RU98104074A - Затравочный кристалл для изготовления монокристаллов, применение затравочного кристалла и способ изготовления монокристаллов карбида кремния или монокристаллических слоев карбида кремния - Google Patents
Затравочный кристалл для изготовления монокристаллов, применение затравочного кристалла и способ изготовления монокристаллов карбида кремния или монокристаллических слоев карбида кремнияInfo
- Publication number
- RU98104074A RU98104074A RU98104074/12A RU98104074A RU98104074A RU 98104074 A RU98104074 A RU 98104074A RU 98104074/12 A RU98104074/12 A RU 98104074/12A RU 98104074 A RU98104074 A RU 98104074A RU 98104074 A RU98104074 A RU 98104074A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- seed crystal
- partial region
- coating
- crystal according
- paragraphs
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 12
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N Silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 11
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims 3
- 230000005712 crystallization Effects 0.000 claims 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 1
- 239000005078 molybdenum compound Substances 0.000 claims 1
- 150000002752 molybdenum compounds Chemical class 0.000 claims 1
- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000003482 tantalum compounds Chemical class 0.000 claims 1
Claims (19)
1. Затравочный кристалл (2) для изготовления монокристаллов с поверхностью (3), которая
а) в первой частичной области (4) предусмотрена в качестве поверхности кристаллизации для наращивания монокристалла (6) из газовой фазы и
b) по меньшей мере во второй частичной области (5) снабжена покрытием (7), выполненным из материала, который является в основном химически стойким относительно материала затравочного кристалла (2) и относительно газовой фазы с точкой плавления, лежащей выше температур роста.
а) в первой частичной области (4) предусмотрена в качестве поверхности кристаллизации для наращивания монокристалла (6) из газовой фазы и
b) по меньшей мере во второй частичной области (5) снабжена покрытием (7), выполненным из материала, который является в основном химически стойким относительно материала затравочного кристалла (2) и относительно газовой фазы с точкой плавления, лежащей выше температур роста.
2. Затравочный кристалл по п. 1 из карбида кремния.
3. Затравочный кристалл по п. 1 или 2, при котором покрытие (7) для второй частичной области (5) поверхности (3) в основном состоит из металла и/или соединения металла.
4. Затравочный кристалл по п. 3, при котором покрытие (7) для второй частичной области (5) поверхности (3) по меньшей мере частично состоит из силицида металла.
5. Затравочный кристалл по п. 3 или 4, при котором покрытие (7) для второй частичной области (5) поверхности (3) по меньшей мере частично состоит из карбида металла.
6. Затравочный кристалл по любому из пп. 3 - 5, при котором покрытие (7) для второй частичной области (5) поверхности (3) по меньшей мере частично состоит из нитрида металла.
7. Затравочный кристалл по любому из пп. 3 - 6, при котором покрытие (7) для второй частичной области (5) поверхности (3) по меньшей мере частично состоит из тантала (Та) и/или соединения тантала.
8. Затравочный кристалл по любому из пп. 3 - 7, при котором покрытие (7) для второй частичной области (5) поверхности (3) по меньшей мере частично состоит из молибдена (Mo) и/или соединения молибдена.
9. Затравочный кристалл по любому из предыдущих пунктов, при котором покрытие (7) для второй частичной области (5) поверхности (3) по меньшей мере частично состоит из углерода.
10. Затравочный кристалл по п. 9, при котором покрытие (7) для второй частичной области (5) поверхности (3) по меньшей мере частично состоит из графита.
11. Затравочный кристалл по любому из предыдущих пунктов при котором покрытие (7) для второй частичной области (5) поверхности (3) содержит несколько расположенных друг на друге слоев.
12. Затравочный кристалл по любому из предыдущих пунктов, при котором вторая частичная область (5) поверхности (3) расположена на обращенной от первой частичной области (4) стороне поверхности (3).
13. Затравочный кристалл по любому из предыдущих пунктов, при котором покрытие (7) имеет толщину не больше порядка 100 мкм.
14. Затравочный кристалл по любому из предыдущих пунктов, при котором покрытие (7) имеет толщину не больше порядка 10 мкм.
15. Затравочный кристалл по любому из предыдущих пунктов с толщиной, измеренной перпендикулярно к поверхности кристаллизации по меньшей мере 0,5 мм.
