RU2163273C2 - Затравочный кристалл для изготовления монокристаллов и способ изготовления монокристаллов карбида кремния - Google Patents

Затравочный кристалл для изготовления монокристаллов и способ изготовления монокристаллов карбида кремния Download PDF

Info

Publication number
RU2163273C2
RU2163273C2 RU98104074/12A RU98104074A RU2163273C2 RU 2163273 C2 RU2163273 C2 RU 2163273C2 RU 98104074/12 A RU98104074/12 A RU 98104074/12A RU 98104074 A RU98104074 A RU 98104074A RU 2163273 C2 RU2163273 C2 RU 2163273C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
seed crystal
coating
partial region
crystal according
sic
Prior art date
Application number
RU98104074/12A
Other languages
English (en)
Other versions
RU98104074A (ru
Inventor
ФЕЛЬКЛЬ Йоханнес (DE)
Фелькль Йоханнес
СТЭН Рене (DE)
Стэн Рене
Original Assignee
Сименс Акциенгезелльшафт
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сименс Акциенгезелльшафт filed Critical Сименс Акциенгезелльшафт
Publication of RU98104074A publication Critical patent/RU98104074A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2163273C2 publication Critical patent/RU2163273C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Изобретение может быть использовано в полупроводниковой технологии. Сущность изобретения: поверхность (3) затравочного кристалла (2) в первой частичной области (4) предусмотрена в качестве поверхности кристаллизации для наращиваемого из газовой фазы монокристалла (6) и во второй частичной области (5) снабжена покрытием (7), которое является химически стойким относительно затравочного кристалла (2) и газовой фазы и не плавится при температурах роста. За счет этого избегаются термические деградации затравочного кристалла (2) и повышается качество изготовленных монокристаллов (6). 2 с. и 15 з.п. ф-лы, 1 ил.

