RU2562909C2 - Мишень для искрового испарения с пространственным ограничением распространения искры - Google Patents
Мишень для искрового испарения с пространственным ограничением распространения искры Download PDFInfo
- Publication number
- RU2562909C2 RU2562909C2 RU2012148715/07A RU2012148715A RU2562909C2 RU 2562909 C2 RU2562909 C2 RU 2562909C2 RU 2012148715/07 A RU2012148715/07 A RU 2012148715/07A RU 2012148715 A RU2012148715 A RU 2012148715A RU 2562909 C2 RU2562909 C2 RU 2562909C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- target
- central zone
- essentially
- plane
- target according
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
- C23C14/325—Electric arc evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32614—Consumable cathodes for arc discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3444—Associated circuits
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Abstract
Изобретение относится к мишени для электродугового источника (ARC) с первым телом (3) из подлежащего испарению материала, которое содержит по существу в одной плоскости предусмотренную для испарения поверхность, при этом поверхность в этой плоскости окружает центральную зону. В центральной зоне предусмотрено выполненное в виде диска второе тело (7), изолированное от первого тела (3) таким образом, что второе тело (7) по существу не может предоставлять электроны для сохранения искры. Технический результат - повышение стабильности процесса и упрощение технического обслуживания. 3 н. и 7 з.п. ф-лы, 4 ил.
Description
Изобретение относится к мишени для источника искрового испарения, согласно ограничительной части п. 1 формулы изобретения, а также к соответствующему источнику искрового испарения и к способу изготовления слоев с помощью искрового испарения.
Под искровым испарением следует в последующем понимать физический способ нанесения покрытий испарением под вакуумом, при котором катодное фокусное пятно испаряет материал с предусмотренной для этого поверхности. Устройство, в котором предусмотрен подлежащий испарению материал, обозначается далее как мишень. Мишень вместе с зажигающим устройством, предназначенным для зажигания искры, а также с источником напряжения, предназначенным для поддержания искры, образует электродуговой источник (ARC). Ограничением электрической дуги (arc confinement) в последующем обозначается ограничение распространения катодного фокусного пятна.
Электродуговые источники (ARC) работают в большинстве случаев с наведенным магнитным полем. При этом на мишени предусмотрены магнитные средства, которые приводят к распределению магнитных силовых линий (в последующем упрощенно обозначаемых как магнитное поле) среди прочего над, то есть по меньшей мере вблизи поверхности подлежащего испарению материала мишени, снаружи мишени, которые оказывают влияние на скорость перемещения катодного фокусного пятна на поверхности мишени, а также на условия разряда, такие как, например, напряжение разряда.
Недостатком при создании магнитного поля является то, что при симметричном относительно оси поле, которое в центре отличается от нуля, линии поля в центре всегда выходят из мишени перпендикулярно поверхности. Это показано схематично для круглой мишени на фиг. 1 и для прямоугольной мишени на фиг. 2. В зонах, в которых линии поля проходят по существу перпендикулярно поверхности мишени, сильно уменьшается скорость перемещения катодного фокусного пятна. Этот эффект можно называть залипанием катодного фокусного пятна в центре. В этой зоне происходит усиленная эрозия материала с усиленным образованием капелек как в отношении размера, так и в количественном отношении. Капельки являются вырываемыми из поверхности мишени по существу жидкими, то есть не испаренными конгломератами материала мишени, которые оседают в виде макрочастиц на подлежащей покрытию подложке. В случае реактивных процессов нанесения покрытий это зачастую приводит к тому, что конгломераты полностью не могут вступать в реакцию с реактивным газом.
Против этого залипания катодного фокусного пятна в центре мишени известны по существу две меры.
С одной стороны, можно пытаться предотвращать залипание за счет правильного выбора магнитной системы. Это достигается, например, с помощью расходящихся линий магнитного поля. Однако известно, что за счет фокусирования магнитных полей испаренный материал может усиленно направляться к подлежащей покрытию подложке, и за счет этого повышается эффективность использования материала. При применении расходящихся линий магнитного поля приходится отказываться от этого преимущества.
