RU2705754C1 - Тонкопленочный транзистор, запуск затвора на матрице и содержащее его устройство отображения, и способ его изготовления - Google Patents
Тонкопленочный транзистор, запуск затвора на матрице и содержащее его устройство отображения, и способ его изготовления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2705754C1 RU2705754C1 RU2017131645A RU2017131645A RU2705754C1 RU 2705754 C1 RU2705754 C1 RU 2705754C1 RU 2017131645 A RU2017131645 A RU 2017131645A RU 2017131645 A RU2017131645 A RU 2017131645A RU 2705754 C1 RU2705754 C1 RU 2705754C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- semiconductor
- base substrate
- semiconductor region
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 111
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 371
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 159
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 76
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 43
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 35
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 49
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 10
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 36
- 101100517284 Caenorhabditis elegans nsun-1 gene Proteins 0.000 description 18
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 12
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
- H01L21/76816—Aspects relating to the layout of the pattern or to the size of vias or trenches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76829—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing characterised by the formation of thin functional dielectric layers, e.g. dielectric etch-stop, barrier, capping or liner layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
- H10K19/10—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00 comprising field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02565—Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
Abstract
Изобретение раскрывает тонкопленочный транзистор, включающий в себя базовую подложку, активный слой на базовой подложке, содержащий первую полупроводниковую область, вторую полупроводниковую область и множество полупроводниковых мостов, каждый из которых соединяет первую полупроводниковую область и вторую полупроводниковую область, причем данное множество полупроводниковых мостов разнесено друг от друга, при этом данный активный слой выполнен из материала, содержащего М1ОаNb, причем М1 представляет собой один металл или комбинацию металлов, а>0 и b≥0, слой остановки травления на стороне активного слоя, дальней от базовой подложки, причем первая полупроводниковая область содержит первый неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления на виде сверху на базовую подложку, и вторая полупроводниковая область содержит второй неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления на виде сверху на базовую подложку, первый электрод на стороне первого неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке, и второй электрод на стороне второго неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке. Изобретение обеспечивает высокую плотность носителей и высокую подвижность. 4 н. и 14 з.п. ф-лы, 8 ил.
Description
ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ
[0001] Настоящее изобретение касается тонкопленочного транзистора, схемы запуска затвора на матрице (GОА) и устройства отображения, содержащего его, и способа его изготовления.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
[0002] Металлоксидные или металлоксинитридные тонкопленочные транзисторы имеют многочисленные преимущества, такие как более высокая плотность носителей и более высокая подвижность. Соответственно, металлоксидные или металлоксинитридные тонкопленочные транзисторы можно делать меньше, и экран, сделанный из таких тонкопленочных транзисторов, может достигать более высокого разрешения и лучшего отображающего эффекта. Кроме того, металлоксидные или металлоксинитридные тонкопленочные транзисторы имеют преимущества меньших производственных затрат, более высокого коэффициента пропускания и большей запрещенной зоны. Металлоксидные или металлоксинитридные тонкопленочные транзисторы нашли широкое применение в области дисплеев.
РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
[0003] В одном аспекте настоящее изобретение обеспечивает тонкопленочный транзистор, содержащий базовую подложку; активный слой на базовой подложке, содержащий первую полупроводниковую область, вторую полупроводниковую область и множество полупроводниковых мостов, каждый из которых соединяет первую полупроводниковую область и вторую полупроводниковую область; причем данное множество полупроводниковых мостов разнесено друг от друга; причем данный активный слой выполнен из материала, содержащего М1ОаNb, причем М1 представляет собой один металл или комбинацию металлов, а>0 и b≥0; слой остановки травления на стороне активного слоя, дальней от базовой подложки; причем первая полупроводниковая область содержит первый неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления на виде сверху на базовую подложку; причем вторая полупроводниковая область содержит второй неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления на виде сверху на базовую подложку; первый электрод на стороне первого неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке; и второй электрод на стороне второго неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке.
[0004] Возможно, первая полупроводниковая область представляет собой интегральный полупроводниковый блок, соединяющий множество первых концов множества полупроводниковых мостов; вторая полупроводниковая область представляет собой интегральный полупроводниковый блок, соединяющий множество вторых концов множества полупроводниковых мостов.
[0005] Возможно, первый электрод находится в контакте с первым неперекрывающимся участком, а второй электрод находится в контакте со вторым неперекрывающимся участком.
[0006] Возможно, слой остановки травления содержит множество блоков остановки травления, разнесенных друг от друга, причем каждый блок остановки травления, по меньшей мере, частично перекрывается с соответствующим полупроводниковым мостом.
[0007] Возможно, множество полупроводниковых мостов разнесено друг от друга на расстояние в интервале от приблизительно 3 мкм до приблизительно 15 мкм.
[0008] Возможно, каждый из множества полупроводниковых мостов имеет ширину в интервале от приблизительно 3 мкм до приблизительно 20 мкм.
[0009] Возможно, каждый из множества полупроводниковых мостов имеет прямоугольную форму.
[0010] Возможно, каждый полупроводниковый мост содержит средний участок, имеющий боковые края вогнутой формы и ширину уже, чем ширины других участков каждого полупроводникового моста.
[0011] Возможно, активный слой дополнительно содержит третью полупроводниковую область, четвертую полупроводниковую область и множество дополнительных полупроводниковых мостов, каждый из которых соединяет третью полупроводниковую область и четвертую полупроводниковую область; причем данное множество дополнительных полупроводниковых мостов разнесено друг от друга; причем третья полупроводниковая область содержит третий неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления на виде сверху на базовую подложку; причем четвертая полупроводниковая область содержит четвертый неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления на виде сверху на базовую подложку; первый электрод на стороне третьего неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке; и второй электрод на стороне четвертого неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке.
[0012] Возможно, третья полупроводниковая область представляет собой интегральный полупроводниковый блок, соединяющий множество первых концов множества дополнительных полупроводниковых мостов; четвертая полупроводниковая область представляет собой интегральный полупроводниковый блок, соединяющий множество вторых концов множества дополнительных полупроводниковых мостов.
[0013] Возможно, первый электрод находится в контакте с третьим неперекрывающимся участком, а второй электрод находится в контакте с четвертым неперекрывающимся участком.
[0014] Возможно, слой остановки травления содержит множество дополнительных блоков остановки травления, разнесенных друг от друга, причем каждый дополнительный блок остановки травления, по меньшей мере, частично перекрывается с соответствующим дополнительным полупроводниковым мостом.
[0015] Возможно, первый электрод содержит основное тело первого электрода, множество зубцов первого электрода, выполненных за одно целое с основным телом первого электрода и продолжающихся от основного тела первого электрода к свободным концам множества зубцов первого электрода; второй электрод содержит основное тело второго электрода, множество зубцов второго электрода, выполненных за одно целое с основным телом второго электрода и продолжающихся от основного тела второго электрода к свободным концам множества зубцов второго электрода; каждый из множества зубцов первого электрода и каждый из множества зубцов второго электрода расположены попеременно и отделены так, что первый электрод и второй электрод чередуются; первый неперекрывающийся участок и третий неперекрывающийся участок находятся на стороне множества зубцов первого электрода, ближней к базовой подложке, второй неперекрывающийся участок и четвертый неперекрывающийся участок находятся на стороне множества зубцов второго электрода, ближней к базовой подложке.
[0016] Возможно, первый электрод содержит основное тело первого электрода, два зубца первого электрода, выполненных за одно целое с основным телом первого электрода и продолжающихся от основного тела первого электрода к свободным концам двух зубцов первого электрода; второй электрод содержит основное тело второго электрода, два зубца второго электрода, выполненных за одно целое с основным телом второго электрода и продолжающихся от основного тела второго электрода к свободным концам двух зубцов второго электрода; причем два зубца первого электрода разделены двумя зубцами второго электрода, так что один из двух зубцов второго электрода находится на одной стороне двух зубцов первого электрода, а другой из двух зубцов второго электрода находится на противоположной стороне двух зубцов первого электрода, и два зубца первого электрода находятся в середине; первый неперекрывающийся участок и третий неперекрывающийся участок находятся на стороне двух зубцов первого электрода, ближней к базовой подложке, второй неперекрывающийся участок и четвертый неперекрывающийся участок находятся на стороне двух зубцов второго электрода, ближней к базовой подложке.
[0017] Возможно, первый электрод содержит интегральный блок первого электрода; второй электрод содержит основное тело второго электрода, два зубца второго электрода, выполненных за одно целое с основным телом второго электрода и продолжающихся от основного тела второго электрода к свободным концам двух зубцов второго электрода; причем интегральный блок первого электрода находится между двух зубцов второго электрода, так что один из двух зубцов второго электрода находится на одной стороне интегрального блока первого электрода, а другой из двух зубцов второго электрода находится на противоположной стороне интегрального блока первого электрода, и интегральный блок первого электрода находится в середине; первый неперекрывающийся участок и третий неперекрывающийся участок находятся на стороне интегрального блока первого электрода, ближней к базовой подложке, второй неперекрывающийся участок и четвертый неперекрывающийся участок находятся на стороне двух зубцов второго электрода, ближней к базовой подложке.
[0018] Возможно, первый неперекрывающийся участок и третий неперекрывающийся участок составляют интегральный неперекрывающийся участок.
[0019] Возможно, первая полупроводниковая область дополнительно содержит первый перекрывающийся участок, проекция которого перекрывается с проекцией слоя остановки травления на виде сверху на базовую подложку; вторая полупроводниковая область дополнительно содержит второй перекрывающийся участок, проекция которого перекрывается с проекцией слоя остановки травления на виде сверху на базовую подложку.
[0020] Возможно, слой остановки травления, по существу, устойчив к травителю для травления первого электрода и второго электрода.
[0021] В другом аспекте, настоящее изобретение обеспечивает способ изготовления тонкопленочного транзистора, содержащий формирование активного слоя на базовой подложке, содержащего первую полупроводниковую область, вторую полупроводниковую область и множество полупроводниковых мостов, каждый из которых соединяет первую полупроводниковую область и вторую полупроводниковую область; причем данное множество полупроводниковых мостов разнесено друг от друга; причем данный активный слой выполнен из материала, содержащего М1ОаNb, причем М1 представляет собой один металл или комбинацию металлов, а>0 и b≥0; формирование слоя остановки травления на стороне активного слоя, дальней от базовой подложки; причем первая полупроводниковая область содержит первый неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления на виде сверху на базовую подложку; причем вторая полупроводниковая область содержит второй неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления на виде сверху на базовую подложку; формирование первого электрода на стороне первого неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке; и формирование второго электрода на стороне второго неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке.