Description

Изобретение относится к затравочному кристаллу для изготовления монокристаллов и к способу для изготовления монокристаллов карбида кремния или монокристаллических слоев карбида кремния.
Для выращивания монокристаллов карбида кремния (SiC) известными являются процессы сублимации (возгонки), при которых запас из карбида кремния в твердой форме сублимируют при температурах в основном выше 2000oC и из сублимированного SiC в газовой фазе при температурах кристаллизации в основном между 1600 и 2500oC на затравочном кристалле из Sic наращивают монокристалл SiC. Температуры сублимации на запасе лежат при этом выше, чем температуры роста на затравочном кристалле.
Проблемой при сублимационном выращивании SiC является качество кристаллов изготовленных таким образом монокристаллов SiC. В частности, трубчатые дефекты кристаллической решетки, так называемые "микротрубки" ("micropipes") или "игольчатые отверстия" ("pinholes"), ухудшают электронные характеристики выращенных монокристаллов SiC. Проблематика этих дефектов кристаллической решетки описана, например в Physica B, том 185, 1993, North-Holland, Elsevier Science Publishers, стр. 211 - 216.
В основе изобретения лежит задача указания особого затравочного кристалла для изготовления монокристаллов путем выкристаллизовывания из газовой фазы, с которым могут быть уменьшены дефекты кристаллической решетки в наращенном монокристалле. Затравочный кристалл должен быть применимым, в частности для выращивания монокристаллов SiC в процессе сублимации или для изготовления монокристаллических слоев Sic путем осаждения из паровой фазы (CVD). Далее указан способ для изготовления монокристаллов SiC.
Эта задача согласно изобретению решается признаками пункта 1 формулы изобретения или соответственно признаками пункта 17 формулы изобретения.
Затравочный кристалл для изготовления монокристаллов имеет поверхность, которая
a) в первой частичной области предусмотрена в качестве поверхности кристаллизации для наращивания монокристалла из газовой фазы и
b) по меньшей мере, во второй частичной области снабжена покрытием, которое выполнено из материала, в основном химически стойкого относительно материала затравочного кристалла и относительно газовой фазы с точкой плавления, лежащей выше температур роста на поверхности кристаллизации.
За счет применения особого затравочного кристалла снижаются дефекты игольчатых отверстий в наращенном на затравочном кристалле монокристалле.
Изобретение основано на знании того, что качество монокристалла, растущего при заданных температурах роста на затравочном кристалле, может ухудшаться за счет термического разложения (деградации) затравочного кристалла на его не служащей в качестве поверхности кристаллизации свободной поверхности. Такая деградация является проблематичной, в частности в случае затравочных кристаллов, которые состоят из неконгруэнтно сублимирующихся или испаряющихся соединений. Под ними понимают соединения из, по меньшей мере, двух компонентов, из которых одна компонента при одинаковой температуре имеет более высокое давление пара, чем другая, так что нарушается стехиометрическое соотношение компонентов в затравочном кристалле. Также диффузионные процессы с различными скоростями диффузии для различных компонентов или неоднородности в затравочном кристалле могут способствовать явлениям термического разложения. Большинство локальных деградаций начинаются на частичных областях поверхности, которые не покрыты как поверхности кристаллизации нарастающим монокристаллом, и могут в ходе процесса выращивания продолжаться внутрь затравочного кристалла. За счет этого затравочный кристалл может стать непригодным для дальнейших процессов выращивания кристалла или дефекты кристаллической решетки в затравочном кристалле могут переноситься в текущем или последующем процессе выращивания.
Путем нанесения покрытия на лежащую вне поверхности кристаллизации частичную область поверхности затравочного кристалла согласно изобретению деградации в затравочном кристалле с его поверхности сильно уменьшаются. Покрытие состоит из одного или нескольких материалов, которые являются химически стабильными относительно материала затравочного кристалла и, по меньшей мере, одного вещества в газовой фазе, а также не плавятся или не сублимируются при примененных температурах роста. За счет этого затравочный кристалл может применяться при практически неизменном качестве для многих, например от пяти до десяти, следующих друг за другом процессов выращивания (повторная применимость).
Предпочтительные формы выполнения затравочного кристалла следуют из зависимых от пункта 1 формулы изобретения пунктов формулы изобретения.
Согласно им затравочный кристалл в первой форме выполнения состоит из SiC и предусмотрен для изготовления монокристаллов карбида кремния, предпочтительно из α-SiC, как 4H-SiC или 6H-SiC, в процессе сублимации или монокристаллических слоев SiC, предпочтительно из α-SiC, как 4H-SiC или 6H-SiC, путем процесса химического осаждения из паровой фазы (CVD).
Затравочный кристалл имеет предпочтительно толщину, измеренную перпендикулярно поверхности кристаллизации, по меньшей мере, 0,5 мм и таким образом является самонесущим в противоположность эпитаксиальному слою.
Покрытие для второй частичной области поверхности состоит, предпочтительно, по меньшей мере, частично, из металла и/или соединения металла. Предпочтительно применяются тантал (Ta) и/или молибден (Mo) и/или соединения тантала и/или соединения молибдена. В качестве соединений металла могут использоваться силициды металла, карбиды металла или также нитриды металла.
Покрытие для второй частичной области поверхности затравочного кристалла может, однако, также состоять, по меньшей мере, частично, из углерода, предпочтительно из графита.
В особенно предпочтительной форме выполнения покрытие для второй частичной области поверхности содержит множество расположенных друг на друге слоев, которые могут состоять из одинаковых или различных материалов.
Предпочтительно покрытие является не толще, чем примерно 100 мкм. Предпочтительные толщины покрытия лежат между примерно 0,5 мкм и примерно 100 мкм.
Снабженная покрытием вторая частичная область поверхности затравочного кристалла расположена, предпочтительно, на обращенной от служащей в качестве поверхности кристаллизации первой частичной области стороне поверхности затравочного кристалла.
Для дальнейшего пояснения изобретения делается ссылка на чертеж, на единственной фигуре которого схематически представлен пример выполнения затравочного кристалла для выращивания монокристаллов SiC.
Затравочный кристалл обозначен цифрой 2, его поверхность 3, первая частичная область этой поверхности 3 цифрой 4, вторая частичная область поверхности 3 цифрой 5, третья частичная область поверхности 3 цифрой 8, монокристалл SiC цифрой 6, покрытие цифрой 7 и держатель затравки цифрой 9.
Затравочный кристалл 2 состоит предпочтительно из монокристаллического карбида кремния заданного политипа, в частности политипа 3C, 4H или 6H. Первая частичная область 4 поверхности 3 затравочного кристалла 2 предусмотрена в качестве поверхности кристаллизации для выкристаллизовывания (конденсации) SiC-монокристалла 6 из SiC в газовой фазе. Предусмотренная в качестве поверхности кристаллизации первая частичная область 4 может быть образована, в частности одной из двух полярных сторон (основные плоскости), то есть стороной кремния или стороной углерода, SiC-затравочного кристалла 2. К поверхности кристаллизации 4 подводят в газовой фазе SiC, который предпочтительно получают путем, по меньшей мере, частичного сублимирования твердого SiC из не представленного на чертеже запаса SiC. Сублимированный SiC в газовой фазе состоит в основном из компонентов Si, Si2C и SiC2, а также SiC в газообразном состоянии. На поверхности кристаллизации 4 при заданных температурах роста (температуры кристаллизации) из SiC в газовой фазе на затравочном кристалле 2 наращивается SiC-монокристалл 6. Типичные температуры роста на поверхности кристаллизации 4 лежат между порядка 1600 и порядка 2500oC.
Затравочный кристалл 2 может иметь форму пластины и обычно расположен на держателе затравки 9. Держатель затравки 9 может быть выполнен, например, из графита. Затравочный кристалл 2 может быть расположен, в частности, в верхней части не представленного на чертеже реакционного сосуда, а запас SiC - в нижней части этого реакционного сосуда. Затравочный кристалл 2, в частности, в этой форме выполнения, закреплен тогда, предпочтительно, на держателе затравки 9, например, механически или с помощью раствора сахара в качестве "клея". Если затравочный кристалл 2 располагают в нижней части реакционного сосуда, затравочный кристалл 2 может быть только наложен на держателе затравки 9. Обращенная к держателю затравки 9 вторая частичная область 5 поверхности 3 затравочного кристалла 2 и предусмотренная в качестве поверхности кристаллизации первая частичная область 4 поверхности 3, предпочтительно, лежат на противоположных сторонах затравочного кристалла 2. Соединяющие первую частичную область 4 и вторую частичную область 5 боковые поверхности затравочного кристалла 2 образуют третью частичную область 8 поверхности 3 затравочного кристалла 2.
На не представленном на чертеже запасе SiC для сублимирования (испарения) SiC устанавливают температуру сублимации, которая, предпочтительно, является выше, чем температура кристаллизации на поверхности кристаллизации 4 затравочного кристалла 2 и в основном лежит между 2000 и 2600oC. Между запасом SiC и затравочным кристаллом 2 устанавливается градиент температуры, который в своем ходе может дополнительно устанавливаться за счет дополнительных термических изоляций и/или нагревательных устройств и/или геометрического расположения затравочного кристалла 2 и запаса Sic относительно друг друга. Градиент температуры между запасом SiC и первой частичной областью 4 затравочного кристалла 2 имеет следствием то, что также между затравочным кристаллом 2 и держателем затравки 9 устанавливается градиент температуры, вследствие которого кремний может улетучиваться из карбида кремния затравочного кристалла 2.
Поверхность 3 затравочного кристалла 2 поэтому снабжена в обращенной к держателю затравки 9 второй частичной области 5 покрытием 7 так, что покрытие 7 расположено между второй частичной областью 5 поверхности 3 затравочного кристалла 2 и держателем затравки 9. Покрытие 7 герметизирует покрытую им вторую частичную область 5 поверхности 3 затравочного кристалла 2 и препятствует улетучиванию веществ из затравочного кристалла 2 вследствие высоких температур на второй частичной области 5 поверхности 3 и связанной с этим деградации затравочного кристалла 2. В частности за счет покрытия 7 предотвращается:
1) сублимация кремния (Si) из SiC в реакционный сосуд, например за счет пор в держателе затравки 9 или за счет возникших, в частности, при предшествующей механической обработке, промежуточных пространств между затравочным кристаллом 2 и держателем затравки 9,
2) диффузия, в частности кремния, из затравочного кристалла 2 в держатель затравки 9 и также
3) химическая реакция кремния из SiC затравочного кристалла 2 с материалом (например, графитом) держателя затравки 9.
Для покрытия 7 используют один или несколько не испаряющихся при примененных температурах роста материалов, которые не реагируют химически ни с SiC затравочного кристалла 2, ни также с SiC в газовой фазе в реакционном сосуде. Незначительные изменения состава или изменение кристаллографической модификации покрытия 7 во время процесса сублимации являются допустимыми, пока сохраняются названные характеристики покрытия 7.
Если покрытие 7, как представлено, соприкасается с держателем затравки 9, покрытие 7 должно быть также химически стойким относительно материала держателя затравки 9.
Подходящими материалами для покрытия 7 являются, например, тугоплавкие металлы, как вольфрам (W), тантал (Ta) или молибден (Mo) и соединения этих металлов между собой, например сплавы, а также с другими химическими элементами. Предпочтительными соединениями металлов являются силициды металла, карбиды металла и нитриды металла. В качестве карбида металла можно использовать, в частности карбид тантала, например TaC или Ta2C, или карбид молибдена, например MoC, Mo2C, MO3C2 или Mo5C5. В качестве нитрида металла является пригодным, в частности нитрид тантала TaN или Ta2N. Кроме того, могут также применяться оксиды металлов.
Далее покрытие 7 может также, по меньшей мере, частично, состоять из элементарного углерода (C) различных модификаций, предпочтительно с высокой плотностью, в частности из графита (пирографита).
Покрытие 7 может наноситься путем наплавления, термического напыления в вакууме, термического напыления в вакууме, химического осаждения из паровой фазы (CVD), электронно-лучевого испарения, реакционного спекания, лазерной абляции, плазменного нанесения или также путем осаждения методом ионного распыления на вторую частичную область 5 поверхности 3 затравочного кристалла 2.
В предпочтительной форме выполнения покрытие 7 содержит множество отдельных слоев (покрытий), которые расположены друг на друге. Для такого многослойного покрытия могут при этом быть предусмотрены различные материалы, которые наслоены друг на друга по типу сэндвича. В случае многослойного покрытия является предпочтительным, если расположенный непосредственно на поверхности 3 затравочного кристалла 2, самый внутренний слой имеет большее содержание углерода (C), чем кремния (Si), чтобы препятствовать выносу кремния из затравочного кристалла 2.
Вследствие покрытия 7 между затравочным кристаллом 2 и держателем затравки 9 могут также быть большие промежутки. Требования к качеству механической обработки поэтому являются ниже, чем при подлежащем точной подгонке к держателю затравки 9 затравочном кристалле 2 без покрытия 7. В особой, не представленной на чертеже форме выполнения затравочный кристалл 2 не наложен на держатель затравки 9, а расположен в реакционном сосуде свободнонесуще.
В другой, не представленной на чертеже форме выполнения вне второй частичной области 5 также третья частичная область 8 поверхности 3 затравочного кристалла 2 снабжена покрытием. В представленной форме выполнения это может быть достигнуто, в частности, за счет того, что покрытие 7 продолжают также на боковые поверхности затравочного кристалла 2 так, что поверхность 3 затравочного кристалла 2 вне поверхности кристаллизации 4 практически полностью снабжена покрытием (герметизирована).
Хотя затравочный кристалл согласно изобретению был описан на примере выполнения для процесса сублимации SiC, снабженный покрытием, согласно изобретению затравочный кристалл 2 может использоваться для всех процессов выращивания кристаллов, в случае которых вследствие высоких температур роста на затравочном кристалле может происходить деградация затравочного кристалла, в частности также в процессе химического осаждения из паровой фазы (CVD) для изготовления монокристаллических слоев SiC (CVD = Chemical Vapour Deposition = химическое осаждение из паровой фазы). В случае CVD-процесса рабочие газы для подведения кремния (Si) и углерода (C) и в общем виде несущий газ, предпочтительно (H2), направляются на поверхность кристаллизации затравочного кристалла. За счет химической реакции на затравочном кристалле при температурах типично между порядка 1000 и порядка 2500oC осаждается монокристаллический SiC.