16. Применение затравочного кристалла по любому из предыдущих пунктов для изготовления монокристаллов карбида кремния в процессе сублимации.
17. Применение затравочного кристалла по любому из пп. 1-15 для изготовления монокристаллов карбида кремния путем химического осаждения из газовой фазы (CVD).
18. Способ изготовления монокристаллов карбида кремния, при котором
а) карбид кремния (SiС) в твердой фазе по меньшей мере частично сублимируют и
b) из сублимированного карбида кремния в газовой фазе на первой, предусмотренной в качестве поверхности кристаллизации частичной области (4) поверхности (3) затравочного кристалла (2) наращивают монокристалл SiС (6) при по меньшей мере одной заданной температуре роста, причем
с) используют затравочный кристалл (2) согласно любому из пп. 1 - 15.
а) карбид кремния (SiС) в твердой фазе по меньшей мере частично сублимируют и
b) из сублимированного карбида кремния в газовой фазе на первой, предусмотренной в качестве поверхности кристаллизации частичной области (4) поверхности (3) затравочного кристалла (2) наращивают монокристалл SiС (6) при по меньшей мере одной заданной температуре роста, причем
с) используют затравочный кристалл (2) согласно любому из пп. 1 - 15.
19. Способ изготовления монокристаллического слоя карбида кремния путем химического осаждения из газовой фазы (CVD), при котором затравочный кристалл (2) согласно любому из пп. 1 - 15 используют в качестве подложки для осаждения слоя карбида кремния.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19530119 | 1995-08-16 | ||
| DE19530119.6 | 1995-08-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU98104074A true RU98104074A (ru) | 2000-02-20 |
| RU2163273C2 RU2163273C2 (ru) | 2001-02-20 |
Family
ID=7769615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU98104074/12A RU2163273C2 (ru) | 1995-08-16 | 1996-06-27 | Затравочный кристалл для изготовления монокристаллов и способ изготовления монокристаллов карбида кремния |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5985026A (ru) |
| EP (1) | EP0845055B1 (ru) |
| JP (1) | JP4056562B2 (ru) |
| KR (1) | KR100454275B1 (ru) |
| DE (1) | DE59607635D1 (ru) |
| HK (1) | HK1009159A1 (ru) |
| RU (1) | RU2163273C2 (ru) |
| WO (1) | WO1997007265A1 (ru) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE50006005D1 (de) | 1999-07-07 | 2004-05-13 | Siemens Ag | Keimkristallhalter mit seitlicher einfassung eines sic-keimkristalls |
| KR20010026069A (ko) * | 1999-09-02 | 2001-04-06 | 남기석 | 실리콘질화물(질화실리콘)을 이용한 계면의 변형에 의한 |
| JP4275308B2 (ja) | 2000-12-28 | 2009-06-10 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造方法およびその製造装置 |
| US6706114B2 (en) * | 2001-05-21 | 2004-03-16 | Cree, Inc. | Methods of fabricating silicon carbide crystals |
| US6814801B2 (en) * | 2002-06-24 | 2004-11-09 | Cree, Inc. | Method for producing semi-insulating resistivity in high purity silicon carbide crystals |
| US7601441B2 (en) | 2002-06-24 | 2009-10-13 | Cree, Inc. | One hundred millimeter high purity semi-insulating single crystal silicon carbide wafer |
| JP5391653B2 (ja) | 2008-01-15 | 2014-01-15 | 住友電気工業株式会社 | 窒化アルミニウム結晶の成長方法および窒化アルミニウム結晶の製造方法 |
| JP2011121815A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶の製造方法 |
| JP2011190154A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-09-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 結晶の製造方法、結晶の製造装置および積層膜 |
| DE112014004093T5 (de) | 2013-09-06 | 2016-06-23 | Gtat Corporation | Massen-Siliciumcarbid mit geringer Defektdichte |
| US20170137962A1 (en) * | 2015-11-16 | 2017-05-18 | National Chung-Shan Institute Of Science And Technology | Fabrication Method for Growing Single Crystal of Multi-Type Compound |
| CN112962083A (zh) * | 2021-02-03 | 2021-06-15 | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 | 一种用于碳化硅单晶生长的籽晶背部镀膜的装置与方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3425879A (en) * | 1965-10-24 | 1969-02-04 | Texas Instruments Inc | Method of making shaped epitaxial deposits |