С другой стороны, известно применение мер, которые катодное фокусное пятно, несмотря на перпендикулярно проходящие линии магнитного поля, смещают из центральной зоны мишени, то есть ограничивают зонами мишени вне центральной зоны. Согласно WO 0016373, проблема залипания катодного фокусного пятна в центральной зоне ослабляется тем, что в центральной зоне мишени предусмотрен экран, материал которого имеет небольшой коэффициент вторичной электронной эмиссии. В качестве материала экрана в данной заявке применяется, например, нитрид бора. Однако при таком методе проявляется проблема, заключающаяся в том, что за счет покрытия поверхности экрана он становится электрически проводящим, катодное фокусное пятно может перемещаться по поверхности экрана, и тем самым в подлежащем созданию слое появляются нежелательные компоненты.
В основу настоящего изобретения положена задача по меньшей мере частичного преодоления недостатков уровня техники. При этом с помощью предпринятых мер должна и далее обеспечиваться пригодность применения в производственных условиях предприятий, специализирующихся на нанесении покрытий. В соответствии с этим, предъявляются требования к низкой стоимости, стабильности процесса и простоте технического обслуживания.
Задача решена, согласно изобретению, в соответствии с отличительной частью п. 1 формулы изобретения. Зависимые пункты формулы изобретения содержат другие предпочтительные варианты выполнения.
Авторами было установлено, что проблема, согласно WO 0016373 состоит в том, что на основании контакта между экраном и испаряемым материалом с увеличением покрытия создается электрически проводящее соединение, которое обеспечивает возможность искрового разряда на поверхности экрана, несмотря на небольшой коэффициент вторичной электронной эмиссии.
Поэтому, согласно изобретению, катодное фокусное пятно очень эффективно вытесняется из центральной зоны поверхности мишени за счет того, что в этой зоне во время процесса нанесения покрытия в течение продолжительного времени предотвращается подача электронов, то есть исключается искровой разряд из-за отсутствия возможности прохождения тока. Это может достигаться, например, за счет того, что центральная зона длительно изолирована и расположена с плавающим электрическим потенциалом. Неожиданным образом было установлено, что если эта подача электронов в центральной зоне мишени прекращается на продолжительное время, то в качестве материала экрана можно применять даже материал, идентичный с остальной поверхностью мишени. Поэтому применение материалов, которые имеют небольшой коэффициент вторичной электронной эмиссии, более не является обязательным условием. Если катодное фокусное пятно случайно кратковременно перемещается по экрану, то это не приводит в данном случае к загрязнению слоев.
Ниже приводится подробное пояснение изобретения на основе примеров выполнения со ссылками на прилагаемые чертежи, на которых изображено:
фиг. 3 - вариант выполнения мишени, согласно изобретению, с диском в немагнитном выполнении и схематичное изображение прохождения линий поля;
фиг. 4 - вариант выполнения мишени, согласно изобретению, с диском в магнитном выполнении с магнитомягким материалом и схематичное изображение прохождения линий поля.
Согласно первому примеру выполнения, мишень 1 содержит, как показано на фиг. 1, материал 3 мишени, например титан с углублением 5 в центральной зоне для размещения установленного электрически изолированным образом диска 7, который удерживается на изоляционном штифте 9 с помощью фиксирующего кольца 11. В качестве изоляционного штифта 9 подходит, например, керамический, электрически не проводящий материал. Расстояния между материалом 3 мишени и диска 7 составляют примерно от 1,5 мм до 3,5 мм. При еще большем расстоянии существует опасность перехода катодного фокусного пятна на диск 7, расположенный с плавающим потенциалом. При расстоянии меньше 1,5 мм существует опасность электрического контакта между материалом 3 мишени и диском 7 за счет нарастания материала покрытия.
Для изготовления мишени сначала предпочтительно наносят панельку из материала мишени на несущую панельку (не изображена), которая служит как для охлаждения, так и для электрического контактирования. Лишь затем выполняют механическую фиксацию изоляционного штифта 9, диска 7 и фиксирующего кольца 11.
Во многих применениях мишень 1 расположена на боковых стенках камеры нанесения покрытия. Это означает, что для круглой мишени ось симметрии мишени 1 проходит горизонтально. Диск 7 содержит, например, отверстие, посредством которого он размещается на изоляционном штифте 9. Предпочтительно, диаметр отверстия выбирается по меньшей мере на несколько десятых миллиметра больше диаметра части изоляционного штифта 9, которая проходит через отверстие. Поэтому на основании силы тяжести диск 7 прилегает к линии на верхней части боковой поверхности изоляционного штифта 9. Фиксирующее кольцо 11, как показано на фиг. 3, утоплено в центральном углублении диска 7. За счет этого дополнительно уменьшается линия прилегания, и в самом неблагоприятном случае центр тяжести диска лежит так, что диск 7 на основании допуска опирается с перекосом на боковую поверхность изоляционного штифта 9. Для предотвращения этого диск 7 содержит, согласно усовершенствованному варианту выполнения изобретения, одно или несколько углублений 13. Эти углубления 13 приводят к тому, что центр тяжести диска 7 смещается на оси от фиксирующего кольца 11, и тем самым диск 7 опирается без перекоса.
