RU2356926C2 - Абразивные частицы для механической полировки - Google Patents
Абразивные частицы для механической полировки Download PDFInfo
- Publication number
- RU2356926C2 RU2356926C2 RU2006104117/04A RU2006104117A RU2356926C2 RU 2356926 C2 RU2356926 C2 RU 2356926C2 RU 2006104117/04 A RU2006104117/04 A RU 2006104117/04A RU 2006104117 A RU2006104117 A RU 2006104117A RU 2356926 C2 RU2356926 C2 RU 2356926C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- particles
- abrasive
- volume
- equal
- abrasive particles
- Prior art date
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 192
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 78
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 106
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 37
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 27
- 229940075614 colloidal silicon dioxide Drugs 0.000 claims description 18
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 6
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 5
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- -1 aluminosilicate anion Chemical class 0.000 description 22
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 19
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 18
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 11
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 11
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 10
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 10
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 8
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 235000015847 Hesperis matronalis Nutrition 0.000 description 5
- 240000004533 Hesperis matronalis Species 0.000 description 5
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical class OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000518 rheometry Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 4
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 4
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 4
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 4
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 3
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 3
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 3
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 3
- 150000001860 citric acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate Chemical compound [Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 125000005498 phthalate group Chemical class 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 235000019351 sodium silicates Nutrition 0.000 description 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IERHLVCPSMICTF-XVFCMESISA-N CMP group Chemical group P(=O)(O)(O)OC[C@@H]1[C@H]([C@H]([C@@H](O1)N1C(=O)N=C(N)C=C1)O)O IERHLVCPSMICTF-XVFCMESISA-N 0.000 description 2
- OCUCCJIRFHNWBP-IYEMJOQQSA-L Copper gluconate Chemical class [Cu+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O OCUCCJIRFHNWBP-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004111 Potassium silicate Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical class 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003729 cation exchange resin Substances 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000013317 conjugated microporous polymer Substances 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 2
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 210000003643 myeloid progenitor cell Anatomy 0.000 description 2
- FBMUYWXYWIZLNE-UHFFFAOYSA-N nickel phosphide Chemical compound [Ni]=P#[Ni] FBMUYWXYWIZLNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LLYCMZGLHLKPPU-UHFFFAOYSA-N perbromic acid Chemical class OBr(=O)(=O)=O LLYCMZGLHLKPPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N periodic acid Chemical class OI(=O)(=O)=O KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 235000011118 potassium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N potassium silicate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Si]([O-])=O NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052913 potassium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 150000003856 quaternary ammonium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 2
- 150000003890 succinate salts Chemical class 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 1-O-galloyl-3,6-(R)-HHDP-beta-D-glucose Natural products OC1C(O2)COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC1C(O)C2OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 1-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(O)CN HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNJSNEKCXVFDKW-UHFFFAOYSA-N 3-(5-amino-1h-indol-3-yl)-2-azaniumylpropanoate Chemical compound C1=C(N)C=C2C(CC(N)C(O)=O)=CNC2=C1 YNJSNEKCXVFDKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHQDETIJWKXCTC-UHFFFAOYSA-N 3-chloroperbenzoic acid Chemical compound OOC(=O)C1=CC=CC(Cl)=C1 NHQDETIJWKXCTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001339 C alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M Chlorate Chemical class [O-]Cl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- 239000003109 Disodium ethylene diamine tetraacetate Substances 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical class OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGTMUACCHSMWAC-UHFFFAOYSA-L EDTA disodium salt (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].OC(=O)CN(CC([O-])=O)CCN(CC(O)=O)CC([O-])=O ZGTMUACCHSMWAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001263 FEMA 3042 Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical class OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFCDLVPYFMHRQZ-UHFFFAOYSA-N N-Nitrosodiethanolamine Chemical compound OCCN(N=O)CCO YFCDLVPYFMHRQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N Penta-digallate-beta-D-glucose Natural products OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@@H]2[C@H]([C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical class OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N Triisopropanolamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CC(C)O SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004964 aerogel Substances 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical class [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 150000001414 amino alcohols Chemical class 0.000 description 1
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium peroxydisulfate Substances [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)OOS([O-])=O VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 1
- 229920001448 anionic polyelectrolyte Polymers 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000000440 bentonite Substances 0.000 description 1
- 229910000278 bentonite Inorganic materials 0.000 description 1
- SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N bentoquatam Chemical compound O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O SVPXDRXYRYOSEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical class C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 230000002902 bimodal effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-M bromate Chemical class [O-]Br(=O)=O SXDBWCPKPHAZSM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000001649 bromium compounds Chemical class 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 150000001728 carbonyl compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005341 cation exchange Methods 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001785 cerium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical class [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000701 coagulant Substances 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N diisopropanolamine Chemical compound CC(O)CNCC(C)O LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043276 diisopropanolamine Drugs 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019301 disodium ethylene diamine tetraacetate Nutrition 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 229940048820 edetates Drugs 0.000 description 1
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 1
- BLCTWBJQROOONQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl prop-2-enoate Chemical class C=COC(=O)C=C BLCTWBJQROOONQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000005337 ground glass Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- PEYVWSJAZONVQK-UHFFFAOYSA-N hydroperoxy(oxo)borane Chemical compound OOB=O PEYVWSJAZONVQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- UCNNJGDEJXIUCC-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)iron;iron Chemical compound [Fe].O[Fe]=O.O[Fe]=O UCNNJGDEJXIUCC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NILJXUMQIIUAFY-UHFFFAOYSA-N hydroxylamine;nitric acid Chemical compound ON.O[N+]([O-])=O NILJXUMQIIUAFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001853 inorganic hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-N iodic acid Chemical class OI(=O)=O ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004694 iodide salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000358 iron sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L iron(2+) sulfate (anhydrous) Chemical compound [Fe+2].[O-]S([O-])(=O)=O BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N iron(2+);dinitrate Chemical compound [Fe+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940102253 isopropanolamine Drugs 0.000 description 1
- 150000003893 lactate salts Chemical class 0.000 description 1
- 229940094522 laponite Drugs 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- XCOBTUNSZUJCDH-UHFFFAOYSA-B lithium magnesium sodium silicate Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[Na+].[Na+].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].O1[Si](O2)([O-])O[Si]3([O-])O[Si]1([O-])O[Si]2([O-])O3.O1[Si](O2)([O-])O[Si]3([O-])O[Si]1([O-])O[Si]2([O-])O3.O1[Si](O2)([O-])O[Si]3([O-])O[Si]1([O-])O[Si]2([O-])O3.O1[Si](O2)([O-])O[Si]3([O-])O[Si]1([O-])O[Si]2([O-])O3.O1[Si](O2)([O-])O[Si]3([O-])O[Si]1([O-])O[Si]2([O-])O3.O1[Si](O2)([O-])O[Si]3([O-])O[Si]1([O-])O[Si]2([O-])O3 XCOBTUNSZUJCDH-UHFFFAOYSA-B 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004701 malic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001935 peptisation Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004965 peroxy acids Chemical class 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L persulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])OOS(=O)(=O)[O-] JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920005646 polycarboxylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229940072033 potash Drugs 0.000 description 1
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000015320 potassium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- HXHCOXPZCUFAJI-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoic acid;styrene Chemical class OC(=O)C=C.C=CC1=CC=CC=C1 HXHCOXPZCUFAJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021647 smectite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- LRBQNJMCXXYXIU-NRMVVENXSA-N tannic acid Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@@H]2[C@H]([C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-NRMVVENXSA-N 0.000 description 1
- 235000015523 tannic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940033123 tannic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920002258 tannic acid Polymers 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000003892 tartrate salts Chemical class 0.000 description 1
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Substances [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RLQWHDODQVOVKU-UHFFFAOYSA-N tetrapotassium;silicate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[K+].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] RLQWHDODQVOVKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(ii) oxide Chemical class [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- HADKRTWCOYPCPH-UHFFFAOYSA-M trimethylphenylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C1=CC=CC=C1 HADKRTWCOYPCPH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960004418 trolamine Drugs 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000108 ultra-filtration Methods 0.000 description 1
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
- B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
Группа изобретений относится к абразивным и/или химически активным частицам и их использованию при полировке и планаризации. Абразивная композиция для полировки подложек содержит множество абразивных частиц, содержащих распределение размеров полидисперсных частиц, при этом медианный размер частиц, по объему, составляет от примерно 20 нм до примерно 100 нм, значение разброса, по объему, является равным или большим чем примерно 15 нм, где фракция указанных частиц, больших чем примерно 100 нм, составляет менее чем или равна примерно 20 об.% абразивных частиц. Представлены также суспензионная абразивная композиция для полировки подложек и способ полировки подложек абразивной композицией. Достигается высокая скорость полировки, повышенная гладкость полируемой поверхности, хорошая планаризация и низкие плотности дефектов. 3 н. и 16 з.п. ф-лы, 4 табл., 2 ил.
Description
Уровень техники
Изобретение относится к абразивным частицам и суспензиям, содержащим частицы, а также к способам механохимической планаризации (CMP), использующим суспензии.
Суспензии, содержащие абразивные и/или химически активные частицы в жидкой среде, используют для различных применений при полировке и планаризации. Некоторые применения включают в себя полировку технического стекла, механических дисков памяти, исходных кремниевых пластин и нержавеющей стали, используемой в медицинских устройствах. CMP используют для выравнивания и сглаживания подложки до очень высокой степени однородности. CMP используют в разнообразных применениях, включая полировку стеклянных продуктов, таких как лицевые стеклянные пластины плоских панелей дисплеев, и планаризацию устройств на основе пластин во время производства полупроводников. Например, полупроводниковая промышленность использует CMP для планаризации диэлектрических и металлических пленок, а также структурированных металлических слоев на различных стадиях производства интегральных схем. Во время изготовления поверхность пластины, как правило, разделяется на множество участков (как правило, прямоугольных), на которых формируются фотолитографические изображения, как правило, идентичные структурам схемы, от одного участка к другому. Каждый из прямоугольных участков в итоге становится индивидуальным шаблоном, после того как пластина разделяется на индивидуальные куски.