[0022] Возможно, этап формирования активного слоя и этап формирования слоя остановки травления выполняют в единственном этапе формирования структуры.
[0023] Возможно, единственный этап формирования структуры содержит формирование слоя полупроводникового материала, содержащего М1ОаNb, причем М1 представляет собой один металл или комбинацию металлов, а>0 и b≥0, на базовой подложке; формирование слоя материала остановки травления на стороне слоя полупроводникового материала, дальней от базовой подложки; нанесение слоя фоторезиста на стороне слоя материала остановки травления, дальней от слоя полупроводникового материала; экспозицию слоя фоторезиста с помощью пластины полутоновой маски или пластины маски серых тонов; обработку слоя фоторезиста с получением узора фоторезиста, содержащего первую секцию, соответствующую активному слою, и вторую секцию, которая находится вне первой секции; причем первая секция содержит первую зону, соответствующую первому неперекрывающемуся участку и второму неперекрывающемуся участку, и вторую зону, соответствующую остальным участкам первой секции; причем глубина второй зоны больше, чем глубина первой зоны, и материал фоторезиста удаляют во второй секции; удаление слоя материала остановки травления во второй секции; удаление слоя полупроводникового материала во второй секции с формированием узора активного слоя, соответствующего активному слою; удаление слоя фоторезиста в первой зоне при сохранении слоя фоторезиста во второй зоне; удаление слоя материала остановки травления в первой зоне с формированием узора слоя остановки травления, соответствующего слою остановки травления; и удаление слоя фоторезиста во второй зоне.
[0024] Возможно, этап формирования активного слоя, этап формирования первого электрода и этап формирования второго электрода выполняют в единственном этапе формирования структуры.
[0025] Возможно, данный способ содержит формирование слоя полупроводникового материала, содержащего М1ОаNb, причем М1 представляет собой один металл или комбинацию металлов, а>0 и b≥0, на базовой подложке; формирование слоя материала остановки травления на стороне слоя полупроводникового материала, дальней от базовой подложки; нанесение первого слоя фоторезиста на стороне слоя материала остановки травления, дальней от слоя полупроводникового материала; экспозицию первого слоя фоторезиста с помощью первой маскировочной пластины, имеющей узор, соответствующий слою остановки травления; обработку экспонированного первого слоя фоторезиста с получением первого узора фоторезиста, содержащего первую секцию, соответствующую слою остановки травления, и вторую секцию, которая находится вне первой секции; удаление слоя полупроводникового материала во второй секции с формированием узора слоя остановки травления, соответствующего слою остановки травления; формирование слоя материала электрода на стороне слоя остановки травления и слоя полупроводникового материала, дальней к базовой подложке; нанесение второго слоя фоторезиста на стороне слоя материала электрода, дальней от базовой подложки; экспозицию второго слоя фоторезиста с помощью второй маскировочной пластины, имеющей узор, соответствующий первому электроду и второму электроду; обработку экспонированного второго слоя фоторезиста с получением второго узора фоторезиста, содержащего третью секцию, соответствующую первому электроду и второму электроду, и четвертую секцию, которая находится вне первой секции; удаление слоя материала электрода в четвертой секции с формированием узора первого электрода, соответствующего первому электроду, и узора второго электрода, соответствующего второму электроду; и удаление слоя полупроводникового материала в четвертой секции с формированием узора активного слоя, соответствующего активному слою.
[0026] В другом аспекте настоящее изобретение обеспечивает схему запуска затвора на матрице (GОА), содержащую тонкопленочный транзистор, описанный здесь или изготовленный с помощью способа, описанного здесь.
[0027] В другом аспекте настоящее изобретение обеспечивает устройство отображения, содержащее тонкопленочный транзистор, описанный здесь или изготовленный с помощью способа, описанного здесь.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
[0028] Последующие чертежи являются только примерами в иллюстративных целях согласно различным раскрытым вариантам осуществления и не предназначены ограничивать объем настоящего изобретения.
[0029] Фиг.1А представляет собой схему, изображающую структуру тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления.
[0030] Фиг.1В представляет собой схему, изображающую структуру активного слоя тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления.
[0031] Фиг.1С представляет собой схему, изображающую структуру активного слоя тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления.
[0032] Фиг.1D представляет собой вид в разрезе вдоль линии А-А' тонкопленочного транзистора на фиг.1А.
[0033] Фиг.1Е представляет собой вид в разрезе вдоль линии В-В' тонкопленочного транзистора на фиг.1А.
[0034] Фиг.2А представляет собой схему, изображающую структуру тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления.
[0035] Фиг.2В представляет собой схему, изображающую структуру активного слоя тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления.
[0036] Фиг.3А представляет собой схему, изображающую структуру тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления.
[0037] Фиг.3В представляет собой схему, изображающую структуру активного слоя тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления.
[0038] Фиг.4А представляет собой схему, изображающую структуру тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления.
[0039] Фиг.4В представляет собой схему, изображающую структуру активного слоя тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления.
[0040] Фиг.4С представляет собой схему, изображающую структуру активного слоя тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления.
[0041] Фиг.5А представляет собой схему, изображающую структуру тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления.
[0042] Фиг.5В представляет собой схему, изображающую структуру активного слоя тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления.
[0043] Фиг.5С представляет собой схему, изображающую структуру активного слоя тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления.
[0044] Фиг.6А представляет собой схему, изображающую структуру тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления.
[0045] Фиг.6В представляет собой схему, изображающую структуру активного слоя тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления.
[0046] Фиг.7А представляет собой схему, изображающую структуру тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления.
[0047] Фиг.7В представляет собой схему, изображающую структуру активного слоя тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления.
[0048] Фиг.8 представляет собой схему, изображающую структуру схемы запуска затвора на матрице (GОА) в некоторых вариантах осуществления.
ОПИСАНИЕ ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНЫХ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ
[0049] Изобретение будет теперь описано более конкретно со ссылкой на следующие варианты осуществления. Следует заметить, что следующие описания некоторых вариантов осуществления представлены здесь только с целью иллюстрации и описания. Они не предназначены исчерпывать или ограничивать точную раскрытую форму.
[0050] Огромным недостатком обычных металлоксидных или металлоксинитридных тонкопленочных транзисторов является их термическая нестабильность. Например, различные оксиды металлов, применяемые в обычных тонкопленочных транзисторах, не очень стабильны при высоких температурах и могут становиться поликристаллическими при высокой температуре в течение длительного периода времени. В настоящем изобретении было обнаружено, что носители в активном слое сильно концентрируются вдоль краев активного слоя, т.е. плотность носителей вдоль краев активного слоя гораздо больше, чем в центре активного слоя. Соответственно, было обнаружено, что неэффективно увеличивать термическую стабильность тонкопленочного транзистора путем простого увеличения ширины полупроводникового активного слоя. Альтернативным способом преодоления проблемы термической нестабильности и увеличения плотности носителей является использование многоканального тонкопленочного транзистора, содержащего множество тонкопленочных транзисторов, собранных параллельно. Однако этот тип многоканального тонкопленочного транзистора занимает большое место, приводя к пониженной светосиле.
[0051] В одном аспекте настоящее изобретение обеспечивает тонкопленочный транзистор и способ его изготовления, которые по существу устраняют одну или несколько проблем от ограничений и недостатков уровня техники. В некоторых вариантах осуществления данный тонкопленочный транзистор включает в себя базовую подложку; активный слой на базовой подложке, содержащий первую полупроводниковую область, вторую полупроводниковую область и множество полупроводниковых мостов, каждый из которых соединяет первую полупроводниковую область и вторую полупроводниковую область. Так как носители сильно концентрируются вдоль краев полупроводниковых мостов, полная плотность носителей тонкопленочного транзистора может быть увеличена путем использования множества полупроводниковых мостов. Так как множество полупроводниковых мостов разнесены друг от друга, пространство между полупроводниковыми мостами эффективно облегчает рассеяние тепла, предотвращая перегрев тонкопленочного транзистора и приводя к гораздо большей термической стабильности.
[0052] Возможно, тонкопленочный транзистор включает в себя 2-20 полупроводниковых мостов, например 2-3, 2-6, 4-10, 10-15 или 15-20 полупроводниковых мостов.
[0053] В некоторых вариантах осуществления тонкопленочный транзистор дополнительно включает в себя слой остановки травления на стороне активного слоя, дальней к базовой подложке. В некоторых вариантах осуществления первая полупроводниковая область включает в себя первый неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне слоя остановки травления на виде сверху на базовую подложку. В некоторых вариантах осуществления вторая полупроводниковая область включает в себя второй неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне слоя остановки травления на виде сверху на базовую подложку. В некоторых вариантах осуществления тонкопленочный транзистор дополнительно включает в себя первый электрод (например, электрод истока или электрод стока) на стороне первого неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке. В некоторых вариантах осуществления тонкопленочный транзистор дополнительно включает в себя второй электрод (например, электрод стока или электрод истока) на стороне второго неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке.
[0054] Возможно, первый электрод (например, электрод истока или электрод стока) находится в контакте со стороной первого неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке, и на ней. Возможно, второй электрод (например, электрод стока или электрод истока) находится в контакте со стороной второго неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке, и на ней. Возможно, первый электрод (например, электрод истока или электрод стока) находится на стороне первого неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке, и тонкопленочный транзистор дополнительно включает в себя слой омического контакта между первым электродом и первым неперекрывающимся участком. Возможно, второй электрод (например, электрод стока или электрод истока) находится на стороне второго неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке, и тонкопленочный транзистор дополнительно включает в себя слой омического контакта между вторым электродом и вторым неперекрывающимся участком.
[0055] В некоторых вариантах осуществления активный слой сделан из материала, содержащего М1ОаNb, причем М1 представляет собой один металл или комбинацию металлов, а>0 и b≥0, например, активный слой сделан из металлоксидного материала или металлоксинитридного материала. Примеры подходящих металлоксидных материалов активного слоя включают в себя оксид индия галлия цинка, оксид цинка, оксид галлия, оксид индия, HfInZnO (HIZO), аморфный InGaZnO (аморфный IGZO), InZnO, аморфный InZnO, ZnO:F, In2O3:Sn, In2O3:Mo, Cd2SnO4, ZnO:Al, TiO2:Nb и Cd-Sn-O, но не ограничиваются этим. Примеры подходящих металлоксинитридных материалов активного слоя включают в себя оксинитрид цинка, оксинитрид индия, оксинитрид галлия, оксинитрид олова, оксинитрид кадмия, оксинитрид алюминия, оксинитрид германия, оксинитрид титана, оксинитрид кремния или их комбинацию, но не ограничиваются этим. Возможно, активный слой сделан из материала, содержащего М1ОаNb, легированный одним или несколькими металлическими элементами. Возможно, активный слой сделан из материала, содержащего М1ОаNb, легированный одним или несколькими неметаллическими элементами. Возможно, активный слой сделан из материала, содержащего М1ОаNb, легированный одним или несколькими металлическими элементами и одним или несколькими неметаллическими элементами.
