RU2470065C2 - Способ пассивации для установки непрерывного риформинга (варианты) - Google Patents

Способ пассивации для установки непрерывного риформинга (варианты) Download PDF

Info

Publication number
RU2470065C2
RU2470065C2 RU2010119051/04A RU2010119051A RU2470065C2 RU 2470065 C2 RU2470065 C2 RU 2470065C2 RU 2010119051/04 A RU2010119051/04 A RU 2010119051/04A RU 2010119051 A RU2010119051 A RU 2010119051A RU 2470065 C2 RU2470065 C2 RU 2470065C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
reforming
gas
sulfide
reactor
sulfur
Prior art date
Application number
RU2010119051/04A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2010119051A (ru
Inventor
Джиегуанг ВАНГ
Айзенг МА
Джианкианг РЕН
Чангкинг ДЖИ
Ксинкуан ЖАНГ
Хенгфанг ЧЕН
Яджун ЖАО
Original Assignee
Чайна Петролеум & Кемикал Корпорейшн
Ресерч Инститьют Оф Петролеум Процессинг, Синопек
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from CN200710176571A external-priority patent/CN101423774B/zh
Priority claimed from CN 200710178229 external-priority patent/CN101445746B/zh
Application filed by Чайна Петролеум & Кемикал Корпорейшн, Ресерч Инститьют Оф Петролеум Процессинг, Синопек filed Critical Чайна Петролеум & Кемикал Корпорейшн
Publication of RU2010119051A publication Critical patent/RU2010119051A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2470065C2 publication Critical patent/RU2470065C2/ru

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10G—CRACKING HYDROCARBON OILS; PRODUCTION OF LIQUID HYDROCARBON MIXTURES, e.g. BY DESTRUCTIVE HYDROGENATION, OLIGOMERISATION, POLYMERISATION; RECOVERY OF HYDROCARBON OILS FROM OIL-SHALE, OIL-SAND, OR GASES; REFINING MIXTURES MAINLY CONSISTING OF HYDROCARBONS; REFORMING OF NAPHTHA; MINERAL WAXES
    • C10G35/00—Reforming naphtha
    • C10G35/04—Catalytic reforming
    • C10G35/06—Catalytic reforming characterised by the catalyst used
    • C10G35/085—Catalytic reforming characterised by the catalyst used containing platinum group metals or compounds thereof
    • C10G35/09—Bimetallic catalysts in which at least one of the metals is a platinum group metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10G—CRACKING HYDROCARBON OILS; PRODUCTION OF LIQUID HYDROCARBON MIXTURES, e.g. BY DESTRUCTIVE HYDROGENATION, OLIGOMERISATION, POLYMERISATION; RECOVERY OF HYDROCARBON OILS FROM OIL-SHALE, OIL-SAND, OR GASES; REFINING MIXTURES MAINLY CONSISTING OF HYDROCARBONS; REFORMING OF NAPHTHA; MINERAL WAXES
    • C10G35/00—Reforming naphtha
    • C10G35/04—Catalytic reforming
    • C10G35/06—Catalytic reforming characterised by the catalyst used
    • C10G35/065—Catalytic reforming characterised by the catalyst used containing crystalline zeolitic molecular sieves, other than aluminosilicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10G—CRACKING HYDROCARBON OILS; PRODUCTION OF LIQUID HYDROCARBON MIXTURES, e.g. BY DESTRUCTIVE HYDROGENATION, OLIGOMERISATION, POLYMERISATION; RECOVERY OF HYDROCARBON OILS FROM OIL-SHALE, OIL-SAND, OR GASES; REFINING MIXTURES MAINLY CONSISTING OF HYDROCARBONS; REFORMING OF NAPHTHA; MINERAL WAXES
    • C10G35/00—Reforming naphtha
    • C10G35/22—Starting-up reforming operations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10G—CRACKING HYDROCARBON OILS; PRODUCTION OF LIQUID HYDROCARBON MIXTURES, e.g. BY DESTRUCTIVE HYDROGENATION, OLIGOMERISATION, POLYMERISATION; RECOVERY OF HYDROCARBON OILS FROM OIL-SHALE, OIL-SAND, OR GASES; REFINING MIXTURES MAINLY CONSISTING OF HYDROCARBONS; REFORMING OF NAPHTHA; MINERAL WAXES
    • C10G2300/00—Aspects relating to hydrocarbon processing covered by groups C10G1/00 - C10G99/00
    • C10G2300/20—Characteristics of the feedstock or the products
    • C10G2300/201—Impurities
    • C10G2300/207—Acid gases, e.g. H2S, COS, SO2, HCN
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10G—CRACKING HYDROCARBON OILS; PRODUCTION OF LIQUID HYDROCARBON MIXTURES, e.g. BY DESTRUCTIVE HYDROGENATION, OLIGOMERISATION, POLYMERISATION; RECOVERY OF HYDROCARBON OILS FROM OIL-SHALE, OIL-SAND, OR GASES; REFINING MIXTURES MAINLY CONSISTING OF HYDROCARBONS; REFORMING OF NAPHTHA; MINERAL WAXES
    • C10G2300/00—Aspects relating to hydrocarbon processing covered by groups C10G1/00 - C10G99/00
    • C10G2300/20—Characteristics of the feedstock or the products
    • C10G2300/30—Physical properties of feedstocks or products
    • C10G2300/305—Octane number, e.g. motor octane number [MON], research octane number [RON]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10G—CRACKING HYDROCARBON OILS; PRODUCTION OF LIQUID HYDROCARBON MIXTURES, e.g. BY DESTRUCTIVE HYDROGENATION, OLIGOMERISATION, POLYMERISATION; RECOVERY OF HYDROCARBON OILS FROM OIL-SHALE, OIL-SAND, OR GASES; REFINING MIXTURES MAINLY CONSISTING OF HYDROCARBONS; REFORMING OF NAPHTHA; MINERAL WAXES
    • C10G2300/00—Aspects relating to hydrocarbon processing covered by groups C10G1/00 - C10G99/00
    • C10G2300/70—Catalyst aspects
    • C10G2300/705—Passivation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10G—CRACKING HYDROCARBON OILS; PRODUCTION OF LIQUID HYDROCARBON MIXTURES, e.g. BY DESTRUCTIVE HYDROGENATION, OLIGOMERISATION, POLYMERISATION; RECOVERY OF HYDROCARBON OILS FROM OIL-SHALE, OIL-SAND, OR GASES; REFINING MIXTURES MAINLY CONSISTING OF HYDROCARBONS; REFORMING OF NAPHTHA; MINERAL WAXES
    • C10G2400/00—Products obtained by processes covered by groups C10G9/00 - C10G69/14
    • C10G2400/02—Gasoline
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C10—PETROLEUM, GAS OR COKE INDUSTRIES; TECHNICAL GASES CONTAINING CARBON MONOXIDE; FUELS; LUBRICANTS; PEAT
    • C10G—CRACKING HYDROCARBON OILS; PRODUCTION OF LIQUID HYDROCARBON MIXTURES, e.g. BY DESTRUCTIVE HYDROGENATION, OLIGOMERISATION, POLYMERISATION; RECOVERY OF HYDROCARBON OILS FROM OIL-SHALE, OIL-SAND, OR GASES; REFINING MIXTURES MAINLY CONSISTING OF HYDROCARBONS; REFORMING OF NAPHTHA; MINERAL WAXES
    • C10G2400/00—Products obtained by processes covered by groups C10G9/00 - C10G69/14
    • C10G2400/30—Aromatics

Abstract

Настоящее изобретение относится к процессу предварительной пассивации для установки непрерывного реформинга до реакции или в процессе пассивации для установки непрерывного реформинга во время начальной реакции. Изобретение касается способа с предварительной пассивацией для установки непрерывного реформинга, содержащего загрузку катализатора реформинга в установку непрерывного реформинга, запуск циркуляции газа и повышение температуры реактора, ввод сульфида в газ при температуре реактора в пределах 100-650°С, регулирование количества серы в циркулирующем газе в диапазоне 3-20×10-6 л/л для пассивирования установки. Изобретение также касается способа пассивации для установки непрерывного реформинга. Технический результат - замедление каталитической активности металлов на стенках в высокотемпературных зонах, подверженных воздействию водорода, предотвращение каталитического коксования во время реакции, уменьшение риска аварийной работы установки. 2 н. и 20 з.п. ф-лы, 4 ил., 4 табл., 6 пр.