Шаблон интегральной схемы, предпочтительно в очень больших интегральных (VLSI) полупроводниковых схемах, изготавливается посредством осаждения и формирования структур как проводящего слоя (или слоев), так и непроводящего (изолирующего) слоя или слоев на полупроводниковой пластине. Современная технология, как правило, использует изоляторы на основе двуокиси кремния, хотя все большее распространение находят и другие материалы. Слои формируются в виде слоистой, ламинированной конфигурации, расположенные один поверх другого, создавая непланарный рельеф. Один из источников непланарности создается непроводящими или диэлектрическими слоями, которые формируются поверх выступающих проводящих линий или других деталей в слоях, лежащих ниже, создавая рельефную структуру в слоях, лежащих выше. Планаризация необходима для точного осаждения и структурирования последующих слоев.
Другой источник непланарности создается посредством способа медной дамасской технологии и возрастающей потребности в планарных или гладких твердых дисках. В способе медной дамасской технологии (1) в диэлектрическом слое вытравливаются канавки, (2) осаждается барьерный слой, тонким слоем покрывающий канавку и тонким слоем покрывающий диэлектрик вблизи канавки, (3) осаждается медь с такой толщиной, чтобы заполнить канавку, в то же время, нанося покрытие на участки рядом с канавкой, и (4) используют способ CMP для сошлифовывания меди в областях вблизи канавки, в то же время оставляя медь настолько много, насколько это возможно, в канавке.
Устройства на основе интегральных схем становятся все более изощренными и более сложными, количество слоев, которые действуют друг на друга, увеличивается. Когда увеличивается количество слоев, проблемы с планарностью также, как правило, увеличиваются. Планаризация слоев во время обработки интегральных схем становится главной проблемой и составляет главные затраты при производстве полупроводниковых приборов. Требования к планарности приводят к появлению ряда подходов, и в последнее время технологии CMP используются для планаризации полупроводниковых пластин. CMP заключается в перемещении непланаризованной неполированной поверхности относительно полирующей площадки с суспензией CMP, расположенной между площадкой и поверхностью, которую обрабатывают. Как правило, это осуществляется посредством непрерывного нанесения на площадку суспензии и вращения площадки по отношению к подложке при относительно низких скоростях. Суспензия CMP содержит, по меньшей мере, один или два компонента; абразивные частицы для механического удаления материала подложки и один или несколько реагентов для химического удаления материала подложки. Реагенты, как правило, представляют собой простые комплексообразующие агенты или окислители, в зависимости от материалов, которые должны полироваться, и кислоты или основания для установления pH.
Суспензии CMP могут разделяться на категории на основе материалов, которые должны полироваться. Полировка оксидов относится к полировке внешнего или подслойного диэлектрика в интегральных схемах, в то время как полировка металла представляет собой полировку металлических соединений (контактов) в интегральных схемах. Двуокись кремния и окись алюминия наиболее широко используются в качестве абразивов для полировки металлов, в то время как двуокись кремния используется почти исключительно для полировки оксидов. Окись церия также используется в некоторых применениях, включая полировку металлов и полировку полимеров.
Диапазон параметров, которые характеризуют действие полирующей суспензии, представляет собой шкалу оценок для эффективности полирующих суспензий.
Эти параметры включают в себя скорость истирания, то есть скорость, с которой удаляется материал, который должен полироваться, селективность, то есть отношение скоростей полировки материала, который должен полироваться, к другим материалам, которые присутствуют на поверхности подложки, и параметры, которые представляют однородность планаризации. Параметры, используемые для представления однородности планаризации, обычно представляют собой неоднородность в пределах одной пластины (WIWNU) и неоднородность от пластины к пластине (WTWNU), а также количество дефектов на единицу площади.
В различных суспензиях CMP уровня техники исходный материал для производства полирующих суспензий представлял собой частицы оксидов, таких как двуокиси кремния, которые содержат большие агрегаты более мелких первичных частиц, то есть мелкие в целом сферические первичные частицы вторично соединяются друг с другом с образованием частиц большего размера, нерегулярной формы. Таким образом, для производства полирующих суспензий необходимо, чтобы эти агрегаты были разрушены на частицы, которые являются настолько малыми, насколько это возможно. Это достигается посредством введения энергии сдвига. Энергия сдвига вызывает разрушение агрегатов двуокиси кремния. Однако, поскольку эффективность введения энергии сдвига зависит от размера частиц, невозможно производить частицы с размером и формой первичных частиц, используя силу сдвига. Полирующие суспензии, производимые таким образом, имеют тот недостаток, что агрегаты не разрушаются полностью. Фракция крупных частиц может приводить к повышенному образованию царапин или дефектов на поверхности подложки, которая должна полироваться.
Определенные усилия были направлены на конструирование компонента абразивных частиц. Например, патент США № 5264010, полное содержание которого включается сюда в качестве ссылки, описывает абразивную композицию для применения при планаризации поверхности подложки, где абразивный компонент содержит 3-50 мас.% оксида церия, 8-20 мас.% мелкодисперсной двуокиси кремния и 15-45 мас.% осажденной двуокиси кремния. Патент США № 5527423, полное содержание которого включается сюда в качестве ссылки, описывает суспензию для применения при механохимической полировке слоев металлов. Суспензия содержит абразивные частицы, которые представляют собой агломераты очень малых частиц и образуются из различных видов мелкодисперсной двуокиси кремния или коллоидной окиси алюминия. Агломерированные частицы, как правило из мелкодисперсных материалов, имеют зубчатую неправильную форму. Частицы имеют распределение размеров агрегатов, где почти все частицы меньше чем примерно 1 мкм, а средний диаметр агрегата меньше чем примерно 0,4 мкм.
Патент США № 5693239, полное содержание которого включается сюда в качестве ссылки, описывает суспензию CMP, которая содержит абразивные частицы, где примерно 15 мас.% частиц представляют собой кристаллическую окись алюминия, а оставшиеся частицы представляют собой менее абразивные материалы, такие как гидроокиси алюминия, двуокись кремния и т.п.
Патент США № 5376222, полное содержание которого включается сюда в качестве ссылки, описывает использование основных золей двуокиси кремния, содержащих сферические частицы, имеющих pH в пределах между 9 и 2,5. Такие полирующие суспензии имеют то преимущество, что они состоят практически только из отдельных сферических частиц, что приводит к низким уровням царапания и других дефектов на поверхности, которая должна полироваться.
Недостатком этих полирующих суспензий является их более низкая скорость полировки, при минимизации доли дефектов.
Попытки увеличения скорости полировки, при минимизации дефектов, сосредоточились на распределении размеров частиц абразивного компонента. Патент США № 6143662, публикации заявок на патенты США № 2002/0003225 A1 и 2003/0061766 A1, полное содержание которых включается сюда в качестве ссылок, описывают суспензии CMP, содержащие абразивные частицы, имеющие очень узкое распределение размеров частиц, которое является бимодальным или мультимодальным по природе. При том, что суспензии демонстрируют более высокую скорость полировки, такие суспензии страдают возникновением более высоких плотностей дефектов.
Соответственно, по-прежнему существует необходимость в полирующих суспензиях с улучшенными свойствами. В частности, полирующие суспензии, которые обеспечивают достаточно высокую скорость полировки, повышенную гладкость поверхности подложки, хорошую планаризацию и низкие плотности дефектов, являются необходимыми для современного производства VLSI.
Сущность изобретения
Настоящее изобретение относится к абразивной композиции для полировки подложек, содержащей множество абразивных частиц, имеющих распределение размеров полидисперсных частиц, при этом медианный размер частиц, по объему, составляет от примерно 20 нм до примерно 100 нм, значение разброса, по объему, является равным или большим чем примерно 20 нм, где фракция частиц, больших чем примерно 100 нм, составляет менее чем или равна примерно 20 об.% абразивных частиц.
Настоящее изобретение также относится к абразивной суспензионной композиции для полировки подложек, содержащей множество абразивных частиц, имеющих распределение размеров полидисперсных частиц, при этом медианный размер частиц, по объему, составляет от примерно 20 нм до примерно 100 нм, значение разброса, по объему, является равным или большим чем примерно 20 нм, где фракция частиц, равных или больших чем примерно 100 нм, составляет менее чем или равна примерно 20 об.% абразивных частиц; и раствор, имеющий один или несколько химических реагентов.
Настоящее изобретение также относится к способу полировки подложек с помощью абразивной композиции посредством обеспечения подложки, которую необходимо полировать; и полировки подложки с использованием множества абразивных частиц, имеющих распределение размеров полидисперсных частиц, при этом медианный размер частиц, по объему, составляет от примерно 20 нм до примерно 100 нм, значение разброса, по объему, является равным или большим чем примерно 20 нм, где фракция частиц, равных или больших чем примерно 100 нм, составляет менее чем или равна примерно 20 об.% абразивных частиц.
Краткое описание чертежей
Фиг.1 представляет собой графическое представление примера абразива по настоящему изобретению, имеющего распределение размеров полидисперсных частиц (по объему).
Фиг.2 представляет собой графическое представление кумулятивного распределения объема примера абразива по настоящему изобретению, имеющего распределение размеров полидисперсных частиц.
Подробное описание изобретения
Термин "абразив", как он здесь используется, означает любой синтетический и/или природный неорганический и органический материал, который является относительно инертным, когда он используется в суспензиях CMP, такой, например, как мелкодисперсная двуокись кремния, коллоидная и осажденная двуокись кремния, оксид алюминия, силикат алюминия, оксид церия, двуокись титана, оксид циркония и т.п.; глины, такие как слюда, бентонит, смектит, лапонит и т.п.; полимеры, такие как полистирол, полиметилметакрилат и т.п.; и любые их сочетания и/или смеси.
В одном из вариантов осуществления настоящего изобретения коллоидная двуокись кремния используется в качестве абразива. Под термином "коллоидная двуокись кремния" или "золь коллоидной двуокиси кремния" подразумеваются частицы, происходящие из дисперсий или золей, в которых частицы не осаждаются из дисперсии в течение относительно продолжительных периодов времени. Такие частицы, как правило, меньше одного микрона в размере. Коллоидная двуокись кремния, имеющая средний размер частицы в пределах от примерно 1 до примерно 300 нм, и способы для ее изготовления хорошо известны в данной области. См. патенты США 2244325; 2574902; 2577484; 2577485; 2631134; 2750345; 2892797; 3012972 и 3440174, содержание которых включается сюда в качестве ссылок.