[0056] Применяемый здесь термин "слой остановки травления" относится к слою, который предотвращает травление нижележащего активного слоя. Возможно, слой остановки травления является по существу устойчивым к травителю для травления первого электрода и второго электрода (например, электрода истока и электрода стока). Возможно, слой остановки травления является по существу устойчивым к мокрому травителю для травления первого электрода и второго электрода. Возможно, слой остановки травления сделан из кремнийсодержащего соединения. Примеры кремнийсодержащих соединений для изготовления слоя остановки травления включают в себя оксид кремния, нитрид кремния, оксинитрид кремния, карбид кремния, оксикарбид кремния, кремний и кремний германий, но не ограничиваются этим.
[0057] В некоторых вариантах осуществления первая полупроводниковая область и вторая полупроводниковая область разнесены и расположены по существу вдоль первого направления в первой плоскости. Возможно, множество полупроводниковых мостов разнесены друг от друга, каждый из которых расположен по существу вдоль второго направления во второй плоскости. Возможно, первая плоскость и вторая плоскость по существу параллельны друг другу. Возможно, первая плоскость и вторая плоскость представляют собой одну и ту же плоскость. Возможно, множество полупроводниковых мостов по существу параллельны друг другу. Возможно, первое направление по существу перпендикулярно второму направлению.
[0058] Первая полупроводниковая область может быть интегральной непрерывной областью или прерывистой областью, содержащей множество разнесенных первых полупроводниковых блоков. Аналогично, вторая полупроводниковая область может быть интегральной непрерывной областью или прерывистой областью, содержащей множество разнесенных вторых полупроводниковых блоков. В некоторых вариантах осуществления первая полупроводниковая область представляет собой интегральный полупроводниковый блок, соединяющий множество первых концов множества полупроводниковых мостов; и вторая полупроводниковая область представляет собой интегральный полупроводниковый блок, соединяющий множество вторых концов множества полупроводниковых мостов. В некоторых вариантах осуществления первая полупроводниковая область включает в себя множество первых полупроводниковых блоков, разнесенных друг от друга; и вторая полупроводниковая область включает в себя множество вторых полупроводниковых блоков, разнесенных друг от друга. Возможно, каждый полупроводниковый мост соединяет соответствующий первый полупроводниковый блок и соответствующий второй полупроводниковый блок.
[0059] В некоторых вариантах осуществления первая полупроводниковая область представляет собой интегральный полупроводниковый блок, соединяющий множество первых концов множества полупроводниковых мостов; а вторая полупроводниковая область включает в себя множество вторых полупроводниковых блоков, разнесенных друг от друга. Возможно, каждый полупроводниковый мост соединяет каждый второй полупроводниковый блок с интегральным первым полупроводниковым блоком.
[0060] В некоторых вариантах осуществления вторая полупроводниковая область представляет собой интегральный полупроводниковый блок, соединяющий множество вторых концов множества полупроводниковых мостов; а первая полупроводниковая область включает в себя множество первых полупроводниковых блоков, разнесенных друг от друга. Возможно, каждый полупроводниковый мост соединяет каждый первый полупроводниковый блок с интегральным вторым полупроводниковым блоком.
[0061] В некоторых вариантах осуществления активный слой представляет собой интегральный активный слой, т.е. первая полупроводниковая область представляет собой интегральный полупроводниковый блок, соединяющий множество первых концов множества полупроводниковых мостов; и вторая полупроводниковая область представляет собой интегральный полупроводниковый блок, соединяющий множество вторых концов множества полупроводниковых мостов.
[0062] В некоторых вариантах осуществления первая полупроводниковая область состоит из первого неперекрывающегося участка, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку. В некоторых вариантах осуществления вторая полупроводниковая область состоит из второго неперекрывающегося участка, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку. Возможно, первая полупроводниковая область состоит из первого неперекрывающегося участка, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку; и вторая полупроводниковая область состоит из второго неперекрывающегося участка, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку.
[0063] В некоторых вариантах осуществления первая полупроводниковая область включает в себя первый неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку; и первый перекрывающийся участок, проекция которого перекрывается с проекцией слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку. В некоторых вариантах осуществления вторая полупроводниковая область включает в себя второй неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку; и второй перекрывающийся участок, проекция которого перекрывается с проекцией слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку. Возможно, первая полупроводниковая область включает в себя первый неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку; и первый перекрывающийся участок, проекция которого перекрывается с проекцией слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку; и вторая полупроводниковая область включает в себя второй неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку; и второй перекрывающийся участок, проекция которого перекрывается с проекцией слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку.
[0064] В некоторых вариантах осуществления настоящий тонкопленочный транзистор имеет структуру, которая дополнительно облегчает рассеивание тепла, когда тонкопленочный транзистор включает в себя большое число полупроводниковых мостов. Более конкретно, в некоторых вариантах осуществления активный слой тонкопленочного транзистора может дополнительно включать в себя третью полупроводниковую область, четвертую полупроводниковую область и множество дополнительных полупроводниковых мостов, каждый из которых соединяет третью полупроводниковую область и четвертую полупроводниковую область. Множество дополнительных полупроводниковых мостов разнесены друг от друга. Третья полупроводниковая область включает в себя третий неперекрывающийся участок, а четвертая полупроводниковая область включает в себя четвертый неперекрывающийся участок. Проекции третьего неперекрывающегося участка и четвертого неперекрывающегося участка находятся вне проекции слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку. Первый электрод (например, электрод истока или электрод стока) находится на стороне третьего неперекрывающегося участка, дальней от базовой подложки. Второй электрод (например, электрод стока или электрод истока) находится на стороне четвертого неперекрывающегося участка, дальней от базовой подложки.
[0065] Возможно, данный тонкопленочный транзистор включает в себя 2-20 полупроводниковых мостов, например 2-3, 2-6, 4-10, 10-15 или 15-20 полупроводниковых мостов.
[0066] Возможно, первый электрод (например, электрод истока или электрод стока) находится в контакте со стороной третьего неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке, и на ней. Возможно, второй электрод (например, электрод стока или электрод истока) находится в контакте со стороной четвертого неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке, и на ней. Возможно, первый электрод (например, электрод истока или электрод стока) находится на стороне третьего неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке, и тонкопленочный транзистор дополнительно включает в себя слой омического контакта между первым электродом и третьим неперекрывающимся участком. Возможно, второй электрод (например, электрод стока или электрод истока) находится на стороне четвертого неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке, и тонкопленочный транзистор дополнительно включает в себя слой омического контакта между вторым электродом и четвертым неперекрывающимся участком.
[0067] В некоторых вариантах осуществления третья полупроводниковая область и четвертая полупроводниковая область разнесены и расположены по существу вдоль третьего направления в третьей плоскости. Возможно, множество полупроводниковых мостов разнесены друг от друга, каждый из которых расположен по существу вдоль четвертого направления в четвертой плоскости. Возможно, третья плоскость и четвертая плоскость по существу параллельны друг другу. Возможно, третья плоскость и четвертая плоскость представляют собой одну и ту же плоскость. Возможно, множество дополнительных полупроводниковых мостов по существу параллельны друг другу. Возможно, третье направление по существу перпендикулярно четвертому направлению. Возможно, первая плоскость, вторая плоскость, третья плоскость и четвертая плоскость представляют собой одну и ту же плоскость.
[0068] Третья полупроводниковая область может быть интегральной непрерывной областью или прерывистой областью, содержащей множество разнесенных третьих полупроводниковых блоков. Аналогично, четвертая полупроводниковая область может быть интегральной непрерывной областью или прерывистой областью, содержащей множество разнесенных четвертых полупроводниковых блоков. В некоторых вариантах осуществления третья полупроводниковая область представляет собой интегральный полупроводниковый блок, соединяющий множество первых концов множества дополнительных полупроводниковых мостов; и четвертая полупроводниковая область представляет собой интегральный полупроводниковый блок, соединяющий множество вторых концов множества дополнительных полупроводниковых мостов. В некоторых вариантах осуществления третья полупроводниковая область включает в себя множество третьих полупроводниковых блоков, разнесенных друг от друга; и четвертая полупроводниковая область включает в себя множество четвертых полупроводниковых блоков, разнесенных друг от друга. Возможно, каждый дополнительный полупроводниковый мост соединяет соответствующий третий полупроводниковый блок и соответствующий четвертый полупроводниковый блок. В некоторых вариантах осуществления третья полупроводниковая область представляет собой интегральный полупроводниковый блок, соединяющий множество первых концов множества дополнительных полупроводниковых мостов; а четвертая полупроводниковая область включает в себя множество четвертых полупроводниковых блоков, разнесенных друг от друга. Возможно, каждый дополнительный полупроводниковый мост соединяет каждый четвертый полупроводниковый блок с интегральным третьим полупроводниковым блоком. В некоторых вариантах осуществления четвертая полупроводниковая область представляет собой интегральный полупроводниковый блок, соединяющий множество вторых концов множества дополнительных полупроводниковых мостов; а третья полупроводниковая область включает в себя множество третьих полупроводниковых блоков, разнесенных друг от друга. Возможно, каждый дополнительный полупроводниковый мост соединяет каждый третий полупроводниковый блок с интегральным четвертым полупроводниковым блоком.
[0069] В некоторых вариантах осуществления третья полупроводниковая область состоит из третьего неперекрывающегося участка, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку. В некоторых вариантах осуществления четвертая полупроводниковая область состоит из четвертого неперекрывающегося участка, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку. Возможно, третья полупроводниковая область состоит из третьего неперекрывающегося участка, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку; и четвертая полупроводниковая область состоит из четвертого неперекрывающегося участка, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку.
[0070] В некоторых вариантах осуществления слой остановки травления включает в себя множество блоков остановки травления, разнесенных друг от друга. Возможно, каждый блок остановки травления, по меньшей мере, частично перекрывается с соответствующим полупроводниковым мостом, например, каждый блок остановки травления по существу перекрывается с соответствующим полупроводниковым мостом. Возможно, каждый блок остановки травления, по меньшей мере, частично перекрывается с соответствующим дополнительным полупроводниковым мостом, например, каждый блок остановки травления по существу перекрывается с соответствующим дополнительным полупроводниковым мостом.
