитного поля содержит множество постоянных магнитов, установленных на полюсных наконечниках, обладающих магнитной проницаемостью, при этом полюсные наконечники содержат по меньшей мере два боковых полюсных наконечника и по меньшей мере один центральный полюсной наконечник, причем боковые полюсные наконечники располагаются параллельно второй паре параллельных сторон катода и на каждой стороне испаряемой поверхности, а центральные полюсные наконечники располагаются между боковыми полюсными наконечниками и проходят по меньшей мере через одно отверстие сквозь катод, причем отверстие перпендикулярно второй паре параллельных сторон и отсутствует с какой-либо частью испаряемой поверхности, при этом постоянные магниты содержат по меньшей мере два набора магнитов, причем по меньшей мере один из наборов магнитов устанавливается смежно к испаряемой поверхности на каждом из боковых полюсных наконечников, направление намагниченности магнитов перпендикулярно боковым полюсным наконечникам и параллельно испаряемой поверхности, упомянутые магниты в каждом наборе расположены на боковом полюсном наконечнике в матрице вокруг периферии испаряемой поверхности, при этом магниты и полюсные наконечники составляют магнитную цепь, имеющую межполюсной зазор, параллельный испаряемой поверхности и проходящий по всей испаряемой поверхности, а центральный полюсной наконечник выполнен с возможностью обеспечения замыкания контура силовых линий между боковыми полюсными наконечниками для магнитного потока, создаваемого в межполюсном зазоре, магнитная цепь выполнена с возможностью создания в пределах межполюсного зазора магнитного поля, которое имеет составляющую, параллельную испаряемой поверхности в каждой точке на испаряемой поверхности.
10. Катод про п. 1, отличающийся тем, что средство генерации магнитного поля содержит множество постоянных магнитов, установленных по меньшей мере на одном центральном полюсном наконечнике, обладающем магнитной проницаемостью, а боковой полюсной наконечник располагается параллельно испаряемой поверхности и проходит, по меньшей мере, через одно отверстие сквозь катод, причем отверстие расположено в плоскости, перпендикулярной второй паре параллельных сторон и отсутствует пересечение этой плоскости с какой-либо частью испаряемой поверхности, постоянные магниты содержат по меньшей мере два набора магнитов, причем по меньшей мере один из наборов магнитов устанавливается вокруг периферии центрального полюсного наконечника на противоположных сторонах катода и смежно к каждой из параллельных сторон второй пары, причем направление намагниченности магнитов параллельно второй паре параллельных сторон и противоположно между наборами магнитов на противоположных сторонах катода, магниты и полюсные наконечники составляют магнитную цепь, имеющую межполюсной зазор между наборами магнитов с противоположных сторон катода, при этом центральный полюсной наконечник обеспечивает замыкание силовых линий между магнитами для потока, созданного в межполюсном зазоре, а магнитная цепь выполнена с возможностью создания в пределах межполюсного зазора магнитного поля, имеющего составляющую, параллельную испаряемой поверхности по всей испаряемой поверхности.
11. Катод по п. 1, отличающийся тем, что средство бокового удержания содержит магнитное средство, выполненное с возможностью создания перпендикулярных составляющих магнитного поля на испаряемой поверхности, и добавления перпендикулярных составляющих к параллельной составляющей и получения результирующей кривизны магнитного поля вблизи испаряемой поверхности, при этом кривизна содержит выпукло изогнутый канал линий магнитной индукции в области по всей испаряемой поверхности, а магнитный канал функционирует с возможностью направления распыляющейся плазмы или по меньшей мере одного активного пятна дугового разряда на испаряемой поверхности по траектории замкнутого контура вокруг периферии катода и для удержания распыляющейся плазмы или активного пятна дуги от ухода по бокам с испаряемой поверхности.
12. Катод по п. 1, отличающийся тем, что средство Сокового удержания содержит выступы на обеих кромках испаряемой поверхности, выступы имеют стенки, протягивающиеся наружу от испаряемой поверхности и электрически соединенные с катодом, стенки протягиваются на расстояние по меньшей мере 2 мм над испаряемой поверхностью, по меньшей мере часть линий магнитной индукции над испаряемой поверхностью проходит через стенки, а выступы выполнены с возможностью предотвращения диффузии распыляющейся плазмы с боков с испаряемой поверхности по линиям магнитной индукции.