Description

Область техники
Настоящее изобретение относится к процессу предварительной пассивации для установки непрерывного реформинга и к процессу пассивации для установки непрерывного реформинга во время начальной реакции. Более конкретно, настоящее изобретение относится к процессу пассивации для реактора до ввода сырья и пуска установки непрерывного реформинга или во время начальной стадии реакции.
Предпосылки создания изобретения
Благодаря хорошим характеристикам, таким как высокий выход жидкого продукта, высокий выход водорода и высокий выход ароматических углеводородов, непрерывный регенеративный каталитический реформинг нефти привлекает особое внимание при производстве высокооктанового бензина и ароматических углеводородов. В настоящее время катализаторы реформинга, используемые в установке непрерывного реформинга, состоят из ряда двойных или мультиметаллических катализаторов, включая катализатор платина-олово, который более чувствителен к сульфиду по сравнению с катализатором, содержащим только платину. Таким образом, чтобы гарантировать нормальное функционирование компонентов каталитического реформинга, количество серы в исходном сырье для реформинга должно быть строго ограничено.
Документы CN 1234455 C, US 6495487 B1 и US 6780814 B2 раскрывают требования по среде катализатора реформинга на основе «двойного» металла платина-олово, и состояние, при котором во время нормального осуществления непрерывной реакции реформинга исходное нефтяное сырье, используемое для реформинга, десульфируется с помощью каталитической десульфуризации и адсорбционной десульфуризации до минимального содержания серы.
Журнал Petroleum Processing and Petrochemicals and Industrial Catalysis respectively на стр.26-29, том 33, номер 8, 2002 года, и на стр.5-8, том 11, номер 9, 2003 года публикует требования при регулировании содержания примесей материалов реформинга при использовании катализатора реформинга ряда платина-олово во время непрерывного реформинга, при котором содержание серы обычно не превышает 0,5 µг/г.
Непрерывный реформинг осуществляется при относительно низком рабочем давлении, относительно высокой температуре реакции и относительно низком отношении водород/исходная нефть, при этом в реакторе происходит отложение кокса во время реакции. С развитием технологии процесс непрерывного реформинга постоянно усовершенствуется в направлении более жестких требований, таких как ультранизкое давление, низкое отношение водород/нефтяное сырье, низкая объемная скорость и т.д., и причем тенденция коксования реактора и труб нагревательной печи также растет. В настоящее время стенки реактора многих установок непрерывного реформинга закоксовываются. Коксование приводит к недостаточному объему катализатора, повреждению компонентов реактора, или даже выключению установки, чтобы приводит к большим экономическим потерям нефтеперерабатывающих заводов.
Документ Catalytic Reforming Process and Engineering (первый выпуск 2006-11, Китайская нефтехимическая пресса, стр.522-534) анализирует механизм коксования установки непрерывного реформинга. В восстановительной газовой среде молекулы углеводорода адсорбируются на поверхности металлических кристаллических зерен стенок реактора и дегидрируются под металлическим катализом стенок реактора, производя атомы углерода, чтобы раствориться в или проникнуть в кристаллическое зерно или промежуточные частицы. Из-за отложения и роста слоя угля металлические кристаллические зерна отделяются от матрицы и создают угольное волокно с частицами железа в своей верхней части. Такой органический уголь резко отличается от нагара на катализаторе в том, что такой уголь демонстрирует более высокое каталитическое действие дегидрогенизации и гидрогенолиза; реакция продолжается при высокой температуре до тех пор, пока она поддерживается; скорость генерации продолжает увеличиваться, и угольное волокно становится все более длинным, более грубым и более твердым. Развитие угольного волокна в целом проходит несколько фаз, включая мягкую сажу, мягкий донный углерод и твердый углерод. Чем дольше время для его формирования, тем серьезнее последствия. Начальная стадия формирования кокса в реакторе может привести к закупорке циркуляционной системы так, что невозможно выполнить прямую промывку. Значительная масса кокса ухудшает качество внутренних компонентов реактора, таких как секторная труба, центральная труба и т.д. Если сформированный кокс входит в систему регенерации, это приводит к чрезмерному повышению температуры, к обугливанию верхней зоны регенератора и при этом происходит оксихлорирование зоны и сжигание внутренних компонентов регенератора. Повреждение внутренних компонентов в реакторе и регенераторе становится все более серьезным с продолжением времени работы.
Чтобы предотвратить металлические стенки установки непрерывного реформинга от каталитического коксования, в документе Catalytic Reforming (первый выпуск 2004-4, 2004-4, Китайская нефтехимическая пресса, стр.200-202) предлагает ввести в исходное сырье известного процесса реформинга во время нормальной операции реформинга органические сульфиды и регулировать количество серы в исходном сырье в пределах 0,2-0,3 µг/г, чтобы замедлять активность катализатора на металлических поверхностях внутренних стенок реактора установки и печной трубы. Однако в этом документе не предусмотрен ввод сульфидов в исходное сырье, когда исходное нефтяное сырье вводится в реактор непрерывного реформинга при низкой температуре. Общая опция может включать ввод сульфидов в систему реактора, когда вход в каждый реактор достигнет температуры, превышающей чем 480-4°С.
В настоящее время, на основе требований по материальному балансу, баланс водорода и продукта на нефтеперерабатывающих заводах с непрерывным реформингом быстро увеличивает уровень реакции после ввода исходного нефтяного сырья и когда устанавливается содержание воды в газе. Количество серы в исходном сырье для реформинга устанавливается в пределах 0,2-0,5 µг/г. В частности, на недавно созданной установке, во-первых, было найдено, что недостаточно быстро пассивировать стенки реактора и стенки труб нагревательной печи. После того как вышеупомянутый процесс пассивации был использован на значительной части установки непрерывного реформинга, коксование системы реактора все еще происходит во время работы установки. Таким образом, для техника непрерывного реформинга становится важной проблемой следить за тем, как эффективно замедлить катализируемое металлом коксование на стенках реактора непрерывного реформинга и на стенках труб нагревательной печи.
Существует множество процессов для предотвращения коксования углеводородов в высокотемпературных зонах реактора в других областях нефтехимической промышленности. В документе CN 1160435 C раскрыт способ предотвращения отложения кокса в пиролизных печах, включая, до подачи исходного углеводородного сырья в пиролизную печь, обработку этой печи смесью серы и содержащих фосфор составов, имеющих общее атомное отношение серы к фосфору, по меньшей мере, равное 5. При этом нужно добавлять достаточное количество серосодержащих компонентов в содержащие фосфор составы, чтобы формировать однородный и эффективный слой пассивирования на поверхности пиролизных печей, таким образом, эффективно предотвращая отложение кокса.
Документ CN 85106828 A раскрывает процесс для формирования слоя сульфида на поверхности металлических частей и самой установки, включая укладку металлических частей на катодный диск в реакционном пространстве вакуумной печи, и укладывая твердую серу в вакуумную печь, при этом твердая сера испаряется при нагревании, и газообразная сера бомбардирует металлические части, уложенные на катодный диск, и под влиянием электрического поля формирует слой сульфида на их поверхности.