[0071] В некоторых вариантах осуществления слой остановки травления, по меньшей мере, частично перекрывается с первой полупроводниковой областью. Например, каждый блок остановки травления, по меньшей мере, частично перекрывается с первой полупроводниковой областью. В некоторых вариантах осуществления слой остановки травления, по меньшей мере, частично перекрывается со второй полупроводниковой областью. Например, каждый блок остановки травления, по меньшей мере, частично перекрывается со второй полупроводниковой областью. Возможно, слой остановки травления, по меньшей мере, частично перекрывается с первой полупроводниковой областью и второй полупроводниковой областью. Например, каждый блок остановки травления, по меньшей мере, частично перекрывается с первой полупроводниковой областью и второй полупроводниковой областью. В некоторых вариантах осуществления слой остановки травления не перекрывается с первой полупроводниковой областью. В некоторых вариантах осуществления слой остановки травления не перекрывается со второй полупроводниковой областью. Возможно, слой остановки травления не перекрывается с первой полупроводниковой областью или второй полупроводниковой областью.
[0072] Аналогично, в некоторых вариантах осуществления слой остановки травления, по меньшей мере, частично перекрывается с третьей полупроводниковой областью. Например, каждый блок остановки травления, по меньшей мере, частично перекрывается с третьей полупроводниковой областью. В некоторых вариантах осуществления слой остановки травления, по меньшей мере, частично перекрывается с четвертой полупроводниковой областью. Например, каждый блок остановки травления, по меньшей мере, частично перекрывается с четвертой полупроводниковой областью. Возможно, слой остановки травления, по меньшей мере, частично перекрывается с третьей полупроводниковой областью и четвертой полупроводниковой областью. Например, каждый блок остановки травления, по меньшей мере, частично перекрывается с третьей полупроводниковой областью и четвертой полупроводниковой областью. В некоторых вариантах осуществления слой остановки травления не перекрывается с третьей полупроводниковой областью. В некоторых вариантах осуществления слой остановки травления не перекрывается с четвертой полупроводниковой областью. Возможно, слой остановки травления не перекрывается с третьей полупроводниковой областью или четвертой полупроводниковой областью.
[0073] Различные варианты осуществления могут быть реализованы, чтобы изготавливать и применять настоящий тонкопленочный транзистор. В некоторых вариантах осуществления множество полупроводниковых мостов (или множество дополнительных полупроводниковых мостов) разнесены друг от друга на расстояние в интервале от приблизительно 3 мкм до приблизительно 15 мкм, например, от приблизительно 3 мкм до приблизительно 5 мкм, от приблизительно 5 мкм до приблизительно 10 мкм и от приблизительно 10 мкм до приблизительно 15 мкм. В некоторых вариантах осуществления каждый из множества полупроводниковых мостов (или множества дополнительных полупроводниковых мостов) имеет ширину в интервале от приблизительно 3 мкм до приблизительно 20 мкм, например, от 3 мкм до приблизительно 5 мкм, от 5 мкм до приблизительно 10 мкм, от 10 мкм до приблизительно 15 мкм и от 15 мкм до приблизительно 20 мкм.
[0074] Полупроводниковые мосты могут быть сделаны в любых подходящих формах. Примеры форм полупроводниковых мостов включают в себя прямоугольную форму, квадратную форму, эллиптическую форму, круглую форму, ромбовидную форму и овальную форму, но не ограничиваются этим. В некоторых вариантах осуществления полупроводниковый мост включает в себя средний участок, имеющий боковые края вогнутой формы и меньшую ширину, чем ширины других участков каждого полупроводникового моста. Боковые края вогнутой формы могут быть кривыми линиями, например, дугой. Боковые края вогнутой формы могут представлять собой множество прямых линий. Например, полупроводниковый мост может включать в себя обращенный трапецоид, уложенный поверх трапецоида.
[0075] Первая, вторая, третья или четвертая полупроводниковая область и первые, вторые, третьи или четвертые полупроводниковые блоки могут быть изготовлены в любых подходящих формах, примеры которых включают в себя прямоугольную форму, квадратную форму, эллиптическую форму, круглую форму, ромбовидную форму, овальную форму, форму параллелограмма, форму ромба и форму шестиугольника, но не ограничиваются этим.
[0076] В некоторых вариантах осуществления данный тонкопленочный транзистор представляет собой тонкопленочный транзистор с нижним затвором. Например, тонкопленочный транзистор может дополнительно включать в себя электрод затвора на стороне активного слоя, ближней к базовой подложке, и слой изоляции затвора между активным слоем и электродом затвора. Соответственно, в некоторых вариантах осуществления тонкопленочный транзистор с нижним затвором включает в себя электрод затвора на базовой подложке, слой изоляции затвора на стороне электрода затвора, дальней от базовой подложки, активный слой на стороне слоя изоляции затвора, дальней от электрода затвора, слой остановки травления на стороне активного слоя, дальней от слоя изоляции затвора, и первый электрод и второй электрод на стороне активного слоя, дальней от слоя изоляции затвора (и возможно в контакте с активным слоем). Более конкретно, первый электрод может быть на стороне первого неперекрывающегося участка, дальней от слоя изоляции затвора (и возможно в контакте с первым неперекрывающимся участком), а второй электрод может быть на стороне второго неперекрывающегося участка, дальней от слоя изоляции затвора (и возможно в контакте со вторым неперекрывающимся участком).
[0077] Фиг.1А представляет собой схему, изображающую структуру тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления. На фиг.1А тонкопленочный транзистор в данном варианте осуществления включает в себя электрод истока S, электрод стока D, электрод затвора G, активный слой АL и слой остановки травления ЕSL на стороне активного слоя, дальней от электрода затвора, включающий множество блоков остановки травления, разнесенных друг от друга. Тонкопленочный транзистор на фиг.1А представляет собой тонкопленочный транзистор с нижним затвором.
[0078] Фиг.1В представляет собой схему, изображающую структуру активного слоя тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления. На фиг.1В слой остановки травления не показан, так что видна структура активного слоя. На фиг.1В активный слой АL в данном варианте осуществления включает в себя первую полупроводниковую область АL-1, вторую полупроводниковую область АL-2 и множество полупроводниковых мостов АL-В, каждый из которых соединяет первую полупроводниковую область АL-1 и вторую полупроводниковую область АL-2.
[0079] Фиг.1С представляет собой схему, изображающую структуру активного слоя тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления. На фиг.1С первая полупроводниковая область АL-1 в данном варианте осуществления включает в себя первый неперекрывающийся участок NОL-1, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку, а вторая полупроводниковая область АL-2 в данном варианте осуществления включает в себя второй неперекрывающийся участок NОL-2, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку. Возможно, как показано на фиг.1С, первая полупроводниковая область АL-1 дополнительно включает в себя один или несколько первых перекрывающихся участков ОL-1, проекция которых перекрывается с проекцией слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку; а вторая полупроводниковая область АL-2 дополнительно включает в себя один или несколько вторых перекрывающихся участков ОL-2, проекция которых перекрывается с проекцией слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку.
[0080] На фиг.1А-1С слой остановки травления ЕSL находится на стороне активного слоя АL, дальней от электрода затвора G. Каждый блок остановки травления перекрывается с соответствующим полупроводниковым мостом АL-В (так что полупроводниковые мосты АL-В не показаны на фиг.1А). Тонкопленочный транзистор на фиг.1А-1С дополнительно включает в себя электрод истока S в контакте со стороной первого неперекрывающегося участка NОL-1, дальней от базовой подложки, и на ней, и электрод стока D в контакте со стороной второго неперекрывающегося участка NОL-2, дальней от базовой подложки, и на ней.
[0081] Как показано на фиг.1В, активный слой АL в данном варианте осуществления представляет собой интегральный слой. Например, интегральный активный слой на фиг.1В включает в себя первую полупроводниковую область АL-1, которая представляет собой интегральный полупроводниковый блок, соединяющий множество первых концов множества полупроводниковых мостов АL-В, и вторую полупроводниковую область АL-2, которая представляет собой интегральный полупроводниковый блок, соединяющий множество вторых концов множества полупроводниковых мостов АL-В.
[0082] Фиг.1D представляет собой вид в разрезе вдоль линии А-А' тонкопленочного транзистора на фиг.1А. Фиг.1Е представляет собой вид в разрезе вдоль линии В-В' тонкопленочного транзистора на фиг.1А. На фиг.1D-1Е тонкопленочный транзистор в данном варианте осуществления включает в себя электрод затвора G на базовой подложке, слой изоляции затвора GI на стороне электрода затвора G, дальней от базовой подложки, активный слой АL на стороне слоя изоляции затвора GI, дальней от электрода затвора G, слой остановки травления ЕSL на стороне активного слоя АL, дальней от слоя изоляции затвора GI, и электрод истока S и электрод стока D на стороне активного слоя АL, дальней от слоя изоляции затвора GI. Как показано на фиг.1D-1Е, активный слой АL частично перекрывается со слоем остановки травления ЕSL и частично перекрывается с электродом истока S и электродом стока D при виде сверху на базовую подложку и находится с ними в контакте. Как обсуждается здесь повсюду, активный слой АL включает в себя первую полупроводниковую область АL-1, вторую полупроводниковую область АL-2 и множество полупроводниковых мостов АL-В. Область, где активный слой АL перекрывается со слоем остановки травления ЕSL, включает в себя область, соответствующую множеству полупроводниковых мостов АL-В, участок первой полупроводниковой области (т.е. первый перекрывающийся участок ОL-1) и участок второй полупроводниковой области (т.е. второй перекрывающийся участок ОL-2). Область, где активный слой перекрывается с электродом истока (и возможно находится в контакте с ним) представляет собой первый неперекрывающийся участок NОL-1, а область, где активный слой перекрывается с электродом стока (и возможно находится в контакте с ним) представляет собой второй неперекрывающийся участок NОL-2.
[0083] Как показано на фиг.1Е, первая полупроводниковая область АL-1 в данном варианте осуществления представляет собой интегральный полупроводниковый блок, соединяющий множество первых концов множества полупроводниковых мостов АL-В, а вторая полупроводниковая область АL-2 представляет собой интегральный полупроводниковый блок, соединяющий множество вторых концов множества полупроводниковых мостов АL-В.
[0084] На фиг.1А-1В активный слой АL в данном варианте осуществления включает в себя три полупроводниковых моста АL-В, а слой остановки травления ЕSL включает в себя три блока остановки травления, которые соответствуют трем полупроводниковым мостам АL-В один к одному.
[0085] Фиг.2А представляет собой схему, изображающую структуру тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления. Фиг.2В представляет собой схему, изображающую структуру активного слоя тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления. На фиг.2А-2В активный слой в данном варианте осуществления включает в себя четыре полупроводниковых моста АL-В, а слой остановки травления ЕSL включает в себя четыре блока остановки травления, которые соответствуют четырем полупроводниковым мостам АL-В один к одному.