Золи двуокиси кремния могут быть получены посредством конденсации разбавленных растворов кремниевой кислоты, которые только что получены из растворов молекулярных силикатов, реже посредством пептизации силикагелей или посредством других способов. Большая часть способов получения золей двуокиси кремния, которые осуществляются в промышленном масштабе, используют растворы силиката натрия или калия промышленного качества, полученных из жидкого стекла. Силикаты натрия являются предпочтительными по соображениям стоимости, а силикаты натрия с массовым отношением двуокиси кремния к соде примерно 3,2-3,34:1 являются наиболее предпочтительными. Натриевые жидкие стекла или калиевые жидкие стекла являются пригодными исходными материалами, используемыми при производстве растворов силиката натрия или силиката калия. Жидкие стекла обычно получают посредством высокотемпературного плавления двуокиси кремния и соды или поташа. Раствор силиката натрия или силиката калия получают посредством растворения измельченной формы стекла в воде при повышенных температурах и/или давлениях. Другие способы получения силикатов натрия известны и включают в себя взаимодействие мелкодисперсного кварца или других пригодных для использования исходных материалов на основе двуокиси кремния со щелочью при гидротермальных условиях.
Получение золей двуокиси кремния, используемых в полирующих абразивах, как рассматривается в патентах, упоминаемых здесь, включает в себя удаление некоторой части или большинства катионов металлов, присутствующих в разбавленном растворе силиката натрия, обычно с помощью катионообменного материала в водородной форме. Во многих описанных способах разбавленный силикат натрия проходит через слой катионообменной смолы для удаления натрия, и полученная "кремниевая кислота" добавляется в емкость, содержащую либо достаточное количество щелочи для поддержания раствора при pH от нейтрального до щелочного, либо щелочной золь из полученных ранее частиц коллоидной двуокиси кремния. Описывается также другой способ, который включает в себя одновременное добавление разбавленного раствора силиката натрия и ионообменной смолы к воде, разбавленному раствору силиката натрия или щелочному золю полученных ранее частиц коллоидной двуокиси кремния, так что pH поддерживается при постоянном, щелочном значении. Любой из этих способов может использоваться для изготовления золей коллоидной двуокиси кремния по настоящему изобретению. Изменяя условия скоростей добавления, pH, температуры и природы раствора (суспензии), могут выращиваться частицы, охватывающие диапазон от примерно 1 до примерно 300 нм в диаметре и имеющие удельные площади поверхности от примерно 9 до примерно 3000 м2/г (измеренные с помощью БЭТ), в золях, которые имеют отношения SiO2:Na2O от примерно 40:1 до примерно 300:1. Полученные золи могут дополнительно концентрироваться посредством ультрафильтрования, дистилляции, вакуумной дистилляции или других подобных средств. Хотя они могут быть стабильными при pH от примерно 1 до примерно 7 в течение относительно коротких периодов времени, они являются неограниченно стабильными при щелочных pH, в частности, от примерно pH 8 до примерно pH 11. Ниже pH примерно 8, частицы коллоидной двуокиси кремния будут иметь тенденцию к агрегации и образованию гелей. Выше pH примерно 11, и определенно выше pH 12, частицы будут иметь тенденцию к растворению.
Возможно также получение используемых золей двуокиси кремния посредством других способов. Например, это получение возможно посредством гидролиза тетраэтилортосиликата (TEOS). Золи двуокиси кремния, полученные с помощью этих способов, как правило, являются очень дорогими и по этой причине находят ограниченное использование.
Большинство золей коллоидной двуокиси кремния содержат щелочь. Щелочь обычно представляет собой гидроксид щелочного металла из группы IA Периодической таблицы (гидроксиды лития, натрия, калия и т.п.). Большинство коммерчески доступных золей коллоидной двуокиси кремния содержат гидроксид натрия, который происходит, по меньшей мере, частично, из силиката натрия, используемого для получения коллоидной двуокиси кремния, хотя гидроксид натрия может также добавляться для стабилизации золя от гелеобразования. Они могут также стабилизироваться с помощью других щелочных соединений, таких как гидроксид аммония или органические амины различных типов. Если присутствие иона натрия или другого щелочного металла является вредным для применения при полировке, золь коллоидной двуокиси кремния может быть деионизован с помощью катионообменной смолы в водородной форме, а затем повторно стабилизирован с помощью желаемого щелочного соединения.
Щелочные соединения стабилизируют частицы коллоидной двуокиси кремния посредством взаимодействия с силанольными группами, присутствующими на поверхности коллоидных частиц двуокиси кремния. Результатом этого взаимодействия является то, что коллоидные частицы двуокиси кремния обладают отрицательным зарядом, который создает отталкивающий барьер для межчастичной агрегации и гелеобразования. Альтернативно, поверхность коллоидной двуокиси кремния может модифицироваться для стабилизации частиц. Один из способов, описанный в патенте США 2892797, полное содержание которого включается сюда в качестве ссылки, приводит к созданию алюмосиликатного аниона на поверхности частицы и приданию отрицательного заряда коллоидной частице двуокиси кремния. Еще в одном способе, как описано в патентах США 3007878, 3620978 и 3745126, полное содержание которых включается сюда в качестве ссылок, коллоидные частицы двуокиси кремния могут быть положительно заряжены посредством нанесения на частицу покрытия из оксида многовалентного металла. Соответствующие многовалентные оксиды включают в себя трех- и четырехвалентный металлические алюминий, цирконий, титан, галлий и хром, но предпочтительным является алюминий.
Коллоидная двуокись кремния, особенно пригодная для настоящего изобретения, представляет собой соединение, которое известно как полидисперсная коллоидная двуокись кремния. "Полидисперсная" определяется здесь как обозначающая дисперсию частиц, имеющую распределение размеров частиц, в котором медианный размер частиц находится в пределах 15-100 нм и которое имеет относительно широкое распределение. "Разброс" определяется здесь как означающий меру ширины распределения размеров частиц. Пригодные для использования распределения являются такими, что медианный размер частиц, по объему, составляет от примерно 20 нм до примерно 100 нм; значение разброса, по объему, является равным или большим чем примерно 15 нм; и фракция частиц, большая чем 100 нм, составляет менее чем или равна примерно 20 об.% абразивных частиц. Диапазон (по объему) разброса измеряют посредством вычитания размера частиц d10 (то есть размера, ниже которого находятся 10 об.% частиц) из размера частиц d90 (то есть размера, ниже которого находятся 90 об.% частиц), генерированных с использованием микрофотографий, сделанных с использованием методологий измерения размеров частиц с использованием трансмиссионного электронного микроскопа (TEM). Например, TEM фотографии образцов абразивных частиц анализируются с помощью обычного программного обеспечения для цифрового анализа изображений, для определения взвешенных по объему медианных диаметров частиц и распределений размеров. В результате, распределение имеет относительно широкий разброс и, кроме того, очень малое количество частиц, которые являются относительно большими (например, большими чем 100 нм). См. фиг.1. Такие большие частицы вносят вклад в царапание и появление дефектов на поверхности подложки после осуществления способа CMP. В дополнение к этому, присутствие значительного количества больших частиц (например, больших чем 100 нм) в дисперсии может приводить к оседанию во время хранения, приводя к образованию неоднородной суспензии и к возможному образованию осадка из частиц большего размера на нижней поверхности контейнера для хранения. После образования такого осадка полностью повторно диспергировать осевшие частицы трудно, и любая восстановленная суспензия может содержать агрегаты частиц. Более того, использование контейнеров для хранения, содержащих неоднородные распределения или суспензии частиц, или использование суспензий, содержащих большие агрегаты частиц, может не полностью обеспечить преимущества от выгод полировки по настоящему изобретению.
Предпочтительные распределения частиц являются такими, где абразивные частицы имеют медианный размер частиц, по объему, от примерно 20, 25, 30 или 35 нм до примерно 100, 95, 90 или 85 нм; значение разброса, по объему, равное или большее чем примерно 15, 18, 20, 22, 25 или 30 нм; и фракцию частиц, больших чем примерно 100 нм, равную или меньшую, чем 20, 15, 10, 5, 2, 1, или большую чем 0-1 об.% абразивных частиц. Важно отметить, что любая из величин, приведенных здесь, относительно медианных размеров частиц, значений разброса и фракций частиц больше 100 нм, может использоваться для изготовления абразивных частиц в любом сочетании. Например, пригодное для использования распределение абразивных частиц содержит медианный размер частиц, по объему, от примерно 25 нм до примерно 95 нм, значение разброса, по объему, равное или большее чем примерно 18 нм, и фракцию частиц, больших чем примерно 100 нм, равную или меньшую, чем примерно 20 об.% абразивных частиц. Предпочтительное распределение абразивных частиц имеет медианный размер частиц, по объему, от примерно 25 нм до примерно 100 нм, значение разброса, по объему, равное или большее чем примерно 18 нм, и фракцию частиц, больших чем примерно 100 нм, равную или меньшую, чем примерно 15 об.% абразивных частиц. Более предпочтительное распределение абразивных частиц имеет медианный размер частиц, по объему, от примерно 25 нм до примерно 100 нм, значение разброса, по объему, равное или большее чем примерно 25 нанометров, и фракцию частиц, больших чем примерно 100 нм, равную или меньшую, чем примерно 10 об.% абразивных частиц. Еще более предпочтительное распределение абразивных частиц имеет медианный размер частиц, по объему, от примерно 25 нм до примерно 100 нм, значение разброса, по объему, равное или большее чем примерно 30 нм, и фракцию частиц, больших чем примерно 100 нм, равную или меньшую чем примерно 5 об.% абразивных частиц.
В другом варианте осуществления, настоящее изобретение также относится к абразивной суспензионной композиции для полировки подложек, содержащей множество абразивных частиц, имеющих распределение размеров полидисперсных частиц, как описано здесь, в растворе, содержащем один или несколько химических реагентов.
Настоящая суспензия CMP может использоваться в сочетании с любым пригодным для использования компонентом (или ингредиентом), известным в данной области, например, с дополнительными абразивами, окисляющими агентами, катализаторами, пленкообразующими агентами, комплексообразующими агентами, агентами для контроля реологии, поверхностно-активными веществами (то есть, поверхностно-активными агентами), полимерными стабилизаторами, регуляторами pH, ингибиторами коррозии и другими соответствующими ингредиентами.
В сочетании с настоящим изобретением может использоваться любой пригодный для использования окисляющий агент. Пригодные для использования окисляющие агенты включают в себя, например, окисленные галогениды (например, хлораты, броматы, йодаты, перхлораты, перброматы, перйодаты, фторидсодержащие соединения и их смеси и т.п.). Пригодные для использования окисляющие агенты также включают в себя, например, перборную кислоту, пербораты, перкарбонаты, нитраты (например, нитрат железа (III) и гидроксиламина нитрат), персульфаты (например, персульфат аммония), пероксиды, пероксикислоты (например, перуксусную кислоту, пербензойную кислоту, м-хлорпербензойную кислоту, их соли, их смеси и т.п.), перманганаты, хроматы, соединения церия, феррицианиды (например, феррицианид калия), их смеси и т.п. Является также удобным для композиции, используемой в сочетании с настоящим изобретением, чтобы она содержала окисляющие агенты, как приведено, например, в патенте США № 6015506, полное содержание которого включается сюда в качестве ссылки.