В данном варианте выполнения диск 7 состоит из электрически проводящего, например, металлического материала.
Согласно одному особенно предпочтительному варианту выполнения, плавающий диск 7 может быть выполнен также из магнитомягкого материала, за счет чего достигается то, что линии поля проходят перпендикулярно наружной кромке диска и тем самым располагаются по существу параллельно поверхности мишени, как показано на фиг. 4 с помощью штриховых линий на правой стороне. Тем самым обеспечивается большая скорость перемещения катодного фокусного пятна по всей остальной зоне мишени.
В данном описании раскрыта мишень для электродугового источника (ARC) с первым телом 3 из подлежащего испарению материала, которое по существу в одной плоскости содержит предусмотренную для испарения поверхность, при этом поверхность в этой плоскости окружает центральную зону, которая характеризуется тем, что в центральной зоне образовано, предпочтительно выполнено в виде диска второе тело 7, изолированное от первого тела 3 таким образом, что второе тело 7 по существу не может предоставлять электроны для сохранения искры.
Предпочтительно первое тело 3 содержит в центральной зоне углубление 5, в котором расположено второе тело 7 и закреплено с помощью изоляционного штифта 9, при этом расстояние между первым телом 3 и вторым телом 7 принимает одно или несколько значений от 1,5 мм до 3,5 мм включительно, при этом в особенно предпочтительном варианте выполнения тело 7 по меньшей мере на поверхности, которая выступает из углубления 5, имеет материал, который соответствует материалу тела 3.
Второе тело 7 может содержать одно или несколько углублений 13 так, что лежащий на оси центр тяжести второго тела 7 лежит на высоте боковой поверхности отверстия.
В другом особенно предпочтительном варианте выполнения второе тело 7 выполнено из магнитомягкого материала.
Claims (11)
-
- 1. Мишень для электродугового источника с первым телом (3) из подлежащего испарению материала, которое по существу в одной плоскости содержит предусмотренную для испарения поверхность, при этом поверхность в этой плоскости окружает центральную зону, отличающаяся тем, что в центральной зоне предусмотрено второе тело (7), выполненное в виде диска и электрически изолированное от первого тела (3) таким образом, что второе тело (7) по существу не может предоставлять электроны для сохранения искры.
- 2. Мишень по п. 1, отличающаяся тем, что первое тело (3) содержит в центральной зоне углубление (5), в котором расположено второе тело (7) и закреплено с помощью изоляционного штифта (9), при этом расстояние между первым телом (3) и вторым телом (7) принимает одно или несколько значений от 1,5 мм до 3,5 мм включительно.
- 3. Мишень по п. 2, отличающаяся тем, что второе тело (7) по меньшей мере на поверхности, которая выступает из углубления (5), имеет материал, который соответствует материалу первого тела (3).
- 4. Мишень по п. 2, отличающаяся тем, что второе тело (7) содержит по меньшей мере одно углубление (13) так, что центр тяжести второго тела (7) смещен на оси от фиксирующего кольца (11) и удерживается без перекоса.
- 5. Мишень по п. 3, отличающаяся тем, что второе тело (7) содержит по меньшей мере одно углубление (13) так, что центр
тяжести второго тела (7) смещен на оси от фиксирующего кольца (11) и удерживается без перекоса. - 6. Мишень по любому из пп. 1-5, отличающаяся тем, что второе тело (7) выполнено из магнитомягкого материала.
- 7. Мишень по п. 2, отличающаяся тем, что второе тело (7) содержит одно или несколько углублений на своей поверхности.