13. Катод по п. 1, отличающийся тем, что средство бокового удержания содержит по меньшей мере два боковых электрода, расположенных смежно к кромкам испаряемой поверхности, при этом электроды имеют стенки, протягивающиеся наружу от испаряемой поверхности и электрически изолированные от катода, упомянутые стенки протягиваются на расстояние по меньшей мере 2 мм над испаряемой поверхностью, между боковыми электродами отсутствует электрическая связь с катодом или на них подается электрическое смещение по напряжению, которое выше потенциала катода, по меньшей мере часть линий магнитной индукции над испаряемой поверхностью проходит через стенки, боковые электроды выполнены с возможностью предотвращения диффузии распыляющейся плазмы по бокам с испаряемой поверхности по линиям магнитной индукции.
14. Катод по п. 1, отличающийся тем, что средство бокового удержания содержит изолятор, расположенный смежно к обеим кромкам испаряемой поверхности, при этом изолятор выполнен с возможностью предотвращения ухода активного пятна дугового разряда с испаряемой поверхности.
15. Катод по п. 1, отличающийся тем, что средство бокового удержания содержит выступы на обеих кромках испаряемой поверхности, при этом выступы имеют стенки, протягивающиеся наружу от испаряемой поверхности и электрически соединенные с катодом, при этом стенки протягиваются на расстояние по меньшей мере 2 мм над испаряемой поверхностью, по меньшей мере часть линий магнитной индукции над испаряемой поверхностью проходит через стенки, а выступы, выполнены с возможностью предотвращения ухода активных пятен дуги по бокам с испаряемой поверхности.
16. Катод по п. 1, отличающийся тем, что содержит стыковое устройство, по меньшей мере, из двух прямоугольных стержней, по меньшей мере, из двух материалов, подлежащих испарению.
17. Катод по п. 1, отличающийся тем, что содержит крепежное средство и испаряемый элемент, который содержит множество сменных элементов, установленных по всей периферии крепежного средства, при этом сменные элементы содержат, по меньшей мере, один материал, подлежащий испарению, а испаряемая поверхность содержит сменные элементы.
18. Катод по п. 17, отличающийся тем, что сменные элементы содержат, по меньшей мере, два различных материала, подлежащих испарению.
19. Устройство для покрытия или ионной имплантации подложек, содержащее вакуумную камеру, насос, анод, источник питания, отличающееся тем, что содержит, по меньшей мере один катод по п. 1, и средство крепления подложек.
20. Устройство по п. 19, отличающееся тем, что средство крепления подложек содержит множество крепежных шпинделей, которые расположены в круговой матрице вокруг катода, при этом круговая матрица шпинделей имеет средство для вращения вокруг центра матрицы, а каждый из упомянутых шпинделей имеет средство для вращения вокруг его собственной оси.
21. Устройство по п. 19, отличающееся тем, что средство крепления подложек содержит множество крепежных шпинделей, при этом каждый шпиндель содержит средство для крепления множества подложек, подлежащих покрытию или имплантации, а упомянутые шпиндели расположены, по меньшей мере, в 2 линейных матрицах, по меньшей мере, одна из линейных матриц обращена к каждой из упомянутой первой пары параллельных сторон катода, причем линейные матрицы имеют средство для перемещения в направлении, параллельном первой паре параллельных сторон и перпендикулярном к длине катода, причем каждый из шпинделей имеет средство для вращения вокруг своей собственной оси.
22. Катод для распыления или электродугового испарения с прямоугольным поперечным сечением, отличающийся тем, что имеет длину больше любого размера прямоугольного сечения, четыре стороны и два торца, при этом четыре стороны содержат первую пару параллельных сторон и вторую пару параллельных сторон.
23. Катод по п. 22, отличающийся тем, что содержит испаряемую поверхность, содержащую по меньшей мере один испаряемый материал, а испаряемая поверхность содержит первую пару параллельных сторон и два торца.