В сочетании с настоящим изобретением может использоваться любой пригодный для использования катализатор. Пригодные для использования катализаторы включают в себя металлические катализаторы и их сочетания. Катализатор может выбираться из соединений металлов, которые имеют множество окислительных состояний, таких как Ag, Go, Cr, Cu, Fe, Mo, Mn, Nb, Ni, Os, Pd, Ru, Sn, Ti и V, но не ограничиваясь этим. Термин "множество окислительных состояний" относится к атому и/или соединению, которые имеют количество валентностей, которое может быть выражено, как результат потери одного или нескольких отрицательных зарядов в форме электронов. Катализаторы на основе железа включают в себя, но не ограничиваются этим, неорганические соли железа, такие как нитрат железа (II или III), сульфат железа (II или III), галогениды железа (II или III), включая фториды, хлориды, бромиды и йодиды, а также перхлораты, перброматы и перйодаты, и органические соединения железа (II или III), такие как, но не ограничиваясь этим, ацетаты, ацетилацетонаты, цитраты, глюконаты, оксалаты, фталаты и сукцинаты, и их смеси.
В сочетании с настоящим изобретением может использоваться любой пригодный для использования пленкообразующий агент (то есть, ингибитор коррозии). Пригодные для использования пленкообразующие агенты включают в себя, например, гетероциклические органические соединения (например, органические соединения с одной или несколькими активными функциональными группами, такими как гетероциклические кольца, в частности, гетероциклические кольца, содержащие азот). Пригодные для использования пленкообразующие агенты включают в себя, например, бензотриазол, триазол, бензимидазол и их смеси, как приведено в публикации патента США № 2001/0037821 A1, полное содержание которой включается сюда в качестве ссылки.
В сочетании с настоящим изобретением может использоваться любой пригодный для использования комплексообразующий агент (то есть, хелатирующий агент или усилитель селективности). Пригодные для использования комплексообразующие агенты включают в себя, например, карбонильные соединения (например, ацетилацетонаты и т.п.), простые карбоксилаты (например, ацетаты, арилкарбоксилаты и т.п.), карбоксилаты, содержащие одну или несколько гидроксильных групп (например, гликоляты, лактаты, глюконаты, галловую кислоту и ее соли и т.п.), ди-, три- и поликарбоксилаты (например, оксалаты, фталаты, цитраты, сукцинаты, тартраты, малаты, эдетаты (например, динатрий EDTA), их смеси и т.п.), карбоксилаты, содержащие одну или несколько сульфоновых и/или фосфоновых групп, и карбоксилаты, как приведено в публикации патента США № 2001/0037821 A1, полное содержание которого включается сюда в качестве ссылки. Пригодные для использования хелатирующие или комплексообразующие агенты также могут включать в себя, например, ди-, три- или полиспирты (например, этиленгликоль, пирокатехол, пирогаллол, таниновую кислоту и т.п.) и соединения, содержащие фосфаты, например, фосфониевые соли, и фосфоновые кислоты, как приведено, например, в заявке на патент США, серийный № 09/405249, полное содержание которой включается сюда в качестве ссылки. Комплексообразующие агенты также могут включать в себя аминсодержащие соединения (например, аминокислоты, аминоспирты, ди-, три- и полиамины и т.п.). Примеры аминсодержащих соединений включают в себя метиламин, диметиламин, триметиламин, этиламин, диэтиламин, триэтиламин, этаноламин, диэтаноламин, диэтаноламин додекат, триэтаноламин, изопропаноламин, диизопропаноламин, триизопропаноламин, нитрозодиэтаноламин и их смеси. Пригодные для использования аминсодержащие соединения дополнительно включают в себя соли аммония (например, TMAH и соединения четвертичного аммония). Аминсодержащее соединение также может представлять собой любое пригодное для использования катионное аминсодержащее соединение, такое, например, как гидрированные амины и соединения четвертичного аммония, которое адсорбирует слой нитрида кремния, присутствующий на подложке, которую полируют, и уменьшает, по существу уменьшает или даже ингибирует (то есть, блокирует) удаление нитрида кремния во время полировки.
В сочетании с настоящим изобретением может использоваться любое пригодное для использования поверхностно-активное вещество и/или агент для контроля реологии, включая агенты для повышения вязкости и коагулянты. Пригодные для использования агенты для контроля реологии включают в себя, например, полимерные агенты для контроля реологии. Кроме того, пригодные для использования агенты для контроля реологии включают в себя, например, полимеры уретана (например, полимеры уретана с молекулярной массой, большей, примерно, чем 100000 Дальтон), и акрилаты, содержащие одну или несколько акриловых субъединиц (например, винилакрилатов и стиролакрилатов), и их полимеры, сополимеры и олигомеры, и их соли. Пригодные для использования поверхностно-активные вещества включают в себя, например, катионные поверхностно-активные вещества, анионные поверхностно-активные вещества, анионные полиэлектролиты, неионные поверхностно-активные вещества, амфотерные поверхностно-активные вещества, фторированные поверхностно-активные вещества, их смеси и т.п.
Композиция, используемая в сочетании с настоящим изобретением, может содержать любой пригодный для использования полимерный стабилизатор или другой поверхностно-активный диспергирующий агент, как приведено в публикации патента США № 2001/0037821 A1, полное содержание которой включается сюда в качестве ссылки. Пригодные для использования полимерные стабилизаторы включают в себя, например, фосфорную кислоту, органические кислоты, оксиды олова, органические фосфонаты, их смеси и т.п.
Будет понятно, что многие из рассмотренных выше соединений могут существовать в форме соли (например, соли металла, соли аммония или подобные), кислоты или в виде неполной соли. Например, цитраты включают в себя лимонную кислоту, а также ее моно-, ди- и трисоли; фталаты включают в себя фталевую кислоту, а также ее моносоли (например, калий гидрофталат) и ее дисоли; перхлораты включают в себя соответствующую кислоту (то есть, перхлорную кислоту), а также ее соли. Кроме того, соединения, перечисленные здесь, классифицируются для иллюстративных целей; нет намерения ограничивать использование этих соединений. Как заметят специалисты в данной области, определенные соединения могут осуществлять более чем одну функцию. Например, некоторые соединения могут функционировать в качестве как хелатирующего, так и окисляющего агента (например, определенные нитраты железа (III) и т.п.).
Любой из компонентов, используемых в сочетании с настоящим изобретением, может обеспечиваться в форме смеси или раствора, в соответствующем жидком носителе или растворителе (например, в воде или соответствующем органическом растворителе). Кроме того, как упомянуто, соединения, сами по себе или в любом сочетании, могут использоваться в качестве компонента полирующей или чистящей композиции. Тогда два или более компонентов хранятся по отдельности и по существу смешиваются с образованием полирующей или чистящей композиции, при достижении точки использования или непосредственно перед этим. Компонент может иметь любой pH, соответствующий с точки зрения хранения и предполагаемого конечного использования, как будет очевидно специалистам в данной области. Кроме того, pH компонента, используемого в сочетании с настоящим изобретением, может регулироваться любым соответствующим образом, например, посредством добавления регулятора pH, регулятора или буфера. Пригодные для использования регуляторы pH, регуляторы или буферы включают в себя кислоты, такие, например, как хлористоводородная кислота, кислоты, такие как минеральные кислоты (например, азотная кислота, серная кислота, фосфорная кислота) и органические кислоты (например, уксусная кислота, лимонная кислота, малоновая кислота, янтарная кислота, винная кислота и щавелевая кислота). Пригодные для использования регуляторы pH, регуляторы или буферы также включают в себя основания, такие, например, как неорганический гидроксид, основания (например, гидроксид натрия, гидроксид калия, гидроксид аммония и т.п.) и карбонатные основания (например, карбонат натрия и т.п.).
Полирующие и чистящие компоненты, описанные здесь, могут объединяться любым способом и при любой пропорции, для создания одной или нескольких композиций, пригодных для полировки или чистки подложки (например, полупроводниковой подложки). Пригодные для использования полирующие композиции приведены, например, в патентах США № 5116535, 5246624, 5340370, 5476606, 5527423, 5575885, 5614444, 5759917, 5767016, 5783489, 5800577, 5827781, 5858813, 5868604, 5897375, 5904159, 5954997, 5958288, 5980775, 5993686, 6015506, 6019806, 6033596 и 6039891, а также в заявках на международные патенты WO 97/43087, WO 97/47030, WO 98/13536, WO 98/23697 и WO 98/26025, полное содержание которых включается сюда в качестве ссылок. Пригодные для использования чистящие композиции приведены, например, в патенте США № 5837662, полное содержание которого включается сюда в качестве ссылки. Полное содержание этих патентов и публикаций включается сюда в качестве ссылок.
В одном из вариантов осуществления настоящее изобретение также относится к способу полировок подложек с помощью абразивной композиции, обеспечивающей полировку подложки; и к полировке подложки с использованием множества абразивных частиц, имеющих распределение размеров полидисперсных частиц, при этом медианный размер частиц, по объему, составляет от примерно 30 нм до примерно 90 нм, значение разброса, по объему, является равным или большим чем примерно 20 нм.