- 8. Мишень для электродугового источника, содержащая первое тело (3) из материала, подлежащего испарению посредством катодного фокусного пятна во время процесса нанесения покрытия, которое содержит предусмотренную для испарения поверхность, при этом поверхность по существу задает плоскость и поверхность в этой плоскости окружает центральную зону, и
второе тело (7), расположенное в центральной зоне, причем второе тело (7) выполнено в виде диска и электрически изолировано от первого тела (3) таким образом, что второе тело (7) по существу не может предоставлять электроны для сохранения искры во время процесса нанесения покрытия. - 9. Мишень для электродугового источника, содержащая первое тело (3) из материала, подлежащего испарению, посредством катодного фокусного пятна во время процесса нанесения покрытия, которое содержит предусмотренную для испарения поверхность, при этом поверхность по существу задает плоскость и поверхность окружает центральную зону с углублением по существу в центральном регионе плоскости, и
второе тело (7), расположенное в центральной зоне, причем
второе тело (7) содержит поверхности и выполнено в виде диска и электрически изолировано от первого тела (3) таким образом, что второе тело (7) по существу не может предоставлять электроны для сохранения искры во время процесса нанесения покрытия. - 10. Мишень по п. 9, отличающаяся тем, что второе тело (7) содержит одно или несколько углублений на своей поверхности.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US32492910P | 2010-04-16 | 2010-04-16 | |
US61/324,929 | 2010-04-16 | ||
DE102010020737A DE102010020737A1 (de) | 2010-05-17 | 2010-05-17 | Target für Funkenverdampfung mit räumlicher Begrenzung der Ausbreitung des Funkens |
DE102010020737.3 | 2010-05-17 | ||
PCT/EP2011/000057 WO2011128004A1 (de) | 2010-04-16 | 2011-01-10 | Target für funkenverdampfung mit räumlicher begrenzung der ausbreitung des funkens |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2012148715A RU2012148715A (ru) | 2014-05-27 |
RU2562909C2 true RU2562909C2 (ru) | 2015-09-10 |
Family
ID=43735926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2012148715/07A RU2562909C2 (ru) | 2010-04-16 | 2011-01-10 | Мишень для искрового испарения с пространственным ограничением распространения искры |
Country Status (12)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9657389B2 (ru) |
EP (1) | EP2559050B1 (ru) |
JP (1) | JP5757991B2 (ru) |
KR (1) | KR101784540B1 (ru) |
CN (1) | CN102822938B (ru) |
BR (1) | BR112012026552B1 (ru) |
CA (1) | CA2796394C (ru) |
DE (1) | DE102010020737A1 (ru) |
MX (1) | MX338452B (ru) |
RU (1) | RU2562909C2 (ru) |
TW (1) | TWI544101B (ru) |
WO (1) | WO2011128004A1 (ru) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6338781B1 (en) * | 1996-12-21 | 2002-01-15 | Singulus Technologies Ag | Magnetron sputtering cathode with magnet disposed between two yoke plates |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62218562A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-25 | Fujitsu Ltd | スパツタリング装置 |
US5298136A (en) | 1987-08-18 | 1994-03-29 | Regents Of The University Of Minnesota | Steered arc coating with thick targets |
DE4401986A1 (de) | 1994-01-25 | 1995-07-27 | Dresden Vakuumtech Gmbh | Verfahren zum Betreiben eines Vakuumlichtbogenverdampfers und Stromversorgungseinrichtung dafür |
CH689558A5 (de) * | 1995-07-11 | 1999-06-15 | Erich Bergmann | Bedampfungsanlage und Verdampfereinheit. |
JP2002525431A (ja) * | 1998-09-14 | 2002-08-13 | ユナキス・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト | アーク蒸化室用ターゲット配置 |
CA2268659C (en) * | 1999-04-12 | 2008-12-30 | Vladimir I. Gorokhovsky | Rectangular cathodic arc source and method of steering an arc spot |
US6783638B2 (en) * | 2001-09-07 | 2004-08-31 | Sputtered Films, Inc. | Flat magnetron |
ATE367232T1 (de) * | 2002-03-23 | 2007-08-15 | Metal Nanopowders Ltd | Verfahren zur erzeugung von pulver |