24. Катод по п. 23, отличающийся тем, что испаряемая поверхность имеет две кромки, причем каждая кромка задается пересечением испаряемой поверхности с одной из параллельных сторон второй пары.
25. катод по п. 24, отличающийся тем, что включает средство бокового удержания для удержания распыляющейся плазмы или по меньшей мере одного активного пятна дуги по бокам между кромками испаряемой поверхности.
26. Катод по п. 25, отличающийся тем, что включает средство генерации магнитного поля для создания магнитного поля вблизи испаряемой поверхности, представляемое линиями магнитной индукции и имеющее составляющую по всей испаряемой поверхности, которая параллельна испаряемой поверхности и перпендикулярна второй паре параллельных сторон катода, при этом магнитное поле выполнено с возможностью направления распыляющейся плазмы или по меньшей мере одного активного пятна дугового разряда на испаряемую поверхность по траектории замкнутого контура вокруг периферии катода с возможностью испарения материала, подлежащего испарению, с испаряемой поверхности.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US97910097A | 1997-11-26 | 1997-11-26 | |
US08/979,100 | 1997-11-26 | ||
CA002385393A CA2385393A1 (en) | 1997-11-26 | 2002-05-06 | Linear magnetron arc evaporation or sputtering source |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU98121225A true RU98121225A (ru) | 2000-09-20 |
RU2168233C2 RU2168233C2 (ru) | 2001-05-27 |
Family
ID=32714129
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU98121225/09A RU2168233C2 (ru) | 1997-11-26 | 1998-11-25 | Катод для распыления или электродугового испарения (варианты) и устройство для покрытия или ионной имплантации подложек |
Country Status (13)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6350356B1 (ru) |
JP (1) | JP4253385B2 (ru) |
AU (1) | AU9410498A (ru) |
BR (1) | BR9816084B1 (ru) |
CA (1) | CA2254677C (ru) |
DE (1) | DE19853943B4 (ru) |
FR (1) | FR2772185B1 (ru) |
GB (1) | GB2331768B (ru) |
IL (1) | IL127236A0 (ru) |
IT (1) | IT1302881B1 (ru) |
PL (1) | PL329905A1 (ru) |
RU (1) | RU2168233C2 (ru) |
TW (1) | TW404986B (ru) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6679977B2 (en) * | 1997-12-17 | 2004-01-20 | Unakis Trading Ag | Method of producing flat panels |
US6093293A (en) * | 1997-12-17 | 2000-07-25 | Balzers Hochvakuum Ag | Magnetron sputtering source |
US6585870B1 (en) | 2000-04-28 | 2003-07-01 | Honeywell International Inc. | Physical vapor deposition targets having crystallographic orientations |
US20090090617A1 (en) * | 2005-07-14 | 2009-04-09 | Giauque Pierre H | Method and Apparatus for Producing Controlled Stresses and Stress Gradients in Sputtered Films |
US20070026205A1 (en) * | 2005-08-01 | 2007-02-01 | Vapor Technologies Inc. | Article having patterned decorative coating |
US7498587B2 (en) * | 2006-05-01 | 2009-03-03 | Vapor Technologies, Inc. | Bi-directional filtered arc plasma source |
BRPI0711644B1 (pt) | 2006-05-16 | 2019-03-19 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Fonte de arco voltaico com um alvo e processo para a produção de peças revestidas por arco voltaico |
US7857948B2 (en) * | 2006-07-19 | 2010-12-28 | Oerlikon Trading Ag, Trubbach | Method for manufacturing poorly conductive layers |
DE102007009615A1 (de) | 2007-02-26 | 2008-08-28 | Leybold Optics Gmbh | Anlage und Verfahren zur Vakuumbehandlung von bandförmigen Substraten |
DE102007019981B4 (de) * | 2007-04-23 | 2011-04-14 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Anode für die Bildung eines Plasmas durch Ausbildung elektrischer Bogenentladungen |