Настоящая суспензия CMP может использоваться для полировки и планаризации вместе с любой пригодной для использования подложкой. Подложка может включать в себя любой из следующих далее материалов в виде отдельного слоя (например, при полировке твердого диска) или в виде множества слоев, в любой конфигурации, такой, например, в которой они находятся при производстве IC или VLSI (например, включая ситуации, где множество слоев и/или материалов экспонируются и полируются одновременно, как при обработке с помощью медной дамасской технологии). Подложки, которые должны планаризоваться, могут включать в себя проводящие, сверхпроводящие, полупроводниковые и изолирующие материалы (например, с высокой диэлектрической постоянной (k), с обычной k, низкой k и сверхнизкой k). Пригодные для использования подложки включают в себя, например, металл, оксид металла, металлический композит, или их смеси или сплавы. Подложка может состоять из любого соответствующего металла. Пригодные для использования металлы включают в себя, например, медь, алюминий, титан, вольфрам, тантал, золото, платину, иридий, рутений и их сочетания (например, сплавы или смеси). Подложка также может состоять из любого пригодного для использования оксида металла. Пригодные для использования оксиды металлов включают в себя, например, оксид алюминия, двуокись кремния, оксид титана, оксид церия, оксид циркония, оксид германия, оксид магния и соответствующие их продукты, и их смеси. В дополнение к этому, подложка может содержать любую пригодную для использования композицию металлов и/или сплав металлов. Пригодные для использования композиты металлов и сплавы металлов включают в себя, например, нитриды металлов (например, нитрид тантала, нитрид титана и нитрид вольфрама), карбиды металлов (например, карбид кремния и карбид вольфрама), фосфиды металлов, силициды металлов, сплавы металл-фосфор (например, никель-фосфор) и т.п. Подложка также может включать в себя любой пригодный для использования материал полупроводниковой основы, такой, например, как материалы группы IV, группы II-VI и группы III-V. Например, пригодные для использования материалы полупроводниковой основы включают в себя монокристаллический, поликристаллический, аморфный кремний, кремний на изоляторе, углерод, германий и арсенид галлия, теллурид кадмия, сплавы кремния/германия и сплавы кремния/германия/углерода. В сочетании с настоящим изобретением также могут использоваться стеклянные подложки, включая техническое стекло, оптическое стекло и керамику различных типов, известных в данной области (например, алюмоборосиликатное, боросиликатное стекло, фторированное силикатное стекло (FSG), фосфосиликатное стекло (PSG), борфосфосиликатное стекло (BPSG) и т.п.). Подложки также могут содержать полимерные материалы. Подложки и/или их материалы могут содержать легирующие добавки, которые изменяют проводимость материала, такие, например, как кремний, легированный бором или фосфором и т.п. Пригодные для использования материалы с низкими k и сверхнизкими k включают в себя, например, легированные пленки диоксида кремния (например, диоксид кремния, легированный фтором или углеродом), стекла (например, FSG, PSG, BPSG и т.п.), кварц (например, HSSQ, MSSQ и т.п.), углерод (например, алмазоподобный углерод, фторированный алмазоподобный углерод и т.п.), полимеры (например, полиимиды, фторированные полиимиды, парилен N, бензоциклобутены, ароматические реактопласты/PAE, фторполимеры парилена F и т.п.), пористые материалы (например, аэрогели, ксерогели, мезопористая окись кремния, пористый HSSQ/MSSQ, пористая органика и т.п.) и так далее.
Например, настоящее изобретение может использоваться в сочетании с жесткими дисками или дисками памяти, металлами (например, благородными металлами), барьерными слоями, слоями ILD, интегральными схемами, полупроводниковыми устройствами, полупроводниковыми пластинами, микроэлектромеханическими системами, ферроэлектриками, магнитными головками или любым другим электронным устройством. Настоящий способ является особенно полезным при полировке или планаризации полупроводникового устройства, например, полупроводниковых устройств, имеющих геометрию деталей устройства примерно 0,25 мкм или меньше (например, 0,18 мкм или меньше). Термин "деталь устройства", как здесь используется, относится к компоненту с единственной функцией, такому как транзистор, резистор, конденсатор, интегральная схема или подобное. Детали устройства полупроводниковой подложки становятся все меньше, и степень планаризации становится более критичной. Поверхность полупроводникового устройства рассматривается как достаточно планарная, когда размеры самых маленьких деталей устройства (например, деталей устройства 0,25 мкм или меньше, таких как детали устройства 0,18 мкм или меньше) могут разрешаться на поверхности посредством фотолитографии. Планарность поверхности подложки может также быть выражена как мера расстояния между топографически самыми высокими и самыми низкими точками на поверхности. В контексте полупроводниковых подложек расстояние между высокими и низкими точками на поверхности желательно является меньшим, чем примерно 2000 Å, предпочтительно, меньшим, чем примерно 1500 Å, более предпочтительно меньшим, чем примерно 500 Å, и наиболее предпочтительно меньшим, чем примерно 100 Å.
Настоящее изобретение может использоваться для полировки любой части подложки (например, полупроводникового устройства), на любой стадии, при производстве подложки. Например, настоящее изобретение может использоваться для полировки полупроводникового устройства в сочетании с обработкой изоляции мелкой канавки (STI), как приведено, например, в патентах США № 5498565, 5721173, 5938505 и 6019806 (полное содержание которых включается сюда в качестве ссылок), или в сочетании с формированием диэлектрика между слоями.
При типичном способе CMP, суспензия, содержащая дисперсию абразивных частиц по настоящему изобретению, используется в сочетании с одной или несколькими добавками, приведенными здесь. Количество абразивных частиц в суспензии может находиться в пределах от примерно 0,001 до примерно 20 мас.%, предпочтительно от примерно 0,01 до примерно 15 мас.%, и более предпочтительно от примерно 0,01 до примерно 10 мас.%, от суспензии. Остаток суспензии может содержать воду, растворители и другие добавки, как приведено здесь. pH суспензии может находиться в пределах от 1 до 11,5, предпочтительно от 2 до 11. Скорость удаления при способе полировки изменяется в зависимости от материала, который полируется, но, как правило, является большей чем 100 нм/мин, предпочтительно большей чем 200 нм/мин, более предпочтительно, большей чем 250 нм/мин, для более твердых материалов (например, твердого диска, стекла и т.п.). Для более мягких материалов (например, меди и других металлов) скорость удаления, как правило, является большей чем 400 нм/мин, предпочтительно большей чем 600 нм/мин. Шероховатость поверхности (Ra) для полируемых материалов, как правило, является меньшей чем 0,75 нм, предпочтительно меньшей чем 0,69 нм, и более предпочтительно меньшей чем 0,65 нм; и максимальная разница пик/впадина (P/V), как правило, является меньшей чем 6,49 нм, предпочтительно меньшей чем 5,99 нм, более предпочтительно меньшей чем 5,50 нм.
В другом варианте осуществления настоящего изобретения, суспензия CMP содержит диспергирующую среду, полидисперсные абразивные частицы и окисляющий агент; при этом суспензия, имеющая содержание абразивных твердых продуктов 5 мас.% от суспензии и pH от примерно 2,3, удаляет фосфид никеля с подложки из фосфида никеля со скоростью, по меньшей мере, 155 нм/мин, используя полировальное устройство Labopol-5 с площадкой Rodel DPC 6350, имеющее силу прижатия 30 Н и скорость вращения 150 об/мин. Способ CMP и компоненты суспензии используются, как приведено в примере 1. Предпочтительно, скорость удаления равна, по меньшей мере, примерно 200 нм/мин при шероховатости поверхности (Ra), меньшей чем примерно 0,69 нм, и разности пик/впадина (P/V) меньшей чем примерно 6,6 нм, более предпочтительно скорость удаления равна, по меньшей мере, примерно 225 нм/мин при шероховатости поверхности (Ra), меньшей чем примерно 0,65 нм, и разности пик/впадина (P/V), меньшей чем примерно 6,5 нм.
В другом варианте осуществления настоящего изобретения, суспензия CMP содержит диспергирующую среду, полидисперсные абразивные частицы и окисляющий агент; при этом суспензия, имеющая содержание абразивных твердых продуктов 5 мас.% от суспензии и pH от примерно 6,3, удаляет стекло со стеклянной подложки со скоростью, по меньшей мере, 155 нм/мин, с использованием полировального устройства Labopol-5 с площадкой Rodel DPC 6350, имеющего силу прижатия 30 Н при скорости вращения 150 об/мин. Способ CMP и компоненты суспензии используются, как приведено в примере 3. Предпочтительно, скорость удаления равна, по меньшей мере, примерно 200 нм/мин при шероховатости поверхности (Ra), меньшей чем примерно 0,55 нм, и разности пик/впадина (P/V), меньшей чем примерно 14,5 нм, более предпочтительно скорость удаления равна, по меньшей мере, примерно 225 нм/мин при шероховатости поверхности (Ra), меньшей чем примерно 0,50 нм, и разности пик/впадина (P/V), меньшей чем примерно 14,0 нм.
Полное содержание всех патентов и публикаций, перечисленных в настоящей заявке, включаются сюда в качестве ссылок.
Следующие далее примеры приводятся как конкретные иллюстрации заявляемого изобретения. Нужно понимать, однако, что настоящее изобретение не ограничивается конкретными деталями, приведенными в примерах. Все доли и проценты в примерах, так же как и в остальном описании, приводятся по массе, если не указано иного.
Кроме того, любой диапазон чисел, упоминаемый в описании или формуле изобретения, например, такой, который представляет конкретный набор свойств, условий, физических состояний или процентов, предназначен здесь для буквального явного включения в себя любого числа, находящегося внутри такого диапазона, включая любое подмножество чисел с таким диапазоном, упоминаемым таким образом. Любые модификации настоящего изобретения, в дополнение к тем, которые показаны и описаны здесь, станут очевидны специалистам в данной области из приведенного выше описания и прилагаемых чертежей. Такие модификации, как предполагается, попадают в рамки прилагаемой формулы изобретения.
Пример 1
Сравнительная полировка NiP (полировка твердого диска)
При этом сравнении определяются скорость полировки и гладкость поверхности после полировки для абразивных частиц (приведены в таблице I), суспендированных в водном растворе, содержащем H2O2 (2 мас.% по отношению к суспензии в целом) и молочную кислоту (2 мас.% по отношению к суспензии в целом). pH всех суспензий равен 2,3±0,1. Полировку осуществляют с использованием полировального устройства Labopol-5, доступного от Struers A/S, с силой прижатия 30 Н, скоростью вращения 150 об/мин и скоростью потока суспензии 60 мл/мин (на полировальное устройство). Используемая площадка представляет собой Rodel DPC 6350. Подложка, используемая для полировки, представляет собой NiP на алюминии. Подложки представляют собой 9,5-см диски, приобретенные от Komag (San Jose, CA), и имеют 12-15-микронный слой NiP поверх алюминия. Элементная композиция представляет собой приблизительно 85% никеля и 15% фосфора. После полировки подложку промывают и сушат. Скорость полировки (скорость удаления) определяют по потерям массы. Гладкость поверхности характеризуют с использованием неконтактного оптического профилометра Horizon, доступного от Burleigh Instruments, Inc. Значения Ra (средней поверхности шероховатости) и P/V (максимальная разница пик/впадина) представляют собой параметры гладкости поверхности, используемые для сравнения. Значение Ra отражает общую гладкость поверхности (чем ниже значение, тем выше гладкость), в то время как значение P/V (пик/впадина) является особенно чувствительным к царапинам на поверхности.