JP2005126737A (ja) * | 2003-10-21 | 2005-05-19 | Riken Corp | アーク式蒸発源 |
US20060049041A1 (en) * | 2004-08-20 | 2006-03-09 | Jds Uniphase Corporation | Anode for sputter coating |
EP2466614A3 (de) * | 2006-05-16 | 2013-05-22 | Oerlikon Trading AG, Trübbach | Arcquelle und Magnetanordnung |
US20100018857A1 (en) * | 2008-07-23 | 2010-01-28 | Seagate Technology Llc | Sputter cathode apparatus allowing thick magnetic targets |
-
2010
- 2010-05-17 DE DE102010020737A patent/DE102010020737A1/de not_active Withdrawn
-
2011
- 2011-01-10 CN CN201180019323.XA patent/CN102822938B/zh active Active
- 2011-01-10 BR BR112012026552-0A patent/BR112012026552B1/pt active IP Right Grant
- 2011-01-10 CA CA2796394A patent/CA2796394C/en active Active
- 2011-01-10 MX MX2012012055A patent/MX338452B/es active IP Right Grant
- 2011-01-10 KR KR1020127026973A patent/KR101784540B1/ko active IP Right Grant
- 2011-01-10 EP EP11701194.0A patent/EP2559050B1/de active Active
- 2011-01-10 JP JP2013504138A patent/JP5757991B2/ja active Active
- 2011-01-10 RU RU2012148715/07A patent/RU2562909C2/ru active
- 2011-01-10 US US13/641,499 patent/US9657389B2/en active Active
- 2011-01-10 WO PCT/EP2011/000057 patent/WO2011128004A1/de active Application Filing
- 2011-04-14 TW TW100112896A patent/TWI544101B/zh active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6338781B1 (en) * | 1996-12-21 | 2002-01-15 | Singulus Technologies Ag | Magnetron sputtering cathode with magnet disposed between two yoke plates |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102822938B (zh) | 2016-05-04 |
KR101784540B1 (ko) | 2017-10-11 |
EP2559050A1 (de) | 2013-02-20 |
TWI544101B (zh) | 2016-08-01 |
BR112012026552B1 (pt) | 2022-01-11 |
JP2013525600A (ja) | 2013-06-20 |
US20130126348A1 (en) | 2013-05-23 |
MX338452B (es) | 2016-04-18 |
JP5757991B2 (ja) | 2015-08-05 |
KR20130064045A (ko) | 2013-06-17 |
MX2012012055A (es) | 2012-12-17 |
CA2796394A1 (en) | 2011-10-20 |
CN102822938A (zh) | 2012-12-12 |
DE102010020737A1 (de) | 2011-11-17 |
TW201207141A (en) | 2012-02-16 |
CA2796394C (en) | 2019-07-09 |
US9657389B2 (en) | 2017-05-23 |
EP2559050B1 (de) | 2017-06-07 |
RU2012148715A (ru) | 2014-05-27 |
WO2011128004A1 (de) | 2011-10-20 |
BR112012026552A2 (pt) | 2016-07-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2168233C2 (ru) | Катод для распыления или электродугового испарения (варианты) и устройство для покрытия или ионной имплантации подложек | |
KR100343033B1 (ko) | 진공아크 증발원 및 진공아크 증착장치 | |
US4430184A (en) | Evaporation arc stabilization | |
US20050082493A1 (en) | Floating mode ion source | |
US20050104007A1 (en) | Ion source with electrode kept at potential(s) other than ground by zener diode(s), thyristor(s) and/or the like | |
US9153406B2 (en) | Supporting structure and ion generator using the same | |
RU2562909C2 (ru) | Мишень для искрового испарения с пространственным ограничением распространения искры | |
JP2023120247A (ja) | 負イオン照射装置 | |
CN108914091B (zh) | 一种改进型阳极层离子源 | |
JP5934427B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
JP5853487B2 (ja) | 放電電極及び放電方法 | |
RU2601903C2 (ru) | Способ напыления тонкопленочных покрытий на поверхность полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур методом магнетронного распыления | |
JP2010018826A (ja) | 蒸着用電子銃 | |
JP2013147711A (ja) | 気相成長装置 | |
TWI471894B (zh) | A plasma generating source including a ribbon magnet, and a thin film deposition system using the same | |
KR102641222B1 (ko) | 마이크로파 플라즈마 소스 | |
JPH11246964A (ja) | 蒸着源及び蒸着装置 | |
JP6087212B2 (ja) | 蒸発装置 | |
KR101685405B1 (ko) | 이온주입기용 리펠러 | |
WO2018123776A1 (ja) | スパッタ装置及び電極膜の製造方法 | |
JP2020190028A (ja) | 成膜装置 | |
JP2008075120A (ja) | 成膜装置 | |
JP2008001925A (ja) | 成膜装置 | |
JP2001140060A (ja) | 電子銃蒸着装置および電子銃蒸着方法 | |
JP2007056353A (ja) | プラズマ生成モジュール及びプラズマ生成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
HZ9A | Changing address for correspondence with an applicant |