US7772571B2 (en) | 2007-10-08 | 2010-08-10 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Implant beam utilization in an ion implanter |
WO2009052544A1 (en) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | Steven Arnold Sesselmann | Ion implantation device |
EP2081212B1 (en) * | 2008-01-16 | 2016-03-23 | Applied Materials, Inc. | Double-Coating Device with one Process Chamber |
US9175383B2 (en) | 2008-01-16 | 2015-11-03 | Applied Materials, Inc. | Double-coating device with one process chamber |
WO2009131737A1 (en) * | 2008-04-22 | 2009-10-29 | The Regents Of The University Of California | Method and apparatus for improved high power impulse magnetron sputtering |
US9153422B2 (en) * | 2011-08-02 | 2015-10-06 | Envaerospace, Inc. | Arc PVD plasma source and method of deposition of nanoimplanted coatings |
CA2846177C (en) | 2013-03-15 | 2019-09-17 | Vapor Technologies, Inc. | Low pressure arc plasma immersion coating vapor deposition and ion treatment |
DE102013206210B4 (de) * | 2013-04-09 | 2017-05-04 | Von Ardenne Gmbh | Vakuumbeschichtungsvorrichtung und Verfahren zur Mehrfachbeschichtung |
RU2532779C1 (ru) * | 2013-04-19 | 2014-11-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) | Способ и устройство для ускоренного азотирования деталей машин с использованием импульсов электромагнитного поля |
AT13830U1 (de) * | 2013-04-22 | 2014-09-15 | Plansee Se | Lichtbogenverdampfungs-Beschichtungsquelle |
UA86105U (ru) * | 2013-07-09 | 2013-12-10 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Грэсэм Иновейшн" | Плазменно-дуговое УСТРОЙСТВО ФОРМИРОВАНИЯ ПОКРЫТИЙ |
CA2867451C (en) | 2013-10-28 | 2021-06-29 | Vapor Technologies, Inc. | Low pressure arc plasma immersion coating vapor deposition and ion treatment |
JP6403269B2 (ja) * | 2014-07-30 | 2018-10-10 | 株式会社神戸製鋼所 | アーク蒸発源 |
DE102015004856A1 (de) * | 2015-04-15 | 2016-10-20 | Oerlikon Metaplas Gmbh | Bipolares Arc-Beschichtungsverfahren |
JP6946410B2 (ja) * | 2016-07-12 | 2021-10-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | スパッタ堆積源、スパッタ堆積装置及びスパッタ堆積源を操作する方法 |
US11322338B2 (en) * | 2017-08-31 | 2022-05-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Sputter target magnet |
US11053670B2 (en) | 2018-08-23 | 2021-07-06 | Spectrum Brands, Inc. | Faucet spray head alignment system |
MX2021001061A (es) | 2018-08-23 | 2021-05-27 | Spectrum Brands Inc | Sistema de alineacion de cabezal de rociado de grifo. |
RU2685828C1 (ru) * | 2018-09-26 | 2019-04-23 | Акционерное общество "Научно-производственное объединение "Центральный научно-исследовательский институт технологии машиностроения", АО "НПО "ЦНИИТМАШ" | Устройство для нанесения покрытия вакуумно-дуговым испарением |
CN114823252B (zh) * | 2022-04-29 | 2023-07-14 | 电子科技大学 | 一种基于冷阴极的双向多注行波级联放大器 |
Family Cites Families (67)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3793179A (en) * | 1971-07-19 | 1974-02-19 | L Sablev | Apparatus for metal evaporation coating |
GB1391842A (en) * | 1971-08-04 | 1975-04-23 | Elektromat Veb | Apparatus for coating substrates by cathode sputtering and for cleaning by ion bombardment in the same vacuum vessel |
US4031424A (en) * | 1971-09-07 | 1977-06-21 | Telic Corporation | Electrode type glow discharge apparatus |
US3783231A (en) | 1972-03-22 | 1974-01-01 | V Gorbunov | Apparatus for vacuum-evaporation of metals under the action of an electric arc |
CH551498A (de) * | 1972-05-09 | 1974-07-15 | Balzers Patent Beteilig Ag | Anordnung zur aufstaeubung von stoffen auf unterlagen mittels einer elektrischen niederspannungsentladung. |