Документ CN 1126607 C раскрывает процесс для подавления и ослабления генерации и отложения кокса при высокотемпературном крекинге углеводородов, в котором, до подачи исходного сырья для крекинга, агент предварительной обработки, который является смесью одного или нескольких соединений, выбранных из сероводорода и сероорганического соединения вместе с парами воды, подается в крекинг-аппарат, чтобы предварительно обработать металлическую поверхность. Указанный процесс может пассивировать металлическую поверхность крекинг-печи, чтобы подавить и ослабить образование и отложение кокса во время крекинга и последующей обработки.
Поскольку ряд катализаторов платина-олово для непрерывного реформинга чрезвычайно чувствительны к примесям и имеют высокие требования по окружающей среде, различные вещества, участвующие в указанных процессах приводят в серьезному или необратимому отравлению катализатора реформинга и, таким образом, не подходят для процесса каталитического реформинга.
Краткое содержание изобретения
Цель настоящего изобретения состоит в создании процесса предварительной пассивации для установки непрерывного реформинга, или процесса пассивации для установки непрерывного реформинга во время начальной реакции, который может эффективно замедлять катализируемое металлом коксование на стенках реактора и на трубах нагревательной печи, таким образом, снижая риск аварийной работы установки.
В настоящем изобретении предусмотрены два процесса пассивации для установки реформинга, один из которых состоит из предварительного пассивирования до подачи исходного сырья для реформинга в установку, и другой процесс состоит в пассивации во время начальной реакции в установке после того, как материалы исходного сырья были загружены в установку.
Процесс предварительной пассивации для установки непрерывного реформинга, предусмотренный в стоящем изобретении, включает загрузку катализатора в установку непрерывного реформинга, запуск циркуляции газа и подъем температуры установки, вводя сульфид в газ при температуре реактора в пределах 100-650°С, регулируя количество серы в циркулирующем газе в диапазоне 0,5-100×10-6 л/л, чтобы пассивировать установку.
Процесс предварительной пассивации для установки непрерывного реформинга, обеспеченный в настоящем изобретении, включает следующие стадии:
(1) загрузку катализатора реформинга в установку непрерывного реформинга, запуск циркуляции газа и подъем температуры установки при вводе исходного сырье для реформинга в систему реактора, когда температура реактора повышается до 300-460°С, вводя сульфид в систему реактора, во время или после подачи исходного сырья для реформинга, регулируя общее отношение количества серы, введенной в систему, к количеству исходного сырья для реформинга в диапазоне 0,5 µг/г - 50 µг/г, снижая содержание сульфида, введенного в систему, когда концентрация сероводорода в циркулирующем газе достигнет величины 2,0 µл/л ~ 30 µл/л; и
(2) выдерживание реактора реформинга при температуре 460-490°С, регулируя общее отношение количества серы, введенной в систему, к количеству исходного сырья для реформинга в диапазоне 0,2 µг/г - 0,5 µг/г, регулирование количества исходного сырья для реформинга в пределах расчетной величины, увеличение температуры реакции реформинга до 490-545°С в соответствии с требованиями к октановому числу жидкого продукта, и работа установки реформинга при нормальных условиях эксплуатации.
Процесс предварительной пассивации для вышеописанной установки реформинга отличается тем, что до подачи исходного сырья реакции в установку непрерывного реформинга, в систему реактора вводится сульфид при определенной температуре и при условии определенного расхода газообразной среды, пассивируя стенки высокотемпературных сосудов и труб в системе реактора установки непрерывного реформинга, регулируя количество серы в газе на определенном уровне, и, таким образом, эффективно замедляя каталитическое коксование металлических стенок установки.
Процесс пассивации для установки непрерывного реформинга во время начальной реакции включает подачу большего количества сульфида в систему реактора после того, как было подано исходное сырье во время начальной реакции, и затем регулируя количество поступающего сульфида, чтобы обеспечить нормальную работу установки при заданных условиях.
Процесс по настоящему изобретению может эффективно пассивировать стенки реактора установки до реакции реформинга или во время начальной реакции и препятствовать коксованию стенок с металлическим катализатором и устранить риск сбоя в работе установки.
Описание чертежей
Фигура 1 и фигура 2 - фотографии с электронного микроскопа углеродных частиц, собранных по сравнительному примеру 1.
Фигура 3 - фотография зоны коксования у основания реактора по сравнительному примеру 1.
Фигура 4 - фотографии с электронного микроскопа кокса по примеру 1 по сравнению с примером 2, который представляет собой угольное волокно с железными частицами на поверхности.
Подробное описание изобретения
В одном примере воплощения настоящего изобретения сульфид вводится в поток газообразной среды системы реактора до того, как установка непрерывного реформинга будет заполнена катализатором и исходным сырьем для реакции. Стенки высокотемпературных позиций в установке непрерывного регенеративного реформинга и трубы нагревательной печи будут достаточно пассивированы, и реактор будет продут газом, не влияющим на реакцию, с тем, чтобы количество серы в установке не влияло бы на активность реакции катализатора. Затем исходное сырье подается в зону реакции при нормальных условиях эксплуатации. В процессе по настоящему изобретению сульфид, подаваемый в установку до реакции реформинга, может замедлять каталитическую активность металлов на стенках в высокотемпературных зонах, подверженных воздействию водорода, предотвратить каталитическое коксование во время реакции, вызванное металлическими стенками, и уменьшить риски аварийной работы установки.
В процессе по настоящему изобретению сульфид подается в текущий газ системы для предварительного пассивирования стенок до того, как исходное сырье будет подано в установку непрерывного реформинга для осуществления реакции, в котором указанный циркулирующий газ, в основном, является газом, циркулирующим в системе как пассивирующая среда. Циркулирующий газ предпочтительно является водородом, инертным газом или смесью инертного газа и газообразного водорода, в котором указанный инертный газ - предпочтительно газообразный азот.
В указанном примере воплощения установка реформинга сначала заполняется катализатором, в котором диапазон температуры пассивирования изменяется от 100 до 65°С, предпочтительно от 100 до 45°С, и наиболее предпочтительно от 150 до 30°С. В системе создается циркуляция газа, которая нагревает реактор. Когда входная температура достигнет 120-26°С, вводятся сульфиды. Когда температура на входе установки увеличивается до 370-420°С, эта температура поддерживается в течение 1-50 часов, предпочтительно порядка 2-10 часов. Во время предварительного пассивирования количество серы в газе реактора регулируется в пределах 0,5-100×10-6 л/л, предпочтительно 2-20×10-6 л/л, более предпочтительно 3-20×10-6 л/л и наиболее предпочтительно 3-6×10-6 л/л. После предварительного пассивирования газ для продувки, не влияющий на последующую реакцию реформинга, подается, чтобы заменить газ в установке. Когда количество серы в продувочном газе дренажа не превышает 5,0×10-6 л/л, предпочтительно 2,0×10-6 л/л, подается исходное сырье, и установка реформинга работает при обычных условиях реакции. Предпочтительно, продувочный газ, заменяющий первоначальный циркулирующий газ в установке, представляет собой газообразный водород, инертный газ или смесь инертного газа и газообразного водорода, предпочтительно газообразного водорода или газообразного азота.