При этих оценках полирующая суспензия, содержащая полидисперсную коллоидную двуокись кремния, сравнивается с идентичными в основном суспензиями, содержащими монодисперсную коллоидную двуокись кремния, осажденную двуокись кремния, и мелкодисперсную двуокись кремния и коллоидный оксид алюминия. Сводка результатов полировки приводится в таблице I.
Таблица I | |||||||
Сравнение абразивов
в суспензии молочной кислоты/H 2 O 2 для полировки NiP |
|||||||
Абразивные частицы | Конц. | Размер (по объему) | Скорость удаления (нм/мин) |
Ra (нм) |
P/V (нм) |
||
Медиан., нм |
Разброс, нм | >100 нм, % | |||||
Полидисперсные Коллоидные | 5% | 49,5 | 40 | 0 | 286 | 0,38 | 4,02 |
Монодисперсные Коллоидные | 5% | 22 | <10 | 0 | 154 | 0,69 | 6,64 |
Мелкодисперсная двуокись кремния | 5% | 130 | Неизв. | Неизв. | 144 | 0,87 | 9,43 |
Осажденная двуокись кремния | 5% | 100 | Неизв. | Неизв. | 107 | 0,70 | 7,03 |
Результаты ясно показывают, что полидисперсная коллоидная двуокись кремния обеспечивает наибольшую скорость удаления, в то же время обеспечивая качество полированной поверхности, которое является превосходным (более гладким), по сравнению с тем, которое достигается с помощью остальных трех абразивов.
Пример 2
Сравнительная полировка NiP
Условия для этого сравнения являются по существу эквивалентными тем, что в примере 1, за исключением того, что используют 1% Fe(NO3)3 вместо 2% H2O2, и концентрация молочной кислоты понижается до 1,5%. pH всех суспензий равны 2,0±0,1. При этой оценке полирующая суспензия, содержащая полидисперсную коллоидную двуокись кремния, сравнивается с идентичными в остальном суспензиями, содержащими монодисперсную коллоидную двуокись кремния, мелкодисперсную и осажденную двуокись кремния. Сводка результатов полировки приводится в таблице II.
Таблица II | |||||||
Сравнение абразивов
в суспензии молочной кислоты/Fe(NO 3 ) 3 для полировки NiP |
|||||||
Абразивные частицы | Конц. | Размер (по объему) | Скорость удаления (нм/мин) |
Ra (нм) |
P/V (нм) |
||
Медиан., нм |
Разброс, нм | >100 нм, % | |||||
Полидисперсные Коллоидные | 5% | 49,5 | 40 | 0 | 305 | 0,49 | 3,93 |
Монодисперсные Коллоидные | 5% | 22 | <10 | 0 | 188 | 0,75 | 5,99 |
Мелкодисперсная двуокись кремния | 5% | 130 | Неизв. | >50 | 144 | 0,98 | 10,23 |
Осажденная двуокись кремния | 5% | 100 | Неизв. | 50 | 97 | 0,74 | 7,56 |
Опять, суспензия с полидисперсной коллоидной двуокисью кремния (имеющей очень малую фракцию частиц, больших, чем 100 нм) демонстрирует наибольшую скорость удаления и наилучшее качество поверхности (гладкость с наименьшим царапанием).
Пример 3
Сравнительная полировка стекла
При этом сравнении, идентичные условия полировки используют для сравнения таких же абразивов для полировки стекла. 9,5-см стеклянные диски представляют собой по существу чистое стекло на основе двуокиси кремния с начальной шероховатостью поверхности (значением Ra) 2-10 нм. Частицы суспендируют в 0,2% водном растворе полиакриловой кислоты, что приводит к pH 6,3±0,1.
Таблица III | |||||||
Сравнение абразивов в суспензии полиакриловой кислоты
для полировки стеклянных дисков |
|||||||
Абразивные частицы | Конц. | Размер (по объему) | Скорость удаления (нм/мин) |
Ra (нм) |
P/V (нм) |
||
Медиан., нм |
Разброс, нм | >100 нм, % | |||||
Полидисперсные Коллоидные | 5% | 49,5 | 40 | 0 | 243 | 0,54 | 10,3 |
Монодисперсные Коллоидные | 5% | 22 | <10 | 0 | 139 | 0,53 | 14,7 |
Мелкодисперсная двуокись кремния | 5% | 130 | Неизв. | >50 | 113 | 0,89 | 19,4 |
Осажденная двуокись кремния | 5% | 100 | Неизв. | 50 | 159 | 0,76 | 12,5 |
Опять, полидисперсная коллоидная двуокись кремния дает самую высокую скорость удаления, самое маленькое царапание и шероховатость поверхности, сравнимую только с монодисперсной коллоидной двуокисью кремния.
Пример 4
Полировка меди в способе дамасской технологии
В способе медной дамасской технологии (1) вытравливают канавки в слое диэлектрика, (2) осаждают тонкий барьерный слой, покрывающий тонким слоем канавку и покрывающий тонким слоем диэлектрик вокруг канавки, (3) осаждают медь при толщине, соответствующей заполнению канавки, в то же время нанося покрытие на области вблизи канавки, и (4) используют способ CMP для сошлифовывания меди в областях вблизи канавки, в то же время оставляя внутри канавки настолько много меди, насколько это возможно. Желательным является быстрое сошлифовывание избытка меди, в то же время генерируя минимальную вогнутость на поверхности меди, заполняющей канавки, и минимальную эрозию диэлектрика между канавками.
Суспензии CMP для Cu изготавливают с использованием идентичных фаз раствора (аминокислота, перекись водорода в качестве окислителя и NH4OH в воде). В этих растворах суспендируют приблизительно 0,010% частиц. Осуществляют эксперименты по полировке для определения скорости удаления Cu, а также тенденции суспензии к ускорению образования вогнутости и эрозии. Крутизна образования рельефа по отношению к удаленной меди, которая определяется как "восприимчивость" к образованию вогнутости или эрозии для структуры, представляющей интерес, может использоваться в качестве меры для рабочих характеристик. Это значение восприимчивости является безразмерным. Чем меньше значение крутизны, тем ниже значение рельефа при любом данном количестве удаленной меди и тем лучше рабочие характеристики. Восприимчивости как к образованию вогнутости, так и к эрозии определяются с помощью метода наименьших квадратов.
Таблица IV | |||||||
Сравнение абразивов в суспензии аминокислоты/окислителя
для полировки Cu |
|||||||
Абразивные частицы | Конц., м.д. масс. |
Размер (по объему) | Скорость удаления (нм/мин) |
Воспри- имчивость к образо- ванию вогнутости |
Воспри- имчивость к эрозии |
||
Медиан., нм |
Разброс, нм | >100 нм, % | |||||
Полидисперсные Коллоидные | 1000 | 49,5 | 40 | 0 | 619 | 0,153 | 0,023 |
Монодисперсные Коллоидные | 35 | 22 | <10 | 0 | 430 | 0,159 | 0,054 |
Монодисперсные Коллоидные | 35 | 65 | <10 | 0 | 434 | 0,152 | 0,035 |
Суспензия полидисперсной коллоидной двуокиси кремния обеспечивает наилучшую стойкость к эрозии (то есть, значительно более низкую восприимчивость к эрозии) и по существу одинаковую стойкость к образованию углублений, несмотря на то, что количество абразива, используемое в суспензии, значительно выше, что делает возможной гораздо более высокую скорость удаления.
Claims (19)
1. Абразивная композиция для полировки подложек, содержащая множество абразивных частиц, содержащих распределение размеров полидисперсных частиц, при этом медианный размер частиц, по объему, составляет от примерно 20 нм до примерно 100 нм, значение разброса, по объему, является равным или большим чем примерно 15 нм, где фракция указанных частиц, больших чем примерно 100 нм, составляет менее чем или равна примерно 20 об.% абразивных частиц.
2. Абразивная композиция по п.1, где указанные абразивные частицы имеют распределение размеров полидисперсных частиц, при этом медианный размер частиц, по объему, составляет от примерно 20 нм до примерно 100 нм, значение разброса, по объему, является равным или большим, чем примерно 15 нм, где фракция указанных частиц, больших, чем примерно 100 нм, составляет менее чем или равна примерно 15 об.% абразивных частиц.
3. Абразивная композиция по п.1, где указанные абразивные частицы имеют распределение размеров полидисперсных частиц, при этом медианный размер частиц, по объему, составляет от примерно 20 нм до примерно 100 нм, значение разброса, по объему, является равным или большим чем примерно 15 нм, где фракция указанных частиц, больших чем примерно 100 нм, составляет менее чем или равна примерно 10 об.% абразивных частиц.
4. Абразивная композиция по п.1, где указанные абразивные частицы имеют распределение размеров полидисперсных частиц, при этом медианный размер частиц, по объему, составляет от примерно 20 нм до примерно 100 нм, значение разброса, по объему, является равным или большим, чем примерно 25 нм, где фракция указанных частиц, больших чем примерно 100 нм, составляет менее чем или равна примерно 10 об.% абразивных частиц.
5. Абразивная композиция по п.1, где указанные абразивные частицы имеют распределение размеров полидисперсных частиц, при этом медианный размер частиц, по объему, составляет от примерно 20 нм до примерно 100 нм, значение разброса, по объему, является равным или большим чем примерно 18 нм, где фракция указанных частиц, больших чем примерно 100 нм, составляет менее чем или равна примерно 20 об.% абразивных частиц.
6. Абразивная композиция по п.1, где указанные абразивные частицы имеют распределение размеров полидисперсных частиц, при этом медианный размер частиц, по объему, составляет от примерно 20 нм до примерно 100 нм, значение разброса, по объему, является равным или большим чем примерно 20 нм, где фракция указанных частиц, больших чем примерно 100 нм, составляет менее чем или равна примерно 20 об.% абразивных частиц.
7. Абразивная композиция по п.1, в которой указанные абразивные частицы содержат двуокись кремния.
8. Абразивная композиция по п.1, в которой указанные абразивные частицы содержат коллоидную двуокись кремния.
9. Абразивная композиция по п.1, в которой указанные абразивные частицы содержат катионы оксида алюминия, алюминия, аммония или калия, связанные с ними.