US4116806A (en) | 1977-12-08 | 1978-09-26 | Battelle Development Corporation | Two-sided planar magnetron sputtering apparatus |
SU711787A1 (ru) * | 1978-06-17 | 1980-10-07 | Предприятие П/Я В-8851 | Электродуговой испаритель металлов |
US4162954A (en) * | 1978-08-21 | 1979-07-31 | Vac-Tec Systems, Inc. | Planar magnetron sputtering device |
US4194962A (en) * | 1978-12-20 | 1980-03-25 | Advanced Coating Technology, Inc. | Cathode for sputtering |
GB2058142B (en) * | 1979-07-31 | 1983-08-10 | Nordiko Ltd | Sputtering electrodes |
US4457825A (en) * | 1980-05-16 | 1984-07-03 | Varian Associates, Inc. | Sputter target for use in a sputter coating source |
US4404077A (en) | 1981-04-07 | 1983-09-13 | Fournier Paul R | Integrated sputtering apparatus and method |
US4428259A (en) * | 1981-07-28 | 1984-01-31 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Fail safe automatic transmission lock up clutch control system |
GB2110719B (en) * | 1981-11-30 | 1985-10-30 | Anelva Corp | Sputtering apparatus |
US4486289A (en) * | 1982-02-05 | 1984-12-04 | University Of British Columbia, Canada | Planar magnetron sputtering device |
CH646459A5 (de) * | 1982-03-22 | 1984-11-30 | Balzers Hochvakuum | Rechteckige targetplatte fuer kathodenzerstaeubungsanlagen. |
AT376460B (de) * | 1982-09-17 | 1984-11-26 | Kljuchko Gennady V | Plasmalichtbogeneinrichtung zum auftragen von ueberzuegen |
US4581118A (en) | 1983-01-26 | 1986-04-08 | Materials Research Corporation | Shaped field magnetron electrode |
JPS59200761A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | Toshiba Corp | スパツタリングタ−ゲツト支持装置 |
US4559121A (en) | 1983-09-12 | 1985-12-17 | Vac-Tec Systems, Inc. | Method and apparatus for evaporation arc stabilization for permeable targets |
US4515675A (en) | 1983-07-06 | 1985-05-07 | Leybold-Heraeus Gmbh | Magnetron cathode for cathodic evaportion apparatus |
US4448659A (en) * | 1983-09-12 | 1984-05-15 | Vac-Tec Systems, Inc. | Method and apparatus for evaporation arc stabilization including initial target cleaning |
DE3429988A1 (de) * | 1983-12-05 | 1985-06-13 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Magnetronkatode zum zerstaeuben ferromagnetischer targets |
US4478702A (en) * | 1984-01-17 | 1984-10-23 | Ppg Industries, Inc. | Anode for magnetic sputtering apparatus |
US4600489A (en) | 1984-01-19 | 1986-07-15 | Vac-Tec Systems, Inc. | Method and apparatus for evaporation arc stabilization for non-permeable targets utilizing permeable stop ring |
US4673477A (en) * | 1984-03-02 | 1987-06-16 | Regents Of The University Of Minnesota | Controlled vacuum arc material deposition, method and apparatus |
US4724058A (en) * | 1984-08-13 | 1988-02-09 | Vac-Tec Systems, Inc. | Method and apparatus for arc evaporating large area targets |
CH664768A5 (de) * | 1985-06-20 | 1988-03-31 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zur beschichtung von substraten in einer vakuumkammer. |
DE3527626A1 (de) * | 1985-08-01 | 1987-02-05 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Zerstaeubungskatode nach dem magnetronprinzip |
US4717968A (en) * | 1985-09-16 | 1988-01-05 | Eastman Kodak Company | Video player with power-down capability |
FR2596920A1 (fr) * | 1986-04-03 | 1987-10-09 | Saint Roch Sa Glaceries | Cathode de pulverisation |
US5215640A (en) | 1987-02-03 | 1993-06-01 | Balzers Ag | Method and arrangement for stabilizing an arc between an anode and a cathode particularly for vacuum coating devices |
NL8700620A (nl) * | 1987-03-16 | 1988-10-17 | Hauzer Holding | Kathode boogverdampingsinrichting alsmede werkwijze voor het bedrijven daarvan. |
DE4017111C2 (de) * | 1990-05-28 | 1998-01-29 | Hauzer Holding | Lichtbogen-Magnetron-Vorrichtung |
US4812217A (en) * | 1987-04-27 | 1989-03-14 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Method and apparatus for feeding and coating articles in a controlled atmosphere |
FR2619247A1 (fr) * | 1987-08-05 | 1989-02-10 | Realisations Nucleaires Et | Implanteur d'ions metalliques |
JPH01290765A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-22 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット |
US4892633A (en) * | 1988-11-14 | 1990-01-09 | Vac-Tec Systems, Inc. | Magnetron sputtering cathode |
US4915805A (en) * | 1988-11-21 | 1990-04-10 | At&T Bell Laboratories | Hollow cathode type magnetron apparatus construction |
EP0462902B1 (en) * | 1990-06-20 | 1996-09-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Process and apparatus for preparing superconducting thin films. |
DE4042286C1 (ru) | 1990-12-31 | 1992-02-06 | Leybold Ag, 6450 Hanau, De | |
US5269898A (en) * | 1991-03-20 | 1993-12-14 | Vapor Technologies, Inc. | Apparatus and method for coating a substrate using vacuum arc evaporation |
AU664995B2 (en) * | 1991-04-19 | 1995-12-14 | Surface Solutions, Incorporated | Method and apparatus for linear magnetron sputtering |
GB9108553D0 (en) * | 1991-04-22 | 1991-06-05 | Ion Coat Ltd | Ionised vapour source |
US5451308A (en) * | 1991-04-29 | 1995-09-19 | Novatech | Electric arc metal evaporator |
US5364518A (en) * | 1991-05-28 | 1994-11-15 | Leybold Aktiengesellschaft | Magnetron cathode for a rotating target |
DE4123274C2 (de) | 1991-07-13 | 1996-12-19 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Beschichten von Bauteilen bzw. Formteilen durch Kathodenzerstäubung |
FR2680799B1 (fr) * | 1991-09-03 | 1993-10-29 | Elf Aquitaine Ste Nale | Element de cible pour pulverisation cathodique, procede de preparation dudit element et cibles, notamment de grande surface, realisees a partir de cet element. |
US5482611A (en) * | 1991-09-30 | 1996-01-09 | Helmer; John C. | Physical vapor deposition employing ion extraction from a plasma |
DE4135939A1 (de) | 1991-10-31 | 1993-05-06 | Leybold Ag, 6450 Hanau, De | Zerstaeubungskathode |
JP3025095B2 (ja) * | 1992-03-25 | 2000-03-27 | 三菱重工業株式会社 | 長尺電子ビーム発生装置 |
US5277779A (en) | 1992-04-14 | 1994-01-11 | Henshaw William F | Rectangular cavity magnetron sputtering vapor source |
US5262028A (en) | 1992-06-01 | 1993-11-16 | Sierra Applied Sciences, Inc. | Planar magnetron sputtering magnet assembly |
JP3365643B2 (ja) * | 1992-07-06 | 2003-01-14 | 株式会社神戸製鋼所 | イオン注入装置 |
EP0584768B1 (en) | 1992-08-24 | 1999-08-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for making soft magnetic film |
DE4230291C2 (de) | 1992-09-10 | 1999-11-04 | Leybold Ag | Mikrowellenunterstützte Zerstäubungsanordnung |
US5380421A (en) | 1992-11-04 | 1995-01-10 | Gorokhovsky; Vladimir I. | Vacuum-arc plasma source |
JP2970317B2 (ja) * | 1993-06-24 | 1999-11-02 | 松下電器産業株式会社 | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
US5407551A (en) * | 1993-07-13 | 1995-04-18 | The Boc Group, Inc. | Planar magnetron sputtering apparatus |
US5480527A (en) | 1994-04-25 | 1996-01-02 | Vapor Technologies, Inc. | Rectangular vacuum-arc plasma source |
DE19537267C1 (de) * | 1994-10-19 | 1996-07-04 | Grc Glass Refining Center Ges | Verfahren zum Aufbringen von dünnen farbigen Schichten auf Substrate mit gekrümmten Oberflächen, insbesondere auf rotationssymmetrische Substrate, sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
US5587207A (en) * | 1994-11-14 | 1996-12-24 | Gorokhovsky; Vladimir I. | Arc assisted CVD coating and sintering method |
US5597459A (en) | 1995-02-08 | 1997-01-28 | Nobler Technologies, Inc. | Magnetron cathode sputtering method and apparatus |
US5518597A (en) * | 1995-03-28 | 1996-05-21 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Cathodic arc coating apparatus and method |
US5589039A (en) | 1995-07-28 | 1996-12-31 | Sony Corporation | In-plane parallel bias magnetic field generator for sputter coating magnetic materials onto substrates |
US5804041A (en) | 1996-06-10 | 1998-09-08 | Sony Corporation | Method and apparatus for forming a magnetically oriented thin film |
US5997705A (en) * | 1999-04-14 | 1999-12-07 | Vapor Technologies, Inc. | Rectangular filtered arc plasma source |
-
1998
- 1998-11-24 DE DE19853943A patent/DE19853943B4/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-24 IL IL12723698A patent/IL127236A0/xx unknown
- 1998-11-24 AU AU94104/98A patent/AU9410498A/en not_active Abandoned
- 1998-11-25 CA CA002254677A patent/CA2254677C/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-25 JP JP37537698A patent/JP4253385B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-25 RU RU98121225/09A patent/RU2168233C2/ru active
- 1998-11-26 PL PL98329905A patent/PL329905A1/xx unknown
- 1998-11-26 BR BRPI9816084-2A patent/BR9816084B1/pt not_active IP Right Cessation
- 1998-11-26 FR FR9814895A patent/FR2772185B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-26 IT IT1998RM000725A patent/IT1302881B1/it active IP Right Grant
- 1998-11-26 GB GB9825775A patent/GB2331768B/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-02-12 TW TW087119657A patent/TW404986B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-04-14 US US09/291,343 patent/US6350356B1/en not_active Expired - Lifetime
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU98121225A (ru) | Катод для распыления или электродугового испарения (варианты) и устройство для покрытия или ионной имплантации подложек | |
RU2168233C2 (ru) | Катод для распыления или электродугового испарения (варианты) и устройство для покрытия или ионной имплантации подложек | |
US7828946B2 (en) | Arc evaporator with a powerful magnetic guide for targets having a large surface area | |
US6153067A (en) | Method for combined treatment of an object with an ion beam and a magnetron plasma with a combined magnetron-plasma and ion-beam source | |
JP3869680B2 (ja) | イオン注入装置 | |
US4915805A (en) | Hollow cathode type magnetron apparatus construction | |
US6224725B1 (en) | Unbalanced magnetron sputtering with auxiliary cathode | |
US20050082493A1 (en) | Floating mode ion source | |
KR20080072037A (ko) | 리던던시형 애노드 스퍼터링 방법 및 조립체 | |
JPH11273580A (ja) | イオン源 | |
ES2602114T3 (es) | Fuentes de pulverización catódica a alta presión con blancos grandes y procedimiento de pulverización catódica | |
WO2022019130A1 (ja) | イオンガン及び真空処理装置 | |
US6242749B1 (en) | Ion-beam source with uniform distribution of ion-current density on the surface of an object being treated | |
US5418348A (en) | Electron beam source assembly | |
GB2368597A (en) | Rectangular cathodic arc source and method of steering an arc spot | |
JP6985570B1 (ja) | イオンガン及び真空処理装置 | |
JPH0525625A (ja) | マグネトロンスパツタカソード | |
JP2942301B2 (ja) | 電子銃磁界補正用フェンス装置 | |
JP3961158B2 (ja) | 電子ビーム蒸発装置 | |
UA44850C2 (uk) | Катод для розпилення або електродугового випаровування (варіанти) і пристрій для покривання або іонної імплантації підкладок | |
CN219861543U (zh) | 一种磁控溅射系统 | |
JP2010525172A (ja) | 真空内で基板上にコーティングを形成するためのアセンブリ | |
JP4073158B2 (ja) | 電子ビーム装置 | |
KR100397751B1 (ko) | 자성체 재료 코팅용 마그네트론 원 | |
RU2074904C1 (ru) | Катодный узел для ионно-плазменного нанесения тонких пленок в вакууме |