Обычные условия реакции для установки непрерывного реформинга в указанном примере воплощения включают давление порядка 0,1-5,0 МПа, предпочтительно 0,35-2,0 МПа, температуру 350~60°С, предпочтительно 430-56°С, более предпочтительно 490-54°С, мольное отношение водород/углеводород 1-20, предпочтительно 2-10, жидкую часовую объемную скорость 1-10 час-1, предпочтительно 1-5 час-1.
Сульфид, вводимый в циркулирующий газ, предпочтительно является сероводородом, сероуглеродом, дисульфидом этана, серосодержащим алифатическим соединением, серосодержащим алициклическим составом, серосодержащим ароматическим соединением, соединением тиофена, соединением тетрагидрооксазина или смесью двух или нескольких указанных соединений, в котором указанное соединение тиофена или соединение тетрагидрооксазина является производной тиофена или тетрагидрооксазина. Когда инертный газ, предпочтительно газообразный азот, используется как пассивирующая среда, введенный в нее сульфид предпочтительно является сероводородом; когда газообразный водород используется как пассивирующая среда, введенный в нее сульфид может быть сероводородом или указанным органическим сульфидом.
В другом примере воплощения по настоящему изобретению исходное сырье вводится в систему реактора непрерывного реформинга при низкой температуре во время начальной стадии реакции. При нагревании, термостатического обезвоживания и рабочего регулирования в систему реактора вводится определенное количество сульфидов с тем, чтобы количество серы в системе достигло бы наивысшего уровня, т.е. осуществляется регулирование отношения общего количества серы, введенной в систему, к количеству исходного сырья для реформинга в пределах от 0,5 µг/г до 50 µг/г. Когда концентрация сероводорода в циркулирующем газе достигнет определенной величины, количество серы в системе повторно снижается; после того как содержание воды в системе доведено до нормы, температура реакции увеличивается для нормальной производительной работы установки. Сульфид может быть введен в систему реактора путем добавления сульфида в исходное сырье для реформинга, добавлением сероводорода или газа, содержащего сероводород, в циркулирующий газ, или добавляя сульфид в исходное сырье для реформинга. Указанный газ, содержащий сероводород, представляет собой газообразный водород из контура предварительной гидрообработки системы реформинга, или другие содержащие водород газы, газы, содержащие сероводород наиболее высокой концентрации, в котором концентрация сероводорода в содержащем водород газе равна 50-5000 µл/л, предпочтительно 100-2000 µл/л, более предпочтительно 200-800 µл/л. Вышеупомянутый процесс может достаточно и быстро пассивировать стенки реактора непрерывного реформинга и стенки труб нагревательной печи, чтобы замедлять коксование. Высокое количество серы во время начальной стадии реакции не будет влиять на рабочие характеристики установки или на активность реакции катализатора во время работы установки непрерывного реформинга при условии жесткого соблюдения режимов.
В указанном примере воплощения стадия (1) включает ввод серы при низкой температуре после того, как установка введена в работу, вводя сульфид при низкой температуре во время или после подачи исходного сырья в установку, предпочтительно регулируя отношение общего количества серы, введенной в систему, к количеству исходного сырья для реформинга в объеме 0,6-20 µг/г, более предпочтительно 1,0-10 µг/г. После введения серы на стадии (1) содержание сероводорода в циркулирующем газе установки реформинга должно регулярно измеряться. Когда концентрация сероводорода в циркулирующем газе достигнет величины, превышающей 2,0-30 µл/л, предпочтительно 2,0-6,0 µл/л, общее содержание сульфида, введенного в систему, уменьшается. Предпочтительно, отношение общего количества серы, введенной в систему к количеству исходного сырья для реформинга, уменьшается до 0,2-0,5 µг/г.
После того как общее количество серы, введенное в систему реактора на стадии (1), было снижено, может быть инициирована система регенерации для циклической регенерации катализатора в соответствии с углеродным отложением катализатора, когда отношение общего количества серы к количеству исходного сырья для реформинга уменьшается до 0,2-2,0 µг/г, предпочтительно 0,3-1,0 µг/г, и сероводород в циркулирующем газе имеет концентрацию менее 5,0 µл/л, предпочтительно 0,2-2,0 µл/л.
Сульфид, введенный на стадии (1), является сероводородом, сероуглеродом, дисульфидом этана, серосодержащим алифатическим соединением, серосодержащим алициклическим соединением, серосодержащим ароматическим соединением, соединением тиофена, соединением тетрагидрооксазина или смесью двух или более указанных соединений, в которой указанное соединение тиофена или соединение тетрагидрооксазина является производной тиофена или тетрагидрооксазина. Предпочтительны сероводород, тиоэфир или сероуглерод, в котором указанный тиоэфир предпочтительно является дисульфидом этана или диметилсульфидом.
Для того чтобы поддерживать кислотную функцию катализатора реформинга, когда в системе имеется сульфид, в систему реформинга также должен быть введен хлорид. Ввод хлора может быть выполнен согласно обычным требованиям при вводе хлора. В основном, когда содержание воды в циркулирующем водороде больше 500 µл/л, содержание введенного хлора составляет 30-50 µг/г; когда содержание воды в циркулирующем водороде 300-500 µл/л, введенное содержание хлора - 15-30 µг/г; когда содержание воды в циркулирующем водороде 100-200 µл/л, введенное содержание хлора - 5-10 µг/г; когда содержание воды в циркулирующем водороде 50-100 µл/л, введенное содержание хлора составляет 2-5 µг/г. Вводимые хлориды предпочтительно являются галоидированными углеводородами или галоидированными олефинами, например, дихлорэтан, трихлорэтан, тетрахлорэтилен или тетрахлорметан.
Стадия (2) указанного примера воплощения изобретения относится к системе термостатирования, поддерживающей относительно небольшое количество сульфида, введенного в систему реактора. Отношение общего количества серы, введенной в систему, к количеству исходного сырья для реформинга устанавливается в пределах 0,2-0,5 µг/г. После того как содержание воды в циркулирующем газе уменьшается до указанного значения, температура реакции повышается до необходимой температуры реакции реформинга. Предпочтительные условия эксплуатации предполагают увеличение температуры реакции до 460-40°С, когда содержание воды в циркулирующем газе ниже чем 200 µл/л и продолжает уменьшаться при такой температуре; подача исходного сырья для реформинга согласно расчетному значению, когда содержание воды в циркулирующем газе ниже 50 µл/л, и увеличение температуры реакции реформинга по требованиям на октановое число жидких компонентов, в основном, порядка 490-54°С, чтобы выполнить нормальную операцию реакции реформинга. Во время работы реактивное давление реформинга регулируется в пределах 0,1-5,0 МПа, предпочтительно 0,35-2,0 МПа, мольное отношение водород/исходное сырье 1-20, предпочтительно 2-10; часовая объемная скорость жидкого исходного сырья - 1-10 час-1, предпочтительно 1-5 час-1.
На стадии (1) указанного примера воплощения изобретения исходное сырье для реформинга, в основном, подается в количестве ниже, чем расчетный расход при подаче сырья в установку, предпочтительно 50-75% по весу расчетного расхода установки. После завершения стадии (1) исходное сырье для реформинга далее подается на стадию (2) согласно расчетному расходу установки реформинга, чтобы выполнить нормальную реакцию реформинга.
После подачи исходного сырья указанный циркулирующий газ в указанном примере воплощения представляет собой, прежде всего, водород, подаваемый назад в систему реактора после отделения газа от жидкости. Циркулирующий газ перед подачей представляет собой газ, циркулирующий в системе, предпочтительно, водород, инертный газ или смесь водорода с инертным газом, в которой указанный инертный газ - предпочтительно газообразный азот.