10. Абразивная суспензионная композиция для полировки подложек, содержащая множество абразивных частиц, имеющих распределение размеров полидисперсных частиц, при этом медианный размер частиц, по объему, составляет от примерно 20 нм до примерно 100 нм, и значение разброса, по объему, является равным или большим чем 15 нм, где фракция указанных частиц, больших чем примерно 100 нм, составляет менее чем или равна примерно 20 об.% абразивных частиц; и
раствор, имеющий один или несколько химических реагентов.
раствор, имеющий один или несколько химических реагентов.
11. Абразивная суспензия по п.10, в которой указанные абразивные частицы имеют распределение размеров полидисперсных частиц, при этом медианный размер частиц, по объему, составляет от примерно 20 нм до примерно 100 нм, значение разброса, по объему, является равным или большим, чем примерно 15 нм, где фракция указанных частиц, больших чем примерно 100 нм, составляет менее чем или равна примерно 10 об.% абразивных частиц.
12. Абразивная суспензия по п.10, в которой указанные абразивные частицы имеют распределение размеров полидисперсных частиц, при этом медианный размер частиц, по объему, составляет от примерно 20 нм до примерно 100 нм, значение разброса, по объему, является равным или большим чем примерно 18 нм, где фракция указанных частиц, больших чем примерно 100 нм, составляет менее чем или равна примерно 20 об.% абразивных частиц.
13. Абразивная суспензия по п.10, в которой указанные абразивные частицы содержат двуокись кремния.
14. Абразивная суспензия по п.11, в которой указанные абразивные частицы содержат катионы оксида алюминия, алюминия, аммония или калия, связанные с ними.
15. Способ полировки подложек абразивной композицией, включающий обеспечение подложки, которую необходимо полировать, и полировку подложки с использованием множества абразивных частиц, имеющих распределение размеров полидисперсных частиц, при этом медианный размер частиц, по объему, составляет от примерно 20 нм до примерно 100 нм, значение разброса, по объему, является равным или большим чем примерно 15 нм, и где фракция указанных частиц, больших чем примерно 100 нм, составляет менее чем или равна примерно 20 об.% абразивных частиц.
16. Способ по п.15, в котором указанные абразивные частицы имеют распределение размеров полидисперсных частиц, при этом медианный размер частиц, по объему, составляет от примерно 20 нм до примерно 100 нм, значение разброса, по объему, является равным или большим чем примерно 15 нм, где фракция указанных частиц, больших чем примерно 100 нм, составляет менее чем или равна примерно 10 об.% абразивных частиц.
17. Способ по п.15, в котором указанные абразивные частицы имеют распределение размеров полидисперсных частиц, при этом медианный размер частиц, по объему, составляет от примерно 20 нм до примерно 100 нм, значение разброса, по объему, является равным или большим чем примерно 18 нм, где фракция указанных частиц, больших чем примерно 100 нм, составляет менее чем или равна примерно 20 об.% абразивных частиц.
18. Способ по п.17, в котором указанные абразивные частицы содержат двуокись кремния.
19. Способ по п.17, в котором указанные абразивные частицы содержат катионы оксида алюминия, алюминия, аммония или калия, связанные с ними.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US48668603P | 2003-07-11 | 2003-07-11 | |
US60/486,686 | 2003-07-11 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2006104117A RU2006104117A (ru) | 2006-07-27 |
RU2356926C2 true RU2356926C2 (ru) | 2009-05-27 |
Family
ID=34079279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2006104117/04A RU2356926C2 (ru) | 2003-07-11 | 2004-07-09 | Абразивные частицы для механической полировки |
Country Status (17)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060175295A1 (ru) |
EP (1) | EP1660606B1 (ru) |
JP (1) | JP2007531631A (ru) |
KR (1) | KR101134827B1 (ru) |
CN (1) | CN1849379B (ru) |
AU (1) | AU2004257233A1 (ru) |
BR (1) | BRPI0412515A (ru) |
CA (1) | CA2532114A1 (ru) |
DK (1) | DK1660606T3 (ru) |
ES (1) | ES2436215T3 (ru) |
MX (1) | MXPA06000251A (ru) |
NO (1) | NO20060576L (ru) |
PL (1) | PL1660606T3 (ru) |
PT (1) | PT1660606E (ru) |
RU (1) | RU2356926C2 (ru) |
TW (1) | TWI415926B (ru) |
WO (1) | WO2005007770A1 (ru) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2573672C2 (ru) * | 2010-09-08 | 2016-01-27 | Басф Се | Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек, содержащих пленки диэлектрика оксида кремния и поликремния |
RU2591152C2 (ru) * | 2011-02-21 | 2016-07-10 | Фудзими Инкорпорейтед | Полирующая композиция |
RU2602581C2 (ru) * | 2012-01-10 | 2016-11-20 | Сэнт - Гобэйн Керамикс Энд Пластик,Инк. | Абразивные частицы, имеющие сложные формы, и способы их формования |
RU2605941C2 (ru) * | 2011-08-01 | 2016-12-27 | Басф Се | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ, ВКЛЮЧАЮЩИЙ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЕ ПОЛИРОВАНИЕ ЭЛЕМЕНТАРНОГО ГЕРМАНИЯ И/ИЛИ МАТЕРИАЛА Si1-x Gex В ПРИСУТСТВИИ ХМП (ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВАЛЬНОЙ) КОМПОЗИЦИИ, ВКЛЮЧАЮЩЕЙ СПЕЦИАЛЬНОЕ ОРГАНИЧЕСКОЕ СОЕДИНЕНИЕ |
RU2607214C2 (ru) * | 2010-09-08 | 2017-01-10 | Басф Се | Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек для электрических, механических и оптических устройств |
RU2608890C2 (ru) * | 2010-09-08 | 2017-01-26 | Басф Се | Водные полирующие композиции, содержащие n-замещенные диазений диоксиды и/или соли n -замещенных n'-гидрокси-диазений оксидов |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100662546B1 (ko) * | 2005-03-07 | 2006-12-28 | 제일모직주식회사 | 실리콘 웨이퍼의 표면 품질을 개선하는 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법 |
DE102005017372A1 (de) * | 2005-04-14 | 2006-10-19 | Degussa Ag | Wässrige Ceroxiddispersion |
GB2433515B (en) * | 2005-12-22 | 2011-05-04 | Kao Corp | Polishing composition for hard disk substrate |
US20130000214A1 (en) * | 2006-01-11 | 2013-01-03 | Jia-Ni Chu | Abrasive Particles for Chemical Mechanical Polishing |
JP2007220995A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Fujifilm Corp | 金属用研磨液 |
US7897061B2 (en) * | 2006-02-01 | 2011-03-01 | Cabot Microelectronics Corporation | Compositions and methods for CMP of phase change alloys |
US9074118B2 (en) * | 2006-07-12 | 2015-07-07 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP method for metal-containing substrates |
JP5007384B2 (ja) * | 2006-10-18 | 2012-08-22 | 株式会社荏原製作所 | 触媒支援型化学加工方法及び装置 |
US20080085412A1 (en) * | 2006-10-04 | 2008-04-10 | Ortiz C Yolanda | Silica-coated metal oxide sols having variable metal oxide to silica ratio |
JP4665886B2 (ja) * | 2006-10-27 | 2011-04-06 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 垂直磁気記録媒体、垂直磁気記録媒体用基板、および、それらの製造方法 |
US7837888B2 (en) * | 2006-11-13 | 2010-11-23 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for damascene CMP |
US7976723B2 (en) * | 2007-05-17 | 2011-07-12 | International Business Machines Corporation | Method for kinetically controlled etching of copper |
US20090001373A1 (en) * | 2007-06-26 | 2009-01-01 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel Ltd.) | Electrode of aluminum-alloy film with low contact resistance, method for production thereof, and display unit |
EP2048207A1 (en) * | 2007-10-11 | 2009-04-15 | STMicroelectronics S.r.l. | Method of planarizing chalcogenide alloys, in particular for use in phase change memory devices |
JP5270303B2 (ja) * | 2008-10-31 | 2013-08-21 | 日揮触媒化成株式会社 | 研磨用シリカゾルおよびその製造方法 |
JP5326638B2 (ja) * | 2009-02-18 | 2013-10-30 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法、それが使用される磁気記録媒体用ガラス基板、および、垂直磁気記録媒体 |
US8382016B2 (en) * | 2009-02-25 | 2013-02-26 | Thiele Kaolin Company | Nano particle mineral pigment |
US20140234639A1 (en) * | 2013-02-21 | 2014-08-21 | Prakash B Malla | Self binding nano particle mineral pigment |
CN101928521B (zh) * | 2009-06-26 | 2014-09-03 | 盟智科技股份有限公司 | 研浆组成物及使用该研浆组成物的金属镶嵌结构制造方法 |
CN102498572B (zh) * | 2009-09-11 | 2016-03-02 | 第一太阳能有限公司 | 清洗碲化镉表面的方法和制造光伏器件的方法 |
US20110117696A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-05-19 | Air Liquide Electronics U.S. Lp | CdTe SURFACE TREATMENT FOR STABLE BACK CONTACTS |
EP2537960B1 (en) * | 2010-02-15 | 2015-04-01 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | ETCHING SOLUTION and etching method FOR MULTILAYER THIN FILM HAVING COPPER LAYER AND MOLYBDENUM LAYER CONTAINED THEREIN |
JP5617387B2 (ja) * | 2010-07-06 | 2014-11-05 | 富士電機株式会社 | 垂直磁気記録媒体用基板の製造方法、および、該製造方法により製造される垂直磁気記録媒体用基板 |
JPWO2012036087A1 (ja) * | 2010-09-15 | 2014-02-03 | 旭硝子株式会社 | 研磨剤および研磨方法 |
JP5979872B2 (ja) * | 2011-01-31 | 2016-08-31 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
JP5979871B2 (ja) * | 2011-03-09 | 2016-08-31 | 花王株式会社 | 磁気ディスク基板の製造方法 |
US20120264303A1 (en) * | 2011-04-15 | 2012-10-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing slurry, system and method |