[0086] Фиг.3А представляет собой схему, изображающую структуру тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления. Фиг.3В представляет собой схему, изображающую структуру активного слоя тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления. На фиг.3А-3В полупроводниковый мост АL-В в данном варианте осуществления включает в себя средний участок, имеющий боковые края вогнутой формы и меньшую ширину, чем ширины других участков каждого полупроводникового моста АL-В. Возможно, каждый блок остановки травления имеет форму, соответствующую форме полупроводникового моста АL-В. На фиг.3А блок остановки травления в данном варианте осуществления включает в себя средний участок, имеющий боковые края вогнутой формы и меньшую ширину, чем ширины других участков бока остановки травления. Возможно, полупроводниковый мост АL-В включает в себя участок, имеющий форму песочных часов. Возможно, блок остановки травления включает в себя участок, имеющий форму песочных часов.
[0087] Фиг.4А представляет собой схему, изображающую структуру тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления. Фиг.4В представляет собой схему, изображающую структуру активного слоя тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления. На фиг.4А-4В электрод истока S в данном варианте осуществления включает в себя основное тело S-М электрода истока, множество (например, два) зубцов S-Т электрода истока, составляющих одно целое с основным телом электрода истока и продолжающихся от основного тела электрода истока к свободным концам множества зубцов электрода истока. Электрод стока D в данном варианте осуществления включает в себя основное тело D-М электрода стока, множество (например, два) зубцов D-Т электрода стока, составляющих одно целое с основным телом электрода стока и продолжающихся от основного тела электрода стока к свободным концам множества зубцов электрода стока. Каждый из множества зубцов электрода истока и каждый из множества зубцов электрода стока расположены попеременно и разнесены так, что электрод истока и электрод стока чередуются.
[0088] На фиг.4В активный слой в данном варианте осуществления дополнительно включает в себя третью полупроводниковую область АL-3, четвертую полупроводниковую область АL-4 и множество дополнительных полупроводниковых мостов АL-В, каждый из которых соединяет третью полупроводниковую область АL-3 и четвертую полупроводниковую область АL-4. Как показано на фиг.4В, множество дополнительных полупроводниковых мостов АL-В разнесены друг от друга. Возможно, множество дополнительных полупроводниковых мостов АL-В по существу параллельны друг другу.
[0089] Фиг.4С представляет собой схему, изображающую структуру активного слоя тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления. На фиг.4С первая полупроводниковая область АL-1 в данном варианте осуществления включает в себя первый неперекрывающийся участок NОL-1, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку; вторая полупроводниковая область АL-2 в данном варианте осуществления включает в себя второй неперекрывающийся участок NОL-2, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку; третья полупроводниковая область АL-3 в данном варианте осуществления включает в себя третий неперекрывающийся участок NОL-3, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку, и четвертая полупроводниковая область АL-4 в данном варианте осуществления включает в себя четвертый неперекрывающийся участок NОL-4, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку. Возможно, как показано на фиг.4С, первая полупроводниковая область АL-1 дополнительно включает в себя один или несколько первых перекрывающихся участков ОL-1, проекция которых перекрывается с проекцией слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку; вторая полупроводниковая область АL-2 дополнительно включает в себя один или несколько вторых перекрывающихся участков ОL-2, проекция которых перекрывается с проекцией слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку; третья полупроводниковая область АL-3 дополнительно включает в себя один или несколько третьих перекрывающихся участков ОL-3, проекция которых перекрывается с проекцией слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку, и четвертая полупроводниковая область АL-4 дополнительно включает в себя один или несколько четвертых перекрывающихся участков ОL-4, проекция которых перекрывается с проекцией слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку.
[0090] На фиг.4А-4С электрод истока S в данном варианте осуществления находится в контакте со стороной первого неперекрывающегося участка NОL-1 и третьего неперекрывающегося участка NОL-3, дальней от базовой подложки, и на ней, электрод стока D в данном варианте осуществления находится в контакте со стороной второго неперекрывающегося участка NОL-2 и четвертого неперекрывающегося участка NОL-4, дальней от базовой подложки, и на ней. Более конкретно, первый неперекрывающийся участок NОL-1 и третий неперекрывающийся участок NОL-3 находятся в контакте со стороной множества зубцов электрода истока, ближней к базовой подложке, и на ней, а второй неперекрывающийся участок NОL-2 и четвертый неперекрывающийся участок NОL-4 находятся на стороне множества зубцов электрода стока, ближней к базовой подложке.
[0091] Фиг.5А представляет собой схему, изображающую структуру тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления. Фиг.5В представляет собой схему, изображающую структуру активного слоя тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления. На фиг.5А-5В электрод истока S в данном варианте осуществления включает в себя основное тело S-М электрода истока, два зубца S-Т электрода истока, составляющих одно целое с основным телом электрода истока и продолжающихся от основного тела электрода истока к свободным концам двух зубцов электрода истока. Электрод стока D в данном варианте осуществления включает в себя основное тело D-М электрода стока, два зубца D-Т электрода стока, составляющих одно целое с основным телом электрода стока и продолжающихся от основного тела электрода стока к свободным концам двух зубцов электрода стока. Как показано на фиг.5А-5В, два зубца электрода истока расположены между двумя зубцами электрода стока, так что один из двух зубцов электрода стока находится на одной стороне электрода истока S (например, двух зубцов электрода истока), а другой из двух зубцов электрода стока находится на противоположной стороне электрода истока S (например, двух зубцов электрода истока), и электрод истока S (например, два зубца электрода истока) находится в середине.
[0092] На фиг.5В активный слой в данном варианте осуществления дополнительно включает в себя третью полупроводниковую область АL-3, четвертую полупроводниковую область АL-4 и множество дополнительных полупроводниковых мостов АL-В, каждый из которых соединяет третью полупроводниковую область АL-3 и четвертую полупроводниковую область АL-4. Как показано на фиг.5В, множество дополнительных полупроводниковых мостов АL-В разнесены друг от друга. Возможно, множество дополнительных полупроводниковых мостов АL-В по существу параллельны друг другу.
[0093] Фиг.5С представляет собой схему, изображающую структуру активного слоя тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления. На фиг.5С первая полупроводниковая область АL-1 в данном варианте осуществления включает в себя первый неперекрывающийся участок NОL-1, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку; вторая полупроводниковая область АL-2 в данном варианте осуществления включает в себя второй неперекрывающийся участок NОL-2, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку; третья полупроводниковая область АL-3 в данном варианте осуществления включает в себя третий неперекрывающийся участок NОL-3, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку, и четвертая полупроводниковая область АL-4 в данном варианте осуществления включает в себя четвертый неперекрывающийся участок NОL-4, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку. Возможно, как показано на фиг.5С, первая полупроводниковая область АL-1 дополнительно включает в себя один или несколько первых перекрывающихся участков ОL-1, проекция которых перекрывается с проекцией слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку; вторая полупроводниковая область АL-2 дополнительно включает в себя один или несколько вторых перекрывающихся участков ОL-2, проекция которых перекрывается с проекцией слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку; третья полупроводниковая область АL-3 дополнительно включает в себя один или несколько третьих перекрывающихся участков ОL-3, проекция которых перекрывается с проекцией слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку, и четвертая полупроводниковая область АL-4 дополнительно включает в себя один или несколько четвертых перекрывающихся участков ОL-4, проекция которых перекрывается с проекцией слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку.
[0094] На фиг.5А-5С электрод истока S в данном варианте осуществления находится в контакте со стороной первого неперекрывающегося участка NОL-1 и третьего неперекрывающегося участка NОL-3, дальней от базовой подложки, и на ней, электрод стока D в данном варианте осуществления находится в контакте со стороной второго неперекрывающегося участка NОL-2 и четвертого неперекрывающегося участка NОL-4, дальней от базовой подложки, и на ней. Более конкретно, первый неперекрывающийся участок NОL-1 и третий неперекрывающийся участок NОL-3 находятся в контакте со стороной множества зубцов электрода истока, ближней к базовой подложке, и на ней, а второй неперекрывающийся участок NОL-2 и четвертый неперекрывающийся участок NОL-4 находятся на стороне множества зубцов электрода стока, ближней к базовой подложке.
[0095] Фиг.6А представляет собой схему, изображающую структуру тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления. Фиг.6В представляет собой схему, изображающую структуру активного слоя тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления. Тонкопленочный транзистор на фиг.6А-6В очень похож на транзистор на фиг.5А-5С за исключением того, что электрод истока S на фиг.6А-6В представляет собой интегральный блок электрода истока. Как показано на фиг.6А-6В, электрод стока D в данном варианте осуществления включает в себя основное тело D-М электрода стока, два зубца D-Т электрода стока, составляющих одно целое с основным телом электрода стока и продолжающихся от основного тела электрода стока к свободным концам двух зубцов электрода стока. Интегральный блок электрода истока находится между двумя зубцами электрода стока, так что один из двух зубцов электрода стока находится на одной стороне интегрального блока электрода истока, а другой из двух зубцов электрода стока находится на противоположной стороне интегрального блока электрода истока, и интегральный блок электрода истока находится в середине.
[0096] На фиг.6В активный слой в данном варианте осуществления дополнительно включает в себя третью полупроводниковую область АL-3, четвертую полупроводниковую область АL-4 и множество дополнительных полупроводниковых мостов АL-В, каждый из которых соединяет третью полупроводниковую область АL-3 и четвертую полупроводниковую область АL-4. Как показано на фиг.6В, множество дополнительных полупроводниковых мостов АL-В разнесены друг от друга. Возможно, множество дополнительных полупроводниковых мостов АL-В по существу параллельны друг другу. Электрод истока S в данном варианте осуществления находится в контакте со стороной первого неперекрывающегося участка и третьего неперекрывающегося участка, дальней от базовой подложки, и на ней, электрод стока D в данном варианте осуществления находится в контакте со стороной второго неперекрывающегося участка и четвертого неперекрывающегося участка, дальней от базовой подложки, и на ней. Более конкретно, первый неперекрывающийся участок и третий неперекрывающийся участок находятся в контакте со стороной интегрального блока электрода истока, ближней к базовой подложке, и на ней, а второй неперекрывающийся участок и четвертый неперекрывающийся участок находятся в контакте со стороной двух зубцов электрода стока, ближней к базовой подложке, и на ней.