В вышеупомянутом процессе по настоящему изобретению катализатор реформинга, введенный в систему реактора, предпочтительно является рядом двойных металлических катализаторов реформинга, содержащих сплав платина-олово. Предпочтительно, катализатор реформинга содержит опору 0,01-2,0% по весу, предпочтительно 0,1-1,0% по весу металла платиновой группы относительно веса сухой подложки 0,01-5,0% по весу, предпочтительно 0,1-2,0% по весу олова и 0,1-10% по весу, предпочтительно 0,1-5,0% по весу галоида, в котором указанный металл платиновой группы выбран из группы, состоящей из платины, родия, палладия, иридия, рутения и осмия, предпочтительно платины; галоид - предпочтительно хлор; указанная подложка - предпочтительно оксид алюминия, более предпочтительно γ-оксид алюминия. Кроме того, катализатор реформинга может дополнительно включать одну треть и/или четверть металлического компонента, выбранного из группы, состоящей из европия, церия и титана для того, чтобы повысить активность реакции катализатора, в количестве 0,01-5,0% по весу, предпочтительно 0,05-3,0% по весу, более предпочтительно 0,1-2,0% по весу.
Установка непрерывного реформинга по процессу, раскрытому в настоящем изобретении, является установкой каталитического реформинга с движущимся слоем различного типа. Исходное сырье, которое будет использовано в процессе непрерывного реформинга, может быть бензино-лигроиновой фракцией прямой перегонки, тяжелой нефтью гидрокрекинга, гидроуглеродным бензином, очищенным нефтепродуктом крекинга этилена, бензином каталитического крекинга или смесью нескольких продуктов исходного сырья, перечисленных выше. Согласно различным целевым продуктам, пределы кипения исходного сырья также различны. Температура начала кипения исходного сырья, в основном, колеблется от 60 до 95°С, и температура выкипания, в основном, колеблется от 135 до 180°С. Требования по примесям в исходном сырье для реформинга следующие: сера <0,5 мкг/г, азот <0,5 мкг/г, мышьяк <1 нг/г, свинец <10 нг/г, медь <10 нг/г и вода <5 мкг/г.
Процесс пассивации для установки реформинга по настоящему изобретению является подходящим для непрерывной регенеративной установки реформинга для катализаторов ряда платина-олово, в частности, для первого процесса недавно изготовленной установки непрерывного реформинга.
Следующие примеры используются для дополнительного пояснения сущности настоящего изобретения, но изобретение не ограничено этими примерами.
Пример 1
Катализатор реформинга был загружен в установку непрерывного реформинга, в которой катализатор содержал 0,29% по весу платины, 0,31% по весу олова, а остальное составляло γ-оксид алюминия.
Газообразный азот, имеющий чистоту 99,8 мольных процентов, использовался для продувки установки до степени содержания кислорода в отходящем газе менее 0,5 мольного процента, и затем газообразный водород, имеющий чистоту 96 мольных процентов, использовался для замены рабочего газа до степени содержания водорода в отходящем газе более чем 90 мольных процентов. Газообразный водород был заполнен до такого объема, что сепаратор реформинга высокого давления работал под давлением 350 кПа. Был включен компрессор реформинга, и расход циркулирующего газа достиг 5×104 Нм3/час. После того как температура на входе каждого реактора была повышена до 200°С со скоростью 20-40°С в час, в циркулирующий газ был введен диметилдисульфид, и температура газа продолжала увеличиваться. Ввод диметилдисульфида позволил увеличить содержание серы в циркулирующем газе до 3-5×10-6 л/л. Когда температура на входе реактора достигла 370°С, эта температура поддерживалась в течение 3 часов. Затем ввод серы был прекращен и газообразный водород, имеющий чистоту 96 мольных процентов, использовался для замены газа в системе с тем, чтобы уменьшить количество серы в циркулирующем газе до величины менее 2×10-6 л/л. Материалы после реакции реформинга затем повторно вводились для проведения реакции реформинга, при которой исходное сырье для реформинга состояло из компонентов, перечисленных в таблице 1, а условия реакции и результаты приведены в таблице 2. Когда во время работы были взяты пробы катализатора, углерод не был найден. После того как реактор был остановлен и переналажен, в высокотемпературных зонах не было найдено никакого кокса.
Сравнительный пример 1
Катализатор реформинга подавался в установку непрерывного реформинга, в которой катализатор имел тот же самый состав, что и в примере 1.
Газообразный азот, имеющий чистоту 99,8 мольных процентов, использовался для продувки установки до степени содержания кислорода в отходящем газе менее 0,5 мольного процента, и затем газообразный водород, имеющий чистоту 93 мольных процентов, использовался для продувки установки до степени содержания водорода в отходящем газе более 60 мольных процентов. Газообразный водород вводился до тех пор, пока давление в сепараторе не достигло величины 350 кПа. Была инициирована циркуляция путем пуска компрессора реформинга, чтобы количество циркулирующего газа достигло величины 4×104 Нм3/час. После того как температура на входе каждого реактора была повышена до 370°С со скоростью 20-40°С в час, исходное сырье для реформинга, имеющее компоненты, перечисленные в таблице 1, было загружено в реактор реформинга. После загрузки сырья в него был введен диметилдисульфид, в результате количество серы в сырье достигло величины 0,2-0,3 мкг/г. Затем была осуществлена обычная операция реформинга, основные рабочие условия и результаты приведены в таблице 2.
После работы установки реформинга в течение 3 месяцев из бункера был взят образец катализатора и в нем была обнаружена частица углерода размером 1-5 мм. Фотографии частиц углерода, полученные с помощью электронного микроскопа, представлены на фигурах 1-2 в виде угольного волокна с частицами железа по верху. После того как установка была остановлена и осмотрена, было обнаружено, что реактор содержал заметное количество кокса на своем дне (см. фигуру 3).
Таблица 1
Групповой состав Пример 1 Состав примера 1
Парафин, % по весу 52,18 52,66
нафтен, % по весу 42,06 40,52
Ароматические соединения, % по весу 5,76 6,82
Потенциал ароматических углеводородов, % по весу 43,80 44,67
Интервал выкипания ASTMD86, °C 84~176 81~172
Общее количество серы, µg/g <0,5 <0,5
Таблица 2
Позиция Пример 1 Состав примера 1
Мольное отношение водород/исходное сырье 1,96 2,0
Часовая объемная скорость жидкости, час-1 1,41 1,44
Расход катализатора, % 100 100
Температура/падение температуры на входе первого реактора, °С 528/143 526/147
Температура/падение температуры на входе второго реактора, °С 528/89 526/88
Температура/падение температуры на входе третьего реактора, °С 528/64 526/66
Температура/падение температуры на входе четвертого реактора, °С 528/52 526/50
Общее падение температуры, °С 348 351
Чистый выход водорода, % по весу 3,77 3,65
Октановое число дебутанизированного бензина (RONC) 102,7 102,5
Сравнительный пример 2
Система реактора установки непрерывного реформинга регулировалась с целью поддержания среднего давления 0,45 МПа и давления в сепараторе газ-жидкость 0,34 МПа. Катализаторы в системе реактора были в количестве 50060 кг, включая 0,28% по весу платины, 0,31% по весу олова и 1,10% по весу хлора. Нефть, представленная в таблице 3, использовался как исходное сырье.
После того как воздухонепроницаемый затвор водородного газа в системе был проверен и найден отвечающим требованиям, была инициирована циркуляция водорода. Температура системы реактора повышалась со скоростью 40-50°С в час. После того как температура каждого реактора достигла 370°С, была осуществлена подача сырья для реформинга в количестве 57 т/час. Температура реактора постепенно повышалась до 480°С со скоростью 20-30°С в час. Во время повышения температуры в материалы реакции вводился диметилдисульфид, и количество серы в исходном сырье для реформинга регулировалось в диапазоне 0,3-0,5 µг/г. Когда вводилось исходное сырье, в него вводился тетрахлорэтилен в соответствии с содержанием воды в циркулирующем газе.
