RU98107250A - Способ изготовления элементов структур очень малого размера на полупроводниковой подложке - Google Patents

Claims (6)

1. Способ изготовления туннельного окна с очень малой длиной в случае запоминающей ячейки электрически стираемого программируемого постоянного запоминающего устройства (ЭП-ПЗУ) со следующими операциями: а) на поверхности подложки (100) изготавливают область защитного оксида (20) и по меньшей мере одну лежащую между областями защитного оксида область оксида затвора (30), b) на этом слое оксида (20, 30) изготавливают слой нитрида кремния (40) с) на слое нитрида кремния (40) изготавливают слой поликристаллического кремния (50), d) на слое поликристаллического кремния (50) изготавливают структуру, край которой лежит над областью оксида затвора (30), e) над слоем поликристаллического кремния (50) и структурой (60) осаждают слой, который может травиться селективно относительно слоя поликристаллического кремния (50), f) подвергают слой анизотропному травлению так, что остается только микроструктура (70) на лежащем над областью оксида затвора (30) крае структуры (60), g) удаляют структуру (60), h) формируют на слое поликристаллического кремния (50) вокруг действующей в качестве оксидационного барьера микроструктуры (70) оксид (80), i) удаляют микроструктуру (70), j) лежащий под оксидом (80) слой поликристаллического кремния (50) анизотропно травят, причем структурированный посредством микроструктуры (70) оксидный слой (80) служит в качестве маски для травления, k) удаляют оксидный слой (80) l) анизотропно травят лежащий под слоем поликристаллического кремния (50) слой нитрида кремния (40) с помощью служащего в качестве маски для травления слоя поликристаллического кремния (50), m) удаляют слой поликристаллического кремния (50), n) анизотропно травят лежащий под слоем нитрида кремния (40) слой оксида затвора (30) с помощью служащего в качестве маски для травления слоя нитрида кремния (40) вплоть до поверхности подложки, o) термически оксидируют поверхность подложки и боковые поверхности возникающего туннельного окна (90), p) удаляют слой нитрида кремния (40).

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что созданный над слоем поликристаллического кремния (50) слой является слоем нитрида кремния.

3. Способ изготовления электрода затвора очень малого размера со следующими операциями: a) на поверхности подложки (1) изготавливают многослойную защитную структуру оксид кремния-поликристаллический кремний-оксид кремния (2, 3, 4), b) формируют на этой многослойной структуре первый слой (5), c) на первом слое (5) изготавливают структуру (7), d) над первым слоем (5) и структурой (7) осаждают второй слой (6), который может селективно травиться относительно первого слоя (5), е) подвергают второй слой (6) анизотропному травлению так, что остается только микроструктура (8) на краю структуры (7), f) удаляют структуру (7), g) изготавливают на первом слое (5) вокруг действующей в качестве оксидационного барьера микроструктуры (8) оксид (9), h) удаляют микроструктуру (8), i) анизотропно травят лежащий под оксидом (9) первый слой (5), причем структурированный посредством микроструктуры (8) оксидный слой (9) служит в качестве маски для травления, j) удаляют оксидный слой (9), k) анизотропно травят лежащий под первым слоем (5) верхний слой оксида кремния (4) многослойной структуры (2, 3, 4) с помощью служащего в качестве маски для травления слоя первого слоя (5), l) удаляют первый слой (5), m) анизотропно травят лежащий под верхним слоем оксида кремния (4) слой поликристаллического кремния (3) и лежащий под ним нижний слой оксида кремния (2) многослойной структуры (2, 3, 4) с помощью служащего в качестве маски для травления верхнего слоя оксида кремния ( 4 ) вплоть до поверхности подложки, n) термически оксидируют поверхность подложки и боковые поверхности возникшей канавки, o) заполняют и покрывают канавку проходящим в канавку, служащим в качестве электрода затвора (11) слоем поликристаллического кремния.

4. Способ по п.3, отличающийся тем, что первый слой (5) образован поликристаллическим кремнием и второй слой (6) нитридом кремния.

5. Способ по любому из п. 3 или 4, отличающийся тем, что электрод затвора (11) является управляющим электродом в МОП-транзисторе.

6. Способ по любому из п. 3 или 4, отличающийся тем, что электрод затвора (11) является плавающим электродом в запоминающей ячейке быстрого ЭП-ПЗУ.