[0097] Фиг.7А представляет собой схему, изображающую структуру тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления. Фиг.7В представляет собой схему, изображающую структуру активного слоя тонкопленочного транзистора в некоторых вариантах осуществления. На фиг.7А-7В тонкопленочный транзистор в данном варианте осуществления очень похож на транзистор на фиг.6А-6С за исключением того, что первая полупроводниковая область АL-1 и третья полупроводниковая область АL-3 в данном варианте осуществления образуют интегральную полупроводниковую область АL-1/3. Аналогично, первый неперекрывающийся участок и третий неперекрывающийся участок в данном варианте осуществления составляют интегральный неперекрывающийся участок.
[0098] Фиг.8 представляет собой схему, изображающую структуру схемы запуска затвора на матрице (GОА) в некоторых вариантах осуществления. На фиг.8 схема GОА в данном варианте осуществления включает в себя описанный здесь тонкопленочный транзистор. Как показано на фиг.8, схема GОА в данном варианте осуществления включает в себя девять полупроводниковых мостов.
[0099] В некоторых вариантах осуществления настоящий тонкопленочный транзистор представляет собой тонкопленочный транзистор в органическом светоизлучающем устройстве отображения, например, управляющий тонкопленочный транзистор или усиливающий тонкопленочный транзистор. Органические светоизлучающие устройства отображения являются современными управляемыми устройствами отображения, создающими более высокий запрос на термическую стабильность тонкопленочного транзистора. Настоящий тонкопленочный транзистор имеет гораздо более высокую термическую стабильность по сравнению с обычным тонкопленочным транзистором, делая его подходящим для применения органических светоизлучающих индикаторных продуктах.
[0100] В другом аспекте настоящее изобретение обеспечивает способ изготовления тонкопленочного транзистора. В некоторых вариантах осуществления данный способ включает в себя формирование активного слоя на базовой подложке, содержащего первую полупроводниковую область, вторую полупроводниковую область и множество полупроводниковых мостов, каждый из которых соединяет первую полупроводниковую область и вторую полупроводниковую область; и формирование слоя остановки травления на стороне активного слоя, дальней от базовой подложки.
[0101] В некоторых вариантах осуществления первая полупроводниковая область и вторая полупроводниковая область разнесены и расположены по существу вдоль первого направления в первой плоскости. Возможно, множество полупроводниковых мостов разнесены друг от друга, каждый из которых расположен по существу вдоль второго направления во второй плоскости. Возможно, первая плоскость и вторая плоскость по существу параллельны друг другу. Возможно, первая плоскость и вторая плоскость представляют собой одну и ту же плоскость. Возможно, множество полупроводниковых мостов по существу параллельны друг другу. Возможно, первое направление по существу перпендикулярно второму направлению.
[0102] В некоторых вариантах осуществления активный слой выполняют из материала, содержащего М1ОаNb, причем М1 представляет собой один металл или комбинацию металлов, а>0 и b≥0, например, активный слой делают из металлоксидного материала или металлоксинитридного материала. Примеры подходящих металлоксидных материалов активного слоя включают в себя оксид индия галлия цинка, оксид цинка, оксид галлия, оксид индия, HfInZnO (HIZO), аморфный InGaZnO (аморфный IGZO), InZnO, аморфный InZnO, ZnO:F, In2O3:Sn, In2O3:Mo, Cd2SnO4, ZnO:Al, TiO2:Nb и Cd-Sn-O, но не ограничиваются этим. Примеры подходящих металлоксинитридных материалов активного слоя включают в себя оксинитрид цинка, оксинитрид индия, оксинитрид галлия, оксинитрид олова, оксинитрид кадмия, оксинитрид алюминия, оксинитрид германия, оксинитрид титана, оксинитрид кремния или их комбинацию, но не ограничиваются этим. Возможно, активный слой делают из материала, содержащего М1ОаNb, легированный одним или несколькими металлическими элементами. Возможно, активный слой делают из материала, содержащего М1ОаNb, легированный одним или несколькими неметаллическими элементами. Возможно, активный слой делают из материала, содержащего М1ОаNb, легированный одним или несколькими металлическими элементами и одним или несколькими неметаллическими элементами.
[0103] Возможно, слой остановки травления является по существу устойчивым к травителю для травления первого электрода и второго электрода (например, электрод истока и электрода стока). Возможно, слой остановки травления является по существу устойчивым к мокрому травителю для травления первого электрода и второго электрода. Возможно, слой остановки травления делают из кремнийсодержащего соединения. Примеры кремнийсодержащих соединений для изготовления слоя остановки травления включают в себя оксид кремния, нитрид кремния, оксинитрид кремния, карбид кремния, оксикарбид кремния, кремний и кремний германий, но не ограничиваются этим.
[0104] В некоторых вариантах осуществления первую полупроводниковую область формируют так, чтобы она включала в себя первый неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку. В некоторых вариантах осуществления вторую полупроводниковую область формируют так, чтобы она включала в себя второй неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления при виде сверху на базовую подложку.
[0105] В некоторых вариантах осуществления данный способ дополнительно включает в себя формирование первого электрода (например, электрода истока или электрода стока) на стороне первого неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке; и формирование второго электрода (например, электрода стока или электрода истока) на стороне второго неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке.
[0106] Возможно, первый электрод (например, электрод истока или электрод стока) формируют так, что он находится в контакте со стороной первого неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке, и на ней. Возможно, второй электрод (например, электрод стока или электрод истока) формируют так, что он находится в контакте со стороной второго неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке, и на ней.
[0107] В некоторых вариантах осуществления данный способ дополнительно включает в себя формирование слоя омического контакта между первым электродом и первым неперекрывающимся участком. В некоторых вариантах осуществления данный способ дополнительно включает в себя формирование слоя омического контакта между вторым электродом и вторым неперекрывающимся участком.
[0108] В некоторых вариантах осуществления этап формирования активного слоя и этап формирования слоя остановки травления выполняют в единственном этапе формирования структуры. Возможно, единственный этап формирования структуры включает в себя применение полутоновой маскировочной пластины или серо-тоновой маскировочной пластины. Например, в некоторых вариантах осуществления единственный этап формирования структуры включает в себя формирование слоя полупроводникового материала, сделанного из М1ОаNb, причем М1 представляет собой один металл или комбинацию металлов, а>0 и b≥0, на базовой подложке; формирование слоя материала остановки травления на стороне слоя полупроводникового материала, дальней от базовой подложки; нанесение слоя фоторезиста на стороне слоя материала остановки травления, дальней от слоя полупроводникового материала; экспозицию слоя фоторезиста с помощью пластины полутоновой маски или пластины маски серых тонов; обработку экспонированного слоя фоторезиста с получением узора фоторезиста, содержащего первую секцию, соответствующую активному слою, и вторую секцию, которая находится вне первой секции; причем первая секция содержит первую зону, соответствующую первому неперекрывающемуся участку и второму неперекрывающемуся участку, и вторую зону, соответствующую остальным участкам первой секции; причем глубина второй зоны больше, чем глубина первой зоны, и материал фоторезиста удаляют во второй секции; удаление слоя материала остановки травления во второй секции; удаление слоя полупроводникового материала во второй секции с формированием узора активного слоя, соответствующего активному слою; удаление слоя фоторезиста в первой зоне при сохранении слоя фоторезиста во второй зоне; удаление слоя материала остановки травления в первой зоне с формированием узора слоя остановки травления, соответствующего слою остановки травления; и удаление слоя фоторезиста во второй зоне.
[0109] В некоторых вариантах осуществления этап формирования активного слоя, этап формирования первого электрода и этап формирования второго электрода выполняют в единственном этапе формирования структуры. Например, в некоторых вариантах осуществления данный способ может включать в себя формирование слоя полупроводникового материала, содержащего М1ОаNb, причем М1 представляет собой один металл или комбинацию металлов, а>0 и b≥0, на базовой подложке; формирование слоя материала остановки травления на стороне слоя полупроводникового материала, дальней от базовой подложки; нанесение первого слоя фоторезиста на стороне слоя материала остановки травления, дальней от слоя полупроводникового материала; экспозицию первого слоя фоторезиста с помощью первой маскировочной пластины, имеющей узор, соответствующий слою остановки травления; обработку экспонированного первого слоя фоторезиста с получением первого узора фоторезиста, содержащего первую секцию, соответствующую слою остановки травления, и вторую секцию, которая находится вне первой секции; удаление слоя материала остановки травления во второй секции с формированием узора слоя остановки травления, соответствующего слою остановки травления; формирование слоя материала электрода на стороне слоя остановки травления и слоя полупроводникового материала, дальней к базовой подложке; нанесение второго слоя фоторезиста на стороне слоя материала электрода, дальней от базовой подложки; экспозицию второго слоя фоторезиста с помощью второй маскировочной пластины, имеющей узор, соответствующий первому электроду и второму электроду; обработку экспонированного второго слоя фоторезиста с получением второго узора фоторезиста, содержащего третью секцию, соответствующую первому электроду и второму электроду, и четвертую секцию, которая находится вне первой секции; удаление слоя материала электрода в четвертой секции с формированием узора первого электрода, соответствующего первому электроду, и узора второго электрода, соответствующего второму электроду; и удаление слоя полупроводникового материала в четвертой секции с формированием узора активного слоя, соответствующего активному слою.
[0110] Возможно, слой полупроводникового материала может быть сформирован путем, например, покрытия, магнетронного распыления и осаждения из газовой фазы, такого как плазменное химическое осаждение из газовой фазы (РЕVСD).
[0111] Возможно, слой материала остановки травления может быть сформирован путем, например, покрытия, магнетронного распыления и осаждения из газовой фазы, такого как плазменное химическое осаждение из газовой фазы (РЕVСD).
[0112] Возможно, слой материала остановки травления может быть удален путем травления, например, сухого травления.
[0113] Возможно, слой полупроводникового материала может быть удален путем травления, например, мокрого травления.
[0114] Возможно, слой фоторезиста может быть удален путем озоления.
[0115] Возможно, слой материала электрода может быть удален путем травления, например, мокрого травления.
[0116] В некоторых вариантах осуществления данный тонкопленочный транзистор представляет собой тонкопленочный транзистор с нижним затвором. В некоторых вариантах осуществления перед формированием активного слоя данный способ дополнительно содержит формирование слоя электрода затвора на базовой подложке и формирование слоя изоляции затвора на стороне слоя электрода затвора, дальней от базовой подложки.
[0117] В другом аспекте настоящее изобретение обеспечивает индикаторную панель, содержащую тонкопленочный транзистор, описанный здесь или изготовленный с помощью описанного здесь способа. В другом аспекте настоящее изобретение обеспечивает устройство отображения, содержащее описанную здесь индикаторную панель. Примеры подходящих устройств отображения включают в себя жидкокристаллическую индикаторную панель, электронную бумагу, органическую светоизлучающую индикаторную панель, мобильный телефон, планшетный компьютер, телевизор, монитор, компьютер ноутбук, цифровой альбом, GРS и т.д., но не ограничиваются этим.