Claims (17)

1. Затравочный кристалл (2) для изготовления монокристаллов с поверхностью (3), которая а) в первой частичной области (4) предусмотрена в качестве поверхности кристаллизации для наращивания монокристалла (6) из газовой фазы и б) по меньшей мере во второй частичной области (5) снабжена покрытием (7), выполненным из материала, который является в основном химически стойким относительно материала затравочного кристалла (2) и относительно газовой фазы с точкой плавления, лежащей выше температур роста.
2. Затравочный кристалл по п.1 из карбида кремния.
3. Затравочный кристалл по п. 1 или 2, при котором покрытие (7) для второй частичной области (5) поверхности (3) в основном состоит из металла и/или соединения металла.
4. Затравочный кристалл по п. 3, при котором покрытие (7) для второй частичной области (5) поверхности (3) по меньшей мере частично состоит из силицида металла.
5. Затравочный кристалл по п. 3 или 4, при котором покрытие (7) для второй частичной области (5) поверхности (3) по меньшей мере частично, состоит из карбида металла.
6. Затравочный кристалл по любому из пп.3 - 5, при котором покрытие (7) для второй частичной области (5) поверхности (3) по меньшей мере частично состоит из нитрида металла.
7. Затравочный кристалл по любому из пп.3 - 6, при котором покрытие (7) для второй частичной области (5) поверхности (3) по меньшей мере частично состоит из тантала (Та) и/или соединения тантала.
8. Затравочный кристалл по любому из пп.3 - 7, при котором покрытие (7) для второй частичной области (5) поверхности (3) по меньшей мере частично состоит из молибдена (Мо) и/или соединения молибдена.
9. Затравочный кристалл по любому из предыдущих пунктов, при котором покрытие (7) для второй частичной области (5) поверхности (3) по меньшей мере частично состоит из углерода.
10. Затравочный кристалл по п.9, при котором покрытие (7) для второй частичной области (5) поверхности (3) по меньшей мере частично состоит из графита.
11. Затравочный кристалл по любому из предыдущих пунктов, при котором покрытие (7) для второй частичной области (5) поверхности (3) содержит несколько расположенных друг на друге слоев.
12. Затравочный кристалл по любому из предыдущих пунктов, при котором вторая частичная область (5) поверхности (3) расположена на обращенной от первой частичной области (4) стороне поверхности (3).
13. Затравочный кристалл по любому из предыдущих пунктов, при котором покрытие (7) имеет толщину не более порядка 100 мкм.
14. Затравочный кристалл по любому из предыдущих пунктов, при котором покрытие (7) имеет толщину не больше порядка 10 мкм.
15. Затравочный кристалл по любому из предыдущих пунктов толщиной, измеренной перпендикулярно поверхности кристаллизации, по меньшей мере 0,5 мм.
16. Затравочный кристалл по любому из предыдущих пунктов, который пригоден для использования при изготовлении монокристаллов карбида кремния в процессе сублимации.
17. Способ изготовления монокристаллов карбида кремния, при котором а) карбид кремния (SiC) в твердой фазе по меньшей мере частично сублимируют и б) из сублимированного карбида кремния в газовой фазе на первой предусмотренной в качестве поверхности кристаллизации частичной области (4) поверхности (3) затравочного кристалла (2) наращивают монокристалл SiC (6) при по меньшей мере одной заданной температуре роста, причем с) используют затравочный кристалл (2) согласно любому из пп.1 - 16.
RU98104074/12A 1995-08-16 1996-06-27 Затравочный кристалл для изготовления монокристаллов и способ изготовления монокристаллов карбида кремния RU2163273C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19530119.6 1995-08-16
DE19530119 1995-08-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU98104074A RU98104074A (ru) 2000-02-20
RU2163273C2 true RU2163273C2 (ru) 2001-02-20

Family

ID=7769615

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU98104074/12A RU2163273C2 (ru) 1995-08-16 1996-06-27 Затравочный кристалл для изготовления монокристаллов и способ изготовления монокристаллов карбида кремния