Когда содержание воды в циркулирующем газе реформинга было меньше 200 µл/л, температура реактора была увеличена до 490°С, и при этой температуре выполнялось обезвоживание. Во время обезвоживания, количество вводимого хлора постепенно уменьшалось в соответствии с содержанием воды в циркулирующем газе. Когда содержание воды в циркулирующем газе стало меньше чем 50 µл/л, подача исходного сырья была постепенно увеличена до 95 т/час, и температура на входе каждого реактора реформинга была увеличена до 530°С. После подачи исходного сырья в течение 96 часов была инициирована система регенерации катализатора. После того как система регенерации катализатора вошла в нормальный рабочий режим, ввод хлора в исходное сырье был прекращен. Основные условия эксплуатации и результаты реакции каждого реактора приведены в таблице 4. Во время работы такой установки в течение 6 месяцев система реактора и система регенерации нормально работали без какого-либо забивания системы регенерации. Когда из разделительного бункера был извлечен образец катализатора, обычно обнаруживалось небольшое количество частиц углерода размером 1-5 мм. Фотографии частиц углерода, полученные с помощью электронного микроскопа, представлены на фигуре в виде угольного волокна. После обычной остановки установки и последующей проверки было все еще найдено небольшое количество кокса на стенках реактора. Однако серьезного каталитического коксования на металле в установке и нагревательной печи не было обнаружено.
Пример 2
Установка непрерывного реформинга по сравнительному примеру 2 была отключена и проверена по обычной процедуре и из нее был извлечен катализатор. Внутренняя часть реактора была очищена. Используя просеивание и осаждением частиц силой тяжести небольшое количество углеродных гранул было отделено от катализатора, и катализатор был повторно использован для производства. Исходное сырье для реформинга и катализатор соответствовали компонентам по сравнительному примеру 2. После того как воздухонепроницаемый затвор газообразного водорода в системе был проверен и найден отвечающим техническим требованиям, была инициирована циркуляция водорода. Температура системы реактора повышалась со скоростью 40-50°С в час. После того как температура каждого реактора достигла 370°С, была осуществлена подача сырья для реформинга в количестве 57 т/час. Температура реактора постепенно повышалась до 480°С со скоростью 20-30°С в час. Во время повышения температуры диметилдисульфид и тетрахлорэтилен инжектировались на исходное сырье для реформинга, и количество серы в исходном сырье для реформинга регулировалось в пределах 6,0 µг/г. После инжекции сульфида на исходное сырье концентрация сероводорода в циркулирующем газе реформинга измерялась каждые два часа. Когда концентрация сероводорода в циркулирующем газе достигла 2 µл/л, количество вводимого сульфида было уменьшено до количества серы в исходном сырье для реформинга, равного 0,2-0,5 µг/г. Когда содержание воды в циркулирующем газе реформинга стало меньше чем 200 µл/л, температура реактора была увеличена до 490°С и при этой температуре выполнялось обезвоживание. Во время обезвоживания количество вводимого хлора постепенно уменьшалось в соответствии с содержанием воды в циркулирующем газе. Когда содержание воды в циркулирующем газе стало менее 50 µл/л, и концентрация сероводорода в циркулирующем газе менее 2 µл/л, подача сырья для реформинга была постепенно увеличена до 95 т/час, и температура на входе каждого реактора реформинга была повышена до 530°С. После подачи исходного сырья в течение 96 часов была инициирована система регенерации катализатора. После того как система регенерации катализатора вошла в нормальный рабочий режим, инжекция хлора в исходное сырье была прекращена, и была выполнена нормальная операция реформинга. Основные условия эксплуатации и результаты реакции каждого реактора приведены в таблице 4.
Пример 3
Согласно процессу, раскрытому в примере 2, установка непрерывного реформинга останавливается и проверяется по обычной процедуре, и катализатор выгружается. После ввода катализатора начинается реакция, отличие которой заключается в количестве введенной серы 1,0 µг/г в материалах реакции реформинга после загрузки исходного сырья в реактор реформинга. После выполнения обычной работы основные условия работы и результаты активности различных реакторов приведены в таблице 4.
Пример 4
В соответствии с процессом, описанном в примере 2, установка непрерывного реформинга останавливается и проверяется по обычной процедуре, и катализатор выгружается. После загрузки катализатора инициируется реакция. Отличие состоит в том, что органический сульфид не вводится в исходное сырье после загрузки исходного сырья в реактор реформинга, и отходящий предварительно увлажненный газ вводится в систему реформинга со скоростью 500-550 Нм3/час, при этом указанный отходящий газ имеет количество серы 550 µл/л и чистоту водорода 94%. Отношение серы, введенной в систему, к количеству исходного сырья для реформинга в системе, составляло 4 µг/г. Когда концентрация сероводорода в циркулирующем газе реактора реформинга достигла 2 µл/л, предварительно гидрированный отходящий газ вводился со скоростью 30-40 Нм3/час. Иными словами, отношение общего количества серы, введенной в систему, к количеству исходного сырья для реформинга было уменьшено до 0,3~0,5 µг/г. Когда содержание воды в циркулирующем газе реформинга стало меньше чем 200 µл/л, температура реактора была повышена до 490°С и при этой температуре выполнялось обезвоживание. Во время обезвоживания, количество вводимого хлора постепенно уменьшалось в соответствии с содержанием воды в циркулирующем газе. Когда содержание воды в циркулирующем газе стало меньше чем 50 µл/л, и сероводород в циркулирующем газе имел концентрацию менее 2 µл/л, подача сырья реформинга была постепенно увеличена до 95 т/час, и температура на входе каждого реактора реформинга была повышена до 530°С. После подачи исходного сырья в течение 96 часов была инициирована система регенерации катализатора. После того как система регенерации катализатора вошла в нормальный рабочий режим, инжекция хлора исходного сырья была прекращена и была выполнена нормальная операция реформинга. Основные условия эксплуатации и результаты реакции каждого реактора при нормальной работе приведены в таблице 4.
По сравнению с результатами реакции в сравнительном примере 2, большое количество серы в исходном сырье во время начальной реакции не влияет на активность реакции катализатора в процессе по настоящему изобретению. Во время работы в течение 1 года после ввода установки в эксплуатацию система реакции и регенерации работала надежно. Когда образец катализатора был извлечен из разделительного бункера, не было обнаружено частиц углерода в виде угольного волокна. Кроме того, в установке и нагревательной печи не было обнаружено каталитического коксования металлом.
Таблица 3
Групповой состав, % по весу Парафин 49,78
Нафтен 41,94
Ароматические соединения 8,24
ASTM D86 пределы кипения, °С 85~163
Общее содержание серы, µг/г <0,2
Таблица 4
Позиция Пример 2 Пример 3 Пример 4 Общий пример 2
Расход, т/час 95 95 95 95
Мольное отношение водород/сырье 2,0 2,0 2,0 1,98
часовая объемная скорость 1,44 1,44 1,44 1,44
жидкости, час-1        
Объем катализатора, % 100 100 100 100
Температура на входе первого реактора/падение температуры, °С 530/140 530/140 530/138 530/139
Температура на входе второго реактора/падение температуры, °С 530/85 530/86 530/88 530/87
Температура на входе третьего реактора/падение температуры, °С 530/66 530/67 530/67 530/65
Температура на входе четвертого реактора/падение температуры, °С 530/46 530/45 530/46 530/47
Общее падение температуры, °С 337 338 336 338
Выход чистого водорода, % по весу 3,70 3,72 3,71 3,71
Октановое число дебутанизированного бензина (RONC) 103,0 103,2 103,1 103,3