[0118] Вышеприведенное описание вариантов осуществления данного изобретения представлено с целью иллюстрации и описания. Оно не предназначено исчерпывать или ограничивать данное изобретение раскрытой точной формой или типичными вариантами осуществления. Соответственно, вышеприведенное описание следует рассматривать как иллюстративное, а не ограничивающее. Очевидно, многочисленные модификации и вариации будут видны специалистам в данной области техники. Данные варианты осуществления выбраны и описаны, чтобы объяснить принципы данного изобретения и лучший вариант его практического исполнения, позволяя специалистам в данной области техники понять, как данное изобретение в разных вариантах осуществления и с разными модификациями подходит для конкретного применения или задуманного исполнения. Предполагается, что объем изобретения задается приложенной формулой изобретения и ее эквивалентами, причем все термины берутся в их самом широком смысле, если не указано иное. Следовательно, термин "изобретение", "настоящее изобретение" или подобные не обязательно ограничивают объем формулы изобретения конкретным вариантом осуществления, и указание на типичные варианты осуществления данного изобретения не означает ограничение изобретения, и никакие такие ограничения не подразумеваются. Данное изобретение ограничивается только сущностью и объемом приложенной формулы изобретения. Кроме того, пункты формулы изобретения могут использовать термины "первый", "второй" и т.д. с последующим существительным или элементом. Такие термины следует понимать как перечень и не следует рассматривать как создающие ограничение на число элементов, модифицированное таким перечнем, если не дается конкретное число. Любые описанные выгоды и преимущества могут применяться не ко всем вариантам осуществления данного изобретения. Следует понимать, что в описанных вариантах осуществления специалистами в данной области техники могут быть сделаны изменения без отклонения от объема настоящего изобретения, заданного формулой изобретения. Кроме того, никакой элемент и компонент в настоящем изобретении не предназначен делаться всеобщим достоянием независимо от того, указан ли данный элемент или компонент определенно в формуле изобретения.
Claims (60)
1. Тонкопленочный транзистор, содержащий:
базовую подложку;
активный слой на базовой подложке, содержащий первую полупроводниковую область, вторую полупроводниковую область и множество полупроводниковых мостов, каждый из которых соединяет первую полупроводниковую область и вторую полупроводниковую область; причем множество полупроводниковых мостов разнесено друг от друга; при этом активный слой выполнен из материала, содержащего М1ОаNb, причем М1 представляет собой один металл или комбинацию металлов, а>0 и b≥0;
слой остановки травления на стороне активного слоя, дальней от базовой подложки; причем первая полупроводниковая область содержит первый неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления на виде сверху на базовую подложку; и вторая полупроводниковая область содержит второй неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления на виде сверху на базовую подложку;
первый электрод на стороне первого неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке; и
второй электрод на стороне второго неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке.
2. Тонкопленочный транзистор по п. 1, в котором первая полупроводниковая область представляет собой интегральный полупроводниковый блок, соединяющий множество первых концов множества полупроводниковых мостов; вторая полупроводниковая область представляет собой интегральный полупроводниковый блок, соединяющий множество вторых концов множества полупроводниковых мостов.
3. Тонкопленочный транзистор по п. 1, в котором слой остановки травления содержит множество блоков остановки травления, разнесенных друг от друга, причем каждый блок остановки травления, по меньшей мере, частично перекрывается с соответствующим полупроводниковым мостом.
4. Тонкопленочный транзистор по п. 1, в котором каждый из множества полупроводниковых мостов имеет прямоугольную форму.
5. Тонкопленочный транзистор по п. 1, в котором каждый полупроводниковый мост содержит средний участок, имеющий боковые края вогнутой формы и ширину уже, чем ширины других участков каждого полупроводникового моста.
6. Тонкопленочный транзистор по п. 1, в котором активный слой дополнительно содержит третью полупроводниковую область, четвертую полупроводниковую область и множество дополнительных полупроводниковых мостов, каждый из которых соединяет третью полупроводниковую область и четвертую полупроводниковую область; причем данное множество дополнительных полупроводниковых мостов разнесено друг от друга; причем третья полупроводниковая область содержит третий неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления на виде сверху на базовую подложку; и четвертая полупроводниковая область содержит четвертый неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления на виде сверху на базовую подложку;
первый электрод на стороне третьего неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке; и
второй электрод на стороне четвертого неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке.
7. Тонкопленочный транзистор по п. 6, в котором третья полупроводниковая область представляет собой интегральный полупроводниковый блок, соединяющий множество первых концов множества дополнительных полупроводниковых мостов; четвертая полупроводниковая область представляет собой интегральный полупроводниковый блок, соединяющий множество вторых концов множества дополнительных полупроводниковых мостов.
8. Тонкопленочный транзистор по п. 6, в котором слой остановки травления содержит множество дополнительных блоков остановки травления, разнесенных друг от друга, причем каждый дополнительный блок остановки травления, по меньшей мере, частично перекрывается с соответствующим дополнительным полупроводниковым мостом.
9. Тонкопленочный транзистор по п. 6, в котором первый электрод содержит основное тело первого электрода, множество зубцов первого электрода, выполненных за одно целое с основным телом первого электрода и продолжающихся от основного тела первого электрода к свободным концам множества зубцов первого электрода;
второй электрод содержит основное тело второго электрода, множество зубцов второго электрода, выполненных за одно целое с основным телом второго электрода и продолжающихся от основного тела второго электрода к свободным концам множества зубцов второго электрода;
каждый из множества зубцов первого электрода и каждый из множества зубцов второго электрода расположены попеременно и отделены так, что первый электрод и второй электрод чередуются;
первый неперекрывающийся участок и третий неперекрывающийся участок находятся на стороне множества зубцов первого электрода, ближней к базовой подложке, второй неперекрывающийся участок и четвертый неперекрывающийся участок находятся на стороне множества зубцов второго электрода, ближней к базовой подложке.
10. Тонкопленочный транзистор по п. 6, в котором первый электрод содержит основное тело первого электрода, два зубца первого электрода, выполненных за одно целое с основным телом первого электрода и продолжающихся от основного тела первого электрода к свободным концам двух зубцов первого электрода;
второй электрод содержит основное тело второго электрода, два зубца второго электрода, выполненных за одно целое с основным телом второго электрода и продолжающихся от основного тела второго электрода к свободным концам двух зубцов второго электрода;
причем два зубца первого электрода разделены двумя зубцами второго электрода, так что один из двух зубцов второго электрода находится на одной стороне двух зубцов первого электрода, а другой из двух зубцов второго электрода находится на противоположной стороне двух зубцов первого электрода, и два зубца первого электрода находятся в середине;
первый неперекрывающийся участок и третий неперекрывающийся участок находятся на стороне двух зубцов первого электрода, ближней к базовой подложке, второй неперекрывающийся участок и четвертый неперекрывающийся участок находятся на стороне двух зубцов второго электрода, ближней к базовой подложке.
11. Тонкопленочный транзистор по п. 6, в котором первый электрод содержит интегральный блок первого электрода;
второй электрод содержит основное тело второго электрода, два зубца второго электрода, выполненных за одно целое с основным телом второго электрода и продолжающихся от основного тела второго электрода к свободным концам двух зубцов второго электрода;
причем интегральный блок первого электрода находится между двумя зубцами второго электрода, так что один из двух зубцов второго электрода находится на одной стороне интегрального блока первого электрода, а другой из двух зубцов второго электрода находится на противоположной стороне интегрального блока первого электрода, и интегральный блок первого электрода находится в середине;
первый неперекрывающийся участок и третий неперекрывающийся участок находятся на стороне интегрального блока первого электрода, ближней к базовой подложке, второй неперекрывающийся участок и четвертый неперекрывающийся участок находятся на стороне двух зубцов второго электрода, ближней к базовой подложке.
12. Тонкопленочный транзистор по п. 1, в котором первая полупроводниковая область дополнительно содержит первый перекрывающийся участок, проекция которого перекрывается с проекцией слоя остановки травления на виде сверху на базовую подложку; вторая полупроводниковая область дополнительно содержит второй перекрывающийся участок, проекция которого перекрывается с проекцией слоя остановки травления на виде сверху на базовую подложку.
13. Тонкопленочный транзистор по п. 1, в котором слой остановки травления, по существу, устойчив к травителю для травления первого электрода и второго электрода.
14. Схема запуска затвора на матрице (GОА), содержащая тонкопленочный транзистор по любому из пп. 1-13.
15. Устройство отображения, содержащее тонкопленочный транзистор по любому из пп. 1-13.
16. Способ изготовления тонкопленочного транзистора, в котором:
формируют активный слой на базовой подложке, содержащий первую полупроводниковую область, вторую полупроводниковую область и множество полупроводниковых мостов, каждый из которых соединяет первую полупроводниковую область и вторую полупроводниковую область; причем данное множество полупроводниковых мостов разнесено друг от друга; при этом данный активный слой выполняют из материала, содержащего М1ОаNb, причем М1 представляет собой один металл или комбинацию металлов, а>0 и b≥0;
формируют слой остановки травления на стороне активного слоя, дальней от базовой подложки; причем первая полупроводниковая область содержит первый неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления на виде сверху на базовую подложку; причем вторая полупроводниковая область содержит второй неперекрывающийся участок, проекция которого находится вне проекции слоя остановки травления на виде сверху на базовую подложку;
формируют первый электрод на стороне первого неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке; и
формируют второй электрод на стороне второго неперекрывающегося участка, дальней к базовой подложке.
17. Способ по п. 16, в котором в этапе формирования активного слоя и этапе формирования слоя остановки травления:
формируют слой полупроводникового материала, содержащий М1ОаNb, причем М1 представляет собой один металл или комбинацию металлов, а>0 и b≥0, на базовой подложке;
формируют слой материала остановки травления на стороне слоя полупроводникового материала, дальней от базовой подложки;
наносят слой фоторезиста на стороне слоя материала остановки травления, дальней от слоя полупроводникового материала;
экспонируют слой фоторезиста с помощью пластины полутоновой маски или пластины маски серых тонов;
обрабатывают слой фоторезиста с получением узора фоторезиста, содержащего первую секцию, соответствующую активному слою, и вторую секцию, которая находится вне первой секции; причем первая секция содержит первую зону, соответствующую первому неперекрывающемуся участку и второму неперекрывающемуся участку, и вторую зону, соответствующую остальным участкам первой секции; причем глубина второй зоны больше, чем глубина первой зоны, и материал фоторезиста удаляют во второй секции;
удаляют слой материала остановки травления во второй секции;
удаляют слой полупроводникового материала во второй секции с формированием узора активного слоя, соответствующего активному слою;
удаляют слой фоторезиста в первой зоне при сохранении слоя фоторезиста во второй зоне;
удаляют слой материала остановки травления в первой зоне с формированием узора слоя остановки травления, соответствующего слою остановки травления; и
удаляют слой фоторезиста во второй зоне.