CN102344761A (zh) * | 2011-08-03 | 2012-02-08 | 南通海迅天恒纳米科技有限公司 | 一种铈掺杂二氧化硅溶胶的制备方法 |
JP6077208B2 (ja) * | 2011-11-25 | 2017-02-08 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
US9688884B2 (en) * | 2011-11-25 | 2017-06-27 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
JP6035346B2 (ja) * | 2011-12-21 | 2016-11-30 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | 半導体装置の製造方法及びcmp組成物の使用方法 |
WO2014150884A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Ecolab Usa Inc. | Methods of polishing sapphire surfaces |
JP2013177617A (ja) * | 2013-05-09 | 2013-09-09 | Jgc Catalysts & Chemicals Ltd | 研磨用シリカゾルおよび研磨用組成物 |
EP2810997A1 (en) * | 2013-06-05 | 2014-12-10 | Basf Se | A chemical mechanical polishing (cmp) composition |
JP6407582B2 (ja) * | 2013-07-03 | 2018-10-17 | Hoya株式会社 | 基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び基板加工装置 |
US9190091B2 (en) * | 2013-08-02 | 2015-11-17 | HGST Netherlands, B.V. | Composition and method for planarized bit-patterned magnetic media |
US9340706B2 (en) * | 2013-10-10 | 2016-05-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Mixed abrasive polishing compositions |
US20150114928A1 (en) * | 2013-10-30 | 2015-04-30 | Jia-Ni Chu | Abrasive Particles for Chemical Mechanical Polishing |
CN104650739A (zh) * | 2013-11-22 | 2015-05-27 | 安集微电子(上海)有限公司 | 一种用于抛光二氧化硅基材的化学机械抛光液 |
WO2016136447A1 (ja) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | 堺化学工業株式会社 | 負帯電性基板の研磨方法、及び、高表面平滑性の負帯電性基板の製造方法 |
US9505952B2 (en) * | 2015-03-05 | 2016-11-29 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition containing ceria abrasive |
US10414947B2 (en) * | 2015-03-05 | 2019-09-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing composition containing ceria particles and method of use |
CN105463467A (zh) * | 2015-11-30 | 2016-04-06 | 江苏中晶科技有限公司 | 高精密弱碱性不锈钢抛光液及其制备方法 |
US10066126B2 (en) * | 2016-01-06 | 2018-09-04 | Cabot Microelectronics Corporation | Tungsten processing slurry with catalyst |
US10253216B2 (en) * | 2016-07-01 | 2019-04-09 | Versum Materials Us, Llc | Additives for barrier chemical mechanical planarization |
US10752785B2 (en) * | 2016-09-09 | 2020-08-25 | IndusCo, Ltd. | Anti-slip botanical antimicrobial microemulsions |
CN108728849A (zh) * | 2018-05-17 | 2018-11-02 | 合肥协耀玻璃制品有限公司 | 一种不锈钢材料用抛光剂及其制备方法 |
CN108587478B (zh) * | 2018-07-03 | 2020-09-25 | 中国人民解放军国防科技大学 | 一种改性纳米二氧化硅复合抛光液及其应用 |
KR102526666B1 (ko) | 2021-06-17 | 2023-04-26 | 배진범 | 정전기 방지용 연마체 |
CN115109520A (zh) * | 2022-06-01 | 2022-09-27 | 大连理工大学 | 用于单晶金刚石化学机械抛光加工的抛光液及其制备方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6527817B1 (en) * | 1999-11-15 | 2003-03-04 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for planarizing surfaces |
US6454820B2 (en) * | 2000-02-03 | 2002-09-24 | Kao Corporation | Polishing composition |
US6471884B1 (en) * | 2000-04-04 | 2002-10-29 | Cabot Microelectronics Corporation | Method for polishing a memory or rigid disk with an amino acid-containing composition |
MY118582A (en) * | 2000-05-12 | 2004-12-31 | Kao Corp | Polishing composition |
KR100803876B1 (ko) * | 2000-05-12 | 2008-02-14 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 연마용 조성물 |
JP4251516B2 (ja) * | 2000-05-12 | 2009-04-08 | 花王株式会社 | 研磨液組成物 |
US6976905B1 (en) * | 2000-06-16 | 2005-12-20 | Cabot Microelectronics Corporation | Method for polishing a memory or rigid disk with a phosphate ion-containing polishing system |
JP3945745B2 (ja) * | 2001-03-09 | 2007-07-18 | 三井金属鉱業株式会社 | セリウム系研摩材及び研摩材スラリー並びにセリウム系研摩材の製造方法 |
JP2003197573A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Ekc Technology Kk | メタル膜絶縁膜共存表面研磨用コロイダルシリカ |
JP3748410B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2006-02-22 | 株式会社東芝 | 研磨方法及び半導体装置の製造方法 |
US6896942B2 (en) * | 2002-04-17 | 2005-05-24 | W. R. Grace & Co. -Conn. | Coating composition comprising colloidal silica and glossy ink jet recording sheets prepared therefrom |
-
2004
- 2004-07-09 PT PT47778345T patent/PT1660606E/pt unknown
- 2004-07-09 KR KR1020067000642A patent/KR101134827B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-07-09 JP JP2006520233A patent/JP2007531631A/ja active Pending
- 2004-07-09 EP EP04777834.5A patent/EP1660606B1/en not_active Revoked
- 2004-07-09 AU AU2004257233A patent/AU2004257233A1/en not_active Abandoned
- 2004-07-09 US US10/564,842 patent/US20060175295A1/en not_active Abandoned
- 2004-07-09 RU RU2006104117/04A patent/RU2356926C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2004-07-09 ES ES04777834T patent/ES2436215T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2004-07-09 MX MXPA06000251A patent/MXPA06000251A/es unknown
- 2004-07-09 PL PL04777834T patent/PL1660606T3/pl unknown
- 2004-07-09 TW TW093120616A patent/TWI415926B/zh active
- 2004-07-09 CA CA002532114A patent/CA2532114A1/en not_active Abandoned
- 2004-07-09 BR BRPI0412515-0A patent/BRPI0412515A/pt not_active IP Right Cessation
- 2004-07-09 CN CN2004800260037A patent/CN1849379B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-09 DK DK04777834.5T patent/DK1660606T3/da active
- 2004-07-09 WO PCT/US2004/021998 patent/WO2005007770A1/en active Application Filing
-
2006
- 2006-02-03 NO NO20060576A patent/NO20060576L/no not_active Application Discontinuation
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2573672C2 (ru) * | 2010-09-08 | 2016-01-27 | Басф Се | Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек, содержащих пленки диэлектрика оксида кремния и поликремния |
RU2607214C2 (ru) * | 2010-09-08 | 2017-01-10 | Басф Се | Водная полирующая композиция и способ химико-механического полирования подложек для электрических, механических и оптических устройств |
RU2608890C2 (ru) * | 2010-09-08 | 2017-01-26 | Басф Се | Водные полирующие композиции, содержащие n-замещенные диазений диоксиды и/или соли n -замещенных n'-гидрокси-диазений оксидов |
RU2591152C2 (ru) * | 2011-02-21 | 2016-07-10 | Фудзими Инкорпорейтед | Полирующая композиция |
RU2605941C2 (ru) * | 2011-08-01 | 2016-12-27 | Басф Се | СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ УСТРОЙСТВ, ВКЛЮЧАЮЩИЙ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЕ ПОЛИРОВАНИЕ ЭЛЕМЕНТАРНОГО ГЕРМАНИЯ И/ИЛИ МАТЕРИАЛА Si1-x Gex В ПРИСУТСТВИИ ХМП (ХИМИКО-МЕХАНИЧЕСКОЙ ПОЛИРОВАЛЬНОЙ) КОМПОЗИЦИИ, ВКЛЮЧАЮЩЕЙ СПЕЦИАЛЬНОЕ ОРГАНИЧЕСКОЕ СОЕДИНЕНИЕ |
RU2602581C2 (ru) * | 2012-01-10 | 2016-11-20 | Сэнт - Гобэйн Керамикс Энд Пластик,Инк. | Абразивные частицы, имеющие сложные формы, и способы их формования |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2532114A1 (en) | 2005-01-27 |
AU2004257233A1 (en) | 2005-01-27 |
BRPI0412515A (pt) | 2006-09-19 |
TWI415926B (zh) | 2013-11-21 |
DK1660606T3 (da) | 2013-12-02 |
EP1660606A1 (en) | 2006-05-31 |
NO20060576L (no) | 2006-02-03 |
US20060175295A1 (en) | 2006-08-10 |
RU2006104117A (ru) | 2006-07-27 |
KR20060041220A (ko) | 2006-05-11 |
MXPA06000251A (es) | 2006-03-30 |
KR101134827B1 (ko) | 2012-04-13 |
CN1849379A (zh) | 2006-10-18 |
TW200516132A (en) | 2005-05-16 |
PT1660606E (pt) | 2013-12-09 |
CN1849379B (zh) | 2011-12-14 |
JP2007531631A (ja) | 2007-11-08 |
ES2436215T3 (es) | 2013-12-27 |
EP1660606B1 (en) | 2013-09-04 |
WO2005007770A1 (en) | 2005-01-27 |
PL1660606T3 (pl) | 2014-02-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2356926C2 (ru) | Абразивные частицы для механической полировки | |
TW559928B (en) | Methods and compositions for chemical mechanical polishing barrier layer materials | |
TWI343944B (en) | Cmp slurry, preparation method thereof and method of polishing substrate using the same | |
JP3616802B2 (ja) | スラリー組成物およびそれを用いる化学機械的研磨方法 | |
US6267909B1 (en) | Planarization composition for removing metal films | |
JP5361306B2 (ja) | 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 | |
US7112123B2 (en) | Chemical-mechanical polishing (CMP) slurry containing clay and CeO2 abrasive particles and method of planarizing surfaces | |
US20060124593A1 (en) | Colloidal silica based chemical mechanical polishing slurry | |
US20030157804A1 (en) | Composition for the chemical mechanical polishing of metal and metal/dielectric structures | |
KR20070105301A (ko) | 메탈레이트 개질된 실리카 입자를 함유하는 수성 슬러리 | |
US20130000214A1 (en) | Abrasive Particles for Chemical Mechanical Polishing | |
JP5861906B2 (ja) | 酸化ケイ素除去を増大させるように適合した研磨組成物で基体を化学機械研磨する方法 | |
US20150114928A1 (en) | Abrasive Particles for Chemical Mechanical Polishing | |
JP4860152B2 (ja) | 研磨剤組成物とそれによる研磨方法 | |
WO2006073156A1 (ja) | 研磨用スラリー | |
US20070011952A1 (en) | Chemical-mechanical polishing (CMP) slurry containing clay and CeO2 abrasive particles and method of planarizing surfaces | |
JP2006012969A (ja) | 研磨用シリカゾルおよびその製造方法 | |
JP7508275B2 (ja) | 研磨用組成物、研磨方法および半導体基板の製造方法 | |
JP5333742B2 (ja) | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 | |
KR101279970B1 (ko) | 금속 배선 연마용 cmp 슬러리 조성물 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130710 |