| NL7405352A (ru) * | 1973-04-30 | 1974-11-01 | ||
| US4614672A (en) * | 1985-06-06 | 1986-09-30 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Liquid phase epitaxy (LPE) of silicon carbide |
| JPS61291494A (ja) * | 1985-06-19 | 1986-12-22 | Sharp Corp | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 |
| US4923716A (en) * | 1988-09-26 | 1990-05-08 | Hughes Aircraft Company | Chemical vapor desposition of silicon carbide |
| DE3915053C2 (de) * | 1989-05-08 | 1995-03-30 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von einkristallinem Siliziumkarbid SiC |
| JP3111661B2 (ja) * | 1992-07-24 | 2000-11-27 | ソニー株式会社 | ドライエッチング方法 |
| IT1264903B1 (it) * | 1993-06-30 | 1996-10-17 | Sniaricerche S C P A | Cristalli liquidi metallo-organici in una matrice polimerica |
| US5512375A (en) | 1993-10-14 | 1996-04-30 | Intevac, Inc. | Pseudomorphic substrates |
| JPH07257993A (ja) * | 1994-03-22 | 1995-10-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | バルク単結晶の成長方法 |
-
1996
- 1996-06-27 WO PCT/DE1996/001152 patent/WO1997007265A1/de active IP Right Grant
- 1996-06-27 EP EP96920724A patent/EP0845055B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-27 RU RU98104074/12A patent/RU2163273C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1996-06-27 KR KR10-1998-0701040A patent/KR100454275B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-06-27 JP JP50880297A patent/JP4056562B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-27 DE DE59607635T patent/DE59607635D1/de not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-02-17 US US09/023,955 patent/US5985026A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-11 HK HK98109829A patent/HK1009159A1/xx unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5114745A (en) | Method of producing a thin carbide layer on a carbon substrate, growing a diamond or diamond-like film on the carbide layer, and removing the carbon substrate | |
| US6821340B2 (en) | Method of manufacturing silicon carbide, silicon carbide, composite material, and semiconductor element | |
| CN101580964B (zh) | 一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托 | |
| JP4574852B2 (ja) | ＳｉＣ単結晶の成長方法 | |
| RU98104074A (ru) | Затравочный кристалл для изготовления монокристаллов, применение затравочного кристалла и способ изготовления монокристаллов карбида кремния или монокристаллических слоев карбида кремния | |
| RU97110653A (ru) | Способ уменьшения образования микротрубочек при эпитаксиальном росте карбида кремния и получающихся в результате структур карбида кремния | |
| JP3414321B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| RU98120936A (ru) | Монокристаллический sic и способ его получения | |
| JPH09268096A (ja) | 単結晶の製造方法及び種結晶 | |
| JP2003504296A (ja) | 箔で内張りされた坩堝を有するＳｉＣ単結晶昇華成長装置 | |
| KR20190065941A (ko) | 탄화탄탈 피복 탄소 재료 및 그 제조 방법, 반도체 단결정 제조 장치용 부재 | |
| KR100454275B1 (ko) | 단결정을생성시키기위한시이드결정,상기시이드결정의용도및SiC단결정또는단결정SiC층의생성방법 | |
| JP2009543946A5 (ru) | ||
| RU99103350A (ru) | Монокристаллический карбид кремния и способ его получения | |
| JP2001294499A (ja) | モザイク性の小さな炭化珪素単結晶ウエハ | |
| JPH1045499A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法およびそれに用いる種結晶 | |
| JP3128179B2 (ja) | ｎ型炭化珪素単結晶の製造方法 | |
| JP4197178B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JP2868328B2 (ja) | 大口径炭化珪素単結晶インゴットの作製方法および種結晶用炭化珪素単結晶 | |
| JP3725268B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| RU2154698C2 (ru) | МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ SiC И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ | |
| JP3551106B2 (ja) | 単結晶ＳｉＣの製造方法 | |
| JP3717562B2 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| JPH0784357B2 (ja) | 窒化ホウ素被覆ルツボ | |
| JPH0463840B2 (ru) |