Claims (22)

1. Способ с предварительной пассивации для установки непрерывного риформинга, содержащий загрузку катализатора риформинга в установку непрерывного риформинга, запуск циркуляции газа и повышение температуры реактора, ввод сульфида в газ при температуре реактора в пределах 100-650°С, регулирование количества серы в циркулирующем газе в диапазоне 3-20×10-6 л/л для пассивирования установки.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что исходный сульфид представляет собой сероводород, а циркулирующий газ представляет собой инертный газ.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что после окончания пассивирования сначала вводится продувочный газ, который заменяет газ в установке; когда содержание сероводорода в циркулирующем газе, выходящем из выпускного отверстия реактора, не превышает 5×10-6 л/л, подается исходное сырье для осуществления нормальной реакции риформинга, в котором продувочный газ представляет собой газообразный водород, инертный газ или смесь инертного газа и газообразного водорода.
4. Способ пассивации для установки непрерывного риформинга во время начальной реакции, содержащий следующие стадии:
(1) загрузку катализатора риформинга в установку непрерывного риформинга, запуск циркуляции газа и повышение температуры реактора при вводе исходного сырья для риформинга в систему реактора, когда температура реактора повышается до 300-460°С, вводя сульфид в систему реактора, во время или после подачи сырья для риформинга, регулируя отношение общего количества серы, введенной в систему, к количеству исходного сырья для риформинга в диапазоне 0,5-50 мкг/г, снижая содержание сульфида, введенного в систему, когда концентрация сероводорода в циркулирующем газе достигает 2,0~30 мкл/л; и
(2) выдерживание реактора риформинга при температуре 460-490°С, регулируя отношение общего количества серы, введенной в систему к количеству сырья для реформирования в диапазоне 0,2-0,5 мкг/г, когда содержание воды в циркулирующем газе меньше чем 50 мкл/л, регулирование количества исходного сырья для риформинга в пределах расчетной величины, увеличение температуры реакции риформинга до 490-540°С в соответствии с требованиями к октановому числу жидкого продукта, и работу реактора риформинга при нормальных условиях эксплуатации.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что сульфид вводится в систему реактора путем добавления сульфида в исходное сырье для риформинга.
6. Способ по п.4, отличающийся тем, что сульфид вводится в систему реактора путем ввода сероводорода или газа, содержащего сероводород, в циркулирующий газ.
7. Способ по п.4, отличающийся тем, что сульфид вводится в систему реактора путем ввода сероводорода или газа, содержащего сероводород, в циркулирующий газ и путем добавления сульфида в исходное сырье для риформинга.
8. Способ по п.6 или 7, отличающийся тем, что газ, содержащий сероводород и водород, является газом, имеющим содержание сероводорода порядка 50-5000 мкл/л.
9. Способ по п.4, отличающийся тем, что исходное сырье для риформинга, загружаемое на стадии (1), вводится в количестве 50-75% по весу от расчетного расхода установки реформинга.
10. Способ по п.4, отличающийся тем, что сульфид, первоначально введенный на стадии (1), должен обеспечить отношение общего количества серы, введенной в систему, к количеству исходного сырья для реформинга порядка 0,6-20 мкг/г.
11. Способ по п.4, отличающийся тем, что, когда концентрация сероводорода в циркулирующем газе достигает величины 2,0-4,0 мкл/л, отношение общего количества серы, введенной в систему, к количеству исходного сырья для риформинга устанавливается в пределах 0,2~0,5 мкг/г.
12. Способ по п.4, отличающийся тем, что после того как отношение общего количества серы, введенной в систему, к количеству исходного сырья для риформинга на стадии (1) уменьшается до 0,2~2,0 мкг/г, включается система регенерации для циклической регенерации катализатора, когда сероводород в циркулирующем газе имеет концентрацию менее 5,0 мкл/л.
13. Способ по п.1, отличающийся тем, что циркулирующий газ представляет собой газообразный водород, инертный газ или смесь инертного газа и газообразного водорода.
14. Способ по п.2, отличающийся тем, что инертный газ представляет собой газообразный азот.
15. Способ по п.1, отличающийся тем, что сульфид представляет собой сероводород, сероуглерод, диметилдисульфид, серосодержащее алифатическое соединение, серосодержащее алициклическое соединение, серосодержащее ароматическое соединение, соединение тиофена, соединение тетрагидрооксазина или смесь двух или нескольких указанных соединений.
16. Способ по п.1, отличающийся тем, что катализатор включает носитель 0,05-1,0% по весу металла платиновой группы, 0,05-1,0% по весу олова и 0,1-5,0% по весу галоида в пересчете на сухой вес носителя.
17. Способ по п.16, отличающийся тем, что в катализаторе риформинга металл платиновой группы - платина; галоид - хлор и носитель - оксид алюминия.
18. Способ по п.4, отличающийся тем, что циркулирующий газ представляет собой газообразный водород, инертный газ или смесь инертного газа и газообразного водорода.
19. Способ по п.18, отличающийся тем, что инертный газ представляет собой газообразный азот.
20. Способ по п.4, отличающийся тем, что сульфид представляет собой сероводород, сероуглерод, диметилдисульфид, серосодержащее алифатическое соединение, серосодержащее алициклическое соединение, серосодержащее ароматическое соединение, соединение тиофена, соединение тетрагидрооксазина или смесь двух или нескольких указанных соединений.
21. Способ по п.4, отличающийся тем, что катализатор включает носитель 0,05 1,0% по весу металла платиновой группы, 0,05-1,0% по весу олова и 0,1-5,0% по весу галоида в пересчете на сухой вес носителя.
22. Способ по п.21, отличающийся тем, что в катализаторе риформинга, металл платиновой группы - платина; галоид - хлор и опора - оксид алюминия.
RU2010119051/04A 2007-10-31 2008-10-30 Способ пассивации для установки непрерывного риформинга (варианты) RU2470065C2 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200710176571A CN101423774B (zh) 2007-10-31 2007-10-31 一种连续重整装置初始反应的钝化方法
CN200710176571.0 2007-10-31
CN200710178229.4 2007-11-28
CN 200710178229 CN101445746B (zh) 2007-11-28 2007-11-28 一种连续重整装置的预钝化方法
PCT/CN2008/001819 WO2009067858A1 (en) 2007-10-31 2008-10-30 A predeactivation method and a deactivation method during initial reaction for a continuous reforming apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010119051A RU2010119051A (ru) 2011-11-20
RU2470065C2 true RU2470065C2 (ru) 2012-12-20

Family

ID=40678010

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010119051/04A RU2470065C2 (ru) 2007-10-31 2008-10-30 Способ пассивации для установки непрерывного риформинга (варианты)

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8475650B2 (ru)
EP (2) EP2210929B1 (ru)
RU (1) RU2470065C2 (ru)
WO (1) WO2009067858A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2720998C2 (ru) * 2015-07-24 2020-05-15 Ифп Энержи Нувелль Полиметаллический катализатор, легированный фосфором и лантаноидом

Families Citing this family (309)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20120277511A1 (en) * 2011-04-29 2012-11-01 Uop Llc High Temperature Platformer
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9558931B2 (en) * 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9605343B2 (en) 2013-11-13 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
US9199893B2 (en) 2014-02-24 2015-12-01 Uop Llc Process for xylenes production
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202344708A (zh) 2018-05-08 2023-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
WO2020002995A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089077A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 공급 어셈블리, 이의 구성 요소, 및 이를 포함하는 반응기 시스템
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
CN113652258B (zh) * 2021-07-28 2023-04-07 宁波中金石化有限公司 一种防止金属催化结焦的芳烃生产系统及方法
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN116020356A (zh) * 2021-10-25 2023-04-28 中国石油化工股份有限公司 一种逆流移动床低碳烷烃脱氢的方法和系统

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US422520A (en) * 1890-03-04 Screw-driver
RU94018527A (ru) * 1994-05-30 1996-06-10 Юоп (Us) Серостойкая каталитическая система риформинга, содержащая компонент, чувствительный к сере
US5863825A (en) * 1997-09-29 1999-01-26 Lsi Logic Corporation Alignment mark contrast enhancement
EP0798363B1 (en) * 1991-03-08 2003-05-28 Chevron Phillips Chemical Company LP Low-sulphur reforming processes
EA005910B1 (ru) * 2001-12-17 2005-06-30 Джонсон Мэтти Плс Пассивация металла в установке теплообменного риформинга
WO2007049069A1 (en) * 2005-10-24 2007-05-03 Johnson Matthey Plc Metal passivation

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL191058A (ru) * 1954-09-24
CA962210A (en) * 1971-03-11 1975-02-04 John C. Hayes Catalytic reforming of hydrocarbons
US3999961A (en) * 1974-11-20 1976-12-28 Ralph M. Parsons Company Sulfur control over carbon formation in high temperature reforming operations
US4159938A (en) * 1977-12-23 1979-07-03 Exxon Research & Engineering Co. Start-up procedure for reforming with platinum-iridium catalysts
US4220520A (en) * 1978-11-16 1980-09-02 Exxon Research & Engineering Co. Startup method for a reforming process
CN85106828B (zh) 1985-09-10 1987-09-09 张戈飞 金属零件表面形成硫化物层的方法及设备
US5200059A (en) * 1991-11-21 1993-04-06 Uop Reformulated-gasoline production
AUPM891094A0 (en) 1994-10-18 1994-11-10 Beare, Malcolm J. Internal combustion engine
CN1061858C (zh) * 1995-09-10 2001-02-14 段鑫 戒烟糖
US6495487B1 (en) 1996-12-09 2002-12-17 Uop Llc Selective bifunctional multimetallic reforming catalyst
US5954943A (en) 1997-09-17 1999-09-21 Nalco/Exxon Energy Chemicals, L.P. Method of inhibiting coke deposition in pyrolysis furnaces
JPH11264078A (ja) 1998-03-18 1999-09-28 Hitachi Ltd Ｍｇ合金部材及びその用途とその処理液及びその製造法
CN1126607C (zh) 1998-05-27 2003-11-05 中国石化齐鲁石油化工公司 一种抑制和减缓烃类高温裂解中焦炭形成与沉积的方法
CN1384175A (zh) 2001-04-28 2002-12-11 中国石油化工股份有限公司 含铂、锡的多金属重整催化剂及其制备与应用

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US422520A (en) * 1890-03-04 Screw-driver
EP0798363B1 (en) * 1991-03-08 2003-05-28 Chevron Phillips Chemical Company LP Low-sulphur reforming processes
RU94018527A (ru) * 1994-05-30 1996-06-10 Юоп (Us) Серостойкая каталитическая система риформинга, содержащая компонент, чувствительный к сере
US5863825A (en) * 1997-09-29 1999-01-26 Lsi Logic Corporation Alignment mark contrast enhancement
EA005910B1 (ru) * 2001-12-17 2005-06-30 Джонсон Мэтти Плс Пассивация металла в установке теплообменного риформинга
WO2007049069A1 (en) * 2005-10-24 2007-05-03 Johnson Matthey Plc Metal passivation

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2720998C2 (ru) * 2015-07-24 2020-05-15 Ифп Энержи Нувелль Полиметаллический катализатор, легированный фосфором и лантаноидом

Also Published As

Publication number Publication date
EP2910624A1 (en) 2015-08-26
US8475650B2 (en) 2013-07-02
RU2010119051A (ru) 2011-11-20
EP2210929A4 (en) 2012-01-25
EP2210929A1 (en) 2010-07-28
EP2210929B1 (en) 2016-11-23
EP2910624B1 (en) 2016-11-23
WO2009067858A1 (en) 2009-06-04
US20100282645A1 (en) 2010-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2470065C2 (ru) Способ пассивации для установки непрерывного риформинга (варианты)
KR102327288B1 (ko) 다단 잔유(resid) 수소첨가분해
RU2660426C2 (ru) Способ раздельной обработки нефтяного сырья для производства жидкого топлива с низким содержанием серы
TWI490326B (zh) 由減壓殘油製造餾出物燃料及陽極級焦炭的方法
CN102382679B (zh) 使用选择液体再循环以减少重组硫醇形成的加氢脱硫法
NL7905785A (nl) Werkwijze voor het demetaliseren en desulfuriseren van zware koolwaterstoffen.
EP2411487A2 (en) Direct feed/effluent heat exchange in fluid catalytic cracking
EP1506270B1 (en) Multi-stage hydrodesulfurization of cracked naphtha streams with a stacked bed reactor
JP3955096B2 (ja) 選択的水素化脱硫触媒及び方法
WO2019236326A1 (en) Upgrading of pyrolysis tar and flash bottoms
CN108138057B (zh) 全原油转化成加氢处理的蒸馏物和石油生焦炭的整合沸腾床加氢加工，固定床加氢加工和焦化方法
CN101445746B (zh) 一种连续重整装置的预钝化方法
CN102465018A (zh) 一种焦化全馏分加氢的工艺方法
Le Goff et al. Catalytic reforming
GB2137112A (en) Replacement of particles in vessels
CN113631689A (zh) 用于改质原油、重油和渣油的方法和系统
WO2017080387A1 (zh) 一种重油加氢处理系统和重油加氢处理方法
JP2023542374A (ja) 不純物を含んだプラスチックおよび／または固体回収燃料からの熱分解油の処理方法
CN101423774B (zh) 一种连续重整装置初始反应的钝化方法
CN115537231A (zh) 一种改变物料流向而实现减油增化的装置及方法
US3716476A (en) Effluent cooling in a hydrocracking and hydrodesulfurizing process
CN108102706A (zh) 一种重油加氢处理方法
CN106701187A (zh) 一种处理渣油的方法
CN107875978B (zh) 一种加氢催化剂的级配装填方法和应用
CN112585246B (zh) 用于溶剂辅助焦油转化方法的保护反应器催化剂的自硫化