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5985026A (ru)
EP (1) EP0845055B1 (ru)
JP (1) JP4056562B2 (ru)
KR (1) KR100454275B1 (ru)
DE (1) DE59607635D1 (ru)
HK (1) HK1009159A1 (ru)
RU (1) RU2163273C2 (ru)
WO (1) WO1997007265A1 (ru)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001004390A1 (de) 1999-07-07 2001-01-18 Siemens Aktiengesellschaft Keimkristallhalter mit seitlicher einfassung eines sic-keimkristalls
KR20010026069A (ko) * 1999-09-02 2001-04-06 남기석 실리콘질화물(질화실리콘)을 이용한 계면의 변형에 의한
JP4275308B2 (ja) 2000-12-28 2009-06-10 株式会社デンソー 炭化珪素単結晶の製造方法およびその製造装置
US6706114B2 (en) * 2001-05-21 2004-03-16 Cree, Inc. Methods of fabricating silicon carbide crystals
US7601441B2 (en) * 2002-06-24 2009-10-13 Cree, Inc. One hundred millimeter high purity semi-insulating single crystal silicon carbide wafer
US6814801B2 (en) * 2002-06-24 2004-11-09 Cree, Inc. Method for producing semi-insulating resistivity in high purity silicon carbide crystals
JP5391653B2 (ja) 2008-01-15 2014-01-15 住友電気工業株式会社 窒化アルミニウム結晶の成長方法および窒化アルミニウム結晶の製造方法
JP2011121815A (ja) * 2009-12-10 2011-06-23 Sumitomo Electric Ind Ltd 単結晶の製造方法
JP2011190154A (ja) * 2010-03-16 2011-09-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 結晶の製造方法、結晶の製造装置および積層膜
CN105518191B (zh) * 2013-09-06 2021-05-11 Gtat公司 具有低缺陷密度的大块硅碳化物
US20170137962A1 (en) * 2015-11-16 2017-05-18 National Chung-Shan Institute Of Science And Technology Fabrication Method for Growing Single Crystal of Multi-Type Compound
CN112962083A (zh) * 2021-02-03 2021-06-15 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 一种用于碳化硅单晶生长的籽晶背部镀膜的装置与方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3425879A (en) * 1965-10-24 1969-02-04 Texas Instruments Inc Method of making shaped epitaxial deposits
NL7405352A (ru) * 1973-04-30 1974-11-01
US4614672A (en) * 1985-06-06 1986-09-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Liquid phase epitaxy (LPE) of silicon carbide
JPS61291494A (ja) * 1985-06-19 1986-12-22 Sharp Corp 炭化珪素単結晶基板の製造方法
US4923716A (en) * 1988-09-26 1990-05-08 Hughes Aircraft Company Chemical vapor desposition of silicon carbide
DE3915053C2 (de) * 1989-05-08 1995-03-30 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von einkristallinem Siliziumkarbid SiC
JP3111661B2 (ja) * 1992-07-24 2000-11-27 ソニー株式会社 ドライエッチング方法
IT1264903B1 (it) * 1993-06-30 1996-10-17 Sniaricerche S C P A Cristalli liquidi metallo-organici in una matrice polimerica
US5512375A (en) 1993-10-14 1996-04-30 Intevac, Inc. Pseudomorphic substrates
JPH07257993A (ja) * 1994-03-22 1995-10-09 Sumitomo Electric Ind Ltd バルク単結晶の成長方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5985026A (en) 1999-11-16
KR100454275B1 (ko) 2005-01-31
EP0845055A1 (de) 1998-06-03
EP0845055B1 (de) 2001-09-05
JP4056562B2 (ja) 2008-03-05
HK1009159A1 (en) 1999-05-28
KR19990036372A (ko) 1999-05-25
DE59607635D1 (de) 2001-10-11
JPH11510781A (ja) 1999-09-21
WO1997007265A1 (de) 1997-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2163273C2 (ru) Затравочный кристалл для изготовления монокристаллов и способ изготовления монокристаллов карбида кремния
EP2075356B1 (en) Method for growing group III nitride semiconductor crystal
TWI343423B (en) Low basal plane dislocation bulk grown sic wafers
CN101580964A (zh) 一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶托
JP2010515661A (ja) 多層成長ガイドを用いた誘導直径ＳｉＣ昇華成長
JP4733485B2 (ja) 炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法、炭化珪素単結晶成長用種結晶、炭化珪素単結晶の製造方法、および炭化珪素単結晶
JP2003504296A (ja) 箔で内張りされた坩堝を有するＳｉＣ単結晶昇華成長装置
CN105463575A (zh) 一种用于生长高质量碳化硅晶体的籽晶处理方法
KR100287793B1 (ko) 단결정 탄화규소 및 그 제조방법
US6261363B1 (en) Technique for growing silicon carbide monocrystals
RU98104074A (ru) Затравочный кристалл для изготовления монокристаллов, применение затравочного кристалла и способ изготовления монокристаллов карбида кремния или монокристаллических слоев карбида кремния
EP2657375A1 (en) Seed material for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide, and method for liquid phase epitaxial growth of monocrystalline silicon carbide
KR20130141612A (ko) 단결정 탄화규소 액상 에피택셜 성장용 유닛 및 단결정 탄화규소의 액상 에피택셜 성장 방법
JP3128179B2 (ja) ｎ型炭化珪素単結晶の製造方法
US20200080233A1 (en) Single crystal growth crucible and single crystal growth method
JP3725268B2 (ja) 単結晶の製造方法
WO2020023725A1 (en) Methods of growing single crystal materials
JP2002047100A (ja) 単結晶ＳｉＣの育成方法
WO2010082574A1 (ja) 窒化物半導体結晶の製造方法、窒化物半導体結晶および窒化物半導体結晶の製造装置
JP2005220017A (ja) 単結晶の製造方法
EP2037011B1 (en) Method of growing a single crystal of nitride of group iii element
JP4595592B2 (ja) 単結晶成長方法
JP2001192299A (ja) 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置
JP2019131440A (ja) ＳｉＣ単結晶製造装置及びＳｉＣ単結晶の製造方法
RU2267565C2 (ru) Подложка для выращивания эпитаксиальных слоев арсенида галлия

Legal Events

Date Code Title Description
PC4A Invention patent assignment

Effective date: 20051013

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140628