18. Способ по п. 16, в котором на этапе формирования активного слоя, этапе формирования первого электрода и этапе формирования второго электрода:
формируют слой полупроводникового материала, содержащего М1ОаNb, причем М1 представляет собой один металл или комбинацию металлов, а>0 и b≥0, на базовой подложке;
формируют слой материала остановки травления на стороне слоя полупроводникового материала, дальней от базовой подложки;
наносят первый слой фоторезиста на стороне слоя материала остановки травления, дальней от слоя полупроводникового материала;
экспонируют первый слой фоторезиста с помощью первой маскировочной пластины, имеющей узор, соответствующий слою остановки травления;
обрабатывают экспонированный первый слой фоторезиста с получением первого узора фоторезиста, содержащего первую секцию, соответствующую слою остановки травления, и вторую секцию, которая находится вне первой секции;
удаляют слой материала остановки травления во второй секции с формированием узора слоя остановки травления, соответствующего слою остановки травления;
формируют слой материала электрода на стороне слоя остановки травления и слоя полупроводникового материала, дальней к базовой подложке;
наносят второй слой фоторезиста на стороне слоя материала электрода, дальней от базовой подложки;
экспонируют второй слой фоторезиста с помощью второй маскировочной пластины, имеющей узор, соответствующий первому электроду и второму электроду;
обрабатывают экспонированный второй слой фоторезиста с получением второго узора фоторезиста, содержащего третью секцию, соответствующую первому электроду и второму электроду, и четвертую секцию, которая находится вне первой секции;
удаляют слой материала электрода в четвертой секции с формированием узора первого электрода, соответствующего первому электроду, и узора второго электрода, соответствующего второму электроду; и
удаляют слой полупроводникового материала в четвертой секции с формированием узора активного слоя, соответствующего активному слою.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2016/089409 WO2018006412A1 (en) | 2016-07-08 | 2016-07-08 | Thin film transistor, gate drive on array and display apparatus having the same, and fabricating method thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2705754C1 true RU2705754C1 (ru) | 2019-11-11 |
Family
ID=58215710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017131645A RU2705754C1 (ru) | 2016-07-08 | 2016-07-08 | Тонкопленочный транзистор, запуск затвора на матрице и содержащее его устройство отображения, и способ его изготовления |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10032917B1 (ru) |
| EP (1) | EP3482420A4 (ru) |
| JP (1) | JP6779884B2 (ru) |
| KR (2) | KR102104471B1 (ru) |
| CN (1) | CN106463545B (ru) |
| BR (1) | BR112017023119B1 (ru) |
| RU (1) | RU2705754C1 (ru) |
| WO (1) | WO2018006412A1 (ru) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109148303B (zh) * | 2018-07-23 | 2020-04-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管的制备方法 |
| CN109360858A (zh) * | 2018-09-28 | 2019-02-19 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 薄膜晶体管、显示基板及修复方法、显示装置 |
| CN111430368B (zh) * | 2020-03-30 | 2023-01-20 | 友达光电（苏州）有限公司 | 显示装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090072228A1 (en) * | 2007-09-19 | 2009-03-19 | Tae-Young Choi | Organic thin film transistor substrate and method of manufacture |
| CN102723334A (zh) * | 2012-06-07 | 2012-10-10 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种金属氧化物薄膜晶体基板及其制造方法和液晶显示器 |
| US20130112976A1 (en) * | 2011-11-08 | 2013-05-09 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Thin-film transistor array substrate, organic light-emitting display including the same, and method of manufacturing the same |
| RU2488865C9 (ru) * | 2009-03-24 | 2014-01-20 | Шарп Кабушики Каиша | Подложка, содержащая тонкопленочные транзисторы и жидкокристаллический дисплей, в котором использована такая подложка |
| CN103941448A (zh) * | 2013-12-26 | 2014-07-23 | 上海天马微电子有限公司 | 一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、液晶显示器 |
| CN104914639A (zh) * | 2015-06-26 | 2015-09-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种tft基板及显示装置 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3520713B2 (ja) * | 1997-03-26 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタ及びそれを用いた液晶表示装置及び薄膜トランジスタ回路 |
| JP2003332578A (ja) * | 2002-05-09 | 2003-11-21 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ及びその製造方法並びにこれを用いた液晶表示装置 |
| KR100553935B1 (ko) * | 2003-08-20 | 2006-02-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100632214B1 (ko) * | 2003-12-22 | 2006-10-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
| TWI255150B (en) * | 2003-12-22 | 2006-05-11 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Organic electroluminescent device and method of fabricating the same |
| KR100603832B1 (ko) * | 2004-05-03 | 2006-07-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 열분산형 멀티채널 트랜지스터와 그 제조방법 |
| KR101107712B1 (ko) * | 2005-02-28 | 2012-01-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
| JP2007005395A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタ |
| JP2007157916A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Ｔｆｔ基板及びｔｆｔ基板の製造方法 |
| JP2008310298A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-12-25 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 表示装置および電子装置 |
| EP2001047A1 (en) * | 2007-06-07 | 2008-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device |
| JP2009060001A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Casio Comput Co Ltd | フォトトランジスタ |
| JP2008085357A (ja) * | 2007-11-06 | 2008-04-10 | Nec Corp | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
| KR101463028B1 (ko) * | 2008-06-30 | 2014-11-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법 |
| TWI642113B (zh) * | 2008-08-08 | 2018-11-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| US9029861B2 (en) | 2010-07-16 | 2015-05-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film transistor and shift register |
| TWI555205B (zh) * | 2010-11-05 | 2016-10-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及半導體裝置的製造方法 |
| JP2013161895A (ja) * | 2012-02-03 | 2013-08-19 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器 |
| TWI611566B (zh) * | 2013-02-25 | 2018-01-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置和電子裝置 |
| JP6490914B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2019-03-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| KR102230301B1 (ko) | 2014-01-06 | 2021-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 |
| EP2960943B1 (en) * | 2014-06-27 | 2019-08-07 | LG Display Co., Ltd. | Thin film transistor of display apparatus |
-
2016
- 2016-07-08 JP JP2017538210A patent/JP6779884B2/ja active Active
- 2016-07-08 BR BR112017023119-0A patent/BR112017023119B1/pt active IP Right Grant
- 2016-07-08 EP EP16880197.5A patent/EP3482420A4/en active Pending
- 2016-07-08 CN CN201680000573.1A patent/CN106463545B/zh active Active
- 2016-07-08 US US15/543,673 patent/US10032917B1/en active Active
- 2016-07-08 KR KR1020197018645A patent/KR102104471B1/ko active IP Right Grant
- 2016-07-08 KR KR1020177020017A patent/KR20180016330A/ko active Search and Examination
- 2016-07-08 RU RU2017131645A patent/RU2705754C1/ru active
- 2016-07-08 WO PCT/CN2016/089409 patent/WO2018006412A1/en active Application Filing
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090072228A1 (en) * | 2007-09-19 | 2009-03-19 | Tae-Young Choi | Organic thin film transistor substrate and method of manufacture |
| RU2488865C9 (ru) * | 2009-03-24 | 2014-01-20 | Шарп Кабушики Каиша | Подложка, содержащая тонкопленочные транзисторы и жидкокристаллический дисплей, в котором использована такая подложка |
| US20130112976A1 (en) * | 2011-11-08 | 2013-05-09 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Thin-film transistor array substrate, organic light-emitting display including the same, and method of manufacturing the same |
| CN102723334A (zh) * | 2012-06-07 | 2012-10-10 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种金属氧化物薄膜晶体基板及其制造方法和液晶显示器 |
| CN103941448A (zh) * | 2013-12-26 | 2014-07-23 | 上海天马微电子有限公司 | 一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、液晶显示器 |
| CN104914639A (zh) * | 2015-06-26 | 2015-09-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种tft基板及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106463545A (zh) | 2017-02-22 |
| US20180212050A1 (en) | 2018-07-26 |
| JP6779884B2 (ja) | 2020-11-04 |
| CN106463545B (zh) | 2019-11-01 |
| EP3482420A1 (en) | 2019-05-15 |
| US10032917B1 (en) | 2018-07-24 |
| KR102104471B1 (ko) | 2020-04-24 |
| WO2018006412A1 (en) | 2018-01-11 |
| KR20190079708A (ko) | 2019-07-05 |
| KR20180016330A (ko) | 2018-02-14 |
| EP3482420A4 (en) | 2020-03-04 |
| JP2019520691A (ja) | 2019-07-18 |
| BR112017023119A2 (pt) | 2018-07-10 |
| BR112017023119B1 (pt) | 2022-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6466450B2 (ja) | アレイ基板及びその製造方法並びに表示装置 | |
| US9164613B2 (en) | Touch display substrate and touch display panel having the same | |
| EP2747138B1 (en) | Thin film transistor array substrate | |
| TWI311815B (en) | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof | |
| US20200174300A1 (en) | Display panel, method for manufacturing same, and display device | |
| JP6483843B2 (ja) | アレイ基板及びその製造方法、表示装置 | |
| JP4141309B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US8884291B2 (en) | Thin film transistor display panel and manufacturing method thereof | |
| KR102295477B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 | |
| RU2705754C1 (ru) | Тонкопленочный транзистор, запуск затвора на матрице и содержащее его устройство отображения, и способ его изготовления | |
| WO2017118112A1 (zh) | 阵列基板和显示装置 | |
| US20210336068A1 (en) | Thin film transistor, method of fabricating thin film transistor, and display apparatus having thin film transistor | |
| WO2017177734A1 (zh) | 阵列基板、制造方法以及显示面板和电子装置 | |
| WO2017031966A1 (en) | Thin-film transistor, method for fabricating the same, array substrate and display panel containing the same | |
| EP3261127B1 (en) | Thin-film transistor and manufacturing method therefor, array substrate and display device | |
| US11239260B2 (en) | Substrate for electronic device, display apparatus, method of fabricating substrate for electronic device | |
| US10475822B2 (en) | Array substrate, display panel and display apparatus having the same, and fabricating method thereof | |
| WO2019210776A1 (zh) | 阵列基板、显示装置、薄膜晶体管及阵列基板的制作方法 | |
| WO2016000363A1 (zh) | 低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| US20190206907A1 (en) | Array substrate and manufacturing method thereof | |
| US9035364B2 (en) | Active device and fabricating method thereof | |
| KR101756659B1 (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |